專利名稱：三墊式空氣支承磁頭浮動(dòng)塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁頭浮動(dòng)塊，特別是涉及在硬磁盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)中使用的磁頭浮動(dòng)塊制作的方法和設(shè)備。
具有從浮動(dòng)塊的前沿延伸到后沿的縱向外側(cè)軌條形成典型的磁頭空氣支承浮動(dòng)塊。在向后沿橫切浮動(dòng)塊長度以前，磁盤的旋轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)磁道通過的浮動(dòng)塊邊緣稱為前沿。在磁盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)運(yùn)轉(zhuǎn)期間，浮動(dòng)塊的空氣支承面受到供浮動(dòng)塊相對于旋轉(zhuǎn)磁盤飛起的升力的氣流。
空氣支承磁頭浮動(dòng)塊結(jié)構(gòu)的主要目的是使浮動(dòng)塊和它們的傳感器飛起盡可能地緊靠磁盤的表面，以保持穩(wěn)定的嚴(yán)密的間隙，以及大體均勻的飛起高度。例如，在磁盤表面使用薄膜磁頭或很薄的磁膜提供很窄的傳感間隙時(shí)，該嚴(yán)密的間隙使其能記錄短波長信號(hào)，從而能進(jìn)行高密度記錄和增進(jìn)存儲(chǔ)量。由于在磁頭和磁盤間具有穩(wěn)定的間隙。就不會(huì)顯著改變記錄的或讀出的信號(hào)的波幅，大大地增進(jìn)了信號(hào)的分辯率和使數(shù)據(jù)處理更加可靠。
目前，在陶瓷薄片上通過附著多種類的薄膜傳感器制造磁頭浮動(dòng)塊組合件，然后，將薄片切割變?yōu)槌膳诺陌舨模瑏K對棒材進(jìn)行加工，形成具有縱向軌條和在前沿處的坡度區(qū)的空氣支承浮動(dòng)塊。就橫向等壓線浮動(dòng)塊來說，通過腐蝕加工制造軌條和鄰接區(qū)域，例如，活性離子腐蝕加工，離子銑削加工，靜電放電機(jī)械加工或超聲波機(jī)械加工，這些加工方法是費(fèi)時(shí)間的和昂貴的。這些凹槽區(qū)域的腐蝕深度對獲得均勻的飛起高度是至關(guān)重要的。
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供基本上比現(xiàn)有的已知浮動(dòng)塊具有減小尺寸和大大地降低質(zhì)量和重量的磁頭浮動(dòng)塊。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是提供獲得大體上均勻的飛起高度的空氣支承磁頭浮動(dòng)塊。
再一個(gè)目的是提供具有低的起飛速度和在磁盤表面上獲得相對較輕著落的空氣支承浮動(dòng)塊。
再一個(gè)目的是提供具有相對地低的靜摩擦系數(shù)的空氣支承浮動(dòng)塊。
再一個(gè)目的是提供為優(yōu)選浮動(dòng)塊的飛起特性，使能制造多種樣的墊/坡度區(qū)外形的浮動(dòng)塊結(jié)構(gòu)設(shè)備。
再一個(gè)目的是提供具有顯著地節(jié)省時(shí)間和費(fèi)用的制造空氣支承浮動(dòng)塊的改進(jìn)的方法。
另一個(gè)目的是提供能長期耐受起停接觸運(yùn)轉(zhuǎn)的空氣支承浮動(dòng)塊。
根據(jù)本發(fā)明制造的空氣支承浮動(dòng)塊具有三個(gè)墊和鄰接的凹槽。兩個(gè)外側(cè)墊位于浮動(dòng)塊的兩側(cè)，在前沿和兩個(gè)外側(cè)墊之間設(shè)有坡度區(qū)。第三個(gè)中央墊基本上沿浮動(dòng)塊的縱向中心線以后沿延伸，限定薄膜傳感器的傳感間隙的磁極端部放置在浮動(dòng)塊的后沿，並和第三墊的空氣支承面相重合。在墊上倒圓的邊緣消除了鋒利的邊、角。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，凹槽通過機(jī)械鋸切成，但不如用成排的金剛石鋸輪切割更好。在制造期間，許多浮動(dòng)塊元件的成排棒材，錯(cuò)列地放置並加以固定。鋸割裝置按預(yù)定角度橫向切割成排的棒材。通過用精研板研磨形成從前沿伸向外側(cè)墊的坡度的升角。這樣，被加工成的每個(gè)浮動(dòng)塊形成具有相同的空氣支承面結(jié)構(gòu)。或者，通過掩模和其后的離子銑削加工，活性離子腐蝕加工、靜電放電機(jī)械加工或超聲波機(jī)械加工形成各個(gè)墊。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，雙面鋸從浮動(dòng)塊的后端到前端鋸割和單面水平或橫向鋸割可同時(shí)地形成所有被加工的成排棒材的三個(gè)墊、坡度區(qū)和凹槽區(qū)域的幾何結(jié)構(gòu)。對三個(gè)墊的斜邊部分可做各種變型以改變升力，或者在使用旋轉(zhuǎn)磁頭致動(dòng)器的磁盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)中降低對偏斜的敏感性。
在本發(fā)明的各個(gè)具體實(shí)施例中，浮動(dòng)塊的兩個(gè)外側(cè)墊具有傾斜的內(nèi)邊或內(nèi)邊的傾斜部分，兩外側(cè)墊所具形體是為使兩外側(cè)墊的最寬部分，與坡度區(qū)部分相鄰接。在上述實(shí)施例中，第三后墊具有兩條斜邊，每邊分別地平行于兩個(gè)外側(cè)墊的斜邊或斜邊部分。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，具有與坡度區(qū)部分鄰接的最寬部分和朝向浮動(dòng)塊后端的最窄部分形成浮動(dòng)塊相對兩側(cè)邊的兩個(gè)外側(cè)墊。第三后墊具有限定一梯形或三角形的兩條斜邊。在一個(gè)實(shí)施例中，各墊和坡度區(qū)部分基本上是矩形，前墊只有部分軌條從浮動(dòng)塊的前沿伸向后沿。
現(xiàn)參照附圖對本發(fā)明作更詳細(xì)的敘述如下

圖1是根據(jù)本發(fā)明制作的三墊式微型浮動(dòng)塊的橫截平面圖。
圖2A、2B和圖3描繪本發(fā)明的新型浮動(dòng)塊，如微型浮動(dòng)塊和毫微型浮動(dòng)塊的優(yōu)選實(shí)施例。
圖4-12顯示根據(jù)本發(fā)明制成的、可供選擇的空氣支承浮動(dòng)塊結(jié)構(gòu)的橫截平面圖，其中圖7描繪微型浮動(dòng)塊。
圖13是顯示為限定浮動(dòng)塊的三墊式空氣支承面的斜形凹槽形成的示意圖。
圖14是可用于接觸記錄的三墊式浮動(dòng)塊的另一個(gè)可供選擇的實(shí)施例的平面圖。
圖15是圖14所示的可供選擇的浮動(dòng)塊空氣支承面的形狀的示意平面圖。
圖16是圖15的浮動(dòng)塊的立體圖。
為了進(jìn)行說明，具有大約0.160英寸長、0.125英寸寬和0.0345英寸高大小的浮動(dòng)塊稱為全尺寸標(biāo)準(zhǔn)浮動(dòng)塊;具有上述標(biāo)準(zhǔn)浮動(dòng)塊的70%，例如大約0.112英寸長、0.088英寸寬和0.024英寸高大小的浮動(dòng)塊稱為微型浮動(dòng)塊;毫微型浮動(dòng)塊具有大約標(biāo)準(zhǔn)浮動(dòng)塊的50%大小，例如大約0.080英寸長、0.063英寸寬和0.017英寸高。
參看圖1，空氣支承微型浮動(dòng)塊上做有三個(gè)墊10、12和14，對微型浮動(dòng)塊的空氣支承面提供可靠的空氣支承區(qū)域。
通過切割的傾斜間隙或凹槽16和18以及橫斷浮動(dòng)塊的中央部分的橫向間隙或凹槽20形成微型浮動(dòng)塊的凹槽區(qū)域。由機(jī)械鋸裝置用金剛石鋸輪三次切割制成限定三個(gè)墊10、12和14的幾何結(jié)構(gòu)。在浮動(dòng)塊的前沿設(shè)有坡度區(qū)22和24。在具體的實(shí)施例中，相對于浮動(dòng)塊縱軸大約10°角切割制成凹槽16和18。在制作期間，在同一個(gè)精研板上研磨成排棒材的浮動(dòng)塊的所有三個(gè)墊，完成平面控制。浮動(dòng)塊具有大約0.011英寸的坡度區(qū)長度，坡度區(qū)22和24從前沿到墊10和12最好具有大約50分的升角。為形成凹槽的間隙切割大約2-4毫英寸深。雖然在中央顯露的后沿處形成薄膜傳感器的磁觸頭26，但磁觸頭26也可偏心地設(shè)置，以調(diào)偏并獲得穩(wěn)定的飛起高度。圖1所示浮動(dòng)塊的具體實(shí)施例中，在起停接觸試驗(yàn)運(yùn)轉(zhuǎn)中成功地完成了十萬個(gè)周期，並且具有顯著低于常用的現(xiàn)有技術(shù)的雙軌條錐形平面浮動(dòng)塊或橫等壓線(TPC)浮動(dòng)塊的靜摩擦系數(shù)。
圖2A和2B顯示圖1所示浮動(dòng)塊的變型的優(yōu)選實(shí)施例。這些變型特指具有在70%的微型浮動(dòng)塊和毫微型浮動(dòng)塊尺寸規(guī)格范圍內(nèi)的浮動(dòng)塊。在這些結(jié)構(gòu)中，橫向切口3相對于滑塊橫向中心線並不在中央，但是被加工的浮動(dòng)塊，其切口的一個(gè)邊沿靠近橫向中央，而切口的另一個(gè)邊沿更靠近浮動(dòng)塊的后端。坡度區(qū)28和30的內(nèi)露邊與圖1所示坡度區(qū)22和24的斜邊向相反方向傾斜。外露的坡度區(qū)側(cè)邊和前墊32和34的斜邊形成一個(gè)鈍角。外側(cè)前墊32和34朝浮動(dòng)塊的中央橫軸線方向延伸。后墊36是梯形，並且較之圖1浮動(dòng)塊的后墊14減小了尺寸。
在圖2A和2B說明的空氣支承浮動(dòng)塊的結(jié)構(gòu)中，外側(cè)墊32和34具有平行于浮動(dòng)塊主縱軸的側(cè)邊部分，以及傾斜的相鄰的側(cè)邊部分，以便在朝浮動(dòng)塊的后端方向提供變窄的墊。在圖2B中在后緣的梯形第三墊36變窄，是為了在磁盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)運(yùn)轉(zhuǎn)期間，改變施加于浮動(dòng)塊上的升力。
參看圖3，除形成梯形后墊46的斜邊及墊42和44的傾斜變窄部分的傾斜切口之外，還使用兩個(gè)縱向切口，以便形成坡度區(qū)38和40的縱邊及墊42和44的縱邊部分。在圖3浮動(dòng)塊的具體實(shí)施例中，后墊46的斜邊基本上是直線，制造微型浮動(dòng)塊是標(biāo)準(zhǔn)浮動(dòng)塊的70%大小，在常用的3.5英寸磁盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)中使用旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器起飛，飛起高度大約達(dá)到4.5±1微英寸(從磁盤的內(nèi)徑到外徑)，磁盤每分約旋轉(zhuǎn)5400次。
在圖3中坡度38和40呈矩形，而圖4的浮動(dòng)塊具有的坡度區(qū)48和50，它們朝著浮動(dòng)塊前端的內(nèi)緣是傾斜的，坡度區(qū)48和50的斜邊和前外側(cè)墊52和54的斜邊部分56和58是連續(xù)在一條直線上。前墊52和54具有更陡的斜邊部分60和62，與傾斜部分56和58的后部相鄰接。更陡的傾斜部分60和62比傾斜部分56和58更窄，並在浮動(dòng)塊的前端和后端之間延伸到靠近中央。在制造期間，除需要切割不相同斜邊部分56和58的切口外，更陡的斜邊部分60和62還需要單獨(dú)的切口。后墊64呈梯形，它的斜邊是由形成坡度區(qū)48和50的斜邊及傾斜部分56和58的相同切口確定的。
在圖5中，未使用形成圖4結(jié)構(gòu)中的更陡的傾斜部分60和62的切口，因此，坡度區(qū)66和68、外側(cè)前墊70和72以及后墊74的側(cè)邊的角度相同。在一個(gè)實(shí)施例中，切口相對于浮動(dòng)塊的縱軸大約8°。從后端到前端只使用兩次斜切，在浮動(dòng)塊的中央?yún)^(qū)域D仍有助于對浮動(dòng)塊提供額外的升力，如果需要的話，區(qū)域D能用激光燒蝕加工，例如，除去區(qū)域D的一些或全部材料，使升力能按所需要的技術(shù)要求變化。
圖6顯示具有基本上是矩形的坡度區(qū)76和78、外側(cè)前墊80和82以及中央后墊84的三墊式浮動(dòng)塊。在一具體的實(shí)施例中，制成的浮動(dòng)塊在3.5英寸的磁盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)中，相對于每分鐘旋轉(zhuǎn)5400轉(zhuǎn)的磁盤飛起大約3微英寸。坡度區(qū)76和78研磨成大約50分的升角和大約0.011英寸長。與坡度區(qū)76和78相鄰接的兩個(gè)墊80和82制成大約0.015英寸長。形成凹槽區(qū)域的切口的切割深度大約為2-6毫英寸。
在圖7的實(shí)施例中，只需兩次斜切便可形成三個(gè)坡度區(qū)86、88和90以及從浮動(dòng)塊后端各自地伸向三個(gè)坡度區(qū)86、88和90的三個(gè)細(xì)長的墊92、94和96。相對于浮動(dòng)塊中央軸大約10°角切割成斜的凹槽。只需兩個(gè)切口便可形成在三個(gè)墊和坡度區(qū)之間的區(qū)域。在本結(jié)構(gòu)的空氣支承浮動(dòng)塊的運(yùn)轉(zhuǎn)期間，進(jìn)入的氣流通過凹槽98和100分流，並等距地從浮動(dòng)塊后端的傳感間隙流出。
圖8顯示圖7浮動(dòng)塊的變型結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中沒有使用中央坡度區(qū)。坡度區(qū)86和88以及前外側(cè)墊92和94仍保留相同的形狀。然而增大了切口的寬度，是為了消除中央坡度區(qū)和使中央墊110變窄，並縮短了長度減小為形成窄三角形的面積。
圖9顯示圖7浮動(dòng)塊的另一種變型結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，在形成墊102和104以及坡度區(qū)86和88的斜邊，以及形成中央墊96和坡度區(qū)90的斜向切口的切割完成之后，用鋸移至浮動(dòng)塊縱向的中間以便切割外側(cè)墊102和104。
圖10是圖9的外側(cè)墊102和104與圖8的三角形中央墊110的混合型結(jié)構(gòu)。
在圖11中，現(xiàn)有技術(shù)浮動(dòng)塊包括三個(gè)基本上是矩形的坡度區(qū)112、114和116，中央坡度區(qū)116很窄，並鄰接于中央錐形墊112，中央錐形墊112隨其從坡度區(qū)116向浮動(dòng)塊后端延伸而逐漸加寬。具有斜邊部分124和126的前外側(cè)墊118和120各自地與錐體112和114相鄰接。中間形成的矩形部分128和130和后面的墊部分128和130相毗連、部分地沿浮動(dòng)塊的兩側(cè)延伸並超越浮動(dòng)塊長度的中點(diǎn)。
圖12顯示圖11的結(jié)構(gòu)的變型結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中沒有中央錐形墊，浮動(dòng)塊具有矩形坡度區(qū)112和114以及前外側(cè)墊118和120，這些與圖11相似。然而，具有頂點(diǎn)在與墊118和120相鄰接的坡度區(qū)112和114的兩端之間的中點(diǎn)的三角形形成中央墊122。
圖13說明形成能夠提供期望的浮動(dòng)塊空氣支承面的墊的凹槽的新技術(shù)。為獲得所需要的槽間的斜角，在成排棒材上等距地配置薄膜傳感器，並相互交錯(cuò)排列地固定在夾持的工具上。規(guī)定成排棒材的水平位移L和垂直位移H，是為了當(dāng)通過許多固定好的錯(cuò)列棒材，以預(yù)定的角度使用成排的金剛石鋸設(shè)備切割時(shí)，在每一浮動(dòng)塊的基本相同的位置上以相同的角度切割凹槽。切割通道1和2提供相對的傾斜凹槽，而切割通道3用于橫向切割浮動(dòng)塊的空氣支承面。在這些結(jié)構(gòu)中，前外側(cè)墊沒有延伸到浮動(dòng)塊的后端，規(guī)定距離的縱向切口基本上正交于浮動(dòng)塊縱軸。正如在現(xiàn)有技術(shù)中所周知的，坡度區(qū)是單獨(dú)地在精研板上通過研磨成排棒材而形成的。
圖14描繪了三墊式浮動(dòng)塊的另一個(gè)實(shí)施例，具有最好是大約0.008英寸長具有40分坡度角的前沿矩形坡度區(qū)166和168構(gòu)成三墊式毫微型浮動(dòng)塊。兩個(gè)矩形側(cè)墊170和172緊跟坡度區(qū)166和168，並從0.080英寸長的浮動(dòng)塊的前沿延長到大約0.058英寸。矩形坡度區(qū)166和168以及側(cè)墊170和172的寬度大約是0.009英寸，第三后墊174設(shè)置在浮動(dòng)塊的后沿中央，呈梯形結(jié)構(gòu)。后墊174的后沿的寬度大約0.013英寸，后墊的長度大約0.007英寸。使各墊的拐角和邊緣都經(jīng)過倒圓處理。在各墊之間的凹槽區(qū)域至少0.002英寸深。在磁頭浮動(dòng)塊組合體懸浮期間，浮動(dòng)塊粘接于一折褶，使浮動(dòng)塊可縱搖和橫搖。粘接點(diǎn)最好靠近浮動(dòng)塊的縱向中央軸，並小于從浮動(dòng)塊的前沿的延伸尺寸0.058英寸。由于向有關(guān)磁盤的外徑位移，產(chǎn)生從縱向中央軸的偏置，使橫搖減至最小。當(dāng)浮動(dòng)塊從磁盤的內(nèi)徑向外徑移動(dòng)時(shí)，由于磁盤外磁道更高的旋轉(zhuǎn)速度，使飛起高度趨向增加。一般在磁盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)運(yùn)轉(zhuǎn)中，浮動(dòng)塊的縱搖增加，引起在后沿處的傳感器的飛起高度降低，結(jié)果，在橫過磁盤表面時(shí)獲得基本穩(wěn)定的飛起高度。飛起高度可以低得足以同磁盤形成偽接觸或接觸。圖14的三墊式結(jié)構(gòu)使磨損減至最小，結(jié)果在接觸起停、接觸和偽接觸記錄中改善了磁頭/磁盤接觸面的完整性。
圖15和16說明三墊式浮動(dòng)塊的另一個(gè)實(shí)施例，該浮動(dòng)塊具有在浮動(dòng)塊前沿的坡度區(qū)132和134以及部分地伸向浮動(dòng)塊后沿的所述軌條或墊136和138。梯形型第三墊140設(shè)置在相對于浮動(dòng)塊的縱軸來說的后沿中央。在該實(shí)施例中，由在浮動(dòng)塊后沿和側(cè)邊相交的拐角處做有凹口部分142和144。凹口142和144的作用是減小浮動(dòng)塊的總質(zhì)量，所以改善了浮動(dòng)塊的起飛以進(jìn)入飛起位置。凹口也可以減小浮動(dòng)塊與磁頭繞組或者磁盤馬達(dá)輪轂干擾的可能性。在本結(jié)構(gòu)的另一個(gè)實(shí)施例中，浮動(dòng)塊具有總長度大約0.0800英寸，總寬度大約0.0630英寸。前沿坡度區(qū)大約0.0080英寸長和0.0100英寸寬。沿側(cè)邊凹口的長度大約0.0090英寸和沿后沿的寬度大約0.0075英寸。這樣，后沿的寬度大約是0.0480英寸和沿側(cè)邊的長度大約是0.0710英寸。梯形第三后墊140從后沿測量大約0.0090英寸長，它的后沿梯形的底最寬大約0.0130英寸。側(cè)墊136和138的長度從坡度區(qū)測量大約0.0500英寸。
以上已經(jīng)描述過的三墊式磁頭空氣支承浮動(dòng)塊具有沿浮動(dòng)塊兩側(cè)設(shè)置的兩個(gè)前外側(cè)墊和在浮動(dòng)塊后沿處設(shè)置的中央后墊。在機(jī)械鋸操作過程中，使用成排的金剛石鋸輪，同時(shí)橫過許多交錯(cuò)排列並固定好位置的成排的浮動(dòng)塊棒材進(jìn)行斜向切割。這樣，在浮動(dòng)塊的空氣支承面上便正確地形成了各墊和凹槽。
顯然，本發(fā)明并不局限于以上揭示的具體結(jié)構(gòu)，例如，前墊可以有不同的寬度，可以不對稱地配置。墊的斜邊也可以為達(dá)到不同的飛起特性而變化?？梢韵鄬τ诟?dòng)塊的后墊偏心地設(shè)置磁傳感器或磁致電阻傳感器。此外，當(dāng)使用離子銑削加工、活性離子腐蝕加工、靜電放電機(jī)械加工或超聲波機(jī)械加工形成各墊的形狀時(shí)，前墊的側(cè)邊不必平行于后墊的側(cè)邊，在沿浮動(dòng)塊用機(jī)械鋸切割也會(huì)發(fā)生不平行現(xiàn)象。由于本發(fā)明的三墊式結(jié)構(gòu)，浮動(dòng)塊可以制成具有小至這些標(biāo)準(zhǔn)浮動(dòng)塊的25%-50%大小。
在磁盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)中使用現(xiàn)有技術(shù)雙軌條錐體平面浮動(dòng)塊，需要的低飛起高度受到窄軌條結(jié)構(gòu)的限制。因此，放置在軌條的后端的薄膜傳感器在寬度上受到限制，從而也限制了任何線圈層形成的線圈匝數(shù)。以上揭示的三墊式浮動(dòng)塊結(jié)構(gòu)，使后墊處具有更寬的空間，從而克服了現(xiàn)有技術(shù)雙軌條浮動(dòng)塊的缺點(diǎn)。
權(quán)利要求
1.具有前端和后端以及延伸在所述兩端間的縱向中心軸的磁頭空氣支承浮動(dòng)塊包括第一、第二和第三墊，所述第一和第二墊設(shè)置在所述浮動(dòng)塊相對的兩個(gè)側(cè)邊上，所述第三墊從所述浮動(dòng)塊的后端伸出，具有一個(gè)端部，并大約在相對于縱軸的中央；在所述浮動(dòng)塊的前端至少有第一和第二坡度區(qū)，所述坡度區(qū)分別地與所述第一和第二墊相鄰接；從所述浮動(dòng)塊的所述后端延伸到所述前端，在兩個(gè)所述墊之間形成凹槽區(qū)域，所述凹槽區(qū)域具有相對于所述縱軸的傾斜部分，用于形成所述墊的斜邊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述第三墊基本上呈梯形，所述墊的斜邊分別與所述第一和第二墊的斜邊相平行。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述凹槽區(qū)域包括為在所述前端和后端之間限定所述墊的長度，橫向地和正交于所述縱軸的直線性凹槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述坡度區(qū)包括和所述第一和第二墊的斜邊在同一直線上的斜邊。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述坡度區(qū)包括和所述第三墊的斜邊基本平行以及和所述第一和第二墊的斜邊形成鈍角的斜邊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述第一和第二墊在一方向上基本距所述前端等距放置，而在垂直于所述一方向的方向上距所述中央軸等距放置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述第一和第二墊不對稱地設(shè)置在所述浮動(dòng)塊上。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述第一和第二墊從所述后端一直延伸到所述坡度區(qū)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述第三墊呈三角形。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于包括設(shè)置在所述前端和基本以所述縱軸為中央的第三坡度區(qū)，所述第三墊從所述后端一直延伸到所述第三坡度區(qū)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述第三墊的外形是截頭錐形。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述第一和第二墊從所述坡度區(qū)大約延伸到所述浮動(dòng)塊的中點(diǎn)。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于包括設(shè)置在所述浮動(dòng)塊后端，與所述第三墊鄰接的磁傳感器或磁致電阻傳感器。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述磁傳感器或磁致電阻傳感器相對于所述縱向中央軸偏置。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述第一和第二墊的斜邊不平行于所述第三墊的斜邊。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述浮動(dòng)塊大約0.160英寸長、0.125英寸寬和0.0345英寸高。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述浮動(dòng)塊大約0.112英寸長、0.088英寸寬和0.024英寸高。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述浮動(dòng)塊裝在具有旋轉(zhuǎn)致動(dòng)器的磁盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)內(nèi)，因此，所述浮動(dòng)塊從以每分鐘大約5400轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)磁盤的內(nèi)徑到外徑，以大約4.5±1微英寸的基本均勻的飛起高度飛起。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的浮動(dòng)塊，其特征在于所述浮動(dòng)塊大約0.080英寸長、0.063英寸寬和0.017英寸高。
20.制造空氣支承浮動(dòng)塊的方法包括以下步驟以交錯(cuò)排列的方式設(shè)置許多成排用來制造許多浮動(dòng)塊的棒材;在每一個(gè)所述浮動(dòng)塊上設(shè)置薄膜傳感器;在所述棒材上以規(guī)定的角度生產(chǎn)提供間隙的凹槽;從而在所述浮動(dòng)塊上形成墊和凹槽區(qū)域。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于使用金剛石鋸切割，完成提供間隙的步驟。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于使用成排的許多金剛石鋸輪完成所述鋸切割。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其特征在于使用離子銑削加工、活性離子腐蝕加工、靜電放射機(jī)械加工或超聲波機(jī)械加工的方法提供所述間隙。
24.用于接觸記錄，帶有磁盤的薄膜磁頭組合件包括具有空氣支承面和前沿及后沿的磁頭浮動(dòng)塊;在所述浮動(dòng)塊的所述空氣支承面上形成的第一、第二和第三墊;所述第一和第二墊設(shè)置在所述浮動(dòng)塊的兩側(cè)朝向所述浮動(dòng)塊的前沿處，并只有部分地向后沿延伸，所述第三墊設(shè)置在所述浮動(dòng)塊的后部中央的后沿處，所述第一和第二墊基本呈矩形，所述第三墊基本呈梯形;在所述浮動(dòng)塊兩側(cè)，在所述前沿和所述第一和第二墊之間的矩形坡度區(qū);在大約沿所述浮動(dòng)塊中央縱軸的一個(gè)點(diǎn)上，將負(fù)載力作用在所述浮動(dòng)塊上的裝置。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的薄膜磁頭組合件，其特征在于所述梯形坡度區(qū)和所述第一和第二墊的寬度大約是0.009英寸。
26.根據(jù)權(quán)利要求24所述的薄膜磁頭組合件，其特征在于所述坡度區(qū)伸向所述浮動(dòng)塊的前沿大約0.008英寸長，并且具有大約40分的坡度角。
27.根據(jù)權(quán)利要求24所述的薄膜磁頭組合件，其特征在于所述浮動(dòng)塊的長度大約是0.080英寸，所述第一和第二矩形墊從所述坡度區(qū)端延伸到從所述浮動(dòng)塊前沿大于所述浮動(dòng)塊長度一半的點(diǎn)上。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的薄膜磁頭組合件，其特征在于所述第一和第二墊延伸到離所述前沿大約0.058英寸的點(diǎn)上。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的薄膜磁頭組合件，其特征在于包括在所述各墊之間的凹槽區(qū)域，所述凹槽區(qū)域至少深0.002英寸。
30.根據(jù)權(quán)利要求24所述的薄膜磁頭組合件，其特征在于所述后部中央第三墊延伸向所述浮動(dòng)塊的所述后沿大約長0.007英寸，在后沿處大約寬0.013英寸。
31.根據(jù)權(quán)利要求24所述的薄膜磁頭組合件，其特征在于所述墊的邊緣和拐角是經(jīng)過倒圓的。
32.根據(jù)權(quán)利要求24所述的薄膜磁頭組合件，其特征在于包括在所述浮動(dòng)塊的所述后沿的拐角處的凹口部分。
33.根據(jù)權(quán)利要求24所述的薄膜磁頭組合件，其特征在于所述凹口部分大約長0.0090英寸，寬0.0075英寸。
全文摘要
應(yīng)用于磁盤驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)中的三墊式空氣支承浮動(dòng)塊的結(jié)構(gòu)，具有從浮動(dòng)塊前沿處的兩個(gè)或更多的坡度區(qū)，伸向后沿的兩個(gè)外側(cè)墊，各墊所具有的形狀和斜邊，是為了獲得與彈性負(fù)載折褶或負(fù)載梁(beam)形成的力相反作用的所需要的升力，通過簡單的機(jī)械切割，例如，使用金剛石鋸輪或者由離子銑削加工或活性離子腐蝕加工形成限定三個(gè)墊的形狀的斜邊。
文檔編號(hào)G11B5/60GK1082232SQ9310231
公開日1994年2月16日 申請日期1993年3月3日 優(yōu)先權(quán)日1992年8月10日
發(fā)明者查科·M·里恩格, 卡羅爾·S·古德恩, 伊德格·M·威廉母斯 申請人:里德-萊特公司