專利名稱：具有可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝件及其制造方法，更具體地說，是涉及一種芯片規(guī)模封裝(CSP)，它不包括引線或采用焊球來取代引線。
近來，諸如個(gè)人計(jì)算機(jī)、蜂窩電話和可攜式攝象機(jī)的電子產(chǎn)品變得尺寸越來越小而處理能力越來越大。因此，要求尺寸小、容量大且符合快速處理速度的半導(dǎo)體封裝。因此，半導(dǎo)體封裝件已經(jīng)從包括雙入線封裝(DIP)的插入安裝式轉(zhuǎn)變成包括一個(gè)薄而小的出線封裝(TSOP)、一個(gè)薄的四邊形扁平封裝(TQFP)和一個(gè)球柵陣列(BGA)的表面安裝式。
在表面安裝式中，BGA特別吸引人們的注意，因?yàn)樗軌蚴拱雽?dǎo)體封裝件的尺寸和重量大大地減小，并能夠在芯片規(guī)模封裝中實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和可靠性。


圖1至3顯示了采用剛性基底的傳統(tǒng)BGA封裝的結(jié)構(gòu)。圖1是采用剛性基底的傳統(tǒng)BGA封裝的剖視圖。圖2是傳統(tǒng)BGA封裝的部分切去的平面圖。圖3是傳統(tǒng)BGA封裝的底視圖。
參見圖1至3，在一種典型的BGA封裝中，半導(dǎo)體封裝件利用一種剛性基底10而不是導(dǎo)線框而得到組裝。換言之，半導(dǎo)體芯片6用模接合環(huán)氧樹脂5接合到剛性基底10的表面上。形成在剛性基底10上的一個(gè)接合指2用金線4與半導(dǎo)體芯片6的一個(gè)接合臺(tái)相連。在完成了導(dǎo)線接合之后，剛性基底10和半導(dǎo)體芯片6用作為密封樹脂7的環(huán)氧模制化合物(EMC)模制。隨后，一個(gè)作為外部連接端的焊球13被連接到一個(gè)焊球座即一個(gè)電路圖案上，該電路圖案通過形成在剛性基底10中的一個(gè)通孔9而把剛性基底10中的頂部連接到底部。
在這些圖中，標(biāo)號(hào)1表示形成在剛性基底10的正表面上的一個(gè)焊料掩膜，標(biāo)號(hào)3表示一個(gè)前導(dǎo)電區(qū)，標(biāo)號(hào)11表示一個(gè)后焊料掩膜，且標(biāo)號(hào)12表示一個(gè)絕緣基底。在圖3中，標(biāo)號(hào)6’表示半導(dǎo)體芯片6的接合位置。
在采用剛性基底的傳統(tǒng)BGA封裝中，必須形成通孔9以及前和后導(dǎo)電區(qū)，以連接外部連接端。由于在這種設(shè)置中在半導(dǎo)體封裝件內(nèi)形成有很多中間連接端，半導(dǎo)體芯片中的接合臺(tái)與外部連接端之間的互連長(zhǎng)度長(zhǎng)，因而惡化了半導(dǎo)體封裝件的導(dǎo)電性。
另外，用于絕緣和保護(hù)剛性基底10的前和后表面上的導(dǎo)電區(qū)的前和后焊料掩膜1和11，在半導(dǎo)體封裝件完成組裝之后，會(huì)發(fā)生疊置脫離，因而減小了半導(dǎo)體封裝件的可靠性。
剛性基底10必須包括一個(gè)絕緣基底12。絕緣基底12在半導(dǎo)體封裝件被完成封裝之后保持在半導(dǎo)體封裝件內(nèi)。因此，半導(dǎo)體封裝件內(nèi)的絕緣基底12的厚度限制了BGA封裝的厚度的減小。
另外，很多其他的部分與剛性基底一起被封裝在半導(dǎo)體封裝件中。由于很多部分的熱膨脹系數(shù)的不同而產(chǎn)生的缺陷，降低了半導(dǎo)體封裝件的可靠性。
圖4至6顯示了采用基底的傳統(tǒng)BGA封裝的結(jié)構(gòu)，其中導(dǎo)電區(qū)被形成在一個(gè)帶膜上。圖4是顯示采用基底的傳統(tǒng)BGA封裝的剖視圖，其中導(dǎo)電區(qū)被形成在一個(gè)帶膜上。圖5是圖4的部分切去的平面圖。圖6是圖4的底視圖。
參見圖4至6，其上形成有導(dǎo)電區(qū)的一個(gè)帶膜23被用來取代剛性基底。通過進(jìn)行穿孔或蝕刻處理以形成孔，在帶膜23上形成有導(dǎo)電區(qū)，而帶膜23是用聚酰胺樹脂形成的絕緣基底。具有導(dǎo)電區(qū)的帶膜23被用作半導(dǎo)體封裝件組裝中的基底。
因此，在帶膜23上形成了一個(gè)前焊料掩膜21和一個(gè)后焊料掩膜28，用于絕緣和保護(hù)導(dǎo)電區(qū)。包括前和后焊料掩膜21和28的帶膜23在半導(dǎo)體封裝件組裝完成之后仍然是半導(dǎo)體封裝件的一部分。
在這些圖中，標(biāo)號(hào)22表示一個(gè)接合指，標(biāo)號(hào)24表示一個(gè)金線，標(biāo)號(hào)25表示一個(gè)模接合環(huán)氧樹脂，標(biāo)號(hào)26表示一個(gè)半導(dǎo)體芯片，標(biāo)號(hào)27表示密封樹脂，標(biāo)號(hào)29表示一個(gè)焊球臺(tái)，且標(biāo)號(hào)30表示一個(gè)焊球。在圖6中，標(biāo)號(hào)26’表示半導(dǎo)體芯片26的接合位置。
然而，采用其中形成有導(dǎo)電區(qū)的帶膜的BGA封裝要求額外的處理，諸如穿孔或蝕刻，以形成把焊料臺(tái)29連接到接合指22的孔。然而，在半導(dǎo)體封裝件組裝完成之后仍然在半導(dǎo)體封裝件內(nèi)的帶膜23妨礙了半導(dǎo)體封裝件的厚度的減小。另外，帶膜23與封裝在半導(dǎo)體封裝件內(nèi)的其他部分的熱膨脹系數(shù)差異導(dǎo)致了各種缺陷，因而降低了半導(dǎo)體封裝件的可靠性。
圖7至9顯示了傳統(tǒng)的四邊形扁平無引線(QFN)封裝的結(jié)構(gòu)。圖7是傳統(tǒng)的QFN封裝的剖視圖。圖8是圖7的切去的平面圖。圖9是圖7的底視圖。
參見圖7至9，一種半導(dǎo)體芯片44用模接合環(huán)氧樹脂43接合到作為散熱器的芯片臺(tái)50上，并接合到只包括一個(gè)內(nèi)部引線41的引線框49上，且利用金線42進(jìn)行導(dǎo)線接合。隨后，引線框49和半導(dǎo)體芯片44用密封樹脂45進(jìn)行模制，密封樹脂45為EMC。
在這些圖中，標(biāo)號(hào)51表示進(jìn)行接地接合的一個(gè)區(qū)，標(biāo)號(hào)52表示其中進(jìn)行通常的輸入/輸出端接合的一個(gè)區(qū)。標(biāo)號(hào)53表示用于半導(dǎo)體封裝件的輸入/輸出端的一個(gè)內(nèi)部引線，標(biāo)號(hào)54表示用于接地端的一個(gè)內(nèi)部引線。
然而，對(duì)于傳統(tǒng)的QFN封裝，引線框49應(yīng)該用銅或銅的合金制成，且這種引線框49在半導(dǎo)體封裝件組裝完成之后仍然是半導(dǎo)體封裝件的一部分，因而妨礙了半導(dǎo)體封裝件的厚度的減小。另外，在把單個(gè)的半導(dǎo)體封裝件從一串半導(dǎo)體封裝件上分割的處理中，把包括引線框49的半導(dǎo)體封裝件取下是困難的，因而造成了很多缺陷。另外，用于輸入/輸出端的很多內(nèi)部引線53限制了它們所占據(jù)的半導(dǎo)體封裝件內(nèi)的空間。
為了解決上述問題，本發(fā)明的第一個(gè)目的，是提供一種半導(dǎo)體封裝件，它具有可注入導(dǎo)電區(qū)，用于簡(jiǎn)化半導(dǎo)體封裝件的制造、通過減小原材料的價(jià)格而降低制造成本并改善半導(dǎo)體封裝件的電、熱和機(jī)械性能。
本發(fā)明的第二個(gè)目的，是提供一種方法，用于制造具有可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件。
相應(yīng)地，為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的第一個(gè)目的，提供了一種具有可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件，包括一個(gè)半導(dǎo)體封裝件體，它包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片但不包括引線框或基底，該半導(dǎo)體封裝件體由密封樹脂制成；以及，附在半導(dǎo)體封裝件體表面上的向外暴露的可注入導(dǎo)電區(qū)，每一個(gè)可注入導(dǎo)電區(qū)都與半導(dǎo)體芯片的接合臺(tái)電連接。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，可注入導(dǎo)電區(qū)從一個(gè)直到模制處理完成都被用作基底的帶膜上分離。各個(gè)可注入導(dǎo)電區(qū)的厚度在幾μm與幾mm之間，且其形狀是四邊形或圓形的。
半導(dǎo)體封裝件體是球柵陣列(BGA)式的、四邊形扁平無引線(QFN)式的或反裝芯片式的。當(dāng)半導(dǎo)體芯片通過導(dǎo)線與可注入導(dǎo)電區(qū)相連時(shí)，半導(dǎo)體芯片的底部?jī)?yōu)選為用導(dǎo)熱模接合環(huán)氧樹脂或?qū)щ娔＝雍檄h(huán)氧樹脂而附在可注入導(dǎo)電區(qū)，且用于導(dǎo)線接合的表面處理層優(yōu)選的被形成在附在半導(dǎo)體封裝件體上的各個(gè)可注入導(dǎo)電區(qū)的一面上。
當(dāng)半導(dǎo)體封裝件體是BGA型或反裝芯片型時(shí)，優(yōu)選為在可注入導(dǎo)電區(qū)不與半導(dǎo)體封裝件體連接的面上還形成有外部連接端。這些外部連接端可以用焊料涂覆或焊球形成。
當(dāng)半導(dǎo)體封裝件體是反裝芯片型時(shí)，優(yōu)選為在接合臺(tái)上形成有焊料凸起部，用于直接把半導(dǎo)體芯片的接合臺(tái)連接到可注入導(dǎo)電區(qū)。另外，可采用一種擴(kuò)展的可注入導(dǎo)電區(qū)，它是通過借助導(dǎo)線而把同焊料凸起部相連的可注入導(dǎo)電區(qū)連接到與外部連接端相連的可注入導(dǎo)電區(qū)而形成的。
該可注入導(dǎo)電區(qū)包括用于輸入/輸出端的可注入導(dǎo)電區(qū)、用于接地的可注入導(dǎo)電區(qū)、用于散熱器的可注入導(dǎo)電區(qū)和用于功率端的可注入導(dǎo)電區(qū)。用于接地的可注入導(dǎo)電區(qū)和用于散熱器的可注入導(dǎo)電區(qū)可彼此相連，且用于功率端的可注入導(dǎo)電區(qū)可彼此相連。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的第二個(gè)目的，提供了具有可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件的一種制造方法。在此方法中，一個(gè)半導(dǎo)體芯片被附在一個(gè)臨時(shí)基底上，在該基底上在一個(gè)帶膜上形成有可注入導(dǎo)電區(qū)。半導(dǎo)體芯片的接合臺(tái)被連接到可注入導(dǎo)電區(qū)。隨后，臨時(shí)基底和半導(dǎo)體芯片借助密封樹脂而被模制。該帶膜被從模制所形成的結(jié)構(gòu)上分離，形成了經(jīng)歷了模制的半導(dǎo)體封裝件體中的可注入導(dǎo)電區(qū)。
具有可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件的制造方法可以根據(jù)半導(dǎo)體封裝件的類型而進(jìn)行修正。
在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，帶膜由直到模制處理完成都基本上被用作基底的一個(gè)帶體和容易與可注入導(dǎo)電區(qū)分離的一種粘合層構(gòu)成。
用于導(dǎo)線接合的表面處理層優(yōu)選為是被形成在各個(gè)可注入導(dǎo)電區(qū)的一面上，且這些可注入導(dǎo)電區(qū)包括用于外部連接端的可注入導(dǎo)電區(qū)和用于散熱器的可注入導(dǎo)電區(qū)。
在模制處理中，液化的模制材料借助一個(gè)進(jìn)料器而被提供到臨時(shí)基底，或者熱固樹脂可利用模制設(shè)備進(jìn)行模制。
用于接地的可注入導(dǎo)電區(qū)和用于散熱器的可注入導(dǎo)電區(qū)可彼此相連，且用于功率端的可注入導(dǎo)電區(qū)可彼此相互電連接。
在另一最佳實(shí)施例中，在模制步驟之后或在分割處理之后進(jìn)行把帶膜從臨時(shí)基底上分離的步驟。
根據(jù)本發(fā)明，可在不用諸如具有通孔或引線框的帶膜或剛性基底的昂貴材料的情況下組裝半導(dǎo)體封裝件，從而簡(jiǎn)化了制造處理并降低了制造成本。
另外，用于散熱器的可注入導(dǎo)電區(qū)可直接附在半導(dǎo)體芯片上以被暴露于外，從而改善了半導(dǎo)體封裝件的熱性能。由于半導(dǎo)體芯片的接合臺(tái)與外部連接端之間的電連線通路可得到縮短，半導(dǎo)體封裝件的電特性能夠得到改善。通過從半導(dǎo)體封裝件中除去基底或引線框和焊料掩膜，由于熱膨脹系數(shù)之間的不同和疊置脫離而造成的缺陷(這些缺陷可引起可靠性降低)能夠得到限制，且半導(dǎo)體封裝件的厚度能夠得到減小，從而改善了半導(dǎo)體封裝件的機(jī)械特性。
從以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的最佳實(shí)施例所進(jìn)行的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述目的和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見。在附圖中圖1至3顯示了采用剛性基底的傳統(tǒng)球柵陣列(BGA)封裝的結(jié)構(gòu)；圖4至6顯示了采用其中在帶膜上形成導(dǎo)電區(qū)的基底的傳統(tǒng)BGA封裝的結(jié)構(gòu)；圖7至9顯示了傳統(tǒng)的四邊形扁平無引線(QFN)封裝的結(jié)構(gòu)；圖10和11是剖視圖，用于描述根據(jù)本發(fā)明的具有可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件的示意結(jié)構(gòu)及其制造方法；圖12和13是平面圖，用于顯示其上形成有本發(fā)明中采用的可注入導(dǎo)電區(qū)的帶膜的結(jié)構(gòu)；圖14是剖視圖，用于描述其上形成有本發(fā)明中采用的可注入導(dǎo)電區(qū)的帶膜的結(jié)構(gòu)；圖15是平面圖，用于說明在其上形成有本發(fā)明中采用的可注入導(dǎo)電區(qū)的帶膜上的可注入導(dǎo)電區(qū)的變換形狀；圖16至22顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的一種半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)及其制造方法；圖23至28顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)及其制造方法；以及圖29至34顯示了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)及其制造方法。
以下結(jié)合附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的最佳實(shí)施例。
在此說明書中，半導(dǎo)體封裝件體是在最廣泛的意義上得到使用的，且不限于以下描述的實(shí)施例中的具體的半導(dǎo)體封裝件。換言之，本發(fā)明可被應(yīng)用于利用可注入導(dǎo)電區(qū)組裝的任何類型的半導(dǎo)體封裝件。在不脫離本發(fā)明的精神和基本特征的前提下，可以對(duì)以下將要給出的實(shí)施例進(jìn)行修正。例如，在本發(fā)明的最佳實(shí)施例中可注入導(dǎo)電區(qū)的形狀是四邊形或圓形的，但也可以被修正成不同的形狀，以使導(dǎo)線接合和外部連接端的連接能夠進(jìn)行。將要在下面的最佳實(shí)施例中描述的方法可被不同的半導(dǎo)體芯片與接合導(dǎo)線的接合以及模制方法所代替。因此，這些最佳實(shí)施例只是為了描述而非限定的目的而公布的。
圖10和11是剖視圖，用于說明根據(jù)本發(fā)明的具有可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件的示意結(jié)構(gòu)及其制造方法。參見圖10，本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件包括一個(gè)半導(dǎo)體封裝件體101和附在在半導(dǎo)體封裝件體101的表面上以被暴露于外并分別與設(shè)置在半導(dǎo)體封裝件體101內(nèi)的半導(dǎo)體芯片的接合臺(tái)相電連接的可注入導(dǎo)電區(qū)112半導(dǎo)體封裝件體101的形狀可根據(jù)半導(dǎo)體封裝件的類型而被改變成各種其他的形狀。半導(dǎo)體封裝件體101主要包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片100并具有使半導(dǎo)體芯片100能夠與可注入導(dǎo)電區(qū)112相連接的結(jié)構(gòu)?？勺⑷雽?dǎo)電區(qū)112可被用作通常的外部連接端、接地端、功率端或散熱器114。
當(dāng)半導(dǎo)體芯片100的接合臺(tái)分別通過金線106而與可注入導(dǎo)電區(qū)112相連時(shí)，半導(dǎo)體芯片100的底部借助導(dǎo)熱或?qū)щ娔＝雍檄h(huán)氧樹脂102而與接地可注入導(dǎo)電區(qū)或散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)112相接合。在附在半導(dǎo)體封裝件體101上的各個(gè)可注入導(dǎo)電區(qū)的一個(gè)面上，優(yōu)選為是形成有用于導(dǎo)線接合的表面處理層(圖14的142)。該表面處理層優(yōu)選為是用金、銀、鈀或包括金、銀和鈀的化合物制成。當(dāng)可以不形成表面處理層而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)線接合時(shí)，可以不形成表面處理層。
本發(fā)明的最重要的特征之一，是可注入導(dǎo)電區(qū)112和114被從根據(jù)本發(fā)明的帶膜110上取下并被形成在半導(dǎo)體封裝件體101的表面上。因此，半導(dǎo)體封裝件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)可得到顯著的簡(jiǎn)化，且半導(dǎo)體封裝件沒有剛性基底、帶膜式基底或引線框。
參見圖11，在可注入導(dǎo)電區(qū)112中，接地可注入導(dǎo)電區(qū)和散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)以通常的類型配置，從而變成了修正的散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)114’。以下的描述涉及制造具有根據(jù)本發(fā)明的可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，并參見圖11。
半導(dǎo)體芯片100被接合到一個(gè)臨時(shí)基底上，在該臨時(shí)基底中在帶膜110上形成有可注入導(dǎo)電區(qū)112。在此，半導(dǎo)體封裝件組裝中的模附著處理可根據(jù)半導(dǎo)體封裝件的類型而不同。
例如，在反裝芯片封裝的情況下，在半導(dǎo)體芯片100的各個(gè)接合臺(tái)上形成有焊料凸起部，且該焊料凸起部直接附在可注入導(dǎo)電區(qū)112上，以把半導(dǎo)體芯片100與臨時(shí)基底相接合。或者，在球柵陣列(BGA)封裝或四邊形扁平無引線(QFN)封裝的情況下，半導(dǎo)體芯片100的底部用導(dǎo)熱或?qū)щ娔＝雍檄h(huán)氧樹脂102與修正的散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)114’的表面接合，且進(jìn)行一種額外的導(dǎo)線接合處理以用金線106把半導(dǎo)體芯片100的接合臺(tái)連接到其上有表面處理層的可注入導(dǎo)電區(qū)112。
隨后，半導(dǎo)體芯片接合到的臨時(shí)基底利用諸如環(huán)氧模制化合物(EMC)的密封樹脂104而得到模制。在模制處理中，除了密封樹脂，液化的密封樹脂104可借助一個(gè)供料器提供給具有半導(dǎo)體芯片的臨時(shí)基底并隨后得到硬化，或者可利用通常的模制設(shè)備模制熱固密封樹脂104。因此，半導(dǎo)體封裝件制造中從模附至模制的處理可隨著半導(dǎo)體封裝件的類型和原材料的類型而不同。
最后，用作臨時(shí)基底的帶膜110被從模制處理之后獲得的結(jié)構(gòu)上取下。把帶膜110從基底上取下的處理可在模制之后立即進(jìn)行，也可在隨后的分割處理后進(jìn)行。
圖12和13是顯示其上形成有本發(fā)明中采用的可注入導(dǎo)電區(qū)的帶膜的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖12顯示了圖10中采用的帶膜的形狀。圖13顯示了圖11中采用的帶膜的形狀。在這些圖中，標(biāo)號(hào)112A表示了一個(gè)圓的可注入導(dǎo)電區(qū)，用于用作輸入/輸出端的外部連接端。標(biāo)號(hào)112B表示一個(gè)矩形的可注入導(dǎo)電區(qū)，它被用于作為輸入/輸出端的外部連接端。標(biāo)號(hào)114表示一個(gè)散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)，它不與接地可注入導(dǎo)電區(qū)相連。標(biāo)號(hào)114’表示一個(gè)修正的散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)，它與接地可注入導(dǎo)電區(qū)相電連接。標(biāo)號(hào)126表示半導(dǎo)體芯片所接合到的區(qū)域。
可注入導(dǎo)電區(qū)112A、112B、114和114’是由銅或包括銅的合金制成的，并具有圓或矩形的形狀，或者也可以具有允許導(dǎo)線接合和外部連接端的連接的任何形狀?？勺⑷雽?dǎo)電區(qū)112A、112B、114和114’的厚度可以根據(jù)用戶的要求在幾μm至幾mm的范圍內(nèi)改變。
在圖12和13中，顯示了具有用于單個(gè)半導(dǎo)體封裝件的可注入導(dǎo)電區(qū)112A、112B、114和114’的帶膜110，但能夠設(shè)計(jì)出可借助用在半導(dǎo)體封裝件制造中的組裝設(shè)備制造的多個(gè)帶膜，這些帶膜具有與圖12和13所示的相同的形狀并沿著水平和縱向方向設(shè)置。
在具有可注入導(dǎo)電區(qū)112A、112B、114和114’的帶膜110的制造中，可注入導(dǎo)電區(qū)112A、112B、114和114’可通過照相掩膜法、屏幕印刷法，通過拾取和放置各個(gè)導(dǎo)電區(qū)并將它們接合或通過淀積或電鍍，而形成在帶膜110上。
圖14是剖視圖，用于說明其上形成有本發(fā)明中采用的可注入導(dǎo)電區(qū)的帶膜的結(jié)構(gòu)。圖14的結(jié)構(gòu)由可注入導(dǎo)電區(qū)112和帶膜110構(gòu)成?？勺⑷雽?dǎo)電區(qū)112通過在導(dǎo)電區(qū)體140的表面上形成用于導(dǎo)線接合的表面處理層142而構(gòu)成。帶膜110由一個(gè)帶體130和形成在帶體130上并便于可注入導(dǎo)電區(qū)112的剝離的一個(gè)粘合層132構(gòu)成。
在此，粘合層132是使得根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)及其制造方法能夠得以實(shí)現(xiàn)的一個(gè)重要手段。在傳統(tǒng)的剛性基底或具有通過穿孔或蝕刻形成的通孔的傳統(tǒng)的帶膜中，導(dǎo)電區(qū)和絕緣基底是利用例如酚基或聚酰亞胺基的環(huán)氧樹脂永久地疊置的，因而它們不容易被取下，因?yàn)閷?dǎo)電區(qū)脫離與基底的疊置將導(dǎo)致半導(dǎo)體封裝件中的嚴(yán)重缺陷。
然而，根據(jù)本發(fā)明的帶膜110中的粘合層132所根據(jù)的思想，同采用傳統(tǒng)粘合層所基于的思想是不同的。換言之，由于要在本發(fā)明的模制處理之后帶膜110方便地從半導(dǎo)體封裝件體取掉，粘合層132由基于硅的粘合劑而不是酚或聚酰亞胺環(huán)氧樹脂形成，因而當(dāng)可注入導(dǎo)電區(qū)112的頂部在模制處理之后由于導(dǎo)線接合的力和模制的附著力而被固定在半導(dǎo)體封裝件體上時(shí)，只有帶膜110被從半導(dǎo)體封裝件體剝離，而可注入導(dǎo)電區(qū)112沒有改變，如圖10和11所示。
帶膜110中的帶體130可以由在半導(dǎo)體封裝件制造過程中的模接合、導(dǎo)線接合以及模制中具有耐熱、耐壓和耐化學(xué)作用的任何材料制成。換言之，可采用紙、諸如聚酰亞胺的聚合物、金屬或包括紙、聚合物和金屬的混合物。
由于其上形成有本發(fā)明中采用的可注入導(dǎo)電區(qū)的帶膜具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)且不象傳統(tǒng)的剛性基底或具有通過穿孔或蝕刻而形成的通孔的基底那樣復(fù)雜，因而它的制造成本低。因此，與采用昂貴的剛性基底或引線框的傳統(tǒng)技術(shù)相比，本發(fā)明可顯著地降低半導(dǎo)體封裝件組裝的成本。
圖15是平面圖，用于說明其上形成有本發(fā)明中采用的可注入導(dǎo)電區(qū)的帶膜上的可注入導(dǎo)電區(qū)的變換形狀。參見圖15，在可注入導(dǎo)電區(qū)112A中，用作功率端的可注入導(dǎo)電區(qū)113得到連接，從而形成了其中功率端得到連接的可注入導(dǎo)電區(qū)。這穩(wěn)定了半導(dǎo)體封裝件中的功率端。在此實(shí)施例中，四個(gè)端被結(jié)合成為一個(gè)，但顯然可以對(duì)此作各種修正。
第一實(shí)施例BGA封裝圖16至22顯示了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)及其制造方法。參見圖16，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件包括一個(gè)半導(dǎo)體芯片100、含有用于接合半導(dǎo)體芯片100的底部的導(dǎo)熱或?qū)щ娔＝雍檄h(huán)氧樹脂102的半導(dǎo)體封裝件體101、金線106和環(huán)氧樹脂模制化合物的密封樹脂104、以及含有散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)114的可注入導(dǎo)電區(qū)112。
金線106把可注入導(dǎo)電區(qū)112連接到半導(dǎo)體芯片100的各個(gè)接合臺(tái)。導(dǎo)熱或?qū)щ姷哪＝雍檄h(huán)氧樹脂102把半導(dǎo)體芯片100直接接合到散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)114。
圖17中所示的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)與圖16中所示的相同，只是可注入導(dǎo)電區(qū)中的散熱器導(dǎo)電區(qū)被結(jié)合成單個(gè)的修正的散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)114’，因而不再重復(fù)前述的描述。修正的散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)114’具有使半導(dǎo)體芯片100產(chǎn)生的熱量能夠有效地被排放到外界的結(jié)構(gòu)。另外，修正的散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)114’的厚度在需要時(shí)可得到調(diào)節(jié)。
參見圖18和19，根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件可進(jìn)一步包括與散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)114和輸入/輸出可注入導(dǎo)電區(qū)112相連的外部連接端。這些外部連接端每一個(gè)都能夠以如圖18所示的焊料涂覆116或如圖19所示的焊球118的形式形成。
圖20是流程圖，顯示了包括根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件的制造方法。參見圖20，在鋸開處理之后獲得的半導(dǎo)體芯片被附在一個(gè)帶膜(圖13的110)上，在該帶膜上形成有根據(jù)本發(fā)明的導(dǎo)電區(qū)。優(yōu)選為采用一種導(dǎo)熱或?qū)щ娔＝雍檄h(huán)氧樹脂來附著半導(dǎo)體芯片。該半導(dǎo)體芯片優(yōu)選為是被附在這樣的一個(gè)部分，即該部分中設(shè)置有修正的散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)(圖13中的114’)。隨后，進(jìn)行一種固化處理，以除去模接合環(huán)氧樹脂中的揮發(fā)材料并使模接合環(huán)氧樹脂硬化。
隨后，進(jìn)行使半導(dǎo)體芯片的各個(gè)接合臺(tái)與可注入導(dǎo)電區(qū)相電連接的導(dǎo)線接合處理。在此，優(yōu)選為在各個(gè)可注入導(dǎo)電區(qū)的表面上形成一個(gè)表面處理層，以用于導(dǎo)線接合。
在導(dǎo)線接合處理之后獲得的結(jié)構(gòu)，用密封樹脂并借助模制設(shè)備進(jìn)行模制。模優(yōu)選為具有簡(jiǎn)單的單腔式形狀并具有平坦的表面而不是傳統(tǒng)的具有多個(gè)腔的形狀。因此，模制設(shè)備的成本能夠得到降低。
隨后，在模制完成之后帶膜被從半導(dǎo)體封裝件體上分離。在此，可注入導(dǎo)電區(qū)沒有被分離，而是由于模制的附著力、模接合環(huán)氧樹脂的粘合力和導(dǎo)線接合的附著力，而被固定在半導(dǎo)體封裝件體上。對(duì)除去了帶膜之后獲得的結(jié)構(gòu)進(jìn)行采用激光的加標(biāo)記處理，且隨后被用作外部連接端的焊球被連接到可注入導(dǎo)電區(qū)的暴露的底部。隨后，進(jìn)行把單個(gè)的半導(dǎo)體封裝件從成串的半導(dǎo)體封裝件上分割的處理。
圖21和22是部分切去的平面圖，顯示了包括可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件，它們是借助上述的制造方法完成的。圖21顯示了一種半導(dǎo)體封裝件，其中散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)沒有彼此相連，象圖16所示；圖22顯示了一種半導(dǎo)體封裝件，其中散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)相連并被結(jié)合成一個(gè)單個(gè)的修正的散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)114’，如圖17所示。在這些圖中，標(biāo)號(hào)104表示密封樹脂且標(biāo)號(hào)106表示金線。
第二實(shí)施例QFN封裝圖23至28顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)及其制造方法。
參見圖23至25，由于本發(fā)明采用了包括可注入導(dǎo)電區(qū)的帶膜而不是傳統(tǒng)的引線框，QFN式半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)幾乎與第一實(shí)施例中的相同，因而省略了對(duì)其的描述。為了理解的清楚，標(biāo)號(hào)的末位與第一實(shí)施例中采用的相對(duì)應(yīng)。
圖26是流程圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的包括可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件的制造方法。參見圖26，以與第一實(shí)施例中相同的方式進(jìn)行模接合處理和導(dǎo)線接合處理。隨后，模接合環(huán)氧樹脂被硬化且模接合環(huán)氧樹脂中包含的揮發(fā)材料通過固化處理而被除去。隨后，借助通常的方法依次進(jìn)行模制處理、加標(biāo)記處理和分割處理。最后，在分割處理之后帶膜被從半導(dǎo)體封裝件體上取下。第二實(shí)施例與第一實(shí)施例的不同，在于分離帶膜的處理是在分割處理之后進(jìn)行的，而不是在模制處理之后進(jìn)行的。
與采用引線框的傳統(tǒng)方法相比，由于根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體封裝件不包括引線框，所以在分割處理中容易把成串的半導(dǎo)體封裝件分成單個(gè)的半導(dǎo)體封裝件，且即使采用了大量的輸入/輸出端，半導(dǎo)體封裝件內(nèi)輸入/輸出端的位置也容易設(shè)計(jì)。
圖27是部分切去的平面圖，顯示了其中散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)未彼此相連的一種半導(dǎo)體封裝件，如圖23所示；圖28是部分切去的平面圖，顯示了其中散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)相連并結(jié)合成單個(gè)導(dǎo)電區(qū)的一種半導(dǎo)體封裝件，如圖24所示。在這些圖中，標(biāo)號(hào)204表示密封樹脂，標(biāo)號(hào)206表示金線且標(biāo)號(hào)212表示輸入/輸出可注入導(dǎo)電區(qū)。
第三實(shí)施例反裝芯片封裝圖29至34顯示了根據(jù)本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)及其制造方法。
圖29是剖視圖，顯示了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的包括可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件的結(jié)構(gòu)。根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件由半導(dǎo)體封裝件體301和可注入導(dǎo)電區(qū)312構(gòu)成，象第一和第二實(shí)施例一樣。然而，半導(dǎo)體封裝件體301的內(nèi)部形狀不同于第一和第二實(shí)施例。換言之，第三實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件不包括金線和模接合環(huán)氧樹脂。提供了從半導(dǎo)體芯片300的各個(gè)接合臺(tái)伸出的焊料凸起部308，以直接與可注入導(dǎo)電區(qū)312相連接。
參見圖30和31，根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝件可進(jìn)一步包括與各個(gè)可注入導(dǎo)電區(qū)312相連的外部連接端。各個(gè)外部連接端可利用圖30的焊料涂覆316或圖31的焊球318形成。
圖32是平面圖，顯示了包括擴(kuò)展的可注入導(dǎo)電區(qū)的帶膜。參見圖32，當(dāng)形成在半導(dǎo)體芯片上的接合臺(tái)之間的間隙窄時(shí)，擴(kuò)展的可注入導(dǎo)電區(qū)312’可得到采用。擴(kuò)展的可注入導(dǎo)電區(qū)312’包括與焊料凸起部相連的一個(gè)部分312B和與外部連接端相連的一個(gè)部分312A，且這兩個(gè)部分通過一個(gè)導(dǎo)線相連。因此，可注入導(dǎo)電區(qū)312’可從與一個(gè)焊料凸起部相連的一個(gè)部分延伸到與一個(gè)外部連接端相連的一個(gè)部分。在此圖中，標(biāo)號(hào)110表示一個(gè)帶膜。
圖33是流程圖，顯示了具有根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件的制造方法。圖34是剖視圖，顯示了如何把半導(dǎo)體芯片接合到具有可注入導(dǎo)電區(qū)的帶膜上。
參見圖33和34，在半導(dǎo)體芯片300的各個(gè)接合臺(tái)上形成有一個(gè)突出的焊料凸起部308，且與第一和第二實(shí)施例不同地，半導(dǎo)體芯片被上下顛倒并接合到具有可注入導(dǎo)電區(qū)112的帶膜110上。隨后，利用密封樹脂即一種環(huán)氧模制化合物進(jìn)行模制處理，且隨后帶膜110被從臨時(shí)基底上分離。隨后，借助通常的方法依次進(jìn)行一種加標(biāo)記處理、用于附上用作外部連接端的焊球的處理和分割處理，從而完成半導(dǎo)體封裝件。
根據(jù)本發(fā)明，首先，半導(dǎo)體封裝件的組裝成本能夠得到降低。由于本發(fā)明不采用昂貴的基底或引線框，半導(dǎo)體封裝件的組裝成本能夠得到降低。另外，由于傳統(tǒng)的生產(chǎn)設(shè)施能夠在不用修正的情況下得到利用，不需要額外的基建投資。制造過程也能夠得到簡(jiǎn)化。例如，當(dāng)用作外部連接端的焊料涂層被預(yù)先形成在與其上有表面處理層的表面相對(duì)的一個(gè)表面上時(shí)，在各個(gè)可注入導(dǎo)電區(qū)中，可省略形成外部連接端的處理。在另一個(gè)例子中，如果不是采用平坦的單腔模，可以在模制處理中采用具有多個(gè)腔的模，且可省略隨后的分割處理。另外，由于制造處理能夠方便地進(jìn)行，半導(dǎo)體封裝件組裝成本可得到降低。換言之，根據(jù)本發(fā)明的QFN封裝不包括諸如難于切割的引線框的原材料，因而分割處理中產(chǎn)生的缺陷能夠得到減少。另外，不采用具有多個(gè)腔的傳統(tǒng)的模，而是采用平坦的單腔模，從而便利了模制處理。
其次，半導(dǎo)體封裝件的性能能夠得到改善。由于根據(jù)本發(fā)明的散熱器可注入導(dǎo)電區(qū)直接與半導(dǎo)體芯片相連并暴露于外界，半導(dǎo)體封裝件的熱特性能夠得到改善。另外，不用采用諸如通孔的中間連接端或用在傳統(tǒng)技術(shù)中的電路圖案，因而把接合臺(tái)連接到外部連接端的導(dǎo)線連接的長(zhǎng)度能夠得到縮短，從而改善了半導(dǎo)體封裝件的電特性。另外，由于在半導(dǎo)體封裝件中既不形成剛性基底也不形成帶膜式基底的引線框，半導(dǎo)體封裝件的厚度能夠得到減小，從而改善了半導(dǎo)體封裝件的機(jī)械特性。
最后，半導(dǎo)體封裝件的可靠性能夠得到改善。更具體地說，由于在半導(dǎo)體封裝件中形成很多的層而產(chǎn)生的疊置脫離問題將被防止，且由于基底或引線框和半導(dǎo)體封裝件內(nèi)的其他部分的熱膨脹系數(shù)的不同所導(dǎo)致的處理缺陷將得到減小。另外，半導(dǎo)體封裝件的制造過程簡(jiǎn)單而方便，從而改善了半導(dǎo)體封裝件的可靠性。
雖然結(jié)合具體的實(shí)施例描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解的是，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的前提下，可以對(duì)上述的
權(quán)利要求
1.一種具有可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件，該半導(dǎo)體封裝件包括一個(gè)半導(dǎo)體封裝件體，它包括其中具有多個(gè)接合臺(tái)但不具有引線框或基底的半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體封裝件體由密封樹脂形成；以及附著在半導(dǎo)體封裝件體將要暴露于外的表面上的可注入導(dǎo)電區(qū)，各個(gè)可注入導(dǎo)電區(qū)與半導(dǎo)體芯片的接合臺(tái)相電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝件，其中可注入導(dǎo)電區(qū)在模制處理完成時(shí)從作為基底的帶膜分離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝件，其中各個(gè)可注入導(dǎo)電區(qū)的厚度在幾μm和幾mm之間，且其形狀是四邊形與圓形之一。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝件，其中在可注入導(dǎo)電區(qū)中，被用作接地端和散熱器的可注入導(dǎo)電區(qū)彼此電連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝件，其中在可注入導(dǎo)電區(qū)中，用作功率端的可注入導(dǎo)電區(qū)彼此電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝件，進(jìn)一步包括與可注入導(dǎo)電區(qū)相連的外部連接端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的半導(dǎo)體封裝件，其中外部連接端是焊料覆層或焊球。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝件，其中半導(dǎo)體封裝件體是球柵陣列(BGA)式和四邊形扁平無引線(QFN)式之一。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體封裝件，其中可注入導(dǎo)電區(qū)通過導(dǎo)線與半導(dǎo)體芯片的接合臺(tái)相連。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體封裝件，其中用于導(dǎo)線接合的表面處理層被形成在與半導(dǎo)體封裝件體相連的各個(gè)可注入導(dǎo)電區(qū)的一側(cè)上。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的半導(dǎo)體封裝件，其中半導(dǎo)體芯片的底部利用導(dǎo)熱模接合環(huán)氧樹脂或?qū)щ娔＝雍檄h(huán)氧樹脂而與可注入導(dǎo)電區(qū)相連。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體封裝件，其中半導(dǎo)體封裝件體是反裝芯片式的。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體封裝件，其中在半導(dǎo)體芯片的各個(gè)接合臺(tái)上形成有焊料凸起部。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的半導(dǎo)體封裝件，其中與一個(gè)焊料凸起部相連的一個(gè)可注入導(dǎo)電區(qū)通過導(dǎo)線與連接到外部連接端的可注入導(dǎo)電區(qū)相連，從而形成擴(kuò)展的可注入導(dǎo)電區(qū)。
15.具有可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件的制造方法，該方法包括以下步驟把半導(dǎo)體芯片附在一種臨時(shí)基底上，在該臨時(shí)基底中在帶膜上形成有可注入導(dǎo)電區(qū)；模制到半導(dǎo)體芯片所附著的臨時(shí)基底上；以及把帶膜從模制的結(jié)構(gòu)上分離。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中在把半導(dǎo)體芯片附到臨時(shí)基底的步驟中，半導(dǎo)體芯片的底部利用導(dǎo)熱模接合環(huán)氧樹脂或?qū)щ娔＝雍檄h(huán)氧樹脂接合到臨時(shí)基底上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，進(jìn)一步包括在把半導(dǎo)體芯片附到臨時(shí)基底上的步驟之后利用導(dǎo)線把半導(dǎo)體芯片的接合臺(tái)接合到可注入導(dǎo)電區(qū)上的步驟。
18.根據(jù)權(quán)利要求15的步驟，其中在模制臨時(shí)基底的步驟中，包括借助供料器把液化的模制材料提供到臨時(shí)基底上和利用模制設(shè)備模制熱固樹脂的步驟。
19.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中臨時(shí)基底的帶膜包括基本上被用作基底的帶體和容易從可注入導(dǎo)電區(qū)上分離的粘合層。
20.根據(jù)權(quán)利要求17的方法，其中用于導(dǎo)線接合的表面處理層被形成在各個(gè)可注入導(dǎo)電區(qū)的表面上。
21.根據(jù)權(quán)利要求16的方法，其中可注入導(dǎo)電區(qū)包括用于外部連接端的可注入導(dǎo)電區(qū)和用于散熱器的可注入導(dǎo)電區(qū)。
22.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中在把半導(dǎo)體芯片附到臨時(shí)基底上的步驟中，在半導(dǎo)體芯片的接合臺(tái)上形成有焊料凸起部，且半導(dǎo)體芯片被附在臨時(shí)基底上，從而使焊料凸起部與可注入導(dǎo)電區(qū)相連。
23.根據(jù)權(quán)利要求22的方法，其中與焊料凸起部相連的可注入導(dǎo)電區(qū)通過導(dǎo)線同與外部連接端相連的可注入導(dǎo)電區(qū)相連接，從而形成了擴(kuò)展的可注入導(dǎo)電區(qū)。
24.根據(jù)權(quán)利要求15的方法，其中從臨時(shí)基底分離帶膜的步驟是在模制與分割處理之一之后進(jìn)行的。
25.用于制造具有可注入導(dǎo)電區(qū)的一種半導(dǎo)體封裝件的一種方法，該方法包括一個(gè)第一步驟，用于把一個(gè)半導(dǎo)體芯片的底部附到一個(gè)臨時(shí)基底上，在該臨時(shí)基底上在一個(gè)帶膜上形成有可注入導(dǎo)電區(qū)；一個(gè)第二步驟，用于利用導(dǎo)線把半導(dǎo)體芯片的接合臺(tái)連接到這些可注入導(dǎo)電區(qū)；一個(gè)第三步驟，用于在導(dǎo)線接合之后模制所形成的結(jié)構(gòu)，以形成一個(gè)半導(dǎo)體體；一個(gè)第四步驟，用于把用作臨時(shí)基底的帶膜從經(jīng)歷了模制步驟的半導(dǎo)體封裝件體相分離，并把可注入導(dǎo)電區(qū)留在半導(dǎo)體封裝件體中；一個(gè)第五步驟，用于在固定于半導(dǎo)體封裝件體中的可注入導(dǎo)電區(qū)上形成外部連接端；以及一個(gè)第六步驟，用于從具有外部連接端的成串的半導(dǎo)體封裝件分割單個(gè)的半導(dǎo)體封裝件。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中可注入導(dǎo)電區(qū)包括用于外部連接端的可注入導(dǎo)電區(qū)和用于散熱器的可注入導(dǎo)電區(qū)。
27.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，其中形成外部連接端的步驟是在用于外部連接端的可注入導(dǎo)電區(qū)上形成焊球或焊料覆層。
28.用于制造具有可注入導(dǎo)電區(qū)的一種半導(dǎo)體封裝件的一種方法，該方法包括一個(gè)第一步驟，用于把一個(gè)半導(dǎo)體芯片的底部附到一個(gè)臨時(shí)基底上，在該臨時(shí)基底上在一個(gè)帶膜上形成有可注入導(dǎo)電區(qū)；一個(gè)第二步驟，用于利用導(dǎo)線把半導(dǎo)體芯片的接合臺(tái)連接到這些可注入導(dǎo)電區(qū)；一個(gè)第三步驟，用于在導(dǎo)線接合之后模制所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)；一個(gè)第四步驟，用于從已經(jīng)經(jīng)歷了模制步驟的成串的半導(dǎo)體封裝件體分割單個(gè)的半導(dǎo)體封裝件體；以及一個(gè)第五步驟，用于從單個(gè)的半導(dǎo)體封裝件體上分離被用作臨時(shí)基底的帶膜，并把可注入導(dǎo)電區(qū)留在半導(dǎo)體封裝件體中。
29.根據(jù)權(quán)利要求28的方法，其中可注入導(dǎo)電區(qū)包括用于外部連接端的可注入導(dǎo)電區(qū)和用于散熱器的可注入導(dǎo)電區(qū)。
30.具有可注入導(dǎo)電區(qū)的半導(dǎo)體封裝件的一種制造方法，該方法包括一個(gè)第一步驟，用于把半導(dǎo)體芯片附在一種臨時(shí)基底上，在該臨時(shí)基底中在一種帶膜上形成有可注入導(dǎo)電區(qū)，從而使半導(dǎo)體芯片的接合臺(tái)直接與可注入導(dǎo)電區(qū)相連；一個(gè)第二步驟，用于在半導(dǎo)體芯片所附的臨時(shí)基底上進(jìn)行模制，以形成半導(dǎo)體封裝件體；一個(gè)第三步驟，用于在模制步驟之后從半導(dǎo)體封裝件體上分離用作臨時(shí)基底的帶膜，而把可注入導(dǎo)電區(qū)留在半導(dǎo)體封裝件體中；一個(gè)第四步驟，用于在固定于半導(dǎo)體封裝件體中的可注入導(dǎo)電區(qū)上形成外部連接端；以及一個(gè)第五步驟，用于從具有外部連接端的成串的半導(dǎo)體封裝件體上分割單個(gè)的半導(dǎo)體封裝件體。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中伸出的焊料凸起部被形成在半導(dǎo)體芯片的接合臺(tái)上。
32.根據(jù)權(quán)利要求30的方法，其中連接到焊料凸起部的可注入導(dǎo)電區(qū)通過導(dǎo)線與連接到外部連接端的可注入導(dǎo)電區(qū)相連，從而形成了擴(kuò)展的可注入導(dǎo)電區(qū)。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝件,它具有可注入導(dǎo)電區(qū),以簡(jiǎn)化半導(dǎo)體封裝件的制造,通過降低原材料的價(jià)格而降低制造成本并改善半導(dǎo)體封裝件的電、熱和機(jī)械性能,并提供了其制造方法。該半導(dǎo)體封裝件包括一個(gè)半導(dǎo)體封裝件體和固定在半導(dǎo)體封裝件體上并在模制處理完成之后從被用作半導(dǎo)體封裝件的基底的帶膜上分離的可注入導(dǎo)電區(qū)。被用作基底的帶膜在模制處理之后被從半導(dǎo)體封裝件體分離,從而使半導(dǎo)體封裝件體中不包括基底。
文檔編號(hào)H01L21/56GK1337741SQ0013163
公開日2002年2月27日 申請(qǐng)日期2000年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月9日
發(fā)明者姜興洙 申請(qǐng)人:株式會(huì)社Kostat半導(dǎo)體