專利名稱：半導體測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別涉及一種半導體測試方法。
背景技術(shù)：
在半導體制程中，有半導體測試這一步驟，半導體測試的目的是控制測試系統(tǒng)硬件以一定的方式保證被測器件達到或超越它的那些被具體定義在器件規(guī)格書里的設(shè)計指標。
Flash存儲器作為一種常用器件，其也需要進行相應(yīng)參數(shù)的檢測，對于這種器件， 其擦除電壓(VEE)和編程電壓(VEP)的測試方法包括在計算器(register)中載入一組數(shù)據(jù)，例如可以是編程電壓，通?？梢詾?6個，位于計算器的16個檔位中；并通過在該檔位下的值時燒斷存儲器中相應(yīng)的保險絲，來不斷調(diào)整到合適的電壓(該過程被稱作trim)，在此過程中需要用到精確測試單元(precision measure unit,PMU)來量測,接著采用相應(yīng)的計算機預言編寫相關(guān)程序，從16個測得的值中選取最接近目標值的一個測得的值作為最終結(jié)果。
在現(xiàn)有的測試方法中，采用PMU裝置進行測試，然而，該方法包括多個測量時間段和在利用每一個檔位測試之后進行轉(zhuǎn)換的時間段，如此便使得每次測試的時間約在幾百微秒的范圍內(nèi)，這個時間范圍對測試而言，是比較長的，尤其是一組測量16次時，每個存儲器的測試時間將達到幾秒甚至十幾秒。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種半導體測試方法，改善現(xiàn)有的測試技術(shù)，縮短測試時間， 從而提聞測試效率。
為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種半導體測試方法，利用測試機測試待測單元的電參數(shù)，設(shè)定多個預定值、一目標參數(shù)、第一基準和第二基準，所述目標參數(shù)小于所述第一基準且大于所述第二基準；
將一個預定值賦予待測單元，由測試機比較該預定值下待測單元的電參數(shù)與所述第一基準和第二基準的關(guān)系，若所述電參數(shù)在所述第一基準和第二基準之間，則認可該電參數(shù)并停止測試，否則繼續(xù)獲得另一個預定值進行測試和判斷。
可選的，對于所述的半導體測試方法，所述電參數(shù)為寫入電壓或擦除電壓。
可選的，對于所述的半導體測試方法，所述第一基準、所述目標參數(shù)及所述第二基準成等差數(shù)列。
可選的，對于所述的半導體測試方法，所述預定值和所述電參數(shù)最多為16個。
本發(fā)明提供的半導體測試方法，設(shè)定第一基準和第二基準，采用測試機比較待測單元在某一設(shè)定值下的電參數(shù)與所述第一基準和第二基準的關(guān)系，并由此判斷是否合格， 如此每次比較所耗時間將在納秒級別，大大的縮短了單次測試時間，同時便避免了每次都需要進行16次測試，也不需采用編程語言進行選擇，進一步的縮短了總的測試時間，同時使得測試操作變得更加簡捷。


圖I為本發(fā)明一實施例的半導體測試方法的流程圖2為本發(fā)明一實施例的半導體測試方法的過程示意圖。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖和具體實施例對本發(fā)明半導體測試方法作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權(quán)利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，本發(fā)明附圖均采用非常簡化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
請參考圖I和圖2，本發(fā)明實施例提供一種半導體測試方法，測試待測單元，例如存儲器的電參數(shù)，所述電參數(shù)包括寫入電壓和擦除電壓，首先，設(shè)定多個預定值、一目標參數(shù)、第一基準和第二基準，所述目標參數(shù)即目標電壓的值，例如在某一存儲器的擦除電壓的測試 中，目標電壓的值為5 V，所述第一基準VOH和第二基準VOL可以根據(jù)實際要求的不同，并結(jié)合生產(chǎn)經(jīng)驗進行設(shè)定，需要滿足的是，所述目標參數(shù)需要小于所述第一基準V0H，且大于所述第二基準V0L，除非有特殊的要求，在一般情況下，所述第一基準V0H、所述目標參數(shù)及所述第二基準VOL成等差數(shù)列，其公差則為可接受的偏差，例如在該測試中，可接受偏差為 O. I，則 VOH 為 5+0. 1=5. I，那么 VOL 為 5-0. I = 4. 9 ；
在通常的測試過程中，可將預定值標記為0x00、0x01……OxOf，共16個預定值，范圍在3V1V之間，且按升序或降序排列，在其他實施例中，也可以少于16個，例如可以是8 個，將一個預定值賦予待測單元，在此優(yōu)選為按序賦予，接著由測試機比較該預定值下存儲器的擦除電壓與所述第一基準VOH和第二基準VOL的關(guān)系，通常在大于第一基準VOH時為電平1，小于第二基準VOL是為電平0，所述測試機能夠分辨出測試時存儲器的擦除電壓是電平1，電平O或者是位于二者之間，在二者接觸時，可通過例如是傳感器將結(jié)果直接在坐標中顯示出，而所述坐標中則標出所述第一基準V0H、所述目標參數(shù)及所述第二基準V0L， 以便能夠直觀的展現(xiàn)出三者的數(shù)值關(guān)系，若所述擦除電壓在所述第一基準和第二基準之間，則認可該擦除電壓并停止測試；
然而，在實際測試中，很難保證第一個擦除電壓就滿足要求，如圖2中所示，第一個擦除電壓為電平1，即大于5. IV，那么便將計算器中第二個預定值0x01賦予測試機，進行第二次測試，如此循環(huán)，在本實施例中，第四次測試的擦除電壓落于VOH和VOL之間，那么該次擦除電壓是符合要求，至此，便可停止測試，因為已經(jīng)獲得合格的值。
采用上述測試方法，每次測試所用時間極短，約在納秒級別，且由于不使用PMU，能夠大大的縮短單次測試的時間，而且總的測試次數(shù)通常小于16次，且不需要利用編程語言進行選擇，這也進一步的縮短了所用時間，一個完整的測試過程僅需幾百納秒的時間，這要比現(xiàn)有的測試方法快得多。
考慮到實際情況，例如取值的規(guī)劃和設(shè)備自身的情況，所述預定值最多為16個， 若在經(jīng)過16次循環(huán)后，依然不能夠有一個電參數(shù)落在VOH和VOL之間，則應(yīng)當停止測量并可判斷此芯片trim失效，進而進行相應(yīng)的處理，此乃業(yè)內(nèi)常識，本申請將不做贅述。
上述實施例以擦除電壓的測試為例對本發(fā)明進行了闡述，應(yīng)當理解的是，圖2中雖然有給出坐標軸的數(shù)據(jù)，但是本方法并不進行實際電參數(shù)的值的測量，僅是判斷是電平 1，電平O還是位于二者之間。此外，寫入電壓(或編程電壓)及其他具有與現(xiàn)有技術(shù)中對擦除電壓進行測試的方法相同或相似的測試對象皆可采用本發(fā)明的方法。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的半導體測試方法，設(shè)定第一基準和第二基準，采用測試機比較待測單元在某一設(shè)定值下的電參數(shù)與所述第一基準和第二基準的關(guān)系，并由此判斷是否合格，如此每次比較所耗時間將在納秒級別，大大的縮短了單次測試時間，同時便避免了每次都需要進行16次測試，也不需采用編程語言進行選擇，進一步的縮短了總的測試時間，同時使得測試操作變得更加簡捷。
顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包括這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導體測試方法，利用測試機測試待測單元的電參數(shù)，其特征在于，設(shè)定多個預定值、一目標參數(shù)、第一基準和第二基準，所述目標參數(shù)小于所述第一基準且大于所述第二基準；將一個預定值賦予待測單元，由測試機比較該預定值下待測單元的電參數(shù)與所述第一基準和第二基準的關(guān)系，若所述電參數(shù)在所述第一基準和第二基準之間，則認可該電參數(shù)并停止測試，否則繼續(xù)獲得另一個預定值進行測試和判斷。
2.如權(quán)利要求I所述的半導體測試方法，其特征在于，所述電參數(shù)為寫入電壓或擦除電壓。
3.如權(quán)利要求2所述的半導體測試方法，其特征在于，所述第一基準、所述目標參數(shù)及所述第二基準成等差數(shù)列。
4.如權(quán)利要求I所述的半導體測試方法，其特征在于，所述預定值和所述電參數(shù)最多為16個。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種半導體測試方法，設(shè)定第一基準和第二基準，采用測試機比較待測單元在某一設(shè)定值下的電參數(shù)與所述第一基準和第二基準的關(guān)系，并由此判斷是否合格，如此每次比較所耗時間將在納秒級別，大大的縮短了單次測試時間，同時便避免了每次都需要進行16次測試，也不需采用編程語言進行選擇，進一步的縮短了總的測試時間，同時使得測試操作變得更加簡捷。
文檔編號G11C29/12GK102938258SQ201210507629
公開日2013年2月20日 申請日期2012年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月30日
發(fā)明者張若成, 索鑫, 錢亮 申請人:上海宏力半導體制造有限公司