i.優(yōu)先權(quán)要求本申請(qǐng)要求共同擁有的于2014年12月22日提交的美國(guó)非臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)no.14/579,891的優(yōu)先權(quán)，該非臨時(shí)專(zhuān)利申請(qǐng)的內(nèi)容通過(guò)援引全部明確納入于此。ii.領(lǐng)域本公開(kāi)一般涉及電子設(shè)備，諸如存儲(chǔ)器器件。iii.相關(guān)技術(shù)描述電子設(shè)備可包括存儲(chǔ)信息(諸如指令和數(shù)據(jù))的存儲(chǔ)器器件。存儲(chǔ)器器件的示例包括易失性存儲(chǔ)器件(諸如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)器件)以及非易失性存儲(chǔ)器件(諸如基于電阻的存儲(chǔ)器件或只讀存儲(chǔ)器(rom)器件)。在一些情況下，電子設(shè)備可將信息從較慢的非易失性存儲(chǔ)器(例如，從rom器件)加載到較快的易失性存儲(chǔ)器中(例如，sram器件中)以在設(shè)備操作期間實(shí)現(xiàn)對(duì)信息的較快存取。易失性存儲(chǔ)器件通常在掉電事件之際丟失信息。例如，sram存儲(chǔ)元件可包括存儲(chǔ)電壓(代表高邏輯值或低邏輯值)的一對(duì)交叉耦合的反相器，該電壓在對(duì)該sram存儲(chǔ)元件供電的電源電壓被中斷或斷開(kāi)時(shí)丟失。為了保留易失性存儲(chǔ)器器件處的數(shù)據(jù)，一些設(shè)備包括連接到該易失性存儲(chǔ)器器件的電池或非易失性存儲(chǔ)器器件。然而，這些技術(shù)的實(shí)現(xiàn)可能是昂貴的。例如，可使用附加掩模在位于sram器件上的一個(gè)或多個(gè)電路層中制造基于電阻的存儲(chǔ)元件。附加掩模的使用引起附加成本。iv.概述根據(jù)本公開(kāi)的靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)器件可使用偏置電壓來(lái)編程，以使該sram器件即使在斷開(kāi)電源電壓之后還“偏好”特定狀態(tài)(例如，基于移位晶體管閾值電壓)。為了解說(shuō)，使用相對(duì)小的工藝技術(shù)(例如，16納米工藝)來(lái)制造的晶體管的閾值電壓之間的差異(或“失配”)可諸如通過(guò)在sram器件處創(chuàng)建稍微“優(yōu)選”狀態(tài)而影響該sram器件的操作。由于閾值電壓失配，sram器件會(huì)比邏輯“1”狀態(tài)更容易被編程為邏輯“0”狀態(tài)(或反之亦然)。由此，sram器件會(huì)比邏輯“1”狀態(tài)更易感于邏輯“0”狀態(tài)并且由此會(huì)“偏好”邏輯“0”狀態(tài)(或反之亦然)。某些常規(guī)sram器件可嘗試避免或緩解閾值電壓失配(例如，通過(guò)嘗試增加sram器件的物理對(duì)稱(chēng)性)。根據(jù)本公開(kāi)，可諸如通過(guò)用強(qiáng)偏置電壓過(guò)驅(qū)動(dòng)sram器件以增加sram器件對(duì)特定狀態(tài)的易感性(susceptibility)(或偏好)，來(lái)增加閾值電壓失配以在sram器件處創(chuàng)建非易失性(或“優(yōu)選”)狀態(tài)。在施加強(qiáng)偏置電壓之后，該狀態(tài)可在電源從sram器件中斷或斷開(kāi)之后被保留在sram器件處。在后續(xù)上電之后，可使用感測(cè)操作(諸如通過(guò)增加(或“斜升”)sram器件處的電源電壓)來(lái)感測(cè)該狀態(tài)?；陂撝惦妷菏?，斜升電源電壓可基于在施加強(qiáng)偏置電壓之后sram器件“偏好”哪個(gè)狀態(tài)來(lái)誘發(fā)sram器件處的狀態(tài)(例如，通過(guò)使sram器件具有邏輯“0”狀態(tài)而不是邏輯“1”狀態(tài)，或反之亦然)。由此，非易失性狀態(tài)可被編程到sram器件而無(wú)需與電池或非易失性存儲(chǔ)元件的附加電路層相關(guān)聯(lián)的成本和復(fù)雜性。在一特定示例中，一種操作sram存儲(chǔ)元件的方法包括：在掉電事件之前將一值編程到所述sram存儲(chǔ)元件。所述方法進(jìn)一步包括：響應(yīng)于在所述掉電事件之后在所述sram存儲(chǔ)元件處的上電事件，增加所述sram存儲(chǔ)元件的電源電壓并感測(cè)所述sram存儲(chǔ)元件的狀態(tài)，以確定在所述掉電事件之前被編程到所述sram存儲(chǔ)元件的所述值。在另一特定示例中，一種裝置包括：sram存儲(chǔ)元件以及耦合到所述sram存儲(chǔ)元件的控制電路系統(tǒng)。所述控制電路系統(tǒng)被配置成：在掉電事件之前將一值編程到所述sram存儲(chǔ)元件。所述控制電路系統(tǒng)被進(jìn)一步配置成：響應(yīng)于在所述掉電事件之后在所述sram存儲(chǔ)元件處的上電事件，增加所述sram存儲(chǔ)元件的電源電壓并感測(cè)所述sram存儲(chǔ)元件的狀態(tài)，以確定在所述掉電事件之前被編程到所述sram存儲(chǔ)元件的所述值。在另一特定示例中，一種裝備包括：用于存取sram存儲(chǔ)元件的裝置。所述裝備進(jìn)一步包括用于進(jìn)行以下操作的裝置：在掉電事件之前將一值編程到所述sram存儲(chǔ)元件，響應(yīng)于在所述sram存儲(chǔ)元件處的上電事件，增加所述sram存儲(chǔ)元件的電源電壓，并在增加所述電源電壓之后感測(cè)所述sram存儲(chǔ)元件的狀態(tài)以確定在所述掉電事件之前被編程到所述sram存儲(chǔ)元件的所述值。在另一特定示例中，一種計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)存儲(chǔ)可由處理器執(zhí)行以發(fā)起或控制操作的指令。所述操作包括：存取數(shù)據(jù)文件，所述數(shù)據(jù)文件指示對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體器件的設(shè)計(jì)信息。所述操作進(jìn)一步包括：根據(jù)所述設(shè)計(jì)信息來(lái)制造所述半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括：sram存儲(chǔ)元件以及耦合到所述sram存儲(chǔ)元件的控制電路系統(tǒng)。所述控制電路系統(tǒng)被配置成：在掉電事件之前將一值編程到所述sram存儲(chǔ)元件。所述控制電路系統(tǒng)被進(jìn)一步配置成：響應(yīng)于在所述掉電事件之后在所述sram存儲(chǔ)元件處的上電事件，增加所述sram存儲(chǔ)元件的電源電壓并確定在所述掉電事件之前被編程到所述sram存儲(chǔ)元件的所述值。由所公開(kāi)的各實(shí)施例中的至少一個(gè)實(shí)施例提供的一個(gè)特定優(yōu)點(diǎn)在于，非易失性狀態(tài)可被編程到sram器件而無(wú)需與電池或非易失性存儲(chǔ)元件的附加電路層相關(guān)聯(lián)的成本和復(fù)雜性。本公開(kāi)的其他方面、優(yōu)點(diǎn)和特征將在閱讀了整個(gè)申請(qǐng)后變得明了，整個(gè)申請(qǐng)包括以下章節(jié)：附圖簡(jiǎn)述、詳細(xì)描述、以及權(quán)利要求書(shū)。v.附圖簡(jiǎn)述圖1是描繪了包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)存儲(chǔ)元件的器件的解說(shuō)性示例的圖；圖2是描繪了操作sram存儲(chǔ)元件(諸如圖1的sram存儲(chǔ)元件)的解說(shuō)性方法的流程圖。圖3是包括sram存儲(chǔ)元件(諸如圖1的sram存儲(chǔ)元件)的電子設(shè)備的解說(shuō)性示例的框圖。圖4是用于制造包括sram存儲(chǔ)元件(諸如圖1的sram存儲(chǔ)元件)的電子設(shè)備的制造過(guò)程的特定解說(shuō)性實(shí)施例的數(shù)據(jù)流圖。vi.詳細(xì)描述參照?qǐng)D1，描繪了一種器件的特定解說(shuō)性實(shí)施例并將其一般地標(biāo)示為100。在一特定實(shí)現(xiàn)中，器件100是使用16納米(nm)或更小的制造工藝(諸如使用16nm互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(cmos)制造工藝和/或16nm鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(finfet)制造工藝)來(lái)制造的。作為解說(shuō)性示例，器件100可包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)存儲(chǔ)元件101，其可被實(shí)現(xiàn)在sram存儲(chǔ)元件的陣列內(nèi)。sram存儲(chǔ)元件101可包括一對(duì)交叉耦合的反相器。例如，在圖1中，sram存儲(chǔ)元件101包括由耦合到n型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(nmosfet)110(例如，第一下拉晶體管)的p型金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(pmosfet)106(例如，第一上拉晶體管)形成的第一反相器。sram存儲(chǔ)元件101進(jìn)一步包括由耦合到nmosfet112(例如，第二下拉晶體管)的pmosfet108(例如，第二上拉晶體管)形成的第二反相器。pmosfet106和nmosfet110可經(jīng)由節(jié)點(diǎn)102耦合。例如，pmosfet106和nmosfet110的漏極端子可耦合到節(jié)點(diǎn)102。pmosfet108和nmosfet112可經(jīng)由節(jié)點(diǎn)104耦合。例如，pmosfet108和nmosfet112的漏極端子可耦合到節(jié)點(diǎn)104。pmosfet106、108可經(jīng)由節(jié)點(diǎn)114耦合。例如，pmosfet106、108的源極端子可耦合到節(jié)點(diǎn)114。nmosfet110、112可經(jīng)由節(jié)點(diǎn)116耦合。例如，nmosfet110、112的源極端子可耦合到節(jié)點(diǎn)116。pmosfet106可包括耦合到節(jié)點(diǎn)122的體端子，并且pmosfet108可包括耦合到節(jié)點(diǎn)124的體端子。sram存儲(chǔ)元件101可進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)存取晶體管。例如，器件100包括存取晶體管118和存取晶體管120。在圖1的示例中，sram存儲(chǔ)元件101具有六晶體管(6t)配置。根據(jù)進(jìn)一步的實(shí)施例，sram存儲(chǔ)元件101可以是與圖1的示例不同的配置(例如，存儲(chǔ)元件可包括與圖1的示例中所解說(shuō)的不同數(shù)目的晶體管，諸如比圖1的示例更多的晶體管或比圖1的示例更少的晶體管)。器件100進(jìn)一步包括字線130、字線132、位線134、以及位線136。存取晶體管118耦合到字線130和位線134。存取晶體管120耦合到字線132和位線136。器件100進(jìn)一步包括控制電路系統(tǒng)，諸如易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170。易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可耦合到節(jié)點(diǎn)114、116、122、124、字線130、132、以及位線134、136。易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可被配置成：在器件100的操作期間生成偏置電壓144、146、152、154、160、162、164和166。例如，偏置電壓144可以是由易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170提供給sram存儲(chǔ)元件101的電源電壓(例如，vdd)。作為另一示例，偏置電壓146可以是由易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170提供給sram存儲(chǔ)元件101的接地或參考電壓(例如，vss)。在一特定實(shí)施例中，sram器件包括第一組sram存儲(chǔ)元件(例如，第一子陣列)和第二組sram存儲(chǔ)元件(例如，第二子陣列)。第一組sram存儲(chǔ)元件可用作易失性存儲(chǔ)，并且第二組sram存儲(chǔ)元件可用作非易失性存儲(chǔ)(例如，可重寫(xiě)非易失性存儲(chǔ)或不可重寫(xiě)非易失性存儲(chǔ))。取決于特定的實(shí)現(xiàn)和操作模式，sram存儲(chǔ)元件101可用作易失性存儲(chǔ)元件和/或用作非易失性存儲(chǔ)元件。例如，sram存儲(chǔ)元件101可從易失性存儲(chǔ)模式調(diào)整到非易失性存儲(chǔ)模式(并且反之亦然)。在器件100的操作期間，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可基于特定的操作模式來(lái)偏置sram存儲(chǔ)元件101。例如，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可基于非易失性操作模式或易失性(或“標(biāo)稱(chēng)”)操作模式來(lái)偏置sram存儲(chǔ)元件101。在非易失性操作模式期間，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可應(yīng)用非易失性操作偏置方案171，非易失性操作偏置方案171可包括第一偏置方案(例如，置位操作偏置方案172)、第二偏置方案(例如，復(fù)位操作偏置方案174)、以及第三偏置方案(例如，感測(cè)操作偏置方案176)。在易失性操作模式期間，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可向sram存儲(chǔ)元件101應(yīng)用易失性操作偏置方案178?？墒褂弥梦徊僮髌梅桨?72來(lái)發(fā)起置位操作以設(shè)置器件100的第一狀態(tài)。設(shè)置第一狀態(tài)可使器件100具有針對(duì)第一值(例如，邏輯“0”值)的易感性(或“偏好”)。第一值是非易失性的并且可被感測(cè)(例如，在包括器件100的電子設(shè)備上電之際)。為了設(shè)置第一狀態(tài)，偏置電壓可被選擇性地施加于器件100以“過(guò)驅(qū)動(dòng)”一個(gè)或多個(gè)晶體管柵極端子以創(chuàng)建或增加器件100的各晶體管的閾值電壓之間的“失配”(例如，通過(guò)引起晶體管柵極氧化物區(qū)的物理變化和/或通過(guò)在晶體管柵極氧化物區(qū)中捕獲電子)。例如，可選擇偏置電壓144、146、152、154、160、162、164和166的值以創(chuàng)建或增加閾值電壓失配。為了進(jìn)一步解說(shuō)，表1解說(shuō)了可與置位操作偏置方案172相關(guān)聯(lián)的示例參數(shù)。應(yīng)當(dāng)領(lǐng)會(huì)，偏置電壓的特定值可取決于特定應(yīng)用(例如，作為解說(shuō)性示例，基于特定的制造工藝、器件材料、配置、以及操作溫度范圍)。表1信號(hào)極性/電壓(v)偏置電壓144正(例如，+1v)偏置電壓146負(fù)(例如，-1v)偏置電壓152正(例如，+1v)偏置電壓1540v偏置電壓160正(例如，+1.5v)偏置電壓1620v偏置電壓164正(例如，+1v)偏置電壓166負(fù)(例如，-1v)節(jié)點(diǎn)102處的電壓正(例如，+1v)節(jié)點(diǎn)104處的電壓負(fù)(例如，-1v)在表1的示例偏置方案中，偏置電壓152、160和164可對(duì)應(yīng)于“強(qiáng)”偏置電壓。例如，在電源電壓(vdd)是大約0.85v的實(shí)現(xiàn)中，偏置電壓152、160和164超過(guò)電源電壓。在替換的實(shí)現(xiàn)中，強(qiáng)偏置電壓可大于1v或1.5v(例如，作為解說(shuō)性示例，2v或3v)。在某些偏置條件下(諸如表1的示例偏置方案)，器件100處的置位操作可創(chuàng)建或增加由pmosfet106和nmosfet110形成的第一反相器與由pmosfet108和nmosfet112形成的第二反相器之間的失配。為了解說(shuō)，使用表1的示例偏置方案來(lái)執(zhí)行的置位操作可增加pmosfet106的閾值電壓(例如，增加大約50mv)，可減小nmosfet110的閾值電壓(例如，減小大約50mv)，可減小pmosfet108的閾值電壓(例如，減小大約50mv)，并且可增加nmosfet112的閾值電壓(例如，增加大約50mv)。在該情形中，在基于置位操作偏置方案172進(jìn)行編程之后，器件100可“偏好”第一值(例如，邏輯“0”值)?？墒褂脧?fù)位操作偏置方案174來(lái)發(fā)起復(fù)位操作以設(shè)置器件100的第二狀態(tài)，其可使器件100具有針對(duì)第二值(例如，邏輯“1”值)的易感性(或“偏好”)。第二值可被感測(cè)(例如，在包括器件100的電子設(shè)備上電之際)。為了設(shè)置第二狀態(tài)，偏置電壓可被選擇性地施加于器件100以“過(guò)驅(qū)動(dòng)”一個(gè)或多個(gè)晶體管柵極端子以創(chuàng)建或增加器件100的各晶體管的閾值電壓之間的“失配”(例如，通過(guò)引起晶體管柵極氧化物區(qū)的物理變化和/或通過(guò)在晶體管柵極氧化物區(qū)中捕獲電子)。例如，可選擇偏置電壓144、146、152、154、160、162、164和166的值以創(chuàng)建或增加閾值電壓失配。為了進(jìn)一步解說(shuō)，表2解說(shuō)了可與復(fù)位操作偏置方案174相關(guān)聯(lián)的示例參數(shù)。應(yīng)當(dāng)領(lǐng)會(huì)，偏置電壓的特定值可取決于特定應(yīng)用(例如，作為解說(shuō)性示例，基于特定的制造工藝、器件材料、配置、以及操作溫度范圍)。表2信號(hào)極性/電壓(v)偏置電壓144正(例如，+1v)偏置電壓146負(fù)(例如，-1v)偏置電壓1520v偏置電壓154正(例如，+1v)偏置電壓1600v偏置電壓162正(例如，+1.5v)偏置電壓164負(fù)(例如，-1v)偏置電壓166正(例如，+1v)節(jié)點(diǎn)102處的電壓負(fù)(例如，-1v)節(jié)點(diǎn)104處的電壓正(例如，+1v)在表2的示例偏置方案中，偏置電壓154、162和166可對(duì)應(yīng)于“強(qiáng)”偏置電壓。例如，在電源電壓(vdd)是大約0.8v的實(shí)現(xiàn)中，偏置電壓154、162和166超過(guò)電源電壓。在替換的實(shí)現(xiàn)中，強(qiáng)偏置電壓可大于1v或1.5v(例如，作為解說(shuō)性示例，2v或3v)。在某些偏置條件下(諸如表2的示例偏置方案)，器件100處的復(fù)位操作可創(chuàng)建或增加由pmosfet106和nmosfet110形成的第一反相器與由pmosfet108和nmosfet112形成的第二反相器之間的失配。為了解說(shuō)，使用表2的示例偏置方案來(lái)執(zhí)行的復(fù)位操作可減小pmosfet106的閾值電壓(例如，減小大約50mv)，可增加nmosfet110的閾值電壓(例如，增加大約50mv)，可增加pmosfet108的閾值電壓(例如，增加大約50mv)，并且可減小nmosfet112的閾值電壓(例如，減小大約50mv)。在該情形中，器件100可“偏好”第二值(例如，邏輯“1”值)?？墒褂孟鄬?duì)短歷時(shí)的脈沖信號(hào)來(lái)執(zhí)行置位操作和復(fù)位操作以避免對(duì)sram存儲(chǔ)元件101的損害(例如，以避免對(duì)sram存儲(chǔ)元件101的各晶體管的柵極電介質(zhì)區(qū)的損害)。在一特定實(shí)施例中，置位操作偏置方案172和復(fù)位操作偏置方案174可被應(yīng)用達(dá)大約10毫秒(ms)或更短(例如，作為解說(shuō)性示例，大約1ms)。在該示例中，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可包括一個(gè)或多個(gè)脈沖發(fā)生器電路，其被配置成生成具有特定電壓(或脈沖“高度”)和/或特定歷時(shí)(或脈沖“寬度”)的一個(gè)或多個(gè)脈沖。通過(guò)使用置位操作或復(fù)位操作向器件100寫(xiě)入一值(例如，邏輯“0”值或邏輯“1”值)，可創(chuàng)建可使用感測(cè)操作來(lái)感測(cè)的“優(yōu)選”狀態(tài)。該優(yōu)選狀態(tài)可用于在包括器件100的電子設(shè)備處存儲(chǔ)非易失性信息。例如，在向器件100寫(xiě)入該值之后，在電子設(shè)備處可發(fā)生掉電事件。在電子設(shè)備處上電之際，可使用感測(cè)操作偏置方案176來(lái)執(zhí)行感測(cè)操作以感測(cè)該值(例如，以確定在掉電事件之前是邏輯“0”還是邏輯“1”被寫(xiě)入器件100)。結(jié)合感測(cè)操作偏置方案176，感測(cè)操作可包括將偏置電壓160、162設(shè)置成低電壓(例如，0v)，其可停用存取晶體管118、120。偏置電壓146、152和154在感測(cè)操作期間也可被設(shè)置成低電壓(例如，0v)，并且偏置電壓164、166可被移除(例如，以使位線134、136“浮置”)。在感測(cè)操作期間可逐漸增加(或“斜升”)偏置電壓144。作為解說(shuō)性示例，偏置電壓144可在特定的時(shí)間歷時(shí)(例如，作為解說(shuō)性示例，100ms)期間從接地電勢(shì)(例如，0v)斜升到電源電壓電平(例如，0.85v)，同時(shí)存取晶體管118、120被停用?；谄骷?00的優(yōu)選狀態(tài)，節(jié)點(diǎn)102、104中的一個(gè)節(jié)點(diǎn)可在節(jié)點(diǎn)102、104中的另一節(jié)點(diǎn)之前被上拉到電源電壓，以“恢復(fù)”在掉電事件之前被寫(xiě)入器件100的值。在增加偏置電壓144以“恢復(fù)”值之后，存取晶體管118、120可被激活以實(shí)現(xiàn)對(duì)該值的感測(cè)。例如，偏置電壓160、162可被增加到電源電壓電平(例如，0.85v)。基于由器件100所存儲(chǔ)的值(例如，邏輯“0”值或邏輯“1”值)，位線134、136中的一者可被激活(例如，可具有邏輯“1”值)，其指示在掉電事件之前被寫(xiě)入器件100的值。取決于特定的實(shí)現(xiàn)，sram存儲(chǔ)元件101可用作可重寫(xiě)存儲(chǔ)元件(即，多次可編程存儲(chǔ)元件)或者用作不可重寫(xiě)存儲(chǔ)元件(即，單次可編程存儲(chǔ)元件)，諸如只讀存儲(chǔ)器(rom)存儲(chǔ)元件或一次可編程(otp)存儲(chǔ)元件。在不可重寫(xiě)實(shí)現(xiàn)中，圖1中所解說(shuō)的一個(gè)或多個(gè)偏置方案可被省略(例如，置位操作偏置方案172和/或復(fù)位操作偏置方案174可被省略)。在可重寫(xiě)實(shí)現(xiàn)中，非易失性sram存儲(chǔ)元件可與特定的循環(huán)耐久性相關(guān)聯(lián)。作為解說(shuō)性示例，非易失性sram存儲(chǔ)元件可具有大約100至300次置位/復(fù)位操作循環(huán)的循環(huán)耐久性。在該示例中，非易失性sram存儲(chǔ)元件的非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)可靠性在100至300次置位/復(fù)位操作循環(huán)之后可降至低于可靠性閾值。在一特定實(shí)施例中，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可包括跟蹤(或逼近)置位/復(fù)位操作循環(huán)的次數(shù)的一個(gè)或多個(gè)計(jì)數(shù)器。當(dāng)計(jì)數(shù)器的值滿足可靠性閾值時(shí)，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可將非易失性sram存儲(chǔ)元件重配置為易失性sram存儲(chǔ)元件(例如，通過(guò)將sram存儲(chǔ)元件101的操作從非易失性操作偏置方案171調(diào)整到易失性操作偏置方案178)。在一些實(shí)現(xiàn)中，在制造期間可向非易失性sram存儲(chǔ)元件應(yīng)用一個(gè)或多個(gè)過(guò)程以改善非易失性sram存儲(chǔ)元件處的狀態(tài)保留。作為解說(shuō)性示例，可執(zhí)行高溫保留過(guò)程以增加施加強(qiáng)柵極偏置之后的狀態(tài)保留，諸如通過(guò)使用15小時(shí)125攝氏度(℃))烘焙過(guò)程。在該示例中，高溫保留過(guò)程可諸如通過(guò)臨時(shí)“硬化”晶體管柵極氧化物區(qū)并通過(guò)“冷卻”晶體管柵極氧化物區(qū)中的電子來(lái)將特性“烘焙”到sram存儲(chǔ)元件中。在一些情形中，高溫保留過(guò)程可通過(guò)施加強(qiáng)的反向柵極偏置(例如，以釋放被捕獲在晶體管柵極氧化物區(qū)中的電子)而被“反向”。由此，在器件100的制造期間，可向器件100應(yīng)用一個(gè)或多個(gè)過(guò)程以改變sram存儲(chǔ)元件101的操作特性，諸如通過(guò)改變sram存儲(chǔ)元件101的各晶體管的閾值電壓(和/或通過(guò)增加與sram存儲(chǔ)元件101的各晶體管相關(guān)聯(lián)的閾值電壓“失配”)。參照?qǐng)D1所描述的示例置位操作、復(fù)位操作和感測(cè)操作解說(shuō)了值可以按非易失性的方式被存儲(chǔ)在器件100處。有利地，值可以按非易失性的方式被存儲(chǔ)而無(wú)需使用電池且無(wú)需使用外部(或“備用”)存儲(chǔ)器，這可降低電子設(shè)備的成本和復(fù)雜性。例如，可避免用于創(chuàng)建非易失性存儲(chǔ)元件層的一個(gè)或多個(gè)制造掩模，從而減小電子設(shè)備的制造成本。此外，可通過(guò)使用相同的制造過(guò)程制造易失性和非易失性sram存儲(chǔ)元件來(lái)降低制造成本。例如，易失性和非易失性sram存儲(chǔ)元件可具有可使用共同的制造過(guò)程(而不是針對(duì)易失性和非易失性存儲(chǔ)器件使用分開(kāi)的制造過(guò)程)來(lái)制造的共同物理結(jié)構(gòu)。在一些情形中，器件100結(jié)合與易失性操作偏置方案178相關(guān)聯(lián)的易失性操作模式可用作易失性存儲(chǔ)。在一些實(shí)現(xiàn)中，為了從非易失性操作模式切換到易失性操作模式，可向器件100的一個(gè)或多個(gè)晶體管施加反向柵極偏置，以使由施加強(qiáng)柵極偏置引起的閾值電壓的變化“反向”(例如，以降低各晶體管的閾值電壓失配以使器件100處針對(duì)特定值的偏好“反向”)。例如，可施加偏置電壓164、166中的一者(同時(shí)存取晶體管118、120中的一者經(jīng)由偏置電壓160、162中的一者被激活)以向器件100寫(xiě)入邏輯“0”值或邏輯“1”值。為了感測(cè)該值，存取晶體管118、120可經(jīng)由偏置電壓160、162被激活，同時(shí)位線134、136“浮置”。由此，器件100可用作易失性和非易失性存儲(chǔ)。將器件100用于易失性存儲(chǔ)(例如，在sram存儲(chǔ)元件101的第一操作模式期間)和非易失性存儲(chǔ)(例如，在sram存儲(chǔ)元件101的第二操作模式期間)可降低電子設(shè)備的成本和復(fù)雜性(例如，通過(guò)實(shí)現(xiàn)將單個(gè)存儲(chǔ)器用于易失性和非易失性存儲(chǔ)兩者)。取決于特定的應(yīng)用，器件100的操作模式(例如，易失性或非易失性)可由耦合到器件100的處理器、控制器、主機(jī)或其他器件(圖1中未示出)來(lái)確定。參照?qǐng)D2，描繪了操作靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)存儲(chǔ)元件的解說(shuō)性方法并將其一般地標(biāo)示為200。作為解說(shuō)性示例，sram存儲(chǔ)元件可對(duì)應(yīng)于sram存儲(chǔ)元件101。圖2中所解說(shuō)的方法200可對(duì)應(yīng)于參照?qǐng)D1所描述的感測(cè)操作?？捎蓤D1的易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170來(lái)執(zhí)行、發(fā)起或控制方法200的一個(gè)或多個(gè)操作。方法200包括：在201處，在掉電事件之前將一值編程到sram存儲(chǔ)元件。作為示例，該值可以是結(jié)合使用置位操作偏置方案172來(lái)執(zhí)行的置位操作被編程到sram存儲(chǔ)元件的邏輯“0”值。作為另一示例，該值可以是結(jié)合使用復(fù)位操作偏置方案174來(lái)執(zhí)行的復(fù)位操作被編程到sram存儲(chǔ)元件的邏輯“1”值。方法200進(jìn)一步包括：在202處，響應(yīng)于在掉電事件之后在sram存儲(chǔ)元件處的上電事件，增加sram存儲(chǔ)元件的電源電壓。例如，電源電壓可對(duì)應(yīng)于偏置電壓144，并且易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可響應(yīng)于上電事件而向節(jié)點(diǎn)114施加偏置電壓144。在一特定實(shí)施例中，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170被配置成：諸如通過(guò)將偏置電壓144從接地或參考電壓電平(vss)增加到電源電壓電平(vdd)，來(lái)將電源電壓從低電壓電平逐漸增加(或“斜升”)到電源電壓電平。方法200進(jìn)一步包括：在204處，響應(yīng)于上電事件，感測(cè)sram存儲(chǔ)元件的狀態(tài)以確定在掉電事件之前被編程到sram存儲(chǔ)元件的值。例如，在向節(jié)點(diǎn)114施加偏置電壓144之后，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可向字線130、132施加偏置電壓160、162以激活存取晶體管118、120。在激活存取晶體管118、120之后，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可確定位線134、136中的哪一位線被激活(例如，通過(guò)檢測(cè)耦合到sram存儲(chǔ)元件101的位線的電壓(或電流)，諸如通過(guò)確定位線134、136中的哪一位線具有比位線134、136中的另一位線更高的電壓(或電流))。為了進(jìn)一步解說(shuō)，該狀態(tài)可對(duì)應(yīng)于sram存儲(chǔ)元件101對(duì)該值的易感性(例如，針對(duì)該值的“偏好”)。可通過(guò)增加sram存儲(chǔ)元件101的各晶體管之間的閾值電壓差異(在領(lǐng)先于上電事件的掉電事件之前)創(chuàng)建易感性。例如，增加閾值電壓差異可包括：用第一偏置電壓(例如，偏置電壓152)來(lái)偏置sram存儲(chǔ)元件101的第一晶體管(例如，pmosfet106)的第一體端子和/或用不同于第一偏置電壓的第二偏置電壓(例如，偏置電壓154)來(lái)偏置sram存儲(chǔ)元件的第二晶體管(例如，pmosfet108)的第二體端子。在至少一個(gè)示例中，第一偏置電壓是正電壓，并且第二偏置電壓是接地電壓。例如，表1解說(shuō)了對(duì)于置位操作，偏置電壓152可以是正電壓，并且偏置電壓154可以是接地電壓。在另一示例中，第一偏置電壓是接地電壓，并且第二偏置電壓是正電壓。例如，表2解說(shuō)了對(duì)于復(fù)位操作，偏置電壓152可以是接地電壓，并且偏置電壓154可以是正電壓。由此，易感性可對(duì)應(yīng)于與置位操作相關(guān)聯(lián)的第一邏輯值(例如，邏輯1值)或者與復(fù)位操作相關(guān)聯(lián)的第二邏輯值(例如，邏輯0值)。方法200解說(shuō)了信息可以按非易失性的方式被存儲(chǔ)在sram存儲(chǔ)元件處而無(wú)需使用電池或分開(kāi)的非易失性存儲(chǔ)器器件。例如，可通過(guò)創(chuàng)建對(duì)指示一值的狀態(tài)的易感性來(lái)將該值(非易失性邏輯值)寫(xiě)入sram存儲(chǔ)元件。為了在功率循環(huán)(掉電和上電)之后恢復(fù)該值，可增加電源電壓以誘發(fā)sram存儲(chǔ)元件處的該狀態(tài)，并且可感測(cè)該狀態(tài)以確定該值。因此，諸如通過(guò)避免使用與分開(kāi)的非易失性存儲(chǔ)器器件相關(guān)聯(lián)的附加集成電路層和/或附加制造掩模，可降低電子設(shè)備的成本和復(fù)雜性?？捎捎布O(shè)備(諸如處理單元)來(lái)發(fā)起、控制或執(zhí)行方法200的一個(gè)或多個(gè)操作。例如，取決于特定實(shí)現(xiàn)，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可包括現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(fpga)器件、專(zhuān)用集成電路(asic)、處理單元(諸如中央處理單元(cpu))、數(shù)字信號(hào)處理器(dsp)、控制器、另一硬件設(shè)備、固件設(shè)備、或者其組合。參照?qǐng)D3，描繪了一種電子設(shè)備的特定解說(shuō)性實(shí)施例的框圖并將其一般地標(biāo)示為300。電子設(shè)備300可對(duì)應(yīng)于移動(dòng)設(shè)備(例如，蜂窩電話)、計(jì)算機(jī)(例如，膝上型計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、或臺(tái)式計(jì)算機(jī))、機(jī)頂盒、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、電視機(jī)、調(diào)諧器、無(wú)線電(例如，衛(wèi)星無(wú)線電)、音樂(lè)播放器(例如，數(shù)字音樂(lè)播放器和/或便攜式音樂(lè)播放器)、視頻播放器(例如，數(shù)字視頻播放器，諸如數(shù)字視頻盤(pán)(dvd)播放器和/或便攜式數(shù)字視頻播放器)、另一電子設(shè)備、或者其組合。作為解說(shuō)性示例，電子設(shè)備300包括處理器310，諸如數(shù)字信號(hào)處理器(dsp)、中央處理單元(cpu))、和/或圖形處理單元(gpu)。處理器310可執(zhí)行指令368。電子設(shè)備300可進(jìn)一步包括一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器器件，諸如靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)器件332。sram器件332耦合到處理器310。sram器件332包括易失性sram存儲(chǔ)350、非易失性sram存儲(chǔ)352、以及易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)354。sram器件332可包括圖1的器件100。例如，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)354可對(duì)應(yīng)于圖1的易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170。取決于sram器件332的特定配置和操作模式，圖1的sram存儲(chǔ)元件101可用作易失性或非易失性存儲(chǔ)。例如，在第一配置中，sram存儲(chǔ)元件101可被集成在非易失性sram存儲(chǔ)352內(nèi)并且可用作非易失性存儲(chǔ)。在第二配置中，sram存儲(chǔ)元件101可被集成在易失性sram存儲(chǔ)350內(nèi)并且可用作易失性存儲(chǔ)。在一些實(shí)現(xiàn)中，處理器310可操作用于：諸如通過(guò)向易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)354發(fā)出命令以將非易失性sram存儲(chǔ)352的一個(gè)或多個(gè)sram存儲(chǔ)元件“重新指派”給易失性sram存儲(chǔ)350(或反之亦然)，來(lái)調(diào)整sram器件332的配置。命令可指定非易失性操作偏置方案171(用于非易失性操作)或易失性操作偏置方案178(用于易失性操作)。為了解說(shuō)，如果易失性sram存儲(chǔ)350的可用存儲(chǔ)大小無(wú)法滿足存儲(chǔ)大小閾值，則處理器310可將一個(gè)或多個(gè)sram存儲(chǔ)元件從非易失性sram存儲(chǔ)352“重新指派”給易失性sram存儲(chǔ)350(例如，以通過(guò)增加易失性存儲(chǔ)(其可用作高速的高速緩存)來(lái)改善器件性能)。在另一示例中，如果非易失性sram存儲(chǔ)352的可用存儲(chǔ)大小無(wú)法滿足存儲(chǔ)大小閾值，則處理器310可將一個(gè)或多個(gè)sram存儲(chǔ)元件從易失性sram存儲(chǔ)350“重新指派”給非易失性sram存儲(chǔ)352(例如，響應(yīng)于在電子設(shè)備300處發(fā)起掉電事件，以便實(shí)現(xiàn)將數(shù)據(jù)從易失性sram存儲(chǔ)350轉(zhuǎn)移到非易失性sram存儲(chǔ)352)。由此，可在電子設(shè)備300的操作期間(例如，由處理器310)調(diào)整易失性sram存儲(chǔ)350和非易失性sram存儲(chǔ)352的配置(例如，存儲(chǔ)大小)。圖3還示出了耦合到處理器310和顯示器328的顯示控制器326。編碼器/解碼器(codec)334也可被耦合到處理器310。揚(yáng)聲器336和話筒338可耦合到codec334。圖3還指示無(wú)線接口340(諸如無(wú)線控制器和/或收發(fā)機(jī))可耦合到處理器310和天線342。在一特定實(shí)施例中，處理器310、顯示控制器326、sram器件332、codec334、以及無(wú)線接口340被包括在系統(tǒng)級(jí)封裝或片上系統(tǒng)設(shè)備322中。此外，輸入設(shè)備330和電源344可耦合到片上系統(tǒng)設(shè)備322。此外，在一特定實(shí)施例中，如圖3中所解說(shuō)的，顯示器328、輸入設(shè)備330、揚(yáng)聲器336、話筒338、天線342和電源344在片上系統(tǒng)設(shè)備322外部。然而，顯示器328、輸入設(shè)備330、揚(yáng)聲器336、話筒338、天線342和電源344中的每一者可耦合到片上系統(tǒng)設(shè)備322的組件(諸如耦合到接口或控制器)。結(jié)合所描述的實(shí)施例，一種裝置包括sram存儲(chǔ)元件(例如，sram存儲(chǔ)元件101)以及耦合到該sram存儲(chǔ)元件的控制電路系統(tǒng)(例如，易失性/非易失性sram控制電路170、354中的任何一者)。控制電路系統(tǒng)被配置成：在掉電事件之前將一值(例如，邏輯“1”值或邏輯“0”值)編程到sram存儲(chǔ)元件?？刂齐娐废到y(tǒng)被進(jìn)一步配置成：響應(yīng)于在掉電事件之后在sram存儲(chǔ)元件處的上電事件，增加sram存儲(chǔ)元件的電源電壓(例如，偏置電壓144)，并感測(cè)sram存儲(chǔ)元件的狀態(tài)(例如，節(jié)點(diǎn)102處比節(jié)點(diǎn)104處更高的電壓，或反之亦然)以確定在掉電事件之前被編程到sram存儲(chǔ)元件的值。在另一特定示例中，一種裝備包括用于存取sram存儲(chǔ)元件(例如，sram存儲(chǔ)元件101)的裝置(例如，字線130、132或位線134、136中的任何一者)。該裝備進(jìn)一步包括用于進(jìn)行以下操作的裝置(例如，易失性/非易失性sram控制電路170、354中的任何一者)：在掉電事件之前將一值(例如，邏輯“1”值或邏輯“0”值)編程到sram存儲(chǔ)元件；響應(yīng)于在掉電事件之后在sram存儲(chǔ)元件處的上電事件，增加sram存儲(chǔ)元件的電源電壓(例如，偏置電壓144)，并在增加電源電壓之后感測(cè)sram存儲(chǔ)元件的狀態(tài)(例如，節(jié)點(diǎn)102處比節(jié)點(diǎn)104處更高的電壓，或反之亦然)以確定在掉電事件之前被編程到sram存儲(chǔ)元件的值。前述公開(kāi)的器件和功能性可使用計(jì)算機(jī)文件(例如，rtl、gdsii、gerber等)來(lái)設(shè)計(jì)和表示。計(jì)算機(jī)文件可被存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上。一些或全部此類(lèi)文件可被提供給基于此類(lèi)文件來(lái)制造器件的制造處理者。結(jié)果得到的產(chǎn)品包括晶片，其隨后被切割為管芯并被封裝成集成電路(或“芯片”)。芯片隨后被用在電子設(shè)備中，諸如圖3的電子設(shè)備300。圖4描繪了電子設(shè)備制造過(guò)程400的特定解說(shuō)性實(shí)施例。參照?qǐng)D4，電子設(shè)備制造過(guò)程400可包括：諸如在研究計(jì)算機(jī)406處接收物理器件信息402。物理器件信息402可包括表示器件(諸如圖1的器件100和/或圖3的sram器件332)的至少一個(gè)物理性質(zhì)的設(shè)計(jì)信息。例如，物理器件信息402可包括經(jīng)由耦合到研究計(jì)算機(jī)406的用戶(hù)接口404輸入的物理參數(shù)、材料特性、以及結(jié)構(gòu)信息。研究計(jì)算機(jī)406包括處理器408，諸如一個(gè)或多個(gè)處理核。處理器408耦合到計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，諸如存儲(chǔ)器410。存儲(chǔ)器410可存儲(chǔ)計(jì)算機(jī)可讀指令，其可由處理器408執(zhí)行以變換物理器件信息402以遵循某一文件格式并生成庫(kù)文件412。庫(kù)文件412可包括至少一個(gè)包括經(jīng)變換的設(shè)計(jì)信息的數(shù)據(jù)文件。例如，庫(kù)文件412可指定包括圖1的器件100和/或圖3的sram器件332的器件的庫(kù)。庫(kù)文件412可在設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)414處與電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(eda)工具420協(xié)同使用。設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)414包括處理器416，諸如一個(gè)或多個(gè)處理核。處理器416耦合到存儲(chǔ)器418。eda工具420可以包括被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器418處的處理器可執(zhí)行指令以使得設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)414的用戶(hù)能夠設(shè)計(jì)包括圖1的器件100和/或圖3的sram器件332的電路。例如，設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)414的用戶(hù)可經(jīng)由耦合到設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)414的用戶(hù)接口424來(lái)輸入電路設(shè)計(jì)信息422。電路設(shè)計(jì)信息422可包括表示器件(諸如圖1的器件100和/或圖3的sram器件332)的至少一個(gè)物理性質(zhì)的設(shè)計(jì)信息。為了解說(shuō)，電路設(shè)計(jì)性質(zhì)可包括特定電路的標(biāo)識(shí)以及與電路設(shè)計(jì)中其他元件的關(guān)系、定位信息、特征尺寸信息、互連信息、或表示器件(諸如圖1的器件100和/或圖3的sram器件332)的物理性質(zhì)的其他信息。設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)414可被配置成將電路設(shè)計(jì)信息422變換成遵循某一文件格式。為了解說(shuō)，文件格式可包括以分層格式表示關(guān)于電路布局的平面幾何形狀、文本標(biāo)記、以及其他信息的數(shù)據(jù)庫(kù)二進(jìn)制文件格式，諸如圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)(gdsii)文件格式。設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)414可被配置成生成包括經(jīng)變換的設(shè)計(jì)信息的數(shù)據(jù)文件，諸如包括描述圖1的器件100和/或圖3的sram器件332的信息的gdsii文件426?？稍谥圃爝^(guò)程428處接收gdsii文件426。制造過(guò)程428可基于gdsii文件426來(lái)制造圖1的器件100和/或圖3的sram器件332。在一特定實(shí)施例中，制造過(guò)程428與16nm或更小的半間距相關(guān)聯(lián)。例如，制造過(guò)程428可包括16nmcmos制造工藝和/或16nmfinfet制造工藝。gdsii文件426可被提供給掩模制造商430以創(chuàng)建一個(gè)或多個(gè)掩模，諸如用于與光刻處理聯(lián)用的掩模，圖4中被解說(shuō)為代表性掩模432。掩模432可在制造過(guò)程428期間被用于生成一個(gè)或多個(gè)晶片433，晶片433可被測(cè)試并被分成管芯，諸如代表性管芯436。管芯436可包括圖1的器件100和/或圖3的sram器件332。在一特定實(shí)施例中，制造過(guò)程428包括：執(zhí)行高溫保留過(guò)程437。例如，高溫保留過(guò)程437可包括15小時(shí)125攝氏度(℃)烘焙過(guò)程?？墒褂锰幚砥?34和存儲(chǔ)器435來(lái)發(fā)起或控制制造過(guò)程428的操作。存儲(chǔ)器435可存儲(chǔ)可由處理器434執(zhí)行的指令。制造過(guò)程428可由全自動(dòng)化或部分自動(dòng)化的制造系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。例如，制造過(guò)程428可以根據(jù)調(diào)度來(lái)自動(dòng)化。制造系統(tǒng)可包括用于執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)操作以形成器件的制造裝備(例如，處理工具)。例如，作為解說(shuō)性示例，制造裝備可被配置成沉積一種或多種材料、外延生長(zhǎng)一種或多種材料、共形地沉積一種或多種材料、施加硬掩模、施加蝕刻掩模、執(zhí)行蝕刻、執(zhí)行平坦化、形成柵極堆疊(例如，使用金屬柵極工藝)、執(zhí)行淺溝槽隔離(sti)工藝、和/或執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)清除1工藝。制造系統(tǒng)可具有分布式架構(gòu)(例如，層級(jí)結(jié)構(gòu))。例如，該制造系統(tǒng)可包括根據(jù)該分布式架構(gòu)分布的一個(gè)或多個(gè)處理器(諸如處理器434)、一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)器(諸如存儲(chǔ)器435)、和/或一個(gè)或多個(gè)控制器。該分布式架構(gòu)可包括控制或發(fā)起一個(gè)或多個(gè)低級(jí)系統(tǒng)的操作的高級(jí)處理器。例如，制造過(guò)程428的高級(jí)部分可由一個(gè)或多個(gè)處理器(諸如處理器434)發(fā)起或控制，并且低級(jí)系統(tǒng)可各自包括一個(gè)或多個(gè)對(duì)應(yīng)控制器或可受其控制。特定低級(jí)系統(tǒng)的特定控制器可從特定高級(jí)系統(tǒng)接收一個(gè)或多個(gè)指令(例如，命令)、可向下級(jí)模塊或處理工具發(fā)布子命令、以及可反過(guò)來(lái)向高級(jí)處理器傳達(dá)狀態(tài)數(shù)據(jù)。一個(gè)或多個(gè)低級(jí)系統(tǒng)中的每個(gè)低級(jí)系統(tǒng)可與一件或多件對(duì)應(yīng)制造裝備(諸如一個(gè)或多個(gè)處理工具)相關(guān)聯(lián)。示例處理工具包括摻雜或沉積工具(例如，分子束外延生長(zhǎng)工具、可流動(dòng)化學(xué)氣相沉積(fcvd)工具、共形沉積工具、或旋涂式沉積工具)以及移除工具(例如，化學(xué)移除工具、活性氣體移除工具、氫活性移除工具、或標(biāo)準(zhǔn)清理1移除工具)。在一特定實(shí)施例中，該制造系統(tǒng)可包括分布在該制造系統(tǒng)中的多個(gè)處理器。例如，低級(jí)系統(tǒng)組件的控制器可包括處理器，諸如處理器434。替換地，處理器434可以是該制造系統(tǒng)的高級(jí)系統(tǒng)、子系統(tǒng)、或組件的一部分。在另一實(shí)施例中，處理器434包括制造系統(tǒng)的各種等級(jí)和組件處的分布式處理。結(jié)合所描述的實(shí)施例，計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)(例如，存儲(chǔ)器435)存儲(chǔ)可由處理器(例如，處理器434)執(zhí)行以發(fā)起或控制操作(例如，制造過(guò)程428的操作)的指令。這些操作包括：存取指示與半導(dǎo)體器件(例如，器件100和/或sram器件332)相對(duì)應(yīng)的設(shè)計(jì)信息的數(shù)據(jù)文件(例如，gdsii文件426)。這些操作進(jìn)一步包括：根據(jù)設(shè)計(jì)信息(例如，使用制造過(guò)程428)來(lái)制造半導(dǎo)體器件。半導(dǎo)體器件包括sram存儲(chǔ)元件(例如，sram存儲(chǔ)元件101)以及耦合到該sram存儲(chǔ)元件的控制電路系統(tǒng)(例如，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170、354中的任何一者)?？刂齐娐废到y(tǒng)被配置成：在掉電事件之前將一值(例如，邏輯“1”值或邏輯“0”值)編程到sram存儲(chǔ)元件?？刂齐娐废到y(tǒng)被進(jìn)一步配置成：響應(yīng)于在掉電事件之后在sram存儲(chǔ)元件處的上電事件，增加sram存儲(chǔ)元件的電源電壓(例如，偏置電壓144)，并感測(cè)sram存儲(chǔ)元件的狀態(tài)(例如，節(jié)點(diǎn)102處比節(jié)點(diǎn)104處更高的電壓，或反之亦然)以確定在掉電事件之前被編程到sram存儲(chǔ)元件的值。在一特定實(shí)施例中，操作進(jìn)一步包括：對(duì)sram存儲(chǔ)元件執(zhí)行高溫保留過(guò)程，諸如高溫保留過(guò)程437，其可包括15小時(shí)125℃烘焙過(guò)程。高溫保留過(guò)程可改變sram存儲(chǔ)元件的一個(gè)或多個(gè)晶體管(例如，pmosfet106、108中的任何一者和/或nmosfet110、112中的任何一者)的閾值電壓。在一特定實(shí)施例中，半導(dǎo)體器件是使用與16nm或更小的半間距相關(guān)聯(lián)的制造工藝(例如，16nmcmos制造工藝和/或16nmfinfet制造工藝)來(lái)制造的。管芯436可被提供給封裝過(guò)程438。封裝過(guò)程438可將管芯436納入到代表性封裝440中。封裝440可包括單個(gè)管芯(諸如管芯436)或多個(gè)管芯，諸如結(jié)合系統(tǒng)級(jí)封裝(sip)安排。封裝440可被配置成遵循一個(gè)或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范，諸如一個(gè)或多個(gè)電子器件工程聯(lián)合委員會(huì)(jedec)標(biāo)準(zhǔn)。關(guān)于封裝440的信息可被分發(fā)給各個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)者(諸如使用存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)446處的組件庫(kù))。計(jì)算機(jī)446可包括耦合到存儲(chǔ)器450的處理器448，諸如一個(gè)或多個(gè)處理核。印刷電路板(pcb)工具可作為處理器可執(zhí)行指令被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器450處，以處理經(jīng)由用戶(hù)接口444從計(jì)算機(jī)446的用戶(hù)接收的pcb設(shè)計(jì)信息442。pcb設(shè)計(jì)信息442可包括經(jīng)封裝的器件在電路板上的物理定位信息。經(jīng)封裝的器件可包括圖1的器件100和/或圖3的sram器件332。計(jì)算機(jī)446可被配置成變換pcb設(shè)計(jì)信息442以生成數(shù)據(jù)文件，諸如gerber文件452。gerber文件452可指示經(jīng)封裝的器件在電路板上的物理定位信息，以及電連接(諸如跡線和通孔)的布局。經(jīng)封裝的器件可包括圖1的器件100和/或圖3的sram器件332。在其他實(shí)施例中，通過(guò)變換pcb設(shè)計(jì)信息442生成的數(shù)據(jù)文件可具有除gerber格式以外的格式?？稍诎褰M裝過(guò)程454處接收gerber文件452并且gerber文件452可用于創(chuàng)建pcb，諸如代表性pcb456。可根據(jù)由gerber文件452所指示的設(shè)計(jì)信息來(lái)制造pcb456。例如，gerber文件452可被上傳到一個(gè)或多個(gè)機(jī)器以執(zhí)行pcb生產(chǎn)過(guò)程的一個(gè)或多個(gè)操作。pcb456可填充有電子組件(包括封裝440)以形成代表性印刷電路組裝件(pca)458?？稍诋a(chǎn)品制造過(guò)程460處接收pca458并將pca458集成到一個(gè)或多個(gè)電子設(shè)備中，諸如第一代表性電子設(shè)備462和第二代表性電子設(shè)備464。例如，第一代表性電子設(shè)備462和/或第二代表性電子設(shè)備464可包括或?qū)?yīng)于圖3的電子設(shè)備300。第一代表性電子設(shè)備462和/或第二代表性電子設(shè)備464可包括移動(dòng)設(shè)備(例如，蜂窩電話)、計(jì)算機(jī)(例如，膝上型計(jì)算機(jī)、平板計(jì)算機(jī)、或臺(tái)式計(jì)算機(jī))、機(jī)頂盒、娛樂(lè)單元、導(dǎo)航設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理(pda)、電視機(jī)、調(diào)諧器、無(wú)線電(例如，衛(wèi)星無(wú)線電)、音樂(lè)播放器(例如，數(shù)字音樂(lè)播放器和/或便攜式音樂(lè)播放器)、視頻播放器(例如，數(shù)字視頻播放器，諸如數(shù)字視頻盤(pán)(dvd)播放器和/或便攜式數(shù)字視頻播放器)、另一電子設(shè)備、或者其組合。關(guān)于圖1-4所描述的一個(gè)或多個(gè)方面可由庫(kù)文件412、gdsii文件426、和/或gerber文件452來(lái)表示。關(guān)于圖1-4所描述的各實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面可由被存儲(chǔ)在研究計(jì)算機(jī)406的存儲(chǔ)器410、設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)414的存儲(chǔ)器418、計(jì)算機(jī)446的存儲(chǔ)器450、和/或在各個(gè)階段處(諸如在板組裝過(guò)程454處)使用的一個(gè)或多個(gè)其他計(jì)算機(jī)或處理器的存儲(chǔ)器(未示出)處的信息來(lái)表示。關(guān)于圖1-4所描述的各實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面也可被納入到一個(gè)或多個(gè)其他物理實(shí)施例中，諸如掩模432、管芯436、封裝440、pca458、其他產(chǎn)品(諸如原型電路或設(shè)備(未示出))、或者其任何組合。盡管描繪了從物理器件設(shè)計(jì)到最終產(chǎn)品的各個(gè)代表性生產(chǎn)階段，但在其他實(shí)施例中可使用較少的階段或可包括附加階段。類(lèi)似地，電子設(shè)備制造過(guò)程400可由單個(gè)實(shí)體執(zhí)行、或者由執(zhí)行電子設(shè)備制造過(guò)程400的各個(gè)階段的一個(gè)或多個(gè)實(shí)體來(lái)執(zhí)行。盡管圖1-4中的一者或多者可能解說(shuō)了根據(jù)本公開(kāi)的教導(dǎo)的系統(tǒng)、裝置、和/或方法，但本公開(kāi)不限于這些所解說(shuō)的系統(tǒng)、裝置、和/或方法。圖1-4中任一者的如本文所解說(shuō)或描述的一個(gè)或多個(gè)功能或組件可與圖1-4中另一者的一個(gè)或多個(gè)其他部分相組合。因此，任何單個(gè)實(shí)施例都不應(yīng)被解釋為是限定性的，并且可以合適地組合本公開(kāi)的各實(shí)施例而不脫離本公開(kāi)的教導(dǎo)。盡管已一般性地描述了某些組件，但要注意，可基于特定應(yīng)用來(lái)選擇此類(lèi)組件的實(shí)現(xiàn)。例如，取決于特定應(yīng)用，易失性/非易失性sram控制電路系統(tǒng)170可包括一個(gè)或多個(gè)感測(cè)放大器、定時(shí)電路(例如，電阻式-電容式(rc)電路)、分壓器(例如，電阻性網(wǎng)絡(luò))、脈沖發(fā)生器、計(jì)數(shù)器、上電檢測(cè)器、和/或被選擇成執(zhí)行本文所描述的一個(gè)或多個(gè)操作的其他器件。技術(shù)人員將進(jìn)一步領(lǐng)會(huì)，結(jié)合本文所公開(kāi)的實(shí)施例來(lái)描述的各種解說(shuō)性邏輯框、配置、模塊、電路、和算法步驟可被實(shí)現(xiàn)為電子硬件、由處理器執(zhí)行的計(jì)算機(jī)軟件、或這兩者的組合。各種解說(shuō)性組件、框、配置、模塊、電路、和步驟已經(jīng)在上文以其功能性的形式作了一般化描述。此類(lèi)功能性是被實(shí)現(xiàn)為硬件還是處理器可執(zhí)行指令取決于具體應(yīng)用和加諸于整體系統(tǒng)的設(shè)計(jì)約束。技術(shù)人員可針對(duì)每種特定應(yīng)用以不同方式來(lái)實(shí)現(xiàn)所描述的功能性，但此類(lèi)實(shí)現(xiàn)決策不應(yīng)被解讀為致使脫離本公開(kāi)的范圍。結(jié)合本文所公開(kāi)的實(shí)施例描述的方法或算法的各步驟可直接在硬件、由處理器執(zhí)行的軟件模塊、或這兩者的組合中體現(xiàn)。軟件模塊可駐留在隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(ram)、閃存、只讀存儲(chǔ)器(rom)、可編程只讀存儲(chǔ)器(prom)、可擦式可編程只讀存儲(chǔ)器(eprom)、電可擦式可編程只讀存儲(chǔ)器(eeprom)、寄存器、硬盤(pán)、可移動(dòng)盤(pán)、壓縮盤(pán)只讀存儲(chǔ)器(cd-rom)、或本領(lǐng)域中所知的任何其他形式的非瞬態(tài)存儲(chǔ)介質(zhì)中。示例性的存儲(chǔ)介質(zhì)耦合到處理器以使該處理器能從/向該存儲(chǔ)介質(zhì)讀寫(xiě)信息。在替換方案中，存儲(chǔ)介質(zhì)可以被整合到處理器。處理器和存儲(chǔ)介質(zhì)可駐留在專(zhuān)用集成電路(asic)中。asic可駐留在計(jì)算設(shè)備或用戶(hù)終端中。在替換方案中，處理器和存儲(chǔ)介質(zhì)可作為分立組件駐留在計(jì)算設(shè)備或用戶(hù)終端中。提供前面對(duì)所公開(kāi)的實(shí)施例的描述是為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員皆能制作或使用所公開(kāi)的實(shí)施例。對(duì)這些實(shí)施例的各種修改對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見(jiàn)的，并且本文所定義的原理可被應(yīng)用于其他實(shí)施例而不會(huì)脫離本公開(kāi)的范圍。由此，本公開(kāi)并非旨在被限定于本文所示出的實(shí)施例，而是應(yīng)被授予與如由所附權(quán)利要求定義的原理和新穎性特征一致的最廣的可能范圍。當(dāng)前第1頁(yè)12