專利名稱：半導體晶片裝置及其封裝方法
技術領域：
本發(fā)明有關于一種半導體裝置，特別是一種半導體晶片裝置及其封裝方法。
在中國發(fā)明專利第00105468.6號案中已述及有關半導體晶片表面的焊墊工藝，隨著半導體制造工藝的發(fā)展，晶片表面上的焊墊變得越來越小，且焊墊間的距離亦逐漸縮小，以致于與外部電路電連接變得非常不易，進而影響生產(chǎn)的合格率，甚至影響半導體制造工藝的繼續(xù)發(fā)展。
本發(fā)明的目的在于提供一種便于與外部電路電連接的半導體晶片裝置及其封裝方法。
為達到上述目的，本發(fā)明采取如下技術措施本發(fā)明的半導體晶片裝置的封裝方法，半導體晶片裝置適于安裝在一個具有數(shù)個焊墊的襯底上，包括如下步驟提供一個半導體晶元，其具有一個設置有數(shù)個焊墊的焊墊安裝表面，每一個焊墊上形成一個導電觸點，焊墊的位置不對應于襯底上的焊點位置；在晶元的焊墊安裝表面上形成一感光薄膜層；把一覆蓋感光薄膜層對應于導電觸點部分的光掩模置放在感光薄膜層上，并且對感光薄膜層進行曝光處理；在移去光掩模后，以化學沖洗手段把感光薄膜層被光掩模覆蓋部分中的至少一部分沖洗去除，以使導電觸點露出；以導電金屬膠在感光薄膜層上形成導電體，各導電體具有一與對應導電觸點電連接的觸點連接部、一與觸點連接部電連且作為電路軌跡的延伸部和一位于延伸部自由端且其位置與襯底上對應焊點位置對應的電連接部。
其中，在形成導電體的步驟之后，還包括如下步驟在各導電體的電連接部上，形成一個連接觸點。
其中，所述連接觸點為導電錫球。
其中，在形成連接觸點的步驟中，導電觸點與導電體一體成型。
本發(fā)明的一種半導體晶片裝置，其適于安裝在一個具有數(shù)個焊墊的襯底上，包括一個半導體晶元，其具有一個設置有數(shù)個焊墊的焊墊安裝表面及形成按每一焊墊上的導電觸點，焊墊的位置不對應于襯底的焊點位置；一個感光薄膜層，其形成在晶元的焊墊安裝表面上，并且對應于導電觸點形成有數(shù)個用以至少暴露對應導電觸點頂端部分的暴露孔；數(shù)個形成在感光薄膜層上的導電體，各導電體具有一與對應的導電觸點電連接的觸點連接部、一與觸點連接部電連接且作為電路軌跡的延伸部和一位于延伸部自由端且其位置與襯底對應的焊點位置對應的電連接部。
結合附圖及實施例對本發(fā)明的結構特征及方法特征詳細說明如下

圖1至圖5為本發(fā)明半導體晶片裝置之封裝方法第一實施例的流程圖；圖6為本發(fā)明半導體晶片裝置第二實施例的剖視圖；圖7至圖8為本發(fā)明半導體晶片裝置的封裝方法第三實施例的流程圖；圖9為本發(fā)明半導體晶片裝置第四實施例的示意圖；圖10為本發(fā)明半導體晶片裝置第五實施例的示意圖；圖11為本發(fā)明半導體晶片裝置第六實施例的示意圖；本發(fā)明的半導體晶片裝置適于安裝在一襯底(圖中未示)上。該襯底與現(xiàn)有專利中的襯底類似，其具有一個晶片安裝區(qū)域，晶片安裝區(qū)域內(nèi)設有數(shù)個焊點。
如圖1-5所示，其為本發(fā)明半導體晶片裝置的封裝方法第一實施例的流程圖；請參閱圖1，首先提供一個半導體晶元1，其上具有一個設有數(shù)個焊墊11(圖式中僅顯示一個)的焊墊安裝表面10，焊墊11的位置不對應于襯底的焊點位置。接著，利用現(xiàn)有技術，在每一個焊墊11上形成一個如導電金屬球般的導電觸點2。
如圖2所示，一感光薄膜層3形成在晶元1的焊墊安裝表面10上，然后，如圖3所示，一覆蓋感光薄膜層3的對應于導電觸點2部分的光掩模4置放在感光薄膜層3上。然后，對感光薄膜層3進行曝光處理以致于感光薄膜層3上未被光掩模4覆蓋的部分會固化。
請參閱圖4所示，感光薄膜層3被光掩模4覆蓋的部分利用現(xiàn)有光蝕刻技術去除，以致形成暴露對應導電觸點2的暴露孔30。
如圖5所示，以導電金屬膠，在感光薄膜層3上形成導電體5。在本實施例中，導電金屬膠可以是摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鋁等等導電金屬材料中之一種的導電金屬膠。各導電體5具有一與對應導電觸點2電連接的觸點連接部500、一個與觸點連接部500電連接且作為電路軌跡的延伸部501和一個位于延伸部501自由端且其位置與襯底對應的焊點位置對應的電連接部502。其后，導電體5經(jīng)由加熱烤干處理而固化。
應要注意的是，在本實施例中，由于導電體5以現(xiàn)有的印刷手段形成，在此不再詳述。
在各導電體5的電連接部502上，以現(xiàn)有技術形成一個如導電金屬球般的連接觸點6。
請參閱圖6所示，其為本發(fā)明半導體晶片裝置第二實施例的剖視圖；在本實施例中，連接觸點6是在導電體5形成時，與導電體5一體成型。
請參閱圖7和圖8，其為本發(fā)明半導體晶片裝置的封裝方法第三實施例的流程圖；與第一較佳實施例不同，在移去光掩模之后，利用控制沖洗時間，感光薄膜層3被光掩模4覆蓋的部分僅被沖洗去除一部分，以形成僅將對應的對應觸點2的頂端部分暴露的暴露孔30。然后，再對感光薄膜層3進行曝光處理。接著，如第一實施例一樣，以導電金屬膠，在感光薄膜層3上形成導電體5，并在各導電體5的電連接部502上形成一個如導電錫球般的連接觸點6。
請參閱圖9所示，其為本發(fā)明半導體晶片裝置第四實施例的示意圖；與第二較佳實施例不同，在移去光掩模4之后，利用控制沖洗時間，感光薄膜層3被光掩模4覆蓋的部分僅被沖洗去除一部分，以形成僅將對應導電觸點2頂端部分暴露的暴露孔30。然后，再對感光薄膜層3進行曝光處理。接著，如第二實施例一樣，以導電金屬膠，在感光薄膜層3上形成導電體5和連接觸點6。
請參閱圖10所示，其為本發(fā)明半導體晶片裝置第五實施例的示意圖；與第一實施例不同，導電體5直接形成在晶元1的焊墊安裝表面10上。
請參閱圖11所示，其為本發(fā)明半導體晶片裝置第六實施例的示意圖；與第二實施例不同，導電體5直接形成在晶元1的焊墊安裝表面10上。
與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明具有如下效果由于，本發(fā)明中各導電體具有一與對應導電觸點電連接的觸點連接部、與觸點連接部電連接且作為電路軌跡的延伸部和一位于該延伸部自由端且其位置襯底對應的焊點位置對應的電連接部。因此本發(fā)明的裝置與外部電路電連接容易，進而可提高生產(chǎn)的合格率。
權利要求
1.一種半導體晶片裝置的封裝方法，半導體晶片裝置適于安裝在一個具有數(shù)個焊墊的襯底上，包括如下步驟提供一個半導體晶元，其具有一個設置有數(shù)個焊墊的焊墊安裝表面，每一個焊墊上形成一個導電觸點，焊墊的位置不對應于襯底上的焊點位置；在晶元的焊墊安裝表面上形成一感光薄膜層；把一覆蓋感光薄膜層對應于導電觸點部分的光掩模置放在感光薄膜層上，并且對感光薄膜層進行曝光處理；在移去光掩模后，以化學沖洗手段把感光薄膜層被光掩模覆蓋部分中的至少一部分沖洗去除，以使導電觸點露出；以導電金屬膠在感光薄膜層上形成導電體，各導電體具有一與對應導電觸點電連接的觸點連接部、一與觸點連接部電連接且作為電路軌跡的延伸部和一位于延伸部自由端且其位置與襯底上對應焊點位置對應的電連接部。
2.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在形成導電體的步驟之后，還包括如下步驟在各導電體的電連接部上，形成一個連接觸點。
3.如權利要求2所述的封裝方法，其特征在于，所述連接觸點為導電錫球。
4.如權利要求2所述的封裝方法，其特征在于，在形成連接觸點的步驟中，導電觸點與所述導電體一體成型。
5.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述導電觸點為導電錫球。
6.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，所述導電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鋁等導電金屬材料中之一種的導電金屬膠。
7.如權利要求1所述的封裝方法，其特征在于，在所述化學沖洗步驟中，利用控制沖洗時間使感光薄膜層被光掩模覆蓋部分僅被沖洗去除一部分，以形成僅將對應導電觸點頂端部分暴露的暴露孔，其中，在所述化學沖洗步驟之后，還包括再對感光薄膜層進行曝光處理的步驟。
8.一種半導體晶片裝置的封裝方法，半導體晶片裝置適于安裝在一個具有數(shù)個焊墊的襯底上，包括如下步驟提供一個半導體晶元，其具有一個設置有數(shù)個焊墊安裝表面，每一個焊墊上形成一個導電觸點，焊墊的位置不對應于襯底的焊點位置；以導電金屬膠在感光薄膜層上形成導電體，各導電體具有一與對應導電觸點電連接的觸點連接部、一與觸點連接部電連接且作為電路軌跡的延伸部和一位于延伸部自由端且其位置與所述襯底對應焊點位置對應的電連接部。
9.如權利要求8所述的封裝方法，其特征在于，在形成導電體的步驟之后，還包括如下步驟在各導電體的電連接部上形成一個連接觸點。
10.如權利要求9所述的封裝方法，其特征在于，在形成連接觸點的步驟中，連接觸點形成為導電錫球。
11.如權利要求9所述的封裝方法，其特征在于，在形成連接觸點的步驟中，所述導電觸點與所述導電體一體成型。
12.如權利要求8所述的封裝方法，其特征在于，所述導體晶元上的導電觸點為導電錫球。
13.如權利要求8所述的封裝方法，其特征在于，在形成導電體的步驟中，導電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鋁等導電金屬材料中的一種的導電金屬膠。
14.一種半導體晶片裝置，其適于安裝在一個具有數(shù)個焊墊的襯底上，包括一個半導體晶元，其具有一個設置有數(shù)個焊墊的焊墊安裝表面及形成按每一焊墊上的導電觸點，焊墊的位置不對應于襯底的焊點位置；一個感光薄膜層，其形成在晶元的焊墊安裝表面上，并且對應于導電觸點形成有數(shù)個用以至少暴露對應導電觸點頂端部分的暴露孔；數(shù)個形成在感光薄膜層上的導電體，各導電體具有一與對應的導電觸點電連接的觸點連接部、一與觸點連接部電連接且作為電路軌跡的延伸部和一位于延伸部自由端且其位置與襯底對應的焊點位置對應的電連接部。
15.如權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，還包括形成在所述各導電體電連接部上的連接觸點。
16.如權利要求15所述的半導體裝置，其特征在于，所述連接觸點為導電錫球。
17.如權利要求15所述的半導體裝置，其特征在于，所述導電觸點與所述導電體一體形成。
18.如權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，所述導電觸點為導電錫球。
19.如權利要求14所述的半導體裝置，其特征在于，所述導電體由導電金屬膠形成。
20.如權利要求19所述的半導體裝置，其特征在于，所述導電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鋁等導電金屬材料中之一種的導電金屬膠。
21.一種半導體晶片裝置，其適于安裝在一具有數(shù)個焊墊的襯底上，包括一個半導體晶元，其具有一設置有數(shù)個焊墊的焊墊安裝表面及形成在每一焊墊上的導電觸點，焊墊的位置不對應于襯底的焊點位置；形成在晶元焊墊安裝表面上的數(shù)個導電體，各導電體具有一與對應的導電觸點電連接的觸點連接部、一與觸點連接部電連接且作為電路軌跡的延伸部和一位于延伸部自由端且其位置與襯底上對應焊點的位置對應的電連接部。
22.如權利要求21所述的半導體晶體裝置，其特征在于，還包括形成在各導電體電連接部上的連接觸點。
23.如權利要求22所述的半導體晶片裝置，其特征在于，所述連接觸點為導電錫球。
24.如權利要求22所述的半導體晶片裝置，其特片在于，所述導電觸點與所述導電體一體形成。
25.如權利要求21所述的半導體晶片裝置，其特征在于，所述導電觸點為導電錫球。
26.如權利要求21所述的半導體晶片裝置，其特征在于，所述導電體由導電金屬膠形成。
27.如權利要求26所述的半導體晶片裝置，其特征在于，所述導電金屬膠為摻雜有金、銀、銅、鐵、錫和鋁等導電金屬材料中之一種的導電金屬膠。
全文摘要
一種半導體晶片裝置及其封裝方法,本方法包括:一半導體晶元具有一設置焊墊的安裝表面,每一焊墊上形成一導電觸點;在安裝表面上形成感光薄膜層;利用一光掩模進行光蝕刻處理,使導電觸點露出;在感光薄膜層上以導電膠形成導電體,各導電體形成觸點連接部、延伸部和電連接部。本裝置包括半導體晶元,其具有一設有焊墊的安裝表面,每一焊墊上有導電觸點;一感光薄膜層設在安裝表面上;設在薄膜層上的導電體具有一觸點連接部、一延伸部和一電連接部。
文檔編號H01L21/02GK1355556SQ0013416
公開日2002年6月26日 申請日期2000年11月30日 優(yōu)先權日2000年11月30日
發(fā)明者陳怡銘 申請人:陳怡銘