專利名稱：缺陷檢測參數(shù)分析方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制程參數(shù)分析方法，尤其涉及一種缺陷檢測參數(shù)的分析方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造技術(shù)中，要完成一個半導(dǎo)體產(chǎn)品，通常要經(jīng)過許多個制程，例如微影制程、蝕刻制程、離子植入制程等；也就是說在半導(dǎo)體制造過程中必須應(yīng)用到大量的機臺，以及許多繁瑣的程序。因此，熟悉該項技術(shù)者都致力于確保機臺運作正常、維持或提高產(chǎn)品良率、偵測確認問題點以及機臺維修等作業(yè)，以期使半導(dǎo)體產(chǎn)品的生產(chǎn)速度及品質(zhì)能夠合乎客戶需求。
一般而言，要探討半導(dǎo)體制程的問題，可以從下列幾項數(shù)據(jù)著手進行分析，包括制程參數(shù)數(shù)據(jù)、線上品質(zhì)測試(In-line QC)數(shù)據(jù)、缺陷檢測(defect inspection)數(shù)據(jù)、樣品測試(sample test)數(shù)據(jù)、晶圓測試(wafer test)數(shù)據(jù)以及封裝后測試(final test)數(shù)據(jù)。其中，缺陷檢測數(shù)據(jù)乃是針對晶圓(wafer)的每一層別進行缺陷的檢測，如缺陷總數(shù)量(total count)、缺陷增加數(shù)量(adder count)、或缺陷類別數(shù)量(class count)，所得到的測試值，其通常以缺陷分布圖來表示。
在現(xiàn)有技術(shù)中，如圖1所示，首先進行步驟101，此時熟知技術(shù)者會針對每一晶圓進行各項缺陷檢測項目的測試，如內(nèi)金屬介電層(inter-metal dielectric layer)的缺陷數(shù)量檢測等。
接著，在步驟102中，熟知技術(shù)者會觀察每一晶圓的各項缺陷檢測項目的結(jié)果，以便找出缺陷檢測結(jié)果有偏差的產(chǎn)品。如圖2所示，在一片晶圓中會切割成多個晶格(die)21，其中包括有多個黑點，表示此晶圓的某一層別的缺陷22的位置，如圖2所示即表示缺陷的分布圖。
步驟103由熟知技術(shù)者根據(jù)經(jīng)驗，以及從步驟102中所選出的異常產(chǎn)品的缺陷分布圖，來判斷可能有問題的制程站別，如多晶硅層形成制程、金屬層形成制程、內(nèi)金屬介電層形成制程等。
最后，在步驟104中，熟知技術(shù)者檢查步驟103所判斷的制程站別中的各機臺，以便找出異常的機臺。舉例而言，熟知技術(shù)者可以依據(jù)內(nèi)金屬介電層的缺陷總數(shù)量檢測不合規(guī)格，判斷有問題的制程站別為內(nèi)金屬介電層的沉積制程站別，并檢查出異常的機臺，如沉積機臺、蝕刻機臺等。
然而，由于現(xiàn)有技術(shù)是利用人為經(jīng)驗判斷來決定分析結(jié)果(步驟103)，所以最后分析出來的結(jié)果的精確度及可信度將有待商榷；再加上半導(dǎo)體制造業(yè)人士更換頻繁，導(dǎo)致前后期工程師之間的經(jīng)驗不容易傳承，且每一位工程師能力有限，無法兼顧廠區(qū)所有機臺的操作狀態(tài)，故當半導(dǎo)體產(chǎn)品的缺陷檢測結(jié)果發(fā)生異常時，工程師不見得有足夠的經(jīng)驗快速且正確地判斷出是哪一個環(huán)節(jié)出問題，因而可能必須耗費許多時間來進行相關(guān)研究，甚至有可能做出錯誤的判斷，這樣一來，不但降低制程的效率、增加生產(chǎn)成本，還無法及時改善生產(chǎn)情形以提高良率。
因此，如何提供一種能夠在半導(dǎo)體產(chǎn)品的缺陷檢測數(shù)據(jù)發(fā)生異常時，快速且正確地判斷出是哪一個環(huán)節(jié)出問題的分析方法，正是當前半導(dǎo)體制造技術(shù)的重要課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠在半導(dǎo)體產(chǎn)品的缺陷檢測數(shù)據(jù)發(fā)生異常時，快速且正確地判斷出是哪一個環(huán)節(jié)出問題的缺陷檢測參數(shù)分析方法。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種能夠依據(jù)缺陷檢測及晶圓測試的結(jié)果來修正缺陷檢測的封殺比例(kill ratio)的缺陷檢測參數(shù)分析方法。
本發(fā)明的特征是配合一個記錄有各項缺陷檢測項目及與其相關(guān)的制程機臺的數(shù)據(jù)庫，并利用共通性分析手法來進行缺陷檢測參數(shù)的分析。
為達到上述目的，根據(jù)本發(fā)明的缺陷檢測參數(shù)分析方法用以分析多批分別具有一個批號的產(chǎn)品，每批產(chǎn)品經(jīng)過多個機臺所制得，而每批產(chǎn)品中的每一片晶圓至少經(jīng)過一個缺陷檢測項目的檢測，以產(chǎn)生一個缺陷檢測參數(shù)值，此缺陷檢測項目及其參數(shù)值以及與此缺陷檢測項目相關(guān)的一個制程站別儲存于一個數(shù)據(jù)庫中，本方法包括以下數(shù)個步驟搜尋數(shù)據(jù)庫以取得多批產(chǎn)品的缺陷檢測參數(shù)值；依據(jù)缺陷檢測參數(shù)值將多批產(chǎn)品區(qū)分為至少一個合格產(chǎn)品組及一個不合格產(chǎn)品組；從數(shù)據(jù)庫中搜尋與缺陷檢測項目相關(guān)的制程站別；搜尋合格產(chǎn)品組在制程站別所經(jīng)過的機臺；搜尋不合格產(chǎn)品組在制程站別所經(jīng)過的機臺；以及判斷不合格產(chǎn)品組經(jīng)過機率高于合格產(chǎn)品組經(jīng)過機率的機臺。
此外，每批產(chǎn)品中的每一片晶圓還經(jīng)過與缺陷檢測項目相關(guān)的一個晶圓測試項目的檢測，以產(chǎn)生一個晶圓測試參數(shù)值，而數(shù)據(jù)庫中更儲存有此晶圓測試項目及晶圓測試參數(shù)值，而依本發(fā)明的缺陷檢測參數(shù)分析方法，還利用疊圖方式比對晶圓測試參數(shù)值分布圖與缺陷分布圖，以便找出較佳的缺陷檢測的封殺比例(kill ratio)。
承上所述，因為根據(jù)本發(fā)明的缺陷檢測參數(shù)分析方法是配合記錄有各項缺陷檢測項目及與其相關(guān)的制程機臺的數(shù)據(jù)庫并利用共通性分析手法來分析缺陷檢測參數(shù)，所以能夠在半導(dǎo)體產(chǎn)品的缺陷檢測數(shù)據(jù)發(fā)生異常時，快速且正確地判斷出是哪一個環(huán)節(jié)出問題，并找出異常的機臺，另外還能夠依據(jù)缺陷檢測及晶圓測試的結(jié)果來修正缺陷檢測的封殺比例(kill ratio)，因此能夠有效地減少人為判斷的錯誤來提高制程的效率、減少生產(chǎn)成本，并及時改善在線生產(chǎn)情形以提高良率。


圖1顯示現(xiàn)有缺陷檢測參數(shù)分析方法的流程圖；圖2顯示晶圓的缺陷檢測參數(shù)值分布圖；圖3顯示依本發(fā)明較佳實施例的缺陷檢測參數(shù)分析方法的流程圖；圖4顯示依本發(fā)明另一較佳實施例的缺陷檢測參數(shù)分析方法的流程圖；以及圖5顯示晶圓的晶圓測試參數(shù)值分布圖。
圖中的符號說明101～104 現(xiàn)有缺陷檢測參數(shù)分析方法的流程21 晶格22 缺陷23 缺陷晶格301～311 本發(fā)明較佳實施例之缺陷檢測參數(shù)分析方法的流程401～411 本發(fā)明另一較佳實施例的缺陷檢測參數(shù)分析方法的流程51 失格晶格52 合格晶格具體實施方式
以下配合附圖，說明根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的缺陷檢測參數(shù)分析方法，其中相同的組件以相同的符號表示。
如圖3所示，圖中顯示本發(fā)明較佳實施例的缺陷檢測參數(shù)分析方法的流程圖，用以在半導(dǎo)體產(chǎn)品的缺陷檢測數(shù)據(jù)發(fā)生異常時，快速且正確地判斷出是哪一個機臺出了問題。
首先，步驟301搜尋一個數(shù)據(jù)庫，以取得多批產(chǎn)品的缺陷檢測參數(shù)值。其中，每一批(lot)產(chǎn)品具有一個批號(lot number)，且每批產(chǎn)品包括有25片晶圓，而每批產(chǎn)品經(jīng)過多道制程的多個機臺，每批產(chǎn)品中的一片或以上的晶圓至少經(jīng)過一個缺陷檢測項目的檢測，以產(chǎn)生一個缺陷檢測參數(shù)值。在本實施例中，缺陷檢測結(jié)果可以分為缺陷總數(shù)量(total count)、缺陷增加數(shù)量(adder count)或缺陷類別數(shù)量(class count)；而缺陷檢測參數(shù)值可以是由一個缺陷分布圖所表示，以缺陷增加數(shù)量的缺陷分布圖為例，如圖2所示，其中分布于晶圓的多個晶格21中的多個黑點分別表示一個缺陷22。需要注意，一個晶圓可能在不同的層別都具有缺陷，則此時一片晶圓會具有一張以上的缺陷分布圖。
接著，步驟302將每一批產(chǎn)品的缺陷檢測結(jié)果以圖表顯示。在本實施例中，本步驟利用柱狀圖(histogram)來表示每批產(chǎn)品的缺陷檢測參數(shù)值，如缺陷總數(shù)量、缺陷增加數(shù)量或缺陷類別數(shù)量，因此工程師能夠觀察此柱狀圖而了解缺陷檢測參數(shù)值的分布結(jié)果。
在步驟303中，在步驟301所取得的多批產(chǎn)品被區(qū)分為至少兩個產(chǎn)品組，其區(qū)分的標準為是否合乎各缺陷檢測參數(shù)值的預(yù)設(shè)規(guī)格，而這數(shù)批產(chǎn)品被區(qū)分為一個合格產(chǎn)品組及一個不合格產(chǎn)品組。在本實施例中，本步驟將缺陷檢測參數(shù)值在預(yù)設(shè)規(guī)格范圍內(nèi)的數(shù)批產(chǎn)品設(shè)定為A組(合格產(chǎn)品組)產(chǎn)品，例如包括批號1、2、3、4、及5(如步驟304所示)；以及將缺陷檢測參數(shù)值不在預(yù)設(shè)規(guī)格范圍內(nèi)的數(shù)批產(chǎn)品設(shè)定為B組(不合格產(chǎn)品組)產(chǎn)品，例如包括批號6、7、8、9、及10(如步驟305所示)。
然后，步驟306從一個經(jīng)驗累積數(shù)據(jù)庫中搜尋與所分析的缺陷檢測項目的層別相關(guān)的制程站別；例如，若所分析的缺陷檢測項目的層別為內(nèi)金屬介電層，則與其相關(guān)的制程站別可能為第一道金屬層之后的介電層的沉積制程站別、微影制程站別或蝕刻制程站別。在本實施例中，此經(jīng)驗累積數(shù)據(jù)庫包括有資深工程師根據(jù)其過往追蹤問題時所累積的經(jīng)驗；此外，計算機系統(tǒng)根據(jù)本發(fā)明的方法所推導(dǎo)出的數(shù)據(jù)，也會儲存在此數(shù)據(jù)庫中。
當步驟306從數(shù)據(jù)庫中搜尋與所分析的缺陷檢測項目的層別相關(guān)的制程站別后，步驟307顯示經(jīng)過步驟306的搜尋后，應(yīng)追蹤的項目為某一制程站別。
接著，在步驟308中，先搜尋被追蹤的制程站別包括哪些機臺，例如E1，E2，E3…。接著，步驟309計算B組產(chǎn)品經(jīng)過此制程站別的這些機臺的機率。另外，步驟310計算A組產(chǎn)品經(jīng)過此制程站別的這些機臺的機率。最后，在步驟311中，利用共通性分析手法，找出B組產(chǎn)品經(jīng)過機率高于A組產(chǎn)品經(jīng)過機率的機臺。由步驟311所求得的這些B組產(chǎn)品經(jīng)過機率高的機臺，就是依本發(fā)明較佳實施例的缺陷檢測參數(shù)分析方法所分析出的可能有問題的機臺。
另外，如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明另一較佳實施例的流程圖，本實施力提供一種利用缺陷分布狀況與晶圓測試結(jié)果來修正缺陷數(shù)量管制標準的方法。在本實施例中，每批產(chǎn)品中的每一片晶圓還經(jīng)過一個晶圓測試項目的檢測，以產(chǎn)生一個晶圓測試參數(shù)值，該數(shù)據(jù)庫還儲存有晶圓測試項目及其參數(shù)值、以及缺陷檢測項目與晶圓測試項目的相關(guān)性。
首先，步驟401搜尋數(shù)據(jù)庫以取得多批產(chǎn)品的缺陷檢測參數(shù)值。如前所述，每一批產(chǎn)品具有一個批號，且每批產(chǎn)品包括有25片晶圓，而每批產(chǎn)品中的一片或以上的晶圓經(jīng)過缺陷檢測項目，且每片晶圓會經(jīng)過晶圓測試項目的檢測以產(chǎn)生缺陷檢測參數(shù)值及晶圓測試參數(shù)值。在本實施例中，缺陷檢測參數(shù)值可以是由一個缺陷分布圖所表示(如圖2所示)，其中分布于晶圓的多個晶格21中的多個黑點就分別表示一個缺陷22，而具有黑點的晶格就是缺陷晶格23。需要注意，一片晶圓可能在不同的層別都具有缺陷，則此時一片晶圓會具有一張以上的缺陷分布圖。
接著，在步驟402中，判斷經(jīng)過步驟401所取得的每批產(chǎn)品的缺陷檢測參數(shù)值是否超過預(yù)設(shè)規(guī)格。一般而言，缺陷檢測參數(shù)值的預(yù)設(shè)規(guī)格可以是一定范圍，本步驟判斷所取得的每批產(chǎn)品的缺陷檢測參數(shù)值是否超過預(yù)設(shè)規(guī)格的上限(UCL)，另外，本步驟所分析判斷的缺陷檢測項目可以是缺陷總數(shù)量、缺陷增加數(shù)量或缺陷類別數(shù)量。在本實施例中，步驟402針對每批產(chǎn)品的每片晶圓進行搜尋，若一批產(chǎn)品中包含一片以上缺陷超過預(yù)設(shè)規(guī)格的晶圓，則接著進行步驟403，以挑出具有缺陷的產(chǎn)品批號，若否，則停止分析。接著，在步驟404中找出具有缺陷的晶圓的缺陷分布圖。
然后，步驟405判斷數(shù)據(jù)庫中是否儲存有步驟403所取得的批號的該批產(chǎn)品的晶圓測試參數(shù)值。在本實施中，晶圓測試參數(shù)值可以由一個晶圓測試參數(shù)值分布圖所表示，如圖5所示，在一片晶圓中會切割成多個晶格，其中包括有多個失格晶格51(以黑色顯示)以及多個合格晶格52(以白色顯示)。此時，若步驟405判斷數(shù)據(jù)庫中儲存有晶圓測試參數(shù)值時，則接著進行步驟406以取得該批產(chǎn)品的各晶圓的晶圓測試參數(shù)值分布圖；若否，則停止分析。需要注意，在步驟405、406中所分析搜尋的晶圓測試參數(shù)值是與缺陷檢測項目相關(guān)的晶圓測試項目，例如功能測試(function test)項目或電源供應(yīng)電流測試(IDDQ test)項目。
接著，在步驟407中，利用疊圖的方式對照由步驟404所找出的缺陷分布圖與由步驟406所取得的晶圓測試參數(shù)值分布圖，以取得兩個分布圖的重疊晶格數(shù)，以便計算出重疊晶格數(shù)與失格晶格的數(shù)量的比值；在本步驟中，重疊晶格數(shù)為這些缺陷晶格與這些失格晶格重疊的數(shù)量。然后，在步驟408中判斷比值是否大于等于一個默認值，例如為50％，若否，則略過此層別，當所有層別都略過時停止分析；若是，則進行步驟409。
在步驟409中，將經(jīng)過上述步驟分析后的產(chǎn)品批號、層別數(shù)據(jù)及缺陷數(shù)目等數(shù)據(jù)挑出。在本實施例中，本步驟先將所分析的層別標示為一個缺陷層，然后搜尋包括有至少具有此缺陷層的晶圓的該批產(chǎn)品及其批號，以便挑出其產(chǎn)品批號、層別數(shù)據(jù)及缺陷數(shù)目等數(shù)據(jù)。
此外，步驟410會進行統(tǒng)計分析，求出一個代表值來作為該層別的缺陷數(shù)目的封殺比例(kill ratio)。同時，在步驟411中，根據(jù)這一缺陷數(shù)目的封殺比例(kill ratio)，根據(jù)本發(fā)明較佳實施例的缺陷檢測參數(shù)分析方法能夠在后續(xù)制作此層別的產(chǎn)品中，預(yù)測此產(chǎn)品的良率。
綜上所述，由于根據(jù)本發(fā)明的缺陷檢測參數(shù)分析方法配合記錄有各項缺陷檢測項目及與其相關(guān)的制程機臺的數(shù)據(jù)庫，并利用共通性分析手法來分析缺陷檢測參數(shù)，所以能夠在半導(dǎo)體產(chǎn)品的缺陷檢測數(shù)據(jù)發(fā)生異常時，快速且正確地判斷出是哪一個環(huán)節(jié)出問題，并找出異常的機臺，另外還能夠依據(jù)缺陷檢測及晶圓測試的結(jié)果來修正缺陷檢測的封殺比例(kill ratio)，因此能夠有效地減少人為判斷的錯誤來提高制程的效率、減少生產(chǎn)成本，并及時改善在線生產(chǎn)以提高良率。
以上所述僅為舉例，并非限制性。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進行的等效修改或變更，均應(yīng)包含于本發(fā)明的權(quán)利要求書中。
權(quán)利要求
1.一種缺陷檢測參數(shù)分析方法，用以分析多批分別具有一個批號的產(chǎn)品，該多批產(chǎn)品經(jīng)過多個機臺所制得，而每批產(chǎn)品中的一片或以上的晶圓至少經(jīng)過一個缺陷檢測項目的檢測以產(chǎn)生一個缺陷檢測參數(shù)值，該缺陷檢測項目及與該缺陷檢測項目相關(guān)的一個制程站別儲存于一個數(shù)據(jù)庫中，該數(shù)據(jù)庫還儲存有該缺陷檢測參數(shù)值，其特征在于，該方法包含搜尋該數(shù)據(jù)庫以取得該多批產(chǎn)品的缺陷檢測參數(shù)值；依據(jù)該缺陷檢測參數(shù)值將該多批產(chǎn)品區(qū)分為至少兩個產(chǎn)品組，這些產(chǎn)品組包含一個合格產(chǎn)品組及一個不合格產(chǎn)品組；從該數(shù)據(jù)庫中搜尋與該缺陷檢測項目相關(guān)的該制程站別；搜尋該合格產(chǎn)品組在該制程站別所經(jīng)過的機臺；搜尋該不合格產(chǎn)品組在該制程站別所經(jīng)過的機臺；以及判斷該不合格產(chǎn)品組經(jīng)過機率高于該合格產(chǎn)品組經(jīng)過機率的機臺。
2.如權(quán)利要求1所述的缺陷檢測參數(shù)分析方法，其特征在于，利用共通性分析手法來判斷該不合格產(chǎn)品組經(jīng)過機率高于該合格產(chǎn)品組經(jīng)過機率的機臺。
3.如權(quán)利要求1所述的缺陷檢測參數(shù)分析方法，其特征在于，該缺陷檢測參數(shù)值為一個缺陷總數(shù)量、一個缺陷增加數(shù)量及一個缺陷類別數(shù)量其中之一。
4.如權(quán)利要求3所述的缺陷檢測參數(shù)分析方法，其特征在于，更包含利用柱狀圖表示該多批產(chǎn)品的該缺陷檢測參數(shù)值。
5.如權(quán)利要求1所述的缺陷檢測參數(shù)分析方法，其特征在于，每批產(chǎn)品中的每一片晶圓還經(jīng)過與該缺陷檢測項目相關(guān)的一個晶圓測試項目的檢測以產(chǎn)生一個晶圓測試參數(shù)值，該數(shù)據(jù)庫還儲存有該晶圓測試項目及該晶圓測試參數(shù)值，該缺陷檢測參數(shù)分析方法更包含判斷該多批產(chǎn)品的缺陷檢測參數(shù)值是否大于一個第一標準值；當判斷該多批產(chǎn)品的缺陷檢測參數(shù)值大于該第一標準值，取得具有缺陷的產(chǎn)品的批號；在該批產(chǎn)品中取得缺陷所在的各晶圓上的多個層別，其中各層別分別具有一個缺陷分布圖，該缺陷分布圖具有多個缺陷晶格；搜尋具有缺陷的該批產(chǎn)品的各晶圓的晶圓測試參數(shù)值分布圖，該晶圓測試參數(shù)值分布圖具有多個失格晶格；將各層別的缺陷分布圖與該晶圓測試參數(shù)值分布圖進行疊圖動作，以取得一個重疊晶格數(shù)，該重疊晶格數(shù)為這些缺陷晶格與這些失格晶格重疊的數(shù)量；計算該重疊晶格數(shù)與該失格晶格的數(shù)量的比值；判斷該比值是否大于或等于一個第二標準值；當判斷該比值小于該第二標準值時，略過該層別；當判斷該比值大于或等于該第二標準值時，將該層別標示為一個缺陷層；以及搜尋包含有至少具有該缺陷層的晶圓的該批產(chǎn)品及其批號。
6.如權(quán)利要求5所述的缺陷檢測參數(shù)分析方法，其特征在于，更包含依據(jù)該缺陷層的缺陷數(shù)目以統(tǒng)計分析方式產(chǎn)生一個作為該缺陷層的缺陷封殺比例的第三標準值。
7.如權(quán)利要求6所述的缺陷檢測參數(shù)分析方法，其特征在于，更包含依據(jù)該第三標準值，預(yù)測在后續(xù)制程中進行到該缺陷層的該批產(chǎn)品的良率。
8.如權(quán)利要求5所述的缺陷檢測參數(shù)分析方法，其特征在于，更包含判斷該數(shù)據(jù)庫中是否儲存有該晶圓測試參數(shù)值；當判斷該數(shù)據(jù)庫中未儲存有該晶圓測試參數(shù)值時，停止搜尋動作；以及當判斷該數(shù)據(jù)庫中儲存有該晶圓測試參數(shù)值時，取得具有缺陷的該批產(chǎn)品的各晶圓的晶圓測試參數(shù)值分布圖。
9.如權(quán)利要求5所述的缺陷檢測參數(shù)分析方法，其特征在于，該晶圓測試項目為功能測試項目。
10.如權(quán)利要求5所述的缺陷檢測參數(shù)分析方法，其特征在于，該晶圓測試項目為電源供應(yīng)電流測試項目。
全文摘要
一種缺陷檢測參數(shù)分析方法，用以分析多批分別具有一個批號的產(chǎn)品，每批產(chǎn)品經(jīng)過多個機臺所制得，而每批產(chǎn)品中一片或以上的晶圓至少經(jīng)過一個缺陷檢測項目的檢測，以產(chǎn)生一個缺陷檢測參數(shù)值，此缺陷檢測項目及其參數(shù)值以及與此缺陷檢測項目相關(guān)的一個制程站別儲存于一個數(shù)據(jù)庫中，本方法包括步驟搜尋數(shù)據(jù)庫以取得多批產(chǎn)品的缺陷檢測參數(shù)值；依據(jù)缺陷檢測參數(shù)值將多批產(chǎn)品區(qū)分為至少一個合格產(chǎn)品組及一個不合格產(chǎn)品組；從數(shù)據(jù)庫中搜尋與缺陷檢測項目相關(guān)的制程站別；搜尋合格產(chǎn)品組在制程站別所經(jīng)過的機臺；搜尋不合格產(chǎn)品組在制程站別所經(jīng)過的機臺；判斷不合格產(chǎn)品組經(jīng)過機率高于合格產(chǎn)品組經(jīng)過機率的機臺。
文檔編號H01L21/66GK1521822SQ0310209
公開日2004年8月18日 申請日期2003年1月29日 優(yōu)先權(quán)日2003年1月29日
發(fā)明者戴鴻恩, 羅皓覺 申請人:力晶半導(dǎo)體股份有限公司