一種對rram存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，包括：判斷RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)，然后在一定電壓下根據(jù)RRAM器件所處狀態(tài)產(chǎn)生脈沖寬度Ll=L的擦除脈沖或脈沖寬度H1=H的編程脈沖對RRAM器件進(jìn)行擦除或編程操作，在擦除或編程操作后再次判斷RRAM所處狀態(tài)，直至RRAM器件所處狀態(tài)發(fā)生改變，否則產(chǎn)生脈沖寬度Ln=L+(n-1)ΔL的擦除脈沖或脈沖寬度Hn=H+(n-1)ΔH的編程脈沖對RRAM器件進(jìn)行擦除或編程操作，n為自然數(shù)，記錄最后使RRAM器件狀態(tài)發(fā)生改變的脈沖寬度Ln或Hn，即得到擦除速度或編程速度。
【專利說明】CN 103531248 A
書
明
說
i/ll 頁
一種對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器測試領(lǐng)域，尤其涉及一種對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行 測試的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]阻變存儲器，即在兩個電阻態(tài)之間可以相互轉(zhuǎn)換的存儲器，是下一代非揮發(fā)性存 儲器中具有潛在應(yīng)用的前景的存儲器。然而，在實(shí)際應(yīng)用中所面臨的最重要的挑戰(zhàn)之一就 是其轉(zhuǎn)變參數(shù)的漲落。很好地控制這些參數(shù)的變化能夠降低阻變器件的波動性，提高器件 可靠性。其中針對RRAM存儲器件的存取過程，都是以脈沖的形式進(jìn)行讀寫的，脈沖操作是 存儲器在應(yīng)用中的實(shí)際操作方法。存儲器脈沖參數(shù)主要包括存儲器狀態(tài)(高阻態(tài)或低阻 態(tài))、編程速度和擦除速度等。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中對RRAM存儲器脈沖參數(shù)的測試方法如圖3所示，主要包括以下步驟: 首先用脈沖源發(fā)送一個足夠長的編程或擦除脈沖，然后示波器捕:示波器第一通道測試 RRAM上的脈沖，示波器第二通道測試RRAM與定值電阻串聯(lián)支路的脈沖。測試的過程中編程 或擦除速度是離散分布的，脈沖寬度過長，會造成器件損壞。用示波器手動捕獲，誤差較大 且效率極低，測試統(tǒng)計(jì)過程需要大量的時間和人力。
[0004]基于上述現(xiàn)有技術(shù)中對RRAM存儲器脈沖參數(shù)的測試方法，可以看出傳統(tǒng)的測試 方法急需改進(jìn)。
[0005]目前在實(shí)驗(yàn)室中對這類新型器件的特性進(jìn)行分析過程中，由于專用的半導(dǎo)體參數(shù) 分析儀僅提供單獨(dú)的編程和擦除操作，并且只能人為切換開關(guān)矩陣，讀取RRAM器件的阻 值，判斷當(dāng)前器件的狀態(tài)，無法進(jìn)行對器件的自動化測試。即使有些設(shè)備具有一定的自動化 測試功能，由于其在編程和擦除條件的限制，無法一次性完成編程或擦除測試，也不能自動 提取編程或擦除轉(zhuǎn)變時間參數(shù)。這里RRAM器件的結(jié)構(gòu)如圖1所示，由上電極、下電極、阻變 功能層構(gòu)成。圖2是RRAM器件在直流掃描情況下編程和擦除的變化曲線。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006](一 )要解決的技術(shù)問題
[0007]為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，以 方便快速自動的獲取存儲器件恒定電壓幅度的編程速度、擦除速度參數(shù)，以及得到編程速 度、擦除速度隨電壓幅度變化規(guī)律。
[0008]( 二 )技術(shù)方案
[0009]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，該 方法包括:判斷RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)，然后在一定電壓下根據(jù)RRAM器件所處狀態(tài)產(chǎn)生 脈沖寬度L1=L的擦除脈沖或脈沖寬度H1=H的編程脈沖對RRAM器件進(jìn)行擦除或編程操作， 在擦除或編程操作后再次判斷RRAM所處狀態(tài)，直至RRAM器件所處狀態(tài)發(fā)生改變，否則產(chǎn)生 脈沖寬度Ln=L+ (n-1) A L的擦除脈沖或脈沖寬度Hn=H+ (n_l) A H的編程脈沖對RRAM器件進(jìn)行擦除或編程操作，n為自然數(shù)，記錄最后使RRAM器件狀態(tài)發(fā)生改變的脈沖寬度Ln或Hn，即得到擦除速度或編程速度。
[0010]上述方案中，所述判斷RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)，包括:對RRAM器件加載一個小電壓，讀出通過RRAM器件的電流，根據(jù)讀出的電流即可判斷RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)是高阻態(tài)還是低阻態(tài)。
[0011]上述方案中，如果RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)是高阻態(tài)，則在一定電壓下，脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度L1=L的擦除脈沖并加載至RRAM器件，然后判斷RRAM器件的狀態(tài)，如果 RRAM器件處于高阻態(tài)，則脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度L2=L+ A L的擦除脈沖并加載至RRAM 器件，再次判斷RRAM器件的狀態(tài)，如果RRAM器件仍處于高阻態(tài)，則脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度L3=L+2 A L的擦除脈沖并加載至RRAM器件，直至RRAM器件變?yōu)榈妥钁B(tài)，記錄使RRAM器件變?yōu)榈妥钁B(tài)的脈沖寬度，該脈沖寬度即為擦除速度。該方法還同時記錄下全部脈沖寬度。
[0012]上述方案中，如果RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)是低阻態(tài)，則在一定電壓下，脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度H1 = H的編程脈沖并加載至RRAM器件，然后判斷RRAM器件的狀態(tài)，如果RRAM器件處于低阻態(tài)，則脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度H2 = H+A H的編程脈沖并加載至 RRAM器件，再次判斷RRAM器件的狀態(tài)，如果RRAM器件仍處于低阻態(tài)，則脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度H3 = H+2AH的編程脈沖并加載至RRAM器件，直至RRAM器件變?yōu)楦咦钁B(tài)，記錄使 RRAM器件變?yōu)楦咦钁B(tài)的脈沖寬度，該脈沖寬度即為編程速度。該方法還同時記錄下全部脈沖寬度。
[0013]上述方案中，該方法還包括:改變電壓的大小，重復(fù)執(zhí)行上述測試步驟，得到不同電壓下的擦除速度和編程速度。
[0014]上述方案中，該方法還包括:改變脈沖寬度增幅AL或AH的大小，重復(fù)執(zhí)行上述測試步驟，得到擦除速度或編程速度隨脈沖寬度增幅的變化規(guī)律。
[0015]上述方案中，所述改變脈沖寬度增幅AL或AH的大小，重復(fù)執(zhí)行上述測試步驟， 得到擦除速度或編程速度隨脈沖寬度增幅的變化規(guī)律，包括:步驟1:設(shè)定擦除脈沖寬度增幅A L或編程 脈沖寬度增幅△ H，并設(shè)置擦除脈沖寬度或編程脈沖寬度的初始值；步驟2: 從小到大的改變擦除脈沖寬度或編程脈沖寬度，得到在指定擦除脈沖寬度增幅△ L或編程脈沖寬度增幅AH下的擦除或編程時間；步驟3:改變擦除脈沖寬度增幅AL或編程脈沖寬度增幅AH的大小，重復(fù)順序執(zhí)行步驟I和步驟2，得到擦除速度或編程速度隨脈沖寬度增幅的變化規(guī)律。
[0016](三)有益效果
[0017]從上述技術(shù)方案可以看出，本發(fā)明具有以下有益效果:
[0018]1、本發(fā)明提供的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，用戶只需輸入設(shè)定 RRAM器件高低組態(tài)的分界阻值Rd及RRAM器件硬擊穿電阻Rf，程序可以自動地判斷RRAM 器 件當(dāng)前所處的狀態(tài)，然后針對RRAM器件所處狀態(tài)產(chǎn)生編程或擦除脈沖，并測試出該脈沖幅度下編程或擦除操作后RRAM所處的狀態(tài)，繼續(xù)產(chǎn)生編程或擦除脈沖。這種方法可以明顯提高測試效率。
[0019]2、本發(fā)明提供的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，用戶只需輸入待測器件編程或擦除速度測試所需的具體電壓、初始脈寬、脈寬變化幅值等條件，程序?qū)⒆詣拥赜?jì)算每次所施加的脈沖寬度，脈沖寬度會自動累計(jì)，一旦當(dāng)前操作電壓下不同脈沖的速度測試完畢時，自動編程或擦除到用戶設(shè)置的初始脈寬，自動計(jì)算當(dāng)前脈沖電壓幅度下，脈沖寬度參數(shù)，從而自動完成器件在每種操作電壓及脈沖寬度下的速度參數(shù)，所以本方法極大加快了待測器件在該電壓下編程擦除速度參數(shù)的提取。
[0020]3、本發(fā)明提供的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，用戶只需輸入不同電壓下需要測試的次數(shù)，初始脈寬，脈寬變化幅值等條件，程序?qū)⒆詣佑?jì)算總的測量次數(shù)以及每次所施加的編程或擦除脈沖的個數(shù)，以及每次所施加的脈沖寬度，脈沖寬度會自動累計(jì)，一旦當(dāng)前操作電壓下不同脈沖的速度測試完畢時，自動編程或擦除到初始態(tài)，自動計(jì)算當(dāng)前脈沖電壓幅度下，脈沖寬度參數(shù)，從而自動完成器件在每種操作電壓及脈沖寬度下的速度參數(shù)，所以本方法使得器件編程速度、擦除速度隨電壓幅度變化參數(shù)更加方便，快速高效。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1是RRAM器結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0022]圖2是RRAM器件在直流掃描情況下編程和擦除的變化曲線；
[0023]圖3是現(xiàn)有技術(shù)中對RRAM存儲器脈沖參數(shù)的測試方法；
[0024]圖4是本發(fā)明提供的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法流程圖；
[0025]圖5是依照本發(fā)明實(shí)施例的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法流程圖；
[0026]圖6是圖5中對RRAM器件在指定電壓增幅下編程操作的方法流程圖；
[0027]圖7是圖5中對RRAM器件在指定電壓增幅下擦除操作的方法流程圖；
[0028]圖8是對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的的另一個實(shí)例。
【具體實(shí)施方式】
[0029]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合具體實(shí)施例，并參照附圖，對本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。
[0030]如圖4所示，圖4是本發(fā)明提供的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法流程圖，該方法具體包括以下步驟:判斷RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)，然后在一定電壓下根據(jù)RRAM器件所處狀態(tài)產(chǎn)生脈沖寬度L1 = L的擦除脈沖或脈沖寬度H1=H的編程脈沖對RRAM器件進(jìn)行擦除或編程操作，在擦除或編程操作后再次判斷RRAM所處狀態(tài)，直至RRAM器件所處狀態(tài)發(fā)生改變，否則產(chǎn)生脈沖寬度Ln = L+(η-1) AL的擦除脈沖或脈沖寬度Hn=H+(η_1) ΔΗ的編程脈沖對RRAM器件進(jìn)行擦除或編程操作，η為自然數(shù)，記錄最后使RRAM器件狀態(tài)發(fā)生改變的脈沖寬度Ln或Ηη，即得到擦除速度或編程速度。
[0031]其中，所述判斷RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)，包括:對RRAM器件加載一個小電壓，讀出通過RRAM器件的電流，根據(jù)讀出的電流即可判斷RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)是高阻態(tài)還是低阻態(tài)。
[0032]如果RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)是高阻態(tài)，則在一定電壓下，脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度L1 = L的擦除脈沖并加載至RRAM器件，然后判斷RRAM器件的狀態(tài)，如果RRAM器件處于高阻態(tài)，則脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度L2 = L+ Λ L的擦除脈沖并加載至RRAM器件，再次判斷RRAM器件的狀態(tài)，如果RRAM器件仍處于高阻態(tài)，則脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度L3 =L+2 Δ L的擦除脈沖并加載至RRAM器件，直至RRAM器件變?yōu)榈妥钁B(tài)，記錄使RRAM器件變?yōu)榈妥钁B(tài)的脈沖寬度，該脈沖寬度即為擦除速度。該方法還同時記錄下全部脈沖寬度。
[0033]如果RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)是低阻態(tài)，則在一定電壓下，脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度H1 = H的編程脈沖并加載至RRAM器件，然后判斷RRAM器件的狀態(tài)，如果RRAM器件處于低阻態(tài)，則脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度H2=H+ A H的編程脈沖并加載至RRAM器件，再次判斷RRAM器件的狀態(tài)，如果RRAM器件仍處于低阻態(tài)，則脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度H3 = H+2 A H的編程脈沖并加載至RRAM器件，直至RRAM器件變?yōu)楦咦钁B(tài)，記錄使RRAM器件變?yōu)楦咦钁B(tài)的脈沖寬度，該脈沖寬度即為編程速度。該方法還同時記錄下全部脈沖寬度。
[0034]在本發(fā)明中，該方法還包括:改變電壓的大小，重復(fù)執(zhí)行上述測試步驟，得到不同電壓下的擦除速度和編程速度。
[0035]在本發(fā)明中，該方法還包括:改變脈沖寬度增幅AL或AH的大小，重復(fù)執(zhí)行上述測試步驟，得到擦除速度或編程速度隨脈沖寬度增幅的變化規(guī)律，包括:
[0036]步驟1:設(shè)定擦除脈沖寬度增幅△ L或編程脈沖寬度增幅△ H，并設(shè)置擦除脈沖寬度或編程脈沖寬度的初始值；
[0037]步驟2:從小到大的改變擦除脈沖寬度或編程脈沖寬度，得到在指定擦除脈沖寬度增幅AL或編程脈沖寬度增幅AH下的擦除或編程時間；
[0038]步驟3:改變擦除脈沖寬度增幅A L或編程脈沖寬度增幅A H的大小，重復(fù)順序執(zhí)行步驟I和步驟2，得到擦除速度或編程速度隨脈沖寬度增幅的變化規(guī)律。
[0039]如圖5所示，圖5是依照本發(fā)明實(shí)施例的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法流程圖，本發(fā)明實(shí)施例是基于半導(dǎo)體參數(shù)測試儀Keithley4200-SCS(S4200)及四個具有 1A/20W能力的大功率SMU,開關(guān)矩陣與脈沖發(fā)生器等多種外圍設(shè)備組成的測試系統(tǒng)。S4200 為控制平臺，SUM可以發(fā)送恒壓或掃描電壓，開關(guān)矩陣控制著不同的通道切換。S4200作為控制平臺，控制SUM發(fā)送不同的電壓，控制著開關(guān)矩陣的切換，以及脈沖發(fā)生器發(fā)送不同的脈沖。本發(fā)明實(shí)施例基于以上系統(tǒng)對一種對阻變存儲器(RRAM，Resistive Random Access Memory)脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，具體包括以下步驟:
[0040]針對RRAM器件判斷RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)，如圖5所示，針對RRAM所處狀態(tài)， 繼續(xù)產(chǎn)生編程或擦除脈沖的方法為:
[0041]a、首先進(jìn)行脈沖的初始化配置，切換至直流測試模式，S4200控制SUM發(fā)送一個小電壓，讀出電流，計(jì)算出RRAM器件的阻值R，該過程簡稱為直流模式讀電阻；
[0042]b、比較當(dāng)前RRAM器件阻值R是否大于Rf (Rf為RRAM器件硬擊穿電阻，用戶可以根據(jù)器件特性，改變大小)，若RRAM器件阻值R大于Rf，則執(zhí)行步驟c ;若RRAM器件阻值R 不大于Rf，則執(zhí)行步驟f;
[0043]c、S4200控制開關(guān)矩陣，切換至脈沖測試模式，比較RRAM器件阻值R是否大于 Rd (Rd為RRAM器件高低組態(tài)的分界阻值)，若RRAM器件阻值R大于Rd，則執(zhí)行步驟d ;若 RRAM器件阻值R不大于Rd，則執(zhí)行步驟e ；
[0044]d、產(chǎn)生編程脈沖，將用戶設(shè)置的脈寬pulseWidth_set記憶到PulseWidth中，切換至直流模式，讀取RRAM器件的阻值R，設(shè)置flag(flag為編程模式的判斷標(biāo)志)值為I ;設(shè)置flag_reset (flag_reset為擦除模式判斷標(biāo)志)的值為0 ;設(shè)置set_SUM(set_SUM為編程脈沖的累計(jì)脈寬)為PulseWidth_Set ;進(jìn)入編程模式；
[0045]e、產(chǎn)生擦除脈沖,將用戶設(shè)置的脈寬PulseWidth_reset記憶到pulseWidth中，切換開關(guān)矩陣，讀取RRAM器件的阻值R，設(shè)置flag (flag為編程模式的判斷標(biāo)志)值為O ;設(shè)置flag_reset (flag_reset為擦除模式判斷標(biāo)志)的值為I ;設(shè)置time_SUM(time_SUM為編程脈沖的累計(jì)脈寬)為PulseWidth_reset ;進(jìn)入擦除模式；
[0046]f、返回?cái)?shù)值-1，結(jié)束操作。
[0047]針對RRAM器件工作速度對電壓敏感的特點(diǎn)，該方法可以將器件編程脈沖或擦除脈沖設(shè)定到指定的值，改變電壓的大小，測試出電壓的大小對編程或擦除時間的影響規(guī)律，從而得到不同電壓下的編程速度、擦除速度；或者，將電壓設(shè)定到指定的值，改變編程脈沖或擦除脈沖的增幅，得到擦除速度或編程速度隨脈沖寬度增幅的變化規(guī)律。
[0048]其中，所述將電壓設(shè)定到指定的值，改變編程脈沖或擦除脈沖的增幅，得到擦除速度或編程速度隨脈沖寬度增幅的變化規(guī)律，具體包括:
[0049]步驟1:設(shè)定擦除脈沖寬度增幅或編程脈沖寬度增幅，并設(shè)置擦除脈沖寬度或編程脈沖寬度的初始值；
[0050]步驟2:從小到大的改變擦除脈沖寬度或編程脈沖寬度，得到在指定擦除脈沖寬度增幅或編程脈沖寬度增幅下的擦除或編程時間；
[0051]步驟3:改變擦除脈沖寬度增幅或編程脈沖寬度增幅的大小，重復(fù)順序執(zhí)行步驟I和步驟2，得到擦除速度或編程速度隨脈沖寬度增幅的變化規(guī)律。
[0052]圖5是針對RRAM器件判斷當(dāng)前狀態(tài)進(jìn)去編程或擦除模式的流程圖。首先用戶對RRAM參數(shù)進(jìn)行配置，然后對RRAM器件加載一個小電壓，讀出通過RRAM器件的電流，根據(jù)讀出的電流算出電阻R即可判斷RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)是高阻態(tài)還是低阻態(tài)，針對RRAM器件的當(dāng)前狀態(tài)，進(jìn)行編程或擦`除操作。若R小于擊穿電阻Rf，則結(jié)束操作。若產(chǎn)生編程脈沖，將用戶設(shè)置的脈寬pulseWidth_set記憶到pulseWidth中，讀取RRAM器件的阻值R，設(shè)置flag (flag為編程模式的判斷標(biāo)志)值為I ;設(shè)置flag_reset (flag_reset為擦除模式判斷標(biāo)志)的值為O ;設(shè)置set_SUM(set_SUM為編程脈沖的累計(jì)脈寬)為PulseWidth_set ；進(jìn)入編程模式；若產(chǎn)生擦除脈沖，將用戶設(shè)置的脈寬PulseWidth_reset記憶到PulseWidth中，切換開關(guān)矩陣，讀取RRAM器件的阻值R，設(shè)置flag (flag為編程模式的判斷標(biāo)志)值為O ;設(shè)置flag_reset (flag_reset為擦除模式判斷標(biāo)志)的值為I ;設(shè)置time_SUM(time_SUM為編程脈沖的累計(jì)脈寬)為PulSeWidth_reSet ;進(jìn)入擦除模式。流程圖中的參數(shù)名稱所對應(yīng)的含義如下表1:
[0053]
__ψΛ__
參數(shù)名稱__數(shù)據(jù)類噴__默認(rèn)值參數(shù)含義_
Rddouble5000RRAM器件高低組態(tài)的分界
【權(quán)利要求】
1.一種對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，其特征在于，該方法包括: 判斷RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)，然后在一定電壓下根據(jù)RRAM器件所處狀態(tài)產(chǎn)生脈沖寬度L1 = L的擦除脈沖或脈沖寬度H1 = H的編程脈沖對RRAM器件進(jìn)行擦除或編程操作，在擦除或編程操作后再次判斷RRAM所處狀態(tài)，直至RRAM器件所處狀態(tài)發(fā)生改變，否則產(chǎn)生脈沖寬度Ln = L+ (η-1) Δ L的擦除脈沖或脈沖寬度Hn = H+ (η_1) Δ H的編程脈沖對RRAM器件進(jìn)行擦除或編程操作，η為自然數(shù)，記錄最后使RRAM器件狀態(tài)發(fā)生改變的脈沖寬度Ln或Hn,即得到擦除速度或編程速度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，其特征在于，所述判斷RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)，包括: 對RRAM器件加載一個小電壓，讀出通過RRAM器件的電流，根據(jù)讀出的電流即可判斷RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)是高阻態(tài)還是低阻態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，其特征在于，如果RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)是高阻態(tài)，則在一定電壓下，脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度1^ = L的擦除脈沖并加載至RRAM器件，然后判斷RRAM器件的狀態(tài)，如果RRAM器件處于高阻態(tài)，則脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度L2 = L+ Λ L的擦除脈沖并加載至RRAM器件，再次判斷RRAM器件的狀態(tài)，如果RRAM器件仍處于高阻態(tài)，則脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度L3 = L+2 Δ L的擦除脈沖并加載至RRAM器件，直至RRAM器件變?yōu)榈妥钁B(tài)，記錄使RRAM器件變?yōu)榈妥钁B(tài)的脈沖寬度，該脈沖寬度即為擦除速度。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，其特征在于，該方法還同時記錄下全部脈沖寬度。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，其特征在于，如果RRAM器件當(dāng)前所處的狀態(tài)是低阻態(tài)，則在一定電壓下，脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度H1 = H的編程脈沖并加載至RRAM器件，然后判斷RRAM器件的狀態(tài)，如果RRAM器件處于低阻態(tài)，則脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度H2=H+ Δ H的編程脈沖并加載至RRAM器件，再次判斷RRAM器件的狀態(tài)，如果RRAM器件仍處于低阻態(tài)，則脈沖發(fā)生器產(chǎn)生一脈沖寬度H3 = Η+2 Λ H的編程脈沖并加載至RRAM器件，直至RRAM器件變?yōu)楦咦钁B(tài)，記錄使RRAM器件變?yōu)楦咦钁B(tài)的脈沖寬度，該脈沖寬度即為編程速度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，其特征在于，該方法還同時記錄下全部脈沖寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，其特征在于，該方法還包括: 改變電壓的大小，重復(fù)執(zhí)行上述測試步驟，得到不同電壓下的擦除速度和編程速度。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，其特征在于，該方法還包括: 改變脈沖寬度增幅AL或△ H的大小，重復(fù)執(zhí)行上述測試步驟，得到擦除速度或編程速度隨脈沖寬度增幅的變化規(guī)律。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的對RRAM存儲器脈沖參數(shù)進(jìn)行測試的方法，其特征在于，所述改變脈沖寬度增幅AL或△ H的大小，重復(fù)執(zhí)行上述測試步驟，得到擦除速度或編程速度隨脈沖寬度增幅的變化規(guī)律，包括:步驟1:設(shè)定擦除脈沖寬度增幅AL或編程脈沖寬度增幅△ H，并設(shè)置擦除脈沖寬度或編程脈沖寬度的初始值；步驟2:從小到大的改變擦除脈沖寬度或編程脈沖寬度，得到在指定擦除脈沖寬度增幅AL或編程脈沖寬度增幅AH下的擦除或編程時間；步驟3:改變擦除脈沖寬度增幅AL或編程脈沖寬度增幅AH的大小，重復(fù)順序執(zhí)行步驟I和步驟2，得到擦除速度或編程速度隨脈沖寬度增幅的變化規(guī)律。`
【文檔編號】G11C29/56GK103531248SQ201310474111
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年10月12日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月12日
【發(fā)明者】龍世兵, 王國明, 張美蕓, 李陽, 呂杭炳, 劉琦, 劉明 申請人:中國科學(xué)院微電子研究所