專利名稱：支撐裝置的制作方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明涉及一種適用在半導(dǎo)體制作工藝中化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)，在反應(yīng)爐內(nèi)支撐基板用的支撐裝置，特別是涉及一種配置該種支撐裝置的機(jī)臺(tái)。
背景技術(shù)：
化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱CVD)是一種利用化學(xué)反應(yīng)的方式，在反應(yīng)爐內(nèi)將反應(yīng)物(通常為氣體)生成固態(tài)的生成物沉積在基板表面的一種薄膜沉積技術(shù)，化學(xué)氣相沉積為半導(dǎo)體制作工藝中最重要且主要的薄膜沉積方法。
如圖1所示，其為現(xiàn)有化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)的示意圖，一玻璃基板10放置在機(jī)臺(tái)12上，通過(guò)一機(jī)械手臂14傳遞移動(dòng)玻璃基板10，此一化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)位于加熱反應(yīng)爐之內(nèi)。以目前3.5代液晶顯示器(LCD)制作工藝而言，玻璃基板10的長(zhǎng)度約為650mm-750mm、寬度約為550mm-650mm。由圖所示，玻璃基板10因自重將會(huì)產(chǎn)生彎曲的現(xiàn)象，因而造成機(jī)械手臂14無(wú)法進(jìn)行傳送的動(dòng)作，且此情況隨著玻璃基板的尺寸擴(kuò)大，基板彎曲的情況將會(huì)更嚴(yán)重。
有鑒于此，為了防止玻璃基板彎曲而影響基板傳送，目前的技術(shù)是在機(jī)臺(tái)上設(shè)置支撐裝置，用以支撐基板，使其不會(huì)因自重而彎曲。請(qǐng)參見(jiàn)圖2，其設(shè)置有支撐裝置26的化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)22的示意圖。如圖所示，玻璃基板20放置于機(jī)臺(tái)22上，且機(jī)臺(tái)22上設(shè)置有數(shù)個(gè)支撐裝置26。通過(guò)支撐裝置26的支撐，玻璃基板20將不會(huì)因自重而彎曲，機(jī)械手臂24便可順利移動(dòng)玻璃基板20。
此時(shí)，支撐裝置的形狀及材料就非常的重要?，F(xiàn)有的支撐裝置，通常利用陶瓷或不銹鋼材料制成。以使用陶瓷制成的支撐裝置來(lái)說(shuō)，整個(gè)支撐裝置是陶瓷材料一體成型，且支撐裝置上端為一平面，此種支撐裝置的缺點(diǎn)在于因?yàn)椴牧蠟樘沾桑沟谜w的重量較輕，因此當(dāng)玻璃基板移動(dòng)時(shí)，支撐裝置容易被靜電吸附而與玻璃基板同時(shí)移動(dòng)，將造成玻璃基板的破片問(wèn)題，又支撐裝置與玻璃基板的接觸面為一平面，將會(huì)增加玻璃基板的刮傷范圍。以使用不銹鋼材料制成的支撐裝置來(lái)說(shuō)，由于整個(gè)化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)設(shè)置于高溫的反應(yīng)爐之內(nèi)，不銹鋼在高溫時(shí)會(huì)與玻璃發(fā)生反應(yīng)而使玻璃基板損傷。由于使用陶瓷或不銹鋼材料制成的支撐裝置，均非常容易刮傷玻璃基板，或是在玻璃基板背面留下痕跡，而當(dāng)玻璃基板到后段制作工藝時(shí)，因?yàn)樾枰懈?，?dāng)切割線經(jīng)過(guò)如上述的刮傷及痕跡時(shí)，極容易產(chǎn)生裂痕，將會(huì)造成玻璃基板的破裂，使得產(chǎn)能及良率大幅度下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的支撐裝置目的在于一種能夠減少對(duì)基板造成刮傷的支撐裝置，進(jìn)而提高產(chǎn)能以及提高合格率。使用時(shí)，本發(fā)明的支撐裝置將放置于反應(yīng)爐內(nèi)既定的一桿件(圖上未顯示)上，由支撐部與基板接觸給予基板一支撐力。
根據(jù)本發(fā)明的支撐裝置，包括一基座，一支撐部，一固定部，其中支撐部大體為圓頂?shù)耐沽?。在組裝支撐裝置時(shí)，將支撐部置于基座上，再用固定部將基座與支撐部耦合。
根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，包括一基座，一支撐部，以及一扣環(huán)。基座具有一孔洞，支撐部為一圓頂狀凸粒，具有一卡槽，扣環(huán)為一C型扣環(huán)。在組裝支撐裝置時(shí)，將支撐部由基座內(nèi)部穿過(guò)基座的孔洞后，突出于基座上部，再將扣環(huán)卡入支撐部的卡槽，則支撐部便可通過(guò)扣環(huán)與基座卡固。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，包括一基座，一支撐部以及一上蓋?；暇哂幸话疾垡约耙坏谝还潭ú浚尾繛橐粓A頂狀凸粒，上蓋具有第二固定部。在組裝支撐裝置時(shí)，將支撐部放置在基座上的凹槽內(nèi)，在將上蓋蓋上使第一固定部與第二固定部耦合。


圖1為一種現(xiàn)有的化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)示意圖；圖2為一種現(xiàn)有配置有支撐裝置的化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)示意圖；圖3a為本發(fā)明的第一實(shí)施例的支撐裝置示意圖；圖3b為本發(fā)明的第一實(shí)施例的支撐裝置分解圖；圖4a為本發(fā)明的第二實(shí)施例的支撐裝置示意圖；圖4b為本發(fā)明的第二實(shí)施例的支撐裝置分解圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)本發(fā)明的支撐裝置，包括一基座，設(shè)置在機(jī)臺(tái)上；一支撐部，設(shè)置在基座上，用以支撐放置于機(jī)臺(tái)上的玻璃基板；一固定部，用以將支撐部固定設(shè)置于基座上，以形成支撐玻璃基板的支撐裝置。其中支撐部大體為圓頂?shù)耐沽?。在組裝支撐裝置時(shí)，將支撐部設(shè)置在基座上，再用固定部將基座與支撐部耦合。使用時(shí)，支撐裝置將放置于反應(yīng)爐內(nèi)既定的一桿件(圖上未顯示)上，由支撐部與基板接觸，給予基板一支撐力。
實(shí)施例一參見(jiàn)圖3a和圖3b，詳細(xì)說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的支撐裝置30。如圖所示，一支撐裝置30包括一基座32，一支撐部34，一固定部36，在本實(shí)施例中為一扣環(huán)。
如圖3a和圖3b所示，基座32上具有一孔洞，孔洞上部的截面積小于下部的截面積，支撐部34為一圓頂狀凸粒，其上具有卡槽341，扣環(huán)為一標(biāo)準(zhǔn)C型扣環(huán)。在組裝支撐裝置時(shí)，將支撐部34由基座32內(nèi)部穿過(guò)基座的孔洞后，突出于基座32上部，再將扣環(huán)36卡入支撐部34上的卡槽341中，則支撐部34便可通過(guò)扣環(huán)36與基座32卡固，形成一支撐裝置30。使用時(shí)，將支撐裝置30設(shè)置于反應(yīng)爐內(nèi)既定的一桿件(圖上未顯示)上，由支撐裝置30的支撐部34與基板接觸，給予基板一支撐力。
其中，上述的基座32其材料為不銹鋼，因而使得整個(gè)支撐裝置有一定的重量，就可避免因靜電吸附而造成的破片問(wèn)題。
又，上述的支撐部34的材料為陶瓷，且圓頂式的設(shè)計(jì)將減少與玻璃基板的接觸面，進(jìn)而減少玻璃基板的刮傷范圍。
另外，上述的支撐部34也可為工程塑料(PBI)或是石英，也可以是可耐熱且不易與玻璃產(chǎn)生反應(yīng)的材料。
由上述可知，依本發(fā)明的支撐裝置其基座32與支撐部34分離的設(shè)計(jì)，可根據(jù)不同的工作環(huán)境選擇最適合的材料來(lái)制作支撐部，不需要整體用同一材料一體成型，不僅可以降低制作成本，同時(shí)可以提供便利的更換方式。又本發(fā)明使用一扣環(huán)36來(lái)卡固基座32與支撐部34，而不使用一螺絲釘?shù)睦碛稍谟谑∪チ寺莺下萁z的步驟，且本發(fā)明的支撐裝置的體積甚小，鎖合螺絲也非常的麻煩。
實(shí)施例二參見(jiàn)圖4a和圖4b，詳細(xì)說(shuō)明依據(jù)本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的支撐裝置40。如圖所示，一支撐裝置40包括一基座42，一固定部43，在本實(shí)施例中為一具有螺紋的上蓋，一支撐部44。
如圖4a和圖4b所示，基座42上具有一凹槽421以及一第一固定部422，支撐部44為一圓頂狀凸粒，上蓋43具有第二固定部432。在組裝支撐裝置30時(shí)，將支撐部44放置于基座42上的凹槽421內(nèi)，再將上蓋43上的第二固定部432與基座上的第一固定部422耦合。使用時(shí)，將支撐裝置40設(shè)置于反應(yīng)爐內(nèi)既定的一桿件(圖上未顯示)上，由支撐裝置40的支撐部44與基板接觸，給予基板一支撐力。
其中，上述的第一固定部為公螺紋，該第二固定部為母螺紋，或是上述的第一固定部為母螺紋，該第二固定部為公螺紋，該第一固定部與第二固定部螺合。
又，上述的基座42與上蓋43的材料為不銹鋼，因而使得整個(gè)支撐裝置有一定的重量，就可避免因靜電吸附而造成的破片問(wèn)題。
又，上述的支撐部44的材料為陶瓷，且圓頂式的設(shè)計(jì)將減少與玻璃基板的接觸面，進(jìn)而減少玻璃基板的刮傷范圍。
另外，上述的支撐部44也可為工程塑料(PBI)或是石英，也可以是可耐熱且不易與玻璃產(chǎn)生反應(yīng)的材料。
由上述可知，依本發(fā)明的支撐裝置其基座42與支撐部44分離的設(shè)計(jì)，可根據(jù)不同的工作環(huán)境選擇最適合的材料來(lái)制作支撐部，不需要整體用同一材料一體成型，不僅可以降低制作成本，同時(shí)可以提供便利的更換方式。又本發(fā)明使用一第一固定部421及一第二固定部432來(lái)卡固基座42與支撐部44，則不需要使用螺絲釘。
雖然結(jié)合以上數(shù)個(gè)較佳實(shí)施例揭露了本發(fā)明，然而其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，仍可作少許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種支撐裝置，適用于半導(dǎo)體制作工藝的機(jī)臺(tái)，包括一基座；一支撐部，設(shè)置于該基座上；一固定部，耦合該基座與該支撐部。
2.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置，其中該固定部為一扣環(huán)。
3.如權(quán)利要求2所述的支撐裝置，其中該支撐部上還具有一環(huán)狀凹槽，該扣環(huán)與該支撐部卡合于該環(huán)狀凹槽。
4.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置，其中該基座上具有公螺紋，該固定部上具有母螺紋，該公螺紋與該母螺紋螺合。
5.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置，其中該基座上具有母螺紋，該固定部上具有公螺紋，該公螺紋與該母螺紋螺合。
6.如權(quán)利要求1所述的支撐裝置，其中該基座的材料為不銹鋼。
7.如權(quán)利要求6所述的支撐裝置，其中該支撐部的材料為陶瓷。
8.如權(quán)利要求6所述的支撐裝置，其中該支撐部的材料為工程塑料(PBI)。
9.如權(quán)利要求6所述的支撐裝置，其中該支撐部的材料為石英。
10.一種支撐裝置，適用于半導(dǎo)體制作工藝的機(jī)臺(tái)，包括一基座，具有一孔洞；一支撐部，穿過(guò)該孔洞而突出于該基座；一扣環(huán)，與該基座鄰接，該扣環(huán)卡固該基座與該支撐部。
11.如權(quán)利要求10所述的支撐裝置，其中該支撐部上還具有一環(huán)狀凹槽，該扣環(huán)與該支撐部卡合于該環(huán)狀凹槽。
12.如權(quán)利要求10所述的支撐裝置，其中該扣環(huán)為C型扣環(huán)。
13.如權(quán)利要求12所述的支撐裝置，其中該支撐部上還具有一環(huán)狀凹槽，該C型扣環(huán)與該支撐部卡合于該環(huán)狀凹槽。
14.如權(quán)利要求10所述的支撐裝置，其中該基座的材料為不銹鋼。
15.如權(quán)利要求14所述的支撐裝置，其中該支撐部的材料為陶瓷。
16.如權(quán)利要求14所述的支撐裝置，其中該支撐部的材料為工程塑料(PBI)。
17.如權(quán)利要求14所述的支撐裝置，其中該支撐部的材料為石英。
18.一種支撐裝置，適用于半導(dǎo)體制作工藝的機(jī)臺(tái)，包括一基座，設(shè)置一凹槽，該基座具有一第一固定部；一支撐部，置于該基座上的該凹槽中；一上蓋，具有第二固定部與該基座的第一固定部耦合。
19.如權(quán)利要求18所述的支撐裝置，其中該第一固定部為公螺紋，該第二固定部為母螺紋。
20.如權(quán)利要求18所述的支撐裝置，其中該第一固定部為母螺紋，該第二固定部為公螺紋。
21.如權(quán)利要求18所述的支撐裝置，其中該基座的材料為不銹鋼。
22.如權(quán)利要求21所述的支撐裝置，其中該支撐部的材料為陶瓷。
23.如權(quán)利要求21所述的支撐裝置，其中該支撐部的材料為工程塑料(PBI)。
24.如權(quán)利要求21所述的支撐裝置，其中該支撐部的材料為石英。
25.如權(quán)利要求21所述的支撐裝置，其中該上蓋的材料為不銹鋼。
全文摘要
一種支撐裝置，適用于化學(xué)氣相沉積機(jī)臺(tái)中，在反應(yīng)爐內(nèi)支撐基板用，本發(fā)明的目的在于提供一種能夠減少對(duì)基板造成刮傷的支撐裝置，從而提高產(chǎn)能以及提高合格率，其基座與支撐部分離的設(shè)計(jì)，可根據(jù)不同的工作環(huán)境選擇最適合的材料來(lái)制作支撐部，不需要整體使用同一材料一體成型，不僅可以降低制作成本，同時(shí)可以提供便利的更換方式。本發(fā)明的支撐裝置包括一基座，一支撐部，一固定部，其中支撐部大體為圓頂?shù)耐沽?。在組裝支撐裝置時(shí)，將支撐部置于基座上，再用固定部將基座與支撐部耦合。
文檔編號(hào)H01L21/68GK1492493SQ0214716
公開(kāi)日2004年4月28日 申請(qǐng)日期2002年10月24日 優(yōu)先權(quán)日2002年10月24日
發(fā)明者陳秋宏 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司