專(zhuān)利名稱:利用相移孔隙的投影式光刻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明乃是有關(guān)于半導(dǎo)體制造的光學(xué)微影制程。特別是,本發(fā)明乃是有關(guān)于利用相移孔隙的投影式微影制程中、空間凝像的改善方法及裝置,藉以產(chǎn)生非相干光線(incoherentlight),進(jìn)而降低側(cè)極大干擾效應(yīng)形成(sidemaxima formation)導(dǎo)致的效應(yīng)。
背景技術(shù):
當(dāng)半導(dǎo)體特征大小持續(xù)縮減至次微米范圍以后,在微影制程期間的光學(xué)繞射效應(yīng)亦會(huì)顯得格外明顯。常見(jiàn)的紫外線(UV)曝光工具乃是利用波長(zhǎng)193nm、248nm、或365nm的光源。當(dāng)這類(lèi)工具用來(lái)形成特征大小僅有70nm至350nm的半導(dǎo)體裝置時(shí),光學(xué)繞射效應(yīng)將會(huì)變得相當(dāng)明顯、并且產(chǎn)生影響這個(gè)半導(dǎo)體裝置表面的印刷圖案干擾。
一個(gè)干擾效應(yīng)特別嚴(yán)重的區(qū)域通常會(huì)具有彼此正交的圖案。這些干擾效應(yīng)會(huì)降低這個(gè)空間凝像的品質(zhì),進(jìn)而限制這個(gè)微影制程窗口的分辨率。特別是,這些干擾效應(yīng)會(huì)發(fā)生在數(shù)組類(lèi)型圖案的邊緣,其中,線路可能會(huì)更輕易地合并或降落在這些區(qū)域中。特別是,這些干擾效應(yīng)可能會(huì)在一個(gè)半導(dǎo)體晶圓的圖案印刷程序中,呈現(xiàn)側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima),進(jìn)而對(duì)這個(gè)印刷圖案造成負(fù)面影響。
已知,習(xí)知技術(shù)已經(jīng)提出多種方法,藉以改善整體的圖案分辨率。部分的習(xí)知技術(shù)方法乃是利用離軸(off-axis)照射或相移光罩。離軸(off-axis)照射乃是重新聚焦部分光線,其通常會(huì)被繞射到投影線路的外部,藉以增加整體的圖案分辨率。相移光罩則是平移光束的相位,藉以產(chǎn)生在不同特征間具有相差的非相干光線。如此,這些特征的分辨率便可以改善。然而,本發(fā)明會(huì)進(jìn)一步改善正交導(dǎo)向特征的微影成像品質(zhì),其只需要應(yīng)用先前所述的習(xí)知技術(shù)方法。另外,本發(fā)明亦是成本較低的方法,其不僅簡(jiǎn)單、并且亦不需要改變現(xiàn)有的微影光學(xué)裝置或設(shè)備。
發(fā)明內(nèi)容
一種改善正交導(dǎo)向特征的微影成像品質(zhì)的低成本及簡(jiǎn)易方法乃是利用本發(fā)明的較佳實(shí)施例達(dá)成,其具有一個(gè)具有光傳導(dǎo)區(qū)域的平板,藉以提供改善成像品質(zhì)的相移。在一個(gè)較佳實(shí)施例中,這個(gè)平板會(huì)具有第一不透明區(qū)域,位于這個(gè)平板的中央,及第二不透明區(qū)域,形成在這個(gè)平板的外緣。這個(gè)第一不透明區(qū)域及這個(gè)第二不透明區(qū)域可以在兩者間定義一個(gè)環(huán)狀區(qū)域。這個(gè)環(huán)狀區(qū)域乃是光傳導(dǎo)的、并且具有第一光傳導(dǎo)區(qū)域,藉以對(duì)穿透光線施予第一相移,及第二光傳導(dǎo)區(qū)域,藉以對(duì)穿透光線施予第二相移。
另外,本發(fā)明亦揭露一種方法,藉以在一個(gè)半導(dǎo)體晶圓表面進(jìn)行光學(xué)微影,進(jìn)而附加一個(gè)圖案。這種方法包括下列步驟,亦即利用一個(gè)電阻層被覆這個(gè)半導(dǎo)體晶圓;提供一個(gè)相干光線照射光源;及將這個(gè)照射光源的光線穿透一個(gè)孔隙,這個(gè)孔隙會(huì)在其中央具有一個(gè)不透明區(qū)域、并具有第一光傳導(dǎo)區(qū)域,藉以對(duì)穿透光線施予第一相移,及第二光傳導(dǎo)區(qū)域,藉以對(duì)穿透光線施予第二相移。另外,這種方法更包括下列步驟,亦即將這個(gè)非相干光線穿透一個(gè)光罩,這個(gè)光罩會(huì)在表面形成一個(gè)圖案、并在這個(gè)非相干光線穿透這個(gè)光罩后,利用這個(gè)非相干光線照射這個(gè)電阻層。
本發(fā)明較佳實(shí)施例的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)乃是這種方法可以提供一種較符合成本效益的方法,藉以改善正交導(dǎo)向特征的分辨率。
本發(fā)明較佳實(shí)施例的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)乃是這種方法并不需要改變現(xiàn)有的微影光學(xué)裝置。
本發(fā)明的上述及其它優(yōu)點(diǎn)將會(huì)配合所附圖式,利用較佳實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明如下,其中第1圖表示一種習(xí)知技術(shù)裝置,用以進(jìn)行光學(xué)微影制程,進(jìn)而形成半導(dǎo)體基底表面的圖案特征;第2a圖表示光罩特征的較佳實(shí)施例;第2b及2c圖表示光學(xué)繞射及得到的側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima);第3圖表示本發(fā)明的第一較佳實(shí)施例;第4圖表示一種系統(tǒng),其系利用本發(fā)明較佳實(shí)施例的方法,進(jìn)行光學(xué)微影制程,進(jìn)而在半導(dǎo)體基底表面形成圖案特征;第5a及5b圖表示圖案特征的圖案光柵;第6圖表示具有側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima)及相干及非相干重疊的強(qiáng)度曲線;以及第7及8圖表示本發(fā)明的其它較佳實(shí)施例。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明較佳實(shí)施例的制造及使用將詳細(xì)說(shuō)明如下。不過(guò),熟習(xí)此技術(shù)者應(yīng)明白本發(fā)明乃是提供許多可應(yīng)用的先進(jìn)概念,其可以利用各種特定方式加以實(shí)施。因此,以下所述的特定較佳實(shí)施例僅是以特定方式介紹本發(fā)明的制造及使用,而不是用來(lái)限定本發(fā)明的范圍。
第1圖系表示一種習(xí)知技術(shù)的光學(xué)微影裝置10。這種光學(xué)微影裝置10會(huì)具有一個(gè)光源2、一個(gè)光罩8、一個(gè)聚焦透鏡9、及一個(gè)感光層(一個(gè)光阻層)4,形成在一個(gè)半導(dǎo)體晶圓6或類(lèi)似基底的表面。首先,將這個(gè)光源2的光線穿透這個(gè)光罩8,藉以在這個(gè)光阻層4表面形成圖案,其中,這個(gè)光罩8表面會(huì)形成欲轉(zhuǎn)移的圖案。接著,在照射這個(gè)光阻層4以前,將這個(gè)光線穿透這個(gè)聚焦透鏡9。不過(guò),穿透這個(gè)光罩8的光線卻會(huì)遭受干擾效應(yīng),并自這個(gè)光源2產(chǎn)生光線繞射13。
當(dāng)這個(gè)光源2照射這個(gè)光罩8的時(shí)候,這個(gè)光罩8的上平面17將會(huì)形成一個(gè)圓形照射圖案。這個(gè)餅圖案乃是表示在第2a圖中、這個(gè)上平面17的俯視圖。對(duì)于正交特征而言,與軸線22平行的光線可以定義如同第一特征24的特征。另外,與軸線26平行的光線則可以定義如同第二特征28(與第一特征24鉛直)的特征。不過(guò),當(dāng)這個(gè)光源2照射這個(gè)光罩8的時(shí)候,由這個(gè)光罩通過(guò)的光線,其系定義這個(gè)光罩表面的第一特征24及第二特征28,亦可能會(huì)繞射,如第2b圖所示。這個(gè)圖式符號(hào)m乃是表示繞射的階度。舉例來(lái)說(shuō),0階乃是表示沒(méi)有繞射,而部分繞射階度則是利用沿著x軸的遞增(這些遞增可以指定為正數(shù)或負(fù)數(shù),藉以參考其相對(duì)y軸的位置)來(lái)表示。這些光線的繞射會(huì)導(dǎo)致具有某個(gè)給定強(qiáng)度的側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima)15,如第2c圖所示。這個(gè)側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima)15將會(huì)降低想要圖案的對(duì)比性,進(jìn)而減低想要的圖案分辨率。另外,當(dāng)?shù)谝惶卣?4及第二特征28的側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima)15發(fā)生重疊的時(shí)候,這個(gè)側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima)15亦會(huì)相干地彼此相加,并進(jìn)一步降低想要圖案的對(duì)比性。
第3圖系表示本發(fā)明孔隙的第一較佳實(shí)施例,藉以降低光線繞射所導(dǎo)致的重疊側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima)。這個(gè)平板50會(huì)具有第一不透明區(qū)域54,其乃是一個(gè)基本上圓形的區(qū)域,位在這個(gè)平板50的中央。第二不透明區(qū)域56則會(huì)形成在這個(gè)平板50的第一不透明區(qū)域54及這個(gè)平板50的外緣52中間。藉此,一個(gè)環(huán)狀區(qū)域58便可以利用第一不透明區(qū)域54及第二不透明區(qū)域56,形成在這個(gè)平板50周?chē)_@個(gè)環(huán)狀區(qū)域58會(huì)分別切割為第一區(qū)段60、第二區(qū)段62、第三區(qū)段64、及第四區(qū)段66。這些光傳導(dǎo)區(qū)段乃是變動(dòng)這個(gè)孔隙材料的厚度以形成,藉以如先前所述地施予想要的相移。
第一區(qū)段60及第二區(qū)段62乃是彼此相對(duì)、且最好能夠基本上鉛直導(dǎo)向。第一區(qū)段60及第二區(qū)段62具有第一厚度t1、并進(jìn)行設(shè)定以對(duì)穿透第一區(qū)段60及第二區(qū)段62的光線施予第一相移θ1。另外,第三區(qū)段64及第四區(qū)段66亦是彼此相對(duì)、且最好能夠基本上水平導(dǎo)向。第三區(qū)段64及第四區(qū)段66則具有第二厚度t2、并進(jìn)行設(shè)定以對(duì)穿透第三區(qū)段64及第四區(qū)段66的光線施予第二相移θ2。第一相移θ1并不會(huì)等于第二相移θ2,因此會(huì)產(chǎn)生一個(gè)相差θΔ。這個(gè)相差θΔ最好能夠介于45度至315度之間,且最好能是在180度附近。熟習(xí)此技術(shù)者應(yīng)明白這個(gè)相差θΔ亦可以視需要進(jìn)行調(diào)整,藉以產(chǎn)生最佳的圖案分辨率。
在這個(gè)較佳實(shí)施例中,厚度t1及t2會(huì)在0.1mm至1.0mm的等級(jí)內(nèi)、并且具有一個(gè)厚度差異ABS(t1-t2),其乃是這個(gè)照射光源2的發(fā)射光線的1/(2nref)波長(zhǎng)(其中,nref乃是這個(gè)平板50材料的折射率)。利用這種方法,這個(gè)最佳相移差異,相對(duì)于穿透第三區(qū)段64及第四區(qū)段66的光線,便可以施予穿透第一區(qū)段60及第二區(qū)段62的光線。
操作上,本發(fā)明的較佳實(shí)施例乃是實(shí)施為第4圖所示裝置的一個(gè)孔隙50。這個(gè)孔隙50乃是用來(lái)提供離軸(off-axis)照射。在離軸(off-axis)照射中,第n階光線,無(wú)論正負(fù),均可以用來(lái)改善圖案特征的分辨率。需要注意的是,位于或接近y軸的光線13會(huì)利用這個(gè)孔隙50的不透明區(qū)域54阻擋。這個(gè)孔隙50中、較接近這個(gè)外緣52的光線(如第3圖所示)則會(huì)利用這個(gè)孔隙50的環(huán)狀不透明區(qū)域56阻擋。只有穿透這個(gè)環(huán)狀區(qū)域58(包括第一區(qū)段60、第二區(qū)段62、第三區(qū)段64、及第四區(qū)段66)的光線會(huì)穿透并照射在這個(gè)光罩8表面。另外,這些光線會(huì)以某個(gè)角度,如圖中所示,照射在這個(gè)光罩8表面。以遠(yuǎn)離y軸的角度σ照射這個(gè)光罩8表面,通常會(huì)繞射至這個(gè)聚焦透鏡9外部的光線便可以穿透這個(gè)孔隙130,進(jìn)而到達(dá)這個(gè)聚焦透鏡9。需要注意的是,利用一個(gè)環(huán)狀開(kāi)口區(qū)域58,離軸(off-axis)照射便可以用在這個(gè)光罩8表面的任何特征,無(wú)論這個(gè)特征的導(dǎo)向?yàn)楹?亦即鉛直、水平、或與鉛直或水平呈某個(gè)角度)。另外,這個(gè)孔隙130的環(huán)狀區(qū)域58亦可以得到任何正交特征的改善分辨率,因?yàn)檫@個(gè)環(huán)狀區(qū)域周?chē)⑷魏畏较虻恼?fù)第n階光線均可以利用這個(gè)聚焦透鏡9捕捉到。
雖然這個(gè)圖案分辨率可以借著這個(gè)環(huán)狀區(qū)域58的繞射光線捕捉加以改善,但是,正交特征間的圖案分辨率仍然可以進(jìn)一步改善。這四個(gè)區(qū)段60、62、64、及66,如先前所述,所引進(jìn)的相差θΔ乃是改善正交線路的圖案分辨率,其乃是讓穿透這個(gè)光罩8的不同特征的光線能夠非相干地重疊。對(duì)于相干目標(biāo)照射而言,這個(gè)目標(biāo)的所有點(diǎn)均會(huì)具有固定相位關(guān)系的波幅。當(dāng)這些相位逐點(diǎn)獨(dú)立變動(dòng)的時(shí)候,這個(gè)照射乃是非相干的。引進(jìn)這個(gè)相差θΔ,這個(gè)光線照射便會(huì)變成非相干的,且這個(gè)圖案分辨率亦可以降低先前所述的側(cè)極大干擾形成(side maxima formation)效應(yīng),獲得進(jìn)一步的改善。
第6圖系表示具有利用相干光線及非相干光線照射的特征的重疊側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima)的光線強(qiáng)度曲線。第一強(qiáng)度曲線乃是利用曲線120表示。曲線120乃是表示光罩特征在水平方向的光線強(qiáng)度,諸如第5a圖的特征104所示。曲線122乃是表示鉛直光罩特征的強(qiáng)度曲線,諸如第第5b圖所示的特征110。熟習(xí)此技術(shù)者當(dāng)明白在實(shí)際情況中,特征104及特征110均會(huì)形成在相同的光罩表面。降低影像對(duì)比性(亦即正交線路間的對(duì)比性)的失真或側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima)乃是利用曲線124及126表示。這個(gè)側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima)會(huì)以自然相干方式重疊。換句話說(shuō),這兩個(gè)特征(水平及鉛直)的光波特性均會(huì)相同。這個(gè)相干重疊乃是利用曲線124表示。數(shù)學(xué)上,這個(gè)重疊強(qiáng)度會(huì)正比于(E1+E2)2,其中,E乃是表示這個(gè)光波電場(chǎng)的振幅。
當(dāng)利用本發(fā)明的時(shí)候,借著在基本上鉛直折射的光線及基本上水平折射的光線間附加一個(gè)相移,這類(lèi)鉛直及水平導(dǎo)向特征的側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima)便可以利用非相干方式重復(fù),如曲線126所示。如圖中所示,這個(gè)側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima)將可以大幅縮小,進(jìn)而大幅改善這個(gè)圖案分辨率。這個(gè)非相干重復(fù)會(huì)等于I1+I2,其正比于(E12+E22)。如此,在側(cè)極大干擾效應(yīng)(side maxima)重疊的區(qū)域中,光學(xué)強(qiáng)度便可以縮小(雖然無(wú)法完全去除),藉以改善對(duì)比性及圖案分辨率。
較佳實(shí)施例的孔隙設(shè)計(jì)及制造將進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明如下。如先前所述,孔隙50最好能夠利用石英玻璃形成,雖然利用具有類(lèi)似光學(xué)特性的其它光學(xué)質(zhì)料亦可以用來(lái)取代石英玻璃。較佳者,這個(gè)孔隙的厚度通常會(huì)介于0.01cm及0.1cm之間,且直徑通常會(huì)介于0.3cm及3cm之間。另外,不透明區(qū)域54及56則是將一個(gè)薄鉻被覆層或其它已知的光學(xué)阻擋層被覆在這個(gè)平板50的上表面、并利用已知的光學(xué)微影技術(shù)定義圖案以形成。
這些區(qū)段60、62、64、66最好能夠利用機(jī)械研磨法或蝕刻技術(shù),將這個(gè)平板50研磨至想要的深度以達(dá)成?;蛘?,這些區(qū)段60、62、64、66亦可以利用光學(xué)兼容被覆,生長(zhǎng)至想要的厚度。在這個(gè)較佳實(shí)施例中,這些區(qū)段60、62、64、66乃是利用蝕刻技術(shù)形成。
第7圖系表示本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例。第7圖系表示一個(gè)平板128,其具有一個(gè)基本上圓形的第一不透明區(qū)域130,位于這個(gè)平板128的中央,及第二不透明區(qū)域132,沿著這個(gè)平板128的外緣134的直徑設(shè)置。第一不透明區(qū)域130及第二不透明區(qū)域132會(huì)形成一個(gè)環(huán)狀開(kāi)口136。在這個(gè)環(huán)狀開(kāi)口136內(nèi)部,四個(gè)不透明區(qū)段138會(huì)交替地設(shè)置在四個(gè)光傳導(dǎo)區(qū)段140間。這四個(gè)不透明區(qū)段138分別具有第一邊緣142及第二邊緣144。各個(gè)不透明區(qū)段138的第一邊緣142乃是利用這個(gè)環(huán)狀開(kāi)口136的第一邊緣146形成。各個(gè)不透明區(qū)段138的第二邊緣144會(huì)無(wú)接縫地整合至第二不透明區(qū)段132。第四不透明區(qū)段138的第三邊緣148及第四邊緣150則會(huì)形成這四個(gè)光傳導(dǎo)區(qū)段140的相鄰邊緣。
在這個(gè)例子中,這個(gè)孔隙中、彼此相對(duì)的光傳導(dǎo)區(qū)段140會(huì)具有相同的厚度,而鄰近傳導(dǎo)區(qū)段則會(huì)具有平板,其厚度差異等于這個(gè)照射光源2的1/(2nref)發(fā)射光線波長(zhǎng)(nref乃是這個(gè)平板128材料的折射率)。
第8圖系表示本發(fā)明的另一個(gè)較佳實(shí)施例。在這個(gè)較佳實(shí)施例中,離軸(off-axis)照射并不是利用環(huán)形段落開(kāi)口(諸如區(qū)段140),而是利用圓形開(kāi)口150。這些圓形開(kāi)口的材料厚度則會(huì)與環(huán)形段落開(kāi)口,如先前所述,的材料厚度類(lèi)似。
雖然本發(fā)明已利用較佳實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明,但是,這些較佳實(shí)施例的說(shuō)明卻不是用來(lái)限定本發(fā)明的范圍。熟習(xí)此技術(shù)者,在參考本發(fā)明說(shuō)明后,應(yīng)能夠?qū)Ρ景l(fā)明的較佳實(shí)施例及其它實(shí)施例進(jìn)行各種變動(dòng)及組合。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以下列權(quán)利要求的范圍為準(zhǔn),其將會(huì)包含上述各種變動(dòng)或各種實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種投影式微影制程的平板,其包括一第一不透明區(qū)域,位于該平板之中央;以及一第二不透明區(qū)域,形成在該平板之一外緣,該第一及該第二不透明區(qū)域系在兩者間定義一環(huán)狀區(qū)域,該環(huán)狀區(qū)域系光傳導(dǎo)的、且具有一第一光傳導(dǎo)區(qū)域,其系對(duì)穿透光線施予一相移,及一第二光傳導(dǎo)區(qū)域,其系對(duì)穿透光線施予一第二相移。
2.如權(quán)利要求1所述的平板,其中,該第一光傳導(dǎo)區(qū)域系包括兩相對(duì)區(qū)域,該兩相對(duì)區(qū)域系基本上鉛直導(dǎo)向、且位于該環(huán)狀區(qū)域之相對(duì)部分。
3.如權(quán)利要求1所述的平板,其中,該第二光傳導(dǎo)區(qū)域系包括兩相對(duì)區(qū)域,該兩相對(duì)區(qū)域系基本上水平導(dǎo)向、且位于該環(huán)狀區(qū)域之相對(duì)部分。
4.如權(quán)利要求1所述的平板,其中,該第二相移及該第一相移之差異系介于45度及315度之間。
5.如權(quán)利要求4所述的平板,其中,該第二相移及該第一相移之差異系180度。
6.如權(quán)利要求1所述的平板,其中,該第一光傳導(dǎo)區(qū)域系具有一第一厚度,該第二光傳導(dǎo)區(qū)域系具有一第二厚度,且該第一光傳導(dǎo)區(qū)域及該第二光傳導(dǎo)區(qū)域之一厚度差異系等于一照射光源之1/(2nref)波長(zhǎng)。
7.一種投影式微影制程的平板,其包括一不透明區(qū)域;以及一第一、一第二、一第三、及一第四光傳導(dǎo)區(qū)域,形成在該平板之周邊,該第一及該第二光傳導(dǎo)區(qū)域系基本上鉛直導(dǎo)向及相對(duì)設(shè)置、且對(duì)穿透光線施予一第一相移,該第三及該第四光傳導(dǎo)區(qū)域系基本上水平導(dǎo)向及相對(duì)設(shè)置、且對(duì)穿透光線施予一第二相移。
8.如權(quán)利要求7所述的平板,其中,該第二相移及該第一相移之差異系介于45度及315度之間。
9.如權(quán)利要求8所述的平板,其中,該第二相移及該第一相移之差異系180度。
10.如權(quán)利要求7所述的平板,其中,該第一及該第二光傳導(dǎo)區(qū)域系具有一第一厚度,該第三及該第四光傳導(dǎo)區(qū)域系具有一第二厚度,且該第一及該第二光傳導(dǎo)區(qū)域與該第三及該第四光傳導(dǎo)區(qū)域之一厚度差異系等于一照射光源之1/(2nref)波長(zhǎng)。
11.一種孔隙平板,用于一微影制程系統(tǒng),其包括一平板,具有一不透明區(qū)域,位于該平板之中央;一第一光傳導(dǎo)區(qū)域;一第二光傳導(dǎo)區(qū)域,其基本上相對(duì)于該第一光傳導(dǎo)區(qū)域;一第三光傳導(dǎo)區(qū)域;以及一第四光傳導(dǎo)區(qū)域,其基本上相對(duì)于該第三光傳導(dǎo)區(qū)域;其中,穿透該第三及該第四光傳導(dǎo)區(qū)域之光線系由穿透該第一及該第二光傳導(dǎo)區(qū)域之光線相移一相位差。
12.如權(quán)利要求11所述的孔隙平板,更包括一第二不透明區(qū)域,沿著該平板之一外緣,其中,該不透明區(qū)域及該第二不透明區(qū)域系在兩者間定義一環(huán)狀區(qū)域。
13.如權(quán)利要求11所述的孔隙平板,其中,該第一、該第二、該第三、及該第四光傳導(dǎo)區(qū)域系形成于該光傳導(dǎo)環(huán)狀區(qū)域內(nèi)。
14.如權(quán)利要求11所述的孔隙平板,其中,該平板系利用玻璃形成。
15.如權(quán)利要求11所述的孔隙平板,其中,該不透明區(qū)域系包括一鉻膜。
16.如權(quán)利要求11所述的孔隙平板,其中,該第一及該第二光傳導(dǎo)區(qū)域系具有一第一厚度,且該第三及該第四光傳導(dǎo)區(qū)域系具有一第二厚度。
17.一種投影式微影制程系統(tǒng),其包括一照射光源;一光罩,具有一圖案,形成于該光罩表面;一聚焦透鏡,相鄰該光罩、且校準(zhǔn)以利用穿透該光罩之光線照射;以及一孔隙,包括一平板;一不透明區(qū)域,基本上位于該平板之中央;以及一第一光傳導(dǎo)區(qū)域,藉以對(duì)穿透光線施予一第一相移,及一第二光傳導(dǎo)區(qū)域,藉以對(duì)穿透光線施予一第二相移。
18.如權(quán)利要求17所速的系統(tǒng),其中,該第一光傳導(dǎo)區(qū)域系具有一第一及一第二區(qū)段,該第一及該第二區(qū)段系基本上鉛直校準(zhǔn)、并在該平板上基本上彼此相對(duì),且其中,該第二光傳導(dǎo)區(qū)域系具有一第三及一第四區(qū)段,該第三及該第四區(qū)段系基本上水平校準(zhǔn)、并在該平板上基本上彼此相對(duì)。
19.如權(quán)利要求18所述的系統(tǒng),其中,該第一相移或該第二相移系0度。
20.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng),其中,該第一相移與該第二相移之差異系介于45度至315度之間。
21.如權(quán)利要求17所述的系統(tǒng),其中,該孔隙系包括一環(huán)狀孔隙,且該第一及該第二光傳導(dǎo)區(qū)域系形成于該孔隙之一光傳導(dǎo)環(huán)狀區(qū)域內(nèi)。
22.一種微影制程方法,用以附加一圖案于一半導(dǎo)體晶圓表面,其包括下列步驟利用一電阻層被覆該半導(dǎo)體晶圓;提供一相干光之照射光源;將該照射光源之光線穿透一孔隙,藉以推導(dǎo)該照射光源之非相干光線,該孔隙系在其中央具有一不透明區(qū)域、并具有一第一光傳導(dǎo)區(qū)域,藉以對(duì)穿透光線施予一第一相移,及一第二光傳導(dǎo)區(qū)域,藉以對(duì)穿透光線施予一第二相移;將該非相干光線穿透一光罩,該光罩系具有一圖案,形成在該光罩表面;以及在該非相干光線穿透該光罩以后,利用該非相干光線照射該電阻層。
23.如權(quán)利要求22所述的方法,其中,該第一相移是0度。
24.如權(quán)利要求22所述的方法,其中,該第一相移及該第二相移的差異是介于45度及315度之間。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于投影式微影制程的平板50,其具有第一不透明區(qū)域54,位于這個(gè)平板50的中央,及第二不透明區(qū)域56,形成在這個(gè)平板50的外緣52。這個(gè)第一不透明區(qū)域及這個(gè)第二不透明區(qū)域會(huì)定義一個(gè)光傳導(dǎo)環(huán)狀區(qū)域58。這個(gè)環(huán)狀區(qū)域58乃是包括第一光傳導(dǎo)區(qū)域60、62,藉以對(duì)穿透光線施予一第一相移,以及第二光傳導(dǎo)區(qū)域64、66,藉以對(duì)穿透光線施予一第二相移。
文檔編號(hào)H01L21/027GK1483158SQ01821186
公開(kāi)日2004年3月17日 申請(qǐng)日期2001年11月29日 優(yōu)先權(quán)日2000年12月21日
發(fā)明者P·施羅伊德, T·莫諾, P 施羅伊德 申請(qǐng)人:因芬尼昂技術(shù)北美公司