專利名稱：光記錄體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光記錄體，其類型是，相應于給定信息的信息單元(bits)通過能量束如光或熱的輻射，被形成在設(shè)于一基體上的記錄層上;本發(fā)明還涉及這種光記錄體的制造方法。
有兩種類型的光記錄體，其中一種是通過能量束的輻照在記錄層的某一部位物理性地形成孔或凹狀;另一種是通過能量束的輻照在記錄層的某一部位形成其光學性質(zhì)如折射率和反射率均已改變了的部分。
基本上由低熔點金屬如碲(Te)構(gòu)成的記錄層于是被得知為使用于兩種類型的光記錄體之一的那些物質(zhì)(日本公開專利公報71196/1983和9234/1983)。作為典型的低熔點金屬涂層的碲涂層，通過使用非常低的能量就能形成所需的物理性變形的部分或光學性質(zhì)變化的部分[以后通稱為信息單元(bits)]，因此能十分有效地用作高靈敏度的材料。此處和后文所使用的靈敏度這一術(shù)語是被定義為形成每單位表面積上的信息單元所需的能量(mw/cm)。
然而，碲在與大氣接觸時會被氧氣或濕氣氧化，于是其透射率會增加并會變得透明。由于其薄涂層薄如約幾百
，因此，僅由碲所形成的記錄層在該薄記錄層中所含的碲由于氧化而增加其透射率時，其靈敏度會顯著降低。這就是說，當僅由Te構(gòu)成的記錄層被氧化時，其熔化溫度和蒸發(fā)溫度會增加，同時，當它變得透明時，如光這樣的能量吸收就會變小，其結(jié)果是需要大量能量來形成信息單元，所以，記錄層的靈敏度會顯著降低。例如，當形成在基體上的Te涂層被置于70℃且85%的相對溫度(RH)時，其靈敏度在約5小時之內(nèi)會降低20%，在25小時之內(nèi)會降低50%。
為了解決以上所述的問題，已經(jīng)有了各種防止Te涂層氧化的措施。其中已知的一種措施為，Te涂層被涂敷在具有穩(wěn)定的無機物質(zhì)的表面。盡管這種措施能有效地防止Te涂層的氧化，但還不能付諸于實際應用，因為使用這種要被涂敷的穩(wěn)定的無機物質(zhì)會在Te涂層上造成Te涂層靈敏度的下降，并且也是昂貴的。另一方面，人們也得知可在塑料的表面涂敷Te，但這種措施在防止Te涂層的氧化方面幾乎無實際用處，其原因是塑料會使得氧或濕氣較容易地滲透過物體，盡管塑料因其低的導熱性而具有一定的優(yōu)點，但在獲得Te涂層的靈敏性方面是差的。
再者，人們又提出了一種技術(shù)，其目的在于通過在Te涂層中滲入C和H來防止作為記錄層的Te涂層的氧化(日本專利公告33320/1984)上述技術(shù)具有這樣一種趨勢，即當C的含量降低時，記錄層的耐氧化性仍然是不夠的，并且，當C的含量增加以改善耐氧化性時，讀出所記錄信息時的C/N則會減少。
為解決上述問題，日本公開專利公報第63038/1984揭示了具有基本上由Te構(gòu)成并另外又含有Cr的記錄層的光記錄體。如該公報中所述，人們已得知，當基本上由Te構(gòu)成的記錄層中含有Cr時，所生成的記錄層的耐氧化能力之改善是與所說記錄層中Cr的含量成比例的，因此就可延長具有上述記錄層的光記錄體的壽命。
然而，上述公報中所揭示的、具有基本上由Te構(gòu)成且另外又含有Cr的記錄體的光記錄體存在著這樣的缺點，即，當記錄層中含有大量Cr時，其記錄的靈敏度就下降。為此，從改善耐氧化能力和改善記錄的靈敏度這一觀點出發(fā)，目前通常的做法是，基本上由Te構(gòu)成的記錄層中所含的Cr的含量被確定為5-15%(重量，基于記錄層中存在的Te)，如上述所引用的日本公開專利公報第63038/1984中所報道的。
但是，本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，具有Cr含量為5-15%(重量，基于Te)的Te記錄層的光記錄體與具有僅含Te的記錄層的光記錄體相比較，其記錄的靈敏度仍然是低的。對于這種具有基本上由Te構(gòu)成另外還含有Cr的記錄層的光記錄體，本發(fā)明者進行了銳意的研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，具有基本上由Te構(gòu)成另外還含有特定量的Cr、C和H的記錄層的光記錄體，其耐氧化能力增強了，而且，與具有含大量Cr的Te記錄層的光記錄體相比較，其記錄的靈敏度也顯著改善了，同時，記錄幅度也擴大了。本發(fā)明者還發(fā)現(xiàn)，當其基體上具有基本上由Te構(gòu)成且另外還含有Cr、C和H的記錄層的光記錄體接受熱處理時，其記錄靈敏度可得到進一步改善，而且其記錄幅度被擴大了。
本發(fā)明是在以上所得的新技術(shù)信息之基礎(chǔ)上完成的，本發(fā)明之目的是要提供這樣一類光記錄體，即它們的記錄層的耐氧化能得到改善，尤其是高溫和高濕度情況下的耐氧化能力得到改善，所說光記錄體的壽命得到延長，同時，信息可通過使用小能量來記錄，而且，記錄靈敏度高且記錄幅度寬。本發(fā)明還提供一類制造上述光記錄體的方法。
為了達到上述目的，本發(fā)明的光記錄體包括一基體和形成于其上的記錄層，其中，通過能量束的輻照而形成相應于給定信息的信息單元來記錄信息。
上述的記錄層含有Te、Cr、C和H，其中Cr的比例(基于構(gòu)成記錄層的原子的總量)為0.1-40%(原子)，而C的比例也為0.1-40%(原子)。
另一方面，本發(fā)明的光記錄體同樣含有一基體和形成于其上的記錄層，其中記錄層包括Te、CrC和H。Cr的比例(基于存在于記錄層中的Te和Cr原子的總量)為0.1-60%(原子)，而C的比例(基于存在于記錄層中Te、Cr和C原子的總量)為1-40%(原子)。
按照本發(fā)明，由于光記錄體的記錄層是如此設(shè)計的，即它含有Te、Cr、C和H，因此該記錄層改善了耐氧化能力，且光記錄體的壽命也延長了。這種記錄層能顯著地改善其耐氧化能力，尤其是在高溫度和高濕度的情況下當C的含量(基于存在于記錄層中Te、Cr和C原子的總量)被調(diào)整到0.1-40%(原子)時的耐氧化能力得到了改善。再者，在本發(fā)明中，當記錄層中的Cr的含量為低于傳統(tǒng)的含有Cr的Te記錄層時，例如所說的Cr含量為0.1-40%(原子)尤其在0.5-10%(原子)(基于存在于記錄層的原子的總量)時，或Cr的含量為0.1-60%(原子)尤其為0.5-10%(原子)(基于存在于記錄層中Te和Cr原子的總量)時，如此設(shè)計的本發(fā)明的記錄層與含有大量Cr的傳統(tǒng)的Te記錄層相比較就具有優(yōu)異的記錄靈敏度。
再者，在一定的情況下可有效地阻止隨記錄層中C含量的增加時記錄幅度變窄且C/N降低這樣一種趨勢，這就是C的含量(基于存在于記錄層中的原子的總量或存在于記錄層中的Te、Cr和C原子的總量)被減少至5%(原子)以下。
在本發(fā)明中，記錄層中所含有的C的分布并不總是均勻的，但C可按這樣一種方式被分布，即，離基體越遠則C的含量越小。
為了達到上述本發(fā)明的目的，制造光記錄體的方法包括，在基體上形成上述記錄層，然后使如此形成的記錄層接受熱處理。
上述熱處理最好是在70-300℃的溫度下被進行至少5秒鐘，更好為5秒-10小時，最好為5分鐘-2小時。
根據(jù)制造本發(fā)明的光記錄體的方法，形成在基體上的記錄層需接受熱處理，于是可發(fā)現(xiàn)形成在記錄層上的信息單元在其形狀上是均勻的，即使記錄能的輸出是不斷地變化時也是如此，而記錄幅度擴大了，同時，C/N改善了，而且，如此獲得的光記錄體的記錄靈敏度也提高了。
再者“記錄幅度窄小”是指記錄能輸出的范圍是窄的，以便在讀出時獲得高于預定值的C/N(該意義在后文也適用)。換句話說，它是指，C/N是根據(jù)記錄能輸出的變化而變化的。又，C/N是被用作一種指數(shù)，以表示在讀出所記錄的信息時所產(chǎn)生的尖噪聲之程度，且C/N值越高，則噪聲越小。
以下，通過參照附圖所示的方案來對本發(fā)明作詳細的描述。


圖1是本發(fā)明的光記錄體的一個方案的截面示意圖。
圖2和圖3是曲線圖，它們顯示了本發(fā)明光記錄體和現(xiàn)有技術(shù)之光記錄體之間在性能和效果上的差異。
圖4是本發(fā)明的光記錄體的另一方案的截面示意圖。
如圖1所示，光記錄體10由基體11和形成在其上的記錄層12組成。
用于制作基體11的材料可以為例如玻璃或鋁這樣的無機材料，也可以是有機材料，例如聚甲基異丁烯酸酯、聚碳酸酯、聚苯乙烯和聚碳酸酯的聚合物合金，無規(guī)聚烯烴(如美國專利說明書第4，614，778號所揭示的)、聚-4-甲基-1-戊烯、環(huán)氧樹脂、聚醚砜、聚砜、聚醚酰亞胺、乙烯/四環(huán)癸烯共聚物等等。基體11的厚度應該能足以使其獲得適當?shù)膭偠?，例如，較好地為0.5-2.5mm，最好為1-1.5mm。
記錄層12含有作為主要組分的Te，并另外還至少含有Cr、Cr和H，該記錄層除了Te或其它組分之外還可含有低熔點元素。除了要被摻入該記錄層12的Te之外的元素可包括Ti、Mn、Ni、Zr、Nd、Ta、Al、Pt、Sm、Bi、In、Se、Pb、Co、Si、Pd、Sn、Zn等。
該記錄層12中所含的Cr的比例(基于記錄層中所含的總原子數(shù))為0.1-40%(原子)，較好為0.5-10%(原子)，最好為1-4%(原子)，或者是0.1-60%(原子)、較好的為0.5-15%(原子)，最好為1-6%(原子)(基于存在于記錄層中的Te和Cr原子的總量)。其理由是，記錄層12不會降低其記錄的靈敏度，而記錄層12的耐氧化能力得到了增強，在某些情況下，通過摻入上述范圍的Cr可使記錄的靈敏度得到提高。
從延長記錄層的壽命和提高其記錄靈敏度這樣的角度來看，理想的是記錄層12中的C含量是0.1-40%(原子)，更好的為5-40%(原子)，尤其是從增強其耐氧化能力這一立場出發(fā)，該含量較好的應為5-20%(原子)，最好為5-10%(原子)(基于存在于記錄層中的原子的總量)，或者是5-40%(原子)，較好是5-20%(原子)，最好是5-10%(原子)(基于存在于記錄層中的Te、Cr和C原子的總量)。通過按上述范圍在記錄層12中摻入C，就有可能增加其耐氧化能力，尤其是在高溫和高濕度情況下不會降低其記錄靈敏度。從增加其記錄靈敏度和記錄幅度而不怎么降低其耐氧化能力之立場出發(fā)，理想的是記錄層12中C的含量為0.1-5%(原子)，最好為3-55(原子)(基于存在于記錄層中的原子的總量)，或者是0.1-5%(原子)，最好是3-5%(原子)(基于存在于記錄層中Te、Cr和C原子的總量)。通過按上述范圍把C摻入到該記錄層12中，就能夠提高該記錄層的記錄靈敏度和記錄幅度。
在本發(fā)明的另一種方案中，記錄層中C的含量被設(shè)計成離開基體表面越遠則C的含量越少。即基體側(cè)的記錄層中C的含量高于記錄層外表面附近的C的含量，這種分布或者是連續(xù)性的或者是分階段的，例如，使C形成含有2層或二層以上的多層膜。一種極端的情況是，記錄層外表面附近的C含量可以是0。
為了獲得延長壽命等效果，記錄層12中H的含量應為5-40%(原子)，最好為5-25%(原子)(基于存在于記錄層中的原子的總量)。記錄層12中所含元素的含量可由以下方式來確定通過感應耦合等離子體(ICP)發(fā)射光譜分析來測定金屬元素(Te、Cr等)，通過X-射線光電子光譜(XPS)和(ESCA)來測定C，通過有機元素分析來測定H。
在把信息記錄在具有上述組成的記錄層12時，可通過如下途徑來實現(xiàn)對給定信息的理想記錄;用例如激光束(根據(jù)要被記錄的信息而調(diào)節(jié)的)這類能量束輻照該記錄層并在記錄層的被輻照了的區(qū)域上形成相應的信息單元。這種信息單元可以是那些經(jīng)物理性處理的具有孔或凹狀的部分，或者是記錄層的其光學性質(zhì)如折射率和反射率均已通過輻照而改變了的部分。
上述記錄層12之厚度必須厚到能從那里獲得足夠的光反射之程度，同時，也必須薄到其靈敏度絲毫不受影響。具體地說，當物理性地變形的部分如孔被形成在記錄層12時，記錄層的膜厚應該為大約100
-1μm，更好為100-5000
，最好為150-500
。當光學性質(zhì)變化了的那些部分被形成在記錄層12上時，該記錄層的膜厚就應是約100
-1μm，更好為100-5000
，最好為200-2000
。
記錄層12可以按以下方式形成在基體11上。
首先，單個地被用作分離對陰極的Te和Cr或被用作一個對陰極的Te-Cr合金，在含有C和H如CH4或C2H2和Ar氣的有機氣體的混合氣體中接受磁控管濺鍍。于是，由含有C和H的Te-Cr合金膜構(gòu)成的記錄層12被淀積在基體11上。也有可能不使用濺鍍工藝，而通過使用CH氣和處于等離子體的Te-Cr合金蒸氣在該基體上形成由含有C和H的Te-Cr合金所構(gòu)成的記錄層12。再者，也可通過氣相生長或等離子氣相生長來形成記錄層12。又，作為一個選擇，Te、Cr、C和H原子總體的一部分可以經(jīng)離子化作用而成為射線狀態(tài)，從而被聚集在基體上。
當Te和Cr均為同時處于濺鍍時，通過分別被施用在Te和Cr上的電壓;當Te和Cr被用作合金對陰極時，通過Te-Cr合金的組成可自由地控制由含有C和H的Te-Cr合金膜所構(gòu)成的記錄層12中所含的Te和Cr原子的比例。記錄層12中所含的C和H的量可通過CH和Ar的混合比和所施用的電能來加以自由控制。在此情況下，Te-Cr合金膜最易穩(wěn)定的H的量取決于這里所含的C的量。在本發(fā)明中，該合金膜中所含的H的量可以是任意選擇的，但是該量不能大到在該膜中放出氫氣(H2)。記錄層12的膜厚可被自由地控制，因為膜厚是與濺鍍時間成比例的。
再者，如此設(shè)計的記錄層12(記錄層中的C含量在所述層的部分區(qū)域是離基體的表面越遠則越低)可按下述方式被形成在基體上使成膜操作后階段上烴氣的成膜氣氛的濃度低于使用在成膜操作出口處的烴氣濃度。該烴氣的濃度可被連續(xù)地或分階段地降低。
在如此形成的由含有C和H的Te-Cr合金膜所構(gòu)成的記錄層12中，其光學性質(zhì)例如綜合折射率和衰減系數(shù)可以因C和H的含量而不一樣，當該記錄層被用于信息記錄之目的時，所述層的膜厚應根據(jù)原定目的所需的這些光學性質(zhì)來確定。
在記錄層形成時被摻入薄層成形裝置的烴類包括甲烷、乙烷、乙炔等。通常，烴氣與惰性氣體一起被引入薄層成形裝置。此時的惰性氣體包括氦、氖、氬、氪、氮等，但在這些惰性氣體中，氬為最可取。
在上述條件下形成的記錄層12為無定形的，所以，與僅由低熔點金屬(例如Te)構(gòu)成的記錄層相比其耐氧化能力和記錄靈敏度均有顯著提高。
例如，通過實驗已證實，在含有Cr、C和H的Te記錄層中，在70℃和85%RH的條件下經(jīng)過100小時之后，其反射率的變化隨該層中所含的Cr的增加而變得更小，并且與僅由Te構(gòu)成的記錄層相比時，本發(fā)明的記錄層之耐氧化性能得到了提高。
通過實驗還證實，在本發(fā)明的記錄層中，所需的能量輸出較小且記錄靈敏度得到了提高。
又，如圖2所示，已經(jīng)被證實，與具有含C和H的Te記錄層這種傳統(tǒng)的光記錄體(圖中的曲線B)相比較，本發(fā)明的記錄體(圖中曲線A)之C/N值實際上沒有變化，只是記錄能輸出有一個微變V，并且本發(fā)明記錄體有一較寬的記錄幅度。
而且，如圖3所示，還證實了與具有含C和H的Te記錄層的光記錄體(如圖中曲線B所示)相比較，本發(fā)明的光記錄體(如圖中曲線A所示)在靜止時，其反射率無實際變化，其使用可靠性得到了提高。
在本發(fā)明中，按照上述方法在基體11上形成了記錄層12之后，如果有必要，可使該記錄層12在惰性氣體、還原性氣體或在含有氧的氣氛中接受熱處理。此時所用的熱處理溫度必須低于記錄層中所含的Te的熔點，應該是70-300℃，最好是90-150℃。所采用的熱處理時間應該至少為5秒鐘，更好地為5秒-10小時，最好為5分-2小時。
在基體11上的該記錄層12形成之后，按以上所述方法通過對該層的熱處理，可改善所述記錄層的記錄靈敏度，同時，其記錄幅度也改善了。這應歸功于通過熱處理將記錄層結(jié)晶到了某一程度的緣故。
本發(fā)明不限于圖1所示的實施例，且必須認為各種變化和修改均在本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)。
例如，如圖4所示，內(nèi)層13可被層壓在基體11和記錄層12之間。此時所用的內(nèi)層13包括如氟化鎂(MgF2)這樣的氟化物膜、氧化硅(SiO2，SiO)或氮化硅(Si3N4)這樣的硅化合物膜、由Ti、Ni、Cr、Al和Ni-Cr組成的金屬膜、聚四氟乙烯(PTFE)膜這樣的氟代碳氫化合物膜和/或其聚合物膜，以及Cr-C-H膜(含有Cr、C和H的膜)。盡管該膜厚是根據(jù)用作內(nèi)層的材料而變化的，內(nèi)層13通常具有10-1000
的膜厚，最好為50-500
。借助上述膜厚，以上例證的這些內(nèi)層可保持其透明度，同時，可以展示出該內(nèi)層13的各種特性。
該內(nèi)層13可按照與記錄層12相同的方式通過磁控管濺鍍、氣相生長、等離子體氣相生長、真空蒸鍍或旋涂等工藝被形成在基體11的表面上。
當內(nèi)層13被設(shè)在基體11和記錄層12之間時，這在某些情況下會進一步擴大其記錄幅度。
根據(jù)本發(fā)明，表面層可被形成在圖1和4所示的光記錄體10的記錄層12的表面。用于形成該表面層的材料包括，構(gòu)成記錄層的這些元素、Si、Ti等的氧化物、氮化物及金屬。盡管膜厚可根據(jù)用于形成該膜的材料進行變化，但該表面層的膜厚一般為5-100
，最好為10-50
。
以下將參照具體例子對本發(fā)明進行描述，但這應該被解釋為本發(fā)明絲毫不受這些實施例的限制。
實施例1.
對一真空容器抽真空后，引入氬氣和CH4，容器中的內(nèi)壓為6×10-3Torr(Ar/CH4＝2/8∶氣流比)。然后在該容器中對均被用作對陰極的Te和Cr同時進行濺鍍，而對施加在每一對陰極上的電壓進行控制，于是獲得了由Te53Cr2C15H30組成的層。
實施例2重復實施例1的程序，所不同的是使用Ar/CH4＝8/2之比率的氣流來獲得由Te80Cr3C6H11組成、膜厚為240
的記錄層。
實施例3重復實施例1的程序，所不同的是使用Ar/CH4＝8/2之比率的氣流，從而獲得由Te82Cr1C6H11組成、膜厚為220 的記錄層。
比較例1.
重復實施例1的程序，所不同的是使用Ar/CH4＝9/1之比率的氣流和Te對陰極，從而獲得由Te89C4H7組成、膜厚為250 的記錄層。
參考例1重復實施例1的程序，所不同的是僅使用氬氣作為被引入真空容器的氣體，從而獲得由Te97Cr3組成、膜厚為250 的記錄層。
實施例4-6在N2氣氛中于100℃的溫度下對實施例1-3中獲得的記錄層分別進行熱處理20分鐘。
實施例7在對真空容器抽真空之后，把Ar氣和CH4引入該容器，容器的內(nèi)壓被控制在6×10-3Torr(Ar/CH4＝9/1氣流比)。然后在該容器中，用作對陰極的Te和Cr被同時濺鍍，而對施加到每一對陰極上的電壓加以控制，從而獲得由Te87Cr2C4H4所組成的層。
實施例8重復實施例7的程序，所不同的是使膜厚為290 ，于是獲得由Te87Cr2C4H7組成的記錄層。
實施例9-10使實施例7-8中得到的記錄層分別在N2氣氛且100℃下接受熱處理達20分鐘。
實施例11重復實施例7的程序，所不同的是使用Te97Cr3合金對陰極并且使氣流比率為Ar/CH4＝9/1，從而獲得由Te87Cr2C4H7所組成的、膜厚為230 的記錄層。然后，按照與實施例9-10相同的方法使該記錄層接受熱處理。
實施例12對真空容器抽真空后，把Ar氣和CH4氣引入該容器，并且使容器的內(nèi)部壓力為6×10-3Torr(Ar/CH4＝9/1∶氣流比)。然后，在該容器內(nèi)對用作對陰極的Te和Cr同時進行濺鍍，而對施加到每一對陰極上的電壓加以控制，從而獲得含有Te、Cr、C和H的記錄層，所述記錄層中Te、Cr和C的原子比，可由化學式(Te98.8Cr1.2)96C4來表示。
實施例13重復實施例12的程序，所不同的是使膜厚為290
，從而獲得含有Te、Cr、C和H的記錄層，所述記錄層中Te、Cr和C原子的比例可由化學式(Te98Cr2)96C4來表示。
實施例14重復實施例12的程序，所不同的是使膜厚為260
，從而獲得含有Te、Cr、C和H的記錄層，所述記錄層中Te、Cr、和C的原子比例由化學式(Te96.8Cr3.2)96C4來表示。
實施例15重復實施例12的程序，所不同的是使膜厚為230
，從而獲得含有Te、Cr、C和H的記錄層，所述記錄層中Te、Cr、C的原子比例可由化學式(Te92Cr8)98C2來表示。
實施例16重復實施例12的程序，所不同的是使用Te97Cr3合金對陰極并使膜厚為230
，從而獲得含有Te、Cr、C和H的記錄層，記錄層中Te、Cr和C的原子比例可由化學式(Te97.5Cr2.5)96C4來表示。
實施例17重復實施例12的程序，所不同的是使用Te94Cr6合金對陰極并使膜厚為250
，從而獲得含有Te、Cr、C和H的記錄層，記錄層中Te、Cr、C的原子比例可由化學式(Te95.1Cr4.9)98C2來表示。
實施例18-23在N2氣氛中于100℃的溫度下對實施例12-17中獲得的記錄層分別進行熱處理達20分鐘。
實施例24在對真空容器抽真空之后，把Ar氣和CH4引入該容器，使容器中的內(nèi)壓為6×10-3Torr(Ar/CH4＝2/8;氣流比)。然后對用作該容器中對陰極的Te和Cr同時進行濺鍍，并對施加到每一對陰極的電壓進行控制，從而在無規(guī)聚烯烴基體上獲得含有Te53Cr2C15H30的厚度為60 的層，接著，重復上述程序，但使氣流比為Ar/CH4＝8/2，于是在上述層上形成含有Te81Cr2C6H11的第二層。最后得到由以上所得的2層所構(gòu)成、總膜厚為260 的記錄層。
實施例25重復實施例24的程序，從而獲得含有Te53Cr2C15H30的膜厚為100 的層。然后在該層上形成含有Te53Cr2C15H30的第二層，從而獲得由以上所得的二層所構(gòu)成、總膜厚為260 的記錄層。
實施例26重復實施例24的程序，從而形成含有Te53Cr2C15H30的膜厚度為100 的層。然后按照與以上同樣的程序(但是使氣流比為Ar/CH4＝9/1)，在該層上獲得含有Te87Cr2C4H7的層，于是，獲得總膜厚為320 的Te-Cr-C-H記錄層。
實施例27重復實施例24的程序，獲得了含有Te53Cr2C15H30的膜厚為100 的層。然后在該層上，按照與上述相同的方法(但僅使用Ar氣)形成了含有Te95Cr4的第二層。最后獲得了由以上所得兩層所構(gòu)成、總膜厚為250 的記錄層。
實施例28在100℃的溫度下，對實施例27中獲得的記錄層進行熱處理達20分鐘。
比較例2通過使氣流比為Ar/CH4＝9/1和使用Te對陰極，從而獲得了含有Te87C4H7且膜厚為250
的記錄層。
實施例29對真空容器抽真空之后，引入Ar氣，使該容器的內(nèi)壓力為6×10-3Torr。在該容器中，對用作對陰極的聚四氟乙烯進行濺鍍，從而在無規(guī)聚烯烴的表面形成膜厚約為300
的內(nèi)層。然后，在該容器中引入Ar氣和CH4氣，并在這里對用作對陰極的Te97Cr3合金進行濺鍍，而對施加在對陰極上的電壓和濺鍍時間進行控制，最后獲得含有Te87Cr2C4H7且膜厚為200A的記錄層。
實施例30重復實施例29的程序，所不同的是使用SiO2作為濺鍍對陰極以形成內(nèi)層，使內(nèi)層的膜厚為約250
，并使要被形成在所述內(nèi)層上的記錄層的膜厚為大約240
，于是在該內(nèi)層上獲得記錄層。
實施例31重復實施例29的程序，所不同的是使用Ti作為濺鍍對陰極以形成內(nèi)層，使內(nèi)層的膜厚為約100
，使要被形成在所述內(nèi)層上的記錄層的膜厚為約240A，從而在內(nèi)層上獲得記錄層。
實施例32重復實施例29的程序，所不同的是把Si3N4用作濺鍍對陰極以形成內(nèi)層，使內(nèi)層的膜厚為約500A使要被形成在所述內(nèi)層上的記錄層的膜厚為約240A，于是在內(nèi)層上獲得記錄層。
實施例33
重復實施例29的程序，所不同的是把MgF2用作濺鍍對陰極以形成內(nèi)層，使內(nèi)層的膜厚為約200 ，使要被形成在所說內(nèi)層上的記錄層的膜厚為約240 ，從而在內(nèi)層上獲得記錄層。
實施例34在對真空容器抽真空之后，引入Ar氣和CH4氣，使該容器內(nèi)的壓力為6×10-3Torr(Ar/CH4＝5/5∶氣流比)。在該容器中，對用作對陰極的Cr進行濺鍍，從而在無規(guī)聚烯烴的基體上形成由Cr-C-H層構(gòu)成的、膜厚為約50 的內(nèi)層。然后在該容器內(nèi)引入Ar和CH4并重復了與實施例29中相同的程序，最后在內(nèi)層上獲得含有Te87Cr2C4H7的、膜厚為約230 的記錄層。
實施例35重復實施例34的程序，所不同的是使Cr-C-H層的膜厚度為大約130 ，從而在該內(nèi)層上形成記錄層。
實施例36在100℃且氮氣氛中對實施例35中獲得的光記錄體進行熱處理達20分鐘。
實驗結(jié)果(1)按1800rpm的速率對光記錄體的圓片進行旋轉(zhuǎn)、并用3.7MH頻率的激光束進行輻照，從而檢驗記錄特性。這里所使用的C/N最大意在于顯示當激光能變化時的C/N最大值。記錄靈敏度意在于顯示當C/N最大×0.9＜C/N時激光能的最小值。
實施例1-6中獲得的結(jié)果分別顯示在表1。實施例7-23中獲得的結(jié)果分別顯示在表3。實施例24-28中獲得的結(jié)果分別顯示在表5。實施例29-36中獲得的結(jié)果分別顯示在表7。
(2)將光記錄體盤片在70℃及85%RH的條件下放置后測定的反射率R與初始反射率R0作比較，從而可測出反射率的百分變化。
實施例6中獲得的結(jié)果被顯示在表2。實施例9和18中獲得的結(jié)果顯示在表4。實施例24和28中獲得的結(jié)果顯示在表6。實施例36中獲得的結(jié)果顯示在表8。
權(quán)利要求
1.一種光記錄體，包括基體和形成在其上的記錄層，其中記錄層被能量束輻照以在其上形成相應于給定信息的信息單元，從而記錄該信息，所述記錄層含有Te、Cr、C和H，且該記錄層中所含的Cr的比例(基于構(gòu)成該記錄層的所有原子)為0.1-40%(原子)，C的這一比例也為0.1-40%(原子)。
2.一種包括基體和形成在其上的記錄層的光記錄體，其中記錄層被能量束輻照以在其上形成相應于給定信息的信息單元，從而記錄該信息，所述記錄層含有Te、Cr、C和H，記錄層中所含的Cr的比例(基于記錄層所含的Te和Cr原子的總量)為0.1-60%(原子)，而C的比例(基于該記錄層中所含的Te、Cr和C原子的總量)為0.1-40%(原子)。
3.一種光記錄體，包括基體和形成在其上的記錄層，其中，用能量束輻照該記錄層以在其上形成相應于給定信息的信息單元，從而記錄該信息，所述記錄層含有Te、Cr、C和H，其中Cr的比例(基于構(gòu)成所述記錄層的所有原子)為0.1-40%(原子)，而C的這一比例為5-40%(原子)。
4.一種光記錄體，包括基體和形成在其上的記錄層，其中，記錄層被能量束輻照以在其上形成相應于給定信息的信息單元，從而記錄該信息，所述記錄層含有Te、Cr、C和H，其中記錄層中所含的Cr的比例(基于該記錄層中所含的Te和Cr原子的總量)為0.1-40%(原子)，而C的比例(基于該記錄層中所含的Te、Cr和C原子的總量)為5-40%(原子)。
5.一種光記錄體，包括基體和形成在其上的記錄層，其中記錄層被能量束輻照以在其上形成相應于給定信息的信息單元，從而記錄該信息，所述記錄層含有Te、Cr、C和H，該記錄層中所含的Cr的比例(基于構(gòu)成該記錄層的所有原子)為0.1-40%(原子)，而C的這一比例為0.1-5%(原子)。
6.一種光記錄體，包括基體和形成在其上的記錄層，其中記錄層被能量束輻照以在其上形成相應于給定信息的信息單元，從而記錄該信息，所述記錄層含有Te、Cr、C和H，所述記錄層中所含的Cr的比例(基于記錄層中所含的Te和Cr原子的總量)為0.1-40%(原子)，而記錄層中所含的C的比例(基于記錄層中所含的Te、Cr和C原子的總量)為0小-5%。
7.一種光記錄體的制造方法，包括在基體上形成權(quán)利要求1-6的任何一項中所述的記錄層，然后使如此形成的記錄層接受熱處理。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造光記錄體的方法，其中熱處理是在70-300℃的溫度下進行至少5秒鐘。
9.一種光記錄體，包括基體和形成在其上的記錄層，其中記錄層被能量束輻照以在其上形成相應于給定信息的信息單元，從而記錄該信息，所述記錄層含有Te、Cr、C和H，記錄層中所含的Cr的比例(基于構(gòu)成該記錄層的所有原子)為0.1-40%(原子)，而該記錄層中所含的C的含量則隨著離基體的表面的距離的增大而減少。
10.一種包括基體和形成在其上的記錄層的光記錄體的制造方法，是用能量束對該記錄層進行輻照以在其上形成相應于給定信息的信息單元，從而記錄該信息，該方法包括，在基體上形成由含Te、Cr、C和H的薄層構(gòu)成的記錄層，而使層形成操作后階段上的烴氣濃度低于層形成操作出口端所使用的烴氣之濃度，并對如此形成的記錄層進行熱處理。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造光記錄體的方法，其中，記錄層中所含的Cr的比例為0.1-40%(基于構(gòu)成記錄層的所有原子)。
12.權(quán)利要求1-6和9中任何一項所述的光記錄體，其中內(nèi)層被層壓在基體和記錄層之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的光記錄體，其中內(nèi)層是從氟化物或硅化合物層、金屬層、氟代碳氫化合物和/或它們的聚合物層以及Cr-C-H層中挑選的至少一種薄層。
全文摘要
一種光記錄體，包括基體和形成在其上的記錄層，其中記錄層被能量束輻照以在其上形成相應于給定信息的信息單元，從而記錄該信息。記錄層含有Te、Cr、C和H，其中Cr的比例(基于構(gòu)成該記錄層的所有原子)為0.1—40％(原子)而記錄層中所含的C的這一比例為0.1—40％(原子)。由于記錄層中含有Te、Cr、C和H，因此記錄層的耐氧化能力得到了提高且光記錄體的使用壽命得到了延長。
文檔編號G11B7/24GK1039318SQ8910269
公開日1990年1月31日 申請日期1989年4月22日 優(yōu)先權(quán)日1988年4月22日
發(fā)明者樋端久治, 黑巖光之, 藤堂昭, 美濃田武 申請人:三井石油化學工業(yè)株式會社