專利名稱：高傳輸速度pin型紅外線接收二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型是一種高傳輸速度PIN型紅外線接收二極管，尤指一種可使單可使該P(yáng)IN型紅外線接收二極管達(dá)到高濃度、低阻抗的功效，并使其提高接收的響應(yīng)速度。
本實用新型的另一目的，在于提供一種高傳輸速度PIN型紅外線接收二極管，其可使該P(yáng)IN型紅外線接收二極管提高其接收響應(yīng)的速度。
為達(dá)上述的目的本實用新型一種高傳輸速度PIN型紅外線接收二極管，是利用一厚N型半導(dǎo)體層；一層疊于上述厚N型半導(dǎo)體層的薄I型半導(dǎo)體層；一配置于上述薄I型半導(dǎo)體層中央處的P型半導(dǎo)體層；一環(huán)設(shè)于上述P型半導(dǎo)體層的周圍的傳導(dǎo)層并和厚N型半導(dǎo)體相聯(lián)；及一配置于上述P型半導(dǎo)體層與傳導(dǎo)層上的金屬層所構(gòu)成；由此，可使該P(yáng)IN型紅外線接收二極管達(dá)到高濃度、低阻抗的功效，并使其提高接收響應(yīng)的速度。
其中，該厚N型半導(dǎo)體層是為高濃度的雜質(zhì)層所制造而成。
其中，該薄I型半導(dǎo)體層是為低濃度高阻抗半導(dǎo)體層所制造而成。
其中，該P(yáng)型半導(dǎo)體層是為一接收區(qū)。
其中，該傳導(dǎo)層是與厚N型半導(dǎo)體層同為高濃度的雜質(zhì)層所制造而成。
其中，該金屬層是為遮光物質(zhì)所制造而成。
圖2是本實用新型的俯視圖。
圖3是本實用新型的側(cè)剖面狀態(tài)示意圖。
上述所提的厚N型半導(dǎo)體層1是為高濃度的雜質(zhì)層所制造而成；該薄I型半導(dǎo)體層2，是層疊于上述厚N型半導(dǎo)體層1上，該薄I型半導(dǎo)體層2是為薄高阻抗低濃度的半導(dǎo)體層所制造而成；該P(yáng)型半導(dǎo)體層3，是配置于上述薄I型半導(dǎo)體層2的中央處，該P(yáng)型半導(dǎo)體層3是為一光接收區(qū)；該傳導(dǎo)層4，是環(huán)設(shè)于上述P型半導(dǎo)體層3的周圍并和厚N型半導(dǎo)體相聯(lián)，該傳導(dǎo)層4是與厚N型半導(dǎo)體層1同為高濃度的雜質(zhì)層所制造而成；該金屬層5，是配置于上述的P型半導(dǎo)體層3及傳導(dǎo)層4上，該金屬層5是為遮光物質(zhì)所制造而成；由于本實用新型接收二極管的原理為一般接收二極管的原理，故在此不多贅述，僅就本實用新型所能達(dá)到的功效作一詳述如后當(dāng)本實用新型于使用時紅外線信號進(jìn)入P型半導(dǎo)體層3(接收區(qū))，此時，由于該P(yáng)型半導(dǎo)體層3的周圍是環(huán)設(shè)有傳導(dǎo)層4，且該傳導(dǎo)層4是為高濃度的雜質(zhì)層所制成，因此可有效吸收P型半導(dǎo)體層3(接收區(qū))所散出的熱漏電流，且由于該金屬層5是為遮光物質(zhì)所制成，故可使紅外線信號穩(wěn)定的被接收，并由該結(jié)構(gòu)使RC(阻抗及電容)值變小，相對的使該P(yáng)IN型紅外線接收二極管的反應(yīng)速度越快，進(jìn)而使該P(yáng)IN型紅外線接收二極管達(dá)到高濃度、低阻抗的功效，并提高該接收二極管接收響應(yīng)的速度；當(dāng)然以上討論為PIN型DIODE結(jié)構(gòu)，同理NIP DIODE應(yīng)用新結(jié)構(gòu)亦可獲得更佳的接收響應(yīng)的速度。
惟以上所述的，僅為本實用新型的較佳實施例而已，當(dāng)不能以之限定本實用新型實施的范圍，即凡是依本實用新型申請專利范圍所作的均等變化與修飾，皆應(yīng)仍屬本實用新型專利涵蓋的范圍內(nèi)。
綜上所述，本實用新型高傳輸速度PIN型紅外線接收二極管可有效改善現(xiàn)有結(jié)構(gòu)的種種缺點(diǎn)，使其更具進(jìn)步、實用性，并符合新型專利申請的要件，故依法提出專利申請。
權(quán)利要求1.一種高傳輸速度PIN型紅外線接收二極管，其特征在于，該P(yáng)IN型紅外線接收二極管包括有一厚N型半導(dǎo)體層；一薄I型半導(dǎo)體層，是層疊于上述厚N型半導(dǎo)體層上；一P型半導(dǎo)體層，是配置于上述薄I型半導(dǎo)體層的中央處；一傳導(dǎo)層，是環(huán)設(shè)于上述P型半導(dǎo)體層的周圍；一金屬層，是配置于上述的P型半導(dǎo)體層及傳導(dǎo)層上。
2.依權(quán)利要求1所述的高傳輸速度PIN型紅外線接收二極管，其特征在于，其中，該厚N型半導(dǎo)體層是為高濃度的雜質(zhì)層所制造而成。
3.依權(quán)利要求1所述的高傳輸速度PIN型紅外線接收二極管，其特征在于，其中，該薄I型半導(dǎo)體層是為低濃度高阻抗半導(dǎo)體層所制造而成。
4.依權(quán)利要求1所述的高傳輸速度PIN型紅外線接收二極管，其特征在于，其中，該P(yáng)型半導(dǎo)體層是為一接收區(qū)。
5.依權(quán)利要求1所述的高傳輸速度PIN型紅外線接收二極管，其特征在于，其中，該傳導(dǎo)層是與厚N型半導(dǎo)體層同為高濃度的雜質(zhì)層所制造而成。
6.依權(quán)利要求1所述的高傳輸速度PIN型紅外線接收二極管，其特征在于，其中，該金屬層是為遮光物質(zhì)所制造而成。
專利摘要本實用新型是在提供一種高傳輸速度PIN型紅外線接收二極管，其包括有一厚N型半導(dǎo)體層；一層疊于上述厚N型半導(dǎo)體層的薄I型半導(dǎo)體層；一配置于上述薄I型半導(dǎo)體層中央處的P型半導(dǎo)體層；一環(huán)設(shè)于上述P型半導(dǎo)體層的周圍并與一厚N型半導(dǎo)體層相連的傳導(dǎo)層；及一配置于上述P型半導(dǎo)體層與傳導(dǎo)層上的金屬層所構(gòu)成；由此，可使該P(yáng)IN型紅外線接收二極管達(dá)到高濃度、低阻抗的功效，并使其提高接收的響應(yīng)速度。
文檔編號H01L31/105GK2549593SQ0223618
公開日2003年5月7日 申請日期2002年5月31日 優(yōu)先權(quán)日2002年5月31日
發(fā)明者石萬芳, 鄧及人, 張維裕, 李振文 申請人:鼎元光電科技股份有限公司