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一種用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的SET退火優(yōu)化電路及方法與流程

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一種用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的SET退火優(yōu)化電路及方法與流程

本發(fā)明涉及微電子領(lǐng)域,特別是涉及一種用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的set退火優(yōu)化電路及方法。



背景技術(shù):

相變存儲(chǔ)器的基本工作原理是以硫系化合物為基礎(chǔ)的相變材料作為存儲(chǔ)介質(zhì),在相變器件單元兩端施加不同的脈沖,通過相變材料在非晶態(tài)與晶態(tài)之間轉(zhuǎn)化來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。相變材料在非晶態(tài)時(shí)表現(xiàn)為半導(dǎo)體特性,其阻值表現(xiàn)為高阻;在晶態(tài)時(shí)表現(xiàn)為半金屬特性,其阻值為低阻。非晶態(tài)一般定義為“reset”態(tài),對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元的邏輯值為“1”,相應(yīng)的操作為reset操作;晶態(tài)定義為“set”態(tài),對(duì)應(yīng)存儲(chǔ)單元的邏輯值為“0”,相應(yīng)的操作為set操作。set和reset態(tài)之間的電阻差異可以達(dá)到2~3個(gè)數(shù)量級(jí)。

相變存儲(chǔ)器的基本操作有三種,分別包括reset操作、set操作外和read操作。reset操作脈沖為短而強(qiáng)的脈沖,該脈沖將電能轉(zhuǎn)化為熱能促使作用區(qū)域材料的溫度上升,當(dāng)溫度升高到材料熔融溫度以上,經(jīng)過快速淬火過程,最終導(dǎo)致材料晶態(tài)的長(zhǎng)程有序遭到破壞,實(shí)現(xiàn)材料從晶態(tài)到非晶態(tài)的轉(zhuǎn)變。一般reset脈沖的下降沿比較陡峭,這樣做的目的是為了保證材料非晶結(jié)構(gòu)的形成。與reset操作不同,set操作脈沖為長(zhǎng)而強(qiáng)度中等的脈沖,該脈沖通過將電能轉(zhuǎn)變成熱對(duì)非晶材料加熱,使材料溫度升高到結(jié)晶溫度以上、熔融溫度以下,最終促使材料結(jié)晶。set脈沖寬度一定大于結(jié)晶感應(yīng)時(shí)間,這樣才能確保材料在足夠時(shí)間內(nèi)充分結(jié)晶。

在相變存儲(chǔ)器的研究階段,相變存儲(chǔ)單元的測(cè)試有助于詳細(xì)分析陣列中一些特定單元的性能,而在單元測(cè)試?yán)飐et電流源脈沖優(yōu)化電路對(duì)研究set過程電壓變化、相變機(jī)理和提升速度至關(guān)重要。目前,set退火優(yōu)化電路廣泛使用的是一種下降沿呈階梯狀減小的一種編程脈沖,采用這種方式的電路在一定程度上優(yōu)化了set退火操作,但是因?yàn)槠潆A梯性導(dǎo)致不能滿足每一個(gè)存儲(chǔ)單元都能作用在其最優(yōu)的set操作參數(shù)下,因此具備平滑下降沿的set退火優(yōu)化電路具有重要意義。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn),本發(fā)明的目的在于提供一種用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的set退火優(yōu)化電路及方法,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中set退火優(yōu)化電路因其輸出電流的階梯性導(dǎo)致不能滿足每一個(gè)存儲(chǔ)單元都作用在最優(yōu)set操作參數(shù)下的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明提供一種用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的set退火優(yōu)化電路,所述set退火優(yōu)化電路至少包括:

脈沖電流源產(chǎn)生電路,接收負(fù)直流電流及單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓,用于產(chǎn)生兩個(gè)相同的脈沖電流源,分別為第一脈沖電流源和第二脈沖電流源;

電容,一端連接所述第一脈沖電流源、另一端接地,用于控制輸出驅(qū)動(dòng)電流的下降沿緩慢下降;

負(fù)載相變電阻,一端連接所述第二脈沖電流源、另一端接地,用于輸出所述輸出驅(qū)動(dòng)電流;

開關(guān)管,連接于所述第一脈沖電流源和所述第二脈沖電流源的輸出端之間,控制端連接所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓的反信號(hào),用于控制所述電容的充放電。

反相器,連接于所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓和所述開關(guān)管的控制端之間,用于反相所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)控制所述開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷。

優(yōu)選地,所述負(fù)載相變電阻為相變存儲(chǔ)器中的單元電阻。

優(yōu)選地,所述開關(guān)管為n型mos器件,其源端連接于所述第二脈沖電流源與所述負(fù)載相變電阻之間、漏端連接所述第一脈沖電流源與所述電容之間、柵端連接所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓的反信號(hào);當(dāng)所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓為高電平時(shí)所述電容處于充電狀態(tài),當(dāng)所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓為低電平時(shí)所述電容處于放電狀態(tài),為所述負(fù)載相變電阻供電。

為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本發(fā)明提供一種用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的set退火優(yōu)化方法,所述set退火優(yōu)化方法至少包括:

基于負(fù)直流電流及單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生兩個(gè)相同的脈沖電流源,記為第一脈沖電流源和第二脈沖電流源,所述第一脈沖電流源和所述第二脈沖電流源的脈沖寬度與所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓的脈沖寬度相同;

在所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓為高電平時(shí),所述第一脈沖電流源為電容充電;所述第二脈沖電流源流經(jīng)負(fù)載相變電阻,作為輸出驅(qū)動(dòng)電流的高電平信號(hào);

在所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓為低電平時(shí),所述電容為所述負(fù)載相變電阻供電,使所述輸出驅(qū)動(dòng)電流的下降沿緩慢下降。

優(yōu)選地,為了確保輸出的脈沖電流源的穩(wěn)定性,通過兩個(gè)獨(dú)立的相同的負(fù)直流電流在所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓的作用下產(chǎn)生兩個(gè)獨(dú)立的相同的脈沖電流源;在所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓高電平時(shí)所述第一脈沖電流源和所述第二脈沖電流源為高電平,在所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓低電平時(shí)所述第一脈沖電流源和所述第二脈沖電流源為低電平。

優(yōu)選地,通過設(shè)定所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓的脈沖寬度來(lái)確定所述輸出驅(qū)動(dòng)電流輸出高電平的時(shí)間及所述電容的充電時(shí)間。

優(yōu)選地,通過設(shè)定所述負(fù)載相變電阻及所述電容的參數(shù)來(lái)確定所述輸出驅(qū)動(dòng)電流的下降沿的下降速度。

更優(yōu)選地,在緩慢下降時(shí),所述輸出驅(qū)動(dòng)電流滿足如下關(guān)系式:

其中,u為電容兩端電壓,r為所述負(fù)載相變電阻的阻值,c為所述電容的容量,t為所

述輸出驅(qū)動(dòng)電流下降的時(shí)間,e為自然常數(shù)。

如上所述,本發(fā)明的用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的set退火優(yōu)化電路及方法,具有以下有益效果:

本發(fā)明的用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的set退火優(yōu)化電路及方法利用rc放電效應(yīng),通過器件參數(shù)的設(shè)置控制輸出驅(qū)動(dòng)電流的脈沖寬度和下降沿下降速度,以此確保相變存儲(chǔ)器set操作中材料在足夠時(shí)間內(nèi)充分結(jié)晶,并具有一個(gè)緩慢退火的過程,使每個(gè)存儲(chǔ)單元都能作用在最優(yōu)set操作的參數(shù)下。

附圖說(shuō)明

圖1顯示為本發(fā)明的用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的set退火優(yōu)化電路示意圖。

圖2顯示為本發(fā)明的用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的set退火優(yōu)化電路在電容工作于充電狀態(tài)下的等效示意圖。

圖3顯示為本發(fā)明的電容工作于充電狀態(tài)下的原理示意圖。

圖4顯示為本發(fā)明的用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的set退火優(yōu)化電路在電容工作于放電狀態(tài)下的等效示意圖。

圖5顯示為本發(fā)明的電容充電時(shí)的電壓-時(shí)間曲線示意圖。

圖6顯示為本發(fā)明的電容放電時(shí)的電流-時(shí)間曲線示意圖。

圖7顯示為本發(fā)明的輸出驅(qū)動(dòng)電流的波形示意圖。

元件標(biāo)號(hào)說(shuō)明

1脈沖電流源產(chǎn)生電路

2反相器

具體實(shí)施方式

以下通過特定的具體實(shí)例說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式,本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明還可以通過另外不同的具體實(shí)施方式加以實(shí)施或應(yīng)用,本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可以基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用,在沒有背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾或改變。

請(qǐng)參閱圖1~圖7。需要說(shuō)明的是,本實(shí)施例中所提供的圖示僅以示意方式說(shuō)明本發(fā)明的基本構(gòu)想,遂圖式中僅顯示與本發(fā)明中有關(guān)的組件而非按照實(shí)際實(shí)施時(shí)的組件數(shù)目、形狀及尺寸繪制,其實(shí)際實(shí)施時(shí)各組件的型態(tài)、數(shù)量及比例可為一種隨意的改變,且其組件布局型態(tài)也可能更為復(fù)雜。

如圖1所示,本發(fā)明提供一種用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的set退火優(yōu)化電路,所述set退火優(yōu)化電路至少包括:

脈沖電流源產(chǎn)生電路1、電容c、負(fù)載相變電阻r、開關(guān)管q以及反相器2。

如圖1所示,所述脈沖電流源產(chǎn)生電路1接收負(fù)直流電流及單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata,用于產(chǎn)生兩個(gè)相同的脈沖電流源,分別為第一脈沖電流源idata1和第二脈沖電流源idata2。

具體地,如圖1所示,在本實(shí)施例中,提供兩個(gè)相同的負(fù)直流電流,分別為第一負(fù)直流電流iin1和第二負(fù)直流電流iin2,所述第一負(fù)直流電流iin1和所述第二負(fù)直流電流iin2基于所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata得到所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2。一個(gè)輸入電流對(duì)應(yīng)一個(gè)輸出電流,以此確保輸出脈沖電流源的穩(wěn)定性,在實(shí)際使用中,可通過一個(gè)負(fù)直流電流得到兩個(gè)相同的脈沖電流源,不以本實(shí)施例為限。所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata控制所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2的開啟和關(guān)閉,以形成脈沖信號(hào),當(dāng)所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata為高電平時(shí),所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2開啟;當(dāng)所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata為低電平時(shí),所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2關(guān)閉,進(jìn)而確定所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2的脈沖寬度。所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2的脈沖寬度與所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata的脈沖寬度相同。通過設(shè)定所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata的脈沖寬度來(lái)得到預(yù)設(shè)的脈沖電流源的脈沖寬度,在本實(shí)施例中,所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata為納秒級(jí)電壓脈沖,其控制頻率設(shè)定為10mhz,脈沖寬度為200ns。

具體地,所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2的大小與所述第一負(fù)直流電流iin1和所述第二負(fù)直流電流iin2的大小有關(guān),可通過比值的設(shè)定得到預(yù)設(shè)的輸出電流值,在本實(shí)施例中,所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2的大小與所述第一負(fù)直流電流iin1和所述第二負(fù)直流電流iin2的大小比值為4:1。

具體地,如圖1所示,所述脈沖電流源產(chǎn)生電路1連接電源電壓vdd,所述電源電壓vdd設(shè)定為2.6v~6.5v,在本實(shí)施例中,所述電源電壓vdd設(shè)定為5v。所述脈沖電流源產(chǎn)生電路1接收使能信號(hào)en,在本實(shí)施例中,所述使能信號(hào)en在高電平時(shí)起效,高電平設(shè)定為所述電源電壓vdd。所述脈沖電流源產(chǎn)生電路1還連接參考地gnd。

如圖1所示,所述電容c的一端連接所述第一脈沖電流源idata1、另一端接地gnd,用于控制輸出驅(qū)動(dòng)電流的下降沿緩慢下降。

如圖1所示,所述負(fù)載相變電阻r的一端連接所述第二脈沖電流源idata2、另一端接地gnd,用于輸出所述輸出驅(qū)動(dòng)電流。

具體地,所述負(fù)載相變電阻r為相變存儲(chǔ)器中的單元電阻。

如圖1所示,所述開關(guān)管q連接于所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2的輸出端之間,用于控制所述電容c的充放電。所述反相器2的輸入端連接所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata,輸出端連接所述開關(guān)管q的控制端。

具體地,在本實(shí)施例中,所述開關(guān)管q為n型mos器件,所述開關(guān)管q的源端連接于所述第二脈沖電流源idata2與所述負(fù)載相變電阻r之間、漏端連接于所述第一脈沖電流源idata1與所述電容c之間、柵端連接所述反相器2的輸出端。當(dāng)所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata為高電平時(shí),所述開關(guān)管q關(guān)斷;當(dāng)所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata為低電平時(shí),所述開關(guān)管q導(dǎo)通。所述開關(guān)管q的類型和控制信號(hào)的極性不限,可選擇p型mos器件,在控制端為高電平時(shí)關(guān)斷所述開關(guān)管q,在控制端為低電平時(shí)導(dǎo)通所述開關(guān)管q,其他類型的器件通過相應(yīng)控制信號(hào)實(shí)現(xiàn)開關(guān)的開和閉均適用于本發(fā)明,不以本實(shí)施例為限。

如圖1~圖4所示,本發(fā)明提供一種用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的set退火優(yōu)化方法,所述set退火優(yōu)化方法至少包括:

基于負(fù)直流電流及單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生兩個(gè)相同的脈沖電流源,記為第一脈沖電流源和第二脈沖電流源,所述第一脈沖電流源和所述第二脈沖電流源的脈沖寬度與所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓的脈沖寬度相同;

在所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓為高電平時(shí),所述第一脈沖電流源為電容充電;所述第二脈沖電流源流經(jīng)負(fù)載相變電阻,作為輸出驅(qū)動(dòng)電流的高電平信號(hào);

在所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓為低電平時(shí),所述電容為所述負(fù)載相變電阻供電,使所述輸出驅(qū)動(dòng)電流的下降沿緩慢下降。

具體地,如圖1所示,在本實(shí)施例中,為了確保輸出脈沖電流源的穩(wěn)定性,提供第一負(fù)直流電流iin1和第二負(fù)直流電流iin2,所述第一負(fù)直流電流iin1和所述第二負(fù)直流電流iin2通過單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata產(chǎn)生第一脈沖電流源idata1和第二脈沖電流源idata2,所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata控制所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2的開啟和關(guān)斷,所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2的脈沖寬度與所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata的脈沖寬度相同;所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2在高電平時(shí)為恒流信號(hào),其大小與所述第一負(fù)直流電流iin1和所述第二負(fù)直流電流iin2成比例,可根據(jù)比例的設(shè)定得到預(yù)設(shè)的電流源大小。

具體地,如圖2所示,在本實(shí)施例中,在所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata為高電平時(shí),所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2為高電平;所述開關(guān)管q關(guān)斷。所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2相當(dāng)于恒直流電流,分別流經(jīng)所述電容c和所述負(fù)載相變電阻r。所述第二脈沖電流源idata2為所述負(fù)載相變電阻r供電,作為所述輸出驅(qū)動(dòng)電流的高電平部分,所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata的脈沖寬度決定所述輸出驅(qū)動(dòng)電流輸出高電平的時(shí)間。如圖3所示,所述第一脈沖電流源idata1相當(dāng)于一恒流源,為所述電容c充電,所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata的脈沖寬度決定所述電容c的充電時(shí)間。

具體地,如圖4所示,在本實(shí)施例中,在所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata為低電平時(shí),所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2關(guān)斷,輸出為低電平;所述開關(guān)管q導(dǎo)通。如圖4所示,所述電容c為所述負(fù)載相變電阻r供電,使得流過所述負(fù)載相變電阻r的電流緩慢下降。

本發(fā)明可通過器件參數(shù)和電流放大(或縮小)比例的設(shè)置來(lái)得到適用于pcram器件單元的測(cè)試分析的輸出驅(qū)動(dòng)電流,電流大小高至10ma以上,輸出的脈寬低至100ns。

作為本發(fā)明的一個(gè)示例,如圖1所示,當(dāng)所述第一負(fù)直流電流iin1和所述第二負(fù)直流電流iin2的電流大小為-0.1ma,所述單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓vdata為+5v且脈寬為200ns時(shí),所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2的電流大小均為+0.4ma且脈沖寬度為200ns。假設(shè)所述負(fù)載相變電阻為1kω。

如圖3所示,所述第一脈沖電流源idata1給所述電容c充電階段。電容的特性可用表達(dá)式q=cu(1)表示,其中,q為所述電容的電量、c為所述電容的容量、u為所述電容兩端的電壓。所述第一脈沖電流源idata1恒為0.4ma,且δu=δq/c=(idata1/c)×t(2),其中,δu為所述電容兩端電壓的變化量,δq為所述電容電量的變化量,t為時(shí)間。

因此,得到表達(dá)式u=u0+δu=u0+(idata1/c)×t(3),其中,u為所述電容兩端電壓的實(shí)時(shí)值,u0為所述電容兩端電壓的初始值,如圖5所示為式(3)的曲線圖。如圖1所示,在本實(shí)施例中,所述輸出驅(qū)動(dòng)電流輸出高電平的時(shí)間t1=200ns,idata1=0.4ma,u0=0,但是仍需要知道所述電容充滿時(shí)兩端電壓u的值,才能算出所述電容c的容量。

如圖4所示,當(dāng)充電時(shí)間達(dá)到200ns的時(shí)候,所述第一脈沖電流源idata1和所述第二脈沖電流源idata2關(guān)斷,此時(shí)開關(guān)q管導(dǎo)通,由所述電容c給所述負(fù)載相變電阻r放電。根據(jù)電阻電容一階零輸入響應(yīng)的原理,可得到電流放電的表達(dá)式其中,u為所述電容兩端電壓,r為所述負(fù)載相變電阻的阻值,c為所述電容的容量,t為所述輸出驅(qū)動(dòng)電流下降的時(shí)間,e為自然常數(shù)。因?yàn)槌浞烹娭箅娏鳡顟B(tài)要達(dá)到一致,所以放電電流的初始狀態(tài)u/r=0.4ma,r=1kω,由此可得u=0.4v。已知u=0.4v,可由式(3)求得c=200pf。通過設(shè)定所述負(fù)載相變電阻及所述電容的參數(shù)來(lái)確定所述輸出驅(qū)動(dòng)電流的下降沿的下降速度,具體參數(shù)根據(jù)實(shí)際需要設(shè)定,不以本實(shí)施例為限。

如圖6所示為式(4)的曲線圖,從理論上看,要經(jīng)過無(wú)窮長(zhǎng)時(shí)間u/r才能衰減為零值,但工程上一般認(rèn)為經(jīng)過3rc~5rc時(shí)間放電為0,因此,在本實(shí)施例中,設(shè)定放電時(shí)間t2≈4rc=800ns。由此可得所述輸出驅(qū)動(dòng)電流的脈沖寬度為t1+t2≈1000ns,所述輸出驅(qū)動(dòng)電流的波形如圖7所示。

本發(fā)明的用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的set退火優(yōu)化電路及方法利用rc放電效應(yīng),通過器件參數(shù)的設(shè)置控制輸出驅(qū)動(dòng)電流的脈沖寬度和下降沿下降速度,以此確保相變存儲(chǔ)器set操作中材料在足夠時(shí)間內(nèi)充分結(jié)晶,并具有一個(gè)緩慢退火的過程,使每個(gè)存儲(chǔ)單元都能作用在最優(yōu)set操作的參數(shù)下。

綜上所述,本發(fā)明提供一種用于相變存儲(chǔ)單元電流測(cè)試的set退火優(yōu)化電路及方法,包括:接收負(fù)直流電流及單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓,并產(chǎn)生兩個(gè)相同的脈沖電流源,第一脈沖電流源和第二脈沖電流源的脈沖電流源產(chǎn)生電路;控制輸出驅(qū)動(dòng)電流的下降沿緩慢下降的電容;輸出所述輸出驅(qū)動(dòng)電流的負(fù)載相變電阻;控制電容的充放電的開關(guān)管;及對(duì)單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓反相的反相器?;谪?fù)直流電流及單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓產(chǎn)生兩個(gè)相同的脈沖電流源,記為第一脈沖電流源和第二脈沖電流源;在單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓為高電平時(shí),第一脈沖電流源為電容充電;第二脈沖電流源流經(jīng)負(fù)載相變電阻,作為輸出驅(qū)動(dòng)電流的高電平信號(hào);在單脈沖驅(qū)動(dòng)電壓為低電平時(shí),電容為負(fù)載相變電阻供電,使輸出驅(qū)動(dòng)電流的下降沿緩慢下降。本發(fā)明利用rc放電效應(yīng),通過器件參數(shù)的設(shè)置控制輸出驅(qū)動(dòng)電流的脈沖寬度和下降沿下降速度,以此確保相變存儲(chǔ)器set操作中材料在足夠時(shí)間內(nèi)充分結(jié)晶,并具有一個(gè)緩慢退火的過程,使每個(gè)存儲(chǔ)單元都能作用在最優(yōu)set操作的參數(shù)下。所以,本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。

上述實(shí)施例僅例示性說(shuō)明本發(fā)明的原理及其功效,而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下,對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此,舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變,仍應(yīng)由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。

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