合成反鐵磁讀取器的制造方法
【專利摘要】本申請公開了合成反鐵磁讀取器。本文公開的實施方式提供了一種裝置，包括合成的反鐵磁讀取器結構，其中釘扎層的總磁矩顯著大于參考層的總磁矩。在一種實施方式中，顯著減小釘扎層的釘扎強度。
【專利說明】
合成反鐵磁讀取器
【背景技術】
[0001]在電子數(shù)據(jù)存儲設備中，磁硬盤驅動器包含磁記錄頭，該磁記錄頭讀取和寫入在有形磁存儲介質中編碼的數(shù)據(jù)。磁記錄頭可包括呈現(xiàn)磁阻的薄膜多層結構。從磁存儲介質的表面檢測的磁通引起磁記錄頭內的磁阻(MR)傳感器內的一個或多個傳感層的磁化向量的旋轉，這繼而引起MR傳感器的電阻率的變化。通過使電流穿過MR傳感器并測量跨過MR傳感器的電壓的所產生的變化，可檢測跨MR傳感器的電阻率的變化。相關電路可將測量的電壓變化信息轉換成適當?shù)母袷?，并處理該信息以恢復在磁存儲介質上編碼的數(shù)據(jù)。
【發(fā)明內容】
[0002]本文公開的實施方式提供一種裝置，包括合成的反鐵磁結構，其中釘扎層的總磁矩顯著大于參考層的總磁矩。在一種實施方式中，顯著減小釘扎層的釘扎強度。
[0003]提供本
【發(fā)明內容】
，以簡化形式介紹下面在【具體實施方式】中進一步描述的概念的選擇。本
【發(fā)明內容】
不旨在標識所要求保護的主題的關鍵特征或必要特征，也不旨在用于限制所要求保護的主題的范圍。所要求保護的主題的其它特征、細節(jié)、功用和優(yōu)點將從以下更具體撰寫的各種實施方式的【具體實施方式】和如在附圖中進一步圖示并在所附權利要求中限定的實施方式中顯而易見。
【附圖說明】
[0004]圖1圖示包括本文公開的讀取器的示例磁盤驅動器組件的平面圖。
[0005]圖2圖示讀取器中的磁化和磁化旋轉的示例性三維視圖。
[0006]圖3圖示在介質轉變(transit1n)的沿磁道向下(downtrack)回讀期間圖2中讀取器的自由層角導數(shù)的示例性圖形描繪。
[0007]圖4圖示在介質轉變的沿磁道向下回讀期間圖2中讀取器的參考層角導數(shù)的示例性圖形描繪。
[0008]圖5圖示介質轉變的沿磁道向下回讀期間在示例性讀取器中的信號導數(shù)的圖形描繪。
[0009]圖6圖示對于具有不同SAF比的讀取器的PW50對SAF釘扎的示例性圖形描繪。
【具體實施方式】
[0010]對于高數(shù)據(jù)密度和用于從磁存儲介質讀取數(shù)據(jù)的敏感的傳感器，存在日益增加的需求。隨著磁存儲介質上數(shù)據(jù)密度的增加，具有增加的敏感性的巨磁阻(GMR)傳感器包括兩個軟磁層，兩個軟磁層由薄導電的非磁間隔物層(諸如銅)分隔。隧道磁阻(TMR)傳感器提供對GMR的擴展，其中電子跨過薄絕緣隧道勢皇而與取向垂直于磁層的其自旋一起行進。
[0011]在TMR傳感器中，傳感器堆疊可位于頂部屏蔽和底部屏蔽之間。屏蔽將傳感器堆疊和不想要的電磁干擾隔離，但還允許傳感器堆疊受傳感器正下方的數(shù)據(jù)位的磁場的直接影響。
[0012]在磁阻(MR)傳感器(也被稱為“讀取傳感器”)的一個實施方式中，傳感器堆疊可包括種子層、反鐵磁(AFM)層、合成的反鐵磁(SAF)結構、隧穿勢皇層、自由層(FL)以及覆蓋層。SAF結構可包括多個薄鐵磁層、正由薄的非磁層分離的一個或多個層對。例如，SAF結構可包括釘扎層(PL)、耦合隔離物層以及參考層(RL)。耦合隔離物層可由諸如釕的材料構成。PL是具有抑制的旋轉的第一軟磁層。在SAF結構的一側，AFM層可位于鄰近于SAF結構的PL，以防止它旋轉。在SAF結構的另一側，F(xiàn)L(響應于外部場而自由旋轉的第二軟層)可位于RL附近。
[0013]在一個實施方式中，釘扎PL使得PL的磁化的磁矩垂直于傳感器堆疊的空氣支承面(ABS)。類似地，釘扎RL使得RL的磁化的磁矩也垂直于ABS。然而，RL和PL的磁化方向相反或者彼此偏離180度。
[0014]另一方面，偏置FL，使得FL的磁化的磁矩與PL與RL的釘扎基本成90度。換言之，F(xiàn)L的磁化的方向平行于ABS的表面。具體而言，F(xiàn)L的磁化的方向通常平行于ABS的表面，并且在與磁化介質上方的MR傳感器的運動垂直的方向的跨磁道方向上。在來自記錄介質的磁場變化期間，RL的磁矩的方向和FL的磁矩的方向在相反方向上旋轉。具體而言，在MR傳感器的操作期間，MR傳感器暴露于來自于記錄介質的磁場范圍，從正場到負場。隨著場變化，堆疊的各種磁層的磁矩方向旋轉，從而產生信號。
[0015]隨著MR傳感器在磁記錄介質的表面上移動，PL的釘扎通常保持與MR傳感器的ABS基本接近成90度。然而，取決于磁記錄介質的磁化，F(xiàn)L的磁化變化，從而改變RL和FL的磁化之間的角，這產生了與由記錄介質生成的隧穿磁阻成正比的信號。
[0016]為了正確地操作MR傳感器，應當使MR傳感器對邊緣疇的形成穩(wěn)定，因為疇壁運動導致使得數(shù)據(jù)恢復困難的電噪聲。獲得穩(wěn)定化的一種方式是通過在MR傳感器的每一側上沿著跨磁道方向放置偏置結構，諸如具有高矯頑場的永久磁鐵(PM)(即硬磁體)。來自PM的場穩(wěn)定傳感器，并且阻止邊緣疇形成，以及提供合適的偏置。例如，MR傳感器被放置在PM之間，使得PM在相反的方向上推動RL和PL的釘扎。
[0017]使用如上公開的MR傳感器中的AFM/SAF結構增加讀取器的屏蔽到屏蔽間距(SSS) O因為確定記錄系統(tǒng)中信噪(SNR)比的MR傳感器的脈沖寬度波動PW50取決于頭部的SSS，實現(xiàn)較低的SSS導致較低的PW50和增加的信噪比。然而，已很大程度上耗盡通過減小SSS而減小SNR的方法。本文公開的實施方式提供增加MR傳感器的SNR的替代方法。具體而言，本文公開的實施方式提供MR傳感器，包括SAF結構，其中釘扎層的磁矩大于參考層的磁矩。由于所述設計，SAF顯著地不平衡有利于(in favor of)PL0此外，顯著減弱釘扎強度，以允許在回讀期間的顯著的PL磁化旋轉。
[0018]可平衡SAF結構的磁矩，以在回讀操作期間實現(xiàn)盡可能少的復合SAF結構磁矩中的運動。在這樣一種實施方式中，如由SAF結構中PL和RL的磁矩厚度MrT給出的總磁矩(其是鐵磁材料的每個單位體積的磁矩(Mr)和鐵磁材料的物理厚度(T)的乘積)基本相同或相似，并且PL和RL的磁矩的方向基本彼此相反。結果，在回讀操作期間施加到PL和RL的磁矩的轉矩互相抵消，導致轉矩的整體期望的值基本接近零。
[0019]在公開的實施方式中，對PL有利地使SAF結構不平衡，這是因為PL的磁矩顯著高于RL的磁矩。當對PL有利地使SAF不平衡時，增加PL的MrT，其結果是在存在介質場時PL中的磁轉矩高于存在介質場時RL中的磁轉矩。因為MrT是磁矩和厚度的乘積，通過改變PL的厚度或者改變PL的磁矩，可以使SAF結構不平衡。從而，在一個實施方式中，與RL的磁矩相比，可增加PL的磁矩以使SAF結構不平衡。在另一個實施方式中，與RL的厚度相比，可增加PL的厚度以使SAF結構不平衡。
[0020]在本文公開的SAF結構的替代實施方式中，顯著減小PL的釘扎強度，以便實現(xiàn)在介質場存在時的增加的SAF旋轉。RL耦合到PL，因此當減小PL的釘扎強度時，給定的介質場強度能夠由于PL的減小的釘扎強度而使RL旋轉更多。由于SAF結構的不平衡和/或減小的釘扎強度，減小脈沖寬度PW50。從而，本文公開的實施方式允許為記錄系統(tǒng)減小PW50并增加SNR，而不減小MR傳感器的SSS。在又一個實施方式中，既顯著減小PL的釘扎強度又采用不平衡的SAF結構。在又一個替代實施方式中，既顯著減小PL的釘扎強度又采用不平衡的SAF結構。
[0021]MrT的不平衡通過如下式來量化:SAF比(SAF_R) = PL的MrT/RL的MrT。通常，平衡SAF結構，使得SAF_R顯著接近于1.0。同時，SAF_R可能在1.0周圍稍微變化，具有大于1.1的SAF_R的SAF結構被認為是顯著不平衡。例如，如果SAF_R是2，則PL的MrT是RL的MrT的量的兩倍，因此，SAF結構中釘扎層的總磁矩MrT顯著大于在這種SAF結構中的參考層的總磁矩MrT。
[0022]在一個實施方式中，SAF_R可從0.85-1.0的范圍增加到1.1或1.1以上。通過將釘扎層的磁矩(Mr)和參考層的磁矩(MR)的比增加到1.1以上，同時保持釘扎層和參考層的厚度類似，增加到1.1或1.1以上。在替代的實施方式中，通過將釘扎層的厚度和參考層的厚度的比增加到1.1以上，同時保持釘扎層和參考層的磁矩(Mr)類似，
增加到1.1或1.1以上。此外，在實施方式中的釘扎強度(以erg/cm2為單位測量)可減小多達3-10倍。
[0023]可結合各種不同類型的MR傳感器(例如各向異性磁阻(AMR)傳感器、TMR傳感器、GMR傳感器等)使用本文公開的實施方式。因此，討論的實施方式也可適用于新的MR傳感器設計，新的MR傳感器設計基于新的物理現(xiàn)象，諸如橫向自旋閥(LSV)、自旋霍爾效應(SHE)、自旋扭矩振蕩(STO)等。
[0024]圖1圖示示例性的盤驅動器組件100的平面圖。示例性的盤驅動器組件100包括在介質盤108上方放置的致動器臂110的遠端上的滑塊120。圍繞旋轉的致動器軸106旋轉的旋轉音圈電機用于在數(shù)據(jù)磁道(例如數(shù)據(jù)磁道140)上定位滑塊120，并且圍繞旋轉的盤軸111旋轉的主軸(spindle)電動機用于旋轉介質盤108。具體參照視圖A，介質盤108包括外徑102與內徑104，其之間是由圓形虛線圖示的許多數(shù)據(jù)磁道，諸如數(shù)據(jù)磁道140。在操作期間，柔性電纜130為滑塊120提供必要的電氣連接路徑，同時允許致動器臂110的樞轉運動。
[0025]滑塊120是具有執(zhí)行各種各樣功能的各種各樣的層的層疊結構?；瑝K120包括寫入器部分(未示出)和用于從介質盤108讀取數(shù)據(jù)的一個或多個MR傳感器。視圖B圖示當使用盤驅動組件100時面向介質盤108的ABS的示例性MR傳感器130的側面。從而，當可操作地附連到視圖A中所示的滑塊120時，視圖B中所示的MR傳感器130可圍繞(例如圍繞z軸)旋轉達大約180度。
[0026]MR傳感器130利用磁阻來從介質盤108讀取數(shù)據(jù)。雖然MR傳感器130的確切性質可廣泛地變化，但TMR傳感器被描述為可與目前公開的技術一起利用的MR傳感器的一個示例。
[0027]MR傳感器130包括位于頂部屏蔽114和底部屏蔽112之間的傳感器堆疊132。頂部屏蔽114和底部屏蔽112隔離傳感器堆疊132以使其免受電磁干擾，主要是z方向(沿磁道向下)干擾，并且充當連接到處理電子器件(未示出)的導電的第一和第二電導線。在一個實施方式中，底部屏蔽112和頂部屏蔽114允許傳感器堆疊130受MR傳感器130下方的數(shù)據(jù)位的磁場的直接影響，同時減小或阻止其它鄰近數(shù)據(jù)位的磁場干擾。因此，隨著位的物理尺寸繼續(xù)減少，底部屏蔽和頂部屏蔽114之間的屏蔽到屏蔽間距(SSS)屏蔽112也應當減少。隨著SSS減少，PW50也減少。
[0028]傳感器堆疊132可包括發(fā)起傳感器堆疊132的其它層中期望的顆粒結構的種子層138。傳感器堆疊132還包括AFM層116和SAF結構117。SAF結構117包括釘扎層(PL) 118、耦合間隔物層134和參考層(RL) 122。PL 118是軟磁層，具有在給定方向上由AFM層116偏置的磁取向。耦合間隔物層134鄰近于PL 118，并且將PL 118與RL 122分離。RL 122包括層疊在一起并通過隔離物層134反鐵磁地耦合到PL 118的至少兩個軟磁層。由于這種耦合，RL 122和PL 118的磁矩通常定向垂直于圖1的平面并且彼此反向平行。
[0029]MR傳感器100進一步包括具有磁矩的自由層(FL) 124，自由層124在感興趣的范圍中施加的磁場的影響下自由旋轉。根據(jù)另一個實施方式，F(xiàn)L 124的兩個或多個軟磁層通過無定形磁材料的薄層層疊在儀器。無定形磁材料增加軟磁層的親合強度，并改善MR傳感器100的穩(wěn)定性。
[0030]隧穿勢皇層126將RL 122與FL堆疊124分離。隧穿勢皇層126足夠薄，以實現(xiàn)RL 122和FL 124之間的量子力學電子隧穿。電子隧穿是電子自旋相關的，使得讀取頭130的磁響應是FL 124和SAF結構117 (即包括RL 122,PL 118和耦合間隔物層134的結構)的相對取向和自旋極化的函數(shù)。當SAF結構117和自由層堆疊124的磁矩反向平行時，電子隧穿的最低概率發(fā)生。因此，傳感器堆疊132的電阻響應于施加的磁場而變化。
[0031]傳感器堆疊132進一步包括覆蓋層128。覆蓋層128將自由層堆疊124與頂部屏蔽114磁分離。覆蓋層128可包括幾個單獨的層(未示出)。此外，傳感器堆疊132可位于沿跨磁道方向(沿X軸)的傳感器堆疊132的兩側上的兩個永磁體(PM)(未示出)之間。
[0032]介質盤108上的數(shù)據(jù)位在垂直于圖1的平面的方向上(進入該圖的平面的方向或離開該圖的平面的方向)被磁化。從而，當MR傳感器130在數(shù)據(jù)位上方通過時，自由層的磁矩旋轉成進入圖1的平面或者從圖1的平面離開，從而改變MR傳感器130的電阻?；趶鸟詈系紸FM層116的第一電極流到耦合到覆蓋層128的第二電極的電流，因此可確定正由MR傳感器130感測的位的值(例如或者是I或者是O)。
[0033]根據(jù)一個實施方式，SAF結構117中PL 118的MrT大于SAF結構117中RL 122的MrT0如上所提供的，由于公開的設計，對PL 118有利地使SAF顯著不平衡。分別與RL 122的磁矩或RL 122的厚度相比，通過增加PL 118的磁矩或者通過增加PL 118的厚度，可實現(xiàn)PL 118的增加的MrT。此外，還可顯著地減小PL 118的釘扎強度，以便實現(xiàn)在介質場存在時的顯著的SAF旋轉。由于SAF結構117的不平衡和/或減小的釘扎強度，MR傳感器130的脈沖寬度波動PW50減小，這導致在使用MR傳感器117的記錄系統(tǒng)中減小的信噪(SNR)比。從而，MR傳感器130為記錄系統(tǒng)提供增加的SNR而不減小傳感器堆疊117的SSS。
[0034]圖2圖示在本文公開的實施方式中的讀取器中磁化和磁化旋轉的二維視圖200。傳感器堆疊中SAF結構的PL和RL的磁化由實線箭頭圖示，而磁化的旋轉由虛線箭頭圖示。具體而言，RL的磁化由202圖示，而PL的磁化202由204公開，而RL磁化的旋轉由206圖示，而PL磁化204的旋轉由208圖示。正如所圖示的，RL的磁化202和PL的磁化204在方向上基本彼此相反(雖然不完全相反或處于180度)。另一方面，偏置傳感器結構的FLJi得FL磁化218與PL磁化204和RL磁化202基本成90度。介質場212使FL磁化218如由旋轉的方向220旋轉。
[0035]在一個實施方式中，在對PL有利地使SAF結構不平衡的情況下，與RL磁化202相比，PL磁化204具有更高的磁矩。此外，減小PL的釘扎強度，使得在存在介質場212時，PL磁化204在方向208上更自由地旋轉。PL通過位于包括PL的SAF結構的底部的AFM層被釘扎。
[0036]SAF結構可位于沿著產生PM場210的PM之間的跨磁道方向。PM場210用平行于圖的平面并且通常水平取向的磁矩來偏置FL。這種偏置阻止FL磁化218飄移(這種飄移可將噪聲引入到數(shù)據(jù)中)。PM場210偏置足夠小，然而，F(xiàn)L磁化218可響應于對數(shù)據(jù)盤上存儲的數(shù)據(jù)位施加的介質場212而改變。
[0037]介質場212沿逆時針方向對PL磁化204上施加力，并在順時針方向對RL磁化202上施加力。在一個實施方式中，對PL有利地使SAF結構顯著地不平衡，并且PL的釘扎強度顯著減小。例如，可通過提供比RL厚的PL而使SAF結構不平衡。結果，PL磁化204和RL磁化202上有效合成的轉矩是逆時針的。此外，減小的釘扎強度導致在存在介質場212時RL磁化202在與FL磁化218的旋轉220相同的方向上但具有相移的增加的旋轉。
[0038]由傳感器堆疊形成的數(shù)據(jù)信號取決于跨RL和AFM生成的脈沖(RL脈沖)以及跨FL和AFM生成的脈沖(FL脈沖)。由于SAF和FL的不同的沿磁道向下位置，RL脈沖相對于FL脈沖相移，并且在形成數(shù)據(jù)場時，從主要在一側的FL脈沖中減去RL脈沖。這導致縮小在RL側上的數(shù)據(jù)信號脈沖，導致減小的PW50。
[0039]圖3圖示FL角導數(shù)(即AFL角/Δ位置)的圖300，作為具有如本文公開的不平衡SAF結構的讀取器中的沿磁道向下方向上的讀取器位置的函數(shù)。具體而言，圖300圖示:隨著介質正相對于讀取器移動，在寫入到介質中的數(shù)據(jù)位上方的讀取器的單個轉換期間，作為讀取器位置變化(以nm為單位)的函數(shù)的FL角導數(shù)的變化。當讀取器穿過轉變時，F(xiàn)L磁化的位置變化，正如由FL磁化的角所反映。當讀取器穿過轉變時，F(xiàn)L峰值位置被描繪為在大約-57納米處的虛線A，在該實施方式中具有以大約4.8度/5nm的FL磁化角導數(shù)。
[0040]圖4圖示讀取器的RL角導數(shù)的圖400，作為具有如本文公開的不平衡SAF結構的讀取器中的沿磁道向下方向上的讀取器位置的函數(shù)。具體而言，圖400圖示:隨著介質正相對于讀取器移動，在寫入到介質中的數(shù)據(jù)位上方的讀取器的單個轉換期間，作為讀取器位置變化(以nm為單位)的函數(shù)的RL角導數(shù)的變化。圖400圖示對于各種各樣的不同釘扎強度(1.1,0.5,0.2和0.1 erg/cm2)的對于1.8的SAF比(PL的MrT/RL的MrT)的讀取器的RL角導數(shù)和位置之間的這種關系。
[0041]RL磁化的運動取決于SAF結構的釘扎強度，其中較低釘扎強度導致如圖4中圖示的較高曲線運動。如本文公開的SAF釘扎減小和對PL有利地使SAF再平衡導致RL磁化的較高運動，以及因此用于在存在介質場時的RL角偏差的較高幅度。如圖4中圖示，RL磁化的移動在FL磁化的方向上。
[0042]在信號形成中，RL脈沖相對于主要在一側上的FL脈沖移位。結果，在RL側上縮小信號脈沖。RL磁化角導數(shù)的最大值由虛線B示出。虛線A是最大FL磁化角導數(shù)的位置。因為RL脈沖在和FL脈沖相同的方向上移動，這種設計減小主要在RL側上的FL磁化和RL磁化之間的相對角的變化。
[0043]圖5圖示示例性的轉變回讀導數(shù)(脈沖形狀，通常正比于FL-RL角導數(shù))的圖500，作為具有如本文公開的不平衡SAF結構的讀取器中的沿磁道向下方向上的讀取器位置的函數(shù)。圖500圖示對于各種各樣的不同釘扎強度(1.1，0.5，0.2和0.lerg/cm2)的對于1.8的SAF比(PL的MrT/RL的MrT)的讀取器的轉變回讀導數(shù)和位置之間的這種關系。正如所圖示的，在具有對PL有利地使SAF結構不平衡的讀取器中的RL磁化旋轉縮小SAF側上的讀取器脈沖，導致更窄的PW50。
[0044]圖6圖示對于各種各樣的SAF比(0.85，1.2，1.5和1.8)的具有如本文公開的不平衡SAF結構的讀取器中的PW50對SAF釘扎的圖600。正如所圖示的，對于較低的釘扎強度，具有較高SAF比的讀取器導致較低的PW50。例如，在1.8的SAF比和小于0.2erg/cm2的SAF釘扎強度時，PW50和大約22.5_23nm 一樣低。與之相比，在1.2的SAF比和類似的釘扎強度時，PW50大約為25-25.5nm。從而，所公開的具有增加的SAF比的實施方式可減小PW50多達2-3nm。PW50中的這種減少相當于大約5-lOnm的SSS的減小，而SSS的該減小可能難以實現(xiàn)。換言之，對于顯著大于1.1的SAF比的值(諸如1.2，1.5，1.8等的SAF比)，所公開的實施方式在PW50中提供顯著的減小。
[0045]以上說明書、示例和數(shù)據(jù)提供發(fā)明的示例性實施方式的結構和使用的完整描述。因為可作出發(fā)明的許多實施方式而不脫離發(fā)明的精神和范圍，本發(fā)明存在于此后所附的權利要求中。此外，可在又一個實施方式中組合不同實施方式的結構特征而不脫離列舉的權利要求。上述實施方式和其它實施方式在以下權利要求的范圍內。
【主權項】
1.一種裝置，包括: 合成反鐵磁(SAF)結構，其中所述SAF結構中的釘扎層的總磁矩MrT顯著大于所述SAF結構中的參考層的總磁矩MrT。2.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，與所述參考層的磁矩(Mr)相比，所述釘扎層的磁矩(Mr)顯著更大，并且所述釘扎層的厚度類似于所述參考層的厚度。3.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中，與所述參考層的厚度相比，所述釘扎層的厚度顯著更大，并且所述釘扎層的磁矩(Mr)類似于所述參考層的磁矩(Mr)。4.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述釘扎層的MrT和所述參考層的MrT之比顯著大于1.1o5.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述釘扎層的釘扎強度顯著低于0.9erg/cm2。6.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述SAF結構用在MR傳感器的傳感器堆疊中。7.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述SAF結構用在釘扎的底部屏蔽中。8.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述釘扎層的磁矩(MR)與所述參考層的磁矩(MR)之比顯著大于1.1，并且其中釘扎層的厚度類似于參考層的厚度。9.根據(jù)權利要求1所述的裝置，其中所述SAF結構的釘扎強度顯著低于0.5erg/cm2010.一種控制傳感器堆疊的PW50的方法，所述方法通過控制所述傳感器堆疊的合成反鐵磁(SAF)結構中的釘扎層的總磁矩MrT與參考層的總磁矩MrT之比來控制所述傳感器堆疊的PW50。11.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中使所述釘扎層的MrT和所述參考層的MrT的磁矩之比增加到顯著高于1.1。12.根據(jù)權利要求10所述的方法，進一步包括:使所述SAF結構的釘扎強度減小到顯著低于 0.9erg/cm2。13.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中控制所述釘扎層的總磁矩MrT與所述參考層的總MrT磁矩之比進一步包括:控制所述釘扎層與所述參考層的磁矩相比的相對磁矩。14.根據(jù)權利要求10所述的方法，其中控制所述釘扎層的總磁矩MrT與所述參考層的總MrT磁矩之比進一步包括:控制所述釘扎層與所述參考層的厚度相比的相對厚度。15.一種控制傳感器堆疊的PW50的方法，所述方法通過使所述傳感器堆疊的合成反鐵磁(SAF)結構不平衡來控制所述傳感器堆疊的PW50。16.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中使所述SAF結構不平衡進一步包括:對釘扎層有利地使SAF結構不平衡，以使所述釘扎層具有與參考層的總磁矩相比更高的總磁矩。17.根據(jù)權利要求15所述的方法，進一步包括:通過減小所述SAF結構的釘扎層的釘扎強度來控制所述傳感器堆疊的PW50。18.根據(jù)權利要求17所述的方法，其中所述釘扎層的釘扎強度低于0.9erg/cm2。19.根據(jù)權利要求15所述的方法，其中使所述SAF結構不平衡進一步包括:使所述SAF結構不平衡以具有高于1.1的SAF比。20.根據(jù)權利要求19所述的方法，其中使所述SAF結構不平衡進一步包括:將所述釘扎層的磁矩(Mr)與所述參考層的磁矩(Mr)之比增加到高于1.2。
【文檔編號】G11B5/187GK105989857SQ201510223858
【公開日】2016年10月5日
【申請日】2015年1月30日
【發(fā)明人】V·B·薩波日尼科夫, T·G·泊克希爾, M·S·U·帕特瓦瑞
【申請人】希捷科技有限公司