專(zhuān)利名稱(chēng)：：用于具有高熱穩(wěn)定性超淺結(jié)中的含銥硅化鎳及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種器件，該器件包括用在具有高熱穩(wěn)定性的超淺結(jié)中的含銥硅化鎳及其制造方法，更具體地說(shuō)，涉及一種集成電路器件，它包括硅基體上的硅化鎳，其中，在硅化物的制備中使用銥作為夾層。
背景技術(shù)：
：現(xiàn)在，分別將硅化鈦和硅化鈷用在硅化物生產(chǎn)過(guò)程中以生產(chǎn)金屬氧化物半導(dǎo)體(MOS)晶體管。硅化鈦具有的缺點(diǎn)是，當(dāng)多晶硅線(xiàn)寬降低時(shí)，就難以將硅化物轉(zhuǎn)變成低電阻率的C54相。硅化鈷具有的缺點(diǎn)是硅消耗率高，從而形成二硅化鈷。因此，難以直接將硅化鈷應(yīng)用在超淺源/漏(source/drain)區(qū)域。而且，結(jié)深度降低需要在硅化物層和硅活化層之間有非常平的界面。硅化鎳是應(yīng)用在未來(lái)互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件制造中的候選材料。除了電阻率低以及減少單硅化物的Si消耗量的優(yōu)點(diǎn)外，已經(jīng)證明了與等離子體攙雜的超淺結(jié)有非常低的結(jié)漏電。應(yīng)用硅化鎳的主要障礙是它在高于650℃的溫度下熱穩(wěn)定性差。迄今為止，此限制阻礙了硅化鎳在典型CMOS中的應(yīng)用。硅化鎳比硅化鈦和硅化鈷更適合用于超淺結(jié)中，因?yàn)閱喂杌?NiSi)中每埃鎳(Ni)僅消耗1.83埃()的硅，相比之下，要形成CoSi2，每埃的鈷(Co)需要3.64埃的硅。然而，硅化鎳在高于700℃的溫度下是不穩(wěn)定的。尤其是，硅化鎳進(jìn)一步與硅反應(yīng)而轉(zhuǎn)變成二硅化鎳，而且在更高溫度下會(huì)在薄膜中聚集成孤立的島。因?yàn)槲磥?lái)的先進(jìn)集成電路(IC)加工會(huì)涉及高溫，所以重要的是要建立一種在超淺結(jié)上形成硅化物的方法，該硅化物在大約800℃或更高的溫度下是穩(wěn)定的。加入鉑(Pt)以提高硅化鎳的熱穩(wěn)定性已經(jīng)有所討論。然而，已經(jīng)觀察到由于加入鉑引起了N-型硅中的電活性缺陷。因此，需要一種在結(jié)深度小于400埃的超淺結(jié)上形成硅化物層的方法，同時(shí)在800℃和更高的溫度下保持該硅化物膜的結(jié)的完整性和穩(wěn)定性。概述本發(fā)明提供一種具有改善穩(wěn)定性的硅化鎳膜，其穩(wěn)定性的改善是由于在硅化反應(yīng)之前向金屬膜中加入了銥。得到的硅化鎳的穩(wěn)定性大為改善而且促進(jìn)了硅化鎳在800℃或更高溫度下的超淺結(jié)中的應(yīng)用。尤其是，通過(guò)在鎳沉積之前加入超淺金屬夾層來(lái)改善硅化鎳膜的熱穩(wěn)定性。隨著引入銥夾層，有可能改善硅化鎳薄膜的熱穩(wěn)定性，以足以承受0.1μm和超過(guò)0.1μm技術(shù)加工流程中集成的加工溫度。尤其是，銥夾層調(diào)整了鎳原子通過(guò)銥/鎳/硅合金層的流動(dòng)，該合金層由銥夾層與鎳和硅反應(yīng)形成，這樣鎳原子以相同的速率到達(dá)硅界面，也就是，沒(méi)有任何的方向優(yōu)先，以形成一個(gè)均勻的硅化鎳膜層。本研究使用了兩種晶片。用于測(cè)量硅化物表面電阻和晶體結(jié)構(gòu)的晶片是無(wú)晶格(patternless)的p-型(100)硅晶片。在優(yōu)選的實(shí)施方案中，硅基體包括無(wú)定形硅基體或(100)硅基體。在將無(wú)晶格的p-型晶片裝入電子束放射室之前，要首先在稀釋的緩沖氫氟酸中進(jìn)行預(yù)金屬浸漬(pre-metaldip)、去離子(DI)水清洗和旋轉(zhuǎn)干燥。鎳和夾層金屬通過(guò)隨后的電子束發(fā)射而沉積。沉積銥的厚度為5埃()-20埃。鎳的厚度為60埃-130埃。在氬氣(Ar)氣氛中、在300℃-900℃的溫度下進(jìn)行快速熱退火60秒。用四點(diǎn)探針測(cè)量每個(gè)硅化物薄膜的薄膜電阻。用Philips分析X-射線(xiàn)衍射系統(tǒng)在低分辨率的情況下分析薄膜結(jié)構(gòu)，“相”識(shí)別模式固定試樣，只移動(dòng)檢測(cè)器。由于二硅化鎳和硅基體之間相近的晶格不匹配，也通過(guò)高分辨率X-射線(xiàn)衍射來(lái)檢測(cè)相。用第二種晶片測(cè)量超淺結(jié)處的反向漏電。首先氧化該晶片，并通過(guò)熱氧化物、用標(biāo)準(zhǔn)光刻和蝕刻步驟加工以形成200μm×200μm的窗口。在生成35埃的犧牲氧化物后，通過(guò)等離子體攙雜技術(shù)在窗口區(qū)域形成了PN結(jié)。通過(guò)利用PH3/He氣體混合物在p-型晶片上攙雜三價(jià)磷而形成N+/P結(jié)。通過(guò)利用B2H6/He氣體混合物在n-型晶片上攙雜硼而形成P+/N結(jié)。通過(guò)夾頭向晶片施加振幅為1.0-1.5kV、脈沖寬度為50-100μs、頻率大約為1kHz的負(fù)電壓脈沖時(shí)，在晶片表面之上的區(qū)域產(chǎn)生了電感耦合等離子體。通過(guò)兩步快速熱退火(RTA)退火實(shí)現(xiàn)活化，其中在800℃下進(jìn)行再結(jié)晶，然后在1050℃下進(jìn)行尖峰退火。接著用氫氟酸溶液除去犧牲氧化物。通過(guò)二次離子質(zhì)譜(SIMS)測(cè)得的結(jié)深度大約為40nm。為了避免由于除去犧牲氧化物而產(chǎn)生的邊緣效應(yīng)，沉積一層等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積(PECVD)氧化物層，并且在上述窗口的中心形成一個(gè)100μm×100μm的更小的窗口。硅化物只在此100μm×100μm區(qū)域內(nèi)形成。因此，該測(cè)量反向滲漏的技術(shù)對(duì)調(diào)諧、峰值形成(spiking)或在硅化物和硅的界面處的刻面是敏感的。在硅化物形成后，在硫酸和過(guò)氧化氫溶液中，在140℃下除去沉積在氧化物表面上未反應(yīng)的金屬薄膜。在測(cè)量滲透之前用氫氟酸溶液除去背面(backside)氧化物。用HP4156半導(dǎo)體參數(shù)分析儀測(cè)量電流-電壓特性曲線(xiàn)。因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種具有改善熱穩(wěn)定性的硅化鎳薄膜。本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種應(yīng)用銥夾層而制備的硅化鎳薄膜。然而，本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供一種用于結(jié)深度約為400埃的超淺結(jié)中的硅化鎳薄膜，同時(shí)在高于800℃的溫度下保持硅化物膜層的結(jié)完整性和穩(wěn)定性。附圖簡(jiǎn)述圖1表示在550℃下退火的鎳和硅化鎳的硅化物的薄膜電阻。圖2表示硅化鎳薄膜的計(jì)算厚度和硅消耗量。圖3表示在550℃下退火1小時(shí)的硅化鎳薄膜電阻。圖4表示退火60秒的硅化鎳的薄膜電阻。圖5表示包含在鎳/硅界面加入的7埃鉑薄膜的硅化鎳的薄膜電阻。圖6表示包含在鎳/硅界面加入的14埃鉑薄膜的硅化鎳的薄膜電阻。圖7表示包含在兩個(gè)鎳層之間加入的14埃鉑薄膜的硅化鎳的薄膜電阻。圖8表示包含在鎳/硅界面加入的15埃銥薄膜的硅化鎳的薄膜電阻。圖9表示包含在鎳/硅界面加入的7埃銥薄膜的硅化鎳的薄膜電阻。圖10表示在550-850℃下退火的在鎳/硅界面處加入銥的硅化鎳薄膜的X-射線(xiàn)衍射圖。圖11表示在超淺PN結(jié)上的硅化鎳薄膜的N+/P結(jié)漏電結(jié)果。圖12表示在超淺PN結(jié)上的硅化鎳薄膜的P+/N結(jié)漏電結(jié)果。圖13表示在含鉑的超淺PN結(jié)上的硅化鎳薄膜的N+/P結(jié)漏電結(jié)果。圖14表示在含鉑的超淺PN結(jié)上的硅化鎳薄膜的P+/N結(jié)漏電結(jié)果。圖15表示在含銥的超淺PN結(jié)上的硅化鎳薄膜的N+/P結(jié)漏電結(jié)果。圖16表示在含銥的超淺PN結(jié)上的硅化鎳薄膜的P+/N結(jié)漏電結(jié)果。圖17和圖18表示本發(fā)明的方法和得到的器件。優(yōu)選實(shí)施方案詳述現(xiàn)在參考附圖，我們首先討論硅化鎳薄膜。圖1表示在550℃下退火前后，鎳和硅化鎳薄膜的硅化物薄膜電阻隨厚度的變化。首先將鎳沉積在一個(gè)電子束蒸發(fā)系統(tǒng)中。在氬氣氣氛中進(jìn)行快速熱退火(RTA)退火。對(duì)于60秒退火時(shí)間，退火溫度保持在550℃。退火后，在塊狀硅晶片上測(cè)量的薄膜電阻下降。位于圖右側(cè)的圖例，從上至下，表示未退火的二氧化硅上的鎳、未退火的硅上的鎳、退火的硅上的鎳、退火并蝕刻的硅上的鎳。圖2表示硅化鎳薄膜的計(jì)算厚度和形成硅化鎳所需的硅消耗量。硅化鎳薄膜的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是其硅消耗量低。然而，硅化鎳薄膜在高溫下不穩(wěn)定。圖3表示在550℃溫度下退火不同的時(shí)間周期，最多為1小時(shí)的硅化鎳薄膜的薄膜電阻。該圖表明，在550℃溫度下，硅化鎳在退火1小時(shí)后保持恒定的薄膜電阻。然而，在高于700℃的溫度下，薄膜電阻非?？焖俚卦黾印４吮砻骐娮璧脑黾邮怯杀∧ぞ奂蚇iSi轉(zhuǎn)變成NiSi2相共同造成的。這示于圖4。圖4表示在700℃條件下進(jìn)行退火60秒的硅化鎳薄膜的薄膜電阻。證明了該薄膜電阻在此溫度下具有不能令人接受(unacceptable)的增加?，F(xiàn)在我們討論(address)硅化物薄膜的熱穩(wěn)定性。為了應(yīng)用于需要較高溫度的過(guò)程，有必要改善硅化鎳薄膜的熱穩(wěn)定性。一種改善穩(wěn)定性的途徑是增加二硅化鎳的轉(zhuǎn)變溫度。如果向硅化鎳中加入雜質(zhì)，而且如果該雜質(zhì)中的硅化物具有與硅化鎳相似的結(jié)構(gòu)，可以預(yù)計(jì)這些硅化物能夠形成共溶固溶體。而且，可以預(yù)計(jì)該固溶體的總自由能會(huì)下降。因此，降低了形成二硅化鎳的驅(qū)動(dòng)力。本申請(qǐng)人已經(jīng)研究了幾種雜質(zhì)。具體地說(shuō)，幾種令人感興趣的雜質(zhì)包括鉑(Pt)、銥(Ir)和鈀(Pd)。這些材料的硅化物分別具有與硅化鎳，其為MnP斜方晶系，相同的晶體結(jié)構(gòu)。這些硅化物和單硅化鎳之間的晶格不匹配也非常小。這示于下面的表1中。表1化合物晶體結(jié)構(gòu)晶格常數(shù)(埃)abc硅化鎳斜方晶系，MnP5.2333.2585.659硅化鉑斜方晶系，MnP5.9325.5953.603硅化銥斜方晶系，MnP5.55793.22136.2673硅化鈀斜方晶系，MnP5.5993.3816.133本申請(qǐng)人已經(jīng)進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)以檢查加入鉑或銥的硅化鎳的熱穩(wěn)定性。結(jié)果如下。在兩個(gè)不同的實(shí)驗(yàn)中，在鎳/硅的界面處加入鉑和在鎳薄膜的中心加入鉑，也就是，在兩層鎳層之間。在一個(gè)實(shí)驗(yàn)中鉑夾層的厚度為7埃，在另一個(gè)實(shí)驗(yàn)中為14埃。圖5和6表示在鎳/硅界面處加入鉑的結(jié)果。圖5表示含在鎳/硅界面處加入的7埃鉑薄膜的硅化鎳薄膜的薄膜電阻。該薄膜電阻在高于750℃的溫度下增加。圖6表示含在鎳/硅界面處加入的14埃鉑薄膜的硅化鎳薄膜的薄膜電阻。14埃的鉑薄膜使硅化鎳薄膜更穩(wěn)定。該薄膜電阻在高于750℃的溫度下增加。圖7表示含在鎳薄膜的兩個(gè)鎳層之間加入的14埃鉑薄膜的硅化鎳薄膜的薄膜電阻。該薄膜電阻在高于750℃的溫度下增加。圖8表示含在鎳/硅界面處加入的15埃銥薄膜的硅化鎳薄膜的薄膜電阻。該鎳薄膜的厚度為77埃而且退火60秒。發(fā)現(xiàn)該薄膜即使在900℃的溫度下也是穩(wěn)定的。然而，在700℃左右薄膜電阻有微小的增加。圖9表示在鎳/硅界面處加入的7埃銥薄膜的硅化鎳薄膜的薄膜電阻。發(fā)現(xiàn)該薄膜即使在900℃的溫度下也是穩(wěn)定的。然而，在700℃左右薄膜電阻有微小的增加。在另一個(gè)實(shí)施方案中，可以將銥加入兩層鎳之間，其中得到的薄膜即使在900℃的溫度下也是穩(wěn)定的。圖10表示在550-850℃溫度下退火的具有在鎳/硅界面加入銥的硅化鎳薄膜的X-射線(xiàn)衍射圖。該圖表示高達(dá)700℃的單硅化物相。高于700℃時(shí)識(shí)別不出任何相。因?yàn)楸旧暾?qǐng)人認(rèn)為不可能形成無(wú)定形相，本申請(qǐng)人認(rèn)為可能形成與基體硅非常相似的二硅化鎳相。本申請(qǐng)人也研究了在鎳/硅界面處加入鈀。鈀對(duì)于硅化鎳薄膜穩(wěn)定性的影響并不像本申請(qǐng)人所觀察到的在鎳/硅界面處加入銥或鉑的那樣顯著?，F(xiàn)在，我們證明發(fā)明的銥夾層用于超淺結(jié)的硅化鎳薄膜中。這些圖表示具有40nm結(jié)深度(Xj＝40nm)的超淺結(jié)上的各種硅化鎳薄膜結(jié)漏電結(jié)果。在通過(guò)沉積一層硅烷氧化物覆蓋邊緣面積，然后僅打開(kāi)中心區(qū)域后硅化鎳薄膜形成于大的活性區(qū)域上打開(kāi)的100μm×100μm的窗口區(qū)。在圖中所示的反向漏電流的分布表明，具有銥的N+/P結(jié)及P+/N結(jié)在3伏特(3V)反向偏壓下漏電流小于1×10-10安培，表現(xiàn)出了良好的二極管性能。圖11表示在沒(méi)有鉑或銥的超淺結(jié)上的硅化物薄膜的N+/P結(jié)漏電結(jié)果。用厚度為68埃的鎳層形成硅化物。在550℃、650℃、750℃、800℃和850℃下依次進(jìn)行快速熱退火60秒。圖12表示在|3V|下超淺結(jié)上的硅化物薄膜的P+/N結(jié)漏電結(jié)果。用厚度為68埃的鎳層形成硅化物。在550℃、650℃、750℃、800℃和850℃下，依次進(jìn)行快速熱退火60秒。硅化物面積為100×100μm2。圖13表示在其中含鉑的超淺結(jié)上的硅化物薄膜的N+/P結(jié)漏電結(jié)果。用厚度為16埃的鉑層和厚度為80埃的鎳層形成該硅化物。在550℃、650℃、750℃、800℃和850℃下，依次進(jìn)行快速熱退火60秒。圖14表示在其中含鉑的超淺結(jié)上的硅化物薄膜的P+/N結(jié)漏電結(jié)果。用厚度為16埃的鉑層和厚度為80埃的鎳層形成該硅化物。在550℃、650℃、750℃、800℃和850℃下，依次進(jìn)行快速熱退火60秒。圖15表示16埃銥/80埃鎳形成的硅化物結(jié)的N+/P結(jié)漏電，其中在550℃、650℃、750℃、800℃和850℃下依次進(jìn)行RTA。該圖表示在鎳/硅界面處加入銥層的結(jié)果。圖16表示16埃銥/80埃鎳形成的硅化物結(jié)的P+/N結(jié)漏電，其中在550℃、650℃、750℃、800℃和850℃下依次進(jìn)行RTA。形成的硅化物的面積為100μm×100μm。在|3V|下測(cè)量漏電流。即使在850℃退火后漏電流仍然保持很低。本申請(qǐng)人估計(jì)，在加入銥夾層后，界面粗糙度有顯著的改善或(111)面減少。從Piranha刻蝕前后收集到的薄膜電阻數(shù)據(jù)和從x-射線(xiàn)結(jié)果看，所有的薄膜都轉(zhuǎn)變成硅化物相。盡管測(cè)定界面粗糙度最直接的方法是截面透射電子顯微鏡法，但檢察到的區(qū)域僅限于非常小的部分。超淺結(jié)的反向漏電流對(duì)評(píng)估界面粗糙度而言是非常實(shí)用并且非常靈敏的方法。PN結(jié)上任何突起的硅化物都能引起漏電流的顯著增加。正如上面所討論的，向硅化鎳中加入鉑或銥基本上能增加硅化鎳的穩(wěn)定性。因此，本申請(qǐng)人用鉑或鎳攙雜的硅化鎳硅化超淺結(jié)。測(cè)量結(jié)漏電以確定熱穩(wěn)定性。硅化的面積是100μm×100μm。在550℃-800℃的溫度下形成硅化物。正如圖中所示，有了銥夾層，即使溫度高達(dá)800℃，結(jié)仍然保持完整。然而，加入鉑觀察到N+/P結(jié)中明顯的漏電。因此，銥是本發(fā)明優(yōu)選的夾層材料。圖17是本發(fā)明方法的流程圖。步驟28包括提供硅基體。硅化過(guò)程如下所述。在步驟30中，鎳和銥通過(guò)包括濺射和蒸發(fā)在內(nèi)的物理氣相沉積，或者通過(guò)包括金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積在內(nèi)的化學(xué)氣相沉積，沉積在器件的源、漏極和多晶硅區(qū)域?？梢酝ㄟ^(guò)下面方法中的一種實(shí)現(xiàn)把銥引入鎳中(a)鎳沉積之前先沉積銥，(b)在鎳沉積的兩層之間沉積銥，(c)沉積鎳之后沉積銥，(d)從兩個(gè)源頭共沉積銥和鎳，或者(e)從鎳-銥合金靶沉積鎳-銥。鎳的厚度為50-200埃，而且典型地，所形成硅化鎳的厚度為90-700埃。銥層的厚度為5-20埃。在步驟32中，進(jìn)行了硅化。通常在惰性氣氛或氮?dú)夥罩?，?00℃-800℃的溫度下，進(jìn)行退火步驟10秒至2分鐘。退火步驟產(chǎn)生其中含絡(luò)合銥的硅化鎳，其中典型地，硅化鎳中絡(luò)合銥的原子百分?jǐn)?shù)小于15％。在步驟34中，在Piraha溶液中進(jìn)行選擇性刻蝕，該溶液由硫酸和過(guò)氧化氫組成。典型地，刻蝕溫度在100到150℃之間。下面給出一個(gè)具體的實(shí)施例。首先在稀釋的緩沖氫氟酸中對(duì)晶片進(jìn)行預(yù)金屬浸漬20秒。接著將晶片放入沉積系統(tǒng)中。在晶片上沉積15埃的銥層。在銥層上沉積75埃的鎳層。接著在550℃溫度下氬氣(Ar)氣氛中對(duì)晶片進(jìn)行快速熱退火(RTA)60秒。接著在Piranha溶液中進(jìn)行選擇性刻蝕。圖18表示一個(gè)按照本發(fā)明的方法制備的器件。其中具有絡(luò)合銥的硅化鎳36沉積在硅基體38上。典型地，硅化鎳層36的厚度為90-700埃?？傊?，通過(guò)在鎳/硅界面加入銥而使硅化鎳的熱穩(wěn)定性得到了顯著改善。此方法對(duì)于制備具有超淺結(jié)的所建議的未來(lái)器件顯得非常有用。改善熱穩(wěn)定性和低的結(jié)漏電被認(rèn)為是由于超光滑界面所致。至此，已經(jīng)公開(kāi)了一種制備改進(jìn)的硅化鎳元件的方法及使用其制成的元件。盡管已經(jīng)公開(kāi)了元件的優(yōu)選結(jié)構(gòu)和制備方法，但應(yīng)該指出的是，只要不背離附加的權(quán)利要求中所限定的本發(fā)明的范圍，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的變化和改進(jìn)。權(quán)利要求1.一種在硅基體上制備硅化鎳的方法，包括如下步驟提供硅基體；在所說(shuō)的硅基體上沉積銥；在所說(shuō)的硅基體上沉積鎳，其中所說(shuō)的鎳與所說(shuō)的銥相接觸；而且將所說(shuō)的銥和鎳退火以在所說(shuō)的硅基體上形成硅化鎳。2.權(quán)利要求1的方法，其中所說(shuō)的在硅基體上沉積銥的步驟包括直接在所說(shuō)的硅基體上沉積銥薄膜，和其中所說(shuō)的在硅基體上沉積鎳的步驟包括在所說(shuō)的銥薄膜上沉積鎳薄膜。3.權(quán)利要求1的方法，其中所說(shuō)的在硅基體上沉積鎳的步驟包括在所說(shuō)的硅基體上沉積第一層鎳薄膜，其中所說(shuō)的在硅基體上沉積銥的步驟包括在所說(shuō)的第一層鎳薄膜上沉積銥薄膜，和其中所說(shuō)的在硅基體上沉積鎳的步驟還包括在所說(shuō)的銥薄膜上沉積第二層鎳薄膜以在所說(shuō)的硅基體上形成一層鎳-銥-鎳薄膜結(jié)構(gòu)。4.權(quán)利要求1的方法，其中所說(shuō)的在硅基體上沉積鎳和銥的步驟包括在所說(shuō)的硅基體上共沉積銥和鎳以在所說(shuō)的硅基體上形成鎳-銥薄膜。5.權(quán)利要求2的方法，其中所說(shuō)的銥薄膜的厚度為5-20埃，和所說(shuō)的鎳薄膜的厚度為25-200埃。6.權(quán)利要求3的方法，其中所說(shuō)的第一層鎳薄膜的厚度為25-200埃，所說(shuō)的銥薄膜的厚度為5-20埃，和所說(shuō)的第二層鎳薄膜的厚度為25-200埃。7.權(quán)利要求1的方法，其中所說(shuō)的硅化鎳的厚度為90-700埃。8.權(quán)利要求1的方法，其中所說(shuō)的銥和鎳的退火步驟包括快速熱退火步驟，其在300-700℃的溫度下進(jìn)行10秒至2分鐘。9.權(quán)利要求1的方法，其中所說(shuō)的退火步驟將所說(shuō)的鎳和銥轉(zhuǎn)變?yōu)槠渲泻j(luò)合銥的二硅化鎳，其中所說(shuō)的二硅化鎳沒(méi)有所說(shuō)的硅基體中沿(111)面的平面。10.權(quán)利要求1的方法，其中所說(shuō)的硅基體選自無(wú)定形硅基體和(100)硅基體。11.權(quán)利要求1的方法，其中所說(shuō)的硅基體包括深度最大為100nm的結(jié)。12.權(quán)利要求1的方法，其中所說(shuō)的銥限定了位于至少一部分所說(shuō)鎳和硅基體之間的銥夾層，這樣在所說(shuō)的銥和鎳的退火步驟期間在所說(shuō)的硅基體上形成硅化鎳，所說(shuō)的至少一部分鎳通過(guò)所說(shuō)的銥夾層擴(kuò)散。13.一種微電子學(xué)器件包含硅基體；和位于所說(shuō)的硅基體上的硅化鎳，其中所說(shuō)的硅化鎳中含有銥。14.權(quán)利要求13的器件，其中所說(shuō)的器件是一個(gè)選自P+/N結(jié)和N+/P結(jié)的結(jié)。15.權(quán)利要求13的器件，其中所說(shuō)的器件具有不大于15歐姆/平方的表面電阻。16.權(quán)利要求13的器件，其中所說(shuō)的硅化鎳的厚度為90-700埃，和其中所說(shuō)的銥的厚度為5-20埃。17.權(quán)利要求13的器件，其中所說(shuō)的硅化鎳在高于700℃的溫度下是穩(wěn)定的。18.權(quán)利要求13的器件，其中所說(shuō)的硅化鎳含沒(méi)有在所說(shuō)的硅基體中沿(111)面的平面。19.權(quán)利要求13的器件，其中所說(shuō)的硅基體選自無(wú)定形硅基體和(100)硅基體。20.權(quán)利要求14的器件，其中所說(shuō)的結(jié)的最大深度為100nm。21.權(quán)利要求9的方法，其中所說(shuō)的二硅化鎳中包括小于15原子％的絡(luò)合銥。全文摘要一種集成電路器件及其制造方法,包括在與銥夾層一起制備的硅基體上的硅化鎳。在一個(gè)實(shí)施方案中,該方法包括在硅化反應(yīng)之前,先將銥(Ir)交界層沉積在鎳層和硅層之間。通過(guò)加入薄的銥層大大改善了熱穩(wěn)定性。這通過(guò)超淺結(jié)低的結(jié)漏電流以及在850℃下退火之后硅化物低的薄膜電阻而證明。文檔編號(hào)H01L21/28GK1384531SQ02121529公開(kāi)日2002年12月11日申請(qǐng)日期2002年5月2日優(yōu)先權(quán)日2001年5月2日發(fā)明者J·－S·馬亞,Y·安奧,F·張申請(qǐng)人:夏普公司