專利名稱：橫型異質(zhì)結雙極三極管及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種橫型異質(zhì)結雙極三極管及其制造方法，特別涉及一種在SOI(Silicon on Insulator)等絕緣性基板上形成Si／Si1-xGexSi／Si1-x-yGexCy等異質(zhì)結構造。
迄今，提案了一種通過在絕緣層上積層硅層形成的SOI(Silicon onInsulator)等基板上，形成CMOS器件和雙極三極管，降低三極管的動作電壓，元件之間的完全分離，降低寄生電容等，獲得三極管的優(yōu)異特性的技術。特別是，在處理高頻信號的通信儀器的發(fā)送接收部中，雖然在模擬電路和數(shù)字電路之間存在串線的問題，通過采用SOI基板，可以期待比現(xiàn)有技術大幅度除去串線。
另一方面，最近，作為在采用硅處理的技術中被認為是很難的高頻的頻率區(qū)域可以動作的元件，采用Si／SiGe等異質(zhì)結構造的異質(zhì)結雙極三極管正在被實用化。這些是通過采用基極層的帶隙比發(fā)射極的帶隙要小的異質(zhì)結構造，為了抑制從基極層向發(fā)射極的載流子的反向注入，可以讓基極層的雜質(zhì)濃度比Si同質(zhì)接合型雙極三極管要高而減小基極層的電阻等，來獲得比Si同質(zhì)接合型雙極三極管要優(yōu)異的特性。
又，在伴隨近年來系統(tǒng)在芯片上的要求的BiCMOS技術中，要求在同一芯片上形成CMOS器件和雙極三極管。但是，當將雙極三極管形成在SOI基板上時，則在現(xiàn)有的縱型雙極三極管的構造中需要將硅層的厚度做到一定程度的厚度，而另一方面對CMOS器件為了高速動作和抑制漏電流需要減薄硅層。然而，要在CMOS器件區(qū)域和雙極三極管區(qū)域設置相互不同厚度的硅層，會招致工藝上的復雜化。
為此，作為在雙極三極管區(qū)域中也采用和CMOS器件區(qū)域相同厚度的硅層的努力，提出了在SOI基板上形成橫型異質(zhì)結雙極三極管的提案。即，通過采用橫型異質(zhì)結雙極三極管構造，可以在兩區(qū)域采用共同厚度的硅層，大幅度地簡化工藝。另外，也有通過采用橫型異質(zhì)結雙極三極，比采用SOI基板所形成縱型雙極三極管進一步減小寄生電阻、有利于高速動作的報告。


圖10(a)、(b)就是在這樣的橫型異質(zhì)結雙極三極管的嘗試的一例的文獻(A 31GHz fmaxLateral BJT on SOI Using Self-Algined External BaseFormation Technology；T．Shino et．a(chǎn)l．1998 IEEE)中所揭示的設置在SOI上的橫型異質(zhì)結雙極三極管的俯視圖和截面圖。如圖所示，橫型異質(zhì)結雙極三極管在包含由硅氧化膜構成的BOX層1001以及硅層1009的SOI基板上形成。通過采用SOI基板，可以降低三極管動作區(qū)域的寄生電容。硅層1009的厚度為0．1μm。在硅層1009上包括摻入了硼(B)的短扁形的p型內(nèi)部基極層1004、與內(nèi)部基極層兩端的短邊部相接并比內(nèi)部基極層1004摻入了高濃度的硼(B)的2個外部基極層1006、夾持內(nèi)部基極層1004的長邊部設置的n型發(fā)射極1005以及集電極1002。在發(fā)射極1005中摻入了高濃度的砷(As)，在集電極1002中摻入了不均勻濃度的砷。即，在集電極1002中，形成為提高內(nèi)部基極層1004以及外部基極層1006附近部分的耐壓而砷濃度低，隨著遠離內(nèi)部基極層1004以及外部基極層1006砷濃度高的逆行梯度構造。另外，為了減小基極層電極、發(fā)射極電極、集電極電極相互之間的寄生電容，讓外部基極層1006、發(fā)射極1005、集電極1002的電極形成部相互之間盡量離開來設置各區(qū)域的外方側的前端。在該文獻中，報告了由這樣的橫型異質(zhì)結雙極三極管獲得了31GHz的最大振蕩頻率fmax。
圖11(a)～(e)為表示上述文獻中記載的雙極三極管的制造方法的立體圖。
首先在圖11(a)所示的工序中，在導入了磷(P)的n型硅層1009上形成氧化膜以及SiN膜(圖中未畫出)之后，在SiN上形成覆蓋NPN活性區(qū)域的陣列形電阻掩膜1008。然后，從電阻掩膜1108的上方在除去了硅層1009的NPN活性區(qū)域1107的區(qū)域離子注入劑量為4×1015·原子·cm-2的硼(B)，形成P+擴散區(qū)域。然后，在圖11(b)所示的工序中，以電阻掩膜1108作為掩膜將SiN膜模樣化之后，通過側面蝕刻形成從電阻掩膜1108的端部僅向內(nèi)約0．2μm的SiN掩膜1110，然后除去電阻掩膜1108。然后，在圖11(c)所示的工序中，相對于SiN掩膜1110交叉形成TEOS掩膜1111，進一步，在硅層1009中的除去由SiN掩膜1110以TEOS掩膜1111覆蓋的區(qū)域的區(qū)域中，在加速能量為25KeV的條件下離子注入劑量為1×1014· 原子·cm-2的硼(B)。然后在圖11(d)所示的工序中，除去SiN掩膜1110以TEOS掩膜1111。這時，內(nèi)部基極層1004的寬度由注入的硼從TEOS掩膜1111的端部擴散的距離所確定。最后，在圖11(e)所示的工序中，對成為發(fā)射極、集電極的部分進行臺面蝕刻之后，分別在加速能量為120KeV的條件下離子注入劑量為1×1015·原子·cm-2和在加速能量為65KeV的條件下離子注入劑量為1×1018·原子·cm-2的砷(As)。硅層1009，由于通過該離子注入被非結晶化，因而通過1050℃、20秒的RTA和850℃、60分的電爐退火再結晶化。
通過以上的工序，可以形成橫型、寄生電容小、fmax高、可以高速動作的雙極三極管。
但是，在上述文獻中記載的現(xiàn)有技術中，由于內(nèi)部基極層1104的寬度由硼的擴散距離確定，難于穩(wěn)定獲得所期望的雜質(zhì)分布。又，由于發(fā)射極1105、集電極1102的形成范圍也是由n型雜質(zhì)的擴散距離確定，難于形成急劇的pn結。
本發(fā)明的目的在于提供一種在SOI基板上形成橫型異質(zhì)結雙極三極管時，通過構成能按所希望的尺寸高精度地形成內(nèi)部基極層的寬度等的方法所獲得的具有穩(wěn)定特性的橫型異質(zhì)結雙極三極管及其制造方法。
本發(fā)明的第1種橫型異質(zhì)結雙極三極管，包括具有絕緣層的基板、在上述絕緣層上設置的臺面狀的第1半導體層、在上述第1半導體層的側面通過外延生長形成、和上述第1半導體層的帶隙不同的第2半導體層、在上述第2半導體層的側面通過外延生長形成、和上述第2半導體層的帶隙不同的第3半導體層，上述第2半導體層的至少一部分成為第2導電型的內(nèi)部基極層。
這樣，成為內(nèi)部基極層的第2半導體層的橫方向的厚度不是由雜質(zhì)離子的注入而是由外延生長確定。因此，內(nèi)部基極層的橫方向的厚度可以高精度地形成。又，由于內(nèi)部基極層不是由雜質(zhì)離子的注入而是由外延生長形成，可以成為一邊在橫方向成長一邊現(xiàn)場摻入的構造，獲得雜質(zhì)擴散小、急劇的雜質(zhì)濃度分布。
可以采用至少上述第1半導體層成為第1導電型的集電極、上述第3半導體層的至少一部分成為第1導電型的發(fā)射極動作區(qū)域的構造。
通過進一步包括和上述第2半導體層接觸的第2導電型的外部基極層，容易形成電極。
通過上述第2半導體層的帶隙比上述第3半導體層的帶隙要小，可以抑制從作為內(nèi)部基極層作用的第2半導體層向作為發(fā)射極動作區(qū)域作用的第3半導體層的載流子的逆注入，其結果第2半導體層的雜質(zhì)濃度比同質(zhì)結雙極三極管中的濃度要高，減小基極層阻抗。
通過上述第1以及第3半導體層由硅層構成、上述第2半導體層由包含Si、Ge以及C中至少任兩種的合金構成，利用硅工程，可以形成抑制雜質(zhì)擴散的異質(zhì)結雙極三極管。
通過上述第1半導體層的主面為{110}面，上述第1半導體層的與上述第2半導體層接觸的側面為{111}面，可以獲得第1半導體層的采用濕蝕刻的平滑的側面。
本發(fā)明的第1種橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法，包括絕緣層上設置了半導體層形成的基板的上述半導體層上形成蝕刻掩膜的工序(a)、利用上述蝕刻掩膜、通過包含干蝕刻的蝕刻對上述半導體層模樣化形成臺面狀的第1半導體層的工序(b)、在上述第1半導體層的至少一個側面上外延生長和上述第1半導體層的帶隙不同的第2半導體層的工序(c)、在上述第2半導體層的側面上外延生長和上述第2半導體層的帶隙不同的第3半導體層的工序(d)，至少上述第1半導體層作為第1導電型的集電極作用，述第2半導體層的至少一部分作為第2導電型的內(nèi)部基極層作用，上述第3半導體層的至少一部分作為第1導電型的發(fā)射極動作區(qū)域作用。
這樣，成為內(nèi)部基極層的第1半導體層的橫方向的厚度不是由雜質(zhì)離子的注入而是由外延生長確定，因此，內(nèi)部基極層的橫方向的厚度可以高精度地形成。另外，由于內(nèi)部基極層不是由雜質(zhì)離子的注入而是由外延生長形成，可以成為一邊在橫方向成長一邊現(xiàn)場摻入的構造，獲得雜質(zhì)擴散小、急劇的雜質(zhì)濃度分布。
在上述工序(b)中，由干蝕刻對上述半導體層模樣化成蝕刻掩膜的形狀之后，在留下上述蝕刻掩膜的狀態(tài)下通過對模樣化后的上述半導體層的側部濕蝕刻，形成上述第1半導體層，這樣可以維持模樣化的高精度，除去蝕刻損傷。
通過在上述工序(d)之后，進一步包括基板上堆積多結晶半導體層的工序(e)和用CMP平坦化上述多結晶半導體層、形成至少與上述第3半導體層接觸的發(fā)射極的工序(f)，可以簡單地形成鄰接發(fā)射極動作區(qū)域的低阻抗的發(fā)射極。
通過在上述工序(e)中和之后，進一步包括分別在上述多結晶半導體層的第1區(qū)域?qū)氲?導電型雜質(zhì)，在第2區(qū)域?qū)氲?導電型雜質(zhì)，除去上述多結晶半導體層中至少位于上述第1、第2區(qū)域之間的部分，從上述第1區(qū)域中形成與上述第3半導體層接觸的發(fā)射極，另一方面從上述第2區(qū)域中形成與上述第2半導體層接觸的外部基極層的工序(g)，利用多晶硅等多結晶膜可以容易形成低阻抗的發(fā)射極和外部基極層。
優(yōu)選上述雜質(zhì)的導入采用掩膜通過離子注入進行。
優(yōu)選上述工序(g)通過濕蝕刻進行。
通過在上述工序(a)中，作為上述絕緣層上半導體層采用主面為{110}面的半導體，并且在上述工序(b)中，讓上述第1半導體層的與上述第2半導體層接觸的側面成為{111}面來形成上述蝕刻掩膜，利用蝕刻速度特別慢獲得平滑的平面為{111}面，可以獲得橫方向的厚度均勻的內(nèi)部基極層。
優(yōu)選在上述工序(b)中，采用包含乙二胺、鄰苯二酚、KOH、聯(lián)氨中至少一個的蝕刻液進行晶體各向異性蝕刻。
本發(fā)明的第2種橫型異質(zhì)結雙極三極管，是在絕緣層上設置的橫型異質(zhì)結雙極三極管，包括成為集電極的第1半導體層、和上述第1半導體層的至少一個側面接觸所設置的、比上述第1半導體層的帶隙要小的成為內(nèi)部基極層的第2半導體層、和上述第2半導體層的至少一個側面接觸所設置的、比上述第2半導體層的帶隙要大的成為發(fā)射極的第3半導體層、與上述第1、第3半導體層的側面接觸的第1電極以及第2電極、與上述第2半導體層的上面接觸所設置的第3電極。
這樣，比較簡單的構成，就可以在絕緣層上獲得寄生電容、寄生阻抗小、基極層阻抗低等優(yōu)異特性的橫型異質(zhì)結雙極三極管。
通過上述第1、第2電極由金屬構成，特別是可以獲得低阻抗化的發(fā)射極和集電極。
本發(fā)明的第2種橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法包括在絕緣層上設置了包含第1導電型雜質(zhì)的第1半導體層所形成的基板的上述第1半導體層中導入第1導電型雜質(zhì)的工序(a)、在上述第1半導體層上形成具有寬度為200nm以下的槽的蝕刻掩膜的工序(b)、利用上述蝕刻掩膜進行蝕刻除去位于上述半導體層的上述槽的下方的部分并形成貫通上述第1半導體層的槽的的工序(c)、從上述第1半導體層的上述槽的兩側面外延生長和上述第1半導體層的帶隙不同的第2半導體層并讓其埋入上述槽的的工序(d)、上述絕緣層中上述槽的兩側位于上述第1半導體層的上方的區(qū)域形成開口部的的工序(e)、從上述絕緣層的上述開口部進行上述第1半導體層的濕蝕刻形成空隙部的同時在上述第2半導體層的兩側上留下上述第1半導體層的各一部分的的工序(f)、形成埋入上述空隙部的第1、第2電極的的工序(g)、形成埋入上述絕緣層的槽中與上述第2半導體層接觸的第3電極的工序(h)，上述第1半導體層中殘留在上述第2半導體層的兩側的上述各一部分作為集電極、發(fā)射極動作區(qū)域作用，上述第2半導體層作為內(nèi)部基極層作用。
依據(jù)該方法，比較簡單的工藝，就可以在絕緣層上獲得寄生電容、寄生阻抗小、基極層阻抗低等優(yōu)異特性的橫型異質(zhì)結雙極三極管。
優(yōu)選上述工序(f)中，采用包含乙二胺、鄰苯二酚、KOH以及聯(lián)氨中至少一個進行晶體各向異性蝕刻。
通過上述工序(a)中，進行在上述第1半導體層中注入第1導電型雜質(zhì)離子的第1次離子注入、和在上述第1半導體層中的一部分中注入比上述第1次的離子注入的濃度要高的雜質(zhì)離子的第2次離子注入，上述集電極由上述第1半導體層中沒有進行上述第2次離子注入而只進行了上述第1次離子注入的部分形成，上述發(fā)射極動作區(qū)域由上述第1半導體層中進行上述第1、第2次離子注入的部分形成，可以對發(fā)射極動作區(qū)域、集電極分別按雙極三極管的動作調(diào)節(jié)最適當?shù)碾s質(zhì)濃度。
通過上述第1半導體層采用硅層，作為上述第2半導體層，采用包含Si、Ge、C中至少兩種的合金，利用硅過程，可以制造橫型異質(zhì)結雙極三極管。
附圖的簡要說明圖1(a)、(b)為表示本發(fā)明實施例1的橫型異質(zhì)結雙極三極管的俯視圖以及立體圖。
圖2(a)～(h)為表示本發(fā)明實施例1的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法的剖視圖。
圖3(a)、(b)為表示為說明實施例1的橫型異質(zhì)結雙極三極管的圖2(h)所示的區(qū)域A中橫方向的雜質(zhì)分布的圖。
圖4(a)、(b)為表示為說明實施例1的橫型異質(zhì)結雙極三極管的圖2(h)所示的區(qū)域B中橫方向的雜質(zhì)分布的圖。
圖5為表示實施例2的橫型異質(zhì)結雙極三極管的俯視圖。
圖6(a)、(b)為表示實施例3的橫型異質(zhì)結雙極三極管的俯視圖以及剖視圖。
圖7(a)～(e)為表示實施例3的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造工序的剖視圖。
圖8為表示實施例4的橫型異質(zhì)結雙極三極管的俯視圖。
圖9(a)～(f)為表示實施例4的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造工序的剖視圖。
圖10(a)、(b)為表示現(xiàn)有文獻中的橫型異質(zhì)結雙極三極管的俯視圖以及立體圖。
圖11(a)～(e)為表示現(xiàn)有文獻中的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造工序的剖視圖。
圖中，101-集電極、102a-內(nèi)部基極層、102b-發(fā)射極動作區(qū)域、103-發(fā)射極、104-外部基極層、105-p型多晶硅層、111-集電極、112a-內(nèi)部基極層、112b-發(fā)射極動作區(qū)域、113-外部基極層、114-發(fā)射極、115-p型多晶硅層、150-Si基板、151-BOX層、152-半導體層、160-多晶硅膜、161-氧化膜、201a-集電極、201b-集電極導體、202a-內(nèi)部基極層、202b-外部基極層、203a-發(fā)射極、203b-發(fā)射極導體、206-氧化膜、207-接縫、250-Si基板、251-BOX層、252-半導體層。
實施例1圖1(a)、(b)為表示本發(fā)明實施例1的橫型異質(zhì)結雙極三極管的俯視圖以及立體圖。
如圖1(a)、(b)所示，本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管包括Si基板150、設置在Si基板150上的由硅氧化膜構成的BOX層151、設置在BOX層151上的半導體層152，成為所謂的SOI構造。然后，在半導體層152上具備大致正方形的平面形狀的由n型單晶硅構成的集電極101、環(huán)繞集電極101的由p型SiGeC層以及n型Si層構成的SiGeC／Si層102、由n型多晶硅構成的發(fā)射極103、p型多晶硅層105。SiGeC／Si層102中介入集電極101和發(fā)射極103之間的部分中由p型SiGeC層(圖中虛線內(nèi)側部分)構成的部分為內(nèi)部基極層102a，SiGeC／Si層102中介入集電極101和發(fā)射極103之間的部分中由n型Si層(圖中虛線外側部分)構成的部分為發(fā)射極動作區(qū)域102b，SiGeC／Si層102中除去內(nèi)部基極層102a和發(fā)射極動作區(qū)域102b的部分102c和p型多晶硅層105一起構成外部基極層104。
集電極101的厚度約為200nm，邊長約為0．6μm，在集電極101內(nèi)摻入了濃度約為1×1019·原子·cm-3的銻(Sb)(磷或者砷也可以)。集電極101的主面為(110)面，側面為平滑的(111)面。不過，集電極101的主面也可以不是(110)面，側面也可以不是(111)面。又，在本實施例中，內(nèi)部基極層102a包含濃度約為2×1018·原子·cm-3的硼，由具有傾斜組成的Si1-x-yGexCy層構成，也可以由不含C的SiGe(例如具有傾斜組成的Si1-xGex等)所構成。但是，即使是包含微量的C，特別是對于防止雜質(zhì)的擴散具有很大效果。進一步，發(fā)射極動作區(qū)域102b由包含濃度約為1×1018·原子·cm-3以上的磷的單晶硅構成。發(fā)射極103由包含濃度約為1×1020atoms·cm-3以上的磷的n型多晶硅構成。此外，也可以用砷代替磷摻入。即在發(fā)射極動作區(qū)域-內(nèi)部基極層-集電極之間形成Si／SIGeC／Si的異質(zhì)結構造。又，外部基極層104由包含濃度約為1×1020·原子·cm-3以上的硼的多晶硅構成，外部基極層104對于內(nèi)部基極層102a而言起集電極區(qū)域的作用。
此外，集電極101中n型雜質(zhì)(銻)的濃度具有從內(nèi)部基極層102a開始越遠離濃度越高的反向梯度構造。并且，在內(nèi)部基極層102a中，Ge(或者Ge以及C)的含有率具有從集電極101開始越遠離越小的傾斜組成，在內(nèi)部基極層102a中形成電子的移動度高的構造。但是，并不是一定要在集電極101中設置反向梯度或者在在內(nèi)部基極層102a中設置傾斜組成。
然后，參照圖2(a)～(h)說明本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法。
首先，在圖2(a)所示的工序中，形成由Si基板150、由硅氧化膜構成的BOX層151、在BOX層151上形成的Si膜構成的SOI基板。SOI基板的形成方法雖然可以采用周知的方法(例如SXMOX法等)中的任一個，在本實施例中，采用將在表面上形成了硅氧化膜的硅圓片以及硅圓片粘貼在一起使讓兩硅圓片之間夾持硅氧化膜，然后將一方的硅圓片研磨打薄的方法。在BOX層151上的Si膜中，摻入了濃度約為1×1019· 原子·cm-3的銻(Sb)(磷或者砷也可以)。然后，對Si膜模樣化，形成角部圓滑的正方形集電極101(臺面部)。這時，通過采用在主面為(110)面的Si膜上所形成的具有與〈211〉方向平行的邊的正方形電阻掩膜的濕蝕刻，利用由于結晶方位引起的蝕刻速度的各向異性，可以將集電極101的側面做成非常平滑的(111)面。但是，集電極101的形成方法也可以采用在Si膜上形成覆蓋集電極層101的蝕刻掩膜之后對其進行干蝕刻的方法。
然后，在圖2(b)所示的工序中，通過CVD(Chemical Vapor Deposition)或者UHV-CVD(Ultra High Vacuum-CVD)，在集電極101的臺面部的側面上，外延生成成為集電極101的一部分厚度約為120nm的不摻雜Si層。這時，在Si層上用外延生成工序從集電極101的臺面部開始擴散銻(Sb)形成反向梯度的雜質(zhì)濃度分布。然后，一邊現(xiàn)場摻入濃度約為2×1018·原子·cm-3的硼，在C的含有率為一定(約2％)的情況下，并且讓Ge的含有率成如后述的圖3所示的傾斜，在外延生成橫方向的厚度約為80nm的SiGeC層之后，通過形成橫方向的厚度約為10nm的不摻雜Si層，形成SiGeC／Si層102。這樣，由于在SiGeC／Si層102中的SiGeC層含有2％的C，在以后的熱處理工序中可以確實防止硼的擴散，可以實現(xiàn)具有更急劇的雜質(zhì)濃度分布的異質(zhì)結構造。
然后，在圖2(c)所示的工序中，在基板上堆積多晶硅膜160之后，在圖2(d)所示的工序中，用CMP(Chemical Mechanical Polishing)等方法對多晶硅膜160進行深蝕刻使其平坦化。
然后，在圖2(e)所示的工序中，在基板上形成氧化膜161之后，在多晶硅膜160中成為外部基極層104的部分中注入硼離子使硼濃度達到1×1020·原子·cm-3以上，在成為發(fā)射極103的部分中離子注入磷(也可以是砷或者銻)使?jié)舛冗_到1×1020·原子·cm-3以上來進行摻雜。此外，在圖2(e)所示工序之后，在圖中省略了Si基板150以及BOX層151。
然后，如果就這樣的話，由于在外部基極層104和發(fā)射極103之間介入了多晶硅膜160的不摻雜部分有可能產(chǎn)生漏電，通過以下的處理除去多晶硅膜160的一部分使兩者之間處于電絕緣狀態(tài)。即，在圖2(f)所示的工序中，從多晶硅膜160的注入了雜質(zhì)離子的部分隔開給定的距離在氧化膜161上形成開口之后，在圖2(g)所示的工序中，采用濕蝕刻，直到讓多晶硅膜160遠離SiGeC／Si層102。這時，通過采用多晶硅和Si之間的蝕刻選擇比高的蝕刻液，可以在不損傷SiGeC／Si層102的情況下達到絕緣。之后，進行為了活性化離子注入的雜質(zhì)的熱處理(退火)。通過該熱處理，發(fā)射極103的多晶硅中摻入的磷等n型雜質(zhì)擴散到發(fā)射極動作區(qū)域102b的不摻雜硅為止，作為npn雙極三極管的發(fā)射極區(qū)域發(fā)揮作用。
然后，在圖2(h)所示的工序中，如果除去氧化膜161，獲得具有圖1(b)所示構造的橫型異質(zhì)結雙極三極管。
圖3(a)、(b)為表示為說明本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管的圖2(h)所示的區(qū)域A中橫方向的雜質(zhì)分布的圖。又，圖4(a)、(b)為表示為說明本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管的圖2(h)所示的區(qū)域B中橫方向的雜質(zhì)分布的圖。
如圖3(a)、(b)以及圖4(a)、(b)所示，在集電極101中，為了增加耐壓，形成了從接近內(nèi)部基極層102a的地方向遠離的方向雜質(zhì)的Sb的濃度越濃的反向梯度分布。為了讓其產(chǎn)生漂移電場在內(nèi)部基極層102a中的Ge含有率是傾斜的。又，由多晶硅構成發(fā)射極103中的磷濃度為5×1020· 原子·cm-3的高濃度并且一定，但由于擴散向內(nèi)部電極102a擴散。希望該擴散濃度盡量低。又，外部基極層104中雖然摻入了高濃度的硼，由于摻入的是和內(nèi)部電極102a相同極性的雜質(zhì)，在電氣上和內(nèi)部電極102a保持一致相同的電位。
依據(jù)本實施例，由于內(nèi)部電極層102a的橫方向的厚度不是由雜質(zhì)離子的注入所確定，而是由現(xiàn)場摻雜的外延生長所確定，內(nèi)部電極層102a的橫方向的厚度不會由光刻的精度和雜質(zhì)的擴散的程度所左右。又，由于內(nèi)部電極層102a不是由雜質(zhì)離子的注入形成，而是由現(xiàn)場摻雜的外延生長形成，可以抑制雜質(zhì)的擴散，獲得比較急劇的雜質(zhì)濃度分布。然而，在本實施例中，由于內(nèi)部電極層102a由SiGeC層構成，由于C的存在可以抑制熱處理中雜質(zhì)的擴散，雜質(zhì)濃度分布也不會崩潰。此外，即使由SiGe層代替SiGeC層構成內(nèi)部電極層102a，由于SiGe層中雜質(zhì)的擴散濃度比在Si層中的擴散速度要小，在某種程度上獲得適當維持雜質(zhì)濃度分布的效果。
然而，在本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管中，由于利用SiGeC／Si異質(zhì)結構造，和采用Si同質(zhì)結構造的上述文獻中所記載的橫型異質(zhì)結雙極三極管相比，可以發(fā)揮以下的效果。即，由于內(nèi)部基極層的帶隙比發(fā)射極動作區(qū)域的帶隙要小，抑制從內(nèi)部基極層向發(fā)射極動作區(qū)域的逆注入的結果，內(nèi)部基極層的雜質(zhì)濃度比同質(zhì)結雙極三極管中的濃度要高，可以減小基極層電阻。
此外，由于利用SOI基板，和上述文獻的技術相同，可以獲得寄生電容小，fmax高、適合高速動作的異質(zhì)結橫型雙極三極管。
還有，在圖1的構造中，也可以讓符號101所示的臺面狀的單晶硅層不作為集電極而作為發(fā)射極，讓符號103所示的多晶硅層不作為發(fā)射極而作為集電極，讓符號102b所示的單晶硅層作為集電極。這時，特別是可以獲得耐壓高的雙極三極管。并且，這時，優(yōu)選成為集電極的單晶硅區(qū)域橫方向的厚度在0．2μm以上。和本實施例的集電極相同，為提高耐壓，優(yōu)選形成從接近內(nèi)部基極層102a的地方向遠離的方向雜質(zhì)的Sb的濃度越濃的反向梯度分布。
實施例2然后，說明實施例1中的橫型異質(zhì)結雙極三極管的變換例的實施例2。
圖5為表示本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管的俯視圖。在本實施例中，作為npn三極管作用的部分的構造，和上述實施例1相同。
如該圖所示，本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管和實施例1相同，包括Si基板、設置在Si基板上的由硅氧化膜構成的BOX層、設置在BOX層上的半導體層，構成所謂的SOI構造。在圖5中僅表示了半導體層。然后，在半導體層上設置由由p型SiGeC層以及n型Si層構成的直線狀的SiGeC／Si層112，在SiGeC／Si層112的兩側設置包含n型雜質(zhì)單晶硅構成的集電極111、和包含n型雜質(zhì)多晶硅構成的發(fā)射極113。另外，在SiGeC／Si層112中中央直線部的兩端處設置包含p型雜質(zhì)多晶硅層構成的外部基極層114。然后，SiGeC／Si層112中由p型SiGeC層(圖中陰影線的部分)構成的部分為內(nèi)部基極層112a，SiGeC／Si層112中由n型Si層(圖中空白的部分)構成的部分為發(fā)射極動作區(qū)域112b。
集電極111的厚度約為200nm，邊長約為1．0μm，在集電極111內(nèi)摻入了濃度約為1×1019·原子·cm-3的銻(磷或者砷也可以)。集電極111的主面為(110)面，側面為平滑的(111)面。又，在本實施例中，內(nèi)部基極層112a包含濃度約為2×1018·原子·cm-3的硼，由具有傾斜組成的Si1-x-yGexCy層構成，也可以由不含C的SiGe(例如具有傾斜組成的Si1-xGex等)所構成。但是，通過即使是包含微量的C，特別是對于防止雜質(zhì)的擴散具有很大效果。進一步，發(fā)射極動作區(qū)域112b由包含濃度約為1×1018· 原子·cm-3以上的磷(或者砷)的單晶硅構成。發(fā)射極113由包含濃度約為1×1020·原子·cm-3以上的磷(或者砷)的n型多晶硅構成。即在發(fā)射極動作區(qū)域-內(nèi)部基極層-集電極之間形成Si／SIGeC／Si的異質(zhì)結構造。又，外部基極層114由包含濃度約為1×1020·原子·cm-3以上的硼的多晶硅構成，外部基極層114對于內(nèi)部基極層112a而言起集電極區(qū)域的作用。進一步，外部基極層114和集電極111由第1絕緣膜115，外部基極層114和發(fā)射極113由第2絕緣膜116分別電絕緣。
此外，集電極111中n型雜質(zhì)(銻)的濃度具有從內(nèi)部基極層112a開始越遠離濃度越高的反向梯度構造。又，在內(nèi)部基極層112a中，Ge(或者Ge以及C)的含有率具有從集電極111開始越遠離越小的傾斜組成，在內(nèi)部基極層112a中形成電子的移動度高的構造。但是，并不是一定要在集電極111中設置反向梯度或者在在內(nèi)部基極層112a中設置傾斜組成。
下面，簡單說明本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法。
在本實施例中，雖然橫型異質(zhì)結雙極三極管的平面形狀和實施例1不同，但基本的制造工序和上述實施例1相同。即，形成由Si基板、BOX層、Si膜構成的SOI基板之后，對Si膜模樣化，形成集電極111的臺面部。這時，通過和實施例1相同的處理，集電極111中央部的側面可以做成非常平滑的(111)面。然后，集電極111的臺面部的另一側面由第1絕緣膜115覆蓋，僅讓一側面露出，之后，用CVD或者UHV-CVD在該側面上外延生長成為集電極111的一部分的不摻雜Si層。然后，在該不摻雜Si層上C的含有率為2％Ge的含有率傾斜外延生成SiGeC層之后，進一步通過形成不摻雜Si層，形成SiGeC／Si層112。然后，在基板上堆積多晶硅膜之后，對其進行深蝕刻使其平坦化。并且，多晶硅膜中成為外部基極層114部分中注入硼離子，成為發(fā)射極113的部分中注入磷離子，然后進行多晶硅膜的模樣化和絕緣體的埋入，由第2絕緣膜116讓發(fā)射極113和外部基極層114相互電絕緣。
之后，進行為了活性化離子注入的雜質(zhì)的熱處理(退火)。通過該熱處理，發(fā)射極113的多晶硅中摻入的磷等n型雜質(zhì)擴散到發(fā)射極動作區(qū)域112b的不摻雜硅為止，作為npn雙極三極管的發(fā)射極區(qū)域發(fā)揮作用。另外，在外延生長層中成為集電極111的一部分的Si層中，從集電極的臺面部開始擴散銻(Sb)形成反向梯度的雜質(zhì)濃度分布。
在本實施例中，在上述制造工序中雜質(zhì)的注入條件和注入的離子種類也和上述實施例1相同。
在本實施例中，雖然也獲得了和上述實施例1基本相同的效果，如果考慮到和電極的導電，實施例1具有雙極三極管整體的面積可以更小的優(yōu)點。
實施例3圖6(a)、(b)為表示實施例3的橫型異質(zhì)結雙極三極管的俯視圖以及剖視圖。
如圖6(a)、(b)所示，本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管包括Si基板250、設置在Si基板250上的由硅氧化膜構成的BOX層251、設置在BOX層251上的半導體層252，成為所謂的SOI構造。然后，在半導體層252上設置具有平面形狀為直線狀的平面構造的p型SiGe層構成的內(nèi)部基極層202a，在內(nèi)部基極層202a的兩側設置由n型單晶硅構成的集電極201a、和n型單晶硅構成的發(fā)射極203a。又，本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管包括覆蓋在半導體層252上的氧化膜206、通過氧化膜206的開口部與內(nèi)部基極層202a接觸的由p型多晶硅構成的外部基極層202b、埋入到在氧化膜206以及集電極201a上形成的槽的n型多晶硅構成的集電極導體201b、埋入到在氧化膜206以及發(fā)射極203a上形成的槽的n型多晶硅構成的發(fā)射極導體203b。
在本實施例中，雖然集電極201以及發(fā)射極203的主面為(100)面，也可以和實施例1、2相同，也可以讓集電極201以及發(fā)射極203的主面為(110)面，側面為平滑的(111)面。在集電極201以及發(fā)射極203內(nèi)摻入了濃度約為1×1018·原子·cm-3的磷。另外，在本實施例中，內(nèi)部基極層202a雖然由包含濃度約為5×1018·原子·cm-3的硼、由表達式Si0．7Ge0．3組成的SiGe層所構成，但是也可以包含微量C(例如2％程度)，通過包含微量的C，特別是對于防止雜質(zhì)的擴散具有很大效果。在集電極導體201b、發(fā)射極導體203b以及外部基極層202b中摻入濃度約為1×1020·原子·cm-3以上的磷。
然后，參照圖7(a)～(e)說明本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造工序。圖7(a)～(e)為表示本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造工序的剖視圖。
首先，在圖7(a)所示的工序中，形成由Si基板250、由硅氧化膜構成的BOX層251、在BOX層251上形成的Si膜(半導體層)構成的SOI基板。半導體層252的厚度約為200nm，在半導體層252內(nèi)摻入濃度約為1×1018·原子·cm-3以上的磷。
然后，在圖7(b)所示的工序中，在半導體層252上形成氧化膜206，在氧化膜206的中央部形成槽207之后，在圖7(c)所示的工序中，讓槽207貫通到半導體層252。
然后，在圖7(d)所示的工序中，通過CVD或者UHV-CVD，從槽207的兩側，外延生長Si0．7Ge0．3，并在槽207的中央合體埋入到槽207內(nèi)形成內(nèi)部基極層202a。這時，通過現(xiàn)場摻雜，讓內(nèi)部基極層202a包含濃度約為5×1018·原子·cm-3的硼。然后，在氧化膜206中離開槽約200nm的兩側的區(qū)域上用干蝕刻形成槽，進一步，用濕蝕刻擴大到半導體層252形成槽208、209。這時，通過濕蝕刻的等方性蝕刻作用，將槽208、209向橫方向擴大，讓其端部到達離開槽207約100nm的位置處。
然后，在圖7(e)所示的工序中，在槽208、209內(nèi)埋入鋁等金屬，形成集電極導體201b和發(fā)射極導體203b。進一步，在基板上，沉積摻入了高濃度的硼后的多晶硅膜之后，對其模樣化，在槽207中形成與內(nèi)部基極層202a接觸的外部基極層202b。
依據(jù)本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管，由于內(nèi)部基極層202a是由采用外延生長形成的SiGe層所構成，如上所述，可以形成比較急劇的濃度分布的異質(zhì)結構造。
此外，依據(jù)本實施例的方法，由于內(nèi)部基極層202a和外部基極層202b采用自動對準連接，可以減小寄生阻抗，特別是顯著降低寄生電容。又，由于集電極導體201b和發(fā)射極導體203b可以由埋入金屬構成，可以減少各導體的寄生阻抗，形成特性良好的橫型異質(zhì)結雙極三極管。
實施例4圖8為表示實施例4的橫型異質(zhì)結雙極三極管的俯視圖。在本實施例中，雖然省略了俯視圖，本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管具有和上述實施例3基本相同的平面構造。
如圖8所示，本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管具有和上述實施例3基本相同的構造，但發(fā)射極203a和集電極201a中相互具有不同的雜質(zhì)濃度。其他構造和實施例3相同。
即，在本實施例中，在發(fā)射極203a中摻入約為1×1020·原子·cm-3的高濃度的銻(Sb)，在集電極201a中摻入約為1×1017·原子·cm-3的比較低的濃度的銻(Sb)。這樣通過分別在發(fā)射極203a和集電極201a中摻入最適合濃度的雜質(zhì)，可以從發(fā)射極203a經(jīng)過內(nèi)部基極層202a向集電極201a有效注入電子，在本實施例中，加上上述實施例3的效果，可以實現(xiàn)高速并且高增益的三極管動作。
然后，參照圖9(a)～(f)說明本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造工序。圖9(a)～(f)為表示本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造工序的剖視圖。
首先，在圖9(a)所示的工序中，形成由Si基板250、由硅氧化膜構成的BOX層251、在BOX層251上形成的Si膜(半導體層)構成的SOI基板。半導體層252的厚度約為200nm。然后，在半導體層252上形成具有比發(fā)射極形成區(qū)域和集電極形成區(qū)域合起來的區(qū)域要寬的開口部的電阻掩膜220，從該電阻掩膜220的上方向半導體層252內(nèi)以在半導體層252內(nèi)形成濃度約為1×1017·原子·cm-3的條件注入銻(Sb)離子。依據(jù)該工序，在半導體層252內(nèi)形成后面將成為集電極的低濃度雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域210和后面將成為發(fā)射極的高濃度雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域211。
然后，在圖9(b)所示的工序中，在半導體層252上形成氧化膜206，在氧化膜206上，形成具有包含注入銻的區(qū)域中的發(fā)射極性形成區(qū)域、并且和形成基極層形成用槽的區(qū)域重疊的開口部的電阻掩膜221，從該電阻掩膜221的上方向半導體層252內(nèi)以在半導體層252內(nèi)形成濃度約為1×1020·原子·cm-3的條件注入銻(Sb)離子。
然后，在圖9(c)所示的工序中，在氧化膜206的中央部形成槽207之后，在圖9(d)所示的工序中，讓槽207貫通到半導體層252。
然后，在圖9(e)所示的工序中，通過CVD或者UHV-CVD，從槽207的兩側，外延生長Si0．7Ge0．3，并在槽207的中央合體埋入到槽207內(nèi)形成內(nèi)部基極層202a。這時，通過現(xiàn)場摻雜，讓基極層202a包含濃度約為5×1018·原子·cm-3的硼。然后，在氧化膜206中離開槽約200nm的兩側的區(qū)域上用干蝕刻形成槽，進一步，用濕蝕刻擴大到半導體層252以及低濃度雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域210形成槽208，和擴大到半導體層252以及高濃度雜質(zhì)注入?yún)^(qū)域211形成槽209。這時，通過濕蝕刻的等方性蝕刻作用，將槽208、209向橫方向擴大，讓其端部到達離開槽207約100nm的位置處。
然后，在圖9(f)所示的工序中，在槽208、209內(nèi)埋入鋁等金屬，形成集電極導體201b和發(fā)射極導體203b。進一步，在基板上，堆積摻入了高濃度的硼后的多晶硅膜之后，對其模樣化，在槽207中形成與內(nèi)部基極層202a接觸的外部基極層202b。
依據(jù)本實施例的橫型異質(zhì)結雙極三極管，由于發(fā)射極203a、集電極201a的雜質(zhì)濃度可以根據(jù)雙極三極管的動作調(diào)整適當?shù)臐舛?，再加上和上述實施?相同的效果，通過簡單的工序，可以實現(xiàn)發(fā)射極203a、集電極201a的相互不同的雜質(zhì)濃度分布。
如上所述，本發(fā)明通過在SOI基板上的簡單的工序可以形成具有SiGeC的基極層并且寄生電容和寄生阻抗小可以高速動作的橫型異質(zhì)結雙極三極管。
權利要求
1．一種橫型異質(zhì)結雙極三極管，其特征是包括具有絕緣層的基板、在所述絕緣層上設置的臺面狀的第1半導體層、在所述第1半導體層的側面通過外延生長形成和所述第1半導體層的帶隙不同的第2半導體層、在所述第2半導體層的側面通過外延生長形成和所述第2半導體層的帶隙不同的第3半導體層，所述第2半導體層的至少一部分成為第2導電型的內(nèi)部基極層。
2．根據(jù)權利要求1所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管，其特征是至少所述第1半導體層成為第1導電型的集電極、所述第3半導體層的至少一部分成為第1導電型的發(fā)射極動作區(qū)域。
3．根據(jù)權利要求1所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管，其特征是進一步包括和所述第2半導體層接觸的第2導電型的外部基極層。
4．根據(jù)權利要求1所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管，其特征是所述第2半導體層的帶隙比所述第3半導體層的帶隙要小。
5．根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管，其特征是所述第1以及第3半導體層由硅層構成，所述第2半導體層由包含Si、Ge以及C中至少任兩種的合金構成。
6．根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管，其特征是所述第1半導體層的主面為{110}面，所述第1半導體層的與所述第2半導體層接觸的側面為{111}面。
7．一種橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法，其特征是包括絕緣層上設置了半導體層形成的基板的所述半導體層上形成蝕刻掩膜的工序(a)、利用所述蝕刻掩膜、通過包含干蝕刻的蝕刻對所述半導體層模樣化形成臺面狀的第1半導體層的工序(b)、在所述第1半導體層的至少一個側面上外延生長和所述第1半導體層的帶隙不同的第2半導體層的工序(c)、在所述第2半導體層的側面上外延生長和所述第2半導體層的帶隙不同的第3半導體層的工序(d)，至少所述第1半導體層作為第1導電型的集電極作用，述第2半導體層的至少一部分作為第2導電型的內(nèi)部基極層作用，所述第3半導體層的至少一部分作為第1導電型的發(fā)射極動作區(qū)域作用。
8．根據(jù)權利要求7所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法，其特征是在所述工序(b)中，由干蝕刻對所述半導體層模樣化成蝕刻掩膜的形狀之后，在留下所述蝕刻掩膜的狀態(tài)下通過對模樣化后的所述半導體層的側部濕蝕刻，形成所述第1半導體層。
9．根據(jù)權利要求7所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法，其特征是在所述工序(d)之后，進一步包括基板上沉積多結晶半導體層的工序(e)和用CMP平坦化所述多結晶半導體層、形成至少與所述第3半導體層接觸的發(fā)射極的工序(f)。
10．根據(jù)權利要求7所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法，其特征是在所述工序(e)中和之后，進一步包括分別在所述多結晶半導體層的第1區(qū)域?qū)氲?導電型雜質(zhì)，在第2區(qū)域?qū)氲?導電型雜質(zhì)，除去所述多結晶半導體層中至少位于所述第1、第2區(qū)域之間的部分，從所述第1區(qū)域中形成與所述第3半導體層接觸的發(fā)射極，另一方面從所述第2區(qū)域中形成與所述第2半導體層接觸的外部基極層的工序(g)。
11．根據(jù)權利要求10所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法，其特征是所述雜質(zhì)的導入采用掩膜通過離子注入進行。
12．根據(jù)權利要求11所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法，其特征是所述工序(g)通過濕蝕刻進行。
13．根據(jù)權利要求7～12中任一項所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法，其特征是在所述工序(a)中，作為所述絕緣層上半導體層采用主面為{110}面的半導體，并且在所述工序(b)中，讓所述第1半導體層的與所述第2半導體層接觸的側面成為{111}面來形成所述蝕刻掩膜。
14．根據(jù)權利要求7～12中任一項所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法，其特征是在所述工序(b)中，采用包含乙二胺、鄰苯二酚、KOH、聯(lián)氨中至少一個的蝕刻液進行結晶異方性蝕刻。
15．一種橫型異質(zhì)結雙極三極管，是在絕緣層上設置的橫型異質(zhì)結雙極三極管，其特征是包括成為集電極的第1半導體層、和所述第1半導體層的至少一個側面接觸所設置的、比所述第1半導體層的帶隙要小的成為內(nèi)部基極層的第2半導體層、和所述第2半導體層的至少一個側面接觸所設置的、比所述第2半導體層的帶隙要大的成為發(fā)射極的第3半導體層、與所述第1、第3半導體層的側面接觸的第1電極以及第2電極、與所述第2半導體層的上面接觸所設置的第3電極。
16．根據(jù)權利要求15所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管，其特征是所述第1、第2電極由金屬構成。
17．一種橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法，其特征是包括在絕緣層上設置了包含第1導電型雜質(zhì)的第1半導體層所形成的基板的所述第1半導體層中導入第1導電型雜質(zhì)的工序(a)、在所述第1半導體層上形成具有寬度為200nm以下的槽的蝕刻掩膜的工序(b)、利用所述蝕刻掩膜進行蝕刻、除去位于所述半導體層的所述槽的下方的部分形成貫通所述第1半導體層的槽的的工序(c)、從所述第1半導體層的所述槽的兩側面外延生長和所述第1半導體層的帶隙不同的第2半導體層并讓其埋入所述槽的的工序(d)、所述絕緣層中所述槽的兩側位于所述第1半導體層的上方的區(qū)域形成開口部的的工序(e)、從所述絕緣層的所述開口部進行所述第1半導體層的濕蝕刻形成空隙部、同時在所述第2半導體層的兩側上留下所述第1半導體層的各一部分的的工序(f)、形成埋入所述空隙部的第1、第2電極的的工序(g)、形成埋入所述絕緣層的槽中與所述第2半導體層接觸的第3電極的工序(h)，所述第1半導體層中殘留在所述第2半導體層的兩側的所述各一部分作為集電極、發(fā)射極動作區(qū)域作用，所述第2半導體層作為內(nèi)部基極層作用。
18．根據(jù)權利要求17所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法，其特征是在所述工序(f)中，采用包含乙二胺、鄰苯二酚、KOH以及聯(lián)氨中至少一個進行晶體各向異性蝕刻。
19．根據(jù)權利要求17所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法，其特征是在所述工序(a)中，進行在所述第1半導體層中注入第1導電型雜質(zhì)離子的第1次離子注入和在所述第1半導體層中的一部分中注入比所述第1次的離子注入的濃度要高的雜質(zhì)離子的第2次離子注入，所述集電極由所述第1半導體層中沒有進行所述第2次離子注入而只進行了所述第1次離子注入的部分形成，所述發(fā)射極動作區(qū)域由所述第1半導體層中進行所述第1、第2次離子注入的部分形成。
20．根據(jù)權利要求17～19中任一項所述的橫型異質(zhì)結雙極三極管的制造方法，其特征是所述第1半導體層采用硅層，作為所述第2半導體層，采用包含Si、Ge、C中至少兩種的合金。
全文摘要
一種橫型異質(zhì)結雙極三極管及其制造方法是由積層Si基板、BOX層以及半導體層形成所謂的SOI構造。然后,在半導體層中,具有由硅構成的集電極、圍繞集電極的SiGeC/Si層、n型多晶硅構成的發(fā)射極和外部基極層。內(nèi)部基極層由Si
文檔編號H01L21/331GK1294414SQ0013002
公開日2001年5月9日 申請日期2000年10月23日 優(yōu)先權日1999年10月21日
發(fā)明者幸康一郎, 久保實 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社