本揭露的部分實(shí)施方式是關(guān)于集成電路裝置。

背景技術(shù)：

1、一種類(lèi)型的集成電路記憶體是靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(static?random?accessmemory，sram)裝置。sram記憶體裝置包含位元單元陣列，其中每一位元單元具有連接于上參考電位與下參考電位之間的六個(gè)晶體管。每一位元單元具有可儲(chǔ)存信息的兩個(gè)儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)。第一節(jié)點(diǎn)儲(chǔ)存所需信息，而補(bǔ)充信息儲(chǔ)存于第二儲(chǔ)存節(jié)點(diǎn)處。sram單元具有在不需要再新的情況下保存數(shù)據(jù)的有利特征。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，一種集成電路裝置包含多個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(static?random?access?memory，sram)單元、第一位元線、電容器、寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)器晶體管及負(fù)電壓產(chǎn)生器電路。第一位元線與sram單元的行耦接，其中第一位元線實(shí)質(zhì)上沿著第一方向延伸。電容器包含第一電極及與第一電極間隔開(kāi)的第二電極。在俯視圖中，第一電極具有實(shí)質(zhì)上沿著第一方向延伸的至少一條第一金屬線，且至少一條第一金屬線的長(zhǎng)度小于第一位元線的長(zhǎng)度。寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)器晶體管耦接于第一位元線與電容器的第一電極之間。負(fù)電壓產(chǎn)生器電路耦接至電容器的第二電極。

2、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，一種集成電路裝置包含：在俯視圖中實(shí)質(zhì)上沿著第一方向依序排列的第一靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(static?random?access?memory，sram)單元、第二靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元及第三靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元；與第一sram單元至第三sram單元耦接的第一位元線，其中在俯視圖中，第一位元線實(shí)質(zhì)上沿著第一方向延伸且與第一sram單元至第三sram單元重疊；包括第一電極及與第一電極間隔開(kāi)的第二電極的電容器，其中在俯視圖中，第一電極具有實(shí)質(zhì)上沿著第一方向延伸且與第一sram單元及第二sram單元重疊的至少一條第一金屬線，且第三sram單元與至少一條第一金屬線不重疊；及耦接于第一位元線與電容器的第一電極之間的寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)器晶體管，其中電容器的第二電極耦接至負(fù)電壓位準(zhǔn)。

3、根據(jù)本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，提供了一種集成電路裝置。集成電路裝置包括一半導(dǎo)體基板；一靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元及一寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)器晶體管，位于該半導(dǎo)體基板上方；一前側(cè)互連結(jié)構(gòu)，位于該靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元及該寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)器晶體管上方，其中該前側(cè)互連結(jié)構(gòu)包括耦接至該靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元的一位元線，其中該位元線實(shí)質(zhì)上沿著一第一方向延伸，其中該位元線電耦合于該靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元與該寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)器晶體管之間；及一背側(cè)互連結(jié)構(gòu)，位于該寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)器晶體管的一背側(cè)上，其中在一俯視圖中，該前側(cè)互連結(jié)構(gòu)及該背側(cè)互連結(jié)構(gòu)中的一者包括電耦合至該寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)器晶體管的一第一金屬線及與該第一金屬線相鄰的一第二金屬線，該第一金屬線及該第二金屬線實(shí)質(zhì)上沿著該第一方向延伸，且該第一金屬線的一長(zhǎng)度小于該位元線的一長(zhǎng)度。

技術(shù)特征：

1.一種集成電路裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，其中在該俯視圖中，該第一電極的該至少一條第一金屬線與該靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元重疊。

3.如權(quán)利要求2所述的集成電路裝置，其特征在于，其中與該第一電極的該至少一條第一金屬線重疊的所述多個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元的一數(shù)目少于與該第一位元線重疊的所述多個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元的一數(shù)目。

4.如權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其特征在于，其中在該俯視圖中，該第二電極具有實(shí)質(zhì)上沿著該第一方向延伸的至少一條第二金屬線，且該至少一條第二金屬線的一長(zhǎng)度小于該第一位元線的該長(zhǎng)度。

5.一種集成電路裝置，其特征在于，包括：

6.如權(quán)利要求5所述的集成電路裝置，其特征在于，其中在該俯視圖中，該第一位元線延伸超過(guò)該至少一條第一金屬線的一端。

7.如權(quán)利要求5所述的集成電路裝置，其特征在于，其中該至少一條第一金屬線的一端與所述第二靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體單元重疊。

8.一種集成電路裝置，其特征在于，包括：

9.如權(quán)利要求8所述的集成電路裝置，其特征在于，其中該第一金屬線的該長(zhǎng)度與該位元線的該長(zhǎng)度的一比率在0.1至0.9的一范圍內(nèi)。

10.如權(quán)利要求8所述的集成電路裝置，其特征在于，其中該第一金屬線及該第二金屬線屬于該前側(cè)互連結(jié)構(gòu)及該背側(cè)互連結(jié)構(gòu)的一相同金屬化層。

技術(shù)總結(jié)
一種集成電路裝置包含多個(gè)靜態(tài)隨機(jī)存取記憶體(SRAM)單元、一第一位元線、一電容器、一寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)器晶體管及一負(fù)電壓產(chǎn)生器電路。該第一位元線與所述多個(gè)SRAM單元的一行耦接，其中該第一位元線實(shí)質(zhì)上沿著一第一方向延伸。該電容器包含一第一電極及與該第一電極間隔開(kāi)的一第二電極。在一俯視圖中，該第一電極具有實(shí)質(zhì)上沿著該第一方向延伸的至少一條第一金屬線，且該至少一條第一金屬線的一長(zhǎng)度小于該第一位元線的一長(zhǎng)度。該寫(xiě)入驅(qū)動(dòng)器晶體管耦接于該第一位元線與該電容器的該第一電極之間。該負(fù)電壓產(chǎn)生器電路耦接至該電容器的該第二電極。

技術(shù)研發(fā)人員：林姿均,黃健羽,李政宏,劉俊丞,周晏圻,徐紹軒
受保護(hù)的技術(shù)使用者：臺(tái)積電（南京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240422
技術(shù)公布日：2025/1/9