專利名稱：在準(zhǔn)微波段具有最大復(fù)導(dǎo)磁率的磁物質(zhì)及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于壓低或吸收電或電子裝置中高頻噪聲的磁物質(zhì)，特別是適用于壓低在有源電子器件、高頻電路部件和高頻電子裝置中引起的電磁干擾(EMI)的磁物質(zhì)。
本技術(shù)領(lǐng)域還都知道，在電子裝置中有集中常數(shù)電路(如去耦合電容)組裝到電子裝置中的電源電路線中，從而壓制來自電源線的不希望的輻射。
還有另一個(gè)問題，即往往由高速操作型半導(dǎo)體或集成電路裝置引起或感應(yīng)出高頻噪聲，例如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、微處理器(MPU)、中央處理單元(CPU)、或圖像處理器算術(shù)邏輯單元(IPALU)，因?yàn)榱魅敫咚匐娐分械碾娦盘?hào)的電流和電壓值快速變化。
此外，在小型電子裝置中電子器件和電纜以高密度放置。所以，那些器件和導(dǎo)線彼此非?？拷瑥亩舜擞绊?，引起EMI。
為了壓低來自那些半導(dǎo)體裝置的高頻噪聲和在小型電子裝置內(nèi)的EMI，不能使用傳統(tǒng)的鐵氧體磁芯，因?yàn)樗捏w積較大。
另一方面，使用集中常數(shù)電路不能有效地壓低使用高速操作電子器件的電路中引起的高頻噪聲，因?yàn)樵肼暤念l率增大了，所以電路線實(shí)際上起到分布常數(shù)電路的作用。
JP-A 10-97913公布了一種具有較大磁芯損耗或復(fù)導(dǎo)磁率(complexpermeability)的復(fù)磁物質(zhì)(complex magnetic substance)。該復(fù)磁物質(zhì)放置在半導(dǎo)體裝置和/或電子電路裝置附近，能壓低從它們當(dāng)中輻射出來的高頻噪聲。
從近來的研究理解到，使用具有復(fù)導(dǎo)磁率μ″的磁物質(zhì)被認(rèn)為是加到產(chǎn)生噪聲的電路上的一個(gè)有效電阻(effective resistance)，從而使噪聲能被衰減。該有效電阻依賴于所用磁物質(zhì)的復(fù)導(dǎo)磁率。詳細(xì)地說，如果該磁物質(zhì)有恒定面積，則肯定有效電阻依賴于該磁物質(zhì)的復(fù)導(dǎo)磁率μ″及其厚度。這意味著具有提高的復(fù)導(dǎo)磁率的磁物質(zhì)能提供一個(gè)體積減小(即面積和厚度減小)了的高頻噪聲壓制器(suppressor)，它能組裝到小型裝置內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明，能得到根據(jù)權(quán)利要求1的磁物質(zhì)。
再有，根據(jù)本發(fā)明，得到根據(jù)附屬權(quán)利要求2-15的磁物質(zhì)，根據(jù)附屬權(quán)利要求16的噪聲壓制器和根據(jù)附屬權(quán)利要求17的壓制噪聲方法。
在先有技術(shù)中已知一種M-X-Y磁合成物(M磁性金屬元素，YO、N、或F；X不同于M和Y的一種或多種元素)作為有低磁芯損耗和高飽和磁化強(qiáng)度的一種磁物質(zhì)，它主要是用濺射法或蒸氣沉積法產(chǎn)生的并具有顆粒狀的結(jié)構(gòu)，這里M的金屬磁顆粒散布在陶瓷樣的非磁性矩陣(X和Y)中。
在研究有極好導(dǎo)磁率的M-X-Y磁合成物的精細(xì)結(jié)構(gòu)過程中，本發(fā)明的共同發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)，在M的高濃度區(qū)中能實(shí)現(xiàn)高飽和磁化強(qiáng)度，在這里M-X-Y磁合成物的飽和磁化強(qiáng)度為只含有M的金屬磁性材料體(the metallic bulk of magnetic material)的飽和磁化強(qiáng)度的80％或更多。
M-X-Y磁合成物有低電阻率(specific resistance)。所以，當(dāng)它被形成于用于高頻范圍的一個(gè)有較大厚度的部件中時(shí)，該部件允許一個(gè)渦流在其中流過。結(jié)果，該部件的導(dǎo)磁率被減小了。所以，傳統(tǒng)的有高飽和磁化強(qiáng)度的M-X-Y磁合成物不能用于厚度增大了的部件。
本發(fā)明者們進(jìn)一步發(fā)現(xiàn)，M濃度減小了的M-X-Y磁合成物在高頻范圍的復(fù)導(dǎo)磁率μ″增大了。在M濃度減小了的區(qū)域，M-X-Y磁合成物的飽和磁化強(qiáng)度為只含有M的金屬磁性材料體的飽和磁化強(qiáng)度的60-80％，M-X-Y磁合成物有較高的電阻率，約為100μΩ·cm或更高。所以，如果一個(gè)有較大厚度(例如幾微米(μm))的部件是由減小了M濃度的合成物構(gòu)成，它便顯示出減小了的渦流損耗。磁芯損耗或復(fù)導(dǎo)磁率是由于自然共振造成的損耗。所以，在頻率軸上復(fù)導(dǎo)磁率的分布是窄的。這意味著具有減小的M濃度的M-X-Y磁合成物對(duì)于在一窄頻率范圍內(nèi)壓制噪聲是有用的。
在進(jìn)一步減小M濃度時(shí)，這里M-X-Y磁合成物的飽和強(qiáng)化強(qiáng)度為只含有M的金屬磁性材料體的飽和磁化強(qiáng)度的35-60％，則M-X-Y磁合成材料有更高的電阻率，約為500μΩ·cm或更高。所以，在一個(gè)由該合成物構(gòu)成的有較大厚度(例如幾微米(μm))的部件中由渦流造成的損耗進(jìn)一步減小。M顆粒之間的磁相互作用變小，于是自旋熱漲落變大，使產(chǎn)生復(fù)導(dǎo)磁率自然共振的那個(gè)頻率發(fā)生漲落。所以，復(fù)導(dǎo)磁率μ″在一個(gè)寬的頻率范圍上有較大的值。這意味著進(jìn)一步減小了M濃度的M-X-Y磁合成物對(duì)于在一寬頻率范圍內(nèi)壓制噪聲是有用的。
對(duì)進(jìn)一步減小的M濃度，M顆粒彼此沒有磁效應(yīng)，于是M-X-Y合成物表現(xiàn)出超順磁性。
在設(shè)計(jì)一個(gè)由磁物質(zhì)構(gòu)成的部件，將其放在一個(gè)電子電路附近以壓制高頻噪聲時(shí)，考慮復(fù)導(dǎo)磁率μ″和磁物質(zhì)厚度σ的乘積(μ″·δ)之值。通常，為有效地壓制百兆赫(MHz)的高頻噪聲，需要(μ″·δ)≥1000μm。當(dāng)所用磁合成物的復(fù)導(dǎo)磁率約1000((μ″＝1000)時(shí)，該噪聲壓制器需要有厚度1微米(μm)或更大。所以，有低電阻率的合成物由于容易產(chǎn)生渦流因而是不希望的，而是希望有增大的電阻率，例如100μ·Ω或更大。
按上述觀點(diǎn)，希望用于噪聲壓制器的M-X-Y合成物有減小的M濃度，這里M-X-Y磁合成物的飽和磁化強(qiáng)度為只含有M的金屬磁性材料體的飽和磁化強(qiáng)度的35-80％。
發(fā)明實(shí)施例首先描述M-X-Y磁合成物的顆粒結(jié)構(gòu)和生產(chǎn)方法。
參考

圖1，其中示意性顯示M-X-Y磁合成物的顆粒結(jié)構(gòu)，金屬磁性材料M的顆粒11均勻地或均一的分布在含有X-Y的矩陣12中。
參考圖2A，圖中所示濺射裝置用于生產(chǎn)下述實(shí)例和比較例中的樣本。該濺射裝置有傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，包含真空容器20、開閉器21、氣氛氣體源22、基片或玻璃板23、切片24(X或X-Y)、標(biāo)靶25(M)、RF(射頻)電源、以及真空泵27。氣氛氣體源22和真空泵27都與真空容器20相連?；?3面對(duì)標(biāo)靶25，在標(biāo)靶25上放置切片24。開閉器21放置在基片21的前面。RF電源26與標(biāo)靶25相連。
參考圖2B，圖中所示蒸氣沉積裝置也用于生產(chǎn)下述實(shí)例和比較例中的樣本。蒸氣沉積裝置有傳統(tǒng)的結(jié)構(gòu)，它有真空容器20、氣氛氣體源22、以及真空泵27，這些與濺射裝置相似，但有一個(gè)包括材料(X-Y)的坩堝28代替切片24、標(biāo)靶25和RF功率源26。例1在表1所示濺射條件下，使用圖2A中所示濺射裝置，在玻璃板上制成M-X-Y磁合成物薄膜。
表1


對(duì)所產(chǎn)生的薄膜樣本1用熒光X-射線光譜學(xué)進(jìn)行分析并確認(rèn)為合成物Fe72Al11O17薄膜。薄膜樣本1有2.0微米(μm)厚，直流電阻率為530微歐姆厘米(μΩ·cm)，各向異性場(chǎng)(Hk)為18 Oe(奧斯特)，以及飽和磁化強(qiáng)度(Ms)為16,800高斯。
該薄膜樣品1的飽和磁化強(qiáng)度與金屬材料M本身的飽和磁化強(qiáng)度的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100是72.2％。
為了測(cè)量導(dǎo)磁率頻率響應(yīng)，薄膜樣本1被做成帶狀并插入一個(gè)線圈中。在一個(gè)偏置磁場(chǎng)作用下，測(cè)量加到線圈上的交流頻率變化時(shí)線圈阻抗的變化。對(duì)不同的偏置磁場(chǎng)值進(jìn)行多次這樣的測(cè)量。由測(cè)量得到的隨頻率變化而變化的阻抗，計(jì)算出復(fù)導(dǎo)磁率頻率響應(yīng)(μ″-f響應(yīng))并示于圖3。圖3表明，復(fù)導(dǎo)磁率有一個(gè)高峰值或者說最大值(μ″max)，并在該峰值兩側(cè)迅速下降。表現(xiàn)出最大值(μ″max)的自然共振頻率(f((μ″max))約為700MHz。由μ″-f響應(yīng)確定相對(duì)帶寬bwr，它是顯示出復(fù)導(dǎo)磁率為最大值μ″max一半值μ″50的兩個(gè)頻率點(diǎn)之間的帶寬與所述帶寬中心頻率的百分比。該相對(duì)帶寬bwr是148％。例2在與例1相似但使用150Al2O3切片的條件下，在玻璃板上形成薄膜樣本2。
對(duì)所產(chǎn)生的薄膜樣本2用熒光X-射線光譜學(xué)進(jìn)行分析并確認(rèn)為合成物Fe44Al22O34薄膜。薄膜樣本2的厚度為1.2微米(μm)，直流電阻率為2400微歐姆厘米(μΩ·cm)，各向異性場(chǎng)(Hk)為120 Oe，飽和磁場(chǎng)強(qiáng)度(Ms)為9600高斯。請(qǐng)注意，薄膜樣本2的電阻率高于薄膜樣本1。
薄膜樣本2的飽和磁化強(qiáng)度與金屬材料M本身的飽和磁化強(qiáng)度的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100是44.5％。
還以類似于例1的方式得到了薄膜樣本2的μ″-f響應(yīng)并示于圖4。請(qǐng)注意該峰值也有類似于例1的高的值。然而，在峰值處的頻率點(diǎn)，或者說自然響應(yīng)頻率，約為1GHz，而在該峰值兩側(cè)復(fù)導(dǎo)磁率逐漸下降，所以μ″-f響應(yīng)有寬帶特性。
也以類似于例1的方式確認(rèn)薄膜樣本2的相對(duì)帶寬bwr是181％。比較例1在類似于例1但使用90Al2O3切片的條件下，在玻璃板上形成比較樣本1。
對(duì)所產(chǎn)生的比較樣本1用熒光X-射線光譜學(xué)進(jìn)行分析并確認(rèn)為合成物Fe86Al6O8薄膜。比較樣本1的厚度為1.2微米(μm)，直流電阻率為74微歐姆厘米(μΩ·cm)，各向異性場(chǎng)(Hk)為22 Oe，飽和磁化強(qiáng)度(Ms)為18,800高斯，比較樣本1的飽和磁化強(qiáng)度與金屬材料M本身的飽和磁化強(qiáng)度的百分比{Ms(M-X-Y)/Ms(M)}×100是44.5％。
還以類似于例1的方式得到了比較樣本1的μ″-f響應(yīng)并示于圖5。請(qǐng)注意，從圖5可見比較樣本1的復(fù)導(dǎo)磁率μ″在約10MHz處有高峰值在高于10MHz的頻率范圍迅速減小?？梢约俣?，這一減小是由于較低的電阻率所產(chǎn)生的渦流引起的。比較例2在類似于例1但使用200Al2O3切片的條件下，在玻璃板上形成比較樣本2。
對(duì)所產(chǎn)生的比較樣本2用熒光X-射線光譜學(xué)進(jìn)行分析并確認(rèn)為合成物Fe19Al34O47薄膜。比較樣本2的厚度為1.3微米(μm)，直流電阻率為10,500微歐姆厘米(μΩ·cm)。
比較例1的磁特性表現(xiàn)為超順磁性。例4在表2所示濺射條件下，使用圖2A所示濺射裝置，用反應(yīng)濺射法，在玻璃板上制成M-X-Y薄膜。N2的部分壓強(qiáng)比是20％。該薄膜在磁場(chǎng)下在真空中以溫度300℃進(jìn)行熱處理達(dá)2個(gè)小時(shí)，得到薄膜樣本4。
表2

薄膜樣本4的性質(zhì)示于表3。
表3

例5在表4中所示濺射條件下用圖2A中所示濺射裝置在玻璃板上制成M-X-Y磁合成物薄膜。該薄膜在磁場(chǎng)下在真空中以溫度300℃進(jìn)行熱處理達(dá)2個(gè)小時(shí)，得到薄膜樣本5。
表4

薄膜樣本5的性質(zhì)示于表5。
表5

例6在表6中所示濺射條件下，使用圖2A中所示濺射裝置，由反應(yīng)濺射法在玻璃板上制成M-X-Y磁合成物薄膜。N2的部分壓強(qiáng)比是10％。該薄膜在磁場(chǎng)下在真空中以溫度300℃進(jìn)行熱處理達(dá)2個(gè)小時(shí)，得到薄膜樣本6。
表6


薄膜樣本6的性質(zhì)示于表7。
表7

例7在表8中所示濺射條件下，使用圖2A中所示濺射裝置，在玻璃板上制成M-X-Y磁合成物薄膜。該薄膜在磁場(chǎng)下在真空中以溫度300℃進(jìn)行熱處理達(dá)2個(gè)小時(shí)，得到薄膜樣本7。
表8

薄膜樣本4的性質(zhì)示于表9。
表9

例8在表10中所示濺射條件下，使用圖2A中所示濺射裝置，由反應(yīng)濺射法在玻璃板上制成M-X-Y磁合成物薄膜。N2的部分壓強(qiáng)比為10％該薄膜在磁場(chǎng)下在真空中以溫度300℃進(jìn)行熱處理達(dá)2個(gè)小時(shí)，得到薄膜樣本8。
表10

薄膜樣本10的性質(zhì)示于表11。
表11

例9在表12中所示濺射條件下，使用圖2A中所示濺射裝置，在玻璃板上制成M-X-Y磁合成物薄膜。該薄膜在磁場(chǎng)下在真空中以溫度300℃進(jìn)行熱處理過2個(gè)小時(shí)，得到薄膜樣本9。
表12

薄膜樣本9的性質(zhì)示于表13。
表13

例10在表14中所示濺射條件下，使用圖2A中所示濺射裝置，由反應(yīng)濺射法在玻璃板上制成M-X-Y磁合成物薄膜。O2的部分壓強(qiáng)比是15％。該薄膜在磁場(chǎng)下在真空中以溫度300℃進(jìn)行熱處理達(dá)2個(gè)小時(shí)，得到薄膜樣本10。
表14

薄膜樣本10的性質(zhì)示于表15。
表15

例11在表16中所示濺射條件下，使用圖2A中所示濺射裝置，在玻璃板上制成M-X-Y磁合成物薄膜。該薄膜在磁場(chǎng)下在真空中以溫度300℃進(jìn)行熱處理達(dá)2個(gè)小時(shí)，得到薄膜樣本11。
表16

薄膜樣本11的性質(zhì)示于表17。
表17

例12在表18中所示濺射條件下，使用圖2A中所示濺射裝置，在玻璃板上制成M-X-Y磁合成物薄膜。該薄膜在磁場(chǎng)下在真空中以溫度300℃進(jìn)行熱處理達(dá)2個(gè)小時(shí)，得到薄膜樣本12。
表18

薄膜樣本12的性質(zhì)示于表19。
表19

例13在表20中所示濺射條件下，使用圖2A中所示濺射裝置，在玻璃板上制成M-X-Y磁合成物薄膜。該薄膜在磁場(chǎng)下在真空中以溫度300℃進(jìn)行熱處理達(dá)2個(gè)小時(shí)，得到薄膜樣本13。
表20

薄膜樣本13的性質(zhì)示于表21。
表21


例14在表22中所示條件下，使用圖2B中所示蒸氣沉積裝置，在玻璃板上制成M-X-Y磁合成物薄膜。該薄膜在磁場(chǎng)下在真空中以溫度300℃進(jìn)行熱處理達(dá)2個(gè)小時(shí)，得到薄膜樣本14。
表22

薄膜樣本14的性質(zhì)示于表23。
表23

現(xiàn)在將描述使用圖6中所示測(cè)試裝置進(jìn)行關(guān)于樣本薄膜和比較樣本噪聲壓制效果的測(cè)試。
一片測(cè)試薄膜是尺寸為20mm×20mm×2.0μm的薄膜樣本1。為了比較，取一片尺寸為20×20mm×1.0mm的已知合成磁性材料。該合成磁性材料包含聚合物及散布在聚合物中的扁平磁性金屬粉末。該磁性金屬粉末包含F(xiàn)e、Al和Si。該合成磁性材料在準(zhǔn)微波范圍內(nèi)有復(fù)導(dǎo)磁率分布，其復(fù)導(dǎo)磁率的最大值位于頻率約700MHz處。表24顯示測(cè)試片和比較用測(cè)試片的性質(zhì)。
表24

從表24可見，薄膜樣本1的復(fù)導(dǎo)磁率最大值約比比較用測(cè)試片的復(fù)導(dǎo)磁率大600倍。由于通常根據(jù)最大復(fù)導(dǎo)磁率μ″max和片厚度δ的乘積(μ″max×δ)之值來評(píng)估壓制噪聲的效果，所以合成磁性材料片的比較用測(cè)試片厚度選為1mm，從而使這兩個(gè)測(cè)試片有相似的(μ″max×δ)值。
參考圖6，測(cè)試裝置包含一個(gè)帶有兩端口的微帶線61，與這兩個(gè)端口相連的同軸電纜62以及跨接在這兩個(gè)端口的網(wǎng)絡(luò)分析儀(未畫出)。微帶線61的長度為75mm，特征阻抗為50歐姆。測(cè)試片63放在微帶線61上的一個(gè)區(qū)域64處，并測(cè)量傳輸特性S21。薄膜樣本1和比較用樣本的S21的頻率響應(yīng)分別示于圖7a和7b。
針對(duì)使用測(cè)試樣本1的情況，由圖7A可以看到S21在100MHz以上時(shí)減小，在頻率2GHz處達(dá)到極小值-10dB，然后在2GHz以上時(shí)增大。另一方面，對(duì)于使用比較用樣本的情況，由圖7B可以看到S21逐漸減小并在頻率3GHz處達(dá)到極小值-10dB。
這些結(jié)果表明，S21依賴于復(fù)導(dǎo)磁率的頻率分布，而壓制噪聲的效果依賴于乘積(μ″max×δ)。
現(xiàn)在，如圖8A所示，假定磁性樣本構(gòu)成一個(gè)長度為l的分布常數(shù)電路，則由傳輸特性S11和S21對(duì)單位長度Δl計(jì)算出等效電路，如圖8B中所示。然后由用于單位長度Δl的等效電路得到長度為l的等效電路，如圖8C中所示。磁性樣本的等效電路包含串聯(lián)電感L和電阻R，以及并聯(lián)電容C和電導(dǎo)G，如圖8C所示。由此可以理解，由于在微帶線上放置磁物質(zhì)引起的微波帶狀線路傳輸特性的改變主要決定于所增加的串聯(lián)等效電阻R。
考慮上述情況，測(cè)量了等效電阻的頻率響應(yīng)。對(duì)于薄膜樣本1和比較用樣本，所測(cè)量的數(shù)據(jù)分別示于圖9A和9B。從這些圖中可以看出，在準(zhǔn)微波范圍中等效電阻R逐漸減小并在約3GHz處約為60歐姆?？梢钥吹剑刃щ娮鑂的頻率依賴性不同于復(fù)導(dǎo)磁率的頻率依賴性，復(fù)導(dǎo)磁率在約1GHz處有最大值?？梢哉J(rèn)為這一差別是基于該乘積和樣本長度二者與波長之比的逐漸增大。
已經(jīng)描述了本發(fā)明的磁物質(zhì)生產(chǎn)方法，即濺射法和蒸氣沉積法，但生產(chǎn)方法不限于這兩種。任何其他薄膜生產(chǎn)方法，如離子束沉積法和氣體沉積法，都能用于生產(chǎn)本發(fā)明的磁物質(zhì)，如果它們能均一地產(chǎn)生本發(fā)明的磁物質(zhì)的話。再有，如果所生產(chǎn)的薄膜有足夠好的性質(zhì)，則在薄膜生產(chǎn)后的熱處理不是必須的。
工業(yè)可應(yīng)用性根據(jù)本發(fā)明，該磁物質(zhì)在高頻范圍(如準(zhǔn)微波范圍)有較高的復(fù)導(dǎo)磁率。所以根據(jù)本發(fā)明構(gòu)成的磁物質(zhì)能提供一個(gè)噪聲壓制器，它在小尺寸電子電路元件和電子裝置中是有用的。
權(quán)利要求
1.一種含有M、X和Y的磁合成物磁物質(zhì)，這里M是包含F(xiàn)e、Co和/或Ni的金屬磁性材料，X是不同于M和Y的一種或多種元素，Y是F、N和/或O，其特征在于所述M-X-Y磁合成物在該合成物中具有一M的濃度使得所述M-X-Y磁合成物的飽和磁化強(qiáng)度為只含有M的金屬磁性材料體的飽和磁化強(qiáng)度的35-80％，所述磁合成物在頻率0.1-10千兆赫(GHz)范圍內(nèi)有復(fù)導(dǎo)磁率μ″的最大值μ″max。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁物質(zhì)，它有一個(gè)相對(duì)帶寬bwr為200％或更小的相對(duì)較窄頻帶的復(fù)導(dǎo)磁率頻率響應(yīng)，所述相對(duì)帶寬bwr是作為兩個(gè)頻率點(diǎn)之間的帶寬與該帶寬的中心頻率之百分比來確定的，這兩個(gè)頻率點(diǎn)位于復(fù)導(dǎo)磁率為最大值μ″max的一半值μ″50處。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的磁物質(zhì)，所述金屬磁性材料X有一個(gè)飽和磁化強(qiáng)度，其中，所述磁合成物具有飽和磁化強(qiáng)度，它是金屬磁性材料X的飽和磁化強(qiáng)度的60-80％。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3的磁物質(zhì)，其中，所述磁合成物具有100至700μΩ·cm的直流電阻率。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的磁物質(zhì)，它有一個(gè)相對(duì)帶寬bwr為150％或更大的相對(duì)寬頻帶的復(fù)導(dǎo)磁率頻率響應(yīng)，所述相對(duì)帶寬bwr是作為兩個(gè)頻率點(diǎn)之間的帶寬與該帶寬的中心頻率之百分比來確定的，運(yùn)兩個(gè)頻率點(diǎn)位于復(fù)導(dǎo)磁率為最大值μ″max的一半值μ″50處。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的磁物質(zhì)，所述金屬磁性材料X有一個(gè)飽和磁化強(qiáng)度，其中，所述磁合成物具有飽和磁化強(qiáng)度，它是金屬磁性材料X的飽和磁化強(qiáng)度的35-60％。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6的磁物質(zhì)，其中，所述磁合成物具有500μΩ·cm或更大的直流電阻率。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任何一個(gè)的磁物質(zhì)，其中，X是C、Bi、Si、Al、Mg、Ti、Zn、Hf、Sr、Nb、Ta和/或稀土金屬。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任何一個(gè)的磁物質(zhì)，其中，所述金屬磁性材料M作為粒狀顆粒分布在含有X和Y的矩陣合成物中。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的磁物質(zhì)，其中，所述粒狀顆粒的平均顆粒大小是1-40nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任何一個(gè)的磁物質(zhì)，其中，所述磁合成物有各向異性場(chǎng)600 Oe或更小。
12.根據(jù)權(quán)利要1-11中任何一個(gè)的磁物質(zhì)，其中，所述磁合成物是由公式Feα-Alβ-Oγ表示的合成物。
13.根據(jù)權(quán)利要求1-11中任何一個(gè)的磁物質(zhì)，其中，所述磁合成物是由公式Feα-Siβ-Oγ表示的合成物。
14.根據(jù)權(quán)利要求1-13中任何一個(gè)的磁物質(zhì)，其中，所述磁合成物是用濺射過程形成的薄膜。
15.根據(jù)權(quán)利要求1-13中任何一個(gè)的磁物質(zhì)，其中，所述磁合成物是用蒸氣沉積過程形成的薄膜。
16.根據(jù)權(quán)利要求1-15中任何一個(gè)的磁物質(zhì)，它是作為厚度0.3-20μcm的板形成的，用作高頻噪聲壓制器。
17.一種用于壓制高頻噪聲在電子裝置的電路線中流動(dòng)的方法，特征在于把權(quán)利要求16的所述板放在所述電子裝置附近或直接放在所述電子裝置上。
全文摘要
提供了一種在準(zhǔn)微波范圍有復(fù)導(dǎo)磁率最大值的磁物質(zhì),用于壓制小型電子裝置中的高頻噪聲。該磁物質(zhì)是由包含M、X和Y的磁合成物構(gòu)成的,這里M是包含F(xiàn)e、Co和/或Ni的金屬磁性材料,X是不同于M和Y的一種或多種元素,Y是F、N和/或O。M－X－Y磁合成物中M的濃度使得所述M－X－Y磁合成物的飽和磁化強(qiáng)度為只含有M的金屬磁性材料體的飽和磁化強(qiáng)度的35－80%。該磁合成物在頻率0.1－10千兆赫(GHz)范圍內(nèi)有復(fù)導(dǎo)磁率μ″的最大值μ″
文檔編號(hào)H01F1/33GK1365502SQ01800621
公開日2002年8月21日 申請(qǐng)日期2001年1月24日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月24日
發(fā)明者吉田榮吉, 小野裕司, 安藤慎輔, 李衛(wèi)東, 島田寬 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東金