專利名稱：有源驅(qū)動的有機(jī)el發(fā)光裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有源驅(qū)動的帶有薄膜晶體管(以下稱為TFT)的有機(jī)EL發(fā)光裝置(以下簡稱為有機(jī)EL裝置)，更準(zhǔn)確地說，本發(fā)明涉及一種適用于人類生活和生產(chǎn)中使用的顯示裝置和彩色顯示器等的有機(jī)EL裝置。
在本說明書中，“EL”意指“電致發(fā)光”。
但是在這種簡單驅(qū)動型有機(jī)EL發(fā)光裝置中，進(jìn)行的是所謂的行序列驅(qū)動。因此，如果掃描行的數(shù)量有幾百個，那么所需要的瞬時亮度比所觀察的亮度大幾百倍，從而引起以下的問題。
(1)由于驅(qū)動電壓比直流恒定電壓大不止2-3倍，故照明效率降低或者功率損耗變大。
(2)由于瞬時通過的電流變?yōu)閹装俦洞?，因此有機(jī)發(fā)光層易于損壞。
(3)由于按與(2)相同的方式電流非常大，在電極線路中的電壓降變大。
因此，為了解決簡單驅(qū)動型有機(jī)EL發(fā)光裝置所具有的問題，建議使用各種有源驅(qū)動有機(jī)EL發(fā)光裝置，其中有機(jī)EL元件由TFT(薄膜晶體管)來驅(qū)動(參見JP-A122360/1995，JP-A122361/1995，JP-A153576/1995，JP-A54836/1996，JP-A111341/1995，JP-A312290/1995，JP-A109370/1996，JP-A129359/1996，JP-A241047/1996，JP-A227276/1996，JP-A339968/1999等)。
這種有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)實例如
圖18和19所示。根據(jù)這種有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置，可以獲得如下優(yōu)點與簡單驅(qū)動型有機(jī)EL發(fā)光裝置相比，驅(qū)動電壓被極大地降低，發(fā)光效率被改善，能量消耗被減少。
但是，即使有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置具有上述優(yōu)點，它也會引起以下問題(1)-(3)。
(1)它們的象素孔徑比變小。
在有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置中，至少一個TFT被裝配到(fit to)透明基片上的每個象素上，另外大量的掃描電極行和信號電極行被設(shè)置在該基片上，以選擇適當(dāng)?shù)腡FT并將其驅(qū)動。因此，產(chǎn)生了一個問題，即當(dāng)光從透明基片的一側(cè)輸出時，象素的孔徑比(在象素中實際發(fā)光的部分的比例)變小，因為TFT和各種電極行切斷了光。例如，在近年來研制的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置中，用于以恒定電流驅(qū)動有機(jī)EL元件的TFT被設(shè)置在上述兩種TFT的旁邊。因此，其孔徑比變得越來越小(約30％以下)。結(jié)果根據(jù)孔徑比，通過有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的電流密度變大，導(dǎo)致了有機(jī)EL發(fā)光元件的使用壽命變短的問題。
這種情況將參照圖10、11和18更詳細(xì)地描述。圖10表示用于圖18所示的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置100的切換驅(qū)動的回路圖，表示了門行(掃描電極行)50(圖18中的108)和源行(信號電極行)51在基片上形成并成為XY矩陣形式的狀態(tài)。公共電極行52被與源行(信號電極行)51平行設(shè)置。對于每個象素，第一TFT55和第二TFT56被裝配到門行50和源行51上。電容57被連接在第二TFT56的門和公共電極行52之間，以將門電壓保持在恒定值。
因此，通過向圖10的回路中所示的第二TFT56的門提供由電容57所保持的電壓然后切換，有機(jī)EL元件26可以被有效地驅(qū)動。
圖11所示的平面視圖，是根據(jù)圖10的回路圖經(jīng)過切換部分等沿著平面方向看所得到的視圖。
因此，有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置100具有這樣一個問題，當(dāng)EL光從下電極(ITO，氧化銦錫)102一側(cè)輸出時，即基片104側(cè)的一側(cè)，TFT106、門行108、源行(未表示)等切斷了EL光，從而象素的孔徑比變小。
在有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置204中，如圖19所示，其中TFT200和有機(jī)EL元件202被設(shè)置在同一平面上，TFT200等不會阻擋EL光。但是，與圖18所示的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置100相比，它的象素的孔徑比被進(jìn)一步降低。
(2)上電極的片電阻率大。
在光從與基片相對的一側(cè)，即上電極的一側(cè)輸出時，TFT等不切斷光以保持孔徑比是大的。結(jié)果，能夠獲得高亮度影像。但是，當(dāng)EL光從上電極側(cè)輸出時，為了將EL光有效地向外部輸出，必須由透明導(dǎo)電材料形成該上電極。由于這個原因，上電極的片電阻率大于例如20Ω/□，結(jié)果在使用大面積的顯示器時導(dǎo)致了嚴(yán)重的問題。
在光以例如300尼特的亮度從對角線尺寸為20英寸(長寬比為3∶4)的EL發(fā)光裝置的整個表面上發(fā)出的情況下，即使在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)中使用10cd/A(發(fā)光功率/安培)的高發(fā)光效率的有機(jī)發(fā)光材料，也必須向上電極輸送3600mA的大電流。
更具體地說，基于上電極電阻的電壓降的值由∑nir表示，并按如下公式進(jìn)行計算。
∑nir＝1/2×N(N+1)irN(縱方向的象素的總數(shù))×1/2r在每個象素中的上電極的歐姆值(Ω)i流過每個象素的恒定電流值(A)。
因此，如果上電極的發(fā)光效率、發(fā)光亮度、象素形狀以及片電阻率被分別設(shè)定為例如，10cd/A、300尼特、200×600μm平方和20Ω/□，那么象素電流值為3.6×10-6A。如果縱向的象素的總數(shù)設(shè)定為2000，那么縱向的電壓降低為12V(1/2×1000×1000×3.6×10-6×20×1/3)。這超出了用于驅(qū)動被以恒定電流驅(qū)動的回路所允許的電壓范圍(10V)。因此在上述情況下難以發(fā)光。
總之，如果上電極的片電阻率大，那么電壓降，特別是在屏幕中心的電壓降就因此變大。結(jié)果亮度明顯降低的問題就變得明顯。順便說一句，以下這種改動也被嘗試了通過使用一個回路以使得每個象素的電流值(亮度)恒定。但是這種嘗試是不充分的。
(3)就制造觀點而言，難以控制上電極的歐姆值。
已經(jīng)知道，為了將對角線尺寸為幾英寸至10英寸的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的上電極的電阻率設(shè)定成低的值，例如通過使用普通的材料如ITO或ZnO而設(shè)定為1×10-3Ω·cm或以下，那么必須將加熱溫度設(shè)定為200℃或以上。但是普通有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的耐熱性是200℃以下。因此必須將加熱溫度設(shè)定為200℃以下。所以，上電極的電阻值不能被控制，以致于該值會超過1×10-3Ω·cm。結(jié)果出現(xiàn)片電阻率變高超過20Ω/□的問題。在使用等離子在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)上形成例如ITO或IZO的氧化物時進(jìn)行濺射以形成上電極的情況下，也會引起有機(jī)發(fā)光介質(zhì)被等離子損壞的問題。
鑒于以上問題，作出本發(fā)明。其目的是提供一種有機(jī)的有源EL發(fā)光裝置，它即使在設(shè)置TFT以驅(qū)動有機(jī)EL元件時也能夠提高每個象素的孔徑比，即使在發(fā)光從上電極的一側(cè)輸出時也能降低上電極的片電阻率，并能顯示具有高亮度和均勻亮度的影像；同時提供一種有效地制造這種有機(jī)的有源EL發(fā)光裝置的方法。
發(fā)明概述[1]本發(fā)明為一種有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置，包括一有機(jī)EL元件和一用于驅(qū)動該有機(jī)EL元件的薄膜晶體管，所述有機(jī)EL元件包括在上電極和下電極之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)，其中從該有機(jī)EL元件發(fā)出的光(EL光)從上電極的一側(cè)輸出，且該上電極包括由透明導(dǎo)電材料(包括透明半導(dǎo)體材料)形成的主電極，以及由低電阻材料形成的輔助電極。
這種結(jié)構(gòu)使得它即使在設(shè)置TFT時也可以使其數(shù)值孔徑是大的，并且即使在發(fā)光是從上電極的一側(cè)輸出時也能使上電極的片電阻率降低。
也可以提高亮度，并明顯延長有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的使用壽命，因為通過有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的電流的密度降低。本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置，優(yōu)選包括電開關(guān)和用于驅(qū)動該電開關(guān)的信號電極行和掃描電極行，所述電開關(guān)包括薄膜晶體管和用于選擇象素的晶體管。
即它優(yōu)選包括以例如XY矩陣的形式設(shè)置的掃描電極行和信號電極行，以及由電連接至這些電極行上的TFT和用于選擇象素的晶體管構(gòu)成的電開關(guān)。
這種結(jié)構(gòu)使它可以通過選擇任一象素、通過掃描電極行和信號電極行而施加掃描信號脈沖和信號脈沖、并因此進(jìn)行包括TFT的電開關(guān)的開關(guān)操作，從而有效地驅(qū)動該有機(jī)EL元件。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選該透明導(dǎo)電材料是選自以下組中的至少一種材料，包括導(dǎo)電氧化物、可透光金屬薄膜、非簡并的半導(dǎo)體、有機(jī)導(dǎo)體和半導(dǎo)的碳化合物。
即上電極的片電阻率能被降低。因此在主電極中不僅可以使用常規(guī)使用的透明導(dǎo)電材料，也可以使用這些之外的透明導(dǎo)電材料。因此，也可以使用上述透明導(dǎo)電材料。
可以使用非簡并的半導(dǎo)體等，例如那些可以在低溫、優(yōu)選200℃以下的溫度并更優(yōu)選在100℃以下的溫度制成薄膜的材料。因此可以使得任一有機(jī)層在形成薄膜的時候的熱損壞小。通過使用有機(jī)導(dǎo)體、半導(dǎo)的碳化合物等，可以在低溫真空沉積和濕涂布。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選多個輔助電極被有規(guī)則地設(shè)置在一平面內(nèi)。
例如通過將輔助電極設(shè)置成矩陣、條狀等形式，可以使上電極的電阻率為均勻有效的低值。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選輔助電極的截面形狀是懸臂形。
這種結(jié)構(gòu)使得即使在絕緣有機(jī)層被沉積在輔助電極上時，利用位于懸掛上部(包括倒錐形部分等)下方的位置，它一定能將輔助電極電連接至上電極。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選該輔助電極包括下輔助電極和上輔助電極。
這種輔助電極結(jié)構(gòu)，使得它能夠利用下輔助電極或上輔助電極將輔助電極輕易地電連接至主元件上。因為該輔助物被如上所述分成下輔助電極和上輔助電極，所以懸臂形式可以容易地形成。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選該輔助電極中的下輔助電極和上輔助電極包括具有不同蝕刻速率的構(gòu)成材料。
這種結(jié)構(gòu)使得它可以通過蝕刻而容易地形成該懸臂形狀。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選該輔助電極中的下輔助電極和上輔助電極或它們中的一個被電連接至主電極。
這種結(jié)構(gòu)使得它能夠?qū)⑤o助電極容易并確定地電連接至主電極，從而可以使上電極的電阻小。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選該輔助電極在用于形成有機(jī)EL元件的中間層絕緣膜上、在用于電絕緣下電極的電絕緣膜上、或在用于電絕緣TFT的電絕緣膜上形成。
這種結(jié)構(gòu)使得它可以按象素寬度構(gòu)成數(shù)值孔徑。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選TFT的有源層是由多晶硅制成的。
這種結(jié)構(gòu)使得它可以制造其TFT具有高耐用性的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置，因為由多晶硅制成的有源層具有抵抗電量的優(yōu)選電阻。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選在TFT上形成中間層絕緣膜，在中間層絕緣膜上沉積有機(jī)EL元件的下電極，而且TFT和下電極彼此通過在中間層絕緣膜中形成的孔而電連接。
這種結(jié)構(gòu)使得它可以在TFT和有機(jī)EL元件之間獲得更好的電絕緣性。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選電荷被從輔助電極注入主電極并與基片的主表面平行傳送，隨后該電荷被注入有機(jī)發(fā)光介質(zhì)中。
這種結(jié)構(gòu)使得它可以對主電極采用非金屬化合物，從而可以改善主電極的透明性。此處的非金屬化合物意指。例如非簡并半導(dǎo)體、有機(jī)導(dǎo)體、或半導(dǎo)的碳化合物，這些將在后面進(jìn)行描述。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選主電極的片電阻率被設(shè)定在1K-10MΩ/□之間的值。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選輔助電極的片電阻率被設(shè)定在0.01-10Ω/□之間的值。
對于各電極采用這種結(jié)構(gòu)，使得它可以送出提供高發(fā)光亮度的電流，并導(dǎo)致上電極片電阻率的一定降低。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選用于輸出光的色彩轉(zhuǎn)換的彩色濾色片和熒光薄膜或其中之一被設(shè)置在上電極的一側(cè)。
這種結(jié)構(gòu)使得它可以在彩色濾色片或熒光薄膜中使從上電極輸出的光進(jìn)行彩色轉(zhuǎn)換，從而可以進(jìn)行全色顯示。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選在彩色濾色片或熒光薄膜的一部分上形成有黑色基質(zhì)(a black matrix)，該黑色基質(zhì)和輔助電極在豎直方向上彼此重疊。
這種結(jié)構(gòu)使得它可以通過該黑色基質(zhì)而有效地抑制室外日光在輔助電極上的反射，并使數(shù)值孔徑寬。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選輔助電極在主電極上形成，且輔助電極的面積小于主電極的面積。
這種結(jié)構(gòu)使得它可以在形成主電極之后形成輔助電極。因此，可以更容易地形成輔助電極。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選輔助電極被嵌入圍繞其周邊的密封件中。
這種結(jié)構(gòu)不會導(dǎo)致有機(jī)EL發(fā)光裝置的厚度在輔助電極厚度的基礎(chǔ)之上過大。因為可以預(yù)先在該密封件中形成輔助電極，故可以同時進(jìn)行基于密封件的密封以及輔助電極和主電極之間的電連接。在本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選在密封件和主電極之間緊密地設(shè)置輔助電極。
這種結(jié)構(gòu)使得它可以同時進(jìn)行基于密封件的密封以及輔助電極和主電極之間的電連接。根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例，當(dāng)制造有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置時，使用一種方法來制造有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置，該裝置包括具有上電極和下電極之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的有機(jī)EL元件，以及用于驅(qū)動該有機(jī)EL元件的薄膜晶體管，所述方法包括形成該有機(jī)EL元件的步驟和形成該薄膜晶體管的步驟，其中在形成有機(jī)EL元件的步驟中，形成下電極和有機(jī)發(fā)光介質(zhì)，然后由透明導(dǎo)電材料(包括透明半導(dǎo)體材料)形成主電極，并通過形成由低電阻材料制成的電輔助電極而形成上電極。
根據(jù)該實施例，可以提供有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置，其中即使在設(shè)置TFT的時候數(shù)值孔徑也是大的，并且即使在發(fā)光從上電極的一側(cè)輸出時上電極的片電阻率也是低的。
附圖的簡要說明圖1是第一實施例的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的截面圖。
圖2是除去第一實施例中的中間層絕緣膜的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的實例截面圖。
圖3是第一實施例中輔助電極的布局被改變的實例的截面圖(No.1)。
圖4是第一實施例中輔助電極被有規(guī)律地放置的實例的示意圖。
圖5是第二實施例的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的截面圖。
圖6是第一實施例中輔助電極的布局被改變的實例的截面圖(No.2)。
圖7是第三實施例中的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的截面圖(No.1)。
圖8是第三實施例中的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的截面圖(No.2)。
圖9是用于解釋TFT的視圖。
圖10是有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的實例的線路圖。
圖11是根據(jù)圖10線路圖的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置沿著它的平面方向的透視圖。
圖12是說明形成TFT一部分的工藝圖。
圖13是輔助電極的截面圖(No.1)。
圖14是輔助電極的截面圖(No.2)。
圖15是輔助電極的截面圖(No.3)。
圖16是輔助電極的截面圖(No.4)。
圖17是第一實施例的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的改進(jìn)實例的截面圖。
圖18是傳統(tǒng)有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的截面圖(No.1)。
圖19是傳統(tǒng)有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的截面圖。它是輔助電極的截面圖(No.2)。如圖1所示，第一實施例的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置是這樣一種有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置61，它在基片10上具有嵌入電絕緣膜12的TFT14，以及沉積在TFT14上的中間層絕緣膜(平滑膜)13，有機(jī)EL元件26，其中每個EL元件包括上電極20和下電極22之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)24，以及用于連接TFT和有機(jī)EL元件26的電連接部分28。
為了輸出有機(jī)EL元件26所發(fā)出的光(EL光)，并使得第一實施例中的上電極20的電阻低，上電極20包括由透明導(dǎo)電材料制成的主電極16和由低電阻材料制成的輔助電極18。
以下基本參考圖2說明第一實施例的各組成部分。
圖2表示這樣一種有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置62，它具有的結(jié)構(gòu)中除去了圖1所示的中間層絕緣膜(平滑膜)13。在圖2中，其中嵌入了TFT14的電絕緣膜12起著中間層絕緣膜作用。
1. 基片有機(jī)EL顯示裝置中的基片(支撐基片)是用于支撐有機(jī)EL元件、TFT等的部件。因此優(yōu)選其機(jī)械強(qiáng)度和尺寸穩(wěn)定性是優(yōu)異的。
這種基片的特定實例包括玻璃基片、金屬基片、陶瓷基片和塑料基片(聚碳酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、氯乙烯樹脂、聚苯二甲酸乙二醇酯樹脂、聚亞酰胺樹脂、聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、苯酚樹脂、有機(jī)硅樹脂、氟樹脂等)。
為了避免水進(jìn)入有機(jī)EL顯示裝置，基于無機(jī)膜的形成或氟樹脂的應(yīng)用，優(yōu)選將由這種材料制成的基片進(jìn)行防濕處理或疏水處理。
為了避免水進(jìn)入有機(jī)發(fā)光介質(zhì)，特別優(yōu)選的是使基片的水含量和透氣系數(shù)小。具體地說，使支撐基片的水含量和透氣系數(shù)分別設(shè)定為0.0001％重量比以下和1×10-13cc.cm/cm2sec.cmHg以下。
為了從與基片相對的一側(cè)輸出EL光，即從本發(fā)明的上電極的一側(cè)，基片不需要是透明的。
2. 有機(jī)EL元件(1) 有機(jī)發(fā)光介質(zhì)有機(jī)發(fā)光介質(zhì)可以被限定為包括有機(jī)發(fā)光層的介質(zhì)，該有機(jī)發(fā)光層中電子和空穴彼此重新結(jié)合，從而發(fā)出EL光。這種有機(jī)發(fā)光介質(zhì)可以通過例如在陽極上層壓以下各層而制成。
① 有機(jī)發(fā)光層② 空穴注入層/有機(jī)發(fā)光層③ 有機(jī)發(fā)光層/電子注入層④ 空穴注入層/有機(jī)發(fā)光層/電子注入層⑤ 有機(jī)半導(dǎo)體層/有機(jī)發(fā)光層⑥ 有機(jī)半導(dǎo)體層/電子阻擋層/有機(jī)發(fā)光層⑦ 空穴注入層/有機(jī)發(fā)光層/粘合促進(jìn)層。
在這些結(jié)構(gòu)之中，在通常的情況下優(yōu)選使用④的結(jié)構(gòu)，因為這種結(jié)構(gòu)使得它可以提供更高的發(fā)光亮度，并且耐久性優(yōu)異。
① 構(gòu)成材料在有機(jī)發(fā)光介質(zhì)中的發(fā)光材料可以是選自以下材料中的一種或其兩或多種的結(jié)合，包括p-四苯基衍生物，p-五聯(lián)苯衍生物，苯并噻唑化合物，苯并咪唑化合物，苯并惡唑化合物，金屬螯合的8-羥基喹啉類(oxinoid)化合物，惡二唑化合物，苯乙烯苯化合物，二苯乙烯吡嗪衍生物，丁二烯化合物，萘亞胺化合物，二萘嵌苯衍生物醛連氮衍生物，吡唑啉(pyrazyline)衍生物，環(huán)戊二烯衍生物，吡咯并吡咯(pyrrolopyrrole)衍生物，苯乙烯胺衍生物，鄰吡喃酮化合物，芳香族二亞甲基化合物，具有8-喹啉醇衍生物作為配位基的金屬絡(luò)合物，以及聚苯化合物。
在這些有機(jī)發(fā)光材料中，更優(yōu)選的是4，4’-二(2，2-二叔丁基苯乙烯)二苯(縮寫為DTBPBBi)，4，4’-二(2，2-二苯乙烯)二苯(縮寫為DPVBi)，以及它們的衍生物，作為芳香族二亞苯基化合物。
也優(yōu)選使用的材料是其中有機(jī)發(fā)光材料具有二苯乙烯基亞芳基骨架的材料等，作為主體材料，它被摻有作為摻雜劑的顏色為從藍(lán)至紅的強(qiáng)熒光著色劑，例如與主體等當(dāng)量的鄰吡喃酮型物質(zhì)或熒光著色劑。更具體的說，優(yōu)選使用上述DPVBi等作為主體材料，1，4-二[{4-N，N’-二苯基氨基}苯乙烯基]苯(縮寫為DPAVB)作為摻雜劑。
對于有機(jī)發(fā)光介質(zhì)中的空穴注入層，優(yōu)選使用的化合物所具有的空穴移動性為1×10-6cm2/V秒以上，電離能為5.5eV以下。該空穴移動性是在向其施加電壓1×104-1×106V/cm的情況下測得的。這種空穴注入層的沉積使得空穴令人滿意的注入有機(jī)發(fā)光層，從而可以獲得高發(fā)光亮度或低電壓驅(qū)動。
這種空穴注入層的構(gòu)成材料的特殊實施例包括有機(jī)化合物，例如卟啉化合物，芳香族季胺化合物，苯乙烯胺化合物，芳香族二亞甲基化合物，稠合的芳環(huán)化合物，例如4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯胺]二苯(縮寫為NPD)和4，4’，4”-三[N-(3-甲基苯基)-N-苯基胺]三苯基胺(縮寫為MTDATA)。
作為空穴注入層的構(gòu)成材料，優(yōu)選使用無機(jī)化合物，例如p-型Si或p-型SiC。
具有的導(dǎo)電率為1×10-10S/cm以上的有機(jī)半導(dǎo)體層被優(yōu)選設(shè)置在空穴注入層和陽極層之間，或設(shè)置在空穴注入層和有機(jī)發(fā)光層之間。這種有機(jī)半導(dǎo)體層的布局使得空穴更令人滿意的注入有機(jī)發(fā)光層。
對于有機(jī)發(fā)光介質(zhì)中的電子注入層，也優(yōu)選使用的化合物所具有的電子移動性為1×10-6cm2/V秒以上，電離能為5.5eV以上。該電子移動性是在向其施加電壓1×104-1×106V/cm的情況下測得的。這種電子注入層的沉積使得電子令人滿意的注入有機(jī)發(fā)光層，從而可以獲得高發(fā)光亮度或低電壓驅(qū)動。
這種電子注入層的構(gòu)成材料的特殊實施例包括8-羥基喹啉的金屬絡(luò)合物(Al螯合物Alq)，其衍生物或惡唑衍生物等。
有機(jī)發(fā)光介質(zhì)中的粘合改善層可以被認(rèn)為是電子注入層的一種形式，即是一個電子注入層并由對陰極粘合性特別好的材料制成。該層優(yōu)選由8-羥基喹啉的金屬絡(luò)合物、其衍生物等制成。
也優(yōu)選與電子注入層相接觸沉積導(dǎo)電率為1×10-10S/cm的有機(jī)半導(dǎo)體層。這種有機(jī)半導(dǎo)體層的沉積使得電子更令人滿意的注入有機(jī)發(fā)光層中。
② 厚度有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的厚度沒有特別的限定。優(yōu)選將該厚度設(shè)定為例如5nm-5μm的范圍內(nèi)的值。
這樣作的原因如下。如果該有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的厚度低于5nm，其發(fā)光亮度或耐久性會下降。另一方面，如果該有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的厚度大于5μm，那么所施加的電壓值會升高。
因此，該有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的厚度優(yōu)選設(shè)定在10nm-3μm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選的是設(shè)定在20nm-1μm的范圍內(nèi)。
(2) 上電極① 結(jié)構(gòu)1如圖1所示，在第一實施例中，上電極20的特征在于由包括透明導(dǎo)電材料的主電極16、以及包括低電阻材料的輔助電極18構(gòu)成。
因為不僅設(shè)置了主電極16，同時也按上述方式設(shè)置了包括低電阻材料的輔助電極18，因此上電極20的片電阻率明顯降低。所以，有機(jī)EL元件26可以被在低電壓驅(qū)動，并且能量消耗也被降低。
圖1所示的主電極16是由透明導(dǎo)電材料制成的，例如由透光率10％以上的材料并優(yōu)選由透光率60％以上的材料制成的。因此EL光可以通過該主電極16而有效地輸出至外部。所以，即使設(shè)置有TFT14等，仍能夠使象素的孔徑比是大的。
② 結(jié)構(gòu)2如圖13-15所示，關(guān)于上電極20中的輔助電極18的結(jié)構(gòu)，該輔助電極18優(yōu)選由上輔助電極17和下輔助電極19構(gòu)成。
這種結(jié)構(gòu)使得它可以在即使上輔助電極17被電絕緣時，也能夠?qū)⑾螺o助電極19和主電極16電連接。反之，即使在下輔助電極19被電絕緣時，也能夠?qū)⑸陷o助電極17和主電極16電連接。
這種結(jié)構(gòu)也能夠使得它可以使用不同的構(gòu)成材料來制造各個電極。因此輔助電極18和主電極16之間的電連接就更加確定。在主電極16通過下輔助電極19被電連接至包括金屬材料的上輔助電極17的情況下，其中下輔助電極19包括具有較好的連接任何透明氧化導(dǎo)電材料以及任何金屬的能力的半導(dǎo)體材料，例如銦鋅氧化物(IZO)作為無定形的無機(jī)氧化物，這種情況與例如包括透明氧化導(dǎo)電材料的主電極16被直接連接至包括金屬材料的輔助電極18的情況相比，在輔助電極18和主電極16之間的電連接更加確定。
另外，這種結(jié)構(gòu)使得它可以使用具有不同蝕刻性能的材料來制造各個輔助電極。因此，輔助電極18的截面形狀可以很容易的制成懸臂形狀，如下所述。
③ 結(jié)構(gòu)3如圖13-16所示，關(guān)于上電極20中的輔助電極18的結(jié)構(gòu)，輔助電極18的截面形狀被優(yōu)選制成為懸臂形狀。
這樣作的原因是，即使在絕緣膜被沉積在輔助電極18上，輔助電極也能夠通過懸掛的下部分被電連接至主電極16。
具體的說，如果在輔助電極18形成之后通過真空沉積等形成絕緣膜或有機(jī)發(fā)光介質(zhì)，然后形成主電極16，那么絕緣膜就覆蓋了輔助電極18，從而可能變得難以將輔助電極18電連接至主電極16。
另一方面，在輔助電極18的截面形狀是懸臂形狀時，即使當(dāng)通過真空沉積等沉積時，絕緣膜也不容易粘附在輔助電極18的側(cè)面。采用這種無遮蓋側(cè)面的輔助電極18，可以更加確保電連接至主電極16。
例如，在圖14中，上電極17被有機(jī)覆蓋介質(zhì)等電絕緣，而下電極19被電連接至主電極16。從這種結(jié)構(gòu)說明了輔助電極18連接的容易性。
通過使輔助電極18由下和上電極19和17構(gòu)成，并使得兩個電極19和17由具有不同蝕刻速度的材料形成，可以很容易的使輔助電極18的截面形狀形成為懸臂形狀。具體地說，優(yōu)選使下輔助電極19由金屬材料例如Al或Al合金形成，使上輔助電極17由非金屬材料例如二氧化硅、氧化鋁、氮化硅、氮化鉻、氮化鉭和氮化鎢形成。
下輔助電極19和上輔助電極17分別由例如Al和Cr形成，Cr用硝酸銨鈰溶液以光刻方式進(jìn)行蝕刻。然后用磷酸、硝酸和乙酸的混合溶液對Al進(jìn)行蝕刻，從而只有下輔助電極19的Al被過度蝕刻。因此容易獲得懸臂。
這種懸臂的實例如圖13-16所示。該懸臂可以具有各種形狀?？梢允褂镁哂杏上螺o助電極19和上輔助電極17構(gòu)成的雙層結(jié)構(gòu)的懸臂的輔助電極18，如圖16(e)所示，且輔助電極18為具有三層結(jié)構(gòu)的懸臂形式。
圖13-16中的箭頭表示該懸臂的投影方向。
④ 結(jié)構(gòu)4如圖4所示，關(guān)于上電極20中的輔助電極18的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選在從上面看時，該輔助電極18被規(guī)則地設(shè)置在一平面內(nèi)。
這使得它可以使上電極的歐姆值是非常地而且是均勻地低。輔助電極18的這種規(guī)則設(shè)置使得其制造也簡便。
⑤ 結(jié)構(gòu)5如圖1和2所示，關(guān)于上電極20中的輔助電極18的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選當(dāng)從上面看時，該輔助電極18被設(shè)置在彼此相鄰的下輔助電極22之間。這一點可以由例如圖2中虛線所示的相鄰象素31之間的輔助電極18的布局來說明。
簡要地說，這種輔助電極18的布局使得它可以獲得更高的發(fā)光亮度，而不需使象素31的數(shù)值孔徑變窄。
輔助電極18的另一優(yōu)選布局是，在設(shè)置有圖5所示的彩色濾色片或熒光薄膜60并且在對應(yīng)于下電極22之間的縫隙的垂直位置設(shè)置有黑色基質(zhì)(光遮擋部分)的情況下，輔助電極18被以如下的方式設(shè)置，即使黑色基質(zhì)的光遮擋部分和輔助電極在垂直方向彼此疊加。
⑥ 結(jié)構(gòu)6如圖1和2所示，關(guān)于上電極20中的輔助電極18的結(jié)構(gòu)，優(yōu)選該輔助電極18被沉積在用于絕緣TFT14的電絕緣膜12以及中間層絕緣膜13(平滑膜)上，或者沉積在絕緣膜12或13其中之一上。
這種結(jié)構(gòu)使得它可以降低在輔助電極和關(guān)于TFT的線路之間形成的電容。因此，有機(jī)EL元件的開關(guān)操作可以更快。
另外，如圖3所示，作為輔助電極18的另一種布局，優(yōu)選將與中間層絕緣膜13不同的電絕緣膜25設(shè)置在鄰近的下電極22之間，并且在絕緣膜25上形成輔助電極18。
這種結(jié)構(gòu)使得它可以減少下電極22和上電極20之間在下電極22的步驟中導(dǎo)致的短路，或漏電。因此可以減少影像缺陷。
如圖6所示，作為輔助電極18的布局，優(yōu)選輔助電極18在主電極16上形成，并且使得輔助電極18的面積比主電極16的面積小。
這種結(jié)構(gòu)不會使象素的孔徑比窄，并使得它容易形成輔助電極以及調(diào)整輔助電極的片電阻率。
無需說明，有關(guān)中間層絕緣膜等的布局的結(jié)構(gòu)6符合了結(jié)構(gòu)5的布局，因為輔助電極18被設(shè)置在鄰近的下電極22之間。
⑦ 構(gòu)成材料1圖1中的上電極20(主電極16和輔助電極18)等對應(yīng)于陽極層或陰極層，這取決于有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)。在對應(yīng)于陽極層的情況下，構(gòu)成材料具有大的逸出功，例如優(yōu)選使用4.0eV以上的逸出功，因為容易在其中注入空穴。在對應(yīng)于陰極層的情況下，構(gòu)成材料具有小的逸出功，例如優(yōu)選使用4.0eV以下的逸出功，因為容易在其中注入電子。
另一方面，在第一實施例中為了向外部輸出光，主要的是上電極20中的主電極16具有給定的透光率。
因此，在上電極20對應(yīng)于陰極層的情況下，主電極16的構(gòu)成材料可以是選自以下化合物中的一種或兩種以上的結(jié)合，包括銦錫氧化物(ITO)，銦鋅氧化物(IZO)，碘化銅(CuI)，氧化錫(SnO2)，氧化鋅(ZnO)，氧化銻(Sb2O3，Sb2O4和Sb2O5)，氧化鋁(Al2O3)等。
為了在不損壞其透光率的同時使得主電極16的電阻低，優(yōu)選以薄膜的形式加入以下金屬中的一種或兩種以上的組合，包括Pt，Au，Ni，Mo，W，Cr，Ta，Al等。
在第一實施例中，上電極20的片電阻率不僅因為透明材料而降低，也因為輔助電極而降低。因此對于主電極16，至少可以從透光金屬薄膜、非簡并半導(dǎo)體、有機(jī)導(dǎo)體、半導(dǎo)體碳化合物等中選擇一種構(gòu)成材料。
例如，對于有機(jī)導(dǎo)體，優(yōu)選的是導(dǎo)電共軛聚合物，添加有氧化劑的聚合物，添加有還原劑的聚合物，添加有氧化劑的低分子，或添加有還原劑的低分子。
添加至有機(jī)導(dǎo)體的氧化劑可以是路易斯酸，例如氯化鐵，氯化銻或氯化鋁。添加至有機(jī)導(dǎo)體的還原劑可以是堿金屬，堿土金屬，稀土金屬，堿化合物，堿土化合物，稀土金屬化合物等。導(dǎo)電共軛聚合物可以是聚苯胺或其衍生物，聚噻吩或衍生物，加有路易斯酸的胺化合物層等。
非簡并半導(dǎo)體的優(yōu)選的特定實例包括氧化物，氮化物和硫?qū)倩衔铩?br>
碳化合物的優(yōu)選特定實例包括無定形碳、石墨和類似金剛石的C。
無機(jī)半導(dǎo)體的優(yōu)選特定實例包括ZnS，ZnSe，ZnSSe，MgS，MgSSe，CdS，CdSe，CdTe，CdSSe等。
⑧ 構(gòu)成材料2圖1等中的輔助電極18必須由低電阻材料制成。優(yōu)選使用的低電阻材料具有例如1×10-5-1×10-3Ω·cm的電阻率。
這樣作的原因如下。具有小于1×10-5Ω·cm的電阻率的材料不容易獲得。另一方面，如果該電阻率大于1×10-3Ω·cm，將難以使得上電極的電阻值低。
因此，更優(yōu)選的，構(gòu)成輔助電極的低電阻材料的電阻率被設(shè)定在2×10-5-5×10-4Ω·cm之間，進(jìn)一步優(yōu)選的是將該值設(shè)定為2×10-5-1×10-4Ω·cm之間的值。
輔助電極18的片電阻率優(yōu)選被設(shè)定在0.01-10Ω/□范圍內(nèi)的值。這樣作的原因如下。如果該片電阻率低于0.01Ω/□，則必須使得上電極變厚或者所用的材料將非常受限制。另一方面，如果該片電阻率大于10Ω/□，則上電極的電阻將不容易變低，或者上電極將變得太薄而難以形成。
因此，輔助電極的片電阻率更優(yōu)選的設(shè)定為0.01-10Ω/□范圍內(nèi)的值，進(jìn)一步優(yōu)選的是設(shè)定在0.01-5Ω/□范圍內(nèi)的值。
作為構(gòu)成輔助電極的優(yōu)選低電阻材料，在線路電極中使用的各種材料是優(yōu)選采用的。具體地說，優(yōu)選包括選自以下金屬中的一種或兩種以上的組合，包括Al，Al的合金和過渡金屬(Sc，Nb，Zr，Hf，Nd，Ta，Cu，Si，Cr，Mo，Mn，Ni，Pd，Pt和W等)，Ti，氮化鈦(TiN)等。
這些低電阻材料更優(yōu)選的是Al，Al的合金和過渡金屬。在采用Al合金和過渡金屬的情況下，過渡金屬的百分含量優(yōu)選為10％原子百分?jǐn)?shù)以下(稱為at.％或atm％)，更優(yōu)選的是5％原子百分?jǐn)?shù)以下，進(jìn)一步優(yōu)選的是2％原子百分?jǐn)?shù)以下。這是因為隨著過渡金屬的含量降低，輔助電極的片電阻率可以被做到更低。
在采用上述金屬作為主要成分時，所使用的Al，Ti和TiN的量分別優(yōu)選為90-100％原子百分?jǐn)?shù)，90-100％原子百分?jǐn)?shù)和90-100％原子百分?jǐn)?shù)。
當(dāng)采用兩種以上的這些金屬時，其共混比例是任意的。例如當(dāng)使用Al和Ti的混合物時，Ti含量在10％原子百分?jǐn)?shù)以下是優(yōu)選的。
另外，包括這些金屬的多個層可以被層壓，以制成輔助電極18。
⑨ 厚度圖1等中所示的主電極16和輔助電極18的厚度優(yōu)選在考慮片電阻率等而決定。具體地說，主電極16和輔助電極18中的每個的厚度優(yōu)選為50nm以上，更優(yōu)選的是100nm以上，進(jìn)一步優(yōu)選的是100-5000nm范圍內(nèi)的值。
這樣作的原因如下。將主電極16和輔助電極18的厚度設(shè)定在這樣的范圍內(nèi)使得它可以獲得均勻的厚度分布，以及發(fā)光方面(EL光)為60％以上的透光率。另外，包括主電極16和輔助電極18的上電極20的片電阻率可以做到15Ω/□以下，更優(yōu)選的是10Ω/□以下。
(3) 下電極① 構(gòu)成材料圖1等中所示的下電極22也對應(yīng)于陰極層或陽極層，這取決于有機(jī)EL顯示裝置的結(jié)構(gòu)。當(dāng)該下電極22對應(yīng)于例如陰極時，優(yōu)選采用金屬，合金，或具有小逸出功(例如低于4.0eV)的導(dǎo)電化合物、其結(jié)合或含有它的物質(zhì)。
具體地說，選自以下電極材料的一種或兩種以上的組合是優(yōu)選使用的，包括鈉，鈉鉀合金，銫，鎂，鋰，鎂銀合金，鋁，氧化鋁，鋁鋰合金，銦，稀土金屬，這些金屬中任一種和有機(jī)發(fā)光介質(zhì)材料的組合，這些金屬中的任一種和電子注入層材料的混合物等。
另外，由于在本發(fā)明中發(fā)光從上電極20的一側(cè)輸出，所以下電極22的構(gòu)成材料就不必具有透光性。在優(yōu)選的實施例中，下電極由吸光導(dǎo)電材料形成。這種結(jié)構(gòu)使得它可以更加改善有機(jī)EL顯示裝置的對比度。在這種情況中的吸光導(dǎo)電材料的優(yōu)選實例包括半導(dǎo)體碳材料，帶有顏色的有機(jī)化合物，上述氧化劑和還原劑的組合，帶有顏色的導(dǎo)電氧化物(過渡金屬氧化物，例如VOx，MoOx和WOx)。
② 厚度與上電極的方式相同，下電極22的厚度也沒有特別的限制。具體地說，該厚度優(yōu)選是10-1000nm范圍內(nèi)的值，更優(yōu)選是10-200nm范圍內(nèi)的值。
(4) 中間層絕緣膜在圖1所示的有機(jī)EL顯示裝置61中的中間層絕緣膜13(電絕緣膜)位于有機(jī)EL元件26附近或周圍，用于使有機(jī)EL顯示裝置整體微型化，并防止有機(jī)EL元件26中的下電極22和上電極20之間短路。當(dāng)有機(jī)EL元件26被TFT14驅(qū)動時，中間層絕緣膜13也被用作底涂層，用來保護(hù)TFT14和用于平整地沉積有機(jī)EL元件26的下電極22。
因此如果需要的話，該中間層絕緣膜13可以被叫做不同的名字，例如阻擋層、隔離層、或平滑膜。在本發(fā)明中，該中間層絕緣膜包括這些內(nèi)容。
①構(gòu)成材料在圖1所示的中間層絕緣膜中使用的構(gòu)成材料的實例一般包括丙烯酸樹脂，聚碳酸酯樹脂，聚酰胺樹脂，氟化聚酰亞胺樹脂，苯并胍胺樹脂，蜜胺樹脂，環(huán)化聚烯烴，酚醛樹脂，聚乙烯肉桂酸酯，環(huán)化橡膠，聚氯乙烯樹脂，聚苯乙烯，苯酚樹脂，醇酸樹脂，環(huán)氧樹脂，聚氨酯樹脂，聚酯樹脂，馬來酸樹脂以及聚酰胺樹脂等。
在中間層絕緣膜由無機(jī)氧化物制成的情況下，無機(jī)氧化物的優(yōu)選實例包括氧化硅(SiO2或SiOx)，氧化鋁(Al2O3或AlOx)，氧化鈦(TiO2或TiOx)，氧化銥(Y2O3或YOx)，氧化鍺(GeO2或GeOx)，氧化鋅(ZnO)，氧化鎂(MgO)，氧化鈣(CaO)，硼酸(B2O3)，氧化鍶(SrO)，氧化鋇(BaO)，氧化鉛(PbO)，氧化鋯(ZrO2)，氧化鈉(Na2O)，氧化鋰(Li2O)和氧化鉀(K2O)。該無機(jī)化合物中的X的取值范圍是1≤X≤3。
在特別需要耐熱性的情況下，優(yōu)選使用丙烯酸樹脂、聚酰胺樹脂，氟化聚酰亞胺樹脂，環(huán)化聚烯烴，環(huán)氧樹脂或無機(jī)氧化物。
當(dāng)這些中間層絕緣膜是有機(jī)時，可以通過引入感光基團(tuán)或采用光刻方法而形成為理想的圖案，或通過印刷而形成理想的圖案。
② 中間層絕緣膜等的厚度中間層絕緣膜的厚度取決于顯示器的微小程度、與有機(jī)EL元件結(jié)合的熒光介質(zhì)、或彩色濾色片的不均勻性，優(yōu)選為10nm-1mm范圍內(nèi)的值。
這是因為這種結(jié)構(gòu)使它可以使得TFT等的不均勻度足夠平滑。
因此，中間層絕緣膜的厚度更優(yōu)選為100nm-100μm范圍內(nèi)的值，進(jìn)一步優(yōu)選為100nm-10μm范圍內(nèi)的值。
③ 形成方法用于形成中間層絕緣膜的方法沒有特別的限制。該層優(yōu)選通過旋涂方法、澆鑄方法、絲網(wǎng)印刷方法等進(jìn)行沉積，或優(yōu)選通過濺射方法、真空沉積方法、化學(xué)真空沉積方法(CVD方法)、離子蒸鍍方法等來沉積。
3. 薄膜晶體管(TFT)(1) 結(jié)構(gòu)如圖9所示，有機(jī)的有源EL發(fā)光裝置68的實例包括基片10上的TFT14和由該TFT14驅(qū)動的有機(jī)EL元件26。
其表面(上表面)被制成為平的中間層絕緣膜13被設(shè)置在TFT14和有機(jī)EL元件26的下電極22之間。TFT14的漏極47和有機(jī)EL元件26的下電極22彼此通過在該中間層絕緣膜13中形成的接觸孔54而電連接。
如圖10所示，以XY矩陣設(shè)置的掃描電極行(Yj-Yj+n)50和信號電極行(Xi-Xi+n)51被電連接至TFT14。另外，公共電極行(Ci-Ci+n)52被并行電連接至TFT14。
優(yōu)選這些電極行50、51和52被電連接至TFT14，并且它們連同電容57一同構(gòu)成電開關(guān)，用于驅(qū)動有機(jī)EL元件26。具體地說，優(yōu)選該電開關(guān)被電連接至掃描電極行、信號電極行等，并包括例如至少一個第一晶體管(以下被稱為Tr1)55、第二晶體管(以下被稱為Tr2)和電容57。
優(yōu)選第一晶體管55具有用于選擇發(fā)光象素的功能，第二晶體管56具有用于驅(qū)動有機(jī)EL元件的功能。
如圖9所示，在第一晶體管(Tr1)55和第二晶體管(Tr2)56中的有源層44是所示的n+/i/n+部分。優(yōu)選兩側(cè)n+由摻雜進(jìn)n型的半導(dǎo)體區(qū)45和47形成，其中的i由非摻雜的半導(dǎo)體區(qū)46形成。
摻雜有n型的半導(dǎo)體區(qū)分別是源極45和漏極47。它們連同通過柵氧化物膜沉積在非摻雜的半導(dǎo)體區(qū)上的柵極46，一起構(gòu)成了第一和第二晶體管55和56。
在有源層44中，摻雜進(jìn)n型的半導(dǎo)體區(qū)45和47可以被摻雜進(jìn)p型以代替n型，從而形成p+/i/p+結(jié)構(gòu)。
在第一晶體管(Tr1)55和第二晶體管(Tr2)56中的有源層44優(yōu)選由無機(jī)半導(dǎo)體例如多晶硅或有機(jī)半導(dǎo)體例如噻吩齊聚物或聚(對亞乙烯基亞苯基)制成。多晶硅是特別優(yōu)選的材料，因為它與無定形Si(α-Si)相比，對電非常穩(wěn)定。
此外，在圖1和9的實施例中，有機(jī)EL元件26被通過中間層絕緣膜(平滑膜)13而沉積在基片10表面上形成的TFT14上。如圖17所示，也優(yōu)選在基片的背面形成TFT，在基片的表面形成有機(jī)EL元件，將TFT14和有機(jī)EL元件26的下電極通過在基片10和中間層絕緣膜(平滑膜)13中形成的通路孔來連接。
這種結(jié)構(gòu)使得它可以在TFT14和有機(jī)EL元件26之間保持更好的電絕緣性。在這個實施例中，中間層絕緣膜(平滑膜)13沉積在基片10表面上。但是，可以省略中間層絕緣膜13，因為基片10的兩個表面具有更好的平滑性。
(2) 驅(qū)動方法以下描述通過TFT14驅(qū)動有機(jī)EL元件的方法。如圖10所示，TFT14包括第一晶體管(Tr1)55和第二晶體管(Tr2)，結(jié)合了電容57的TFT構(gòu)成電開關(guān)的一部分。
因此，掃描脈沖和信號脈沖通過該XY矩陣被輸入該電開關(guān)中，以進(jìn)行開關(guān)操作，從而連接至該電開關(guān)的有機(jī)EL元件26可以被驅(qū)動。因此由于包括TFT14和電容57的電開關(guān)可以引起有機(jī)EL元件26的發(fā)光或停止發(fā)光，從而顯示影像。
具體地說，通過由掃描電極行(以下稱為柵行)(Yj-Yj+n)50傳送的掃描脈沖和由信號電極行(Xi-Xi+n)51傳送的信息脈沖來選擇所需的第一晶體管55，從而向在公共電極行(Ci-Ci+n)52和第一晶體管(Tr1)55的源極45之間形成的電容57提供給定的電荷。
以這種方式，第二晶體管(Tr2)56的柵電壓變?yōu)楹愣ㄖ?，第二晶體管(Tr2)56變成ON狀態(tài)。因為在該ON狀態(tài)，柵電壓被保持在給定值直至下一個門脈沖被傳送，因此電流被連續(xù)提供給連接至第二晶體管(Tr2)56的漏極47的下電極22。
有機(jī)EL元件26被通過下電極22提供的直流而有效驅(qū)動。因此，由于直流驅(qū)動效應(yīng)，有機(jī)EL元件26的驅(qū)動電壓被極大的降低了，其發(fā)光效率被改善。另外，能量消耗也被降低。如圖5所示，第二實施例的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置是有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置64，包括基片10上的嵌入電絕緣膜12內(nèi)的TFT14，有機(jī)EL元件26，和用于將TFT14和有機(jī)EL元件26彼此連接的電連接部分(通路孔)28，其中有機(jī)EL元件包括上電極20和下電極22之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)24。
第二實施例的特征在于，上電極20由主電極16和輔助電極18構(gòu)成，在該上電極20上設(shè)有濾色片或熒光薄膜60，用于將從上電極20一側(cè)輸出的EL光進(jìn)行顏色轉(zhuǎn)換。(圖5中的箭頭表示光輸出的方向)以下參考圖5描述第二實施例的特征部分等。
(1) 彩色濾色片① 結(jié)構(gòu)彩色濾色片被設(shè)置來分解或切斷光，以改善顏色調(diào)節(jié)或?qū)Ρ?，它包括只由著色劑?gòu)成的著色劑層，或者是著色劑被溶解或分散在粘合劑樹脂中的層結(jié)構(gòu)。此處所稱的著色劑包括顏料。
彩色濾色片的結(jié)構(gòu)優(yōu)選包括藍(lán)、綠或紅著色劑。這種彩色濾色片與發(fā)出白光的有機(jī)EL元件的結(jié)合使得它可以獲得光的三基色，即藍(lán)、綠和紅，并獲得全色顯示。
優(yōu)選采用與熒光介質(zhì)同樣的印刷方法或光刻方法，使彩色濾色片形成圖案。
② 厚度彩色濾色片的厚度沒有特別的限制，只要該厚度能對從有機(jī)EL元件發(fā)出的光具有足夠的接收(吸收)并且不會損壞彩色轉(zhuǎn)換功能即可。該厚度優(yōu)選是，例如10nm-1mm范圍內(nèi)的值，更優(yōu)選為0.5μm-1mm范圍內(nèi)的值，進(jìn)一步優(yōu)選為1μm-100μm范圍內(nèi)的值。
(2) 熒光介質(zhì)① 結(jié)構(gòu)在有機(jī)EL顯示裝置中的熒光介質(zhì)具有吸收從有機(jī)EL元件發(fā)出的光并發(fā)出長波長熒光的功能，它包括分散并設(shè)置在一平面內(nèi)的層狀物質(zhì)。各熒光介質(zhì)優(yōu)選對應(yīng)于有機(jī)EL元件的發(fā)光區(qū)域而設(shè)置，例如位于下電極和上電極相交的位置。當(dāng)下電極和上電極相交位置的有機(jī)發(fā)光層發(fā)光時，這種結(jié)構(gòu)使得各個熒光介質(zhì)可以接收光來向外界發(fā)出具有不同顏色(波長)的光線。特別是當(dāng)有機(jī)EL元件發(fā)出藍(lán)光，并且該藍(lán)光可以由熒光介質(zhì)轉(zhuǎn)換成為綠或紅光時，即使從一個有機(jī)EL元件也可以獲得光的三基色，即藍(lán)、綠和紅。因此可以獲得全色顯示，這是優(yōu)選的。
為了切斷從有機(jī)EL元件發(fā)出的光和從各個熒光介質(zhì)發(fā)出的光，以來改善對比度或降低視角的依賴性，也優(yōu)選設(shè)置光遮擋層(黑色基質(zhì))。
該熒光介質(zhì)可以和上述的彩色濾色片結(jié)合，來防止基于室外日光的對比度降低。
② 形成方法在熒光介質(zhì)主要包括熒光著色劑的情況下，該介質(zhì)優(yōu)選利用掩模通過真空沉積或濺射形成為薄膜，以獲得所需的熒光介質(zhì)圖案。
另一方面，在熒光介質(zhì)包括熒光著色劑和樹脂的情況下，將熒光著色劑、樹脂和適當(dāng)?shù)娜軇┗旌稀⒎稚⒒蛉芙庠谝后w中，然后通過旋涂、輥涂、澆鑄等方法將該液體制成膜。隨后，熒光介質(zhì)優(yōu)選利用光刻方法通過形成所需的熒光介質(zhì)圖案而形成，或利用絲網(wǎng)印刷等方法通過形成所需的圖案而形成。
③ 厚度熒光介質(zhì)的厚度沒有特別的限制，只要該厚度能對從有機(jī)EL元件發(fā)出的光具有足夠的接收(吸收)并且不會損壞彩色轉(zhuǎn)換功能即可。該厚度優(yōu)選為例如10nm-1mm范圍內(nèi)的值，更優(yōu)選為0.5μm-1mm范圍內(nèi)的值，進(jìn)一步優(yōu)選為1μm-100μm范圍內(nèi)的值。如圖7和8所示，第三實施例的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置66或67，包括基片10上的嵌入電絕緣膜12內(nèi)的TFT14，有機(jī)EL元件26，和用于將TFT14和有機(jī)EL元件26彼此連接的電連接部分28，以及密封部件58，其中有機(jī)EL元件包括上電極20和下電極22之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)24。
第三實施例的特征在于，上電極20由主電極16和輔助電極18構(gòu)成，上電極20中的輔助元件18被設(shè)置成嵌入密封部件58中并貫穿通過密封部件58的狀態(tài)，如圖7所示，或者輔助元件18被設(shè)置成緊密粘結(jié)至密封部件58的狀態(tài)，如圖8所示。
以下參考圖7和圖8描述第三實施例中的密封部件等。
(1) 密封部件優(yōu)選圖7和圖8中每個密封部件都圍繞著有機(jī)EL顯示裝置66和67來設(shè)置，以防止水進(jìn)入內(nèi)部，或?qū)⒚芊饨橘|(zhì)21，例如干燥劑、干氣體或惰性液體例如氟化烴置入這樣設(shè)置的密封部件58和有機(jī)EL顯示裝置66和67內(nèi)。
在上電極外部設(shè)置有熒光介質(zhì)或彩色濾色片的情況下，這種密封部件58可以被用作支撐基片。
作為這種密封部件，可以使用與用作支撐基片的相同的材料，例如玻璃板或塑料板。如果防潮性更好，可以使用無機(jī)氧化物層或無機(jī)氮化物層。其實例包括二氧化硅、氧化鋁、AlON，SiAlON，SiNx(1≤x≤2)等。密封部件的形式?jīng)]有特別的限制，優(yōu)選例如板形，或罩形。當(dāng)密封部件是例如罩形時，其厚度優(yōu)選為0.01-5mm。
優(yōu)選密封部件被推入和固定進(jìn)在有機(jī)EL顯示裝置的一部分中形成的溝槽內(nèi)，或利用光固化粘合劑等被固定到有機(jī)EL顯示裝置的一部分上。
(2) 密封部件和輔助電極之間的關(guān)系關(guān)于密封部件和輔助電極之間的關(guān)系，優(yōu)選輔助電極18被設(shè)置成嵌入密封部件58內(nèi)或緊密粘附至密封部件58上，如圖7和8所示。各種改進(jìn)都是允許的。
具體地說，可以設(shè)置一個在密封部件58和有機(jī)EL元件26之間形成的內(nèi)部空間之間設(shè)有輔助導(dǎo)線18的點(a site)，或?qū)⑤o助電極完全包埋在密封部件58中，并將輔助電極和主電極16彼此通過通路孔(以下稱為通孔)而電連接。第四實施例是制造圖1所示第一實施例的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置61的方法，具體地說是制造有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置61的方法，其特征在于在基片10上形成嵌入電絕緣膜12內(nèi)的TFT14，中間層絕緣膜13，下電極22，有機(jī)發(fā)光介質(zhì)24，由主電極16和輔助電極18構(gòu)成的上電極20，以及用于連接TFT14和有機(jī)EL元件26的電連接部分28。
即第四實施例包括如下步驟形成有機(jī)EL元件26，形成嵌入電絕緣膜12內(nèi)的TFT14，形成中間層絕緣膜13，形成下電極22，形成有機(jī)發(fā)光介質(zhì)24，形成由主電極16和輔助電極18構(gòu)成的上電極20，和形成用于連接TFT14和有機(jī)EL元件26的電連接部分28。
以下參考圖12描述第四實施例的特征部分等。
(1) 形成薄膜晶體管(TFT)的步驟以下參考圖12(a)-(i)描述形成TFT14的步驟(形成有源矩陣基片的步驟)。
① 形成有源層首先，圖12(a)表示在基片10上通過例如低壓化學(xué)汽相沉積(LPCVD)方法沉積α硅(α-Si)層70的步驟。
此時，α-Si層70的厚度優(yōu)選為40-200nm。所采用的基片10優(yōu)選是結(jié)晶材料例如晶體，更優(yōu)選是低溫玻璃。當(dāng)采用低溫玻璃基片時，制造工藝優(yōu)選在低溫工藝溫度下進(jìn)行，例如1000℃或以下，更優(yōu)選的是600℃以下，以避免在整個制造過程中熔化或污染，或避免摻雜劑外擴(kuò)散進(jìn)入有源極域。
接下去，圖12(b)表示利用準(zhǔn)分子激光器例如KrF(248nm)激光輻照α-Si層70以進(jìn)行退火結(jié)晶的步驟，從而將α-Si轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч?見SID96’，技術(shù)論文摘要17-28頁)。
關(guān)于采用準(zhǔn)分子激光器進(jìn)行退火的條件，優(yōu)選將基片溫度設(shè)定為100-300℃，準(zhǔn)分子激光器的能量被設(shè)定為100-300mJ/cm2。
接下去，圖12(c)表示采用光刻方法使因退火而結(jié)晶化的多晶硅形成為島狀圖案的步驟。優(yōu)選采用CF4氣體作為蝕刻氣體，因為能夠獲得優(yōu)異的分辨率。
接下去圖12(d)表示在所得到的島狀多晶硅71和基片10的表面上利用化學(xué)汽相沉積方法(CVD)等沉積絕緣的柵材料(a insulating gatemeterial)72等，以制備柵氧化物絕緣層72。
該柵氧化物絕緣層72優(yōu)選包括二氧化硅，對于它可以使用化學(xué)汽相沉積(CVD)例如等離子增強(qiáng)的化學(xué)汽相沉積(PECVD等離子增強(qiáng)的化學(xué)汽相沉積)或低壓CVD(LCVD)方法。
柵氧化物絕緣層72的厚度優(yōu)選為100-200nm的范圍內(nèi)。
另外，基片溫度優(yōu)選為250-400℃，優(yōu)選在300-600℃下退火1-3小時，以獲得高質(zhì)量的絕緣的柵材料。
接下去，圖12(e)表示通過汽相沉積或濺射而沉積和形成柵電極73的步驟。柵電極73的構(gòu)成材料的優(yōu)選實施例包括Al，AlN和TaN等。其厚度優(yōu)選為200-500nm范圍內(nèi)的值。
接下去，圖12(f)-(h)表示給柵電極73布線并進(jìn)行陽極氧化的步驟。當(dāng)采用Al柵時，優(yōu)選進(jìn)行兩次陽極氧化，以獲得如圖12(f)-(h)所示的絕緣。陽極氧化的詳細(xì)細(xì)節(jié)在日本專利公開15120/1996中披露。
接下去，圖12(i)表示通過離子摻雜(離子植入)以形成n+或p+摻雜區(qū)，來制成用于源極和漏極的有源層。為了能夠有效的進(jìn)行離子摻雜，優(yōu)選引入氮?dú)?，并在離子摻雜過程中在300℃下進(jìn)行約3小時的熱處理。
另一方面，優(yōu)選使用由α-Si制成的多晶硅作為柵電極73。具體地說，在柵絕緣層上形成多晶硅柵電極73，隨后對其進(jìn)行n型摻雜劑例如砷的離子植入。然后可以在多晶硅島上通過光刻方法而形成源極和漏極，從而它們可以在多晶硅區(qū)內(nèi)形成。
由多晶硅制成的柵電極73能夠被用作電容的底電極。
② 形成信號電極行和掃描電極行接下去，電絕緣層，例如SiOx(1≤x≤2)被沉積在通過ECRCVD(電子回旋加速器共振化學(xué)汽相沉積方法)方法所得到的有源層上，隨后形成信號電極行和掃描電極行(以下稱為線路電極)，并獲得電連接。具體地說，通過光刻等方法形成信號電極行和掃描電極行，并形成電容的上電極。所進(jìn)行的是第二晶體管(Tr2)56的源極與掃描電極行連接，第一晶體管(Tr1)55的源極與信號電極行連接等。
此時優(yōu)選通過光刻法形成由Al合金、Al、Cr、W、Mo等制成的金屬行，并通過電絕緣層的開口進(jìn)行第一晶體管(Tr1)55與第二晶體管(Tr2)56的漏極和源極的接觸，所述開口是由其整個表面的一側(cè)形成的。
線路電極的厚度優(yōu)選為50nm以上，更優(yōu)選的是100nm以上，進(jìn)一步優(yōu)選的是100-500nm。
③ 形成中間層絕緣膜在下一個步驟中，由二氧化硅(SiO2)、氮化硅、聚酰亞胺等制成的中間層絕緣膜被施加至整個有源層和其上的電絕緣層上。
由二氧化硅制成的絕緣膜可以按照PECVD在250-400℃的基片溫度條件下提供例如TEOS(四乙氧基硅烷)而獲得。該膜也可以按照ECRCVD在100-300℃的基片溫度下獲得。但是優(yōu)選使用有機(jī)中間層絕緣膜，因為這些無機(jī)絕緣膜不容易使得其平整。
(2) 形成有機(jī)EL元件的步驟在如上形成了TFT結(jié)構(gòu)和中間層絕緣膜之后，在其上分別形成陽極(下電極)、有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、電子注入層等等。另外，形成陰極(上電極)，從而可以產(chǎn)生出有機(jī)EL元件。
例如，下電極優(yōu)選采用在干過程中使得膜沉積的方法而形成，例如真空沉積或濺射。關(guān)于該有機(jī)發(fā)光介質(zhì)，可以采用公知的方法例如真空沉積方法、旋涂方法、Langumuir-Blodgett方法(LB方法)、噴墨方法、膠束電解方法。
輔助電極和主電極優(yōu)選采用真空沉積方法、濺射方法等來形成。具體地說，優(yōu)選形成由透明導(dǎo)電材料通過真空沉積等方法制成的主電極，然后形成由低電阻材料制成的輔助電極，來制造上電極。
優(yōu)選形成輔助電極的同時將它們與TFT的端部電連接。也優(yōu)選在此時將為無定形氧化物的銦鋅氧化物(IZO)等作為連接材料插入輔助電極和TFT的連接端部之間。
根據(jù)可逆的順序，即朝向從陰極(下電極)至陽極的一側(cè)，可以制造有機(jī)EL元件。
另外，優(yōu)選形成有機(jī)EL元件而無需通過汽相沉積的任何中斷。
(3) 密封步驟等優(yōu)選在密封步驟中形成有機(jī)EL元件，并電連接至TFT，隨后將這些利用密封部件進(jìn)行固定，以覆蓋它們的周邊。
在向有機(jī)EL元件施加直流電壓的情況下，透明電極和電極被分別設(shè)定為+和-的極性。在向有機(jī)EL元件施加5-40的電壓的情況下，可以觀察到發(fā)光。因此，優(yōu)選有機(jī)EL元件被在密封步驟之前驅(qū)動，以判斷所獲得的有機(jī)EL元件是好是壞。
工業(yè)實用性根據(jù)本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置，可以在即使該裝置具有TFT時使得象素的數(shù)值孔徑是大的。并且即使在發(fā)光從上電極的一側(cè)輸出時，其上電極的片電阻率也可以是低的。因此可以顯示具有高亮度和均勻亮度的影像。
根據(jù)本發(fā)明的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的制造方法，可以有效的制造這樣的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置，即其上電極的片電阻率低，并能夠從上電極的一側(cè)輸出發(fā)光，還能夠顯示具有高亮度和均勻亮度的影像。
權(quán)利要求
1.一種有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置，包括一有機(jī)EL元件，其包括在上電極和下電極之間的有機(jī)發(fā)光介質(zhì)；和一用于驅(qū)動該有機(jī)EL元件的薄膜晶體管；其中從該有機(jī)EL元件發(fā)出的光是從上電極的一側(cè)輸出的；并且該上電極包括由透明導(dǎo)電材料形成的主電極，以及由低電阻材料形成的輔助電極。
2.如權(quán)利要求1的裝置，還包括電開關(guān)，它包括薄膜晶體管和用于選擇象素的晶體管，以及用于驅(qū)動該電開關(guān)的信號電極行和掃描電極行。
3.如權(quán)利要求1或2的裝置，其中該透明導(dǎo)電材料是選自以下組中的至少一種材料，包括導(dǎo)電氧化物、可透過光的金屬薄膜、非簡并的半導(dǎo)體、有機(jī)導(dǎo)體和半導(dǎo)的碳化合物。
4.如權(quán)利要求3的裝置，其中有機(jī)導(dǎo)體是選自以下組中的至少一種材料，包括導(dǎo)電的共軛聚合物、加有氧化劑的聚合物、加有還原劑的聚合物、加有氧化劑的低分子和加有還原劑的低分子。
5.如權(quán)利要求3的裝置，其中非簡并半導(dǎo)體是選自以下組中的至少一種材料，包括氧化物、氮化物和硫?qū)?calchogenide)化合物。
6.如權(quán)利要求3的裝置，其中碳化合物是選自以下組中的至少一種材料，包括無定形碳、石墨和類似金剛石的碳。
7.如權(quán)利要求1-6中任一所述的裝置，其中多個輔助電極被規(guī)則地設(shè)置在一平面內(nèi)。
8.如權(quán)利要求1-7中任一所述的裝置，其中輔助電極的截面形狀是懸臂形。
9.如權(quán)利要求1-8中任一所述的裝置，其中輔助電極包括下輔助電極和上輔助電極。
10.如權(quán)利要求9的裝置，其中下輔助電極和上輔助電極包括具有不同蝕刻速率的構(gòu)成材料。
11.如權(quán)利要求9或10的裝置，其中輔助電極的下輔助電極和上輔助電極或其中之一被電連接至主電極。
12.如權(quán)利要求1-11任一所述的裝置，其中輔助電極在構(gòu)成有機(jī)EL元件的中間層絕緣體上形成。
13.如權(quán)利要求1-12任一所述的裝置，其中輔助電極在用于電絕緣下電極的電絕緣膜上形成。
14.如權(quán)利要求1-12任一所述的裝置，其中輔助電極在用于電絕緣薄膜晶體管的電絕緣膜上形成。
15.如權(quán)利要求1-14任一所述的裝置，其中該薄膜晶體管的有源層包括多晶硅。
16.如權(quán)利要求1-15任一所述的裝置，其中中間層絕緣體在薄膜晶體管上形成，有機(jī)EL元件的下電極在該中間層絕緣體上沉積，而且薄膜晶體管和下電極彼此通過在中間層絕緣體中形成的通路孔而電連接。
17.如權(quán)利要求1-16任一所述的裝置，其中電荷從輔助電極向主電極注入，并平行于基片的主表面?zhèn)魉停S后，電荷被注入有機(jī)發(fā)光介質(zhì)中。
18.如權(quán)利要求1-17任一所述的裝置，其中主電極的片電阻率被設(shè)定為1K-10MΩ/□范圍內(nèi)的值。
19.如權(quán)利要求1-18任一所述的裝置，其中輔助電極的片電阻率被設(shè)定為0.01-10Ω/□范圍內(nèi)的值。
20.如權(quán)利要求1-19任一所述的裝置，還包括用于對所輸出的光進(jìn)行顏色轉(zhuǎn)換的熒光薄膜和彩色濾色片或它們其中之一，被設(shè)置在上電極的側(cè)面。
21.如權(quán)利要求1-20任一所述的裝置，其中黑色基質(zhì)在彩色濾色片或熒光薄膜的一部分上形成，且該黑色基質(zhì)和輔助電極在豎直方向上彼此疊加。
22.如權(quán)利要求1-21任一所述的裝置，其中輔助電極在主電極上形成，且輔助電極的面積小于主電極的面積。
23.如權(quán)利要求1-21任一所述的裝置，其中輔助電極被嵌入環(huán)繞其周圍的密封件中。
24.如權(quán)利要求1-21任一所述的裝置，其中輔助電極被緊密地設(shè)置在密封件和主電極之間。
25.一種用于制造有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置的方法，其中該裝置包括在上電極和下電極之間具有有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的有機(jī)EL元件，以及用于驅(qū)動該有機(jī)EL元件的薄膜晶體管，所述方法包括以下步驟形成有機(jī)EL元件；以及形成薄膜晶體管；其中在形成有機(jī)EL元件的步驟中，形成下電極和有機(jī)發(fā)光介質(zhì)，隨后由透明導(dǎo)電材料形成主電極，和通過形成由低電阻材料制成的輔助電極形成上電極。
全文摘要
本發(fā)明為一種有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置,包括在上電極和下電極之間具有有機(jī)發(fā)光介質(zhì)的有機(jī)EL元件,以及用于驅(qū)動該有機(jī)EL元件的薄膜晶體管,其中從有機(jī)EL元件發(fā)出的光是從上電極的一側(cè)輸出;并且上電極包括由透明導(dǎo)電材料制成的主電極,以及由低電阻材料制成的輔助電極。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置,其數(shù)值孔徑可以做到很大。另外,即使發(fā)光從上電極的一側(cè)輸出,其上電極的片電阻率也可以是低的。因此可以提供顯示具有高亮度和均勻亮度的影像的有源驅(qū)動的有機(jī)EL發(fā)光裝置;以及其制造方法。
文檔編號H01L51/52GK1363200SQ01800234
公開日2002年8月7日 申請日期2001年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2000年2月16日
發(fā)明者細(xì)川地潮 申請人:出光興產(chǎn)株式會社