本實(shí)用新型涉及存儲設(shè)備硬件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種非易失性存儲器。

背景技術(shù)：

非易失性存儲器(Non-volatile Memory)，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，具有容量大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲。廣泛應(yīng)用于嵌入式產(chǎn)品中，如數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。圖1是現(xiàn)有非易失性存儲器的一個簡易結(jié)構(gòu)圖，由圖1可知，該非易失性存儲器由存儲單元陣列11、字線選擇單元12、位線選擇單元13、電壓泵14、以及控制單元15組成，其中，存儲單元陣列11由多個存儲單元塊組成，每個存儲單元塊由多個存儲單元頁組成，每個存儲單元頁又基于每個存儲單元字線和位線連接形成；控制單元15為整個非易失性存儲器的控制核心，分別與字線選擇單元12、位線選擇單元13以及電壓泵14連接，可控制字線選擇單元12和位線選擇單元13實(shí)現(xiàn)對存儲單元陣列11的存儲地址選取，還可控制電壓泵14對存儲單元陣列11施加電壓，并控制所施加的電壓大小。

在非易失性存儲器中，一個存儲單元可看作為一個金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。圖2是一種常見的MOSFET結(jié)構(gòu)圖，包括柵極20、源極21、漏極22、P型硅半導(dǎo)體襯底23、P-阱24以及隧穿氧化層25。其相互間的連接為：P型硅半導(dǎo)體襯底23擴(kuò)散出兩個N型區(qū)，在P型硅半導(dǎo)體襯底23與兩個N型區(qū)之間形成P-阱24，P型硅半導(dǎo)體襯底23上方覆蓋一層隧穿氧化層24，最后在N型區(qū)上方用腐蝕的方法做成兩個孔，用金屬化的方法分別在絕緣層上及兩個孔內(nèi)做成三個電極： 柵極20、源極21和漏極22，源極21和漏極22分別對應(yīng)兩個N型區(qū)且柵極20為存儲單元的字線，漏極22為存儲單元的位線。

現(xiàn)有技術(shù)中，在對非易失性存儲器的存儲單元進(jìn)行擦除或編程操作時，所采用的擦除或編程電壓統(tǒng)一設(shè)定，然而非易失性存儲器的擦除或編程能力會隨著溫度的變化而變化，如，當(dāng)溫度降低而擦除電壓保持不變時，其擦除能力就相應(yīng)降低，甚至一直處于擦除失敗的狀態(tài)；又如，當(dāng)溫度升高而編程電壓保持不變時，其編程能力也相應(yīng)降低，還會存在編程失敗的情況。由此可知，外界溫度的變化會影響擦除或者編程操作的工作時間，從而影響擦除或者編程效率，進(jìn)而降低了非易失性存儲器的可靠性和穩(wěn)定性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種非易失性存儲器，以提高非易失性存儲器工作時的可靠性、高效性以及穩(wěn)定性。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種非易失性存儲器，包括：包括存儲單元陣列、字線選擇單元、位線選擇單元、電壓泵以及控制單元，其中，所述控制單元分別與所述存儲單元陣列、字線選擇單元、位線選擇單元以及電壓泵相連接，所述電壓泵與所述存儲單元陣列連接，還包括：溫度監(jiān)測器，

其中，所述溫度監(jiān)測器，與所述控制單元相連，用于監(jiān)測非易失性存儲器所處環(huán)境的溫度，并向所述控制單元傳輸所處環(huán)境的溫度信息。

進(jìn)一步的，所述溫度監(jiān)測器通過排線與所述控制單元上的排線接口相連。

進(jìn)一步的，所述溫度監(jiān)測器為溫度傳感器。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種非易失性存儲器。本實(shí)用新型的非易失性存儲器與現(xiàn)有的非易失性存儲器相比，增加了與控制單元相連的溫度監(jiān)測器，由 此可以基于該溫度監(jiān)測器來監(jiān)測非易失性存儲器所處的外界環(huán)境溫度，并將監(jiān)測的溫度信息傳遞給控制單元，使得控制單元能夠基于外界環(huán)境溫度信息來實(shí)時調(diào)整非易失性存儲器的工作電壓，由此在不影響非易失性存儲器工作準(zhǔn)確性的同時縮短了工作時間，進(jìn)而達(dá)到了提高非易失性存儲器的穩(wěn)定性和可靠性的目的。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的非易失性存儲器的簡易結(jié)構(gòu)圖；

圖2為非易失性存儲器中作為存儲單元的一種金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管的結(jié)構(gòu)圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種非易失性存儲器的簡易結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的詳細(xì)說明?？梢岳斫獾氖牵颂幩枋龅木唧w實(shí)施例僅僅用于解釋本實(shí)用新型，而非對本實(shí)用新型的限定。另外還需要說明的是，為了便于描述，附圖中僅示出了與本實(shí)用新型相關(guān)的部分而非全部內(nèi)容。

實(shí)施例一

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種非易失性存儲器的簡易結(jié)構(gòu)圖，如圖3所示，本實(shí)用新型實(shí)施例提供的非易失性存儲器，除包括存儲單元陣列31、字線選擇單元32、位線選擇單元33、電壓泵34、以及控制單元35之外，還包括：溫度監(jiān)測器36。

其中，溫度監(jiān)測器36，與控制單元35相連，用于監(jiān)測非易失性存儲器所處 環(huán)境的溫度，并向控制單元35傳輸所處環(huán)境的溫度信息。

在本實(shí)施例中，在基于本實(shí)用新型的非易失性存儲器進(jìn)行擦除或者編程操作之前，首先可以基于溫度監(jiān)測器36進(jìn)行外界環(huán)境溫度的監(jiān)測，并可通過溫度監(jiān)測器36將所監(jiān)測的溫度信息傳輸給控制單元35；由此使得控制單元35基于所獲得的溫度信息調(diào)控電壓泵34的輸出電壓，來實(shí)時改變非易失性存儲器進(jìn)行擦除或者編程操作時所需的電壓。

進(jìn)一步的，溫度監(jiān)測器36通過排線與控制單元35上的排線接口相連。

具體的，本實(shí)用新型的非易失性存儲器中，各單元器件之間的連接都是通過排線與排線接口的對接實(shí)現(xiàn)的，由此，所增加的溫度監(jiān)測器36也是通過排線與控制單元35上的排線接口實(shí)現(xiàn)連接的。

進(jìn)一步的，溫度監(jiān)測器36為溫度傳感器。

在本實(shí)施例中，溫度監(jiān)測器36主要用于監(jiān)測外界的溫度變化，因此，可將溫度監(jiān)測器36優(yōu)選為溫度傳感器。

本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種非易失性存儲器，與現(xiàn)有的非易失性存儲器相比，在其結(jié)構(gòu)上增加了一個與控制單元相連的溫度監(jiān)測器。利用該非易失性存儲器，能夠首先基于溫度監(jiān)測器對所處的外界環(huán)境溫度進(jìn)行監(jiān)測，并通過所監(jiān)測的溫度信息通過控制單元調(diào)控電壓泵的輸出電壓，實(shí)現(xiàn)了對非易失性存儲器工作所需電壓的實(shí)時調(diào)整，由此在不影響非易失性存儲器工作準(zhǔn)確性的同時縮短了工作時間，進(jìn)而達(dá)到了提高非易失性存儲器的穩(wěn)定性和可靠性的目的。

注意，上述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例及所運(yùn)用技術(shù)原理。本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解，本實(shí)用新型不限于這里所述的特定實(shí)施例，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說能夠進(jìn)行各種明顯的變化、重新調(diào)整和替代而不會脫離本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。因此，雖然通過以上實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行了較為詳細(xì)的說明，但是本 實(shí)用新型不僅僅限于以上實(shí)施例，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的情況下，還可以包括更多其他等效實(shí)施例，而本實(shí)用新型的范圍由所附的權(quán)利要求范圍決定。