專利名稱：電致發(fā)光板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光顯示器(electro-luminescence display，ELD)，更確切地說，涉及適合于使存儲電容器的電容量最大化的電致發(fā)光板(electro-luminescence panel，EL板)。
在提高平板顯示裝置的顯示質(zhì)量和提供具有大尺寸顯示屏的平板顯示器方面已經(jīng)做了大量研究。這種顯示裝置中的EL板是自發(fā)射式裝置。EL板利用電子和空穴等載流子激勵熒光材料來顯示視頻圖像。EL板的優(yōu)點在于，可以進(jìn)行低直流電壓驅(qū)動并且響應(yīng)速度很快。
如

圖1所示，這種EL板包括以相互交叉的方式設(shè)在玻璃基板10上的柵極線GL1-GLm和數(shù)據(jù)線DL1-DLn，以及設(shè)置在柵極線GL1-GLm和數(shù)據(jù)線DL1-DLn之間交叉線上的像元(pixel elements，PE)。當(dāng)柵極線GL1-GLm上的選通信號啟動時，將會驅(qū)動每個像元PE，從而產(chǎn)生與數(shù)據(jù)線DL上的像素信號幅值相應(yīng)的光。
為了驅(qū)動這種EL板，將柵極驅(qū)動器12與柵極線GL1-GLm相連，同時將數(shù)據(jù)驅(qū)動器14連接到數(shù)據(jù)線DL1-DLn。柵極驅(qū)動器12依次驅(qū)動?xùn)艠O線GL1-GLm。數(shù)據(jù)驅(qū)動器14通過數(shù)據(jù)線DL1-DLn向像元PE提供像素信號。
如圖2所示，由柵極驅(qū)動器12和數(shù)據(jù)驅(qū)動器14驅(qū)動的每個像元PF包括連接到接地電壓線GND的EL單元OLED和驅(qū)動EL單元OLED的單元驅(qū)動電路16。
圖2是圖1所示像元的詳細(xì)電路圖，其包括設(shè)在柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL之間交叉線上的驅(qū)動電路，所述電路由兩個薄膜晶體管(TFT)即T1和T2構(gòu)成。
參照圖2，像元PE包括與接地電壓源GND相連的EL單元OLED，和連接在EL單元OLED及數(shù)據(jù)線DL之間的EL單元驅(qū)動電路16。
EL單元驅(qū)動電路16包括連接在EL單元OLED和供電線VDD之間起驅(qū)動器作用的第二NMOS TFT T2，連接在數(shù)據(jù)線DL和第二NMOS TFT T2的柵極之間起EL單元OLED開關(guān)作用的第一NMOS TFT T1，和連接在第一NMOS TFT T1的漏極和供電線VDD之間的存儲電容器Cst。
在這種情況下，當(dāng)柵電壓從接通電壓Von變成斷開電壓Voff時，由于供電線VDD作為相反的電極時所形成的存儲電容器Cst，將造成電容值(Q＝CV)降低，從而引起回掃現(xiàn)象，使提供的數(shù)據(jù)電壓的電平稍低于正常電平。而且，由于需要設(shè)置接地的電壓源GND和附加線來提高電容量，所以降低了孔徑比和工藝的穩(wěn)定性。
圖3是圖1所示像元PE另一實例的詳細(xì)電路圖，其包括設(shè)在柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL之間交叉線上的驅(qū)動電路，該電路由兩個TFT即T1和T2構(gòu)成。
參照圖3，像元PE包括與接地電壓源GND相連的EL單元OLED，和連接在EL單元OLED和數(shù)據(jù)線DL之間的EL單元驅(qū)動電路26。
EL單元驅(qū)動電路26包括連接在EL單元OLED和供電線VDD之間起驅(qū)動器作用的第二NMOS TFT T2，連接在數(shù)據(jù)線DL和第二NMOS TFT T2的柵極之間起EL單元OLED開關(guān)作用的第一NMOS TFT T1，和連接在第一NMOS TFT T1的漏極和接地電壓線GND或公用電壓線之間的存儲電容器Cst。
在這種情況下，由于這種通過設(shè)置公用電壓線來補償存儲電容器Cst中回掃效應(yīng)的手段需要獨立的線，所以出現(xiàn)了孔徑比降低和設(shè)置電壓線的工藝穩(wěn)定性變壞的問題。
本發(fā)明的優(yōu)點在于，在其提供的電致發(fā)光板中，當(dāng)形成存儲電容器時，借助于前置級柵極線使存儲電容器的電容值達(dá)到最大，從而降低了回掃效應(yīng)。
本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在下面的說明中給出，其中一部分特征和優(yōu)點可以從說明中明顯得出或是通過本發(fā)明的實施而得到。通過在文字說明部分、權(quán)利要求書以及附圖中特別指出的方法，可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點。
為了得到這些和其它優(yōu)點并根據(jù)本發(fā)明的目的，作為VCS概括和廣義的描述，本發(fā)明一個實施例所述的電致發(fā)光板包括多條柵極線；與柵極線交叉的多條數(shù)據(jù)線；設(shè)置在柵極線和數(shù)據(jù)線之間交叉線上的多個電致發(fā)光單元；和驅(qū)動電致發(fā)光單元的電致發(fā)光單元驅(qū)動電路，所述電致發(fā)光單元驅(qū)動電路包括向電致發(fā)光單元提供動力的電源；連接在電源和電致發(fā)光單元之間的第一薄膜晶體管；連接在數(shù)據(jù)線和第一薄膜晶體管的柵極之間起電致發(fā)光單元開關(guān)作用的第二薄膜晶體管；和連接在第一薄膜晶體管的柵極和前置級柵極線之間的第一電容器。
電致發(fā)光板進(jìn)一步包括連接在第一薄膜晶體管的柵極和電源之間的第二電容器。
在電致發(fā)光板中，第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管是PMOS型或NMOS型中的任何一種類型。
按照本發(fā)明實施例所述的電致發(fā)光板包括以彼此交叉的方式設(shè)置在玻璃基板上的柵極線和數(shù)據(jù)線；設(shè)置在柵極線和數(shù)據(jù)線之間交叉線上的像元；當(dāng)柵極信號施加到柵極線上時，每個像元都受到驅(qū)動，由此產(chǎn)生與數(shù)據(jù)線上的像素信號幅值對應(yīng)的光；與柵極線相連的柵極驅(qū)動器，其中柵極驅(qū)動器依次驅(qū)動?xùn)艠O線；和與數(shù)據(jù)線相連的數(shù)據(jù)驅(qū)動器，其中數(shù)據(jù)驅(qū)動器通過數(shù)據(jù)線向像元提供像素信號。
在電致發(fā)光板中，每個像元由與接地電壓源相連的電致發(fā)光單元和驅(qū)動電致發(fā)光單元的電致發(fā)光單元驅(qū)動電路構(gòu)成。
在電致發(fā)光板中，電致發(fā)光驅(qū)動電路包括連接在電致發(fā)光單元和供電線之間起驅(qū)動器作用的第二PMOS TFT，連接在數(shù)據(jù)線和第二PMOS TFT的柵極之間起電致發(fā)光單元開關(guān)作用的第一PMOS TFT，和連接在第一PMOS TFT的漏極和前置級柵極線之間的存儲電容器。
在電致發(fā)光板中，電致發(fā)光驅(qū)動電路包括連接在電致發(fā)光單元和供電線之間起驅(qū)動器作用的第二NMOS TFT，連接在數(shù)據(jù)線和第二NMOS TFT的柵極之間起電致發(fā)光單元開關(guān)作用的第一NMOS TFT，和連接在第NMOS TFT的漏極和前置級柵極線之間的存儲電容器。
在電致發(fā)光板中，電致發(fā)光驅(qū)動電路包括連接在電致發(fā)光單元和供電線之間起驅(qū)動器作用的第二PMOS TFT，連接在數(shù)據(jù)線和第二PMOS TFT的柵極之間起電致發(fā)光單元開關(guān)作用的第一PMOS TFT，和連接在第一PMOS TFT的漏極和前置級柵極線之間的第一存儲電容器；和連接在第一PMOS TFT的漏極和供電線之間的第二存儲電容器。
在電致發(fā)光板中，電致發(fā)光驅(qū)動電路包括連接在電致發(fā)光單元和供電線之間起驅(qū)動器作用的第二NMOS TFT，連接在數(shù)據(jù)線和第二NMOS TFT的柵極之間起電致發(fā)光單元開關(guān)作用的第一NMOS TFT，和連接在第一NMOS TFT的漏極和前置級柵極線之間的第一存儲電容器；和連接在第一NMOS TFT的漏極和供電線之間的第二存儲電容器。
很顯然，上面的一般性描述和下面的詳細(xì)說明都是示例性和解釋性的，其意在對本發(fā)明的權(quán)利要求作進(jìn)一步解釋。
圖1是表示傳統(tǒng)電致發(fā)光板結(jié)構(gòu)的示意性框圖；圖2是圖1所示像元的詳細(xì)電路圖；圖3是圖1所示像元另一個實例的詳細(xì)電路圖；圖4是按照本發(fā)明第一實施例所述電致發(fā)光板中像元的詳細(xì)電路圖；圖5是施加到圖4所示像元上的柵極信號的波形圖；圖6是按照本發(fā)明第二實施例所述電致發(fā)光板中像元的詳細(xì)電路圖；圖7是施加到圖6所示像元上的柵極信號的波形圖；圖8是按照本發(fā)明第三實施例所述電致發(fā)光板中像元的詳細(xì)電路圖；圖9是施加到圖8所示像元上的柵極信號的波形圖；圖10是按照本發(fā)明第四實施例所述電致發(fā)光板中像元的詳細(xì)電路圖；
圖11是施加到圖10所示像元上的柵極信號的波形圖。
參照圖4，其表示按照本發(fā)明第一實施例所述電致發(fā)光板(EL)的像元。
與圖1中所示的傳統(tǒng)EL板相類似，本EL板包括以彼此交叉的方式設(shè)置在玻璃基板10上的柵極線GL1-GLm和數(shù)據(jù)線DL1-DLn，設(shè)置在柵極線GL1-GLm和數(shù)據(jù)線DL1-DLn之間交叉線上的像元(未示出)。當(dāng)將柵極信號加到柵極線GL1-GLm上時，將驅(qū)動每一個像元，由此產(chǎn)生與數(shù)據(jù)線DL上的像素信號幅值對應(yīng)的光。
為了驅(qū)動這種EL板，將柵極驅(qū)動器12連接到柵極線GL1-GLm上，同時將數(shù)據(jù)驅(qū)動器14連接到數(shù)據(jù)線DL1-DLn上。柵極驅(qū)動器12依次驅(qū)動?xùn)艠O線GL1-GLm。數(shù)據(jù)驅(qū)動器14通過數(shù)據(jù)線DL1-DLn向像元PE施加像素信號。
EL板上的每一個像元PE由連接到接地電壓源GND的EL單元OLED和驅(qū)動EL單元OLED的EL單元驅(qū)動電路36構(gòu)成。
EL單元驅(qū)動電路36包括連接在EL單元OLED和供電線VDD之間起驅(qū)動器作用的第二PMOS TFT T2，連接在數(shù)據(jù)線DL和第二PMOS TFT T2的柵極之間起EL單元OLED開關(guān)作用的第一PMOS TFT T1，和連接在第一PMOS TFT T1的漏極和前置級柵極線GLn-1之間的存儲電容器Cst。
下面將參照圖5中的驅(qū)動波形圖描述像元的工作情況。
當(dāng)將低輸入信號，即，掃描信號從柵極驅(qū)動器12輸入到柵極線GL中時，第一PMOS TFT T1導(dǎo)通。然后，與掃描信號同步輸入的具有特定幅值的視頻信號從數(shù)據(jù)線DL流過第一PMOS TFT T1。該視頻信號對存儲電容器Cst充電。存儲電容器Cst連接到第一PMOS TFT T1的漏極和前置級柵極線GLn-1以便在柵極線GL的低電壓輸入周期內(nèi)從數(shù)據(jù)線DL注入視頻信號。
電容器Cst保持從數(shù)據(jù)線DL提供的視頻信號，然后在一幀間隔內(nèi)充電?；谠摫３謺r間，電容器Cst可保持從數(shù)據(jù)線DL向EL單元OLED施加的視頻信號。此外，這種結(jié)構(gòu)必須包括多條數(shù)據(jù)線DL，所述數(shù)據(jù)線接收與輸入的每個視頻信號例如紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)色信號對應(yīng)的每個圖像信號。在這種情況下，通過前置級柵極線向存儲電容器Cst施加高柵極電壓，由此使電容值最大化(Q＝CV)。
此后，存儲電容器Cst通過第一PMOS TFT T1把充入的數(shù)據(jù)電壓從數(shù)據(jù)線DL輸送到第二PMOS TFT T2的柵極。借助于充入存儲電容器Cst中的數(shù)據(jù)電壓，第二PMOS TFT T2允許供電線VDD與EL單元OLED的陽極相連。因此，可通過源電壓VDD和地電壓GND之間的電壓差驅(qū)動EL單元OLED，并由此產(chǎn)生與電壓差對應(yīng)的光。
參照圖6，其示出了按照本發(fā)明第二實施例所述的電致發(fā)光(EL)板像元。
EL板的每一個像元PE由與接地電壓線GND相連的EL單元OLED和驅(qū)動EL單元OLED的EL單元驅(qū)動電路46構(gòu)成。
EL單元驅(qū)動電路46包括連接在EL單元OLED和供電線VDD之間起驅(qū)動器作用的第二NMOS TFT T2，連接在數(shù)據(jù)線DL和第二NMOS TFT T2的柵極之間起EL單元OLED開關(guān)作用的第一NMOS TFT T1，和連接在第一NMOS TFT T1的漏極和前置級柵極線GLn-1之間的存儲電容器Cst。
下面將參照圖7中的驅(qū)動波形圖描述像元的工作情況。
當(dāng)將高輸入信號，即，掃描信號從柵極驅(qū)動器12輸入到柵極線GL中時，第一NMOS TFT T1導(dǎo)通。然后，與掃描信號同步輸入的具有特定幅值的視頻信號從數(shù)據(jù)線DL流過第一NMOS TFT T1。該視頻信號充入存儲電容器Cst。存儲電容器Cst連接到第一NMOS TFT T1的漏極和前置級柵極線GLn-1以便在柵極線GL的高電壓輸入周期內(nèi)從數(shù)據(jù)線DL注入視頻信號。
存儲電容器Cst保持從數(shù)據(jù)線DL提供的視頻信號，然后在一幀間隔內(nèi)充電?；谠摫３謺r間，存儲電容器Cst可保持從數(shù)據(jù)線DL向EL單元OLED施加的視頻信號。此外，這種結(jié)構(gòu)必須包括多條數(shù)據(jù)線DL，所述數(shù)據(jù)線接收與輸入的每個視頻信號例如紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)色信號對應(yīng)的每個圖像信號。在這種情況下，通過前置級柵極線向存儲電容器Cst施加高柵極電壓，由此使電容值最大化(Q＝CV)。
此后，存儲電容器Cst通過第一NMOS TFT T1把充入的數(shù)據(jù)電壓從數(shù)據(jù)線DL輸送到第二NMOS TFT T2的柵極。借助于允入存儲電容器Cst中的數(shù)據(jù)電壓，第二NMOS TFT T2允許供電線VDD與EL單元OLED的陽極相連。因此，可通過源電壓VDD和地電壓GND之間的電壓差驅(qū)動EL單元OLED，并由此產(chǎn)生與電壓差對應(yīng)的光。
參照圖8，其示出了按照本發(fā)明第三實施例所述的電致發(fā)光(EL)板像元。
EL板的每一個像元PE由與接地電壓線GND相連的EL單元OLED和驅(qū)動EL單元OLED的EL單元驅(qū)動電路56構(gòu)成。
EL單元驅(qū)動電路56包括連接在EL單元OLED和供電線VDD之間起驅(qū)動器作用的第二PMOS TFT T2，連接在數(shù)據(jù)線DL和第二PMOS TFT T2的柵極之間起EL單元OLED開關(guān)作用的第一PMOS TFT T1，連接在第一PMOS TFT T1的漏極和前置級柵極線GLn-1之間的第一存儲電容器Cst1，和連接在第一PMOS TFTT1的漏極和供電線VDD之間的第二存儲電容器Cst2。
下面將參照圖9中的驅(qū)動波形圖描述像元的工作情況。
當(dāng)將低輸入信號，即，掃描信號從柵極驅(qū)動器12輸入到柵極線GL中時，第一PMOS TFT T1導(dǎo)通。然后，與掃描信號同步輸入的具有特定幅值的視頻信號從數(shù)據(jù)線DL流過第一PMOS TFT T1。該視頻信號充入第一和第二存儲電容器Cst1和Cst2。第一和第二存儲電容器Cst1和Cst2連接到第一PMOS TFTT1的漏極和前置級柵極線GLn-1以便在柵極線GL的低電壓輸入周期內(nèi)從數(shù)據(jù)線DL注入視頻信號。
第一和第二存儲電容器Cst1和Cst2保持從數(shù)據(jù)線DL提供的視頻信號，然后在一幀間隔內(nèi)充電?；谠摫３謺r間，存儲電容器Cst1和Cst2可保持從數(shù)據(jù)線DL向EL單元OLED施加的視頻信號。此外，這種結(jié)構(gòu)必須包括多條數(shù)據(jù)線DL，所述數(shù)據(jù)線接收與輸入的每個視頻信號例如紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)色信號對應(yīng)的每個圖像信號。在這種情況下，通過前置級柵極線向存儲電容器Cst施加高柵極電壓，由此使電容值最大化(Q＝CV)。
此后，第一和第二存儲電容器Cst1和Cst2通過第一PMOS TFT T1把充入的數(shù)據(jù)電壓從數(shù)據(jù)線DL輸送到第二PMOS TFT T2的柵極。借助于充入第一和第二存儲電容器Cst1和Cst2中的數(shù)據(jù)電壓，第二PMOS TFT T2允許供電線VDD與EL單元OLED的陽極相連。因此，可通過源電壓VDD和地電壓GND之間的電壓差驅(qū)動EL單元OLED，并由此產(chǎn)生與電壓差對應(yīng)的光。
參照圖10，其示出了按照本發(fā)明第四實施例所述的電致發(fā)光(EL)板像元。
EL板的每一個像元PE由與接地電壓線GND相連的EL單元OLED和驅(qū)動EL單元OLED的EL單元驅(qū)動電路66構(gòu)成。
EL單元驅(qū)動電路66包括連接在EL單元OLED和供電線VDD之間起驅(qū)動器作用的第二NMOS TFT T2，連接在數(shù)據(jù)線DL和第二NMOS TFT T2的柵極之間起EL單元OLED開關(guān)作用的第一NMOS TFT T1，連接在第一NMOS TFT T1的漏極和前置級柵極線GLn-1之間的第一存儲電容器Cst1，和連接在第一NMOS TFTT1的漏極和供電線VDD之間的第二存儲電容器Cst2。
下面將參照圖11中的驅(qū)動波形圖描述像元的工作情況。
當(dāng)將高輸入信號，即掃描信號從柵極驅(qū)動器12輸入到柵極線GL中時，第一NMOS TFT T1導(dǎo)通。然后，與掃描信號同步輸入的具有特定幅值的視頻信號從數(shù)據(jù)線DL流過第一NMOS TFT T1。該視頻信號充入第一和第二存儲電容器Cst1和Cst2。第一和第二存儲電容器Cst1和Cst2連接到第一NMOS TFT T1的漏極和前置級柵極線GLn-1以便在柵極線GL的低電壓輸入周期內(nèi)從數(shù)據(jù)線DL注入視頻信號。
第一和第二存儲電容器Cst1和Cst2保持從數(shù)據(jù)線DL提供的視頻信號，然后在一幀間隔內(nèi)充電。基于該保持時間，存儲電容器Cst1和Cst2可保持從數(shù)據(jù)線DL向EL單元OLED施加的視頻信號。此外，這種結(jié)構(gòu)必須包括多條數(shù)據(jù)線DL，所述數(shù)據(jù)線接收與輸入的每個視頻信號例如紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)色信號對應(yīng)的每個圖像信號。在這種情況下，通過前置級柵極線向存儲電容器Cst施加高柵極電壓，由此使電容值最大化(Q＝CV)。
此后，第一和第二存儲電容器Cst1和Cst2通過第一NMOS TFT T1把充入的數(shù)據(jù)電壓從數(shù)據(jù)線DL輸送到第二NMOS TFT T2的柵極。借助于充入第一和第二存儲電容器Cst1和Cst2中的數(shù)據(jù)電壓，第二NMOS TFT T2允許供電線VDD與EL單元OLED的陽極相連。因此，可通過源電壓VDD和地電壓GND之間的電壓差驅(qū)動EL單元OLED，并由此產(chǎn)生與電壓差對應(yīng)的光。
如上所述，按照本發(fā)明，根據(jù)形成的存儲電容器并借助于前置級柵極線可使存儲電容器的電容量最大化，因此，可以防止因回掃現(xiàn)象引起的閃爍。此外，在提高電容量時不需要增加布線，所以可以改善工藝的穩(wěn)定性以及孔徑比。
對于熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，很顯然，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思或范圍的情況下，可以對本發(fā)明做出各種改進(jìn)和變型。因此，本發(fā)明意在覆蓋那些落入所附權(quán)利要求及其等同物范圍內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種電致發(fā)光板，包括多條柵極線；與柵極線交叉的多條數(shù)據(jù)線；設(shè)置在柵極線和數(shù)據(jù)線之間交叉線上的多個電致發(fā)光單元；和驅(qū)動電致發(fā)光單元的電致發(fā)光單元驅(qū)動電路，所述電致發(fā)光單元驅(qū)動電路包括向電致發(fā)光單元提供動力的電源；連接在電源和電致發(fā)光單元之間的第一薄膜晶體管TFT；連接在數(shù)據(jù)線和第一薄膜晶體管TFT的柵極之間起電致發(fā)光單元開關(guān)作用的第二薄膜晶體管TFT；和連接在第一薄膜晶體管TFT的柵極和前置級柵極線之間的第一電容器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光板，還包括連接在第一薄膜晶體管的柵極和電源之間的第二電容器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電致發(fā)光板，其中第一薄膜晶體管TFT和第二薄膜晶體管TFT是PMOS型或NMOS型中的任何一種。
4.一種電致發(fā)光板，包括；以彼此交叉的方式設(shè)置在玻璃基板上的柵極線和數(shù)據(jù)線；設(shè)置在柵極線和數(shù)據(jù)線之間交叉線上的像元；當(dāng)柵極信號施加到柵極線上時，每個像元都受到驅(qū)動，由此產(chǎn)生與數(shù)據(jù)線上的像素信號幅值對應(yīng)的光；與柵極線相連的柵極驅(qū)動器，其中柵極驅(qū)動器依次驅(qū)動?xùn)艠O線；和與數(shù)據(jù)線相連的數(shù)據(jù)驅(qū)動器，其中數(shù)據(jù)驅(qū)動器通過數(shù)據(jù)線向像元提供像素信號。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電致發(fā)光板，其中每個像元由與接地電壓源相連的電致發(fā)光單元和驅(qū)動電致發(fā)光單元的電致發(fā)光單元驅(qū)動電路構(gòu)成。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光板，其中電致發(fā)光驅(qū)動電路包括連接在電致發(fā)光單元和供電線之間起驅(qū)動器作用的第二PMOS TFT，連接在數(shù)據(jù)線和第二PMOS TFT的柵極之間起電致發(fā)光單元開關(guān)作用的第一PMOS TFT，和連接在第一PMOS TFT的漏極和前置級柵極線之間的存儲電容器。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光板，其中電致發(fā)光驅(qū)動電路包括連接在電致發(fā)光單元和供電線之間起驅(qū)動器作用的第二NMOS TFT，連接在數(shù)據(jù)線和第二NMOS TFT的柵極之間起電致發(fā)光單元開關(guān)作用的第一NMOS TFT，和連接在第一NMOS TFT的漏極和前置級柵極線之間的存儲電容器。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光板，其中電致發(fā)光驅(qū)動電路包括連接在電致發(fā)光單元和供電線之間起驅(qū)動器作用的第二PMOS TFT，連接在數(shù)據(jù)線和第二PMOS TFT的柵極之間起電致發(fā)光單元開關(guān)作用的第一PMOS TFT，連接在第一PMOS TFT的漏極和前置級柵極線之間的第一存儲電容器；和連接在第一PMOS TFT的漏極和供電線之間的第二存儲電容器。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電致發(fā)光板，其中電致發(fā)光驅(qū)動電路包括連接在電致發(fā)光單元和供電線之間起驅(qū)動器作用的第二NMOS TFT，連接在數(shù)據(jù)線和第二NMOS TFT的柵極之間起電致發(fā)光單元開關(guān)作用的第一NMOS TFT，連接在第一NMOS TFT的漏極和前置級柵極線之間的第一存儲電容器；和連接在第一NMOS TFT的漏極和供電線之間的第二存儲電容器。
10.一種電致發(fā)光板，包括設(shè)置在多條柵極線和數(shù)據(jù)線之間的多個電致發(fā)光單元，其中多個電致發(fā)光單元的每一個均耦接到驅(qū)動電路上，所述驅(qū)動電路包括耦接在多條數(shù)據(jù)線中至少一條線和多條柵極線中至少一條線之間的第一開關(guān)，和第二開關(guān)，其中第二開關(guān)耦接在多個電致發(fā)光單元中的至少一個和供電線之間；和存儲電容器，該存儲電容器耦接在第一開關(guān)的輸出端和多條柵極線中至少一條線之前的柵極線之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電致發(fā)光板，其中第一開關(guān)包括PMOS晶體管。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電致發(fā)光板，其中第二開關(guān)包括PMOS晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電致發(fā)光板，其中第一開關(guān)包括NMOS晶體管。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電致發(fā)光板，其中第二開關(guān)包括NMOS晶體管。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電致發(fā)光板，其中第一和第二開關(guān)包括薄膜晶體管TFT。
16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電致發(fā)光板，其中第一開關(guān)耦接到第二開關(guān)的柵極上。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電致發(fā)光板，具中存儲電容器耦接到第一開關(guān)的漏極上。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的電致發(fā)光板，其中還包括附加的存儲電容器，該存儲電容器耦接在第一開關(guān)和供電線之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的電致發(fā)光板，其中附加的存儲電容器耦接到第一開關(guān)的漏極上。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電致發(fā)光板，適合于使存儲電容器的電容最大化。將多個電致發(fā)光單元設(shè)置在板上的柵極線和數(shù)據(jù)線之間的交叉線上。電致發(fā)光單元驅(qū)動電路驅(qū)動電致發(fā)光單元。在驅(qū)動電路中，電源向電致發(fā)光板施加能量。將第一薄膜晶體管連接在電源和電致發(fā)光單元之間。將第二薄膜晶體管連接在數(shù)據(jù)線和第一薄膜晶體管的柵極之間以便作為電致發(fā)光單元的開關(guān)。將存儲電容器連接在第一薄膜晶體管的柵極和前置級柵極線之間。因此，根據(jù)形成的存儲電容并借助于前置級柵極線可以使存儲電容器的電容量最大，由此可防止因回掃現(xiàn)象而引起的閃爍。
文檔編號H01L27/32GK1418043SQ0214991
公開日2003年5月14日 申請日期2002年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2001年11月3日
發(fā)明者裵晟埈 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社