數(shù)據(jù)儲存裝置及其錯誤校正方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)儲存裝置及其錯誤校正方法。數(shù)據(jù)儲存裝置包括一快閃存儲器以及一控制器?？刂破饔靡愿鶕?jù)一主機(jī)的一讀取命令對快閃存儲器中相應(yīng)于一第一字符線的一第一頁面進(jìn)行一第一次讀取動作，并且當(dāng)?shù)谝淮巫x取動作讀取第一頁面發(fā)生無法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯誤時，控制器更用以執(zhí)行一校正電壓分布程序，其中在校正電壓分布程序中，控制器更用以對快閃存儲器中相應(yīng)于一第二字符線的一第二頁面進(jìn)行一校正讀取動作。
【專利說明】數(shù)據(jù)儲存裝置及其錯誤校正方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明關(guān)于一種存儲器裝置的錯誤校正方法；特別是關(guān)于一種校正電壓分布的錯 誤校正方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 快閃存儲器為一種普遍的非揮發(fā)性數(shù)據(jù)儲存裝置，是以電性方式抹除與程序化。 以與非門型的快閃存儲器（即NAND FLASH)為例，常用作存儲卡（memory card)、通用序列 總線閃存裝置（USB flash device)、固態(tài)硬盤（SSD)、嵌入式快閃存儲器模塊（eMMC)…等使 用。
[0003] 快閃存儲器（如，NAND FLASH)的儲存陣列包括多個區(qū)塊（blocks)。各區(qū)塊包括 多個頁（pages)。由于快閃存儲器的存取過程中可能會發(fā)生數(shù)據(jù)內(nèi)容的錯誤，所以目前在存 入數(shù)據(jù)時是將原始的數(shù)據(jù)進(jìn)行編碼后，再儲存編碼后的數(shù)據(jù)至快閃存儲器中，而數(shù)據(jù)讀取 時則將編碼的數(shù)據(jù)讀出，再解碼所讀出的編碼數(shù)據(jù)來得到原先的數(shù)據(jù)。編/解碼操作雖然 能夠進(jìn)行除錯，然而僅只能更正部分的比特錯誤。而當(dāng)發(fā)生超過一定程度以上的錯誤時，快 閃存儲器控制器在執(zhí)行完解碼操作后將發(fā)現(xiàn)無法對編碼數(shù)據(jù)進(jìn)行有效解碼。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明所提供的數(shù)據(jù)儲存裝置以及錯誤校正方法可借由校正電壓分布程序?qū)δ?標(biāo)頁面外的其它頁面進(jìn)行讀取，以產(chǎn)生讀取干擾效應(yīng)，并借由讀取干擾效應(yīng)校正在讀取過 程中發(fā)生錯誤的目標(biāo)頁面的臨界電壓分布。另外，電壓設(shè)定程序可對目標(biāo)頁面進(jìn)行重復(fù)讀 取，以根據(jù)不同的讀取電壓讀取目標(biāo)頁面的數(shù)據(jù)。
[0005] 本發(fā)明提供一種數(shù)據(jù)儲存裝置。數(shù)據(jù)儲存裝置包括一快閃存儲器以及一控制器。 控制器用以根據(jù)一主機(jī)的一讀取命令對快閃存儲器中相應(yīng)于一第一字符線的一第一頁面 進(jìn)行一第一次讀取動作，并且當(dāng)?shù)谝淮巫x取動作讀取第一頁面發(fā)生無法借由編解碼進(jìn)行修 復(fù)的錯誤時，控制器更用以執(zhí)行一校正電壓分布程序，其中在校正電壓分布程序中，控制器 更用以對快閃存儲器中相應(yīng)于一第二字符線的一第二頁面進(jìn)行一校正讀取動作，并且校正 讀取動作是對第二頁面進(jìn)行讀取一既定校正次數(shù)，以借由讀取干擾效應(yīng)校正第一頁面的臨 界電壓的分布。
[0006] 另外，控制器更用以在校正電壓分布程序執(zhí)行完畢后，再對第一頁面進(jìn)行一第二 次讀取動作，并且判斷相應(yīng)于校正讀取動作已執(zhí)行的次數(shù)的一校正計數(shù)是否超過一第一既 定值，以當(dāng)校正計數(shù)超過第一既定值時，將第一頁面標(biāo)記為一損壞頁面。
[0007] 在本發(fā)明提供的另一實施例中，當(dāng)?shù)谝淮巫x取動作讀取第一頁面發(fā)生無法借由編 解碼進(jìn)行修復(fù)的錯誤時，控制器更用以進(jìn)行一電壓設(shè)定程序，其中在電壓設(shè)定程序中，控制 器用以根據(jù)一重復(fù)讀取表，對快閃存儲器中的一寄存器進(jìn)行一電壓設(shè)定動作，以將寄存器 中的數(shù)值，作為快閃存儲器的讀取電壓。
[0008] 另外，控制器更用以在電壓設(shè)定程序執(zhí)行完畢后，借由所設(shè)定的快閃存儲器的讀 取電壓對第一頁面進(jìn)行一第二次讀取動作，并且判斷相應(yīng)于電壓設(shè)定動作已執(zhí)行的次數(shù)的 一重復(fù)讀取計數(shù)是否超過一第二既定值，以當(dāng)重復(fù)讀取計數(shù)超過第二既定值時，將第一頁 面標(biāo)記為一損壞頁面。在本發(fā)明的一實施例中，電壓設(shè)定程序可在校正電壓分布程序之后 執(zhí)行。在本發(fā)明的另一實施例中，電壓設(shè)定程序可在校正電壓分布程序之前執(zhí)行。
[0009] 本發(fā)明另提供一種錯誤校正方法，適用于一數(shù)據(jù)儲存裝置。錯誤校正方法包括根 據(jù)一主機(jī)的一讀取命令對數(shù)據(jù)儲存裝置中的快閃存儲器中相應(yīng)于一第一字符線的一第一 頁面進(jìn)行一第一次讀取動作；判斷第一次讀取動作讀取第一頁面時，是否發(fā)生無法借由編 解碼進(jìn)行修復(fù)的錯誤；當(dāng)?shù)谝淮巫x取動作讀取第一頁面發(fā)生無法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯 誤時，執(zhí)行一校正電壓分布程序；以及在校正電壓分布程序執(zhí)行完畢后，對第一頁面進(jìn)行一 第二次讀取動作，其中校正電壓分布程序包括對快閃存儲器中相應(yīng)于一第二字符線的一第 二頁面進(jìn)行一校正讀取動作，并且校正讀取動作是對第二頁面進(jìn)行讀取一既定校正次數(shù)， 以借由讀取干擾效應(yīng)校正第一頁面的臨界電壓的分布。
[0010] 另外校正電壓分布程序更包括判斷相應(yīng)于校正讀取動作已執(zhí)行的次數(shù)的一校正 計數(shù)是否超過一第一既定值；以及當(dāng)校正計數(shù)超過第一既定值時，將第一頁面標(biāo)記為一損 壞頁面。
[0011] 本發(fā)明所提供的錯誤校正方法更包括當(dāng)?shù)谝淮巫x取動作讀取第一頁面發(fā)生無法 借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯誤時，進(jìn)行一電壓設(shè)定程序，其中電壓設(shè)定程序包括根據(jù)一重復(fù) 讀取表，對快閃存儲器中的一寄存器進(jìn)行一電壓設(shè)定動作，以將寄存器中的數(shù)值，作為快閃 存儲器的讀取電壓。另外，在電壓設(shè)定程序執(zhí)行完畢后，借由所設(shè)定的快閃存儲器的讀取電 壓對第一頁面進(jìn)行一第二次讀取動作。在本發(fā)明的一種錯誤校正方法的實施例中，電壓設(shè) 定程序在校正電壓分布程序之前執(zhí)行。在本發(fā)明的另一種錯誤校正方法的實施例中，或者 電壓設(shè)定程序在校正電壓分布程序之后執(zhí)行。
[0012] 另外，電壓設(shè)定程序更包括判斷相應(yīng)于電壓設(shè)定動作的次數(shù)的一重復(fù)讀取計數(shù)是 否超過一第二既定值，其中當(dāng)重復(fù)讀取計數(shù)超過第二既定值時，將第一頁面標(biāo)記為一損壞 頁面。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0013] 圖1是本發(fā)明的一種實施例的電子系統(tǒng)的方塊圖。
[0014] 圖2是本發(fā)明的一種實施例的錯誤校正方法的流程圖。
[0015] 圖3A-3B是本發(fā)明的另一種實施例的錯誤校正方法的流程圖。
[0016] 圖4A-4B是本發(fā)明的另一種實施例的錯誤校正方法的流程圖。
[0017] 圖5A是本發(fā)明的經(jīng)由電壓設(shè)定程序后對目標(biāo)頁面進(jìn)行讀取的模擬圖。
[0018] 圖5B是本發(fā)明的經(jīng)由校正電壓分布程序后對目標(biāo)頁面進(jìn)行讀取的模擬圖。
[0019] 【附圖標(biāo)記說明】
[0020] 100電子系統(tǒng)；
[0021] 120 主機(jī)；
[0022] 140數(shù)據(jù)儲存裝置；
[0023] 160 控制器；
[0024] 162運(yùn)算單元；
[0025] 164永久存儲器；
[0026] 180快閃存儲器；
[0027] 502、504 標(biāo)準(zhǔn)線；
[0028] S200-S212、S300-S320、S400-S420 步驟。

【具體實施方式】
[0029] 以下將詳細(xì)討論本發(fā)明各種實施例的裝置及使用方法。然而值得注意的是，本發(fā) 明所提供的許多可行的發(fā)明概念可實施在各種特定范圍中。這些特定實施例僅用于舉例說 明本發(fā)明的裝置及使用方法，但非用于限定本發(fā)明的范圍。
[0030] 圖1是本發(fā)明的一種實施例的電子系統(tǒng)的方塊圖。電子系統(tǒng)100包括一主機(jī)120 以及一數(shù)據(jù)儲存裝置140。數(shù)據(jù)儲存裝置140包括一快閃存儲器180以及一控制器160,且 可根據(jù)主機(jī)110所下達(dá)的命令操作?？刂破?60包括一運(yùn)算單元162以及一永久存儲器 (如，只讀存儲器ROM) 164。永久存儲器164與所載的程序碼、數(shù)據(jù)組成固件（firmware)，由 運(yùn)算單元162執(zhí)行，使控制器160基于該固件控制該快閃存儲器180?？扉W存儲器180包括 多個頁面以及多個字符線與多個比特線，其中每一字符線用以連接至少一頁面，以選擇所 欲讀取的頁面。舉例而言，當(dāng)快閃存儲器180為單階儲存單元（Single-Level Cell，SLC) 時，一條比特線用以連接至一個頁面。當(dāng)快閃存儲器180為多階儲存單元（Multi-Level Cell，MLC)時，一條比特線用以連接至兩個頁面。當(dāng)快閃存儲器180為三階儲存單元 (Triple-Level Cell, TLC)時，一條比特線用以連接至三個頁面，但本發(fā)明不限于此。
[0031] 根據(jù)本案所揭露的技術(shù)，固件是設(shè)計來提供主機(jī)120對快閃存儲器180進(jìn)行讀取 發(fā)生錯誤時，所需的錯誤校正方法，用以補(bǔ)救無法依正常程序讀取的數(shù)據(jù)。本發(fā)明所揭露的 錯誤校正方法包括一校正電壓分布程序，但本發(fā)明不限于此。在本發(fā)明的另一實施例中，錯 誤校正方法包括一校正電壓分布程序以及一電壓設(shè)定程序。本發(fā)明所揭露的校正電壓分布 程序是借由讀取目標(biāo)頁面外的其它頁面所產(chǎn)生的讀取干擾效應(yīng)（Read disturbance),校正 在讀取過程中發(fā)生錯誤的目標(biāo)頁面的臨界電壓分布。另外，本發(fā)明所揭露的電壓設(shè)定程序 是用以根據(jù)一重新讀取表（Read Retry Table)重新設(shè)定在讀取過程中發(fā)生錯誤的目標(biāo)頁 面的讀取電壓，以對目標(biāo)頁面進(jìn)行重復(fù)讀?。≧ead Retry)。值得注意的是，上述的目標(biāo)頁面 是主機(jī)120傳送至數(shù)據(jù)儲存裝置140的讀取命令，所要求讀取的頁面。詳細(xì)動作如下所述。
[0032] 在本發(fā)明的一實施例中，控制器160用以根據(jù)主機(jī)120的一讀取命令對快閃存儲 器180中相應(yīng)于一第一字符線的一第一頁面進(jìn)行一第一次讀取動作。換言之，控制器160 用以根據(jù)主機(jī)120的一讀取命令對快閃存儲器180中連接至第一字符線的第一頁面進(jìn)行第 一次讀取動作。當(dāng)?shù)谝淮巫x取動作讀取第一頁面發(fā)生無法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯誤時， 控制器160執(zhí)行校正電壓分布程序。在校正電壓分布程序中，控制器160用以對快閃存儲 器180中相應(yīng)于一第二字符線的一第二頁面進(jìn)行一校正讀取動作，其中第一字符線與第二 字符線不相同，并且第一頁面與第二頁面不相同。換言之，控制器160用以根據(jù)主機(jī)120的 一讀取命令對快閃存儲器180中連接至第二字符線的第二頁面進(jìn)行校正讀取動作。值得注 意的是，校正讀取動作是對第二頁面進(jìn)行讀取一既定校正次數(shù)，以借由讀取干擾效應(yīng)校正 第一頁面的臨界電壓的分布。既定校正次數(shù)可為1次、5次、10次、20次、30次、50次、100 次或者500次等，經(jīng)由發(fā)明人根據(jù)校正程序成功率的實驗數(shù)據(jù)所設(shè)計的數(shù)值，本發(fā)明不限 于此。接著，控制器160更用以在校正電壓分布程序執(zhí)行完畢后，再對第一頁面進(jìn)行一第二 次讀取動作。當(dāng)控制器160在第二次讀取動作中成功讀取第一頁面時，控制器160將成功 讀取的第一頁面的數(shù)據(jù)傳送至主機(jī)120。
[0033] 在本發(fā)明的一實施例中，控制器160更可在第二次讀取動作依然無法成功讀取第 一頁面后，重復(fù)執(zhí)行校正電壓分布程序，直到第一頁面的數(shù)據(jù)可成功被讀取，或者直到校正 電壓分布程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)達(dá)到一第一既定值為止。舉例而言，第一既定值可為1次、 5次、10次、20次、50次、100次或者500次等，經(jīng)由發(fā)明人根據(jù)校正程序后重讀目標(biāo)頁面的 成功率的實驗數(shù)據(jù)所設(shè)計的數(shù)值，本發(fā)明不限于此。當(dāng)校正電壓分布程序被重復(fù)執(zhí)行的次 數(shù)達(dá)到第一既定值時，控制器160更用以將第一頁面標(biāo)記為一損壞頁面。舉例而言，控制器 160可利用實施于快閃存儲器180或者其它存儲器中的一存儲器區(qū)塊或者一寄存器，用以 對校正電壓分布程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)進(jìn)行一校正計數(shù)。每當(dāng)控制器160執(zhí)行一次校正電 壓分布程序時，校正計數(shù)則加一。
[0034] 在本發(fā)明的另一實施例中，當(dāng)校正電壓分布程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)達(dá)到第一既定 值時，控制器160執(zhí)行電壓設(shè)定程序。換言之，在本實施例中，電壓設(shè)定程序在校正電壓分 布程序之后執(zhí)行。在電壓設(shè)定程序中，控制器160用以根據(jù)重復(fù)讀取表，對快閃存儲器180 中的一寄存器（未圖示）進(jìn)行一電壓設(shè)定動作，以將寄存器中的數(shù)值，作為快閃存儲器180 的讀取電壓。舉例而言，重復(fù)讀取表可儲存于永久存儲器164中。值得注意的是，在控制器 160對第一頁面進(jìn)行第一次讀取動作時，是根據(jù)一預(yù)設(shè)的讀取電壓對第一頁面進(jìn)行讀取的。 接著，控制器160更用以在電壓設(shè)定程序執(zhí)行完畢后，借由所設(shè)定的快閃存儲器180的讀取 電壓對第一頁面進(jìn)行一第二次讀取動作。當(dāng)控制器160在第二次讀取動作中成功讀取第一 頁面時，控制器160將成功讀取的第一頁面的數(shù)據(jù)傳送至主機(jī)120。
[0035] 在本發(fā)明的一實施例中，控制器160更可在電壓設(shè)定程序后所執(zhí)行的第二次讀取 動作依然無法成功讀取第一頁面后，重復(fù)執(zhí)行校正電壓分布程序及/或電壓設(shè)定程序，直 到第一頁面的數(shù)據(jù)可成功被讀取，或者直到電壓設(shè)定程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)達(dá)到一第二既 定值為止。舉例而言，第二既定值可為1次、5次、10次、20次、50次、100次或者500次等， 經(jīng)由發(fā)明人根據(jù)電壓設(shè)定程序重讀目標(biāo)頁面后的成功率的實驗數(shù)據(jù)所設(shè)計的數(shù)值，本發(fā)明 不限于此。當(dāng)電壓設(shè)定程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)達(dá)到一第二既定值時，控制器160更用以將 第一頁面標(biāo)記為一損壞頁面。舉例而言，控制器160可利用實施于快閃存儲器180或者其 它存儲器中的一存儲器區(qū)塊或者一寄存器，用以對電壓設(shè)定程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)進(jìn)行一 重復(fù)讀取計數(shù)。每當(dāng)控制器160執(zhí)行一次電壓設(shè)定程序時，重復(fù)讀取計數(shù)則加一。
[0036] 在本發(fā)明的其它實施例中，電壓設(shè)定程序在校正電壓分布程序之前執(zhí)行。舉例而 言，控制器160用以根據(jù)主機(jī)120的一讀取命令對快閃存儲器180中相應(yīng)于一第一字符線 的一第一頁面進(jìn)行一第一次讀取動作。換言之，控制器160用以根據(jù)主機(jī)120的一讀取命 令對快閃存儲器180中連接至第一字符線的第一頁面進(jìn)行第一次讀取動作。當(dāng)?shù)谝淮巫x 取動作讀取第一頁面發(fā)生無法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯誤時，控制器160執(zhí)行電壓設(shè)定程 序。在電壓設(shè)定程序中，控制器160根據(jù)重復(fù)讀取表，對快閃存儲器180中的一寄存器進(jìn)行 電壓設(shè)定動作，以將寄存器中的數(shù)值，作為快閃存儲器180的讀取電壓，其它電壓設(shè)定程序 的細(xì)節(jié)請參考上述說明，在此不再贅述。接著，控制器160更用以在電壓設(shè)定程序執(zhí)行完畢 后，借由所設(shè)定的快閃存儲器180的讀取電壓對第一頁面進(jìn)行一第二次讀取動作。當(dāng)控制 器160在第二次讀取動作中成功讀取第一頁面時，控制器160將成功讀取的第一頁面的數(shù) 據(jù)傳送至主機(jī)120。
[0037] 在本發(fā)明的一實施例中，控制器160更可在電壓設(shè)定程序后所執(zhí)行的第二次讀取 動作依然無法成功讀取第一頁面后，重復(fù)執(zhí)行電壓設(shè)定程序，直到第一頁面的數(shù)據(jù)可成功 被讀取，或者直到電壓設(shè)定程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)達(dá)到一第二既定值為止。當(dāng)電壓設(shè)定程 序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)達(dá)到一第二既定值時，控制器160更用以將第一頁面標(biāo)記為一損壞頁 面。舉例而言，控制器160可利用實施于快閃存儲器180或者其它存儲器中的一存儲器區(qū) 塊或者一寄存器，用以對電壓設(shè)定程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)進(jìn)行一重復(fù)讀取計數(shù)。每當(dāng)控制 器160執(zhí)行一次電壓設(shè)定程序時，重復(fù)讀取計數(shù)則加一。
[0038] 在本發(fā)明的另一實施例中，當(dāng)電壓設(shè)定程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)達(dá)到一第二既定值 時，控制器160執(zhí)行校正電壓分布程序。在校正電壓分布程序中，控制器160用以對快閃存 儲器180中相應(yīng)于一第二字符線的一第二頁面進(jìn)行一校正讀取動作，其中校正讀取動作是 對第二頁面進(jìn)行讀取一既定校正次數(shù)，其它校正電壓分布程序的細(xì)節(jié)請參考上述說明，在 此不再贅述。接著，控制器160更用以在校正電壓分布程序執(zhí)行完畢后，再對第一頁面進(jìn)行 一第二次讀取動作。當(dāng)控制器160在第二次讀取動作中成功讀取第一頁面時，控制器160 將成功讀取的第一頁面的數(shù)據(jù)傳送至主機(jī)120。
[0039] 在本發(fā)明的一實施例中，控制器160更可在校正電壓分布程序后所執(zhí)行的第二次 讀取動作依然無法成功讀取第一頁面后，重復(fù)執(zhí)行電壓設(shè)定程序及/或校正電壓分布程 序，直到第一頁面的數(shù)據(jù)可成功被讀取，或者直到校正電壓分布程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)達(dá) 到一第一既定值為止。當(dāng)校正電壓分布程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)達(dá)到一第一既定值時，控制 器160更用以將第一頁面標(biāo)記為一損壞頁面。舉例而言，控制器160可利用實施于快閃存 儲器180或者其它存儲器中的一存儲器區(qū)塊或者一寄存器，用以對校正電壓分布程序被重 復(fù)執(zhí)行的次數(shù)進(jìn)行一校正計數(shù)。每當(dāng)控制器160執(zhí)行一次校正電壓分布程序時，重校正計 數(shù)則加一。
[0040]
[0041] 圖2是本發(fā)明的一種實施例的錯誤校正方法的流程圖。錯誤校正方法適用于圖1 所示的數(shù)據(jù)儲存裝置140。流程開始于步驟S200。
[0042] 在步驟S200中，控制器160用以根據(jù)主機(jī)120的一讀取命令對快閃存儲器180中 相應(yīng)于一第一字符線的一第一頁面進(jìn)行一第一次讀取動作。換言之，控制器160用以根據(jù) 主機(jī)120的一讀取命令對快閃存儲器180中連接至第一字符線的第一頁面進(jìn)行一讀取動 作。
[0043] 接著，在步驟S202中，控制器160判斷讀取第一頁面時，是否發(fā)生無法借由編解碼 進(jìn)行修復(fù)的錯誤。當(dāng)沒有發(fā)生無法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯誤時，流程進(jìn)行至步驟S204。 否則，流程進(jìn)行至步驟S206。
[0044] 在步驟S204中，控制器160將成功讀取的第一頁面的數(shù)據(jù)，傳送至主機(jī)120。
[0045] 在步驟S206中，控制器160判斷相應(yīng)于校正讀取動作已執(zhí)行的次數(shù)的一校正計數(shù) 是否超過一第一既定值。舉例而言，控制器160可利用實施于快閃存儲器180或者其它存 儲器中的一存儲器區(qū)塊或者一寄存器，用以對校正電壓分布程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)進(jìn)行一 校正計數(shù)。當(dāng)校正計數(shù)超過一第一既定值時，流程進(jìn)行至步驟S208。否則，流程進(jìn)行至步驟 S212。
[0046] 在步驟S208中，控制器160用以將第一頁面標(biāo)記為一損壞頁面。
[0047] 在步驟S210中，控制器160執(zhí)行校正電壓分布程序。在校正電壓分布程序中，控制 器160用以對快閃存儲器180中相應(yīng)于一第二字符線的一第二頁面進(jìn)行一校正讀取動作， 其中第一字符線與第二字符線不相同，并且第一頁面與第二頁面不相同。換言之，控制器 160用以根據(jù)主機(jī)120的一讀取命令對快閃存儲器180中連接至第二字符線的第二頁面進(jìn) 行校正讀取動作。值得注意的是，校正讀取動作是對第二頁面進(jìn)行讀取一既定校正次數(shù)，以 借由讀取干擾效應(yīng)校正第一頁面的臨界電壓的分布。既定校正次數(shù)可為1次、5次、10次、 20次、30次、50次、100次等經(jīng)由發(fā)明人根據(jù)校正程序成功率的實驗數(shù)據(jù)所設(shè)計的數(shù)值，本 發(fā)明不限于此。
[0048] 接著，在步驟S212中，控制器160將校正計數(shù)加一。舉例而言，控制器160是將用 以進(jìn)行校正計數(shù)的存儲器區(qū)塊或者一寄存器中的數(shù)值加一。接著，流程回到步驟S200。
[0049] 圖3A-3B是本發(fā)明的一種實施例的錯誤校正方法的流程圖。錯誤校正方法適用于 圖1所示的數(shù)據(jù)儲存裝置140。流程開始于步驟S300。
[0050] 在步驟S300中，控制器160用以根據(jù)主機(jī)120的一讀取命令對快閃存儲器180中 相應(yīng)于一第一字符線的一第一頁面進(jìn)行一第一次讀取動作。詳細(xì)步驟請參考圖2的步驟 S200,在此不再贅述。
[0051 ] 接著，在步驟S302中，控制器160判斷讀取第一頁面時，是否發(fā)生無法借由編解碼 進(jìn)行修復(fù)的錯誤。當(dāng)沒有發(fā)生無法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯誤時，流程進(jìn)行至步驟S304。 否則，流程進(jìn)行至步驟S306。
[0052] 在步驟S304中，控制器160將成功讀取的第一頁面的數(shù)據(jù)，傳送至主機(jī)120。
[0053] 在步驟S306中，控制器160判斷相應(yīng)于校正讀取動作已執(zhí)行的次數(shù)的一校正計數(shù) 是否超過一第一既定值。詳細(xì)步驟請參考圖2的步驟S206,在此不再贅述。當(dāng)校正計數(shù)超 過一第一既定值時，流程進(jìn)行至步驟S308。否則，流程進(jìn)行至步驟S312。
[0054] 在步驟S308中，控制器160執(zhí)行校正電壓分布程序。在校正電壓分布程序中，控制 器160用以對快閃存儲器180中相應(yīng)于一第二字符線的一第二頁面進(jìn)行一校正讀取動作， 其中第一字符線與第二字符線不相同，并且第一頁面與第二頁面不相同。詳細(xì)步驟請參考 圖2的步驟S210,在此不再贅述。
[0055] 接著，在步驟S310中，控制器160將校正計數(shù)加一。詳細(xì)步驟請參考圖2的步驟 S212,在此不再贅述。接著，流程回到步驟S300。
[0056] 在步驟S312中，控制器160判斷相應(yīng)于電壓設(shè)定動作的次數(shù)的一重復(fù)讀取計數(shù)是 否超過一第二既定值。舉例而言，控制器160可利用實施于快閃存儲器180或者其它存儲 器中的一存儲器區(qū)塊或者一寄存器，用以對電壓設(shè)定程序被重復(fù)執(zhí)行的次數(shù)進(jìn)行一重復(fù)讀 取計數(shù)。當(dāng)重復(fù)讀取計數(shù)超過第二既定值時，流程進(jìn)行至步驟S314。否則，流程進(jìn)行至步驟 S316。
[0057] 在步驟S314中，控制器160用以將第一頁面標(biāo)記為一損壞頁面。
[0058] 在步驟S316中，控制器160執(zhí)行電壓設(shè)定程序。電壓設(shè)定程序中，控制器160用 以根據(jù)重復(fù)讀取表，對快閃存儲器180中的一寄存器（未圖示）進(jìn)行一電壓設(shè)定動作，以將 寄存器中的數(shù)值，作為快閃存儲器180的讀取電壓。舉例而言，重復(fù)讀取表可儲存于永久存 儲器164中。
[0059] 接著，在步驟S318中，控制器160將重復(fù)讀取計數(shù)加一。舉例而言，控制器160是 將用以進(jìn)行重復(fù)讀取計數(shù)的存儲器區(qū)塊或者一寄存器中的數(shù)值加一。
[0060] 接著，在步驟S320中，控制器160將校正計數(shù)歸零。舉例而言，控制器160是將用 以進(jìn)行校正計數(shù)的存儲器區(qū)塊或者一寄存器中的數(shù)值歸零。流程回到步驟S300,以借由所 設(shè)定的快閃存儲器180的讀取電壓對第一頁面再次進(jìn)行讀取。值得注意的是，在本實施例 中，電壓設(shè)定程序在校正電壓分布程序之后進(jìn)行。另外，在本實施例中控制器160將校正計 數(shù)歸零后，才回到步驟S300。因此，當(dāng)借由所設(shè)定的快閃存儲器180的讀取電壓仍然無法 成功讀取第一頁面時，控制器160會接著進(jìn)行校正電壓分布程序相應(yīng)于第一既定值的次數(shù) 后，再進(jìn)行第二次的電壓設(shè)定程序，但本發(fā)明不限于此。
[0061] 在本發(fā)明的另一實施例中，圖3A-3B所示的錯誤校正方法亦可不包括步驟S320。 換言之，在本實施例中控制器160不將校正計數(shù)歸零，直接回到步驟S300。因此，當(dāng)借由所 設(shè)定的快閃存儲器180的讀取電壓仍然無法成功讀取第一頁面時，控制器160不會再進(jìn)行 校正電壓分布程序，而直接進(jìn)行第二次的電壓設(shè)定程序。
[0062] 圖4A-4B是本發(fā)明的一種實施例的錯誤校正方法的流程圖。錯誤校正方法適用于 圖1所示的數(shù)據(jù)儲存裝置140。流程開始于步驟S400。
[0063] 在步驟S400中，控制器160用以根據(jù)主機(jī)120的一讀取命令對快閃存儲器180中 相應(yīng)于一第一字符線的一第一頁面進(jìn)行一第一次讀取動作。詳細(xì)步驟請參考圖2的步驟 S200,在此不再贅述。
[0064] 接著，在步驟S402中，控制器160判斷讀取第一頁面時，是否發(fā)生無法借由編解碼 進(jìn)行修復(fù)的錯誤。當(dāng)沒有發(fā)生無法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯誤時，流程進(jìn)行至步驟S404。 否則，流程進(jìn)行至步驟S406。
[0065] 在步驟S406中，控制器160判斷相應(yīng)于電壓設(shè)定動作的次數(shù)的一重復(fù)讀取計數(shù)是 否超過一第二既定值。詳細(xì)步驟請參考圖3A-3B的步驟S312,在此不再贅述。當(dāng)重復(fù)讀取 計數(shù)未超過第二既定值時，流程進(jìn)行至步驟S408。否則，流程進(jìn)行至步驟S412。
[0066] 在步驟S408中，控制器160執(zhí)行電壓設(shè)定程序。電壓設(shè)定程序中，控制器160用 以根據(jù)重復(fù)讀取表，對快閃存儲器180中的一寄存器（未圖示）進(jìn)行一電壓設(shè)定動作，以將 寄存器中的數(shù)值，作為快閃存儲器180的讀取電壓。詳細(xì)步驟請參考圖3A-3B的步驟S316， 在此不再贅述。
[0067] 接著，在步驟S410中，控制器160將重復(fù)讀取計數(shù)加一。詳細(xì)步驟請參考圖3A-3B 的步驟S318,在此不再贅述。接著，流程回到步驟S400,以借由所設(shè)定的快閃存儲器180的 讀取電壓對第一頁面再次進(jìn)行讀取。
[0068] 在步驟S412中，控制器160判斷相應(yīng)于校正讀取動作已執(zhí)行的次數(shù)的一校正計數(shù) 是否超過一第一既定值。詳細(xì)步驟請參考圖2的步驟S206,在此不再贅述。當(dāng)校正計數(shù)超 過一第一既定值時，流程進(jìn)行至步驟S414。否則，流程進(jìn)行至步驟S416。
[0069] 在步驟S414中，控制器160用以將第一頁面標(biāo)記為一損壞頁面。
[0070] 在步驟S416中，控制器160執(zhí)行校正電壓分布程序。在校正電壓分布程序中，控制 器160用以對快閃存儲器180中相應(yīng)于一第二字符線的一第二頁面進(jìn)行一校正讀取動作， 其中第一字符線與第二字符線不相同，并且第一頁面與第二頁面不相同。詳細(xì)步驟請參考 圖2的步驟S210,在此不再贅述。
[0071] 接著，在步驟S418中，控制器160將校正計數(shù)加一。詳細(xì)步驟請參考圖2的步驟 S212,在此不再贅述。
[0072] 接著，在步驟S420中，控制器160將重復(fù)讀取計數(shù)歸零。舉例而言，控制器160是 將用以進(jìn)行重復(fù)讀取計數(shù)的存儲器區(qū)塊或者一寄存器中的數(shù)值歸零。流程回到步驟S400。 值得注意的是，在本實施例中，電壓設(shè)定程序在校正電壓分布程序之前進(jìn)行。另外，在本實 施例中控制器160將重復(fù)讀取計數(shù)歸零后，才回到步驟S400。因此，當(dāng)經(jīng)由校正電壓分布程 序執(zhí)行完畢仍然無法成功讀取第一頁面時，控制器160會接著電壓設(shè)定程序相應(yīng)于第二既 定值的次數(shù)后，再進(jìn)行第二次的校正電壓分布程序，但本發(fā)明不限于此。
[0073] 在本發(fā)明的另一實施例中，圖4所示的錯誤校正方法亦可不包括步驟S420。換言 之，在本實施例中控制器160不將重復(fù)讀取計數(shù)歸零，直接回到步驟S400。因此，當(dāng)經(jīng)由校 正電壓分布程序執(zhí)行完畢仍然無法成功讀取第一頁面時，控制器160不會再進(jìn)行電壓設(shè)定 程序，而直接進(jìn)行第二次的校正電壓分布程序。
[0074] 圖5A是本發(fā)明的經(jīng)由電壓設(shè)定程序后對目標(biāo)頁面進(jìn)行讀取的模擬圖。在本模擬 圖中，控制器160使用電壓設(shè)定程序后，對目標(biāo)頁面進(jìn)行重復(fù)讀取500次。由圖5A可知，借 由重復(fù)讀取的動作對目標(biāo)頁面進(jìn)行讀取500次，雖然降低了錯誤比特的數(shù)量，但仍然無法 將目標(biāo)頁面的錯誤比特降低至標(biāo)準(zhǔn)線502下方。
[0075] 圖5B是本發(fā)明的經(jīng)由校正電壓分布程序后對目標(biāo)頁面進(jìn)行讀取的模擬圖。在本 模擬圖中，控制器160使用校正電壓分布程序500次后，對目標(biāo)頁面進(jìn)行讀取的結(jié)果。由圖 5B可知，目標(biāo)頁面在控制器160使用校正電壓分布程序?qū)ζ渌撁孀x取一次后，已將目標(biāo) 頁面的錯誤比特降低至標(biāo)準(zhǔn)線504下方。
[0076] 由上述可知，本發(fā)明所提供的數(shù)據(jù)儲存裝置140以及錯誤校正方法可借由 校正電壓分布程序?qū)δ繕?biāo)頁面外的其它頁面進(jìn)行讀取，以產(chǎn)生讀取干擾效應(yīng)（Read Disturbance)，并借由讀取干擾效應(yīng)校正在讀取過程中發(fā)生錯誤的目標(biāo)頁面的臨界電壓分 布。另外，電壓設(shè)定程序可對目標(biāo)頁面進(jìn)行重復(fù)讀?。≧ead Retry)，以根據(jù)不同的讀取電壓 讀取目標(biāo)頁面的數(shù)據(jù)。
[0077] 本發(fā)明的方法，或特定型態(tài)或其部分，可以以程序碼的型態(tài)存在。程序碼可儲存于 實體媒體，如軟碟、光碟片、硬盤、或是任何其他機(jī)器可讀取（如電腦可讀?。﹥Υ婷襟w，亦 或不限于外在形式的電腦程序產(chǎn)品，其中，當(dāng)程序碼被機(jī)器，如電腦載入且執(zhí)行時，此機(jī)器 變成用以參與本發(fā)明的裝置。程序碼也可通過一些傳送媒體，如電線或電纜、光纖、或是任 何傳輸型態(tài)進(jìn)行傳送，其中，當(dāng)程序碼被機(jī)器，如電腦接收、載入且執(zhí)行時，此機(jī)器變成用以 參與本發(fā)明的裝置。當(dāng)在一般用途處理單元實作時，程序碼結(jié)合處理單元提供一操作類似 于應(yīng)用特定邏輯電路的獨特裝置。
[0078] 惟以上所述者，僅為本發(fā)明的較佳實施例而已，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實施的范 圍，即大凡依本發(fā)明權(quán)利要求書及發(fā)明說明內(nèi)容所作的簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本 發(fā)明專利涵蓋的范圍內(nèi)。另外本發(fā)明的任一實施例或權(quán)利要求不須達(dá)成本發(fā)明所揭露的全 部目的或優(yōu)點或特點。此外，摘要部分和標(biāo)題僅是用來輔助專利文件搜尋之用，并非用來限 制本發(fā)明的權(quán)利范圍。
【權(quán)利要求】
1. 一種數(shù)據(jù)儲存裝置，包括： 一快閃存儲器；以及 一控制器，用以根據(jù)一主機(jī)的一讀取命令對上述快閃存儲器中相應(yīng)于一第一字符線的 一第一頁面進(jìn)行一第一次讀取動作，并且當(dāng)上述第一次讀取動作讀取上述第一頁面發(fā)生無 法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯誤時，用以執(zhí)行一校正電壓分布程序，其中在上述校正電壓分 布程序中，上述控制器用以對上述快閃存儲器中相應(yīng)于一第二字符線的一第二頁面進(jìn)行一 校正讀取動作。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲存裝置，其特征在于，上述校正讀取動作是對上述第 二頁面進(jìn)行讀取一既定校正次數(shù)，以借由讀取干擾效應(yīng)校正上述第一頁面的臨界電壓的分 布。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的數(shù)據(jù)儲存裝置，其特征在于，上述控制器更用以在上述校正 電壓分布程序執(zhí)行完畢后，再對上述第一頁面進(jìn)行一第二次讀取動作。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲存裝置，其特征在于，上述控制器更用以判斷相應(yīng)于 上述校正讀取動作已執(zhí)行的次數(shù)的一校正計數(shù)是否超過一第一既定值，并當(dāng)上述校正計數(shù) 超過上述第一既定值時，將上述第一頁面標(biāo)記為一損壞頁面。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的數(shù)據(jù)儲存裝置，其特征在于，當(dāng)上述第一次讀取動作讀取上 述第一頁面發(fā)生無法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯誤時，上述控制器更用以進(jìn)行一電壓設(shè)定程 序，其中在上述電壓設(shè)定程序中，上述控制器用以根據(jù)一重復(fù)讀取表，對上述快閃存儲器中 的一寄存器進(jìn)行一電壓設(shè)定動作，以將上述寄存器中的數(shù)值，作為上述快閃存儲器的讀取 電壓。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的數(shù)據(jù)儲存裝置，其特征在于，上述控制器更用以在上述電壓 設(shè)定程序執(zhí)行完畢后，借由所設(shè)定的上述快閃存儲器的讀取電壓對上述第一頁面進(jìn)行一第 二次讀取動作。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的數(shù)據(jù)儲存裝置，其特征在于，上述電壓設(shè)定程序在上述校正 電壓分布程序之前執(zhí)行。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的數(shù)據(jù)儲存裝置，其特征在于，在上述電壓設(shè)定程序中，上述控 制器更用以判斷相應(yīng)于上述電壓設(shè)定動作已執(zhí)行的次數(shù)的一重復(fù)讀取計數(shù)是否超過一第 二既定值，并當(dāng)上述重復(fù)讀取計數(shù)超過上述第二既定值時，進(jìn)行上述校正電壓程序。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的數(shù)據(jù)儲存裝置，其特征在于，上述電壓設(shè)定程序在上述校正 電壓分布程序之后執(zhí)行。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)儲存裝置，其特征在于，在上述校正電壓分布程序中， 上述控制器更用以判斷相應(yīng)于上述校正讀取動作已執(zhí)行的次數(shù)的一校正計數(shù)是否超過一 第一既定值，并當(dāng)上述校正計數(shù)超過上述第一既定值時，進(jìn)行上述電壓設(shè)定程序。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)儲存裝置，其特征在于，在上述電壓設(shè)定程序中，上述 控制器更用以判斷相應(yīng)于上述電壓設(shè)定動作已執(zhí)行的次數(shù)的一重復(fù)讀取計數(shù)是否超過一 第二既定值，并當(dāng)上述重復(fù)讀取計數(shù)超過上述第二既定值時，將上述第一頁面標(biāo)記為一損 壞頁面。
12. -種錯誤校正方法，適用于一數(shù)據(jù)儲存裝置，包括： 根據(jù)一主機(jī)的一讀取命令對上述數(shù)據(jù)儲存裝置中的快閃存儲器中相應(yīng)于一第一字符 線的一第一頁面進(jìn)行一第一次讀取動作； 判斷上述第一次讀取動作讀取上述第一頁面時，是否發(fā)生無法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的 錯誤；以及 當(dāng)上述第一次讀取動作讀取上述第一頁面發(fā)生無法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯誤時，執(zhí) 行一校正電壓分布程序，其中上述校正電壓分布程序包括對上述快閃存儲器中相應(yīng)于一第 二字符線的一第二頁面進(jìn)行一校正讀取動作。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的錯誤校正方法，其特征在于，更包括在上述校正電壓分布 程序執(zhí)行完畢后，對上述第一頁面進(jìn)行一第二次讀取動作。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的錯誤校正方法，其特征在于，上述校正讀取動作是對上述 第二頁面進(jìn)行讀取一既定校正次數(shù)，以借由讀取干擾效應(yīng)校正上述第一頁面的臨界電壓的 分布。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的錯誤校正方法，其特征在于，上述校正電壓分布程序更包 括： 判斷相應(yīng)于上述校正讀取動作已執(zhí)行的次數(shù)的一校正計數(shù)是否超過一第一既定值；以 及 當(dāng)上述校正計數(shù)超過上述第一既定值時，將上述第一頁面標(biāo)記為一損壞頁面。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的錯誤校正方法，其特征在于，更包括當(dāng)上述第一次讀取動 作讀取上述第一頁面發(fā)生無法借由編解碼進(jìn)行修復(fù)的錯誤時，進(jìn)行一電壓設(shè)定程序，其中 上述電壓設(shè)定程序包括根據(jù)一重復(fù)讀取表，對上述快閃存儲器中的一寄存器進(jìn)行一電壓設(shè) 定動作，以將上述寄存器中的數(shù)值，作為上述快閃存儲器的讀取電壓。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的錯誤校正方法，其特征在于，更包括在上述電壓設(shè)定程序 執(zhí)行完畢后，借由所設(shè)定的上述快閃存儲器的讀取電壓對上述第一頁面進(jìn)行一第二次讀取 動作。
18. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的錯誤校正方法，其特征在于，上述電壓設(shè)定程序在上述校 正電壓分布程序之前執(zhí)行。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的錯誤校正方法，其特征在于，上述電壓設(shè)定程序更包括： 判斷相應(yīng)于上述校正讀取動作已執(zhí)行的次數(shù)的一校正計數(shù)是否超過一第一既定值，其 中進(jìn)行上述校正讀取動作的步驟更包括當(dāng)上述重復(fù)讀取計數(shù)未超過上述第二既定值時，才 進(jìn)行上述校正讀取動作；以及 在上述校正讀取動作執(zhí)行完畢后，將上述校正計數(shù)加一。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的錯誤校正方法，其特征在于，上述電壓設(shè)定程序更包括： 判斷相應(yīng)于上述電壓設(shè)定動作的次數(shù)的一重復(fù)讀取計數(shù)是否超過一第二既定值，其中 設(shè)定進(jìn)行上述電壓設(shè)定動作的步驟更包括當(dāng)上述重復(fù)讀取計數(shù)未超過上述第二既定值時， 才進(jìn)行上述電壓設(shè)定動作；以及 在上述電壓設(shè)定動作執(zhí)行完畢后，將上述重復(fù)讀取計數(shù)加一。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的錯誤校正方法，其特征在于，當(dāng)上述重復(fù)讀取計數(shù)超過上 述第二既定值時，進(jìn)行上述校正電壓程序。
22. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的錯誤校正方法，其特征在于，上述電壓設(shè)定程序在上述校 正電壓分布程序之后執(zhí)行。
23. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的錯誤校正方法，其特征在于，上述校正電壓分布程序更包 括： 判斷相應(yīng)于上述校正讀取動作已執(zhí)行的次數(shù)的一校正計數(shù)是否超過一第一既定值，其 中進(jìn)行上述校正讀取動作的步驟更包括當(dāng)上述校正計數(shù)未超過上述第一既定值時，才執(zhí)行 上述校正讀取動作；以及 當(dāng)上述校正讀取動作執(zhí)行完畢時，將上述校正計數(shù)加一。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的錯誤校正方法，其特征在于，當(dāng)上述校正計數(shù)超過上述第 一既定值時，執(zhí)行上述電壓設(shè)定程序。
25. 根據(jù)權(quán)利要求22所述的錯誤校正方法，其特征在于，上述電壓設(shè)定程序更包括： 判斷相應(yīng)于上述電壓設(shè)定動作已執(zhí)行的次數(shù)的一重復(fù)讀取計數(shù)是否超過一第二既定 值，其中進(jìn)行上述電壓設(shè)定動作的步驟更包括當(dāng)上述重復(fù)讀取計數(shù)未超過上述第二既定值 時，才進(jìn)行上述電壓設(shè)定動作；以及 在上述電壓設(shè)定動作執(zhí)行完畢后，將一重復(fù)讀取計數(shù)加一。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的錯誤校正方法，其特征在于，當(dāng)上述重復(fù)讀取計數(shù)超過上 述第二既定值時，將上述第一頁面標(biāo)記為一損壞頁面。
【文檔編號】G11C16/26GK104217761SQ201410073801
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年5月31日
【發(fā)明者】陳俊儀, 陳俊輝 申請人:慧榮科技股份有限公司