包括用于半導(dǎo)體存儲器電路的磁性隧道結(jié)元件的可調(diào)諧參考電路的制作方法
【專利摘要】一種電路包括包含第一路徑和第二路徑的第一參考對。第一路徑包括第一磁性隧道結(jié)(MTJ)元件而第二路徑包括第二MTJ元件。該電路進(jìn)一步包括包含第三路徑和第四路徑的第二參考對。第三路徑包括第三MTJ元件而第四路徑包括第四MTJ元件。第一參考對和第二參考對被并聯(lián)地系結(jié)在一起。該電路的參考電阻基于第一、第二、第三和第四MTJ元件中每一者的電阻。該電路的參考電阻能夠通過調(diào)整其中一個(gè)MTJ元件的電阻來調(diào)整。
【專利說明】包括用于半導(dǎo)體存儲器電路的磁性隧道結(jié)元件的可調(diào)諧參考電路
[0001]1.領(lǐng)域
[0002]本公開一般涉及調(diào)整參考電路的參考電阻。
[0003]I1.相關(guān)技術(shù)描述
[0004]技術(shù)進(jìn)步已導(dǎo)致越來越小且越來越強(qiáng)大的計(jì)算設(shè)備。例如，當(dāng)前存在各種各樣的便攜式個(gè)人計(jì)算設(shè)備，包括較小、輕量且易于由用戶攜帶的無線計(jì)算設(shè)備，諸如便攜式無線電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)以及尋呼設(shè)備。更具體地，便攜式無線電話(諸如蜂窩電話和網(wǎng)際協(xié)議(IP)電話)可通過無線網(wǎng)絡(luò)傳達(dá)語音和數(shù)據(jù)分組。此外，許多此類無線電話包括被結(jié)合于此的其他類型的設(shè)備。例如，無線電話還可包括數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、數(shù)字記錄器以及音頻文件播放器。同樣，此類無線電話可處理可執(zhí)行指令，包括可被用于接入因特網(wǎng)的軟件應(yīng)用，諸如web瀏覽器應(yīng)用。這些無線電話還可包括包含磁性隧道結(jié)(MTJ)存儲器元件的存儲器設(shè)備。
[0005]MTJ存儲器元件可被用作例如磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)設(shè)備的MRAM元件。MTJ存儲器元件可以處于平行狀態(tài)或處于反平行狀態(tài)。MTJ存儲器元件的每一狀態(tài)可對應(yīng)于MTJ存儲器元件的相應(yīng)電阻。相對于參考電阻較低的MTJ存儲器元件的電阻可表示第一數(shù)字值。相對于該參考電阻較高的MTJ存儲器元件的電阻可表示第二數(shù)字值。MTJ存儲器元件的電阻表示第一數(shù)字值還是第二數(shù)字值可通過將MTJ存儲器元件的輸出電壓與對應(yīng)于參考電阻的參考電壓作比較來確定。MTJ兀件的輸出電壓可對應(yīng)于MTJ存儲器兀件的電阻。諸如工藝變化和制造缺陷之類的因素可導(dǎo)致MTJ存儲器元件的電阻以及參考電阻的變化。此類電阻變化可導(dǎo)致對由MTJ存儲器元件的輸出電壓所表示的數(shù)字值的不一致和不準(zhǔn)確的確定。
I I1.


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]公開了提供參考電壓的可調(diào)諧參考電路。該可調(diào)諧參考電路可向感測設(shè)備(例如，感測放大器)提供參考電壓，該感測設(shè)備使用參考電壓來確定對應(yīng)于存儲器元件(諸如MRAM設(shè)備中的MTJ元件)的輸出電壓的數(shù)字值。參考電壓可對應(yīng)于可調(diào)諧參考電路的參考電阻，并且存儲器元件的輸出電壓可對應(yīng)于存儲器元件的電阻。
[0007]可調(diào)諧參考電路可包括被并聯(lián)地系結(jié)在一起并對可調(diào)諧參考電路的參考電阻作出貢獻(xiàn)的多個(gè)參考對。每個(gè)參考對可包括也可在每個(gè)相應(yīng)參考對內(nèi)被并聯(lián)地系結(jié)在一起的路徑對。參考對中的每一路徑可包括可選擇性地調(diào)整成處于平行狀態(tài)或反平行狀態(tài)的MTJ元件。MTJ元件的平行狀態(tài)可對應(yīng)于MTJ元件的低電阻(Rp)，而MTJ元件的反平行狀態(tài)可對應(yīng)于MTJ元件的高電阻(Rap)。通過將處于平行狀態(tài)的MTJ元件的數(shù)量設(shè)置為不同于處于反平行狀態(tài)的MTJ元件的數(shù)量，可調(diào)諧參考電路的參考電阻可被調(diào)高或調(diào)低。參考電阻的調(diào)整相應(yīng)地調(diào)整基于該參考電阻的參考電壓。非等同數(shù)量的處于平行狀態(tài)和處于反平行狀態(tài)的MTJ元件可補(bǔ)償影響可調(diào)諧參考電路的參考電阻和MTJ存儲器元件的電阻的工藝變化和制造缺陷。
[0008]在特定實(shí)施例中，一種調(diào)諧可調(diào)諧參考電路的方法包括選擇被并聯(lián)地系結(jié)在一起的多個(gè)參考對中的第一參考對的路徑。每一參考對包括包含第一磁性隧道結(jié)(MTJ)元件的第一路徑以及包含第二 MTJ元件的第二路徑。該方法還包括將電流施加于選定路徑以設(shè)置第一參考對的選定路徑中的MTJ元件的MTJ電阻。可調(diào)諧參考電路的參考電阻基于這多個(gè)參考對中的每一參考對的電阻。這多個(gè)參考對包括第一數(shù)量的處于第一狀態(tài)(例如，平行狀態(tài))的MTJ元件以及第二數(shù)量的處于第二狀態(tài)(例如，反平行狀態(tài))的MTJ元件，其中第一數(shù)量和第二數(shù)量不同。
[0009]在另一特定實(shí)施例中，一種電路包括包含第一路徑和第二路徑的第一參考對。第一路徑包括第一磁性隧道結(jié)(MTJ)元件而第二路徑包括第二 MTJ元件。該電路還包括包含第三路徑和第四路徑的第二參考對。第三路徑包括第三MTJ元件而第四路徑包括第四MTJ兀件。第一參考對和第二參考對被并聯(lián)地系結(jié)在一起。該電路的參考電阻基于第一、第二、第三和第四MTJ元件的電阻。該電路的參考電阻能夠通過調(diào)整第一和第二 MTJ元件之一的電阻來調(diào)整。
[0010]在另一特定實(shí)施例中，一種設(shè)備包括用于選擇被并聯(lián)地系結(jié)在一起的多個(gè)參考對中的第一參考對的路徑的裝置。每一參考對包括包含第一磁性隧道結(jié)(MTJ)元件的第一路徑以及包含第二 MTJ元件的第二路徑。該設(shè)備還包括將電流施加于選定路徑以設(shè)置第一參考對的選定路徑中的MTJ元件的MTJ電阻的裝置?？烧{(diào)諧參考電路的參考電阻基于這多個(gè)參考對中的每一參考對的電阻。所述多個(gè)參考對包括第一數(shù)量的處于第一狀態(tài)的MTJ元件以及第二數(shù)量的處于第二狀態(tài)的MTJ元件，其中第一數(shù)量和第二數(shù)量不同。
[0011]由所公開的實(shí)施例中的至少一個(gè)實(shí)施例所提供的一個(gè)特定優(yōu)勢是調(diào)整與被用于確定與MTJ存儲器元件的電阻相關(guān)聯(lián)的數(shù)字值的參考電壓相對應(yīng)的參考電阻。參考電阻的調(diào)整可改善基于MTJ存儲器元件的輸出電壓與參考電壓的比較而確定的數(shù)字值的可靠性。此外，參考電阻的調(diào)整可通過補(bǔ)償影響參考電阻和MTJ存儲器元件的電阻的工藝變化和制造缺陷來提高包括存儲器MTJ元件的存儲器設(shè)備的制造成品率。為了解說，參考對可被并聯(lián)地系結(jié)在一起以形成可被用作存儲器設(shè)備的多個(gè)存儲器元件的參考電壓源的公共參考電路。由于寄生線路電阻，參考電壓線上第一位置處的參考電壓電平可以與該參考電壓線上的第二位置處的參考電壓電平不同。另外，由于處理變化，存儲器設(shè)備內(nèi)的第一位置處的MTJ存儲器元件具有的電阻可以與該存儲器設(shè)備內(nèi)的第二位置處的另一 MTJ存儲器元件的電阻不同。因此，基于MTJ存儲器元件和參考對的空間位置來調(diào)整由公共參考電路提供的參考電壓可以補(bǔ)償寄生線路電阻和MTJ存儲器元件的電阻變化。
[0012]本公開的其他方面、優(yōu)點(diǎn)和特征將在閱讀了整個(gè)申請后變得明了，整個(gè)申請包括下述章節(jié):附圖簡述、【具體實(shí)施方式】以及權(quán)利要求。
[0013]IV.附圖簡述
[0014]圖1是可調(diào)諧參考電路的特定解說性實(shí)施例的框圖；
[0015]圖2是可調(diào)諧參考電路的特定解說性實(shí)施例的電路圖；
[0016]圖3是可調(diào)諧參考電路的另一特定解說性實(shí)施例的電路圖；
[0017]圖4是可調(diào)諧參考電路的另一特定解說性實(shí)施例的電路圖；
[0018]圖5是包括圖1-4的用于確定與存儲器元件的輸出相對應(yīng)的數(shù)字值的可調(diào)諧參考電路的系統(tǒng)的特定解說性實(shí)施例的框圖；
[0019]圖6是調(diào)整可調(diào)諧參考電路的方法的特定解說性實(shí)施例的流程圖；
[0020]圖7是包括具有可調(diào)諧參考電路的存儲器的無線設(shè)備的示圖；以及
[0021]圖8是制造包括可調(diào)諧參考電路的電子設(shè)備的制造過程的特定解說性實(shí)施例的數(shù)據(jù)流圖。
V.

【具體實(shí)施方式】
[0022]參照圖1，描繪了可調(diào)諧參考電路的特定解說性實(shí)施例，并且一般指定為100。該可調(diào)諧參考電路100包括第一參考對102和第二參考對104。第一參考對102和第二參考對104經(jīng)由參考電壓線124和線122被并聯(lián)地系結(jié)在一起?？烧{(diào)諧參考電路100可在參考電壓線124處具有基于第一參考對102的電阻和第二參考對104的電阻的參考電阻。例如，可調(diào)諧參考電路100的參考電阻可以是第一參考對102和第二參考對104的電阻的平均?？烧{(diào)諧參考電路100可在參考電壓線124上具有基于可調(diào)諧參考電路100的參考電阻的參考電壓(Vref)。參考電壓線124上的參考電壓(Vref)可通過調(diào)整可調(diào)諧參考電路100的參考電阻來調(diào)整。在特定實(shí)施例中，參考電壓線124上的參考電壓(Vref)可被用于確定與存儲器元件(諸如，磁性隨機(jī)存取存儲器(MRAM)元件)的輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值。
[0023]從空間布局的角度看，參考電壓線124上的各個(gè)位置處的參考電壓(Vref)的電壓電平可能因參考電壓線124的寄生線路電阻而彼此不同。例如，靠近第一參考對102左側(cè)的位置處的參考電壓(Vref)的電壓電平可能與靠近第二參考對104右側(cè)的另一位置處的參考電壓(Vref)的電壓電平不同。因此，個(gè)體地調(diào)整第一參考對102的電阻和第二參考對104的電阻可補(bǔ)償寄生線路電阻對參考電壓(Vref)的電壓電平的影響。另外，由于處理變化，存儲器設(shè)備中靠近第一參考對102的MTJ存儲器元件具有的電阻可能不同于該存儲器設(shè)備中靠近第二參考對104的MTJ存儲器元件的電阻。存儲器元件的電阻差異可產(chǎn)生與不同MTJ元件聯(lián)用的不同的期望參考電壓電平。因此，基于存儲器設(shè)備的MTJ存儲器元件的位置來調(diào)整參考電壓可以補(bǔ)償各MTJ元件的電阻變化。
[0024]在特定實(shí)施例中，第一參考對102可包括第一路徑106和第二路徑108。第一路徑106可包括第一 MTJ元件110。第二路徑108可包括第二 MTJ元件112。第一參考對102的電阻可基于第一 MTJ元件110的電阻和第二 MTJ元件112的電阻。為了解說，第一 MTJ元件110和第二 MTJ元件112可具有低電阻(Rp)或高電阻(Rap)。在特定實(shí)施例中，低電阻(Rp)可對應(yīng)于第一狀態(tài)，而高電阻(Rap)可對應(yīng)于第二狀態(tài)。例如，第一狀態(tài)可對應(yīng)于MTJ元件的平行狀態(tài)，而第二狀態(tài)可對應(yīng)于MTJ元件的反平行狀態(tài)。
[0025]在特定實(shí)施例中，基于穿過第一路徑106的寫電流的方向，第一 MTJ元件110可以處于平行狀態(tài)或處于反平行狀態(tài)。類似地，基于穿過第二路徑108的寫電流的方向，第二MTJ元件112可以處于平行狀態(tài)或處于反平行狀態(tài)。在特定實(shí)施例中，第一參考對102的電阻可以是第一 MTJ元件110的電阻和與第一 MTJ元件110并聯(lián)的第二 MTJ元件112的電阻的等效電阻。
[0026]在特定實(shí)施例中，第二參考對104可包括第三路徑114和第四路徑116。第三路徑114包括第三MTJ元件118而第四路徑116包括第四MTJ元件120。第二參考對104的電阻可基于第三MTJ元件118的電阻和第四MTJ元件120的電阻。為了解說，第三MTJ元件118和第四MTJ元件120可具有低電阻(Rp)或高電阻(Rap)。低電阻(Rp)可對應(yīng)于第一狀態(tài)，而高電阻(Rap)可對應(yīng)于第二狀態(tài)。例如，第一狀態(tài)可對應(yīng)于MTJ元件的平行狀態(tài)，而第二狀態(tài)可對應(yīng)于MTJ元件的反平行狀態(tài)。
[0027]在特定實(shí)施例中，基于穿過第三路徑114的寫電流的方向，第三MTJ元件118可以處于平行狀態(tài)或處于反平行狀態(tài)。類似地，基于穿過第四路徑116的寫電流的方向，第四MTJ元件120可以被設(shè)置成處于平行狀態(tài)或處于反平行狀態(tài)。在特定實(shí)施例中，第二參考對104的電阻可以是第三MTJ元件118的電阻和與第三MTJ元件118并聯(lián)的第四MTJ元件120的電阻的等效電阻。
[0028]在特定實(shí)施例中，可調(diào)諧參考電路100的參考電阻可基于第一 MTJ元件110、第二MTJ元件112、第三MTJ元件118和第四MTJ元件120中的每一者的電阻。例如，可調(diào)諧參考電路100的參考電阻可以能夠通過調(diào)整第一 MTJ元件110和第二 MTJ元件112中的一者或多者的電阻來調(diào)整?？烧{(diào)諧參考電路100的參考電阻也可以能夠通過調(diào)整第三MTJ元件118和第四MTJ元件120中的一者或多者的電阻來調(diào)整。
[0029]在特定實(shí)施例中，處于第一狀態(tài)(例如，平行狀態(tài))的MTJ元件110、112、118、120的數(shù)量可以與處于第二狀態(tài)(例如，反平行狀態(tài))的MTJ元件110、112、118、120的數(shù)量不同。為了解說，第一 MTJ元件110和第二 MTJ元件112可被調(diào)整為彼此處于相同狀態(tài)，而第三MTJ元件118可被調(diào)整為與第四MTJ元件120處于不同狀態(tài)。在特定實(shí)施例中，第一 MTJ元件110、第二 MTJ元件112和第三MTJ元件118可被調(diào)整為處于平行狀態(tài)，而第四MTJ元件120可被調(diào)整為處于反平行狀態(tài)。替換地，在另一實(shí)施例中，處于第一狀態(tài)(例如，平行狀態(tài))的MTJ元件110、112、118、120的數(shù)量可以等于處于第二狀態(tài)(例如，反平行狀態(tài))的 MTJ 元件 110、112、118、120 的數(shù)量。
[0030]在操作期間，參考電壓線124上的參考電壓(Vref)可通過分別將可調(diào)諧參考電路100的參考電阻調(diào)高或調(diào)低而被調(diào)高或調(diào)低。可調(diào)諧參考電路100的參考電阻可通過調(diào)整第一 MTJ元件110、第二 MTJ元件112、第三MTJ元件118和第四MTJ元件120中的一者或多者的狀態(tài)來調(diào)整。例如，第一、第二、第三和第四MTJ元件110、112、118、120中的一者或多者的電阻可被調(diào)整為使得處于第一狀態(tài)的第一、第二、第三和第四MTJ元件110、112、118,120的數(shù)量與處于第二狀態(tài)的第一、第二、第三和第四MTJ元件110、112、118、120的數(shù)量不同。為了解說，相應(yīng)的寫電流可被供應(yīng)給第一路徑106、第二路徑108、第三路徑114和第四路徑116中的每一者。第一 MTJ元件110、第二 MTJ元件112、第三MTJ元件118和第四MTJ元件120中的每一者可基于相應(yīng)的寫電流的方向被設(shè)置為處于平行狀態(tài)或處于反平行狀態(tài)。例如，第一 MTJ元件110、第二 MTJ元件112和第三MTJ元件118可被配置為處于與低電阻(Rp)相對應(yīng)的平行狀態(tài)，而第四MTJ元件120可被配置為處于與高電阻(Rap)相對應(yīng)的反平行狀態(tài)。
[0031]在調(diào)整可調(diào)諧參考電路100的參考電阻之后，與可調(diào)諧參考電路100的參考電阻相對應(yīng)的參考電壓(Vref)可被用于確定與基于MTJ存儲器元件的電阻的MTJ存儲器元件輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值。相應(yīng)的讀電流可被供應(yīng)給存儲器元件的源線或位線以及第一路徑106、第二路徑108、第三路徑114和第四路徑116中的每一者。MTJ存儲器元件的輸出電壓可以與對應(yīng)于可調(diào)諧參考電路100的參考電阻的參考電壓(Vref)作比較以確定與MTJ存儲器元件的輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值。
[0032]通過調(diào)整第一 MTJ元件110、第二 MTJ元件112、第三MTJ元件118和第四MTJ元件120中的一者或多者的電阻，可調(diào)諧參考電路100的參考電阻可被調(diào)高或調(diào)低。作為調(diào)整可調(diào)諧參考電路100的參考電阻的結(jié)果，參考電壓(Vref)可被相應(yīng)地調(diào)高或調(diào)低。調(diào)整參考電壓(Vref)可以改善感測放大器的感測邊際(sensing margin)以及基于MTJ存儲器兀件的輸出電壓和參考電壓(Vref)被確定的與MTJ存儲器兀件的輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值的可靠性。另外，作為通過調(diào)整可調(diào)諧參考電路100的參考電阻來補(bǔ)償工藝變化和制造缺陷的結(jié)果，包括MTJ存儲器元件的存儲器設(shè)備的制造成品率可提高。另外，由于寄生線路電阻，參考電壓(Vref)可以在參考電壓線124的不同位置處具有不同電壓電平。為了克服寄生線路電阻的影響，參考電壓線124上的特定位置處的參考電壓(Vref)的電壓電平可以通過改變靠近該特定位置的參考對的電阻而被較佳地調(diào)整。此外，由于處理變化，存儲器設(shè)備內(nèi)的不同位置處的MTJ存儲器元件可以具有不同的電阻。因此，參考電壓線124上不同位置處的參考電壓(Vref)的電壓電平可被調(diào)整以補(bǔ)償靠近參考電壓線124上的特定位置的MTJ存儲器元件的電阻變化。因此，感測放大器的感測邊際可通過基于存儲器設(shè)備的MTJ存儲器元件的空間位置調(diào)整參考電壓來改善。
[0033]為了解說，調(diào)整第一、第二、第三和第四MTJ元件110、112、118、120中的一者或多者的電阻以使得處于第一狀態(tài)的第一、第二、第三和第四MTJ元件110、112、118、120的數(shù)量與處于第二狀態(tài)的第一、第二、第三和第四MTJ元件110、112、118、120的數(shù)量不同具有多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢。例如，可調(diào)諧參考電路100的初始配置可包括參考對102、104，其中每個(gè)參考對包括處于平行狀態(tài)的MTJ元件和處于反平行狀態(tài)的MTJ元件?？烧{(diào)諧參考電路100的參考電阻可以是每個(gè)參考對102、104的電阻的平均，并且每個(gè)特定對的電阻可以是該特定對中被并聯(lián)地系結(jié)在一起的兩個(gè)MTJ元件中的每一個(gè)MTJ元件的電阻的等效電阻。此種配置可以提供期望地靠近MTJ存儲器元件的高電阻與MTJ存儲器元件的低電阻的中間的可調(diào)諧參考電路參考電阻。然而，由于諸如工藝變化和制造缺陷之類的因素，可調(diào)諧參考電路的參考電阻可以是例如更靠近MTJ存儲器元件的高電阻或者更靠近MTJ存儲器的低電阻。與可調(diào)諧參考電路100的參考電阻和MTJ存儲器元件的電阻之間的期望關(guān)系的此類偏差會影響對與MTJ存儲器元件的電阻相對應(yīng)的數(shù)字值的可靠確定(感測)。所確定的數(shù)字值的不可靠性會不利地影響包括MTJ存儲器元件的存儲器設(shè)備的制造成品率。
[0034]通過選擇可調(diào)諧參考電路的參考對中的路徑并將選定路徑中的MTJ元件的電阻調(diào)整為低電阻(例如，與第一狀態(tài)(諸如平行狀態(tài))相對應(yīng)的低電阻)或高電阻(例如，與第二狀態(tài)(諸如反平行狀態(tài))相對應(yīng)的高電阻)，該參考對的電阻可被調(diào)低或調(diào)高。處于選定路徑中的MTJ元件的電阻的調(diào)整可相應(yīng)地調(diào)整可調(diào)諧參考電路的參考電阻，從而該參考電阻在該MTJ元件的高電阻和低電阻之間進(jìn)行平衡。參考對的選定路徑中的MTJ元件的電阻的調(diào)整可導(dǎo)致該參考對具有均處于平行狀態(tài)或處于反平行狀態(tài)的兩個(gè)MTJ元件并且導(dǎo)致可調(diào)諧參考電路具有不等數(shù)量的處于平行狀態(tài)的MTJ元件和處于反平行狀態(tài)的MTJ元件。因此，具有不等數(shù)量的處于平行狀態(tài)的MTJ元件和處于反平行狀態(tài)的MTJ元件的可調(diào)諧參考電路可以具有期望地在MTJ存儲器元件的高電阻與MTJ存儲器元件的低電阻之間進(jìn)行平衡的參考電阻，從而基于MTJ存儲器元件的電阻確定(感測)的數(shù)字值的可靠性被改善?；贛TJ存儲器元件的電阻確定(感測)的數(shù)字值的可靠性改善可產(chǎn)生提高的制造成品率。
[0035]盡管圖1解說了可調(diào)諧參考電路100中的兩個(gè)參考對102、104，但可調(diào)諧參考電路100可以具有大于或少于兩個(gè)參考對。另外，第一路徑106、第二路徑108、第三路徑114和第四路徑116中的每一者可以具有分別與第一 MTJ元件110、第二 MTJ元件112、第三MTJ元件118和第四MTJ元件120串聯(lián)的一個(gè)或多個(gè)MTJ元件。
[0036]參照圖2，描繪了可調(diào)諧參考電路的特定解說性實(shí)施例，并且一般指定為200?？烧{(diào)諧參考電路200可提供基于可調(diào)諧參考電路200的參考電阻的參考電壓(Vref)以供用于確定與存儲器元件的輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值。可調(diào)諧參考電路200可包括第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254。第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254可被并聯(lián)地系結(jié)在一起。第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254可經(jīng)由參考電壓(Vref) 268處的參考電壓線、參考位線266處的參考位線信號(REFBL)、以及被配置成攜帶參考源線信號(REFSL)的參考源線264被系結(jié)在一起。在特定實(shí)施例中，第一參考對250和第二參考對252可分別對應(yīng)于圖1的第一參考對102和第二參考對104。
[0037]在特定實(shí)施例中，可調(diào)諧參考電路200在參考電壓線268處的參考電阻可基于第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254中的每一者的電阻。例如，可調(diào)諧參考電路200的參考電阻可以是第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254的電阻的平均?？烧{(diào)諧參考電路200的參考電阻可通過調(diào)整第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254中的一者或多者的電阻來調(diào)整。在特定實(shí)施例中，參考電壓線268上的參考電壓(Vref)可通過調(diào)整可調(diào)諧參考電路200的參考電阻來改變。
[0038]在特定實(shí)施例中，可調(diào)諧參考電路200的參考電阻可通過調(diào)整第一參考對250的電阻來調(diào)整。第一參考對250可包括第一路徑260和第二路徑262。第一路徑260可包括第一 MTJ元件218和第一晶體管230。第一 MTJ元件218可被耦合至字線晶體管222以及第一數(shù)據(jù)選擇晶體管214。電壓鉗位晶體管210可被耦合至第一數(shù)據(jù)選擇晶體管214和負(fù)載晶體管206。在特定實(shí)施例中，負(fù)載晶體管206可以是P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管。負(fù)載晶體管206的漏極端和柵極端可被耦合至參考電壓線268。負(fù)載晶體管206可被耦合至參考位線控制晶體管202的源極端。位線控制晶體管202的漏極端可被耦合至參考位線266。字線晶體管222可被耦合至第二數(shù)據(jù)選擇晶體管226，后者被耦合至第一晶體管230的漏極端。第一晶體管230的源極端可被耦合至參考源線264。
[0039]在特定實(shí)施例中，至少一個(gè)控制信號可被斷言以使足夠的電流能流經(jīng)第一 MTJ元件218。例如，字線信號(WL)、數(shù)據(jù)選擇信號(Vdsel)、電壓鉗位信號(Vwi)、參考位線控制信號(REFBL控制)、以及第一參考源線控制信號(CTLll)可被斷言以使足夠的電流能流經(jīng)第一 MTJ元件218。
[0040]在特定實(shí)施例中，第一路徑260可通過斷言被提供給第一晶體管230的柵極端的第一參考源線控制信號(CTLll)來被選擇。第一路徑260可被配置成接收用于設(shè)置第一MTJ元件218的MTJ電阻的電流。例如，在通過斷言第一參考源線控制信號(CTLll)來選擇第一路徑260后，寫電流可被供應(yīng)給選定的第一路徑260以設(shè)置第一 MTJ元件218的MTJ電阻。在替換性實(shí)施例中，第一路徑260可通過在向第一路徑260供應(yīng)寫電流之后或基本上與之同時(shí)地?cái)嘌缘谝粎⒖荚淳€控制信號(CTLll)來被選擇。
[0041 ] 在特定實(shí)施例中，第一路徑260可被配置成經(jīng)由參考位線266或經(jīng)由參考源線264接收寫電流。例如，第一路徑260可被配置成經(jīng)由參考位線266接收寫電流以將第一 MTJ元件218設(shè)置為處于第一狀態(tài)。第一路徑260還可被配置成經(jīng)由參考源線264接收寫電流以將第一 MTJ元件218設(shè)置為處于第二狀態(tài)。
[0042]在特定實(shí)施例中，第一 MTJ元件218的第一電阻可對應(yīng)于第一狀態(tài)，而第一 MTJ元件218的第二電阻可對應(yīng)于第二狀態(tài)。為了解說，第一狀態(tài)可對應(yīng)于第一 MTJ元件218的平行狀態(tài)，而第二狀態(tài)可對應(yīng)于第一 MTJ元件218的反平行狀態(tài)。在特定實(shí)施例中，第二電阻可以大于第一電阻。例如，第一電阻可對應(yīng)于低電阻(Rp)，而第二電阻可對應(yīng)于高電阻(Rap) ο
[0043]在特定實(shí)施例中，第二路徑262可包括第二 MTJ元件220和第一晶體管232。第二 MTJ元件220可被耦合至字線晶體管224以及第一數(shù)據(jù)選擇晶體管216。電壓鉗位晶體管212的源極端可被耦合至第一路徑260的電壓鉗位晶體管210的源極端。電壓鉗位晶體管212還可被耦合至第一數(shù)據(jù)選擇晶體管216和負(fù)載晶體管208。在特定實(shí)施例中，負(fù)載晶體管208可以是PMOS晶體管。負(fù)載晶體管208的漏極端和柵極端可被耦合至參考電壓線268。負(fù)載晶體管208可被耦合至參考位線控制晶體管204的源極端。參考位線控制晶體管204的漏極端可被耦合至參考位線266。字線晶體管224可被耦合至第二數(shù)據(jù)選擇晶體管228，后者被耦合至第二晶體管232的漏極端。第二晶體管232的源極端可被耦合至參考源線264。
[0044]在特定實(shí)施例中，第二路徑262可被配置成接收用于設(shè)置第二 MTJ元件220的MTJ電阻的寫電流。例如，第二路徑262可被配置成經(jīng)由參考位線266接收寫電流以將第二MTJ元件220設(shè)置為處于第一狀態(tài)，以及經(jīng)由參考源線264接收寫電流以將第二 MTJ元件220設(shè)置為處于第二狀態(tài)。在特定實(shí)施例中，第二路徑262可通過斷言被提供給第二晶體管232的柵極端的第二參考源線控制信號(CTL12)來被選擇。
[0045]在特定實(shí)施例中，第一狀態(tài)可對應(yīng)于與第二 MTJ元件220的第一電阻相對應(yīng)的第二 MTJ元件220的平行狀態(tài)，而第二狀態(tài)可對應(yīng)于與第二 MTJ元件220的第二電阻相對應(yīng)的第二 MTJ元件220的反平行狀態(tài)。為了解說，第一電阻可以大于第二電阻。例如，第一電阻可對應(yīng)于低電阻(Rp)，而第二電阻可對應(yīng)于高電阻(Rap)。
[0046]在特定實(shí)施例中，控制信號可被斷言以使電流能流經(jīng)第二 MTJ元件220。例如，字線信號(WL)、數(shù)據(jù)選擇信號(Vdsel)、電壓鉗位信號(Vwi)、參考位線控制信號(REFBL控制)、以及第二參考源線控制信號(CTL12)可被斷言以使足夠的電流能流經(jīng)第二 MTJ元件220。
[0047]在特定實(shí)施例中，在通過斷言第二參考源線控制信號(CTL12)來選擇第二路徑262后，寫電流可被供應(yīng)給選定的第二路徑262以設(shè)置第二 MTJ元件220的MTJ電阻。在替換性實(shí)施例中，第二路徑262可通過在向第二路徑262供應(yīng)寫電流之后或基本上與之同時(shí)地?cái)嘌缘诙盘?CTL12)來被選擇。
[0048]在特定實(shí)施例中，可調(diào)諧參考電路200的參考電阻可通過調(diào)整第二參考對252的電阻來調(diào)整。第二參考對252可具有與第一參考對250類似的結(jié)構(gòu)。例如，第二參考對252可包括第一路徑270和第二路徑272。第二參考對252可具有第一路徑270中的第一 MTJ元件234和第二路徑272中的第二 MTJ元件236。第三參考源線控制信號(CTL21)可被提供給第二參考對252的第一路徑270中的第一晶體管242的柵極端。第四參考源線控制信號(CTL22)可被提供給第二參考對252的第二路徑272的第二晶體管244的柵極端。第二參考對252的第一路徑270可通過斷言參考源線控制信號(CTL21)來被選擇。類似地，第二參考對252的第二路徑272可通過斷言參考源線控制信號(CTL22)來被選擇。第一路徑270可被配置成以類似于關(guān)于第一參考對250中的第一路徑260描述的方式來接收用于設(shè)置第一 MTJ元件234的MTJ電阻的電流。第二路徑272可被配置成以類似于關(guān)于第一參考對250中的第二路徑262描述的方式來接收用于設(shè)置第二MTJ元件236的MTJ電阻的電流。
[0049]在特定實(shí)施例中，可調(diào)諧參考電路200的參考電阻可通過調(diào)整第η參考對254的電阻來調(diào)整。第η參考對254具有與第一參考對250和第二參考對252類似的結(jié)構(gòu)。例如，第η參考對254的第一路徑274可包括第一 MTJ元件238和第一晶體管246。第η參考對254的第二路徑276可包括第二 MTJ元件240和第二晶體管248。第η參考對254的第一路徑274可通過斷言被提供給第一晶體管246的柵極端的第五參考源線控制信號(CTLnl)來被選擇。類似地，第η參考對254的第二路徑276可通過斷言被提供給第二晶體管248的柵極端的參考源線控制信號(CTLn2)來被選擇。第一路徑274可被配置成以類似于關(guān)于第一參考對250中的第一路徑260描述的方式來接收用于設(shè)置第一 MTJ元件238的MTJ電阻的電流。第二路徑276可被配置成以類似于關(guān)于第一參考對250中的第二路徑262描述的方式來接收用于設(shè)置第二 MTJ元件240的MTJ電阻的電流。
[0050]在操作期間，可調(diào)諧參考電路200的參考電阻可通過調(diào)整第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254中的一者或多者的電阻來調(diào)整。在特定實(shí)施例中，可調(diào)諧參考電路200的參考電阻在對可調(diào)諧參考電路200執(zhí)行測試(例如，自測試)以確定可調(diào)諧參考電路200的初始電阻之后被調(diào)整。例如，第一參考對250、第二參考對252、和第η參考對254中的一者或多者的電阻可被調(diào)整成使得具有低電阻(Rp)的MTJ元件的數(shù)量不同于具有高電阻(Rap)的MTJ元件的數(shù)量。由于寄生線路電阻，每個(gè)參考對250、252、254可以不同地影響參考電壓線268上的特定位置處的參考電壓(Vref)。另外，參考對250、252和254的電阻可因處理變化而彼此不同。因此，用于基于每一參考對250、252、254的空間位置以及參考對250、252、254的電阻變化來調(diào)諧特定參考對的算法可以改善感測放大器的感測邊際。
[0051]為了解說，第一參考對250的電阻可被調(diào)整以調(diào)整可調(diào)諧參考電路200的參考電阻。為了調(diào)整第一參考對250的電阻，第一參考源線控制信號(CNTLll)可被斷言以選擇第一路徑260。字線信號(WL)、數(shù)據(jù)選擇信號(Vdsel)、電壓鉗位信號(Vwi)、和參考位線控制信號(REFBL控制)可被斷言以分別導(dǎo)通字線晶體管222、數(shù)據(jù)選擇晶體管214、226、電壓鉗位晶體管210、和位線控制晶體管202。導(dǎo)通字線晶體管222、數(shù)據(jù)選擇晶體管214、226、電壓鉗位晶體管210、和位線控制晶體管202使寫電流能流經(jīng)第一 MTJ元件218以設(shè)置第一MTJ元件218的電阻。該寫電流可被供應(yīng)給參考位線266以將第一 MTJ元件218的電阻設(shè)置為低電阻(Rp)或高電阻(Rap)。替換地，寫電流可被供應(yīng)給參考源線264以將第一 MTJ元件218的電阻設(shè)置為低電阻(Rp)或高電阻(Rap)。
[0052]在調(diào)整可調(diào)諧參考電路200的參考電阻之后，與可調(diào)諧參考電路200的參考電阻相對應(yīng)的參考電壓(Vref)可被用于確定(感測)與MTJ存儲器元件的輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值。相應(yīng)的讀電流可被供應(yīng)給參考源線264和存儲器元件的源線。替換地，相應(yīng)的讀電流可被供應(yīng)給參考位線266和存儲器元件的位線。MTJ存儲器元件的輸出電壓可以與參考電壓(Vref)作比較以確定(感測)與MTJ存儲器元件的輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值。
[0053]通過調(diào)整第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254中的一者或多者的電阻，可調(diào)諧參考電路200的參考電阻可被調(diào)高或調(diào)低。作為調(diào)整可調(diào)諧參考電路200的參考電阻的結(jié)果，參考電壓(Vref)可被相應(yīng)地調(diào)高或調(diào)低。調(diào)整參考電壓(Vref)可以改善基于MTJ存儲器元件的輸出電壓和參考電壓(Vref)被確定(感測)的與MTJ存儲器元件的輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值的可靠性。通過調(diào)整特定參考對的電阻，可調(diào)諧參考電路200的整體參考電阻和參考電壓線上的特定位置處的參考電阻可被調(diào)諧以增加存儲器設(shè)備中的所有MTJ元件以及存儲器元件中的特定MTJ存儲器元件的感測邊際。另外，作為通過調(diào)整可調(diào)諧參考電路200的參考電阻來補(bǔ)償工藝變化和制造缺陷的結(jié)果，包括MTJ存儲器元件的存儲器設(shè)備的制造成品率可提聞。
[0054]盡管圖2解說了三個(gè)參考對250、252、254，但可調(diào)諧參考電路200可包括大于或少于三個(gè)參考對。另外，盡管關(guān)于第一參考對250來描述了調(diào)整可調(diào)諧參考電路200的參考電阻的操作，但第二參考對252和第η參考對254中的每一者的電阻可按類似于關(guān)于第一參考對250描述的方式來調(diào)整以調(diào)整可調(diào)諧參考電路200的參考電阻。此外，第一參考對250的電阻還可通過按類似于關(guān)于第一 MTJ元件218描述的方式調(diào)整第二 MTJ元件220的電阻來調(diào)整?；趦?yōu)化算法來調(diào)整特定參考對可以改善存儲器設(shè)備中的所有MTJ元件的整體感測邊際并且還改善存儲器設(shè)備中的特定MTJ存儲器元件的感測邊際。感測邊際中的此類改善可以提高M(jìn)RAM設(shè)備的制造成品率。參照圖3，描繪了可調(diào)諧參考電路的特定解說性實(shí)施例，并且一般指定為300?？烧{(diào)諧參考電路300可提供基于可調(diào)諧參考電路300的參考電阻的參考電壓(Vref)以用于確定(感測)與存儲器元件的輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值?？烧{(diào)諧參考電路300可包括第一參考對250、第二參考對252、第η參考對254、備用參考對302、和開關(guān)組312。第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254可被并聯(lián)地耦合在一起。備用參考對302可經(jīng)由開關(guān)組312被并聯(lián)地系結(jié)至第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254。在特定實(shí)施例中，可調(diào)諧參考電路300的參考電阻可通過調(diào)整第一參考對250、第二參考對252、第η參考對254和備用參考對302中的一者或多者的參考電阻來調(diào)整。
[0055]在特定實(shí)施例中，第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254可對應(yīng)于圖2的第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254。
[0056]在特定實(shí)施例中，開關(guān)組312可被配置成接收用于控制開關(guān)組312中的開關(guān)的操作的開關(guān)控制信號(SWC)。例如，開關(guān)控制信號(SWC)可被斷言以閉合開關(guān)組312中的開關(guān)以將備用參考對302耦合至第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254。開關(guān)控制信號(SWC)還可被去斷言以斷開開關(guān)組312中的開關(guān)以將備用參考對302與第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254解耦合。在特定實(shí)施例中，開關(guān)組312中的各開關(guān)中的一者或多者可以是N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)晶體管、P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管、或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)晶體管。例如，開關(guān)控制信號(SWC)可被提供給開關(guān)組312中的每一晶體管的柵極端。
[0057]在特定實(shí)施例中，可調(diào)諧參考電路300的參考電阻可通過調(diào)整備用參考對302的參考電阻來調(diào)整。備用參考對302可具有與第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254類似的結(jié)構(gòu)。例如，備用參考對302可包括第一路徑320和第二路徑322。第一路徑320可被配置成經(jīng)由參考位線266或經(jīng)由參考源線264來接收寫電流。備用參考對302可包括第一路徑320中的第一備用MTJ元件304和第二路徑322中的第二備用MTJ元件306?？烧{(diào)諧參考電路300的參考電阻可以能夠通過調(diào)整第一備用MTJ元件304和第二備用MTJ元件306中的一者或多者的電阻來調(diào)整。例如，可調(diào)諧參考電路300的參考電阻可以能夠通過調(diào)整第一備用MTJ元件304的電阻來調(diào)整。為了解說，第一備用參考源線控制信號(CTLxl)可被提供給第一路徑320中的第一備用晶體管308的柵極端。第二備用參考源線控制信號(CTLx2)可被提供給第二路徑322中的第二備用晶體管310的柵極端。第一路徑320可通過斷言第一備用參考源線控制信號(CTLxl)來被選擇。類似地，第二路徑322可通過斷言第二備用參考源線控制信號(CTLx2)來被選擇。在特定實(shí)施例中，第一路徑320可被配置成以類似于關(guān)于圖2的第一參考對250中的第一路徑260描述的方式來接收用于設(shè)置第一備用MTJ元件304的MTJ電阻的電流。第二路徑322可被配置成以類似于關(guān)于圖2的第一參考對250中的第二路徑262描述的方式來接收用于設(shè)置第二備用MTJ元件306的MTJ電阻的電流。
[0058]在特定實(shí)施例中，第一備用MTJ元件304和第二備用MTJ元件306中的一者或多者的電阻可被調(diào)整成使得可調(diào)諧參考電路300中具有低電阻(Rp)(例如，處于平行狀態(tài))的MTJ元件的數(shù)量不同于可調(diào)諧參考電路300中具有高電阻(Rap)(例如，處于反平行狀態(tài))的MTJ元件的數(shù)量。在另一特定實(shí)施例中，第一備用MTJ元件304和第二備用MTJ元件306中的一者或多者的電阻可被調(diào)整成使得可調(diào)諧參考電路300中具有低電阻(Rp)(例如，處于平行狀態(tài))的MTJ元件的數(shù)量等于可調(diào)諧參考電路300中具有高電阻(Rap)(例如，處于反平行狀態(tài))的MTJ元件的數(shù)量。
[0059]在特定實(shí)施例中，備用參考對302可被包括在包括第一參考對250和第二參考對252的參考對陣列中。在替換性實(shí)施例中，備用參考對302可在包括第一參考對250和第二參考對252的參考對陣列之外。在另一特定實(shí)施例中，備用參考對302可僅包括第一路徑320。
[0060]在操作期間，可調(diào)諧參考電路300的參考電阻可通過調(diào)整第一參考對250、第二參考對252、第η參考對254和備用參考對302中的一者或多者的電阻來調(diào)整。例如，第一參考對250、第二參考對252、第η參考對254和備用參考對302中的一者或多者的電阻可被調(diào)整成使得具有低電阻(Rp)的MTJ元件的數(shù)量不同于具有高電阻(Rap)的MTJ元件的數(shù)量。為了解說，開關(guān)控制信號(SWC)可被斷言以將備用參考對302耦合至第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254。為了調(diào)整備用參考對302的電阻，備用參考源線控制信號(CNTLxl)可被斷言為選擇第一路徑320。字線信號(WL)、數(shù)據(jù)選擇信號(Vdsel)、電壓鉗位信號(Vwi)、和參考位線控制信號(REFBL控制)可被斷言以導(dǎo)通備用參考對302中的晶體管。寫電流可被供應(yīng)給第一路徑320以將第一備用MTJ元件304的電阻設(shè)置為低電阻(Rp)或高電阻(Rap)。第二備用MTJ元件306的電阻可按類似于關(guān)于第一備用MTJ元件304描述的方式來調(diào)整。
[0061]在調(diào)整可調(diào)諧參考電路300的參考電阻之后，與可調(diào)諧參考電路300的參考電阻相對應(yīng)的參考電壓(Vref)可被用于確定(感測)與MTJ存儲器元件的輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值，如關(guān)于圖2所描述的。
[0062]通過將備用參考對302耦合至第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254并調(diào)整備用參考對302的電阻，可調(diào)整可調(diào)諧參考電路300的參考電阻。作為調(diào)整可調(diào)諧參考電路300的參考電阻的結(jié)果，參考電壓(Vref)可被相應(yīng)地調(diào)高或調(diào)低。調(diào)整參考電壓(Vref)可以改善基于MTJ存儲器元件的輸出電壓和參考電壓(Vref)被確定(感測)的與MTJ存儲器元件的輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值的可靠性。另外，作為通過調(diào)整可調(diào)諧參考電路300的參考電阻來補(bǔ)償工藝變化和制造缺陷的結(jié)果，包括MTJ存儲器元件的存儲器設(shè)備的制造成品率可提高。基于優(yōu)化算法來調(diào)整特定參考對將改善存儲器設(shè)備中的所有MTJ元件的整體感測邊際并且還改善存儲器設(shè)備中的特定MTJ存儲器元件的感測邊際。感測邊際的此類改善可以提高M(jìn)RAM設(shè)備的制造成品率。
[0063]盡管圖3解說了三個(gè)參考對250、252、254，但可調(diào)諧參考電路300可包括大于或少于三個(gè)參考對。另外，盡管解說了備用參考對302的單個(gè)對，但一個(gè)以上的備用參考對可被配置成稱合至第一、第二和第η參考對250、252、254。
[0064]參照圖4，描繪了可調(diào)諧參考電路的特定解說性實(shí)施例，并且一般指定為400?？烧{(diào)諧參考電路400可提供基于可調(diào)諧參考電路400的參考電阻的參考電壓(Vref)以用于確定與存儲器元件的輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值?？烧{(diào)諧參考電路400可包括第一參考對250、第二參考對252、第η參考對254和參考塊402。第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254可被并聯(lián)地耦合在一起。參考塊402可被并聯(lián)地系結(jié)至第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254。在特定實(shí)施例中，可調(diào)諧參考電路400的參考電阻可通過調(diào)整第一參考對250、第二參考對252、第η參考對254和參考塊402中的一者或多者的參考電阻來調(diào)整。
[0065]在特定實(shí)施例中，第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254可對應(yīng)于圖2和圖3的第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254，并且可如關(guān)于圖2和圖3所描述的那樣操作。在特定實(shí)施例中，第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254中的每一者可包括具有低電阻(Rp)(例如，處于平行狀態(tài))的相應(yīng)第一 MTJ元件和具有高電阻(Rap)(例如，處于反平行狀態(tài))的相應(yīng)第二 MTJ元件。
[0066]在特定實(shí)施例中，可調(diào)諧參考電路400的參考電阻可通過調(diào)整參考塊402的參考電阻來調(diào)整。參考塊402可包括被配置成接收電阻控制信號(RCTL)的可調(diào)整電阻器網(wǎng)絡(luò)404。可調(diào)整電阻器網(wǎng)絡(luò)404的電阻可通過調(diào)整電阻控制信號(RCTL)來調(diào)整。參考塊402可被配置成經(jīng)由參考位線266或經(jīng)由參考源線264來接收電流。為了使電流能夠流經(jīng)可調(diào)整電阻器網(wǎng)絡(luò)404，參考源線控制信號(CTLx)可被提供給晶體管406的柵極端。
[0067]在操作期間，可調(diào)諧參考電路400的參考電阻可通過調(diào)整第一參考對250、第二參考對252、第η參考對254和參考塊402中的一者或多者的電阻來調(diào)整。為了解說，參考塊402的電阻可被調(diào)整以增加或降低可調(diào)諧參考電路400的參考電阻。參考塊402的電阻可通過調(diào)整電阻控制信號(RCTL)以增加或降低可調(diào)整電阻器網(wǎng)絡(luò)404的電阻來調(diào)整。
[0068]在調(diào)整可調(diào)諧參考電路400的參考電阻之后，與可調(diào)諧參考電路400的參考電阻相對應(yīng)的參考電壓(Vref)可被用于確定與MTJ存儲器元件的輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值，如關(guān)于圖2和圖3所描述的。
[0069]通過調(diào)整參考塊402的電阻，可調(diào)諧參考電路400的參考電阻可被調(diào)整。作為調(diào)整可調(diào)諧參考電路400的參考電阻的結(jié)果，參考電壓(Vref)可被相應(yīng)地調(diào)高或調(diào)低。調(diào)整參考電壓(Vref)可以改善基于MTJ存儲器元件的輸出電壓和參考電壓(Vref)被確定(感測)的與MTJ存儲器元件的輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值的可靠性。另外，作為通過調(diào)整可調(diào)諧參考電路400的參考電阻來補(bǔ)償工藝變化和制造缺陷的結(jié)果，包括MTJ存儲器元件的存儲器設(shè)備的制造成品率可提高?；趦?yōu)化算法來調(diào)整特定參考對將改善存儲器設(shè)備中的所有MTJ元件的整體感測邊際并且還改善存儲器設(shè)備中的特定MTJ存儲器元件的感測邊際。感測邊際的此類改善可以提高M(jìn)RAM設(shè)備的制造成品率。
[0070]參照圖5，描繪了包括可調(diào)諧參考電路的系統(tǒng)的特定解說性實(shí)施例，并且一般指定為500。系統(tǒng)500可被配置成確定(感測)與存儲器元件504的輸出電壓(Vdout)相對應(yīng)的數(shù)字值。
[0071]系統(tǒng)500包括可調(diào)諧參考電路502、存儲器元件504、感測設(shè)備508 (例如，感測放大器)和調(diào)諧電路510。調(diào)諧電路510可經(jīng)由調(diào)諧線512被耦合至可調(diào)諧參考電路502?？烧{(diào)諧參考電路502可被耦合至感測設(shè)備508的第一輸入端以向感測設(shè)備508提供參考電壓(Vref)。存儲器元件504可被耦合至感測設(shè)備508的第二輸入端以向感測設(shè)備508提供輸出電壓(Vdout)。
[0072]如關(guān)于圖1-4所描述的，調(diào)諧電路510可以調(diào)整可調(diào)諧參考電路502的參考電阻。例如，調(diào)諧電路510可以調(diào)整可調(diào)諧參考電路502的參考電阻以增加或降低該參考電阻。參考電壓(Vref)可對應(yīng)于參考電阻調(diào)整地來調(diào)整。在特定實(shí)施例中，可調(diào)諧參考電路502可對應(yīng)于圖1的可調(diào)諧參考電路100、圖2的可調(diào)諧參考電路200、圖3的可調(diào)諧參考電路300以及圖4的可調(diào)諧參考電路400中的任一者。
[0073]存儲器元件504可被配置成提供與數(shù)字值相對應(yīng)的輸出電壓(Vdout)。例如，存儲器元件504可被編程為具有與第一數(shù)字值相對應(yīng)的第一電阻(例如，低電阻(Ra))。替換地，存儲器元件504可被編程為具有與第二數(shù)字值相對應(yīng)的第二電阻(例如，高電阻(Rap))。存儲器元件504可被配置成在讀操作期間提供輸出電壓(Vdout)。在特定實(shí)施例中，存儲器元件504可以是MTJ存儲器元件。
[0074]感測設(shè)備508可被配置成確定與存儲器元件504的輸出電壓(Vdout)相對應(yīng)的數(shù)字值。感測設(shè)備508可基于參考電壓(Vref)來確定輸出電壓(Vdout)對應(yīng)于第一數(shù)字值還是第二數(shù)字值。
[0075]在特定實(shí)施例中，調(diào)諧電路510或另一電路(未示出)可被配置成將存儲器元件504編程為具有與第一數(shù)字值相對應(yīng)的第一電阻。調(diào)諧電路510或另一電路(未示出)可被配置成接收感測設(shè)備508的輸出信號(rdata)以確定(感測)該輸出信號(rdata)是否對應(yīng)于第一數(shù)字值。如果輸出信號(rdata)并不對應(yīng)于第一數(shù)字值，則調(diào)諧電路510可以調(diào)整可調(diào)諧參考電路502的參考電阻以相應(yīng)地調(diào)整參考電壓(Vref)。調(diào)諧電路510可以重復(fù)地調(diào)整可調(diào)諧參考電路502的參考電阻直至輸出信號(rdata)對應(yīng)于第一數(shù)字值?？烧{(diào)諧參考電路502的調(diào)諧還可以基于第二數(shù)字值來執(zhí)行以找到實(shí)現(xiàn)可靠確定(感測)第一數(shù)字值和第二數(shù)字值兩者的可調(diào)諧參考電路502的參考電阻。
[0076]在操作期間，調(diào)諧電路510可以調(diào)諧可調(diào)諧參考電路502以調(diào)整可調(diào)諧參考電路502的參考電阻。在調(diào)諧可調(diào)諧參考電路502后，可以在存儲器元件504上執(zhí)行讀操作。在讀操作期間，感測設(shè)備508可以確定輸出電壓(Vdata)對應(yīng)于第一數(shù)字值還是第二數(shù)字值。
[0077]通過調(diào)諧可調(diào)諧參考電路502以調(diào)整可調(diào)諧參考電路502的參考電阻，參考電壓(Vref)被相應(yīng)地調(diào)整。參考電壓(Vref)的調(diào)整可以改善被確定(感測)為對應(yīng)于存儲器元件的輸出電壓(Vdata)的數(shù)字值的可靠性。另外，作為通過調(diào)整可調(diào)諧參考電路502的參考電阻來補(bǔ)償工藝變化和制造缺陷的結(jié)果，包括存儲器元件504的存儲器設(shè)備的制造成品率可提聞。
[0078]盡管圖5解說了耦合至感測設(shè)備508的第二輸入端的一個(gè)存儲器元件504，但系統(tǒng)500可包括可選擇性地被耦合至感測設(shè)備508的第二輸入端的一個(gè)以上存儲器元件。
[0079]參照圖6，解說了調(diào)諧可調(diào)諧參考電路的方法的特定解說性實(shí)施例。方法600包括在602處選擇被并聯(lián)地系結(jié)在一起的多個(gè)參考對中的第一參考對的路徑。例如，圖1的第一參考對102和第二參考對104被并聯(lián)地系結(jié)在一起。圖1的第一參考對102的第一路徑106可被選擇。類似地，圖2的第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254可被并聯(lián)地系結(jié)在一起。圖2的第一參考對250的第一路徑260可通過斷言圖2的第一控制信號(CNTLll)被選擇。每一參考對可包括包含第一磁性隧道結(jié)(MTJ)元件的第一路徑以及包含第二 MTJ元件的第二路徑。例如，圖1的第一參考對102包括包含第一 MTJ元件110的第一路徑106。圖1的第一參考對102還包括包含第二 MTJ元件112的第二路徑108。圖1的第二參考對104包括包含第一 MTJ元件118的第一路徑114。圖1的第二參考對104還包括包含第二 MTJ元件120的第二路徑116。類似地，圖2的第一參考對250、第二參考對252、和第η參考對254中的每一者包括包含相應(yīng)MTJ元件的第一路徑和第二路徑。
[0080]方法600進(jìn)一步包括在604處將電流施加于選定路徑以設(shè)置第一參考對的選定路徑中的MTJ元件的MTJ電阻。例如，該電流可被施加于圖1的第一參考對102的第一路徑106。類似地，該電流可被施加于圖2的第一參考對250的第一路徑260。可調(diào)諧參考電路的參考電阻可基于多個(gè)參考對中的每一參考對的電阻。例如，圖1的可調(diào)諧參考電路100的參考電阻可以基于第一參考對102和第二參考對104中的每一者的電阻。類似地，圖2的可調(diào)諧參考電路200的參考電阻可以基于第一參考對250、第二參考對252和第η參考對254中的每一者的電阻。這多個(gè)參考對可包括第一數(shù)量的處于第一狀態(tài)的MTJ元件以及第二數(shù)量的處于第二狀態(tài)的MTJ元件。第一數(shù)量和第二數(shù)量可以是不同的。例如，圖1中處于第一狀態(tài)(例如，平行狀態(tài))的MTJ元件110、112、118、120的數(shù)量可以與處于第二狀態(tài)(例如，反平行狀態(tài))的MTJ元件110、112、118、120的數(shù)量不同。
[0081]圖6的方法600可通過專用集成電路(ASIC)、現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)器件、處理單元(諸如中央處理單元(CPU))、數(shù)字信號處理器(DSP)、控制器、另一硬件設(shè)備、固件設(shè)備、或其任何組合來實(shí)現(xiàn)。作為示例，圖6的方法可由執(zhí)行指令的處理器來執(zhí)行或響應(yīng)于來自執(zhí)行指令的處理器的信號或命令來執(zhí)行，如關(guān)于圖7所描述的。
[0082]參照圖7，描繪了無線通信設(shè)備的特定解說性實(shí)施例的框圖并將其一般地標(biāo)示為700。無線通信設(shè)備700包括耦合至存儲器732的處理器單元710，諸如數(shù)字信號處理器(DSP)。無線通信設(shè)備700可包括具有可調(diào)諧參考電路的存儲器764。在解說性實(shí)施例中，具有可調(diào)諧參考電路的存儲器764可對應(yīng)于圖1的電路100、圖2的電路200、圖3的電路300、圖4的電路400、和圖5的可調(diào)諧參考電路502，或者可根據(jù)圖6的方法來操作，或其任何組合。
[0083]存儲器732可以是存儲計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令746的非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，該計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令746可由處理器單元710 (例如，計(jì)算機(jī))執(zhí)行以使處理器單元710選擇并聯(lián)地系結(jié)在一起的多個(gè)參考對中的弟一參考對的路徑。例如，調(diào)諧指令746可包括選擇在具有可調(diào)諧參考電路的存儲器764內(nèi)部并且被并聯(lián)地系結(jié)在一起的多個(gè)參考對中的第一參考對的路徑的指令。每一參考對可包括包含第一磁性隧道結(jié)(MTJ)元件的第一路徑以及包含第二 MTJ元件的第二路徑。另外，計(jì)算機(jī)可執(zhí)行指令746可包括可由處理器單元710執(zhí)行以使處理器單元710將電流施加于選定路徑以設(shè)置第一參考對的選定路徑中的MTJ元件的MTJ電阻的指令。例如，調(diào)諧指令746可包括將電流施加于選定路徑以設(shè)置在具有可調(diào)諧參考電路的存儲器764內(nèi)部的第一參考對的選定路徑中的MTJ元件的MTJ電阻的指令。該可調(diào)諧參考電路的參考電阻基于多個(gè)參考對中的每一參考對的電阻。這多個(gè)參考對包括第一數(shù)量的處于第一狀態(tài)的MTJ元件以及第二數(shù)量的處于第二狀態(tài)的MTJ元件。第一數(shù)量和第二數(shù)量可以是不同的。
[0084]圖7還示出了被耦合至處理器單元710和顯示器728的顯示器控制器726。編碼器/解碼器(CODEC) 734也可被耦合至處理器單元710。揚(yáng)聲器736和話筒738可被耦合至CODEC 734。
[0085]圖7指示了無線控制器740可被耦合至處理器單元710以及無線天線742。在特定實(shí)施例中，處理器單元710、具有可調(diào)諧參考電路的存儲器764、顯示器控制器726、存儲器732、CODEC 734、以及無線控制器740被包括在系統(tǒng)級封裝或片上系統(tǒng)設(shè)備722中。在特定實(shí)施例中，輸入設(shè)備730和電源744被耦合至片上系統(tǒng)設(shè)備722。此外，在特定實(shí)施例中，如圖7中所解說的，顯示器728、輸入設(shè)備730、揚(yáng)聲器736、話筒738、無線天線742和電源744在片上系統(tǒng)設(shè)備722的外部。然而，顯示器728、輸入設(shè)備730、揚(yáng)聲器736、話筒738、無線天線742和電源744中的每一者可被耦合至片上系統(tǒng)設(shè)備722的組件，諸如接口或控制器。
[0086]在特定實(shí)施例中，調(diào)諧電路768可被耦合至處理器單元710。調(diào)諧電路768和處理器單元710可以操作以調(diào)整具有可調(diào)諧參考電路的存儲器764內(nèi)部的可調(diào)諧參考電路的參考電阻。在特定實(shí)施例中，調(diào)諧電路768可與調(diào)諧指令746結(jié)合使用。替換地，調(diào)諧電路768可獨(dú)立于調(diào)諧指令746操作或者與不包括調(diào)諧指令的存儲器聯(lián)合操作。
[0087]盡管圖7解說了無線設(shè)備700的特定實(shí)施例，但一個(gè)或多個(gè)存儲器(例如，具有可調(diào)諧參考電路的存儲器764)可被集成在其它電子設(shè)備中，包括機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航設(shè)備、通信設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、固定位置的數(shù)據(jù)單元、以及計(jì)算機(jī)。
[0088]結(jié)合所描述的實(shí)施例，公開了一種系統(tǒng)，該系統(tǒng)可包括用于選擇被并聯(lián)地系結(jié)在一起的多個(gè)參考對中的第一參考對的路徑的裝置，每個(gè)參考對包括包含第一磁性隧道結(jié)(MTJ)元件的第一路徑和包含第二MTJ元件的第二路徑。例如，用于選擇路徑的裝置可包括圖 2 的晶體管 230、232、242、244、246 和 248、圖 3 的晶體管 230、232、242、244、246、248、308和310、圖4的晶體管230、232、242、244、246和248、配置成選擇路徑的一個(gè)或多個(gè)其他設(shè)備或電路、或其任何組合。該系統(tǒng)還可包括用于將電流施加于選定路徑以設(shè)置第一參考對的選定路徑中的MTJ元件的MTJ電阻的裝置，其中可調(diào)諧參考電路的參考電阻基于這多個(gè)參考對中的每個(gè)參考對的電阻，其中這多個(gè)參考對包括第一數(shù)量的處于第一狀態(tài)的MTJ元件和第二數(shù)量的處于第二狀態(tài)的MTJ元件，并且其中第一數(shù)量和第二數(shù)量是不同的。用于將電流施加于選定路徑的裝置可包括圖2的參考位線266、圖2的參考源線264、圖3的參考位線266、圖4的參考源線264、圖4的參考位線266、圖4的參考源線264、被配置成將電流施加于選定路徑的一個(gè)或多個(gè)其它設(shè)備或電路，或其任何組合。
[0089]上文公開的設(shè)備和功能性可被設(shè)計(jì)和配置在存儲于計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的計(jì)算機(jī)文件(例如，RTL、⑶SI1、GERBER等)中。一些或全部此類文件可被提供給基于此類文件來制造器件的制造處理人員。生產(chǎn)的產(chǎn)品包括半導(dǎo)體晶片，其隨后被切割為半導(dǎo)體管芯并被封裝成半導(dǎo)體芯片。這些芯片隨后用在上文描述的設(shè)備中。圖8描述了電子設(shè)備制造過程800的特定說明性實(shí)施例。
[0090]物理器件信息802在制造過程800處(諸如在研究計(jì)算機(jī)806處)被接收。物理器件信息802可以包括表現(xiàn)半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)物理屬性的設(shè)計(jì)信息，這些半導(dǎo)體器件諸如包括圖1的電路100、圖2的電路200、圖3的電路300、圖4的電路400、圖5的系統(tǒng)、或其任何組合的半導(dǎo)體器件。例如，物理器件信息802可包括經(jīng)由連接至研究計(jì)算機(jī)806的用戶接口 804輸入的物理參數(shù)、材料特性、以及結(jié)構(gòu)信息。研究計(jì)算機(jī)806包括耦合至計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)(諸如存儲器810)的處理器808，諸如一個(gè)或多個(gè)處理核。存儲器810可存儲計(jì)算機(jī)可讀指令，其可被執(zhí)行以使處理器808將物理器件信息802轉(zhuǎn)換成遵循文件格式并生成庫文件812。
[0091]在一個(gè)特定實(shí)施例中，庫文件812包括至少一個(gè)包括經(jīng)轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)信息的數(shù)據(jù)文件。例如，庫文件812可以包括被提供以與電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具820聯(lián)用的包含一器件的半導(dǎo)體器件的庫，該器件包括圖1的電路100、圖2的電路200、圖3的電路300、圖4的電路400和圖5的系統(tǒng)、或其任何組合。
[0092]庫文件812可在設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814處與EDA工具820聯(lián)用，設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814包括連接到存儲器818的處理器816，諸如一個(gè)或多個(gè)處理核。EDA工具820可以在存儲器818上以處理器可執(zhí)行指令的形式存儲，以使得設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814的用戶能設(shè)計(jì)庫文件812中的包括圖1的電路100、圖2的電路200、圖3的電路300、圖4的電路400和圖5的系統(tǒng)、或其任何組合的電路。例如，設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814的用戶可經(jīng)由連接到設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814的用戶接口824來輸入電路設(shè)計(jì)信息822。電路設(shè)計(jì)信息822可以包括表示半導(dǎo)體器件的至少一個(gè)物理屬性的設(shè)計(jì)信息，這些半導(dǎo)體器件諸如包括圖1的電路100、圖2的電路200、圖3的電路300、圖4的電路400、圖5的系統(tǒng)、或其任何組合的器件。為了說明，電路設(shè)計(jì)性質(zhì)可包括特定電路的標(biāo)識以及與電路設(shè)計(jì)中其他元件的關(guān)系、定位信息、特征尺寸信息、互連信息、或表示半導(dǎo)體器件的物理性質(zhì)的其他信息。
[0093]設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814可被配置成轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)信息，包括電路設(shè)計(jì)信息822，以遵循文件格式。為了說明，該文件格式化可包括以分層格式表示關(guān)于電路布局的平面幾何形狀、文本標(biāo)記、及其他信息的數(shù)據(jù)庫二進(jìn)制文件格式，諸如圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)(GDSII)文件格式。除了其他電路或者信息之外，設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814可被配置成生成包括經(jīng)轉(zhuǎn)換的設(shè)計(jì)信息的數(shù)據(jù)文件，諸如包括描述圖1的電路100、圖2的電路200、圖3的電路300、圖4的電路400以及圖5的系統(tǒng)或其任何組合的信息的GDSII文件826。為了解說，數(shù)據(jù)文件可以包括與包括圖1的電路100、圖2的電路200、圖3的電路300、圖4的電路400和圖5的系統(tǒng)、或其任何組合的并且還包括片上系統(tǒng)(SOC)內(nèi)的附加電子電路和組件的SOC相對應(yīng)的信息。
[0094]⑶SII文件826可在制造過程828處被接收以根據(jù)⑶SII文件826中的已轉(zhuǎn)換信息來制造圖1的電路100、圖2的電路200、圖3的電路300、圖4的電路400以及圖5的系統(tǒng)或其任何組合。例如，設(shè)備制造過程可包括將GDSII文件826提供給掩模制造商830以創(chuàng)建一個(gè)或多個(gè)掩模，諸如用于與光刻工藝聯(lián)用的掩模，其被表述為代表性掩模832。掩模832可在制造過程期間被用于生成一個(gè)或多個(gè)晶片834，晶片834可被測試并被分成管芯，諸如代表性管芯836。管芯836包括包含圖1的電路100、圖2的電路200、圖3的電路300、圖4的電路400、圖5的系統(tǒng)、或其任何組合的電路。
[0095]管芯836可被提供給封裝過程838，其中管芯836被納入到代表性封裝840中。例如，封裝840可包括單個(gè)管芯836或多個(gè)管芯，諸如系統(tǒng)級封裝(SiP)安排。封裝840可被配置成遵循一個(gè)或多個(gè)標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)范，諸如電子器件工程聯(lián)合委員會(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)。
[0096]關(guān)于封裝840的信息可諸如經(jīng)由存儲在計(jì)算機(jī)846處的組件庫被分發(fā)給各產(chǎn)品設(shè)計(jì)者。計(jì)算機(jī)846可包括耦合到存儲器850的處理器848，諸如一個(gè)或多個(gè)處理核。印刷電路板(PCB)工具可作為處理器可執(zhí)行指令被存儲在存儲器850處以處理經(jīng)由用戶接口 844從計(jì)算機(jī)846的用戶接收的PCB設(shè)計(jì)信息842。PCB設(shè)計(jì)信息842可以包括封裝的半導(dǎo)體器件在印刷電路板上的物理定位信息，該封裝的半導(dǎo)體器件對應(yīng)于包括圖1的電路100、圖2的電路200、圖3的電路300、圖4的電路400、圖5的系統(tǒng)、或其任何組合的封裝840。
[0097]計(jì)算機(jī)846可被配置成轉(zhuǎn)換PCB設(shè)計(jì)信息842以生成數(shù)據(jù)文件，諸如具有包括封裝的半導(dǎo)體器件在電路板上的物理定位信息以及電連接的布局(諸如跡線和通孔)的數(shù)據(jù)的GERBER文件852，其中封裝的半導(dǎo)體裝置對應(yīng)于封裝840，封裝840包括圖1的電路100、圖2的電路200、圖3的電路300、圖4的電路400以及圖5的系統(tǒng)或其任何組合。在其他實(shí)施例中，由經(jīng)轉(zhuǎn)換的PCB設(shè)計(jì)信息生成的數(shù)據(jù)文件可具有GERBER格式以外的格式。
[0098]GERBER文件852可在板組裝過程854處被接收并且被用于創(chuàng)建PCB，諸如根據(jù)GERBER文件852內(nèi)存儲的設(shè)計(jì)信息來制造的代表性PCB 856。例如，GERBER文件852可被上傳到一個(gè)或多個(gè)機(jī)器以執(zhí)行PCB生產(chǎn)過程的各個(gè)步驟。PCB 856可填充有電子組件(包括封裝840)以形成代表性印刷電路組裝件(PCA) 858。
[0099]PCA 858可在產(chǎn)品制造過程860處被接收，并被集成到一個(gè)或多個(gè)電子設(shè)備中，諸如第一代表性電子設(shè)備862和第二代表性電子設(shè)備864。作為解說性而非限定性示例，第一代表性電子設(shè)備862、第二代表性電子設(shè)備864，或者二者可以從包括以下各項(xiàng)的組中選擇:機(jī)頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信設(shè)備、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、固定位置的數(shù)據(jù)單元以及計(jì)算機(jī)，這些設(shè)備中集成了圖1的電路100、圖2的電路200、圖3的電路300、圖4的電路400以及圖5的系統(tǒng)或其任何組合。作為另一解說性而非限制性示例，電子設(shè)備862和864中的一者或多者可以是遠(yuǎn)程單元(諸如移動(dòng)電話、手持式個(gè)人通信系統(tǒng)(PCS)單元)、便攜式數(shù)據(jù)單元(諸如個(gè)人數(shù)據(jù)助理、啟用全球定位系統(tǒng)(GPS)的設(shè)備、導(dǎo)航設(shè)備)、位置固定的數(shù)據(jù)單元(諸如儀表讀數(shù)裝備)、或存儲或檢索數(shù)據(jù)或計(jì)算機(jī)指令的任何其他設(shè)備、或其任何組合。盡管圖8解說了根據(jù)本公開的教義的遠(yuǎn)程單元，但本公開并不限于這些解說的單元。本公開的實(shí)施例可合適地用在包括包含存儲器和片上電路系統(tǒng)的有源集成電路系統(tǒng)的任何設(shè)備中。
[0100]如解說性過程800所描述的，包括圖1的電路100、圖2的電路200、圖3的電路300、圖4的電路400以及圖5的系統(tǒng)或其任何組合的器件可以被制造、處理以及集成在電子設(shè)備中。關(guān)于圖1-7所公開的實(shí)施例的一個(gè)或多個(gè)方面可被包括在各個(gè)處理階段，諸如被包括在庫文件812、⑶SII文件826、以及GERBER文件852內(nèi)，以及被存儲在研究計(jì)算機(jī)806的存儲器810、設(shè)計(jì)計(jì)算機(jī)814的存儲器818、計(jì)算機(jī)846的存儲器850、在各個(gè)階段，諸如在板組裝過程854處使用的一個(gè)或多個(gè)其他計(jì)算機(jī)或處理器(未示出)的存儲器處，并且還被納入到一個(gè)或多個(gè)其他物理實(shí)施例中，諸如掩模832、管芯836、封裝840、PCA 858、其他產(chǎn)品(諸如原型電路或設(shè)備(未示出))中、或其任何組合。盡管描述了從物理器件設(shè)計(jì)到最終產(chǎn)品的各個(gè)代表性生產(chǎn)階段，然而在其他實(shí)施例中可使用較少的階段或可包括附加階段。類似地，過程800可由單個(gè)實(shí)體或由執(zhí)行過程800的各個(gè)階段的一個(gè)或多個(gè)實(shí)體來執(zhí)行。
[0101]本領(lǐng)域技術(shù)人員將進(jìn)一步領(lǐng)會，結(jié)合本文所公開的實(shí)施例來描述的各種解說性邏輯框、配置、模塊、電路、和算法步驟可實(shí)現(xiàn)為電子硬件、由處理器執(zhí)行的計(jì)算機(jī)軟件、或這兩者的組合。各種解說性組件、框、配置、模塊、電路、和步驟已經(jīng)在上文以其功能性的形式作了一般化描述。此類功能性是被實(shí)現(xiàn)為硬件還是處理器可執(zhí)行指令取決于具體應(yīng)用和加諸于整體系統(tǒng)的設(shè)計(jì)約束。技術(shù)人員可針對每一具體應(yīng)用以不同方式來實(shí)現(xiàn)所描述的功能，但此類實(shí)現(xiàn)決策不應(yīng)被解讀為致使脫離本公開的范圍。
[0102]結(jié)合本文所公開的實(shí)施例描述的方法或算法的各個(gè)步驟可直接用硬件、由處理器執(zhí)行的軟件模塊或兩者的組合來實(shí)現(xiàn)。軟件模塊可駐留在隨機(jī)存取存儲器(RAM)、閃存、只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦式可編程ROM (EEPROM)、寄存器、硬盤、可移動(dòng)盤、壓縮盤只讀存儲器(⑶-ROM)、或本領(lǐng)域中所知的任何其他形式的非瞬態(tài)存儲介質(zhì)中。示例性的存儲介質(zhì)被耦合到處理器以使得該處理器能從/向該存儲介質(zhì)讀和寫信息。替換地，存儲介質(zhì)可以被整合到處理器。處理器和存儲介質(zhì)可駐留在專用集成電路(ASIC)中。ASIC可駐留在計(jì)算設(shè)備或用戶終端中。在替換方案中，處理器和存儲介質(zhì)可作為分立組件駐留在計(jì)算設(shè)備或用戶終端中。
[0103]提供前面對所公開的實(shí)施例的描述是為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員皆能制作或使用所公開的實(shí)施例。對這些實(shí)施例的各種修改對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的，并且本文中定義的原理可被應(yīng)用于其他實(shí)施例而不會脫離本公開的范圍。因此，本公開并非旨在被限定于本文中示出的實(shí)施例，而是應(yīng)被授予與如由所附權(quán)利要求定義的原理和新穎性特征一致的最廣的可能范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種調(diào)諧可調(diào)諧參考電路的方法，所述方法包括: 選擇(602)被并聯(lián)地系結(jié)在一起的多個(gè)參考對(102、104、250、252、254)中的第一參考對的路徑，所述參考對中的每一參考對包括包含第一磁性隧道結(jié)(MTJ)元件(110、118、218、234、238)的第一路徑(106、114、260、270、274)和包含第二 MTJ 元件(112、120、220、236,240)的第二路徑(108、116、262、272、276);以及 將電流施加于(604)選定路徑以設(shè)置所述第一參考對的所述選定路徑中的MTJ元件的MTJ電阻，其中所述可調(diào)諧參考電路的參考電阻基于所述多個(gè)參考對(102、104、250、252、254)中的每一參考對的電阻，其中所述多個(gè)參考對(102、104、250、252、254)包括第一數(shù)量的處于第一狀態(tài)的MTJ元件和第二數(shù)量的處于第二狀態(tài)的MTJ元件，并且其中所述第一數(shù)量和所述第二數(shù)量是不同的。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括將存儲器元件的輸出電壓與所述可調(diào)諧參考電路的參考電壓進(jìn)行比較以確定與所述存儲器元件的所述輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值，其中所述可調(diào)諧參考電路的所述參考電壓基于所述可調(diào)諧參考電路的所述參考電阻。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述可調(diào)諧參考電路的所述參考電阻是所述多個(gè)參考對中的每一參考對的電阻的平均，并且其中所述第一狀態(tài)對應(yīng)于平行狀態(tài)而所述第二狀態(tài)對應(yīng)于反平行狀態(tài)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一參考對的所述選定路徑中的所述MTJ元件的第一電阻對應(yīng)于所述MTJ元件的所述第一狀態(tài)，其中所述第一參考對的所述選定路徑中的所述MTJ元件的第二電阻對應(yīng)于所述MTJ元件的所述第二狀態(tài)，并且其中所述第二電阻大于所述第一電阻。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述多個(gè)參考對中的所述第一參考對的所述選定路徑是基于關(guān)于每一參考對中的所述第一 MTJ元件和所述第二 MTJ元件的空間位置的信息并基于每一參考對中的所述第一 MTJ元件和所述第二 MTJ元件的電阻變化來選擇的。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，進(jìn)一步包括斷言至少一個(gè)控制信號以使足夠的電流能流經(jīng)所述第一參考對的所述選定路徑中的所述MTJ元件。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一路徑包括第一晶體管，其中所述第二路徑包括第二晶體管，其中第一控制信號被提供給所述第一晶體管的柵極端，并且其中第二控制信號被提供給所述第二晶體管的柵極端。
8.—種設(shè)備,包括: 用于選擇被并聯(lián)地系結(jié)在一起的多個(gè)參考對(102、104、250、252、254)中的第一參考對的路徑的裝置(CTL11、CTL12、CTL21、CTL22、CTLnU CTLn2)，所述參考對中的每一參考對包括包含第一磁性隧道結(jié)(MTJ)元件(110、118、218、234、238)的第一路徑(106、114、260、270,274)和包含第二 MTJ 元件(112、120、220、236、240)的第二路徑(108、116、262、272、276);以及 用于將電流施加于選定路徑以設(shè)置所述第一參考對的所述選定路徑中的MTJ元件的電阻的裝置(122、264、266)，其中所述設(shè)備的參考電阻基于所述多個(gè)參考對(102、104、250、252、254)中的每一參考對的電阻，其中所述多個(gè)參考對(102、104、250、252、254)包括第一數(shù)量的處于第一狀態(tài)的MTJ元件和第二數(shù)量的處于第二狀態(tài)的MTJ元件，并且其中所述第一數(shù)量和所述第二數(shù)量是不同的。
9.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，存儲器元件的輸出電壓與對應(yīng)于所述設(shè)備的參考電阻的參考電壓進(jìn)行比較以確定與所述存儲器元件的所述輸出電壓相對應(yīng)的數(shù)字值。
10.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，進(jìn)一步包括與所述多個(gè)參考對并聯(lián)地系結(jié)的備用參考對，所述備用參考對包括第一備用MTJ兀件和第二備用MTJ兀件,其中所述設(shè)備的所述參考電阻能夠通過調(diào)整所述第一備用MTJ元件的電阻來調(diào)整。
11.如權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其特征在于，所述備用參考對被包括在參考對陣列中，所述參考對陣列包括所述第一參考對和所述第二參考對。
12.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，所述用于選擇的裝置包括所述第一參考對的所述路徑中的晶體管，所述晶體管具有接收控制信號的柵極端，并且其中所述用于施加電流的裝置包括被耦合至所述多個(gè)參考對中的每一參考對的參考源線。
13.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，所述設(shè)備的所述參考電阻在對所述設(shè)備執(zhí)行測試以確定所述設(shè)備的初始電阻之后被調(diào)整。
14.如權(quán)利要求8所述的設(shè)備，其特征在于，所述用于選擇所述多個(gè)參考對中的所述第一參考對的所述路徑的裝置和所述用于將所述電流施加于選定路徑的裝置包括存儲能夠由計(jì)算機(jī)執(zhí)行的指令的非瞬態(tài)計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)，所述指令包括: 能夠由所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行以選擇所述多個(gè)參考對中的所述第一參考對的所述路徑的指令；以及 能夠由所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行以將所述電流施加于選定路徑的指令。
15.如權(quán)利要求14所述的設(shè)備，其特征在于，所述指令進(jìn)一步包括能夠由所述計(jì)算機(jī)執(zhí)行以將存儲器元件的電阻與所述設(shè)備的所述參考電阻進(jìn)行比較以確定所述存儲器元件的狀態(tài)的指令。
【文檔編號】G11C11/16GK104272391SQ201380023029
【公開日】2015年1月7日 申請日期:2013年5月6日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月4日
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