使用參考?jí)K的固態(tài)驅(qū)動(dòng)保持監(jiān)控器的制造方法
【專利摘要】一種使用參考?jí)K的固態(tài)驅(qū)動(dòng)保持監(jiān)控器。一種固態(tài)存儲(chǔ)保持監(jiān)控器確定固態(tài)設(shè)備中的用戶數(shù)據(jù)是否需要清理操作?？墒褂靡阎臄?shù)據(jù)模式編程一個(gè)或更多個(gè)參考?jí)K，其中參考?jí)K基本上經(jīng)歷與用戶塊相似的P/E循環(huán)、存儲(chǔ)溫度、存儲(chǔ)時(shí)間和其他情況。因此該參考?jí)K可有效表示用戶塊的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)并提供有關(guān)是否/何時(shí)需要數(shù)據(jù)刷新操作的信息。
【專利說(shuō)明】使用參考?jí)K的固態(tài)驅(qū)動(dòng)保持監(jiān)控器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本公開(kāi)涉及固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備。更具體地，本公開(kāi)涉及用于監(jiān)控固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)的數(shù)據(jù)保持的系統(tǒng)和方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著時(shí)間的推移，非易失性固態(tài)介質(zhì)會(huì)因各種與時(shí)間相關(guān)的因素和環(huán)境因素而損壞。定期的數(shù)據(jù)清理(讀出數(shù)據(jù)并重新編程糾錯(cuò)后的版本)通過(guò)在數(shù)據(jù)塊的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)退化超出可接受的閾值之前傳送物理數(shù)據(jù)存儲(chǔ)位置，可降低用戶數(shù)據(jù)錯(cuò)誤不可糾正的可能性。盡管可實(shí)施多種方法來(lái)監(jiān)控固態(tài)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)，例如通過(guò)存儲(chǔ)真實(shí)時(shí)間戳信息，但這些方法通常要求大量的存儲(chǔ)空間來(lái)容納這些數(shù)據(jù)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0003]現(xiàn)將參考以下附圖描述體現(xiàn)本發(fā)明的各特征的系統(tǒng)和方法，其中:
[0004]圖1是圖示具有數(shù)據(jù)保持監(jiān)控模塊的存儲(chǔ)設(shè)備實(shí)施例的方框圖。
[0005]圖2是顯示根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施用于監(jiān)控固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的數(shù)據(jù)保持特性/性質(zhì)的過(guò)程的流程圖。
[0006]圖3是顯示根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的調(diào)度固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)數(shù)據(jù)清理操作的過(guò)程的流程圖。
[0007]圖4圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例提供數(shù)據(jù)保持評(píng)估信息的圖表。
[0008]圖5A是顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的非易失性固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)單元的概率分布的圖表。
[0009]圖5B是顯示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的非易失性固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)具有減少的讀取裕度(margin)的單元的概率分布的圖表。
[0010]圖5C是顯示圖5B中所示單元在各種電壓讀取水平下編程錯(cuò)誤的圖表。
[0011]圖是顯示圖5B中所示單元在各種電壓讀取水平下的編程錯(cuò)誤的圖表。
[0012]圖6是顯示根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的在固態(tài)存儲(chǔ)器設(shè)備內(nèi)調(diào)度數(shù)據(jù)清理操作的過(guò)程的流程圖。
[0013]圖7圖示根據(jù)一個(gè)實(shí)施例用于在通電后恢復(fù)先前初始化的數(shù)據(jù)清理操作的過(guò)程的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]盡管描述特定實(shí)施例，但是這些實(shí)施例僅以示例的方式呈現(xiàn)，而不是要限制保護(hù)的范圍。事實(shí)上，這里所描述的新穎的方法和系統(tǒng)可以各種其他形式來(lái)體現(xiàn)。而且，在不偏離保護(hù)范圍的情況下，可以對(duì)這里所描述的方法和系統(tǒng)的形式做出各種省略、替代和變化。
[0015]鐘述
[0016]數(shù)據(jù)刷新或清理通常用于固態(tài)驅(qū)動(dòng)器(SSD)應(yīng)用以在數(shù)據(jù)保持退化到無(wú)法正確讀出數(shù)據(jù)的那一點(diǎn)之前刷新存儲(chǔ)在SSD中的數(shù)據(jù)。數(shù)據(jù)清理是糾錯(cuò)技術(shù)，其使用后臺(tái)任務(wù)定期檢查存儲(chǔ)器的錯(cuò)誤，然后使用錯(cuò)誤糾正代碼(ECC)存儲(chǔ)器或數(shù)據(jù)的其他副本糾正該錯(cuò)誤。數(shù)據(jù)清理可以降低發(fā)生不可糾正錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)。特定數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)監(jiān)控內(nèi)存/存儲(chǔ)器塊的保持特性并且在這種保持特性可能退化超出閾值時(shí)執(zhí)行數(shù)據(jù)清理。為了確定何時(shí)需要清理存儲(chǔ)器塊，可使用真實(shí)時(shí)間戳監(jiān)控SSD系統(tǒng)內(nèi)的數(shù)據(jù)年齡，其可指示保持特性。然后，系統(tǒng)基于自這些塊被編程開(kāi)始的時(shí)間量決定是否需要進(jìn)行數(shù)據(jù)刷新或清理。
[0017]為了實(shí)施真實(shí)時(shí)間戳方案，必須分配一些存儲(chǔ)空間來(lái)存儲(chǔ)大小為若干字節(jié)數(shù)據(jù)的時(shí)間戳。因此，對(duì)于固態(tài)存儲(chǔ)模塊而言，時(shí)間戳數(shù)據(jù)消耗可用容量，由此減少用戶可用容量。另外，為了準(zhǔn)確考慮在不同時(shí)間被編程的不同頁(yè)，可能期望在頁(yè)級(jí)實(shí)施時(shí)間戳存儲(chǔ)，這可能要求大量的存儲(chǔ)空間來(lái)容納這些數(shù)據(jù)。
[0018]除了年齡，環(huán)境因素也會(huì)對(duì)固態(tài)驅(qū)動(dòng)器的數(shù)據(jù)保持產(chǎn)生影響，尤其是大量的循環(huán)塊。例如，隨時(shí)間和位置變化的存儲(chǔ)設(shè)備的溫度會(huì)影響硬盤(pán)的保持特性。實(shí)際上，根據(jù)Arrhenius等式，由提高的溫度導(dǎo)致的數(shù)據(jù)保持退化加速是一個(gè)指數(shù)函數(shù)，且因此可能非常大。僅通過(guò)記錄時(shí)間戳數(shù)據(jù)，通常不考慮溫度和其他環(huán)境因素(例如電/磁場(chǎng))，并且因此為了更準(zhǔn)確地或更有效地確定數(shù)據(jù)保持，其他技術(shù)/機(jī)制可能是人們想要的或所要求的。
[0019]這里所公開(kāi)的一些實(shí)施例使控制器固件在通電時(shí)或在另一時(shí)間檢查來(lái)自指定參考?jí)K的信息并評(píng)估固態(tài)存儲(chǔ)器的塊和/或頁(yè)的數(shù)據(jù)保持特性。例如，如下面更詳細(xì)描述的，通過(guò)讀取參考?jí)K，系統(tǒng)可評(píng)估在固態(tài)驅(qū)動(dòng)器上編程的數(shù)據(jù)的有效年齡和/或其他數(shù)據(jù)保持因素。這種確定本身有利地考慮了驅(qū)動(dòng)器經(jīng)歷的各種環(huán)境條件，甚至在設(shè)備斷電時(shí)。使用該評(píng)估的年齡，控制器固件可以被配置成調(diào)度數(shù)據(jù)清理過(guò)程。
[0020]該系統(tǒng)可在參考?jí)K內(nèi)保存預(yù)定值且然后從該塊中讀取數(shù)據(jù)以及以某種方式確定該塊的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)?；谶@種讀取，系統(tǒng)可確定編程數(shù)據(jù)的等價(jià)年齡，從而考慮SSD處于斷電狀態(tài)的溫度和持續(xù)時(shí)間；斷電期間，與數(shù)據(jù)保持有關(guān)的信息內(nèi)在地包含在參考?jí)K中，且由此當(dāng)再次通電時(shí)控制器能夠確定后續(xù)的刷新/清理時(shí)間。
[0021]在本公開(kāi)中描述的各種實(shí)施例提高了數(shù)據(jù)保持評(píng)估的有效性和/或準(zhǔn)確性，這可改善數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)的性能。
[0022]如該申請(qǐng)中所使用的，“非易失性存儲(chǔ)器”可以指代諸如NAND閃存的固態(tài)存儲(chǔ)器。然而，在更傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和包括固態(tài)和硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)部件的混合驅(qū)動(dòng)器中，本公開(kāi)的系統(tǒng)和方法也可能是有用的。固態(tài)存儲(chǔ)器可包括各種技術(shù)，例如閃存式集成電路(flashintegrated circuits)、相變存儲(chǔ)器(PC-RAM 或 PRAM)、可編程金屬化單兀 RAM (PMC-RAM或PMCm)、奧弗辛斯基效應(yīng)統(tǒng)一存儲(chǔ)器(OUM)、組抗RAM (RRAM)、NAND存儲(chǔ)器、NOR存儲(chǔ)器、EEPR0M、鐵電體存儲(chǔ)器(FeRAM)、MRAM或其他獨(dú)立NVM (非易失性存儲(chǔ)器)芯片。固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備可以物理劃分成多個(gè)平面、塊、頁(yè)和扇區(qū)，正如本領(lǐng)域所公知的。另外或可替代地，可以使用其他形式的存儲(chǔ)(例如，電池備份易失性DRAM或SRAM設(shè)備、磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器等)。
[0023]系統(tǒng)綜沭
[0024]圖1是圖示具有數(shù)據(jù)保持監(jiān)控模塊的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備實(shí)施例的方框圖。如圖所示，存儲(chǔ)設(shè)備120包括控制器130，其依次包括數(shù)據(jù)保持監(jiān)控模塊140。在特定實(shí)施例中，數(shù)據(jù)保持監(jiān)控模塊140負(fù)責(zé)監(jiān)控一個(gè)或更多個(gè)非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器陣列150的一個(gè)或更多個(gè)頁(yè)或塊的數(shù)據(jù)保持特性并發(fā)出數(shù)據(jù)清理命令，而控制器130將這些命令轉(zhuǎn)送給非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器陣列150來(lái)執(zhí)行。在一個(gè)實(shí)施例中，數(shù)據(jù)保持監(jiān)控模塊被配置成根據(jù)這里描述的一個(gè)或更多方法選擇非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器陣列150的參考?jí)K并調(diào)度數(shù)據(jù)清理操作。在特定實(shí)施例中，控制器130被配置為從位于主機(jī)系統(tǒng)110上的存儲(chǔ)接口(例如驅(qū)動(dòng)器)112處接收存儲(chǔ)器命令并響應(yīng)于這種主機(jī)發(fā)出的存儲(chǔ)器命令在非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器陣列150中執(zhí)行命令。數(shù)據(jù)可以基于這些命令被訪問(wèn)/傳送。
[0025]數(shù)據(jù)保持監(jiān)控
[0026]在某些固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備中，例如包含NAND閃存部件的存儲(chǔ)設(shè)備，該設(shè)備內(nèi)存儲(chǔ)的塊或頁(yè)可配置成在應(yīng)用到其上的一定數(shù)量的編程和擦除(P/E)操作對(duì)這些塊或頁(yè)的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)產(chǎn)生重大負(fù)影響之前經(jīng)受住這些操作。在包含NANA閃存部件的固態(tài)驅(qū)動(dòng)器內(nèi)，存儲(chǔ)的塊可包含大約2MB或4MB的存儲(chǔ)空間。通常，一旦塊的循環(huán)次數(shù)達(dá)到一個(gè)限度(例如對(duì)于2xnm MLC而言3K/3000次的循環(huán))，該塊的質(zhì)量可能開(kāi)始大幅退化。
[0027]這里描述的特定實(shí)施例提供在一個(gè)或更多個(gè)固態(tài)存儲(chǔ)器設(shè)備上分配一個(gè)或更多個(gè)塊作為參考?jí)K。每個(gè)參考?jí)K可以用預(yù)定的數(shù)據(jù)值編程，例如隨機(jī)數(shù)據(jù)模式。例如，可以通過(guò)偽隨機(jī)數(shù)發(fā)生器使用已知種子產(chǎn)生預(yù)定數(shù)據(jù)值，使得不需要以特定形式存儲(chǔ)該預(yù)定數(shù)據(jù)。參考?jí)K有利地可具有與相關(guān)數(shù)據(jù)塊相似的設(shè)備使用歷史，這意味著從參考?jí)K收集的信息可反映相關(guān)數(shù)據(jù)塊經(jīng)歷過(guò)的真實(shí)情況，其反映的接近程度足以使得可以將該參考?jí)K視為關(guān)于相關(guān)數(shù)據(jù)塊的有效參考。
[0028]在特定實(shí)施例中，在SSD通電后，控制器固件可以從參考?jí)K中讀取數(shù)據(jù)并使用這里描述的數(shù)據(jù)保持評(píng)估機(jī)制來(lái)評(píng)估自參考?jí)K被編程以來(lái)所經(jīng)過(guò)的時(shí)間。這種評(píng)估可以允許確定改善的數(shù)據(jù)清理調(diào)度。所評(píng)估的經(jīng)過(guò)時(shí)間可包含與斷電之前的持續(xù)時(shí)間以及SSD系統(tǒng)處于斷電模式的持續(xù)時(shí)間有關(guān)的信息。
[0029]圖2是顯示根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的監(jiān)控固態(tài)存儲(chǔ)器設(shè)備的數(shù)據(jù)保持特性/性質(zhì)的過(guò)程200的流程圖。如上面討論的，數(shù)據(jù)清理可能涉及將數(shù)據(jù)從非易失性固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的一個(gè)位置轉(zhuǎn)移到另一個(gè)位置，并且為了阻止在數(shù)據(jù)保持因素導(dǎo)致不可糾正的ECC之前存儲(chǔ)在設(shè)備中的數(shù)據(jù)退化，數(shù)據(jù)清理可能是令人期望的。在一個(gè)實(shí)施例中，過(guò)程200至少部分通過(guò)控制器130和/或數(shù)據(jù)保持監(jiān)控模塊140執(zhí)行。在方框202中，為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備通電。通電后，在方塊204中，從非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器設(shè)備的一個(gè)或更多個(gè)預(yù)定參考?jí)K中讀取數(shù)據(jù)。在一些實(shí)施例中，可以在除通電后不久以外的其他時(shí)間讀取參考?jí)K，例如當(dāng)檢測(cè)到空閑時(shí)間時(shí)(沒(méi)有主機(jī)初始化命令的期間)，或者該讀取被諸如P/E循環(huán)計(jì)數(shù)、溫度等一些其他因素觸發(fā)時(shí)。在特定實(shí)施例中，參考?jí)K的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)至少部分代表著該存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)較大分組的數(shù)據(jù)塊的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)。因此，從參考?jí)K中讀取數(shù)據(jù)值以確定塊的數(shù)據(jù)保持情況可能有助于評(píng)估相關(guān)塊的數(shù)據(jù)保持情況。
[0030]在方框206中，響應(yīng)于從一個(gè)或更多個(gè)參考?jí)K中讀取數(shù)據(jù)，確定到下一個(gè)數(shù)據(jù)清理操作的時(shí)間。這種評(píng)估可基于這里公開(kāi)的數(shù)據(jù)保持評(píng)估機(jī)制中的一種或更多種執(zhí)行。一旦數(shù)據(jù)清理調(diào)度被確定，則在方框208中，根據(jù)這一調(diào)度執(zhí)行數(shù)據(jù)清理，由此至少部分保持固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的數(shù)據(jù)保持功能性。
[0031]調(diào)度數(shù)據(jù)清理操作
[0032]圖3是顯示根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例在固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)調(diào)度數(shù)據(jù)清理操作的過(guò)程300的流程圖。在一個(gè)實(shí)施例中，過(guò)程300至少部分通過(guò)控制器130和/或數(shù)據(jù)保持監(jiān)控模塊140執(zhí)行。在方框302中，使用已知的數(shù)據(jù)模式(例如偽隨機(jī)數(shù)數(shù)據(jù)模式)編程存儲(chǔ)器設(shè)備的一個(gè)或更多個(gè)參考?jí)K。在經(jīng)過(guò)一時(shí)間段后，在方框304中，為確定參考?jí)K的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)，從一個(gè)或更多個(gè)塊中讀取數(shù)據(jù)。
[0033]在特定實(shí)施例中，比較讀取的數(shù)據(jù)和已知的一種數(shù)據(jù)模式或多種模式。這在方框306中執(zhí)行。在方框308中，可計(jì)算誤比特率/比特錯(cuò)誤率,例如,翻轉(zhuǎn)的(flipped)比特計(jì)數(shù)。在一個(gè)以上參考?jí)K的情形下，多頁(yè)可以被讀取且平均原始誤比特率(RBER)可用于評(píng)估。可以以多種方法計(jì)算平均RBER，包括任何類型的加權(quán)平均計(jì)算方法?；谄谕谋忍劐e(cuò)誤計(jì)算，過(guò)程300可包括評(píng)估自塊被編程后的有效時(shí)間量和/或直到期望實(shí)現(xiàn)后續(xù)數(shù)據(jù)清理操作的時(shí)間量。該過(guò)程內(nèi)在地考慮斷電和/或通電狀態(tài)下設(shè)備經(jīng)歷的環(huán)境因素。例如，如果存儲(chǔ)設(shè)備經(jīng)受過(guò)熱，則這種熱可能影響參考?jí)K的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)，從而對(duì)存儲(chǔ)在參考?jí)K內(nèi)的值的分析考慮熱的影響。另一方面，簡(jiǎn)單地使用時(shí)間戳不能以同樣的方式考慮環(huán)境的影響。
[0034]可根據(jù)任何期望的方式執(zhí)行方框310的評(píng)估。例如，在數(shù)據(jù)清理的閾值是ERl (例如，其中ER1〈〈1)的實(shí)施例中，基于測(cè)量的RBER值和ERl的差，可以評(píng)估應(yīng)當(dāng)執(zhí)行下一次數(shù)據(jù)清理操作之前的時(shí)間段。例如，RBER和ERl之間的差很小(其指示錯(cuò)誤率接近閾值)可導(dǎo)致在短的時(shí)間段內(nèi)調(diào)度下一次清理。
[0035]在特定實(shí)施例中，可以動(dòng)態(tài)地重新分配參考?jí)K。例如，當(dāng)靜態(tài)損耗均衡(SWL)事件(例如，對(duì)于整個(gè)設(shè)備最高P/E計(jì)數(shù)塊具有的P/E循環(huán)比最低P/E計(jì)數(shù)塊多400)發(fā)生時(shí)，最高P/E計(jì)數(shù)塊(SWL源)的數(shù)據(jù)可移動(dòng)到參考?jí)K之一(SWL目的地)。由此，可擦除具有最高P/E計(jì)數(shù)的SWL源塊并將其分配給參考?jí)K。以這種方式，可動(dòng)態(tài)地重新分配參考?jí)K，其中各塊的P/E計(jì)數(shù)基本上接近于設(shè)備內(nèi)的最高值。隨著垃圾收集和數(shù)據(jù)清理在后臺(tái)繼續(xù)進(jìn)行，某些數(shù)據(jù)塊(用戶或系統(tǒng))P/E計(jì)數(shù)將增加，從而SWL事件將繼續(xù)發(fā)生，此時(shí)可將其他參考?jí)K選作SWL目的地。
[0036]在特定實(shí)施例中，參考?jí)K內(nèi)的一些、全部或基本上全部頁(yè)被編程。然而，出于數(shù)據(jù)保持評(píng)估的目的，有必要讀取的參考?jí)K的頁(yè)可能只有一或兩個(gè)典型頁(yè)。因此，參考?jí)K讀取可能只需要通電期間的短時(shí)間段(例如，大約50μ S)。另外，可通過(guò)偽隨機(jī)數(shù)發(fā)生器使用已知種子(例如O)產(chǎn)生參考?jí)K的預(yù)定義數(shù)據(jù)模式。因此，可能不需要物理存儲(chǔ)該數(shù)據(jù)模式。
[0037]通討RBER評(píng)估自h—個(gè)編稈以來(lái)的時(shí)間
[0038]過(guò)程300可以與不同的固態(tài)存儲(chǔ)器設(shè)備相兼容，并且可以執(zhí)行過(guò)程300以便從參考?jí)K收集數(shù)據(jù)，從而確定自先前的程序操作以來(lái)經(jīng)過(guò)的時(shí)間。圖4中所示的圖表提供關(guān)于根據(jù)一個(gè)實(shí)施例如何基于所確定的原始誤比特率(RBER)調(diào)度數(shù)據(jù)清理的額外信息。圖4顯示自編程以來(lái)所經(jīng)過(guò)的時(shí)間(X軸)和RBER (Y軸)之間的關(guān)系。曲線402顯示隨著自上一個(gè)編程以來(lái)所經(jīng)過(guò)的時(shí)間的增加，RBER上升。一旦自編程以來(lái)經(jīng)過(guò)特定量的時(shí)間(時(shí)間點(diǎn)404)，數(shù)據(jù)保持的退化達(dá)到一點(diǎn)，在該點(diǎn)嘗試讀取存儲(chǔ)器模塊(例如，讀取頁(yè))將導(dǎo)致RBER達(dá)到ECC限制(例如，頁(yè)的ECC限制)。換句話說(shuō)，在時(shí)間點(diǎn)404，頁(yè)的讀取可能導(dǎo)致比特錯(cuò)誤的數(shù)量超過(guò)配置ECC要糾正的比特錯(cuò)誤的數(shù)量，導(dǎo)致潛在的數(shù)據(jù)損失。為了阻止這種情況發(fā)生，清理閾值被設(shè)定在ECC限制下，因此在時(shí)間點(diǎn)406將觸發(fā)數(shù)據(jù)清理。因?yàn)閿?shù)據(jù)清理包括新的程序操作，所以它將重置曲線402到時(shí)間點(diǎn)410 (該數(shù)據(jù)立即被重新編程)。
[0039]可以為參考存儲(chǔ)器塊預(yù)先表征曲線402的斜率/形狀。由此，在特定的給定時(shí)間點(diǎn)上(例如，時(shí)間點(diǎn)408)，一旦確定該時(shí)間點(diǎn)的RBER，則可以評(píng)估自上一個(gè)編程以來(lái)所經(jīng)過(guò)的時(shí)間(即，時(shí)間點(diǎn)410和408之間的距離)。也可外推RBER以評(píng)估相關(guān)塊或幾個(gè)塊將到達(dá)清理閾值的時(shí)間(時(shí)間點(diǎn)408和406之間的距離)。如所能看到的，RBER越高，當(dāng)前時(shí)間和觸發(fā)清理的時(shí)間之間的時(shí)間越短，反之亦然。在一個(gè)實(shí)施例中，可根據(jù)環(huán)境因素調(diào)整這種外推。例如，如果當(dāng)前驅(qū)動(dòng)器溫度高，那么下一次調(diào)度的清理可能比現(xiàn)在圖表中所標(biāo)記的時(shí)間還要提前，或者相對(duì)于系統(tǒng)中的其他任務(wù)，下一次調(diào)度的清理被賦予更高的優(yōu)先級(jí)，以便其可以被更快地執(zhí)行。
[0040]通過(guò)讀取電壓閾值評(píng)估自上一個(gè)編程以來(lái)的時(shí)間
[0041]除了使用誤比特率以外，可以根據(jù)這里公開(kāi)的實(shí)施例利用其他方法或機(jī)制來(lái)評(píng)估固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)一組塊的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)。例如，讀取的電壓閾值的變化可提供數(shù)據(jù)保持評(píng)估可以依據(jù)的信息。為了有助于解釋該概念，圖5A提供顯示非易失性固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)單元的概率分布的實(shí)施例的圖表。閃存(諸如多層單元(MLC) NAND閃存)可以每單元存儲(chǔ)2比特的信息。盡管本文公開(kāi)的特定實(shí)施例是在MLC的背景下描述的，但是應(yīng)該理解這里公開(kāi)的概念可以與單層單元(SLC)技術(shù)或其他類型的技術(shù)相兼容。
[0042]圖5A中所示的水平軸表示電壓讀取水平。垂直軸表示具有相應(yīng)電壓值的單元的數(shù)量。由此，4條分布曲線表示具有相應(yīng)電壓值的單元數(shù)量，它們被4種分布所分開(kāi)。如圖所示，存儲(chǔ)器單元500A的電壓分布可包括多種不同水平(例如，對(duì)于MLC，為水平L0-L3)。讀取參考值(即電壓閾值水平R1-R3)可能置于這些水平之間。各水平之間的間隙(即編程狀態(tài)之間的邊界)稱為“讀取裕度(margin)”，在特定實(shí)例中可有利地將讀取電壓參考設(shè)置在其中。各個(gè)分布水平之間的讀取裕度可能隨時(shí)間以及由于各種物理情況和來(lái)自重復(fù)P/E循環(huán)的損耗而減小，這導(dǎo)致數(shù)據(jù)保持問(wèn)題和超出特定限制的更高讀取錯(cuò)誤。讀取裕度的這種減小可能是由多種因素導(dǎo)致的，例如由閃存單元氧退化引起的電荷損失、異常程序步驟引起的過(guò)編程、在單元位置進(jìn)行大量讀或?qū)憣?dǎo)致的對(duì)鄰近已擦除單元的編程和/或其他因素。
[0043]圖5B是顯示根據(jù)一個(gè)或更多個(gè)實(shí)施例的非易失性固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備內(nèi)具有減小的讀取裕度的單元的概率分布的圖表。圖5B所示單元的編程邏輯值(L3)可設(shè)定為特定二進(jìn)制值，例如10。類似地，每個(gè)剩余水平(L0-L2)可對(duì)應(yīng)于不同的二進(jìn)制值(例如，分別為11、01和00)。如圖所示，表示各種讀取水平的各峰已經(jīng)向左遷移，從而讀取水平之間的各讀取裕度被減小或整個(gè)消失。結(jié)果，需要對(duì)電壓閾值R1-R3進(jìn)行移位以補(bǔ)償這種變化。因此，通過(guò)確定兩個(gè)讀取水平之間的當(dāng)前電壓閾值水平以及比較該當(dāng)前電壓閾值水平和原始閾值水平，可推導(dǎo)出關(guān)于單元的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)如何變化的信息。如上面公開(kāi)的實(shí)施例一樣，使用數(shù)據(jù)保持信息可確定數(shù)據(jù)清理調(diào)度。
[0044]如圖5C所不,在特定實(shí)施例中，最聞電壓水平(例如L3)和下一個(gè)最聞電壓水平(例如L2)之間的Vt移位可用于評(píng)估數(shù)據(jù)清理調(diào)度。例如，圖6示出可用于基于Vt (Vwtt)移位計(jì)算數(shù)據(jù)清理調(diào)度的過(guò)程。在一個(gè)實(shí)施例中，過(guò)程600至少部分由控制器130和/或數(shù)據(jù)保持監(jiān)控模塊140執(zhí)行。過(guò)程600包括在方框602中編程參考?jí)K。在參考?jí)K被編程后的時(shí)間段，為該塊的一個(gè)或更多單元確定兩個(gè)電壓水平之間(例如最高水平和下一個(gè)最高水平之間)的Vt移位。這在方框604中執(zhí)行。在方框606中，Vt移位用于評(píng)估自參考?jí)K被編程以來(lái)的時(shí)間段和/或?qū)?zhí)行后續(xù)數(shù)據(jù)清理操作的時(shí)間。[0045]基于Vt移位評(píng)估數(shù)據(jù)保持性質(zhì)和/或數(shù)據(jù)清理調(diào)度可通過(guò)多種方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。參考圖5B和圖5C的501，可通過(guò)將電壓閾值R3向左平移(看圖5B_C “R3起始”到“R3終止”)直到達(dá)到飽和點(diǎn)來(lái)實(shí)現(xiàn)Vt移位，其中進(jìn)一步向左平移(swe印)提供具有減少的翻轉(zhuǎn)比特的裕度改進(jìn)。對(duì)于圖5B的實(shí)施例，平移Vt時(shí)所檢測(cè)到的比特錯(cuò)誤可能對(duì)應(yīng)于從I到O的翻轉(zhuǎn)上部頁(yè)比特，這就是最高水平(L3)和下一個(gè)最高水平(L2)之間的差。
[0046]圖的圖表對(duì)應(yīng)于第二(L2)和第三電壓(LI)水平之間的Vt移位。如圖5B和圖5D的502處所示，閾值R2以與圖5C的實(shí)施例相似的方式向左平移直到達(dá)到飽和點(diǎn)。在所示實(shí)施例中，當(dāng)平移^時(shí)所檢測(cè)到的比特錯(cuò)誤可能相應(yīng)于從O到I的翻轉(zhuǎn)下部頁(yè)比特，這是相關(guān)電壓水平之間的差別。移位502提供可推導(dǎo)出數(shù)據(jù)保持性質(zhì)的信息。
[0047]對(duì)于檢測(cè)Vt移位的各實(shí)施例而言，圖5C的實(shí)施例可能是優(yōu)選的，因?yàn)檩^高的電壓水平可能經(jīng)受由數(shù)據(jù)保持問(wèn)題造成的更大程度的電壓移位，如通過(guò)501和502的相對(duì)移位大小示出的。在特定實(shí)施例中，為了減小塊或單元經(jīng)歷不可糾正的錯(cuò)誤的可能性，人們期望用參考?jí)K和/或測(cè)量的單元表示最高或相對(duì)高的錯(cuò)誤。盡管這里公開(kāi)的實(shí)施例通常是在兩比特調(diào)制技術(shù)背景下描述的，但是所公開(kāi)的系統(tǒng)和方法可應(yīng)用到使用每單元任何數(shù)量比特的技術(shù)的系統(tǒng)上。應(yīng)注意到，上面公開(kāi)的任何系統(tǒng)可配置成至少部分考慮多種數(shù)據(jù)保持因素(例如時(shí)間和溫度)的累積影響。
[0048]圖7圖示用于在供電后恢復(fù)先前初始化的數(shù)據(jù)清理操作的過(guò)程的流程圖。在一個(gè)實(shí)施例中，至少部分通過(guò)控制器130和/或數(shù)據(jù)保持監(jiān)控140執(zhí)行過(guò)程700。在數(shù)據(jù)清理完成之前終止數(shù)據(jù)清理的情形下(例如由于斷電)，圖7的過(guò)程可提供在利用參考?jí)K的功能性時(shí)處理這種情況的機(jī)制。
[0049]過(guò)程700在方框702開(kāi)始，其中為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)備通電。在特定初始化后，可以從固態(tài)存儲(chǔ)器中讀取特定系統(tǒng)數(shù)據(jù)以檢查值(例如，活動(dòng)標(biāo)志)從而確定是否存在斷電狀態(tài)下運(yùn)行的數(shù)據(jù)清理、垃圾收集和/或靜態(tài)損耗均衡操作。該步驟在決策方框704中執(zhí)行。如果存在，則使存儲(chǔ)設(shè)備繼續(xù)執(zhí)行這樣的操作是令人期望的。如果沒(méi)有這樣的操作等待處理，則過(guò)程700恢復(fù)正常操作，其中可根據(jù)這里公開(kāi)的一個(gè)或更多實(shí)施例調(diào)度下一次數(shù)據(jù)清理事件。所檢查的標(biāo)志可指示在上一個(gè)通電`期間未完成的數(shù)據(jù)操作。因此，系統(tǒng)需要記錄在斷電之前清理或其他操作已經(jīng)執(zhí)行到哪個(gè)塊。
[0050]在方框706中，恢復(fù)清理或其他操作，優(yōu)選在與操作先前被終止相關(guān)的點(diǎn)恢復(fù)。這允許先于其他任何事件執(zhí)行未完成操作，包括可能的清理、垃圾收集和靜態(tài)損耗均衡。在特定實(shí)施例中，首先清理一個(gè)或更多個(gè)參考?jí)K。
[0051]過(guò)程700可以繼續(xù)從一個(gè)或更多參考?jí)K中讀取數(shù)據(jù)并基于以上公開(kāi)的一個(gè)或更多個(gè)方法評(píng)估數(shù)據(jù)保持性質(zhì)/特性。基于結(jié)果，該過(guò)程可相應(yīng)地包括重新調(diào)度數(shù)據(jù)清理。通常，數(shù)據(jù)保持性質(zhì)越差，將越快地調(diào)度數(shù)據(jù)清理。
[0052]這里公開(kāi)的各種實(shí)施例可提供以下優(yōu)勢(shì)中的一種或更多種。首先，如上面討論的，一些已知的追蹤數(shù)據(jù)保持時(shí)間的技術(shù)是每當(dāng)頁(yè)被編程時(shí)在元數(shù)據(jù)區(qū)域中添加真實(shí)時(shí)間戳。通過(guò)這種方式，可以記錄數(shù)據(jù)保持的持續(xù)時(shí)間，但是這種數(shù)據(jù)不能說(shuō)明P/E循環(huán)或溫度因素。參考?jí)K具有與數(shù)據(jù)炔基本相同的經(jīng)歷，因此通過(guò)從參考?jí)K讀取原始數(shù)據(jù)且將其與預(yù)定義的模式比較而獲得的RBER值可反映固態(tài)存儲(chǔ)器設(shè)備上特性變化的幾乎全部可能因素。這些因素可包括P/E循環(huán)、單元間干擾、數(shù)據(jù)保持時(shí)間和溫度，甚至關(guān)于斷電期間的設(shè)備情況。另外，參考?jí)K的實(shí)施可實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)的數(shù)據(jù)清理計(jì)劃，其可提高系統(tǒng)系能，而幾乎不損失可靠性，例如通過(guò)對(duì)新產(chǎn)品使用不頻繁的數(shù)據(jù)清理而對(duì)循環(huán)產(chǎn)品使用更頻繁的數(shù)據(jù)清理。
[0053]另外，由于參考?jí)K不是專有塊，因此與浪費(fèi)存儲(chǔ)容量相關(guān)的問(wèn)題，如使用真實(shí)時(shí)間戳方法發(fā)現(xiàn)的問(wèn)題被排除。每當(dāng)靜態(tài)損耗均衡發(fā)生時(shí)，可從數(shù)據(jù)塊中動(dòng)態(tài)分配參考?jí)K。另夕卜，由于使用預(yù)定義數(shù)據(jù)模式編程參考?jí)K，所以可以確保使用參考?jí)K的校準(zhǔn)結(jié)果微調(diào)讀取水平的可行性。
[0054]其他變型
[0055]如本申請(qǐng)中所用的，“非易失性存儲(chǔ)器”通常涉及固態(tài)存儲(chǔ)器，例如但不限于NAND閃存。然而，在更傳統(tǒng)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和包括固態(tài)和硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)部件的混合硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，本公開(kāi)的系統(tǒng)和方法也是有用的。如本領(lǐng)域公知的，固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備(例如管芯)可物理上劃分成平面、塊、頁(yè)和扇區(qū)。額外地或替代地，可使用其他形式的存儲(chǔ)(例如，電池備份易失性DRAM或SRAM設(shè)備、磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器等)。
[0056]本領(lǐng)域的技術(shù)人員將意識(shí)到，在一些實(shí)施例中，可以實(shí)施其他類型的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)和/或數(shù)據(jù)保持監(jiān)控。另外，圖2、3、6和7所示過(guò)程中所采取的實(shí)際步驟可能不同于附圖中所示的步驟。根據(jù)實(shí)施例，可以刪除上面描述的特定步驟，可以添加其他步驟。因此，本公開(kāi)的范圍傾向于僅通過(guò)參考所附的權(quán)利要求被限定。
[0057]在描述特定的實(shí)施例的同時(shí)，僅通過(guò)示例的方式呈現(xiàn)這些實(shí)施例，并不是要限制保護(hù)的范圍。事實(shí)上，可以通過(guò)多種其他形式體現(xiàn)這里描述的新穎的方法和系統(tǒng)。另外，可以對(duì)這里描述的方法和系統(tǒng)做出各種忽略、替換和改變。所附的權(quán)利要求及其等價(jià)物傾向于覆蓋在本保護(hù)的范圍和精神內(nèi)的這些形式或變體。例如，附圖中示出的各種部件可實(shí)施成處理器、ASIC/FPGA或?qū)Ｓ糜布系能浖?或固件。而且，可以用不同方法組合上面公開(kāi)的特定實(shí)施例的特征和屬性以形成其他的實(shí)施例，它們?nèi)慷荚诒竟_(kāi)的范圍內(nèi)。盡管本公開(kāi)提供特定優(yōu)選的實(shí)施例和應(yīng)用，但是對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，其他實(shí)施例是明顯的，包括不提供這里記載的全部特征和優(yōu)勢(shì)的實(shí)施例，這些實(shí)施例也在本公開(kāi)的范圍內(nèi)。因此，本公開(kāi)的范圍傾向于僅通過(guò)參考所附的權(quán)利要求來(lái)限定。
【權(quán)利要求】
1.一種能夠監(jiān)控固態(tài)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備，其包括: 非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器陣列，其包括多組塊；和 控制器，所述控制器被配置成: 在所述多組塊中的一組塊的參考?jí)K中存儲(chǔ)預(yù)定數(shù)據(jù)模式，所述參考?jí)K具有至少部分代表所述一組塊的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)； 讀取存儲(chǔ)在所述參考?jí)K中的數(shù)據(jù)值； 基于讀取的質(zhì)量，確定預(yù)定數(shù)據(jù)模式的存儲(chǔ)和所述數(shù)據(jù)值的讀取之間經(jīng)過(guò)的時(shí)間的評(píng)估量；和 至少部分基于經(jīng)過(guò)的時(shí)間的評(píng)估量確定數(shù)據(jù)清理調(diào)度計(jì)劃。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)設(shè)備，其中所述控制器配置成響應(yīng)損耗均衡事件將所述預(yù)定數(shù)據(jù)模式存入所述參考?jí)K。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)設(shè)備，其中所述控制器還配置成選擇所述一組塊中具有最高程序擦除計(jì)數(shù)的塊作為參考?jí)K。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)設(shè)備，其中所述預(yù)定數(shù)據(jù)模式包括使用已知的種子值產(chǎn)生的偽隨機(jī)數(shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)設(shè)備，其中所述控制器還配置成至少部分通過(guò)計(jì)算從所述參考?jí)K中讀取的數(shù)據(jù)值相比所述預(yù)定數(shù)據(jù)模式的誤比特率確定經(jīng)過(guò)的時(shí)間的評(píng)估量。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的`存儲(chǔ)設(shè)備，其中所述誤比特率提供與物理環(huán)境相關(guān)的信息，其中在過(guò)去的時(shí)間段內(nèi)，非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器陣列布置在該物理環(huán)境中。
7.—種監(jiān)控包括存儲(chǔ)器塊的非易失性固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備中的數(shù)據(jù)保持的方法，該方法包括: 在非易失性固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的一組塊的第一參考?jí)K內(nèi)存儲(chǔ)第一預(yù)定數(shù)據(jù)模式，該第一參考?jí)K具有至少部分代表所述一組塊的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)； 讀取存儲(chǔ)在第一參考?jí)K中的數(shù)據(jù)值以確定所述第一參考?jí)K的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)；以及 至少部分基于所述數(shù)據(jù)值，計(jì)算執(zhí)行未來(lái)數(shù)據(jù)清理操作的時(shí)間段； 其中所述方法是在存儲(chǔ)設(shè)備的控制器的控制下執(zhí)行的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括在所述時(shí)間段內(nèi)對(duì)所述一組塊的至少一個(gè)塊執(zhí)行數(shù)據(jù)清理操作。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在執(zhí)行所述數(shù)據(jù)清理操作后，動(dòng)態(tài)地向所述一組塊的另一參考?jí)K重新分配所述第一參考?jí)K。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括: 確定是否存在在之前的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備關(guān)閉期間待處理的過(guò)去的數(shù)據(jù)清理操作；以及當(dāng)確定存在待處理的過(guò)去的數(shù)據(jù)清理操作時(shí)，在計(jì)算未來(lái)數(shù)據(jù)清理時(shí)間段之前恢復(fù)所述數(shù)據(jù)清理操作的執(zhí)行。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括在第二參考?jí)K中存儲(chǔ)第二預(yù)定數(shù)據(jù)模式，其中所述第一參考?jí)K和第二參考?jí)K存儲(chǔ)在固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的不同物理存儲(chǔ)器單元內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中計(jì)算未來(lái)數(shù)據(jù)清理時(shí)間段包括計(jì)算存儲(chǔ)在所述第一參考?jí)K中的數(shù)據(jù)值相比于所述第一預(yù)定數(shù)據(jù)模式的誤比特率。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中計(jì)算未來(lái)數(shù)據(jù)清理時(shí)間段至少部分基于所述誤比特率和預(yù)定的閾值錯(cuò)誤率之間的差。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，還包括在一個(gè)或更多個(gè)額外參考?jí)K中存儲(chǔ)所述第一預(yù)定數(shù)據(jù)模式，其中計(jì)算未來(lái)數(shù)據(jù)清理時(shí)間段包括計(jì)算第一參考?jí)K和額外參考?jí)K相對(duì)于所述第一預(yù)定數(shù)據(jù)模式的平均誤比特率。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中計(jì)算未來(lái)數(shù)據(jù)清理時(shí)間段包括使用預(yù)定的參考讀取水平電壓讀取第一參考?jí)K的頁(yè)以及平移所述讀取水平電壓直到從所述第一參考?jí)K中讀取第二預(yù)定數(shù)據(jù)模式。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中計(jì)算未來(lái)數(shù)據(jù)清理時(shí)間段包括確定第一參考?jí)K的頁(yè)的閾值電壓讀取水平以及比較所述閾值電壓讀取水平與預(yù)定的默認(rèn)電壓讀取水平。
17.—種監(jiān)控包括存儲(chǔ)器塊的非易失性固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的數(shù)據(jù)保持的方法，該方法包括: 從非易失性固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的一組塊中選擇第一參考?jí)K，該第一參考?jí)K具有至少部分代表所述一組塊的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)； 讀取存儲(chǔ)在所述第一參考?jí)K中的數(shù)據(jù)值以確定閾值讀取電壓水平在參考?jí)K中存儲(chǔ)器單元的兩種編程水平之間的移位；以及 至少部分基于所確定的閾值讀取電壓水平的移位，計(jì)算執(zhí)行未來(lái)數(shù)據(jù)清理操作的時(shí)間段， 其中所述方法是在存儲(chǔ)設(shè) 備的控制器的控制下進(jìn)行的。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中兩種編程水平包括存儲(chǔ)器單元的最高編程水平。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中兩種編程水平包括存儲(chǔ)器單元的第二最高和第二最聞編程水平。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中讀取存儲(chǔ)在所述第一參考?jí)K中的數(shù)據(jù)值以確定閾值讀取電壓水平的移位包括對(duì)所述單元使用不同的電壓閾值執(zhí)行多次讀取來(lái)確定所述移位。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中對(duì)所述單元執(zhí)行多次讀取包括: 使用電壓閾值讀取單元； 確定所遇到的錯(cuò)誤量； 調(diào)整所述電壓閾值； 使用調(diào)整的電壓閾值重新讀取所述單元并確定所遇到的錯(cuò)誤量的變化；以及 重復(fù)讀取、確定以及調(diào)整直到所遇到的錯(cuò)誤量的變化的比率達(dá)到預(yù)定的飽和閾值。
22.一種能夠監(jiān)控固態(tài)存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備，其包括: 非易失性固態(tài)存儲(chǔ)器陣列，其包括多組塊；和 控制器，其配置成: 從非易失性固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備的一組塊中選擇第一參考?jí)K，該第一參考?jí)K具有至少部分代表所述一組塊的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)的數(shù)據(jù)保持性質(zhì)； 讀取存儲(chǔ)在所述第一參考?jí)K中的數(shù)據(jù)值以確定閾值讀取電壓水平在所述參考?jí)K的存儲(chǔ)器單元的兩種編程水平之間的移位；以及 至少部分基于所確定的閾值讀取電壓水平的移位，計(jì)算執(zhí)行未來(lái)數(shù)據(jù)清理操作的時(shí)間段。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備，其中所述兩種編程水平包括存儲(chǔ)器單元的最聞編程水平。
24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備，其中所述兩種編程水平包括存儲(chǔ)器單元的第二最聞和第二最聞編程水平。
25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備，其中所述控制器配置成來(lái)讀取存儲(chǔ)在第一參考?jí)K中的數(shù)據(jù)值以確定閾值讀取電壓水平的移位，采用的方式是通過(guò)使用不同的電壓閾值對(duì)所述單元執(zhí)行多次讀取來(lái)確定所述移位。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的固態(tài)存儲(chǔ)設(shè)備，其中對(duì)所述單元執(zhí)行多次讀取包括: 使用電壓閾值讀取單元； 確定所遇到的錯(cuò)誤量； 調(diào)整所述電壓閾值； 使用調(diào)整的電壓閾值再次讀取所述單元并確定所遇到的錯(cuò)誤量的變化；以及 重復(fù)讀取、確定和調(diào)整直到所遇到的錯(cuò)誤量的變化的比率達(dá)到預(yù)定的飽和閾值。
【文檔編號(hào)】G11C29/42GK103632730SQ201310363219
【公開(kāi)日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2013年8月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月21日
【發(fā)明者】M-M·L·蘇, J-Y·楊, D·趙 申請(qǐng)人:西部數(shù)據(jù)技術(shù)公司