本技術(shù)涉及閃存顆粒，具體涉及一種閃存顆粒測試裝置。

背景技術(shù)：

1、閃存顆粒作ssd固態(tài)硬盤應(yīng)用時，為了獲得大容量的ssd閃存盤，往往需要4顆或8顆閃存顆粒組合在一起；為了在研發(fā)、生產(chǎn)階段檢測閃存顆粒的各項性能是否達(dá)標(biāo)，如上盤容量確認(rèn)、h2對比、cdm速度、bi?t老化、拷貝/讀取/刪除文件、數(shù)據(jù)性能校驗等等測試，而現(xiàn)有的測試治具是把4或8個測試座平鋪在一個平面(pcb底板)，這樣閃存顆粒的命令總線和數(shù)據(jù)總線的走線長度和實際應(yīng)用時增加數(shù)倍，和真實應(yīng)用的應(yīng)用場景有差距，和實際的ssd盤的線路架構(gòu)也有相當(dāng)大的差距，這樣測試出來的結(jié)果不精準(zhǔn)，速度變慢或掉盤等情況。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本實用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)中的上述不足，提供了一種閃存顆粒測試裝置。

2、本實用新型的目的通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：一種閃存顆粒測試裝置，包括支座、上壓蓋以及下壓蓋；所述支座設(shè)于上壓蓋與下壓蓋之間；所述支座的頂部設(shè)有上頂針模組；所述支座的底部設(shè)有下頂針模組；所述支座在上頂針模組與下頂針模組之間設(shè)有電路板；

3、所述上頂針模組的底部與電路板的頂部連接；所述下頂針模組的頂部與電路板的底部連接；所述上壓蓋設(shè)有與上頂針模組的頂部配合的上壓塊；所述下壓蓋設(shè)有與下頂針模組的底部配合的下壓塊。

4、本實用新型進(jìn)一步設(shè)置為，所述上壓蓋的一端與支座頂部的一端鉸接；所述上壓蓋的另一端與支座頂部的另一端可拆卸連接。

5、本實用新型進(jìn)一步設(shè)置為，所述上壓蓋的另一端設(shè)有第一卡塊；所述支座頂部的另一端設(shè)有與第一卡塊卡接的第二卡塊。

6、本實用新型進(jìn)一步設(shè)置為，所述下壓蓋的一端與支座底部的一端鉸接；所述下壓蓋的另一端與支座底部的另一端可拆卸連接。

7、本實用新型進(jìn)一步設(shè)置為，所述下壓蓋的另一端設(shè)有第三卡塊；所述支座底部的另一端設(shè)有與第三卡塊卡接的第四卡塊。

8、本實用新型進(jìn)一步設(shè)置為，所述上壓塊的底部以及下壓塊的頂部均設(shè)有硅膠塊。

9、本實用新型進(jìn)一步設(shè)置為，所述支座的頂部開設(shè)有開槽；所述上頂針模組設(shè)有固定板；所述固定板與開槽可拆卸連接。

10、本實用新型進(jìn)一步設(shè)置為，所述支座在開槽的底部設(shè)有容置槽；所述電路板設(shè)于容置槽；所述電路板與容置槽可拆卸連接。

11、本實用新型進(jìn)一步設(shè)置為，所述支座的底部開設(shè)有窗口；所述下頂針模組顯露于窗口處。

12、本實用新型的有益效果：本實用新型將上壓蓋與下壓蓋關(guān)閉之后，即可以同時對多個閃存顆粒進(jìn)行同步測試，并且由于閃存顆粒分別在支座的頂部與底部進(jìn)行測試，無需將多個閃存顆粒進(jìn)行平鋪，從而能夠使得總線線路長度得到優(yōu)化，并且節(jié)約空間。

技術(shù)特征：

1.一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：包括支座(1)、上壓蓋(2)以及下壓蓋(3)；所述支座(1)設(shè)于上壓蓋(2)與下壓蓋(3)之間；所述支座(1)的頂部設(shè)有上頂針模組(41)；所述支座(1)的底部設(shè)有下頂針模組(42)；所述支座(1)在上頂針模組(41)與下頂針模組(42)之間設(shè)有電路板(43)；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述上壓蓋(2)的一端與支座(1)頂部的一端鉸接；所述上壓蓋(2)的另一端與支座(1)頂部的另一端可拆卸連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述上壓蓋(2)的另一端設(shè)有第一卡塊(51)；所述支座(1)頂部的另一端設(shè)有與第一卡塊(51)卡接的第二卡塊(52)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述下壓蓋(3)的一端與支座(1)底部的一端鉸接；所述下壓蓋(3)的另一端與支座(1)底部的另一端可拆卸連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述下壓蓋(3)的另一端設(shè)有第三卡塊(53)；所述支座(1)底部的另一端設(shè)有與第三卡塊(53)卡接的第四卡塊(54)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述上壓塊(21)的底部以及下壓塊(31)的頂部均設(shè)有硅膠塊(22)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述支座(1)的頂部開設(shè)有開槽(11)；所述上頂針模組(41)設(shè)有固定板(6)；所述固定板(6)與開槽(11)可拆卸連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述支座(1)在開槽(11)的底部設(shè)有容置槽(12)；所述電路板(43)設(shè)于容置槽(12)；所述電路板(43)與容置槽(12)可拆卸連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種閃存顆粒測試裝置，其特征在于：所述支座(1)的底部開設(shè)有窗口(13)；所述下頂針模組(42)顯露于窗口(13)處。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及閃存顆粒技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種閃存顆粒測試裝置，包括支座、上壓蓋以及下壓蓋；所述支座設(shè)于上壓蓋與下壓蓋之間；所述支座的頂部設(shè)有上頂針模組；所述支座的底部設(shè)有下頂針模組；所述支座在上頂針模組與下頂針模組之間設(shè)有電路板；所述上頂針模組的底部與電路板的頂部連接；所述下頂針模組的頂部與電路板的底部連接；所述上壓蓋設(shè)有與上頂針模組的頂部配合的上壓塊；所述下壓蓋設(shè)有與下頂針模組的底部配合的下壓塊。本技術(shù)將上壓蓋與下壓蓋關(guān)閉之后，即可以同時對多個閃存顆粒進(jìn)行同步測試，并且由于閃存顆粒分別在支座的頂部與底部進(jìn)行測試，無需將多個閃存顆粒進(jìn)行平鋪，從而能夠使得總線線路長度得到優(yōu)化，并且節(jié)約空間。

技術(shù)研發(fā)人員：張治強(qiáng),陳寶純,楊師,盧冠華,張茜
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東長興半導(dǎo)體科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240428
技術(shù)公布日：2024/12/23