專利名稱：一種無鐵軛干式電抗器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電抗器，具體涉及一種無鐵軛干式電抗器。
(2)空心電抗器其優(yōu)點(diǎn)是電感值為常數(shù)，結(jié)構(gòu)簡單，噪聲小，但其損耗較大，體積較大，其磁場對周圍儀器、儀表干擾較大。
近幾年國內(nèi)已開發(fā)出幾種型式的無鐵軛干式電抗器(亦稱半心式)，其性能介于兩者之間，如98233242.4并公開的一種磁屏蔽干式空芯電抗器。它與鐵心電抗器相比，其電感線性度要好得多；與空心電抗器相比，其損耗要小得多，體積也要小得多。但該電抗器的磁通密度難以提高，導(dǎo)致?lián)p耗仍然較大。
為實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，一種無鐵軛干式電抗器，包括線圈和氣道，其特征在于所述線圈內(nèi)套有截面為圓環(huán)形的內(nèi)鐵心柱，內(nèi)鐵心柱與線圈最內(nèi)層之間作電氣聯(lián)接，兩者之間隔有氣道；所述線圈外套有截面為圓環(huán)形的磁屏蔽層，磁屏蔽層與線圈最外層作電氣聯(lián)接，二者之間亦隔有氣道；所述內(nèi)鐵心柱和磁屏蔽層均由導(dǎo)磁材料制成，其內(nèi)外及兩端包有絕緣層。
所述內(nèi)鐵心柱的中點(diǎn)與線圈最內(nèi)層的中點(diǎn)之間作電氣聯(lián)接；所述磁屏蔽層的中點(diǎn)與線圈最外層的中點(diǎn)作電氣聯(lián)接。
本發(fā)明提供的干式電抗器，具有以下技術(shù)優(yōu)勢(1)結(jié)構(gòu)簡單，損耗低，體積小。
(2)其電感值在較大的電流倍數(shù)范圍內(nèi)為常數(shù)。
(3)在帶有磁屏蔽層時(shí)，有磁屏蔽作用，大大削弱了四周空間的磁場；保證儀器、儀表不受磁場干擾。
本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)不限于上述實(shí)施例的內(nèi)容，當(dāng)電抗器線圈為圓環(huán)形截面時(shí)，線圈外可以不套磁屏蔽層。本實(shí)用新型可以使電抗器的設(shè)計(jì)更加靈活，并且可降低生產(chǎn)成本。在電抗器容量較小時(shí)，可以作成截面為方形的電抗器，也可以是各構(gòu)成部件的截面部分或全部為方形。
權(quán)利要求1.一種無鐵軛干式電抗器，包括線圈和氣道，其特征在于所述線圈內(nèi)套有截面為圓環(huán)形的內(nèi)鐵心柱，內(nèi)鐵心柱與線圈最內(nèi)層之間作電氣聯(lián)接，兩者之間隔有氣道；所述線圈外套有截面為圓環(huán)形的磁屏蔽層，磁屏蔽層與線圈最外層作電氣聯(lián)接，二者之間亦隔有氣道；所述內(nèi)鐵心柱和磁屏蔽層均由導(dǎo)磁材料制成，其內(nèi)外及兩端包有絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電抗器，其特征在于所述內(nèi)鐵心柱的中點(diǎn)與線圈最內(nèi)層的中點(diǎn)之間作電氣聯(lián)接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電抗器，其特征在于所述磁屏蔽層的中點(diǎn)與線圈最外層的中點(diǎn)作電氣聯(lián)接。
專利摘要一種無鐵軛干式電抗器，包括線圈和氣道，其特征在于所述線圈內(nèi)套有截面為圓環(huán)形的內(nèi)鐵心柱，內(nèi)鐵心柱與線圈最內(nèi)層之間作電氣聯(lián)接，兩者之間隔有氣道；所述線圈外套有截面為圓環(huán)形的磁屏蔽層，磁屏蔽層與線圈最外層作電氣聯(lián)接，二者之間亦隔有氣道；所述內(nèi)鐵心柱和磁屏蔽層均由導(dǎo)磁材料制成，其內(nèi)外及兩端包有絕緣層。所述內(nèi)鐵心柱的中點(diǎn)與線圈最內(nèi)層的中點(diǎn)之間作電氣聯(lián)接；所述磁屏蔽層的中點(diǎn)與線圈最外層的中點(diǎn)作電氣聯(lián)接。本實(shí)用新型提供的無鐵軛干式電抗器，具有以下技術(shù)優(yōu)勢有磁屏蔽作用，大大削弱了四周空間的磁場；保證儀器、儀表不受磁場干擾。結(jié)構(gòu)簡單，損耗低，體積??；其電感值在較大的電流倍數(shù)范圍內(nèi)為常數(shù)。
文檔編號H01F37/00GK2583783SQ0227971
公開日2003年10月29日 申請日期2002年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月24日
發(fā)明者陳喬夫, 熊永前 申請人:華中科技大學(xué)