專利名稱：一種可兼容ddr2和ddr3的ocd單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型屬于芯片設(shè)計領(lǐng)域，涉及一種可兼容DDR2和DDR3的O⑶單元。
背景技術(shù)：
DRAM的OCD是DRAM芯片與外界通信的輸出接口單元，DDR3DRAM與DDR2DRAM的輸出接口特性差別大，通常DDR3DRAM的O⑶線性度，工作頻率都比DDR2DRAM高。參見圖1是現(xiàn)有傳統(tǒng)的DDR30⑶單元，由DDR3驅(qū)動配置單元、DDR3校準單元以及8個并聯(lián)的驅(qū)動單元(編號f 8)；8個驅(qū)動單元完全一樣，它們決定O⑶的最終輸出電阻。8個驅(qū)動單元的輸入數(shù)據(jù)信號都連到data_in，輸出數(shù)據(jù)信號都連到data_out;輸入數(shù)據(jù)(data_in)為高電平時O⑶輸出(data_out)也為高電平，data_in為低電平時，data_out也為低電平；8個驅(qū)動單元驅(qū)動電阻都由驅(qū)動電阻設(shè)置信號strength〈5:0>決定；8個驅(qū)動單元的選擇分別由sel<l>, sel〈2>…sel〈8>控制；當sel〈n>為高電平時,表示第η個驅(qū)動單元工作，當sel〈n>為低電平時，表示第η個驅(qū)動單元關(guān)閉；參見圖2，sel〈8:l>由DDR3配置單元產(chǎn)生；DDR3配置單元可以設(shè)置一共有多少個驅(qū)動單元工作；標準的DDR3DRAM必須提供2種配置，由控制信號mode_34控制，當mode_34為低電平(O)時，輸出阻抗為40歐姆；mode_34為高電平(I)時，輸出阻抗為34.3歐姆；校準單元設(shè)置每一個驅(qū)動單元的輸出電阻,它通過產(chǎn)生信號strength〈5:0>來保證在任何電壓、溫度以及工藝偏差的情況下，每一個驅(qū)動單元的輸出電阻都是RZQ(通常是240歐姆)；參見圖3，現(xiàn) 有傳統(tǒng)的DDR20⑶單元只有一個驅(qū)動單元，它決定O⑶的最終輸出電阻；驅(qū)動單元的輸入數(shù)據(jù)信號連到data_in，輸出數(shù)據(jù)信號連到data_out ;輸入數(shù)據(jù)(data_in)為高電平時O⑶輸出(data_out也為高電平,data_in為低電平時,data_out也為低電平；驅(qū)動單元驅(qū)動電阻都由驅(qū)動電阻設(shè)置信號strength_d〈5:0>決定；參見圖4，標準的DDR20⑶必須提供全驅(qū)動和半驅(qū)動模式，配置單元通過對控制信號strength〈5:0>重新編碼產(chǎn)生strenghth_d〈5: 0>而實現(xiàn)全驅(qū)動和半驅(qū)動的設(shè)置；當模式設(shè)置信號mode_half為低電平(O)時,O⑶設(shè)置為全驅(qū)動模式,輸出電阻為20歐姆左右；當mode_half為高電平(I)時，O⑶設(shè)置為半驅(qū)動模式，輸出電阻為40歐姆左右；校準單元設(shè)置驅(qū)動單元的輸出電阻,它通過產(chǎn)生信號strength〈5:0>來保證在任何電壓、溫度以及工藝偏差的情況下，驅(qū)動單元的輸出電阻為20歐姆(全驅(qū)動模式)或40歐姆(半驅(qū)動模式);目前市場上相同容量的DDR2的價格經(jīng)常比DDR3DRAM高很多，所以急需設(shè)計一種能兼容DDR2和DDR3DRAM就顯得相當有市場價值。

實用新型內(nèi)容為了解決背景技術(shù)中存在的技術(shù)問題，本實用新型提供了一種可兼容DDR2和DDR3的O⑶單元；iDDR2DRAM價格高于DDR3DRAM的價格時，通過簡單的設(shè)置，可以把DDR3的O⑶切換為DDR2的O⑶；本實用新型的技術(shù)解決方案是:本實用新型提供一種可兼容DDR2和DDR3的OCD單元，包括:DDR3配置單元、DDR3校準單元以及多個并聯(lián)的驅(qū)動單元，其特殊之處在于:還包括DDR2配置單元、DDR2校準單元以及二選一單元；所述二選一單元包括配置二選一單元和校準二選一單元；所述DDR2配置單元與DDR3配置單元分別與配置二選一單元連接；所述DDR2校準單元與DDR3校準單元分別與校準二選一單元連接；所述配置二選一單元和校準二選一單元分別與多個并聯(lián)的驅(qū)動單元連接；上述配置二選一單元和校準二選一單元均是與非門電路；本實用新型的優(yōu)點:1、本實用新型與現(xiàn)有相關(guān)DDR3DRAM輸出單元技術(shù)兼容性好，而且切換成DDR2DRAM輸出單元簡單；2、價格相比市場上相同容量的DDR2和DDR3DRAM便宜很多；

圖1是現(xiàn)有傳統(tǒng)的DDR30⑶單元；圖2是現(xiàn)有傳統(tǒng)的DDR30⑶的配置單元表；圖3是現(xiàn)有傳統(tǒng)的DDR20⑶單元； 圖4是現(xiàn)有傳統(tǒng)的DDR20⑶的配置單元表；圖5是本實用新型的所提供的可兼容DDR2和DDR3的O⑶單元；圖6是本實用新型的所提供的可兼容DDR2和DDR3的O⑶的配置單元表。
具體實施方式
參見圖5-圖6，實用新型提供一種可兼容DDR2和DDR3的OCD單元，包括:DDR3配置單元、DDR3校準單元以及多個并聯(lián)的驅(qū)動單元，DDR2配置單元、DDR2校準單元以及二選一單元；二選一單元包括配置二選一單元和校準二選一單元；DDR2配置單元與DDR3配置單元分別與配置二選一單元連接；DDR2校準單元與DDR3校準單元分別與校準二選一單元連接；配置二選一單元和校準二選一單元分別與多個并聯(lián)的驅(qū)動單元連接；二選一單元為與非門電路或者其他二選一的其他電路；當控制信號config_ddr2為低電平(O)時，OCD設(shè)置為DDR30CD，與傳統(tǒng)的DDR30CD一樣；當控制信號config_ddr2為高電平(I)時，OCD設(shè)置為DDR20CD;當O⑶為DDR3模式時，DDR3校準單元把8個驅(qū)動單元的輸出電阻同時設(shè)置為240歐姆；而當O⑶為DDR2模式時，DDR2校準單元把8個驅(qū)動單元的輸出電阻同時設(shè)置為160歐姆；當O⑶為DDR3模式時，DDR3配置單元選擇7個(RZQ/7模式)或6個(RZQ/6模式)驅(qū)動單元工作；當O⑶為DDR2模式時，DDR2配置單元選擇8個(全驅(qū)動模式)或4個(半驅(qū)動模式)驅(qū)動單元工作；當OCD要從DDR3切換成DDR2應用時，只需要把控制信號conf ig_ddr2從低電平轉(zhuǎn)換為高電平就可以。
權(quán)利要求1.一種可兼容DDR2和DDR3的OCD單元，包括:DDR3配置單元、DDR3校準單元以及多個并聯(lián)的驅(qū)動單元，其特征在于:還包括DDR2配置單元、DDR2校準單元以及二選一單元；所述二選一單元包括配置二選一單元和校準二選一單元；所述DDR2配置單元與DDR3配置單元分別與配置二選一單元連接；所述DDR2校準單元與DDR3校準單元分別與校準二選一單元連接；所述配置二選一單元和校準二選一單元分別與多個并聯(lián)的驅(qū)動單元連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的可兼容DDR2和DDR3的OCD單元，其特征在于:所述配置二選一單元和校準 二選一單元均是與非門電路。
專利摘要本實用新型提供一種可兼容DDR2和DDR3的OCD單元，包括DDR3配置單元、DDR3校準單元以及多個并聯(lián)的驅(qū)動單元，還包括DDR2配置單元、DDR2校準單元以及二選一單元；二選一單元包括配置二選一單元和校準二選一單元；DDR2配置單元與DDR3配置單元分別與配置二選一單元連接；DDR2校準單元與DDR3校準單元分別與校準二選一單元連接；配置二選一單元和校準二選一單元分別與多個并聯(lián)的驅(qū)動單元連接；該實用新型比現(xiàn)有相關(guān)DDR3DRAM輸出單元技術(shù)兼容性好，而且切換成DDR2DRAM輸出單元簡單、價格便宜。
文檔編號G11C11/4093GK203085183SQ201220716658
公開日2013年7月24日 申請日期2012年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月21日
發(fā)明者劉海飛 申請人:西安華芯半導體有限公司