專利名稱：：從非易失性存儲器讀數(shù)據(jù)的方法及實施方法的設(shè)備和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器件，且更具體地，涉及從非易失性存儲器件讀取數(shù)據(jù)的方法以及用于其的裝置，諸如存儲器控制器、非易失性存儲器件、和存儲系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
：存儲器件可以是易失性存儲器件或者非易失性存儲器件。易失性存儲器件包括動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)器件和靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)器件。非易失性存儲器件包括閃速存儲器件、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)器件、和電阻存儲器件。在某些存儲器件中，例如，在諸如閃速存儲器的非易失性存儲器件中，隨著編程/擦除循環(huán)數(shù)量的增加，可靠性降低?？梢允褂眉m錯編碼(ECC)電路來糾正在從閃速存儲器件讀取的數(shù)據(jù)中的錯誤。當(dāng)難以或者無法使用ECC電路來糾正錯誤時，可以執(zhí)行數(shù)據(jù)讀取重試。
發(fā)明內(nèi)容一些實施例提供從非易失性存儲器件讀取數(shù)據(jù)的方法，以提高非易失性存儲器件的可靠性和/或讀取速度。還公開了存儲器控制器、非易失性存儲器件、以及包括存儲器控制器和非易失性存儲器件的可以執(zhí)行所公開的方法的全部或部分的存儲系統(tǒng)。在一個示例中，一種操作非易失性存儲器的方法可以包括發(fā)出第一讀命令，其命令非易失性存儲器執(zhí)行非易失性存儲器的第一頁面的第一次讀??；接收從第一次讀取產(chǎn)生的第一讀取數(shù)據(jù)頁面；確定從第一次讀取產(chǎn)生的第一讀取數(shù)據(jù)頁面具有不會被糾錯電路糾正的錯誤；響應(yīng)于確定步驟，發(fā)出第二讀命令，其命令非易失性存儲器以與執(zhí)行第一次讀取時使用的操作參數(shù)不同的操作參數(shù)再次執(zhí)行第一頁面的第二次讀?。唤邮諒牡诙巫x取產(chǎn)生的第二讀取數(shù)據(jù)頁面；分析從第二次讀取產(chǎn)生的第二讀取數(shù)據(jù)頁面是否具有不會被糾錯電路糾正的錯誤；以及在分析步驟完成之前，發(fā)出第三讀命令，其命令非易失性存儲器以與執(zhí)行第一次讀取時使用的操作參數(shù)不同并且與執(zhí)行第二次讀取時使用的操作參數(shù)不同的操作參數(shù)再次執(zhí)行第一頁面的第三次讀取。還公開了可以執(zhí)行該方法及其替換方案的設(shè)備?？梢栽诮邮諒牡诙巫x取產(chǎn)生的第二讀取數(shù)據(jù)頁面的步驟已完成之前，或者在接收從第二次讀取產(chǎn)生的第二讀取數(shù)據(jù)頁面的任何數(shù)據(jù)之前，發(fā)出第三讀命令。第一頁面可以被存儲在第一物理頁面中，并且操作參數(shù)可以代表非易失性存儲器用來確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)的讀基準(zhǔn)電壓的量值。非易失性存儲器可以是NAND閃速存儲器，并且操作參數(shù)可以代表施加于非易失性存儲器的第一物理頁面的字線用于確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)的讀基準(zhǔn)電壓的量值。第二讀命令和第三讀命令均可以命令非易失性閃速存儲器利用在對應(yīng)的讀操作期間順次施加于第一物理頁面的字線的兩個新的讀基準(zhǔn)電壓來讀取MLCNAND閃速存儲器。第二讀命令和第三讀命令中的每一個均可以為讀重試命令。讀重試命令可以是唯一的，并與用于讀重試操作的唯一的命令碼相關(guān)聯(lián)。讀重試命令可以包括或者不包括代表對應(yīng)的操作參數(shù)的值?？梢詮淖x重試表(例如，在存儲器控制器工作存儲器中，或者在非易失性存儲器中)檢索該對應(yīng)的操作參數(shù)。第二讀命令和第三讀命令(其可以是讀重試命令)可以不包含任何地址信息。所述方法和設(shè)備可以在發(fā)出第一電平設(shè)置命令和第二電平設(shè)置命令的每一個之前確定非易失性存儲器的存儲器陣列并非正在執(zhí)行讀操作。一種操作NAND閃速存儲器的方法可以包括第一次讀取NAND閃速存儲器的第一頁面以獲取第一讀取數(shù)據(jù)頁面；然后，在完成對第一讀取數(shù)據(jù)頁面的糾錯操作之前，發(fā)出讀命令，該讀命令導(dǎo)致利用至少一個調(diào)整的讀電壓第二次讀取第一頁面。還公開了可以執(zhí)行這些操作的設(shè)備。一種操作非易失性存儲器的方法可以包括利用第一讀操作參數(shù)第一次讀取非易失性存儲器的頁面以獲取第一讀取數(shù)據(jù)頁面，并將第一讀取數(shù)據(jù)頁面存儲在非易失性存儲器的第一寄存器中；將第一讀取數(shù)據(jù)頁面從第一寄存器傳送到非易失性存儲器的第二寄存器；將第一讀取數(shù)據(jù)頁面從第二寄存器傳送到存儲器控制器；在將第一讀取數(shù)據(jù)頁面從第二寄存器傳送到存儲器控制器的同時，使用與第一讀操作參數(shù)不同的第二讀操作參數(shù)再次第二次讀取數(shù)據(jù)的頁面。還公開了可以執(zhí)行這些操作的設(shè)備。非易失性存儲器可以是NAND閃速存儲器，并且頁面可以被存儲在NAND閃速存儲器的第一物理頁面中。該方法還可以包括在第一次讀取期間將第一讀基準(zhǔn)電壓施加于第一物理頁面的字線，以確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)；以及在第二次讀取期間將第二讀基準(zhǔn)電壓施加于第一物理頁面的字線，以確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)。非易失性存儲器可以是多電平單元(MLC)NAND閃速存儲器，并且頁面可以被存儲在NAND閃速存儲器的第一物理頁面中，并且該方法可以包括在第一次讀取期間將包括第一讀基準(zhǔn)電壓的第一組讀基準(zhǔn)電壓施加于第一物理頁面的字線，以確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)；以及在第二次讀取期間將包括第二讀基準(zhǔn)電壓的第二組讀基準(zhǔn)電壓施加于第一物理頁面的字線，以確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)，其中，第二組讀基準(zhǔn)電壓不同于第一組讀基準(zhǔn)電壓。讀重試命令可以是專用于讀重試的唯一命令。讀重試命令可以指令非易失性存儲器件執(zhí)行第二次讀取。讀重試命令可以包括代表更新的讀操作參數(shù)的值，可以發(fā)出單獨(dú)的電平設(shè)置命令以提供更新的讀操作參數(shù)，或者，非易失性存儲器可以在內(nèi)部訪問信息以確定更新的讀操作參數(shù)。在一些示例中，讀重試命令可以不包含任何地址信息。一些示例設(shè)備和方法可以包括第一次讀取NAND閃速存儲器的第一頁面以獲取第一讀取數(shù)據(jù)頁面；然后，在完成對第一讀取數(shù)據(jù)頁面的糾錯操作之前，發(fā)出讀命令，該讀命令導(dǎo)致利用至少一個調(diào)整的讀電壓第二次讀取第一頁面?？梢栽诮邮諒牡谝淮巫x取產(chǎn)生的第一讀取數(shù)據(jù)頁面的全部和/或部分內(nèi)容之前發(fā)出讀命令。根據(jù)一些方面，一種非易失性存儲器可以包括包括第一物理頁面的存儲器陣列、第一數(shù)據(jù)寄存器、第二數(shù)據(jù)寄存器、和控制電路，被配置為執(zhí)行頁面的第一次讀取以獲取第一讀取頁面，將第一讀取頁面存儲在第一數(shù)據(jù)寄存器中，將從第一次讀取產(chǎn)生的第一讀取數(shù)據(jù)頁面從第一數(shù)據(jù)寄存器傳送到第二數(shù)據(jù)寄存器，當(dāng)從第一次讀取產(chǎn)生的第一讀取數(shù)據(jù)頁面被存儲在第二數(shù)據(jù)寄存器中時執(zhí)行頁面的第二次讀取，以及將從第一次讀取產(chǎn)生的數(shù)據(jù)的頁面從第二數(shù)據(jù)寄存器傳送到外部源。根據(jù)某些方面，一種非易失性存儲器件可以包括存儲器陣列；命令電路，被配置為接收讀命令，并響應(yīng)于讀命令開始存儲器陣列的讀操作；控制電路，被配置為斷言第一R/B(讀繁忙)標(biāo)志以指示非易失性存儲器不能接受額外的命令，并且響應(yīng)于讀操作而斷言第二R/B標(biāo)志以指示存儲器陣列的狀態(tài)；以及數(shù)據(jù)緩沖器，被配置為響應(yīng)于讀操作，當(dāng)?shù)诙/B標(biāo)志指示存儲器陣列的繁忙狀態(tài)時，從非易失性存儲器輸出數(shù)據(jù)?？刂齐娐房梢皂憫?yīng)于從外部存儲器控制器接收的讀狀態(tài)命令而斷言第一R/B標(biāo)志和第二R/B標(biāo)志作為響應(yīng)。一種被配置為操作NAND閃速存儲器的存儲器控制器可以包括接口；糾錯編碼電路，被配置為分析通過接口接收的數(shù)據(jù)頁面，以糾正頁面的比特錯誤并確定數(shù)據(jù)頁面是否具有無法糾正的錯誤；以及命令電路，被配置為產(chǎn)生命令并將其輸出到接口，所述命令包括第一讀命令，以導(dǎo)致NAND閃速存儲器的第一頁面的第一次讀取并通過接口接收從第一次讀取產(chǎn)生的第一讀取頁面。糾錯編碼電路可以被配置為確定第一讀取頁面是否具有無法糾正的錯誤，并且命令電路可以被配置為在由糾錯編碼電路完成確定第一讀取數(shù)據(jù)頁面是否具有無法糾正的錯誤的確定操作之前，發(fā)出第二讀命令，第二讀命令導(dǎo)致利用至少一個調(diào)整的讀電壓對第一頁面的第二次讀取。命令電路可以被配置為在通過接口接收第一讀取數(shù)據(jù)頁面的全部之前發(fā)出第二讀命令。命令電路可以被配置為在通過接口接收第一讀取頁面的任何內(nèi)容之前發(fā)出第二讀命令。第二讀命令可以是讀重試命令。諸如存儲卡的設(shè)備可以包括非易失性存儲器件，其包括包含多個存儲數(shù)據(jù)的頁面存儲單元陣列、以及包含暫時存儲在讀操作中從存儲單元陣列讀取的數(shù)據(jù)的第一寄存器以及從緩存寄存器接收數(shù)據(jù)并存儲該數(shù)據(jù)的第二寄存器的存取電路；卡接口，被配置為與主機(jī)通信；以及非易失性存儲器件與卡接口之間的存儲器控制器接口。其中，存儲器控制器被配置為將從非易失性存儲器件中的多個頁面中的目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的第一讀命令傳送到非易失性存儲器，并將從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的第二讀命令傳送到非易失性存儲器，并且其中，存儲器控制器被配置為在非易失性存儲器件響應(yīng)于第二讀命令正在從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的同時，接收響應(yīng)于第一讀命令已經(jīng)讀取的數(shù)據(jù)?！N從非易失性存儲器讀取數(shù)據(jù)的方法可以包括接收從非易失性存儲器件的目標(biāo)頁面讀取的數(shù)據(jù)，并對數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯編碼；iR/B信號處于就緒狀態(tài)并且糾錯編碼失敗時，設(shè)置讀電壓電平并將用于從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的讀重試命令輸出到非易失性存儲器件；從非易失性存儲器件接收在先前讀操作中已被讀取并被暫時存儲在第二寄存器中的數(shù)據(jù)，并對數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯編碼，并且，重復(fù)這些設(shè)置和接收數(shù)據(jù)操作，直到糾錯編碼完成為止，并且，當(dāng)糾錯編碼完成時，復(fù)位非易失性存儲器件并終止讀操作。在非易失性存儲器件響應(yīng)于讀重試命令正在從存儲單元陣列讀取目標(biāo)頁面的數(shù)據(jù)的同時，可以執(zhí)行接收數(shù)據(jù)的操作。R/B信號可以包括被輸出到第一輸入/輸出引腳的主機(jī)R/B信號、以及被輸出到第二輸入/輸出引腳的陣列R/B信號。設(shè)置操作可以包括監(jiān)測主機(jī)R/B信號和陣列R/B信號；以及當(dāng)主機(jī)R/B信號和陣列R/B信號兩者都處于就緒狀態(tài)時，設(shè)置讀電壓電平并將用于從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的讀重試命令輸出到非易失性存儲器件。設(shè)置操作可以包括存儲用于讀電壓電平的多個預(yù)定值；基于讀重試命令將讀電壓電平設(shè)置為預(yù)定值中的一個或更多個；以及使用新設(shè)置的讀電壓電平從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)。當(dāng)已經(jīng)嘗試將設(shè)置和接收操作重復(fù)一定量時，例如當(dāng)在讀重試操作中已經(jīng)使用了用于讀電壓電平的所有預(yù)定值時，全部讀重試操作可以被終止并被確定為失敗。該方法還可以包括控制非易失性存儲器件從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)，并使用讀重試命令將其暫時存儲；以及使用讀重試命令接收暫時存儲在先前的讀操作中的數(shù)據(jù)，并對數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯編碼。一種計算機(jī)可讀記錄介質(zhì)可以存儲執(zhí)行這里所公開的方法的程序。一種方法可以包括將用于從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的正常讀命令輸出到非易失性存儲器件；當(dāng)R/B信號處于就緒模式時設(shè)置讀電壓電平并將用于從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的讀重試命令輸出到非易失性存儲器件，而不對響應(yīng)于正常讀命令讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行錯誤校驗；從非易失性存儲器件接收已經(jīng)被讀取并被暫時存儲在先前的讀操作中的數(shù)據(jù)，并對數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯編碼，并且重復(fù)設(shè)置和接收操作，直到糾錯編碼完成為止；以及當(dāng)糾錯編碼完成時，復(fù)位非易失性存儲器件并終止讀操作。當(dāng)非易失性存儲器件響應(yīng)于讀重試命令從存儲單元陣列讀取目標(biāo)頁面的數(shù)據(jù)時，可以執(zhí)行接收操作的至少一部分或者全部。一種存儲器控制器可以包括中央處理單元，被配置為響應(yīng)于從主機(jī)接收的數(shù)據(jù)讀命令，將用于從非易失性存儲器件中的多個頁面當(dāng)中的目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的第一讀命令傳送到非易失性存儲器件，監(jiān)測非易失性存儲器件的狀態(tài)信號，以及當(dāng)狀態(tài)信號處于就緒狀態(tài)時，設(shè)置讀電壓電平并將針對目標(biāo)頁面的第二讀命令傳送到非易失性存儲器件；以及糾錯編碼(ECC)塊，被配置為從非易失性存儲器件接收目標(biāo)頁面的數(shù)據(jù)并執(zhí)行ECC，其中，存儲器控制器可以被配置為接收已響應(yīng)于第一讀命令讀取并存儲在非易失性存儲器件的數(shù)據(jù)寄存器中的數(shù)據(jù)，和/或被配置為在非易失性存儲器件響應(yīng)于第二讀命令正在從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的同時，對數(shù)據(jù)執(zhí)行ECC。存儲器控制器可以包括被配置為存儲用于讀電壓電平的多個預(yù)定值的讀電平表。中央處理單元可以被配置為當(dāng)在基于存儲在讀電平表中的所有預(yù)定值重復(fù)執(zhí)行的讀重試中未讀取目標(biāo)頁面的數(shù)據(jù)時，將糾錯編碼確定為失敗，并控制將讀重試終止。第一讀命令和第二讀命令可以是正常讀命令或者唯一的讀重試命令。狀態(tài)信號可以包括被輸出到第一輸入/輸出引腳的主機(jī)R/B信號；以及被輸出到第二輸入/輸出引腳的陣列R/B信號，并且，當(dāng)主機(jī)R/B信號和陣列R/B信號兩者都處于就緒狀態(tài)時，中央處理單元可以導(dǎo)致讀重試被執(zhí)行。一種存儲系統(tǒng)可以包括非易失性存儲器件，其包括包含多個存儲數(shù)據(jù)的頁面的存儲單元陣列、以及包含暫時存儲在讀操作中從存儲單元陣列讀取的數(shù)據(jù)的緩存寄存器和從緩存寄存器接收數(shù)據(jù)并存儲該數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)寄存器的存取電路；以及存儲器控制器，被配置為控制非易失性存儲器件的操作。存儲器控制器可以響應(yīng)于從主機(jī)接收到的數(shù)據(jù)讀命令，將用于從非易失性存儲器件中的多個頁面中的目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的第一讀命令傳送到非易失性存儲器件，監(jiān)測非易失性存儲器件的狀態(tài)信號，并且，當(dāng)狀態(tài)信號處于就緒狀態(tài)時，設(shè)置讀電壓電平并將針對目標(biāo)頁面的第二讀命令傳送到非易失性存儲器件。在存儲器控制器接收已響應(yīng)于第一讀命令讀取并存儲在非易失性存儲器件的數(shù)據(jù)寄存器中的數(shù)據(jù)的同時，和/或在存儲器控制器對數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯編碼的同時，非易失性存儲器件可以響應(yīng)于第二讀命令從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)。存儲系統(tǒng)、存儲器控制器和/或非易失性存儲器可以被配置為執(zhí)行這里所描述的方法。存儲系統(tǒng)可以被實施為多芯片封裝，其包括如這里所描述的非易失性存儲器件和存儲器控制器。一種存儲卡可以包括非易失性存儲器件，其包括包含多個存儲數(shù)據(jù)的頁面存儲單元陣列、以及包含暫時存儲在讀操作中從存儲單元陣列讀取的數(shù)據(jù)的緩存寄存器和從緩存寄存器接收數(shù)據(jù)并存儲該數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)寄存器的存取電路；卡接口，被配置為與主機(jī)通信;以及存儲器控制器，被配置為控制非易失性存儲器件與卡接口之間的接口。存儲器控制器可以響應(yīng)于從主機(jī)接收到的數(shù)據(jù)讀命令，將用于從非易失性存儲器件中的多個頁面中的目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的第一讀命令傳送到非易失性存儲器件，監(jiān)測非易失性存儲器件的狀態(tài)信號，并且當(dāng)狀態(tài)信號處于就緒狀態(tài)時，設(shè)置讀電壓電平并將針對目標(biāo)頁面的第二讀命令傳送到非易失性存儲器件。在非易失性存儲器件響應(yīng)于第二讀命令正在從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的同時，存儲器控制器可以接收響應(yīng)于第一讀命令已經(jīng)讀取并存儲在非易失性存儲器件的數(shù)據(jù)寄存器中的數(shù)據(jù)，和/或可以對數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯編碼。存儲卡可以是多媒體卡(MMC)、安全數(shù)字(SD)卡或USB閃速驅(qū)動器。一種便攜式通信系統(tǒng)可以包括閃速存儲器件，其包括包含多個存儲數(shù)據(jù)的頁面存儲單元陣列、以及包含暫時存儲在讀操作中從存儲單元陣列讀取的數(shù)據(jù)的緩存寄存器和從緩存寄存器接收數(shù)據(jù)并存儲該數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)寄存器的存取電路；存儲器控制器，被配置為控制閃速存儲器件的操作；以及顯示設(shè)備，被配置為根據(jù)存儲器控制器的控制，顯示從閃速存儲器件輸出的數(shù)據(jù)。存儲器控制器可以響應(yīng)于從主機(jī)接收到的數(shù)據(jù)讀命令，將用于從存儲器件中的多個頁面中的目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的第一讀命令傳送到存儲器件，監(jiān)測存儲器件的狀態(tài)信號，并且當(dāng)狀態(tài)信號處于就緒狀態(tài)時，設(shè)置讀電壓電平并將針對目標(biāo)頁面的第二讀命令傳送到存儲器件。在存儲器件響應(yīng)于第二讀命令正在從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的同時，存儲器控制器可以接收響應(yīng)于第一讀命令已經(jīng)讀取并被存儲在存儲器件的數(shù)據(jù)寄存器中的數(shù)據(jù)，和/或可以對數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯編碼。—種三維(3D)存儲系統(tǒng)可以包括三維閃速存儲器件，其包括包含包括多個存儲數(shù)據(jù)的頁面的多個層的存儲單元陣列、以及包含暫時存儲在讀操作中從存儲單元陣列讀取的數(shù)據(jù)的緩存寄存器和從緩存寄存器接收數(shù)據(jù)并存儲該數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)寄存器存取電路；以及存儲器控制器，被配置為控制三維閃速存儲器件的操作。存儲器控制器可以響應(yīng)于從主機(jī)接收到的數(shù)據(jù)讀命令，將用于從存儲器件中的多個頁面中的目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的第一讀命令傳送到存儲器件，監(jiān)測存儲器件的狀態(tài)信號，并且當(dāng)狀態(tài)信號處于就緒狀態(tài)時，設(shè)置讀電壓電平并將針對目標(biāo)頁面的第二讀命令傳送到存儲器件。在存儲器件響應(yīng)于第二讀命令正在從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的同時，存儲器控制器可以接收響應(yīng)于第一讀命令已經(jīng)讀取并被存儲在存儲器件的數(shù)據(jù)寄存器中的數(shù)據(jù)，和/或可以對數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯編碼。一種固態(tài)驅(qū)動器(SSD)可以包括存儲器件，其包括包含多個存儲數(shù)據(jù)的頁面的存儲單元陣列、以及包含暫時存儲在讀操作中從存儲單元陣列讀取的數(shù)據(jù)的緩存寄存器和從緩存寄存器接收數(shù)據(jù)并存儲該數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)寄存器的存取電路；以及存儲器控制器，被配置為控制三維閃速存儲器件的操作。存儲器控制器可以響應(yīng)于從主機(jī)接收到的數(shù)據(jù)讀命令，將用于從存儲器件中的多個頁面中的目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的第一讀命令傳送到存儲器件，監(jiān)測存儲器件的狀態(tài)信號，并且當(dāng)狀態(tài)信號處于就緒狀態(tài)時，設(shè)置讀電壓電平并將針對目標(biāo)頁面的第二讀命令傳送到存儲器件。在存儲器件響應(yīng)于第二讀命令正在從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的同時，存儲器控制器可以接收響應(yīng)于第一讀命令已經(jīng)讀取并被存儲在存儲器件的數(shù)據(jù)寄存器中的數(shù)據(jù)，和/或可以對數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯編碼。一種非易失性存儲器件可以包括存儲單元陣列，其包含多個被配置為存儲數(shù)據(jù)的頁面；以及存取電路，被配置為響應(yīng)于第一從外部接收的讀命令，使用第一讀電壓從多個頁面中的目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)，并將讀取的數(shù)據(jù)存儲在緩存寄存器中，將緩存寄存器中的數(shù)據(jù)存儲在數(shù)據(jù)寄存器中，并響應(yīng)于第二讀命令，使用第二讀電壓再次從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)，并將讀取的數(shù)據(jù)存儲在緩存寄存器中。當(dāng)響應(yīng)于第二讀命令，數(shù)據(jù)被使用第二(調(diào)整的)讀電壓再次從目標(biāo)頁面讀取并存儲在緩存寄存器中時，數(shù)據(jù)寄存器中的數(shù)據(jù)可以被輸出到非易失性存儲器外部的源。這里公開的非易失性存儲器件可以包含一個或多個半導(dǎo)體芯片。非易失性存儲器可以自動開始利用第三(調(diào)整的)讀電壓從目標(biāo)頁面第三次讀取數(shù)據(jù)。調(diào)整讀電壓可以是響應(yīng)于具有新電壓電平信息的外部命令，或者，可以由非易失性存儲器自動執(zhí)行而無需由外部源提供的新電壓電平信息。存儲系統(tǒng)可以包括與存儲器控制器結(jié)合的這里公開的非易失性存儲器。存儲系統(tǒng)可以包括與非易失性存儲器結(jié)合的這里公開的存儲器控制器。一種方法可以包括使用第一讀電壓從非易失性存儲器陣列的存儲單元陣列中的目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)；將讀取的數(shù)據(jù)存儲在非易失性存儲器陣列的緩存寄存器中；將緩存寄存器中的數(shù)據(jù)存儲在數(shù)據(jù)寄存器中；以及使用第二讀電壓再次從目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)，并將讀取的數(shù)據(jù)存儲在緩存寄存器中，其中，在執(zhí)行讀取的同時，數(shù)據(jù)寄存器中的數(shù)據(jù)可以被輸出到外部，和/或可以對數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯。糾錯可以包括檢測是否存在錯誤、這些錯誤是否可以糾正、和/或糾正數(shù)據(jù)的任何錯誤比特。讀操作可以包括將暫時存儲在緩存寄存器中的第一重試數(shù)據(jù)存儲在數(shù)據(jù)寄存器中；使用重新設(shè)置的讀電壓從存儲單元陣列中的目標(biāo)頁面再次讀取數(shù)據(jù)，并將讀取的數(shù)據(jù)存儲在緩存寄存器中作為第二重試數(shù)據(jù)；以及將數(shù)據(jù)寄存器中的第一重試數(shù)據(jù)輸出到外部設(shè)備。一種從非易失性存儲器件讀取數(shù)據(jù)的方法可以包括將用于從非易失性存儲器件的存儲單元陣列的目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)的第一讀命令輸出到非易失性存儲器件；設(shè)置讀電平；傳送用于從非易失性存儲器件的目標(biāo)頁面再次讀取數(shù)據(jù)的第二讀命令；以及接收響應(yīng)于第一讀命令從目標(biāo)頁面讀取并被存儲在數(shù)據(jù)寄存器中的數(shù)據(jù)，并對數(shù)據(jù)執(zhí)行糾錯編碼。在操作中接收從目標(biāo)頁面讀取并存儲在數(shù)據(jù)寄存器中的數(shù)據(jù)可以與非易失性存儲器件響應(yīng)于第二讀命令讀取并將目標(biāo)頁面的數(shù)據(jù)存儲在緩存寄存器中的操作并行執(zhí)行。該方法可以包括在上面指明的步驟之前輸出正常讀命令，并在正常讀命令導(dǎo)致包括不可以被ECC操作糾正的錯誤的讀取數(shù)據(jù)時，觸發(fā)上面指明的步驟。通過參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示范性實施例，本發(fā)明的上述和其他特征與益處將變得更為清晰，其中圖1是根據(jù)一些實施例的主機(jī)和存儲系統(tǒng)的框圖；圖2是圖1中所示的存儲器控制器的詳細(xì)框圖；圖3是示出根據(jù)一些實施例的諸如圖1中所示的非易失性存儲器件的結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4是諸如圖1中所示的非易失性存儲器件的詳細(xì)框圖；圖5A是根據(jù)一些實施例的諸如圖2中所示的示范性存儲單元陣列的詳細(xì)電路圖；圖5B是根據(jù)其他實施例的諸如圖2中所示的示范性存儲單元陣列的詳細(xì)電路圖；圖6A是用于說明圖1中所示的存儲系統(tǒng)中的讀重試操作的圖；圖6B是用于說明影響讀重試操作的多個操作參數(shù)的電平設(shè)置操作的圖；圖7A到7D是可以由圖1中所示的存儲系統(tǒng)執(zhí)行的讀重試操作的定時圖；圖8是示出根據(jù)一些實施例的可以由存儲器控制器發(fā)送到圖1中所示的非易失性存儲器件的示范性命令信號的圖；圖9是示出根據(jù)一些實施例的諸如圖1中所示的在非易失性存儲器件與存儲器控制器之間的示范性狀態(tài)信號輸入/輸出的圖，程程圖1OA是根據(jù)一些實施例的諸如圖1所示的存儲系統(tǒng)的操作的定時圖1OB是示出根據(jù)圖1OA中所示的實施例的存儲系統(tǒng)的操作的圖1lA是根據(jù)其他實施例的諸如圖1中所示的存儲系統(tǒng)的操作的定時圖1lB是示出根據(jù)圖1lA中所示的實施例的存儲系統(tǒng)的操作的圖12A是根據(jù)其他的實施例的圖1中所示的存儲系統(tǒng)的操作的定時圖12B是示出根據(jù)圖12A中所示的實施例的存儲系統(tǒng)的操作的圖13是根據(jù)一些實施例的使用圖1中所示的存儲系統(tǒng)控制數(shù)據(jù)讀取的方法的流圖14是根據(jù)其他實施例的使用圖1中所示的存儲系統(tǒng)控制數(shù)據(jù)讀取的方法的流圖15是根據(jù)示范性實施例的包括圖1所示的存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)；圖16是根據(jù)另一示范性實施例的包括圖1中所示的存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)；圖17是根據(jù)另一示范性實施例的包括圖1中所示的存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)；圖18是根據(jù)另一示范性實施例的包括圖1中所示的存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)；圖19是根據(jù)另一示范性實施例的包括圖1中所示的存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)；以及圖20是包括圖19中所示的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)900的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備1000的框圖。具體實施例方式以下將參考附圖更全面地描述示范性實施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同形式實現(xiàn)，并且不應(yīng)當(dāng)被解讀為限于這里給出的示范性實施例。附圖中，為了清晰可能夸大層和區(qū)域的尺寸和相對大小。相同的數(shù)字通篇指示相同的元件。將會理解，當(dāng)一元件被稱為被“連接”或者“耦合”到另一元件時，其可以直接連接或者耦合到另一元件，或者，可能存在居間的元件。相反，當(dāng)一元件被稱為被“直接連接”或者“直接耦合”到另一元件時，不存在居間的元件。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)聯(lián)的被列出項目中的一個或更多個的任意和所有組合，并可以被縮寫為“/”。將會理解，盡管這里可能使用術(shù)語第一、第二等來描述各種元件，但是這些元件不應(yīng)被這些術(shù)語限制。這些術(shù)語只被用來將一個元件與另一個加以區(qū)分。例如，第一信號可以被稱為第二信號，并且類似地，第二信號可以被稱為第一信號而不偏離本公開的教導(dǎo)。這里使用的術(shù)語僅僅是為了描述特定實施例，并非旨在限制本發(fā)明。如這里所使用的，單數(shù)形式“一”、“一個”和“該”預(yù)期也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地另有指示。還將會理解，例如“包含”、“包括”、“由...制成”、“具有”的術(shù)語在本說明書中被使用時，規(guī)定了存在所陳述的特征、區(qū)域、部分、步驟、操作、元件，和/或部件，但是不排除存在或者添加一個或更多個其他的特征、區(qū)域、部分、步驟、操作、元件、部件，和/或其組。除非另外定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué)術(shù)語)具有和本發(fā)明所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
的技術(shù)人員通常理解的相同的含義。還將會理解，例如在常用詞典中定義的那些的術(shù)語應(yīng)當(dāng)被解釋為具有與其在相關(guān)技術(shù)和/或本發(fā)明的上下文中的含義相符的含義，并且將不會以理想化或者過于形式化的意義解釋，除非這里明確地如此定義。圖1是根據(jù)一些實施例的主機(jī)10和存儲系統(tǒng)20的框圖。圖2是圖1中所示的存儲器控制器100的詳細(xì)框圖。參考圖1，與主機(jī)10連接的存儲系統(tǒng)20包括存儲器控制器100和非易失性存儲器件200。存儲系統(tǒng)20可以是任何包括非易失性存儲器的系統(tǒng)。參考圖2，存儲器控制器100包括存儲器件(例如，隨機(jī)存取存儲器(RAM))110、讀重試表115、中央處理單元(CPU)120、主機(jī)接口130、糾錯編碼(ECC)電路140、和非易失性存儲器接口150。存儲器控制器100產(chǎn)生地址和命令(例如編程命令、讀命令、或擦除命令)以控制非易失性存儲器件(例如，閃速存儲器件)200的操作(例如，編程、讀操作、或擦除操作)。在非易失性存儲器件200內(nèi)，編程操作和讀操作可以以頁面為單位執(zhí)行，而擦除操作可以以塊為單位執(zhí)行。塊可以是擦除的最小尺寸單元(即，不可以擦除塊的一個部分而不擦除該塊的所有部分)。塊可以包含多個物理頁面，每個物理頁面可以存儲一個或更多個數(shù)據(jù)頁面。每個物理頁面可以包括多個可操作地連接到相應(yīng)的字線的存儲單元。例如，字線在被激活時，可以將電壓施加到存儲單元晶體管(例如，EEPROM晶體管單元)的柵極。字線可以連接到存儲單元晶體管的柵極，或者，可以(至少部分地)由存儲單元晶體管的柵極形成。應(yīng)當(dāng)注意，術(shù)語“頁面(page)”可能具有幾種含義。如在本申請中所使用的，“頁面”一般將指代存儲在非易失性存儲器中的數(shù)據(jù)頁面，例如存儲在MLCNAND閃速存儲器中的LSB(最低有效位)頁面或MSB(最高有效位)頁面。短語“物理頁面”指代存儲數(shù)據(jù)的物理結(jié)構(gòu)。存儲器控制器100將用于控制非易失性存儲器件200的操作的命令發(fā)送到非易失性存儲器件200。該命令可以是將要參考圖6A說明的命令。非易失性存儲器件200響應(yīng)于命令執(zhí)行操作，并可以將操作結(jié)果傳送到存儲器控制器100。非易失性存儲器件200通過一個或更多個輸入/輸出(I/O)引腳與存儲器控制器100連接，可以通過所述輸入/輸出(I/O)引腳輸出和/或輸入命令、數(shù)據(jù)、地址、狀態(tài)信號等。圖4示出提供八個I/O引腳1/00到1/07，但是I/O引腳的數(shù)量不限于八(8)。此外，應(yīng)當(dāng)注意，這里所使用的術(shù)語“引腳(pin)”不要求延長的導(dǎo)電元件，而是可以包括任何適合于輸入和/或輸出的端子，例如焊接凸塊(如焊球)、芯片焊盤、封裝焊盤等。為了方便起見，下面的描述將專注于讀操作。存儲器控制器100和非易失性存儲器件200可以被分別單獨(dú)地封裝到不同的封裝中，并且這些不同的封裝可以被一起密封到單個封裝中(例如，在堆疊封裝結(jié)構(gòu)中)，或者，存儲器控制器100和非易失性存儲器件200可以是堆疊芯片，或者被一起安裝在印刷電路板襯底上，然后被一起封裝到單個封裝中。存儲器件110可以被用作CPU120的操作存儲器。存儲器件110可以由動態(tài)RAM(DRAM)或靜態(tài)RAM(SRAM)實現(xiàn)。讀重試表115存儲關(guān)于在對非易失性存儲器件200的讀操作中的讀電平的信息。關(guān)于讀電平的信息可以是關(guān)于讀操作期間用來讀取存儲單元的狀態(tài)的讀電壓的信息。例如，讀電平可以導(dǎo)致特定的讀電壓被非易失性存儲器施加于期望被讀取的頁面的字線一不同的讀電平將導(dǎo)致不同的讀電壓在后續(xù)的讀操作(例如，讀重試操作)中被施加于字線。新的讀電平和舊的讀電平之間的差可以被存儲在讀重試表115中。讀重試表115可以在存儲器控制器100內(nèi)的單獨(dú)的存儲器(例如，寄存器)中實現(xiàn)，或者可以在存儲器件110中實現(xiàn)。后面將詳細(xì)描述示范性的讀重試表115。主機(jī)接口130根據(jù)與存儲系統(tǒng)20連接的主機(jī)10的協(xié)議，在主機(jī)10與存儲器控制器100之間接口連接數(shù)據(jù)。ECC電路140檢測并糾正從非易失性存儲器件200讀取的數(shù)據(jù)中的錯誤。非易失性存儲器接口150連接在非易失性存儲器件200與存儲器控制器100之間，以便在非易失性存儲器件200與存儲器控制器100之間傳達(dá)數(shù)據(jù)、地址、命令、和/或狀態(tài)信號等。CPU120通過總線160控制存儲器件110、主機(jī)接口130、ECC電路140、和非易失性存儲器接口150之間的數(shù)據(jù)傳輸。存儲系統(tǒng)20可以是存儲卡、存儲器驅(qū)動器、固態(tài)盤或固態(tài)驅(qū)動器(SSD)、或者管理型NAND(managedNAND)。存儲卡可以是安全數(shù)字(SD)卡或多媒體卡(MMC)。存儲器驅(qū)動器可以是通用串行總線(USB)閃速驅(qū)動器或記憶棒。管理型NAND可以是受控嵌入型NAND芯片(controlled-embeddedNANDchip)。圖3是示出根據(jù)一些實施例的可以是圖1中所示的非易失性存儲器件200的非易失性存儲器件200’的結(jié)構(gòu)的示意圖參考圖3，非易失性存儲器件200’可以包括多個存儲器元件。圖3示出非易失性存儲器件200’具有4-通道(channel)3-存儲體(bank)硬件結(jié)構(gòu)的實施例，但本發(fā)明不限于當(dāng)前實施例。在存儲系統(tǒng)20中，存儲器控制器100和非易失性存儲器件200’通過四個通道A、B、C、和D連接。三個閃速存儲器元件CAO到CA2、CBO到CB2、CCO到CC2、或者CTO到⑶2被連接到通道A、B、C和D中對應(yīng)的一個。然而，顯然通道和存儲體的數(shù)量可以改變。每個存儲器元件可以是存儲器芯片。每個存儲體可以包括一組在不同通道中可以利用相同偏移尋址的存儲器元件。圖4是示出非易失性存儲器件200"的細(xì)節(jié)的詳細(xì)框圖，非易失性存儲器件200"可以是圖1中所示的非易失性存儲器件200。替換地，圖3中所示的存儲器元件CAO到CD2中的每一個可以構(gòu)成圖4的非易失性存儲器件200’’(并且多個非易失性存儲器件200"的CAO到⑶2的整個集合可以是圖1的非易失性存儲器件200)。圖5A是示出根據(jù)一些實施例的圖4中示出的頁面寄存器和讀出放大器220以及存儲單元陣列210的示范性細(xì)節(jié)的電路圖。圖5B是示出根據(jù)其他實施例的圖4中示出的頁面寄存器和讀出放大器220以及存儲單元陣列210的替換示例的電路圖。參考圖4，非易失性存儲器件200包括存儲單元陣列210和存取電路212。圖3中所示的非易失性存儲器件200’中的存儲器元件CAO到CD2中的每一個均可以具有圖4中所示的結(jié)構(gòu)。如上面提到的，編程操作和讀操作可以以頁面為單位執(zhí)行，并且擦除操作可以以存儲器塊為單位執(zhí)行。存儲器塊可以包含多個頁面。圖3的存儲器控制器100和非易失性存儲器件200’通過多個通道相互連接，每一通道均如圖所示連接到多個閃速存儲器元件CAO到⑶2的子集。如圖5A中所示，存儲單元陣列210包括多個NAND存儲單元串210_1、210_2、...、210-m，其連接到相應(yīng)的位線BL1,BL2.BLm。如圖所示，每一NAND存儲單元串210-1、210-2.....210-m包括多個串聯(lián)連接的非易失性存儲單元，它們被插在兩個選擇晶體管之間。例如，NAND存儲單元串210-1包括夾在選擇晶體管STl和選擇晶體管ST2之間的串聯(lián)連接的非易失性存儲單元。如圖所示，選擇晶體管ST3、ST4、ST5和ST6以類似方式針對NAND存儲單元串210-2和210-m連接。串選擇晶體管ST1、ST3和ST5的柵極連接到串選擇線SSL，而地選擇晶體管ST2、ST4和ST6的柵極則連接到地選擇線GSL。串選擇晶體管STUST3和ST5的漏極連接到相應(yīng)的位線BL1、BL2和BLm，而地選擇晶體管ST2、ST4和ST6的源極連接到公共源極線CSL。非易失性存儲單元的柵極連接到字線(圖5A中WLl到WLn其中之一)。NAND存儲單元串可以被布局在一個平面上，或者布局在二維層中，如圖5A中所示。在美國專利No.5，473，563中可以找到NAND閃速存儲器的示范性結(jié)構(gòu)和操作的進(jìn)一步細(xì)節(jié)，通過引用將其整體合并于此。替換地，可以使用晶圓堆疊、芯片堆疊、或單元堆疊在三維中實現(xiàn)存儲單元陣列210，如圖5B中所示。在美國專利No.7，679，133中可以找到3DNAND的示范性結(jié)構(gòu)和操作的細(xì)節(jié)，通過引用將其整體合并于此。NAND存儲單元串中包括的每一非易失性存儲單元可以由存儲一個或更多個比特的閃速電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)單元實現(xiàn)。因此，每一非易失性存儲單元可以由NAND閃速存儲單元實現(xiàn)，例如，存儲一個比特的單電平單元(SLC)，或者存儲至少兩個比特的多電平單元(MLC)。存取電路212響應(yīng)于從外部(例如，存儲器控制器100)接收的命令(或命令集)和地址存取存儲單元陣列210，以便執(zhí)行數(shù)據(jù)存取操作，例如，編程操作、讀操作、或擦除操作。存取電路212包括電壓產(chǎn)生器240、行譯碼器250、控制邏輯260、列譯碼器270、頁面寄存器和讀出放大器(S/A)塊220、Y選通電路230、以及I/O塊280。電壓產(chǎn)生器240響應(yīng)于由控制邏輯260產(chǎn)生的控制碼，產(chǎn)生用于數(shù)據(jù)存取操作所需的電壓。響應(yīng)于控制碼，電壓產(chǎn)生器240產(chǎn)生用于編程操作的編程電壓和編程驗證電壓、用于讀操作的讀電壓和通過電壓、以及用于擦除操作的擦除電壓和擦除驗證電壓，并將這些電壓輸出到行譯碼器250?？刂七壿?60響應(yīng)于從存儲器控制器100接收的控制信號CMD，控制存取電路212的總體操作。例如，在讀操作期間，控制邏輯260可以控制存儲器讀出讀狀態(tài)信息并且將數(shù)據(jù)輸出到存儲器控制器100。響應(yīng)于命令CMD，控制邏輯260還可以將存儲在數(shù)據(jù)寄存器中的數(shù)據(jù)作為讀取的數(shù)據(jù)傳送到存儲器控制器100，以使得在將數(shù)據(jù)傳送到主機(jī)10之前，檢查數(shù)據(jù)的錯誤，并且糾正數(shù)據(jù)中的錯誤。在控制邏輯260的控制下，列譯碼器270譯碼列地址YADD，并將多個選擇信號輸出到Y(jié)選通電路230。頁面寄存器和S/A塊220包括多個分別連接到多個位線的頁面緩沖器。根據(jù)控制邏輯260的控制，頁面緩沖器在讀操作期間可以暫時存儲從存儲單元陣列210讀取的數(shù)據(jù)。此時，每個頁面緩沖器可以使用至少兩個緩沖器實現(xiàn)。在本發(fā)明的實施例中，每個頁面緩沖器包括兩個緩沖器可以是緩存寄存器(例如，包含鎖存器221-11、221-21或221-ml)的第一緩沖器；以及可以是數(shù)據(jù)寄存器(例如，包含鎖存器221-1、221-2或221-m)的第二緩沖器。根據(jù)控制邏輯260的控制，在讀操作期間，每個頁面緩沖器可以擔(dān)當(dāng)讀出和放大連接到每個頁面緩沖器的位線的電壓的S/A。Y選通電路230響應(yīng)于從列譯碼器270接收到的多個選擇信號，控制頁面寄存器和S/A塊220與I/O塊280之間的數(shù)據(jù)傳輸。I/O塊280可以將通過I/O引腳100到107(或數(shù)據(jù)總線)從外部接收的數(shù)據(jù)傳送至IjY選通電路230，并通過I/O引腳100到107(或數(shù)據(jù)總線)將來自選通電路230的數(shù)據(jù)傳送到存儲器控制器100。例如，考慮包含528字節(jié)代碼字(例如，516字節(jié)的原始數(shù)據(jù)或有效載荷數(shù)據(jù)，以及來自ECC的22字節(jié)(或者作為與原始數(shù)據(jù)分離的ECC字節(jié)，或者作為原始數(shù)據(jù)上的ECC操作的結(jié)果))的頁面。Y選通電路230將工作以便順次輸出頁面寄存器和S/A塊220的選擇部分，從而通過I/O塊280輸出一系列528字節(jié)的數(shù)據(jù)(例如，輸出到ECC電路140)。圖6A是用于說明圖1中所示的存儲系統(tǒng)20中的讀重試操作的圖。參考圖6A，當(dāng)讀操作失敗時，存儲系統(tǒng)20改變讀電壓的電平并重試讀操作，以便提高非易失性存儲器件200的可靠性。讀電壓可以是施加于存儲被作為讀取目標(biāo)的數(shù)據(jù)頁面的物理頁面的字線的電壓。包含將要讀取的目標(biāo)頁面的塊中的其他頁面可以具有施加于其字線的通過電壓，足以導(dǎo)通可操作地連接到這些字線的存儲單元晶體管(例如，以柵極連接到這些字線，或者是這些字線的一部分)。關(guān)于改變的電壓電平的信息可以被存儲在讀重試表115中。當(dāng)在存儲單元陣列210上重復(fù)編程或者擦除操作時，由于熱離子發(fā)射、電荷擴(kuò)散、離子雜質(zhì)、編程擾動、高溫應(yīng)力、軟編程、過編程等，單元分布可能改變。該情況下，當(dāng)使用預(yù)定讀電壓(①)執(zhí)行讀操作時，讀操作可能失敗。在MLC中比在SLC中可能更頻繁地發(fā)生讀操作失敗，因為在MLC中單元分布之間的余量比在SLC中更狹窄。為了恢復(fù)讀錯誤，響應(yīng)于從非易失性存儲器件200接收的主數(shù)據(jù)和ECC數(shù)據(jù)，存儲器控制器100可以執(zhí)行ECC，借以糾正已經(jīng)讀取的主數(shù)據(jù)中的錯誤。當(dāng)讀操作中出現(xiàn)的錯誤數(shù)量超過ECC的能力時，存儲器控制器100可以控制非易失性存儲器件200來重復(fù)讀操作。非易失性存儲器件200改變讀電壓，并利用新設(shè)置的讀電壓重試讀操作，重復(fù)該模式，直到讀操作成功為止(或者，確定讀操作不可能成功，并且讀操作被停止)。圖6A代表在讀電壓Vl(①)處失敗的第一次讀操作，跟著是以讀電壓V2(②)失敗的第二次讀操作，跟著是利用V3(③)讀電壓的成功讀操作。讀操作可以被重復(fù)，每一次讀取將讀電壓提高預(yù)定量(從預(yù)定起始電壓開始)，直到數(shù)據(jù)被準(zhǔn)確地讀取為止?；蛘?，多操作可以被重復(fù)，將讀電壓降低預(yù)定量(從預(yù)定起始電壓開始)，直到數(shù)據(jù)被準(zhǔn)確地讀取為止。重復(fù)讀操作(例如利用被更改的讀電壓)，直到讀操作被通過的操作被稱為讀重試操作。在針對頁面的讀重試操作之前的該頁面的初始讀操作被稱為正常讀操作。雖然本公開將隨機(jī)緩存(randomcache,RC)讀操作稱為正常讀，但是這僅僅是一個示例，并且任何讀操作可以影響正常讀操作。通過讀重試操作讀取的數(shù)據(jù)被通過存儲器控制器100傳送到主機(jī)10。非易失性存儲器可以是多電平單元(MLC)NAND閃速存儲器，并且數(shù)據(jù)頁面(經(jīng)受初始讀操作和重試讀操作)可以是存儲在NAND閃速存儲器的物理頁面中的一個或更多個頁面中的一個。例如，LSB(最低有效位)頁面和MSB(最高有效位)頁面可以被存儲在構(gòu)成物理頁面的相同存儲單元中?？紤]兩比特MLCNAND。為了在MLCNAND的兩比特存儲單元中存儲兩比特數(shù)據(jù)，需要四個閾值電平范圍。圖6A僅示出一個閾值分布范圍和單個讀操作參數(shù)的讀電平調(diào)整，但是，預(yù)期可以用圖6A中所示的方式調(diào)整多個參數(shù)。為了從MLCNAND中的物理頁面讀取數(shù)據(jù)頁面，對于某些數(shù)據(jù)頁面，可能需要在不同讀電平下的幾個讀操作(每一讀電平可以是相鄰閾值電平范圍之間的電壓一至少起初在編程之后，并且在由于這里描述的因素所致的任何電壓閾值漂移之前)。因此，不是通過電平設(shè)置操作來改變單個電壓電平，而是可以通過電平設(shè)置操作來改變多個電壓電平。圖6B示出存儲單元的四個閾值電壓范圍，每個閾值電壓范圍代表兩比特數(shù)據(jù)(例如,在分布曲線內(nèi)示出的1/1、1/0、0/1和0/0，其在本例中被稱為MSB/LSB)。在該示例中，為了從物理頁面讀取MSB數(shù)據(jù)頁面，使用電壓分布電平1/0和0/1之間的電壓電平的讀就夠了(例如，在Vla或者V2a)。如果MSB數(shù)據(jù)頁面具有無法糾正的錯誤，則可以用這里針對圖6A描述的方式，執(zhí)行將電壓從Vla改變到V2a并在新的讀電壓電平下再次讀取MSB數(shù)據(jù)頁面的讀重試。但是，為了讀取LSB數(shù)據(jù)頁面(在圖6B的分布曲線內(nèi)示出的第二比特)，需要將多個讀電平施加于目標(biāo)頁面的字線一與MSB數(shù)據(jù)頁面讀取相比，在閾值分布曲線之間的僅一個位置讀取將不足以確定LSB值，并且每一分布范圍之間的讀操作可能是必須的。例如，對于LSB數(shù)據(jù)頁面的單次讀嘗試，可以實施三個操作，每一操作均包含將三個對應(yīng)的電壓電平其中之一施加于對應(yīng)物理頁面的字線，這三個電壓電平位于閾值范1/1、1/0、0/1和0/0中的每一個之間(至少在存儲單元中的Vth電平的任何漂移或者退化之前)。以這樣的方式讀取MLC數(shù)據(jù)頁面是公知的。對于進(jìn)一步的這樣的細(xì)節(jié)，請看在美國專利申請公開No.2008/0144370中描述的各種示例，該公開通過引用被全部包含于此。圖6B代表在Ne、Vla和Vlb下對LSB數(shù)據(jù)頁面的第一次讀嘗試。該示例中，假定對LSB數(shù)據(jù)頁面的第一次讀嘗試包括無法由啟動讀重試的ECC電路140糾正的錯誤。圖6B的示例示出調(diào)整在LSB讀取中使用的讀電壓中的兩個的電壓電平，將Vla改變到V2a，將Vlb改變到V2b。該示例中，保留電壓電平Vc不改變。當(dāng)確定被編程到某些電壓閾值范圍的存儲單元比其他的更易于退化或者漂移時，和/或當(dāng)在相鄰的閾值范圍之間提供了較大的Vth間隙時，可能期望改變電壓電平中的某些而非改變所有的電壓電平可能。例如，可以確定處于擦除狀態(tài)1/1的存儲單元不像被編程到0/1狀態(tài)的那些漂移的那么多，因此，將讀電平Vc改變到新電平幾乎沒有益處。雖然圖6表示改變?nèi)齻€電壓中的兩個的電平以供在后續(xù)的LSB數(shù)據(jù)頁面的讀重試操作中使用的電平設(shè)置操作，但是，對于單次讀重試操作，全部三個電壓都可以被改變。類似地，利用電平設(shè)置操作，讀電壓電平中可以只有一個被改變。最后，應(yīng)當(dāng)注意，為了討論簡潔，只示出了初始正常讀操作(在電壓Vc、vla和Vlb)和單次讀重試操作(在電壓Vc、V2a和V2b)。但是與圖6A—樣，預(yù)期如果需要則可以實施多次讀重試。如所討論的，電平設(shè)置操作可以影響一組操作參數(shù)，例如用于后續(xù)讀重試的一組讀電壓電平。雖然這里描述的一些實施例可能提到改變單個電壓電平，但這是為了容易描述。這里描述的所有實施例都預(yù)想了以下修改除了在讀重試操作(或者在電平設(shè)置操作)中修改的單個操作參數(shù)(例如，電壓電平)以外，多個操作參數(shù)(例如，復(fù)數(shù)個電壓電平)可以被電平設(shè)置操作改變。這些替換實施例的操作可以包括在第一次讀取(其可以是正常讀或者讀重試讀)期間，將第一組讀基準(zhǔn)電壓(例如，順次地，以便在用來識別MLC非易失性存儲單元中的數(shù)據(jù)的多個比特的毗鄰閾值范圍之間進(jìn)行區(qū)分)施加于第一物理頁面的字線，以確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)；以及，在第二次讀取(例如，讀重試讀)期間，將不同的第二組讀基準(zhǔn)電壓施加于第一物理頁面的字線，以確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)。直到確定讀操作不成功為止重復(fù)執(zhí)行讀取的次數(shù)可以根據(jù)單元分布的變化而增大。每當(dāng)讀計數(shù)(例如，索引“i”)增大時，讀重試表115可以存儲讀電平的變化(該變化可以被存儲為讀電壓之間的差，可以存儲用于每一重試的百分比或者全部讀電壓)。讀計數(shù)可以被預(yù)先確定。圖7A是示出讀重試操作的序列作為比較示例的定時圖。圖7B到圖7D是示出根據(jù)示范性實施例的讀重試操作的序列的定時圖。在圖7B到圖7D中，對目標(biāo)頁面的正常讀操作可能已經(jīng)發(fā)生了(但是未示出)(例如，其可能恰好在如圖7A到圖7D中所描繪的對目標(biāo)頁面的讀重試操作之前)。在其他實施例中，這樣的目標(biāo)頁面的正常讀操作可以在圖7B到圖7D的第一次讀重試操作的開始處正在進(jìn)行中。參考圖7A，讀操作的持續(xù)時間包括目標(biāo)讀電平設(shè)置時間tSet、讀取時間tR、讀取數(shù)據(jù)輸出時間tDout、和ECC糾正時間tECC。目標(biāo)讀電平設(shè)置時間tSet可以是改變并設(shè)置讀電平所花費(fèi)的時間量。例如，在該時間tSet期間的操作可以包括訪問讀重試表115以確定新的讀電平、將命令與新的讀電平一起從存儲器控制器100發(fā)送到非易失性存儲器件200，以及響應(yīng)于在新的讀電平讀取的命令，將非易失性存儲器件200在內(nèi)部設(shè)置為準(zhǔn)備好開始在新的讀電平讀取。作為另一示例，時間tSet可以是非易失性存儲器訪問非易失性存儲器內(nèi)部的寄存器或表以確定新的讀電平、并在內(nèi)部將用于目標(biāo)頁面的字線電壓產(chǎn)生器設(shè)置為新的讀電平的時間量。讀時間tR可以是從存儲單元陣列讀取數(shù)據(jù)并將數(shù)據(jù)存儲在緩存寄存器中所花費(fèi)的時間。例如，該時間tR可以包括將讀命令從存儲器控制器100發(fā)送到非易失性存儲器件200，并執(zhí)行非易失性存儲器件200內(nèi)部的讀操作以便將數(shù)據(jù)頁面(例如代碼字)從非易失性存儲器件200的物理頁面?zhèn)魉偷巾撁婕拇嫫骱蚐/A220。替換地，時間tR可以不包括將讀命令從存儲器控制器100發(fā)送到非易失性存儲器；這里所公開的所有實施例都預(yù)期以下替代情況新的讀命令是不必要的，并且非易失性存儲器參考從先前的讀命令接收的地址來確定目標(biāo)頁面(在本公開的其他地方有這樣的替代情況的示范性細(xì)節(jié))。在該替換實施例中，讀重試操作可以被存儲器控制器接收的電平設(shè)置命令開始(在本實例中其可以為具有電平設(shè)置信息的讀命令)，或者，如果從非易失性存儲器內(nèi)部的源獲取讀電平信息，則讀重試操作可以自動開始(例如，在先前的讀重試操作已經(jīng)完成之后)，或者，可以利用來自存儲器控制器的信號(例如，一個或更多個I/O線上的翻轉(zhuǎn)信號或者命令)開始。讀取數(shù)據(jù)輸出時間tDout可以是將數(shù)據(jù)寄存器(例如，頁面寄存器和S/A220)中的數(shù)據(jù)輸出到非易失性存儲器200外部的源(例如，存儲器控制器100)所花費(fèi)的時間量。ECC糾正時間tECC可以是糾錯電路140分析接收到的數(shù)據(jù)頁面(例如代碼字)以確定在數(shù)據(jù)頁面中是否存在錯誤所花費(fèi)的時間。在一些示例中，tECC也可以包括確定錯誤是否可糾正的時間，并且，如果錯誤可糾正，tECC也可以包括糾正錯誤。在圖7A中所示的比較示例中，當(dāng)讀重試被執(zhí)行了N次時，總的讀重試持續(xù)時間是目標(biāo)讀電平設(shè)置時間tSet、讀取時間tR、讀取數(shù)據(jù)輸出時間tDout、和ECC糾正時間tECC之和乘以讀重試的次數(shù)N。然而，當(dāng)連續(xù)讀重試的至少某些部分被同時執(zhí)行時，總的讀重試持續(xù)時間降低。如圖7B的示例中所示，輸出第一次讀操作中讀取的第一數(shù)據(jù)(例如，輸出到存儲器控制器100)并在這個第一數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC(例如，由ECC電路140)的操作被與在接下來的第二次讀操作中讀取第二數(shù)據(jù)的操作并行地執(zhí)行。因此，兩個緊接的讀重試操作的總時間被減少了第一次讀操作的數(shù)據(jù)輸出時間tDout與ECC糾正時間tECC之和。如將要指出的，由于順序讀重試操作的并行操作，對于每一讀重試獲得類似的時間節(jié)省。具體來說，在圖7B中所示的定時圖中，在第一讀重試(①)中，第一讀電壓在目標(biāo)讀電平設(shè)置時間tSet期間被設(shè)置，并且在讀取時間tR期間，第一重試數(shù)據(jù)被讀取并暫時存儲在第一寄存器中，例如頁面寄存器和S/A220中的緩存寄存器221-11。該示例中，由于在第二寄存器，即數(shù)據(jù)寄存器221-1中沒有先前的數(shù)據(jù)，所以在讀取時間tR期間，在存儲單元陣列210中不發(fā)生數(shù)據(jù)輸出。在第二讀重試(②)中，在目標(biāo)讀電平設(shè)置時間tSet期間，讀電平被從第一讀電壓設(shè)置到第二讀電壓。第一讀重試數(shù)據(jù)被從第一緩沖器(例如，緩存寄存器211-11到221-ml)移動到第二緩沖器(例如，數(shù)據(jù)寄存器221-1到221-m)。在讀取時間tR期間，第二重試數(shù)據(jù)被讀取并暫時存儲在頁面寄存器和S/A塊220中的第一緩沖器中。此時，當(dāng)?shù)谝痪彌_器在讀取時間tR期間從存儲單元陣列210的物理頁面讀取第二重試數(shù)據(jù)并將其暫時存儲的同時，第二緩沖器將先前存儲于其中的第一重試數(shù)據(jù)輸出到存儲器控制器100(讀數(shù)據(jù)輸出時間tDout)，并且存儲器控制器100糾正第一重試數(shù)據(jù)中的錯誤(ECC糾正時間tECC)。即便存儲器控制器100(ECC電路140)還未確定第一重試數(shù)據(jù)中的錯誤的數(shù)量超過ECC電路140的能力，存儲器控制器100也可以命令非易失性存儲器件200利用不同的讀電平來重復(fù)讀操作(例如，存儲器控制器100可以在確定第一重試數(shù)據(jù)中的錯誤是否可通過ECC操作糾正之前，將讀重試命令發(fā)出到非易失性存儲器件200)。在圖7B的示例中，利用第一重試數(shù)據(jù)被從非易失性存儲器件200發(fā)送到存儲器控制器100和ECC電路140的ECC操作之前的時間tSet設(shè)置的第二目標(biāo)讀電平開始后續(xù)讀重試(第二讀重試)。當(dāng)讀操作被重復(fù)時，在第N個讀重試中，第N讀電壓在目標(biāo)讀電平設(shè)置時間tSet期間被設(shè)置，并且第N重試數(shù)據(jù)在讀取時間tR期間被讀取并存儲在頁面寄存器和S/A塊220中的第一緩沖器(221-11到221-ml)中。此時，當(dāng)?shù)谝痪彌_器221-11在讀取時間tR期間從存儲單元陣列210讀取第N重試數(shù)據(jù)并將其暫時存儲的同時，第二緩沖器(221-ldao221-m)將先前存儲于其中的第(N_l)重試數(shù)據(jù)輸出到存儲器控制器100(讀數(shù)據(jù)輸出時間tDout)，并且存儲器控制器100糾正第(N-1)重試數(shù)據(jù)中的錯誤(ECC糾正時間tECC)。當(dāng)?shù)?N-1)重試數(shù)據(jù)中的錯誤的數(shù)量在ECC的能力以內(nèi)時，存儲器控制器100可以終止非易失性存儲器件200的讀操作，并將第(N-1)重試數(shù)據(jù)傳送到主機(jī)10。或者，當(dāng)?shù)?N-1)重試數(shù)據(jù)中的錯誤的數(shù)量在ECC的能力以內(nèi)時，存儲器控制器100可以簡單地忽略非易失性存儲器200的與第N次讀重試相關(guān)聯(lián)的后續(xù)操作(例如，無法輸入第N讀重試數(shù)據(jù))。因此，當(dāng)在當(dāng)前讀操作中，在讀取時間tR期間，數(shù)據(jù)在非易失性存儲器件200中被內(nèi)部讀取(例如，從存儲單元陣列210的物理頁面到第一緩沖器)的同時，先前讀取的數(shù)據(jù)被從非易失性存儲器件200輸出(tDout)到存儲器控制器100，然后經(jīng)受存儲器控制器100的ECC(tECC)，所以，總的讀重試持續(xù)時間(經(jīng)多次讀重試)可以被降低。當(dāng)總的讀重試持續(xù)時間降低時，可以提高非易失性存儲器件200的讀取速度，從而提高存儲系統(tǒng)20的性能。此夕卜，為了提高可靠性，在相同或者更少的時間內(nèi)可以執(zhí)行額外的讀重試操作。在圖7B中示出，讀取數(shù)據(jù)輸出時間tDout與ECC糾正時間tECC之和與讀取時間tR類似，但是本發(fā)明不限于此。如圖7C中所示，讀取數(shù)據(jù)輸出時間tDout可以比讀取時間tR更長，反之亦然。當(dāng)讀取數(shù)據(jù)輸出時間tDout比讀取時間tR更長時,讀取數(shù)據(jù)輸出時間tDout可以不是連續(xù)的，并且可以被中斷，例如利用目標(biāo)讀電平設(shè)置操作中斷(時間tSet)，所以讀取數(shù)據(jù)輸出時間tDout可以是不連續(xù)的，如圖7D中所示。例如，讀取數(shù)據(jù)輸出時間tDout可以被劃分為至少兩部分?jǐn)?shù)據(jù)輸出時間tP(在圖7D中示出了用于每一讀操作(例如頁面讀)的三部分?jǐn)?shù)據(jù)輸出時間tP3)。數(shù)據(jù)輸出時間tP的部分可以是將非易失性存儲器的數(shù)據(jù)寄存器中的數(shù)據(jù)的一部分輸出到非易失性存儲器外部的位置(例如，輸出到存儲器控制器100)所花費(fèi)的時間量。每一部分可以是總頁面的例如一半、四分之一，或者，針對每一讀操作是可變的。目標(biāo)讀電平設(shè)置操作(在時間tSet期間)可以在時間tB期間被插在數(shù)據(jù)輸出時間tP的兩部分之間(這里，在數(shù)據(jù)輸出的第一和第二部分tPptP2與數(shù)據(jù)輸出的第三部分tP3之間)。圖8是示出根據(jù)一些實施例的由存儲器控制器100發(fā)送到圖1中所示的非易失性存儲器件200的示范性命令碼的圖。圖9是示出根據(jù)一些實施例的從非易失性存儲器件200輸出到存儲器控制器100的狀態(tài)信號的圖。參考圖8，存儲器控制器100通過I/O引腳1/00到1/07輸出用于控制非易失性存儲器件200的操作的命令。根據(jù)將要控制的操作，命令可以與非易失性存儲器件200中的數(shù)據(jù)的地址一起發(fā)送。該地址可以在插在命令的第一周期和第二周期之間的多個周期上被發(fā)送。例如，整個輸出可以包含OOh、addOh、addlh、add2h、add3h、add4h和30h,其中,OOh和30h分別包含命令第一周期和第二周期，并且addOh、addlh、add2h、add3h和add4h包含地址(例如，總地址addOh、addIh、add2h、add3h和add4h的被順序發(fā)送的部分中的每一個包含8比特的總地址部分，每一8比特部分被并行發(fā)送)。例如，在讀操作中，存儲器控制器100可以按順序?qū)⒚?0h、要被讀取的數(shù)據(jù)的地址和命令30h發(fā)送到非易失性存儲器件200。因此，非易失性存儲器件200使用頁面寄存器和S/A塊220從存儲單元陣列210讀取被地址選擇的頁面的數(shù)據(jù)，并將數(shù)據(jù)輸出到存儲器控制器100。此時，存儲器控制器100可以將命令70h發(fā)送到非易失性存儲器件200來檢查非易失性存儲器件200的讀狀態(tài)。響應(yīng)于命令70h，非易失性存儲器件200可以通過一個或更多個1/0引腳(例如1/05和1/06)將就緒或繁忙信號發(fā)送到存儲器控制器100。存儲器控制器100基于就緒或繁忙信號來檢測讀操作是否已被完成。在一些實施例中，可以使用‘用于讀重試的讀(readforreadretry)’命令來開始讀重試?！糜谧x重試的讀’命令可以是新定義的命令，或者是常規(guī)讀命令其中之一——例如，‘隨機(jī)緩存(RC)讀’命令。例如，如果‘用于讀重試的讀’命令是新命令，則其可以簡單地由迥異于其他命令碼(可以在非易失性存儲器的設(shè)計階段分配碼xxh)的第一周期命令碼(例如，8比特)組成——該示例中，不需要與新的‘用于讀重試的讀’命令一起提交地址信息。在作為‘用于讀重試的讀’命令輸入到非易失性存儲器的命令譯碼器后，非易失性存儲器200識別這個獨(dú)特的‘用于讀重試的讀’命令，并開始對先前讀過的頁面的讀重試。將要利用‘用于讀重試的讀’操作讀取的頁面可以由最近讀取過的頁面或者次最近(或第三最近、第四最近等)讀取過的頁面(例如，與利用最后讀取的命令或次最后讀取的命令接收的地址相關(guān)聯(lián)的頁面)的地址識別。以這樣的方式使用新命令將允許快速命令周期而不必將地址信息從存儲器控制器100重新發(fā)送到非易失性存儲器200。與非易失性存儲器的流水線ECC/讀取相比，要利用獨(dú)特的‘用于讀重試的讀’命令讀取的頁面是最近讀取的頁面還是較早讀取的頁面可以依賴于ECC操作的定時。如果ECC操作在發(fā)出新的正常讀命令到非易失性存儲器200之前，在讀取的數(shù)據(jù)頁面中檢測到無法糾正的錯誤，則非易失性存儲器200可以針對最近讀取的頁面執(zhí)行‘用于讀重試的讀’命令。但是，如果ECC操作在發(fā)出一個或更多個新的正常讀命令之后，在讀取的數(shù)據(jù)頁面中檢測到無法糾正的錯誤，則讀重試命令應(yīng)當(dāng)被針對該讀取頁面執(zhí)行。例如，假定針對第一頁面發(fā)出讀命令。如果n(n為整數(shù))個讀命令在發(fā)出針對第一頁面的讀命令之后但是在檢測到讀取的第一頁面的無法糾正的錯誤之前被發(fā)出到非易失性存儲器，則要經(jīng)受‘用于讀重試的讀’操作的頁面可以是由與先前的n+1個讀命令一起被接收的地址(即第一頁面的地址)來識別的那個。例如，如果在檢測到讀取頁面的無法糾正錯誤之前，一個正常讀命令已被發(fā)送到非易失性存儲器，則‘用于讀重試的讀’命令應(yīng)當(dāng)被針對由非易失性存儲器接收到的次之最后讀命令執(zhí)行?？梢曰谝阎腅CC/讀操作的流水線定時(這可以在設(shè)計階段被設(shè)置)預(yù)先確定要使用哪個地址?；蛘?，存儲器控制器100可以用當(dāng)前已知的命令格式，例如隨機(jī)緩存讀命令，發(fā)送‘用于讀重試的讀’命令(其中，要被讀取的頁面地址被與讀命令以例如上述方式一起重新發(fā)送)。RC讀是這樣的操作當(dāng)ECC失敗(例如，在緩存讀操作中)時，讀命令與存儲其讀取已失敗的數(shù)據(jù)的頁面(此后稱為目標(biāo)頁面)的地址一起被發(fā)送到非易失性存儲器件200，并且非易失性存儲器件200在目標(biāo)頁面上執(zhí)行讀重試(響應(yīng)于讀命令，其可以只在目標(biāo)頁面上而不讀取其他頁面)。這里公開的很多實施例描述了使用隨機(jī)緩存(RC)讀命令作為‘用于讀重試的讀’命令，但是本發(fā)明不限于此，并且所有這些實施例都預(yù)想使用其他的命令(無論是其他的正常讀命令還是獨(dú)特的‘用于讀重試的讀’命令)。圖9示出當(dāng)存儲器控制器100發(fā)送命令到非易失性存儲器件200來檢查非易失性存儲器件200的狀態(tài)時，被非易失性存儲器件200發(fā)送到存儲器控制器100的I/O引腳I/00到1/07的信號。八個I/O引腳1/00到1/07也是數(shù)據(jù)被輸入非易失性存儲器件200或者從其輸出所通過的引腳。I/O引腳1/00到1/07中的一個或更多個輸出向存儲器控制器100通知非易失性存儲器件200的狀態(tài)的信號。例如，I/O引腳1/00輸出指示關(guān)于編程操作或者擦除操作的狀態(tài)的信號。當(dāng)編程或者擦除操作已經(jīng)成功時，I/O引腳1/00輸出低信號“0”，否則，其輸出高信號“I”。I/O引腳1/05示出指示存儲單元陣列210在緩存操作期間是否忙于操作(例如，編程操作或者擦除操作)的陣列R/B信號。例如，陣列R/B信號可以指示非易失性存儲器件200是否正將暫時存儲在緩存寄存器221-ml中的數(shù)據(jù)發(fā)送到數(shù)據(jù)寄存器221-m，和/或正在將從存儲單元陣列210的目標(biāo)頁面讀取的數(shù)據(jù)暫時存儲在緩存寄存器221-ml中。當(dāng)非易失性存儲器件200正在執(zhí)行操作時，輸出處于邏輯低“0”的陣列R/B信號來指示存儲單元陣列210繁忙。這里，由非易失性存儲器件200對引腳1/05上的邏輯低“0”的斷言可以是用于存儲器控制器100并由其檢測的標(biāo)志，但作為替換，該標(biāo)志可以是非易失性存儲器件的邏輯高“I”斷言。當(dāng)非易失性存儲器件200并非正在執(zhí)行這個操作而是待機(jī)時，輸出處于邏輯高“I”的陣列R/B信號。當(dāng)存儲單元陣列210繁忙時，對于某些非易失性存儲器件來說可能無法調(diào)整讀電壓(例如，利用電平設(shè)置命令)。因此，I/O引腳上的陣列R/B信號可以用來通知控制器不發(fā)送電平設(shè)置命令。但是，此時例如新的讀命令、‘用于讀重試的讀’命令、擦除命令和/或?qū)懟蚓幊堂畹钠渌钣锌赡鼙环且资源鎯ζ骷?00接收。I/O引腳1/06輸出主機(jī)R/B信號。主機(jī)R/B信號可以指示非易失性存儲器件200的操作狀態(tài)(例如，編程、擦除和/或讀操作)。另外，或者額外地，主機(jī)R/B信號可以指示非易失性存儲器件200是否能夠接受進(jìn)一步的命令，例如，主機(jī)10或者存儲器控制器100是否能夠?qū)⑿碌拿?例如，新的讀、寫或者擦除命令)發(fā)送到非易失性存儲器件200。在本發(fā)明的當(dāng)前實施例中，主機(jī)R/B信號可以指示數(shù)據(jù)寄存器221-m是否具有從目標(biāo)頁面通過I/0塊280讀取到存儲器控制器100的要被輸出的數(shù)據(jù)(例如，輸出到存儲器控制器100)。當(dāng)非易失性存儲器件200不能接受新的命令時，輸出處于邏輯低“0”的主機(jī)R/B信號。當(dāng)非易失性存儲器件200能夠接受新的命令時(例如，存儲器件200正在待機(jī))，輸出處于邏輯高“I”的主機(jī)R/B信號。這里，由非易失性存儲器件200對引腳1/06上的邏輯低“0”的斷言可以是用于存儲器控制器100并由其檢測的標(biāo)志，但是作為替換，該標(biāo)志可以是非易失性存儲器件的邏輯高“I”斷言。主機(jī)R/B信號可通過特殊引腳(例如，主機(jī)R/B引腳)而非I/O引腳1/06被輸出。陣列R/B信號也可以通過特殊引腳而非I/O引腳1/05被輸出。主機(jī)R/B信號和陣列R/B信號也可以通過一個引腳(例如I/O引腳中的一個或者特殊引腳)被輸出。因此，陣列R/B信號(例如，在1/05上)可以是指示非易失性存儲器件200的內(nèi)部操作是否已被完成的狀態(tài)信號，并且主機(jī)R/B信號(例如，在1/06上)可以是指示非易失性存儲器件200是否能夠被外部設(shè)備(例如主機(jī)10或者存儲器控制器100)訪問的狀態(tài)信號。圖1OA是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的圖1中所示的存儲系統(tǒng)20的操作的定時圖。圖1OB是示出根據(jù)圖1OA中所示的實施例的存儲系統(tǒng)20的操作的圖。圖1OA示出從存儲器控制器100傳送到非易失性存儲器件200的命令信號CMD、主機(jī)R/B信號和指示非易失性存儲器件200的內(nèi)部操作狀態(tài)的陣列R/B信號。參考圖8到圖10B，存儲器控制器100應(yīng)主機(jī)10的請求，將正常讀命令，例如由OOh和Olh表達(dá)的讀命令，通過數(shù)據(jù)引腳I/Ox(“x”是自然數(shù))發(fā)送到非易失性存儲器件200。此時，正常讀操作的持續(xù)時間由“al”代表。在執(zhí)行讀操作之前，存儲器控制器100可以將命令70h，即讀狀態(tài)命令發(fā)送到非易失性存儲器件200來檢查主機(jī)R/B和陣列R/B。換句話說，存儲器控制器100使用讀狀態(tài)命令檢查非易失性存儲器件200是準(zhǔn)備好讀操作(即處于讀就緒狀態(tài))，還是正忙于執(zhí)行讀操作(即處于讀繁忙狀態(tài))。響應(yīng)于命令70h，非易失性存儲器件200可以通過I/O引腳1/00到1/07中的一個或更多個發(fā)送指示非易失性存儲器件200的狀態(tài)的數(shù)據(jù)。此時，I/O引腳1/05可以輸出主機(jī)R/B信號,而I/O引腳1/06可以輸出陣列R/B信號。例如，如圖1OA中所示，在某些時間，陣列R/B信號(1/06)是“0”，盡管主機(jī)R/B信號(1/05)已將“0”轉(zhuǎn)換到“1”，指示非易失性存儲器件200正忙于執(zhí)行當(dāng)前操作，雖可以接受某個命令，但也不一定即刻應(yīng)某個命令而動。例如，非易失性存儲器件200可以接受新的讀命令，但是，直到陣列R/B信號從“0”轉(zhuǎn)換到“I”才執(zhí)行新的讀命令。但是，非易失性存儲器件200可能不能接受電平設(shè)置命令，直到陣列R/B信號(1/06)從低轉(zhuǎn)換到高為止。假定一個正常讀命令序列，其中，每一讀取的數(shù)據(jù)頁面隨后經(jīng)受ECC操作。每一ECC操作可以包括分析以檢測讀取的數(shù)據(jù)頁面中的錯誤、確定所檢測的錯誤是否可糾正、如果錯誤可糾正則糾正錯誤，和/或，發(fā)信號通知讀取的頁面包含無法糾正的錯誤。在某些序列中可以實施讀重試，如圖1OA的定時圖和圖1OB的框圖所示。在時間al期間，正常讀命令被從存儲器控制器100發(fā)出到非易失性存儲器200以讀取目標(biāo)頁面(這里是頁面#k)。當(dāng)非易失性存儲器件200接收到正常讀命令時，目標(biāo)頁面頁面#k被讀取，并且讀取的目標(biāo)頁面頁面#k的數(shù)據(jù)被通過頁面寄存器和S/A塊220輸出到存儲器控制器100，并且ECC電路140在讀取的目標(biāo)頁面頁面#k的數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC。具體來說，從存儲單元陣列210讀取的被讀取頁面#1^數(shù)據(jù)被暫時存儲在緩存寄存器221-11中，并被傳送到數(shù)據(jù)寄存器221-1，然后被從非易失性存儲器200傳送到存儲器控制器100，在存儲器控制器100，ECC電路在讀取的數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC。此時，在讀取時間tR期間，主機(jī)R/B信號和陣列R/B信號都被在邏輯低“0”輸出，這指示讀操作正在被執(zhí)行。當(dāng)主機(jī)R/B信號和陣列R/B信號從“0”轉(zhuǎn)換到“I”時，數(shù)據(jù)寄存器221-1中的正常讀取數(shù)據(jù)被輸出，并且ECC電路140在讀取的頁面#k數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC。當(dāng)讀取的頁面#k數(shù)據(jù)中的錯誤不可以被ECC糾正(例如，如果發(fā)生ECC失敗)時，則存儲器控制器100命令非易失性存儲器件200執(zhí)行讀重試。在時間a2期間的第二次讀操作期間，存儲器控制器100可以在讀重試之前設(shè)置新的讀電平。此時，通過使用讀重試表115，將當(dāng)前讀電平增大或者減小預(yù)定值，或者將當(dāng)前讀電平增大或者減小到預(yù)定值，讀電平可以被重新設(shè)置。在確定讀操作失敗之前，也可以在讀重試表115中預(yù)先確定讀電平重新設(shè)置的次數(shù)，即，要在特定頁面上執(zhí)行讀重試嘗試的次數(shù)，以便限制讀重試的次數(shù)。此外，存儲在讀重試表115中的值可以代表新的讀電平，或者代表從舊的讀電平的增量或者減量(例如，電壓增量/減量，或者百分比增量/減量)。在時間a2期間的電平設(shè)置操作之后，非易失性存儲器件200從存儲器控制器100接收RC讀命令(隨機(jī)緩存讀命令)和用于頁面#k的地址。非易失性存儲器件200響應(yīng)于RC讀命令，對頁面#k執(zhí)行第二次讀操作。非易失性存儲器件200從目標(biāo)頁面頁面#1^讀取數(shù)據(jù)(S卩，第一重試數(shù)據(jù))，并將第一重試數(shù)據(jù)暫時存儲在緩存寄存器221-11中。為了在非易失性存儲器件200中的目標(biāo)頁面頁面#1上執(zhí)行讀重試，主機(jī)R/B信號需要從“I”轉(zhuǎn)換到“O”。但是，即使非易失性存儲器件200在讀取時間tR期間實際上正在緩存寄存器221-11上執(zhí)行讀重試，主機(jī)R/B信號只可以在數(shù)據(jù)寄存器221-1的操作的結(jié)束被確認(rèn)之后從“0”轉(zhuǎn)換到“I”(tDCBSYR)。換句話說，即使在主機(jī)R/B轉(zhuǎn)換到“I”時，非易失性存儲器件200實際上也可以正在執(zhí)行讀重試(從頁面#k讀取數(shù)據(jù))。因此，存儲器控制器100監(jiān)測陣列R/B信號以便檢測讀重試完成的時間點(diǎn)，并在陣列R/B信號從“0”轉(zhuǎn)換到“I”時開始第三次讀操作(即在時間a3的第二讀重試)。在時間a3的這個第二讀重試可以在第一讀重試數(shù)據(jù)(即，從時間a2的第一讀重試操作產(chǎn)生的讀取數(shù)據(jù))上的ECC操作完成之前被執(zhí)行，或者甚至在第一讀重試數(shù)據(jù)上的ECC操作開始之前被執(zhí)行。將會很清楚，該示例中，甚至在第一讀重試讀取數(shù)據(jù)被傳送到存儲器控制器100之前，第二讀重試命令就被發(fā)送，并且第二讀重試操作被在頁面#k上(在時間a3)開始。同時，在時間a2，由于數(shù)據(jù)寄存器221-1中的正常讀取數(shù)據(jù)(來自時間al期間頁面#k的正常讀操作)在ECC中已經(jīng)失敗，從非易失性存儲器件200到存儲器控制器100的任何數(shù)據(jù)輸出，和/或在這個數(shù)據(jù)上的任何ECC操作，在時間a2期間可以被忽略，即，或者在時間a2期間可以不執(zhí)行這些操作。在時間a3期間，存儲器控制器100在第二讀重試之前將讀電平設(shè)置到新值。此時，以如上所述的方式使用讀重試表115，可以設(shè)置新的讀電平。還是在時間a3期間，在新的讀電平被設(shè)置之后，非易失性存儲器件200從存儲器控制器100接收RC讀命令和識別頁面#k的地址。存儲器控制器100件200響應(yīng)于RC讀命令，執(zhí)行頁面#k的第三次讀操作(頁面#k的第二讀重試操作)。非易失性存儲器件200將已暫時存儲在緩存寄存器221-11中的第二次讀取數(shù)據(jù)，即第一重試數(shù)據(jù)，傳送到數(shù)據(jù)寄存器221-1，從目標(biāo)頁面頁面#k讀取數(shù)據(jù)(即第二重試數(shù)據(jù))，并將第二重試數(shù)據(jù)暫時存儲在緩存寄存器221-11中。在時間a3的第三次讀操作期間，數(shù)據(jù)被從頁面#1^再次讀取，并被存儲在緩存寄存器221-11中(即頁面#k的第二重試數(shù)據(jù))，數(shù)據(jù)寄存器221-1在讀取數(shù)據(jù)輸出時間tDout期間將第一重試數(shù)據(jù)(即頁面#1^的第二次讀取數(shù)據(jù))輸出到存儲器控制器100，并且存儲器控制器100在時間a3的ECC糾正時間tECC期間，在第一重試數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC。存儲器控制器100根據(jù)在第一重試數(shù)據(jù)上的ECC操作的結(jié)果，確定是否執(zhí)行第三讀重試(即，頁面#k上的第四次讀操作)。在第三次讀操作期間，為了允許非易失性存儲器件200中的目標(biāo)頁面頁面#1上的讀重試，主機(jī)R/B信號(1/05)從“I”轉(zhuǎn)換到“O”。即使非易失性存儲器件200在讀取時間tR期間實際上正在緩存寄存器221-11上執(zhí)行讀重試，主機(jī)R/B信號可以從“0”轉(zhuǎn)換到“I”(tDCBSYR)。因此，存儲器控制器100監(jiān)測陣列R/B信號(1/06)以便檢測讀重試完成的時間點(diǎn)。當(dāng)?shù)诙x重試數(shù)據(jù)已經(jīng)被從頁面#k讀取到緩存寄存器221-11并且第一重試數(shù)據(jù)已經(jīng)被從緩存寄存器221-11和數(shù)據(jù)寄存器221-1傳送時，陣列R/B信號從“0”轉(zhuǎn)換到“I”。此時，存儲器控制器100接收第一重試數(shù)據(jù)，并使用ECC電路140在第一重試數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC。如果作為這個ECC操作的結(jié)果出現(xiàn)ECC失敗(例如，確定第一重試數(shù)據(jù)具有無法糾正的錯誤)，則存儲器控制器100命令非易失性存儲器件200在時間a4在頁面#k上執(zhí)行第三讀重試(即第四次讀操作)。為了這個說明的目的，假定ECC失敗確實在第一讀重試數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC操作時出現(xiàn)，因此，第三讀重試被執(zhí)行。在時間a4期間的第四次讀操作期間，在第三讀重試之前，存儲器控制器100將讀電平設(shè)置到新值。此時，使用讀重試表115來設(shè)置新的讀電平。還是在時間a4期間，在新的讀電平被設(shè)置之后，非易失性存儲器件200從存儲器控制器100接收RC讀命令和頁面#k的地址。響應(yīng)于RC讀命令，非易失性存儲器件200在頁面#k上執(zhí)行第三讀重試(第四次讀操作)。在時間a4期間，非易失性存儲器件200將暫時存儲在緩存寄存器221-11中的頁面#k的第二重試數(shù)據(jù)(頁面#k的第三次讀取數(shù)據(jù))傳送到數(shù)據(jù)寄存器221-1，將第二重試數(shù)據(jù)從數(shù)據(jù)寄存器221-1輸出到存儲器控制器100，從目標(biāo)頁面頁面#1^讀取數(shù)據(jù)(即第三重試數(shù)據(jù))，并將第三重試數(shù)據(jù)暫時存儲在緩存寄存器221-11中。在時間a4頁面#k上的第三讀重試操作正被執(zhí)行并且相關(guān)聯(lián)的讀取數(shù)據(jù)在讀取時間tR期間被存儲在緩存寄存器221-11中的同時，數(shù)據(jù)寄存器221-1在讀取數(shù)據(jù)輸出時間tDout期間將第二重試數(shù)據(jù)輸出到存儲器控制器100，并且存儲器控制器100在ECC糾正時間tECC期間在第二重試數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC。存儲器控制器100根據(jù)ECC的結(jié)果確定是否開始頁面#k上的第五次讀操作，即第四讀重試。在第三讀重試操作期間，為了允許非易失性存儲器件200中的目標(biāo)頁面頁面#1上的讀重試，主機(jī)R/B信號(1/05)從“I”轉(zhuǎn)換到“O”。當(dāng)非易失性存儲器件200在讀取時間tR期間執(zhí)行讀重試的同時，主機(jī)R/B信號可以從“0”轉(zhuǎn)換到“I”(tDCBSYR)，從而允許接受某些新命令(例如新的讀命令、新的讀重試命令、擦除命令，和/或?qū)懟蚓幊堂?。存儲器控制器100檢查陣列R/B信號(1/06)。當(dāng)陣列R/B信號從“0”轉(zhuǎn)換到“1”，并且第三次讀取數(shù)據(jù)，即第二重試數(shù)據(jù)的ECC成功(即，ECC完成)時，存儲器控制器100輸出復(fù)位命令(圖8中的FFh)來刷新非易失性存儲器件200。響應(yīng)于復(fù)位命令，非易失性存儲器件200和主機(jī)10被復(fù)位，并且讀重試操作結(jié)束。復(fù)位非易失性存儲器件200可以包括重新設(shè)置讀電平電壓(例如重新設(shè)置到與正常讀操作相關(guān)聯(lián)的預(yù)定值)。還是此時，或者在存儲器控制器的RAMl10中、在非易失性存儲器件中(例如，在頁面#k的元數(shù)據(jù)字段中，或者非易失性存儲器的單獨(dú)的非數(shù)據(jù)部分中(例如，文件轉(zhuǎn)換層(filetranslationlayer,FTL)部分)),或者在這兩者中，表可以被更新。被更新的表可以反映以下事實在頁面#k上讀重試是必須的，以便利用被重新設(shè)置到其正常范圍的電壓閾值分布電平，將頁面#1^重寫到非易失性存儲器件內(nèi)的新頁面(參考圖6A和相關(guān)討論)。注意，針對上面描述的實施例，連續(xù)的正常讀操作不被流水線化，而是每一正常讀操作將讀取的數(shù)據(jù)讀取到緩存寄存器221-11，傳送到數(shù)據(jù)寄存器221-1，從非易失性存儲器件200傳送到存儲器控制器100，并在后續(xù)正常讀命令發(fā)出之前，在讀取的數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC操作。但是，預(yù)期在替代的實施例中，在先前正常讀取的數(shù)據(jù)(例如頁面#k正常讀取數(shù)據(jù))被存儲在數(shù)據(jù)寄存器221-1中，被傳送到存儲器控制器100，并且ECC操作被在這些頁面#k正常讀取數(shù)據(jù)上執(zhí)行的同時，頁面#k+l數(shù)據(jù)可以被從存儲單元陣列210正常讀取并存儲在緩存寄存器221-11中。例如，在替代實施例中，在時間al期間，在圖1OA和圖1OB中，正常讀命令可以與讀取頁面#k+l的命令相關(guān)聯(lián),而Dout和ECC操作可以與將頁面#k讀取數(shù)據(jù)從非易失性存儲器件200輸出到存儲器控制器100并在頁面#k讀取數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC操作相關(guān)聯(lián)。在時間a2中，在圖1OA和圖1OB中，示出的Dout和ECC操作可以與頁面#k+l相關(guān)聯(lián)(這些Dout和ECC操作的這些結(jié)果或者可以在讀重試被以上面描述的方式執(zhí)行時被存儲，或者，頁面#k+l數(shù)據(jù)可以被丟棄，并且在針對頁面#k的讀重試周期以如上所述的方式完成之后，可以發(fā)出針對頁面#k+l的新的正常讀命令)。圖1IA是根據(jù)本發(fā)明的其他實施例的圖1中所示的存儲系統(tǒng)20的操作的定時圖。圖1lB是示出根據(jù)圖1lA中所示的實施例的存儲系統(tǒng)20的操作的圖。圖1lA和圖1lB中示出的實施例的描述將專注于與圖1OA和圖1OB中示出的實施例的差別。響應(yīng)于正常讀命令，非易失性存儲器件200讀取目標(biāo)頁面頁面#k并將目標(biāo)頁面頁面#k的正常讀取數(shù)據(jù)暫時存儲在緩存寄存器221-11中。此時，主機(jī)R/B信號和陣列R/B信號都被在邏輯低“0”輸出，這指示讀操作正在被執(zhí)行。第一次讀取數(shù)據(jù)，即暫時存儲在緩存寄存器221-11中的正常讀取數(shù)據(jù)被傳送到數(shù)據(jù)寄存器221-1。當(dāng)主機(jī)R/B信號和陣列R/B信號從“0”轉(zhuǎn)換到“I”時，存儲器控制器100執(zhí)行讀重試操作。換句話說，圖1lA和圖1lB中示出的實施例與圖1OA和圖1OB中示出的實施例的不同之處在于即便頁面#k的正常讀取數(shù)據(jù)還未被輸出到存儲器控制器100(并且類似地，在頁面#k上還沒有ECC操作被執(zhí)行)，非易失性存儲器件200也被控制在頁面#k上執(zhí)行讀重試操作。在第二次讀操作b2期間，存儲器控制器100將讀電平設(shè)置到新的值。當(dāng)讀電平被設(shè)置時，非易失性存儲器件200從存儲器控制器100接收RC讀命令(隨機(jī)緩存讀命令)和頁面#k的地址。響應(yīng)于RC讀命令，非易失性存儲器件200在頁面#k上執(zhí)行第一讀重試(第二次讀操作)。當(dāng)在讀取時間(tR)期間，第二次讀操作，即第一讀重試正在緩存寄存器221-11上被執(zhí)行的同時，數(shù)據(jù)寄存器221-1在讀取數(shù)據(jù)輸出時間tDout期間將正常讀取數(shù)據(jù)，即頁面#k的第一次讀取數(shù)據(jù)輸出到存儲器控制器100，并且，存儲器控制器100在ECC糾正時間tECC期間在正常讀取數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC。存儲器控制器100根據(jù)ECC的結(jié)果確定是否執(zhí)行第三次讀操作，即第二讀重試。當(dāng)ECC成功時，即ECC被完成時，存儲器控制器100將復(fù)位命令發(fā)送到非易失性存儲器件200來終止已經(jīng)被無條件開始的讀重試操作。圖12A是根據(jù)本發(fā)明的其他實施例的圖1中所示的存儲系統(tǒng)20的操作的定時圖。圖12B是示出根據(jù)圖12A中所示的實施例的存儲系統(tǒng)20的操作的圖。圖12A和圖12B中示出的實施例的描述將專注于與圖1OA和圖1OB中示出的實施例的差別。在時間Cl期間，正常讀命令被與頁面#k的地址一起從存儲器控制器100發(fā)送到非易失性存儲器件200。響應(yīng)于正常讀命令，非易失性存儲器件200讀取目標(biāo)頁面頁面#k，并將目標(biāo)頁面頁面#k的正常讀取數(shù)據(jù)暫時存儲在緩存寄存器221-11中。此時，主機(jī)R/B信號和陣列R/B信號都被在邏輯低“0”輸出，在本操作中，這指示讀操作正在非易失性存儲器件內(nèi)(例如，存儲單元陣列210的讀訪問)被執(zhí)行。第一次讀取數(shù)據(jù)，即暫時存儲在緩存寄存器221-11中的正常讀取數(shù)據(jù)被傳送到數(shù)據(jù)寄存器221-1。和圖1lA中示出的實施例類似，當(dāng)主機(jī)R/B信號和陣列R/B信號從“0”轉(zhuǎn)換到“I”時，存儲器控制器100命令非易失性存儲器件200執(zhí)行讀重試操作(在時間c2，跟著電平設(shè)置操作的是針對頁面#k的后續(xù)讀命令)。當(dāng)非易失性存儲器件200在時間c2期間正在執(zhí)行第二次讀操作的同時，存儲器控制器100輸出第一次讀取數(shù)據(jù)，并在第一次讀取數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC，第一次讀取數(shù)據(jù)即響應(yīng)于正常讀命令在時間Cl讀取的正常讀取數(shù)據(jù)。當(dāng)ECC失敗時，存儲器控制器100控制非易失性存儲器件200來執(zhí)行第三次讀操作(即，第二讀重試)。圖12A和圖12B中示出的實施例與圖1OA和圖1OB中示出的實施例的不同之處在于在正常讀取數(shù)據(jù)傳輸?shù)酱鎯ζ骺刂破?00之前(并且在正常讀取的數(shù)據(jù)上的ECC操作之前)，非易失性存儲器件200被控制執(zhí)行讀重試操作。如果在讀重試操作期間ECC失敗，則重復(fù)RC讀重試。在第三次讀操作c3之前，存儲器控制器100重新設(shè)置讀電平。非易失性存儲器件200重復(fù)讀重試，直到傳送到存儲器控制器100的數(shù)據(jù)的ECC被成功地完成為止，或者，直到已經(jīng)執(zhí)行了足夠的讀重試次數(shù)為止(例如，已經(jīng)執(zhí)行了預(yù)定讀重試次數(shù))。根據(jù)上面的實施例，當(dāng)前讀重試的某些操作出現(xiàn)在輸出與先前讀重試操作相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)期間，和/或該數(shù)據(jù)上的ECC操作期間，所以總的讀重試周期的持續(xù)時間被減小。當(dāng)總的讀重試周期的持續(xù)時間被減小時，讀取速度可以被提高，和/或可以執(zhí)行額外的讀重試以提高非易失性存儲器的可靠性。結(jié)果，包括非易失性存儲器件200的存儲系統(tǒng)20的性能被提聞。圖13是根據(jù)實施例的讀取方法的流程圖。根據(jù)一些實施例，圖13的方法可以使用圖1中所示的存儲系統(tǒng)20。參考圖13，在操作SlO中，存儲器控制器100將正常讀命令發(fā)送到非易失性存儲器件200，并且在對其的響應(yīng)中，從非易失性存儲器件200接收第一次讀取數(shù)據(jù)。存儲器控制器100的ECC電路140在正常讀取數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC操作。如果在操作Sll中出現(xiàn)ECC失敗(例如，ECC電路確定檢測到的錯誤無法糾正)，則存儲器控制器100開始讀重試操作。為了跟蹤讀重試的次數(shù)，在操作S12中，初始化讀重試計數(shù)或索引i，將i設(shè)置到O。此時，可以從讀電平表檢索對應(yīng)于讀重試計數(shù)(索引)i的讀電平。讀重試表115中的索引i可以標(biāo)識對應(yīng)于索引i的讀電平。在操作S13中監(jiān)測陣列R/B信號來確定非易失性存儲器的存儲單元陣列(例如，210)是否處于就緒狀態(tài)。如果當(dāng)非易失性存儲器件200就緒時，陣列R/B信號是“I”或者從“0”轉(zhuǎn)換到“1”，則在操作S14中，存儲器控制器100將讀電平設(shè)置到新的電平(例如，通過發(fā)出命令道非易失性存儲器件200來設(shè)置新的讀電平)。例如，被基于讀重試表115中的預(yù)定值設(shè)置的讀電平被計數(shù)i標(biāo)識。在操作S15中，存儲器控制器100將RC(隨機(jī)緩存)讀命令發(fā)送到非易失性存儲器件200?？衫孟惹霸赟ll中ECC操作失敗的頁面的地址發(fā)送RC讀命令。RC讀命令可以是用于僅從非易失性存儲器件200的存儲單元陣列210讀取目標(biāo)頁面而非順次讀取多個頁面的讀命令(例如，利用讀重試或者正常讀)。響應(yīng)于RC讀命令，非易失性存儲器件200針對目標(biāo)頁面執(zhí)行讀操作。這可以包括讀取存儲單元陣列210中的目標(biāo)頁面，并將讀取頁面存儲在緩存寄存器211-11中。此外，非易失性存儲器件200可以將數(shù)據(jù)從緩存寄存器211-11傳送到數(shù)據(jù)寄存器221-1(例如在這里描述的其他實施例中的任何一個中描述的先前讀取的數(shù)據(jù))。在操作S16中，在重試數(shù)據(jù)被讀取并存儲在緩存寄存器211-11中的同時，非易失性存儲器件200可以將現(xiàn)在存儲在數(shù)據(jù)寄存器221-1中的先前讀取的數(shù)據(jù)輸出到存儲器控制器100，并且存儲器控制器100在先前讀取的數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC。在一個替換實施例中，如上所述，如果存儲在數(shù)據(jù)寄存器221-1中的數(shù)據(jù)是先前正常讀取的數(shù)據(jù)(例如，不是讀重試數(shù)據(jù))，則這個數(shù)據(jù)可以被存儲器控制器100忽略(例如，存儲器控制器可能不能鎖存這個數(shù)據(jù)，或者，將其鎖存并將其丟棄)，或者，非易失性存儲器件200可能不能傳送這個正常讀取的數(shù)據(jù)。如果在操作S17中ECC成功完成，則ECC操作在步驟S20中完成(例如，ECC操作確定哪些比特是錯誤比特，將其糾正并輸出被糾正的數(shù)據(jù))，存儲器控制器100在操作S21中將復(fù)位命令傳送到非易失性存儲器件200來終止讀重試操作。在非易失性存儲器件200中，復(fù)位命令也可以將讀電平重新設(shè)置到正常讀電平。但是，如果在操作S17中ECC失敗或者相反地確定重試數(shù)據(jù)中的錯誤無法糾正，則索引(重試計數(shù))i在操作S18中被增大，并且利用對應(yīng)于被增大的索引(重試計數(shù))i的新讀電平重復(fù)讀重試(包括步驟S14、S15、S16和S17)，直到ECC成功完成為止，或者，直到已經(jīng)嘗試了一定數(shù)量的讀重試但是沒有獲取正確的ECC結(jié)果為止。例如，當(dāng)索引(重試計數(shù))i達(dá)到對應(yīng)于讀重試表115中的最后的讀電平記錄時，在操作S19中確定總體ECC操作失敗了，讀重試操作結(jié)束。在S19中可以使用其他的決策來確定總體ECC操作已經(jīng)失敗，例如當(dāng)索引(重試計數(shù))i達(dá)到預(yù)定值時(例如在設(shè)計期間或者在制造期間由制造商設(shè)置，例如，通過利用激光截斷熔絲在寄存器中設(shè)置一值)。預(yù)定值也可以被主機(jī)10編程，其可以允許用戶設(shè)置讀重試嘗試的次數(shù)。在操作S19中已經(jīng)確定總體ECC操作失敗之后，存儲經(jīng)受讀重試操作的目標(biāo)頁面的塊可以被標(biāo)識為壞塊(badblock)。如果這樣的塊被標(biāo)識為壞塊，則該塊中的其他頁面可以被讀取并傳送到另一空塊，并且，存儲器控制器100中的地址轉(zhuǎn)換表可以被更新，以使對被移動頁面的后續(xù)訪問從新的塊對這些頁面進(jìn)行訪問。被標(biāo)識為壞塊的塊由于其被標(biāo)識為壞塊(并且，非易失性存儲器和/或存儲器控制器(例如RAM110)中的壞塊表被更新)，所以在非易失性存儲器中可以被免于將來使用。圖14是根據(jù)本發(fā)明的其他實施例的使用圖1中所示的存儲系統(tǒng)20控制數(shù)據(jù)讀取的方法的流程圖。參考圖14，在操作S50中，存儲器控制器100將正常讀命令發(fā)送到非易失性存儲器件200，并且非易失性存儲器件200響應(yīng)于正常讀命令從存儲單元陣列210中的目標(biāo)頁面讀取數(shù)據(jù)。和圖13中所示的實施例不同，無論ECC操作如何，存儲器控制器100都開始非易失性存儲器件200的讀重試操作，并且在這個實施例中，在ECC操作開始之前，并且在ECC操作完成之前。為了重新設(shè)置讀重試的次數(shù)，即讀重試計數(shù)和對應(yīng)于該讀重試的讀電平，讀重試表115中的索引在操作S51中被初始化。在操作S52中監(jiān)測陣列R/B信號是否處于就緒狀態(tài)，以確定是否能夠執(zhí)行讀操作。當(dāng)非易失性存儲器件200就緒時，如果陣列R/B信號是“1”，或者從“0”轉(zhuǎn)換到“I”，在操作S53中，存儲器控制器100將讀電平設(shè)置到新的讀電平。例如，基于包含反映讀重試表115中預(yù)定值的信息的命令，設(shè)置讀電平。如果后續(xù)讀重試操作被執(zhí)行，則索引i被增加1，并且讀電平被基于新的索引i設(shè)置到新的電平。存儲器控制器100在操作S54中，利用要經(jīng)受讀重試操作的目標(biāo)頁面的地址，將RC讀命令發(fā)送到非易失性存儲器件200。響應(yīng)于RC讀命令，非易失性存儲器件200將先前已被讀取并暫時存儲在緩存寄存器221-11中的數(shù)據(jù)傳送到數(shù)據(jù)寄存器221-1，并將通過讀重試已從存儲單元陣列210中的目標(biāo)頁面讀取的重試數(shù)據(jù)存儲在緩存寄存器221-11中。在操作S55中，在重試數(shù)據(jù)正被讀取并存儲在緩存寄存器221-11中的同時，非易失性存儲器件200可以將被傳送到數(shù)據(jù)寄存器221-1的先前讀取數(shù)據(jù)輸出到存儲器控制器100和ECC電路140，并且可以在先前讀取數(shù)據(jù)上執(zhí)行ECC操作。如果在操作S56和操作S59中成功地完成了ECC，則存儲器控制器100在操作S60中將復(fù)位命令發(fā)送到非易失性存儲器件200來終止讀重試操作。但是，如果在操作S56中ECC失敗，則在操作S57中，讀重試表115中的索引被增力口，并且重復(fù)讀重試，直到ECC被成功完成為止。此時，當(dāng)索引時讀重試表115中的最后一個并且在操作S58中ECC失敗時，讀重試操作結(jié)束。這可以包括將讀電平重新設(shè)置到缺省電平。其也可以包括清空存儲在緩存寄存器221-11和/或數(shù)據(jù)寄存器221-1中的數(shù)據(jù)，或者，可以包括允許非易失性存儲器件在將來的操作中丟棄這些數(shù)據(jù)(例如，在這些寄存器中的數(shù)據(jù)上覆寫新的數(shù)據(jù)而不將該數(shù)據(jù)發(fā)送到非易失性存儲器件200外部的設(shè)備)。圖15是根據(jù)示范性實施例的包括圖1中所示的存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。參考圖15，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)500可以在蜂窩電話機(jī)、智能電話機(jī)、個人數(shù)字助理(PDA)、或者無線電通信設(shè)備中實現(xiàn)。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)500包括存儲器件200和控制存儲器件200的操作的存儲器控制器100。存儲器控制器100可以根據(jù)處理器510的控制，控制存儲器件200的數(shù)據(jù)存取操作，例如，編程(或者寫)操作、擦除操作和/或讀操作。作為編程操作的一部分，可以包括編程驗證操作。根據(jù)處理器510和存儲器控制器100的控制，編程在存儲器件200中的頁面數(shù)據(jù)可通過顯示器520顯示。無線收發(fā)器可以通過天線ANT發(fā)射或者接收無線電信號。例如，無線收發(fā)器530可以將通過天線ANT接收的無線電信號轉(zhuǎn)換為可以被處理器510處理的信號。因此，處理器510可以處理從無線收發(fā)器530輸出的信號，并將被處理的信號傳送到存儲器控制器100或者顯示器520。存儲器控制器100可以將被處理器510處理的信號編程在存儲器件200中。而且，無線收發(fā)器530可以將從處理器510輸出的信號轉(zhuǎn)換為無線電信號，并將被轉(zhuǎn)換的無線電信號通過天線ANT輸出到外部設(shè)備。輸入設(shè)備450是可以輸入用于控制處理器510的操作的控制信號或者要被處理器510處理的數(shù)據(jù)的設(shè)備。其可以被具體實施在例如觸摸板和計算機(jī)鼠標(biāo)的指點(diǎn)設(shè)備中、小鍵盤或者鍵盤中。處理器510可以控制顯示器520的操作，以使從存儲器控制器100輸出的數(shù)據(jù)、從無線收發(fā)器530輸出的數(shù)據(jù)或者從輸入設(shè)備540輸出的數(shù)據(jù)可通過顯示器520顯示。根據(jù)示范性實施例，控制存儲器件200的操作的存儲器控制器100可以被具體實施為處理器的一部分或者與處理器分離的芯片。圖16是根據(jù)另一示范性實施例的包括圖1中所示的存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。參考圖16，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)600可以在個人計算機(jī)(PC)、平板PC、上網(wǎng)本、電子閱讀器、個人數(shù)字助理(PDA)、便攜式多媒體播放器(portablemultimediaplayer,PMP)、MP3播放器或MP4播放器中實現(xiàn)。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)200包括存儲器件200和控制存儲器件200的數(shù)據(jù)處理操作的存儲器控制器100。處理器610可以根據(jù)通過輸入設(shè)備620輸入的數(shù)據(jù)，通過顯示器230顯示存儲在存儲器件200中的數(shù)據(jù)。例如，輸入設(shè)備620可以實現(xiàn)為諸如觸摸板和計算機(jī)鼠標(biāo)的指針設(shè)備、小鍵盤或者鍵盤。處理器610可以控制存儲系統(tǒng)200的一般操作和存儲器控制器100的操作。根據(jù)示范性實施例，控制根據(jù)示范性實施例的存儲器件200的存儲器控制器100不僅可以被實現(xiàn)為處理器610的一部分，而且可以被實現(xiàn)為與處理器610分離的芯片。圖17是根據(jù)另一示范性實施例的包括圖1中所示的存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。參考圖17，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)700可以在存儲卡或智能卡中實現(xiàn)。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)700包括存儲器件200、存儲器控制器100和卡接口720。存儲器控制器100可以控制存儲器件200與卡接口720之間的數(shù)據(jù)交換。根據(jù)示范性實施例，卡接口720可以是安全數(shù)字(SD)卡接口或多媒體卡接口，但不限于此。根據(jù)主機(jī)的協(xié)議，卡接口720可以允許主機(jī)與存儲器控制器100之間的數(shù)據(jù)交換。根據(jù)示范性實施例，卡接口720可以支持通用串行總線(USB)協(xié)議和芯片間(IC)-USB協(xié)議。這里，卡接口可以指支持在主機(jī)中使用的協(xié)議的硬件、配置該硬件的軟件，和/或信號傳輸系統(tǒng)。當(dāng)數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)700被連接到諸如PC、平板PC、數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字音頻播放器、蜂窩電話機(jī)、控制臺視頻游戲硬件或者數(shù)字機(jī)頂盒的主機(jī)時，主機(jī)可以通過卡接口720和存儲器控制器100與存儲器件200執(zhí)行數(shù)據(jù)通信。圖18是根據(jù)另一示范性實施例的包括圖1中所示的存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。參考圖18，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)800可以在圖形處理設(shè)備中實現(xiàn)，例如數(shù)碼相機(jī)或者配備了數(shù)碼相機(jī)的蜂窩電話。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)800包括存儲器件200和控制存儲器件200的數(shù)據(jù)處理操作的存儲器控制器100，數(shù)據(jù)處理操作例如編程操作、擦除操作或者讀操作。存儲系統(tǒng)400的圖形傳感器820將光學(xué)信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號，并且被轉(zhuǎn)換的數(shù)字信號被傳送到處理器810或者存儲器控制器100。根據(jù)處理器810的控制，被轉(zhuǎn)換的數(shù)碼信號可以被通過顯示器830顯示，或者，通過存儲器控制器100存儲在存儲器件200中。圖19是根據(jù)另一示范性實施例的包括圖1中所示的存儲系統(tǒng)的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)。參考圖19，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)900可以在例如固態(tài)驅(qū)動器(SSD)的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備中實現(xiàn)。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)900可以包括多個存儲器件200、控制多個存儲器件200中的每一個的數(shù)據(jù)處理操作的存儲器控制器100。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)900可以被具體實施在存儲器模塊中。圖20是包括圖19中所示的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)900的數(shù)據(jù)存儲設(shè)備1000的框圖。參考圖19和圖20，數(shù)據(jù)存儲設(shè)備1000可以被實現(xiàn)為獨(dú)立盤冗余陣列(RAID)系統(tǒng)。數(shù)據(jù)存儲設(shè)備1000包括RAID控制器1010和多個存儲系統(tǒng)1100-1到1100-n，其中，“n”是自然數(shù)。存儲系統(tǒng)1100-1到1100-n中的每一個可以是圖19中示出的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)900。存儲系統(tǒng)1100-1到1100-n可以形成RAID陣列。數(shù)據(jù)存儲設(shè)備1000可以是PC或者SSD。在編程操作期間，RAID控制器1010可以響應(yīng)于從主機(jī)接收的編程命令，根據(jù)RAID電平將從主機(jī)輸出的編程數(shù)據(jù)傳送到存儲系統(tǒng)1100-1到1100-n中的至少一個。在讀操作期間，RAID控制器1010可以響應(yīng)于從主機(jī)接收到的讀命令，將從存儲系統(tǒng)1100-1到1100-n其中至少一個讀取的數(shù)據(jù)傳送到主機(jī)。在這里描述的實施例中，電平設(shè)置命令和/或其他命令可以被存儲器控制器(或者其他外部源)發(fā)送到非易失性存儲器200以便開始讀重試。但是，預(yù)期為了實施讀重試操作，存儲器控制器的所有這些動作可能不是必須的。這里描述的所有實施例可以被修改，以使非易失性存儲器件可以自動修改讀電平(例如，通過參考指示差(百分比或者固定電平)的內(nèi)部寄存器，例如可編程模式寄存器，或者，通過參考非易失性存儲器陣列內(nèi)的查找表部分)，并自動開始目標(biāo)頁面的新的讀操作而無需來自存儲器控制器100的任何命令。這些電平設(shè)置和讀重試過程可以被重復(fù)(無需外部命令)，直到存儲器控制器100發(fā)出命令(或者，與狀態(tài)信號通信)來結(jié)束讀重試?；蛘撸梢宰詣訄?zhí)行固定數(shù)量的讀重試而無需來自存儲器控制器100的外部命令。在這些替代實施例中，通過消除到非易失性存儲器件200的時間傳遞(例如，給出命令)，總的讀重試時間可以被進(jìn)一步減少。此外，其可以釋放存儲器控制器100和非易失性存儲器件200之間的可能被其他設(shè)備共享的總線。此外，這里描述的所有實施例可以被修改，以使非易失性存儲器確定是輸出新的讀重試數(shù)據(jù)還是丟棄新的讀重試數(shù)據(jù)。例如，非易失性存儲器可以將在讀重試操作中從目標(biāo)頁面的頁面或者讀取數(shù)據(jù)(例如，存儲在緩存寄存器221-11到221-ml中)與先前從該目標(biāo)頁面讀取的數(shù)據(jù)進(jìn)行比較。如果數(shù)據(jù)相同，則非易失性存儲器可以丟棄在讀重試操作中讀取的數(shù)據(jù)，將讀電平改變到新的讀電平，并利用改變的讀電平執(zhí)行新的讀重試操作。新的讀電平可以被非易失性存儲器確定，或者，可以在從非易失性存儲器200接收到狀態(tài)信號之后，從存儲器控制器100發(fā)送到非易失性存儲器。通過在緩存寄存器221-11到221-ml的比特與存儲在數(shù)據(jù)寄存器221-1到221-m中的讀取數(shù)據(jù)的頁面(已被發(fā)送到存儲器控制器)的對應(yīng)比特之間執(zhí)行異或(XOR)(如果比特被改變，這將產(chǎn)生1，或者，如果不被改變將產(chǎn)生0)，伴隨著在XOR門的總輸出上的OR操作(如果頁面的任何比特被改變，這將產(chǎn)生1)，可以實施確定新的讀重試數(shù)據(jù)是否與先前發(fā)送到存儲器控制器100的數(shù)據(jù)相同。或者，利用指示新的讀重試操作是否改變了緩存寄存器221-11到221-ml的任何鎖存器的鎖存狀態(tài)的電路(例如，頁面寄存器和S/A220的電路)，可以完成確定新的讀重試數(shù)據(jù)是否與先前從目標(biāo)頁面讀取的數(shù)據(jù)相同。這些替代實施例還可以通過消除將數(shù)據(jù)發(fā)出到存儲器控制器的時間進(jìn)一步減少總的讀重試時間，以及釋放存儲器控制器100和非易失性存儲器件200之間的總線(例如，1/00到1/07)。此外，通過消除數(shù)據(jù)傳送操作和存儲器控制器的ECC操作，可以實現(xiàn)功率節(jié)省。本公開還預(yù)期對這里描述的全部實施例的變化，其中，存儲器控制器100確定從非易失性存儲器件200接收的數(shù)據(jù)和先前接收的相同，因此跳過剛接收到的相同數(shù)據(jù)上的第二ECC操作，從而節(jié)省功率。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，節(jié)省了在其期間執(zhí)行至少兩個讀重試的時間周期，從而減少了總的讀重試持續(xù)時間。當(dāng)總的讀重試持續(xù)時間被減少時，非易失性存儲器件的可靠性和/或讀取速度可以被提高，從而提高了存儲系統(tǒng)的性能。雖然已經(jīng)參考本發(fā)明的示范性實施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會理解，可以對其做出形式和細(xì)節(jié)上的各種變化而不背離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的的精神和范圍。應(yīng)當(dāng)注意，除非權(quán)利要求使用單詞“裝置”，申請人不期望權(quán)利要求被解釋為“裝置加功能”型權(quán)利要求。權(quán)利要求1.一種操作非易失性存儲器的方法，包括發(fā)出第一讀命令，其命令非易失性存儲器執(zhí)行非易失性存儲器的第一頁面的第一次讀?。唤邮諒牡谝淮巫x取產(chǎn)生的第一讀取數(shù)據(jù)頁面；確定從第一次讀取產(chǎn)生的第一讀取數(shù)據(jù)頁面具有不會被糾錯電路糾正的錯誤；響應(yīng)于確定步驟，發(fā)出第二讀命令，其命令非易失性存儲器以與執(zhí)行第一次讀取時使用的操作參數(shù)不同的操作參數(shù)再次執(zhí)行第一頁面的第二次讀取；接收從第二次讀取產(chǎn)生的第二讀取數(shù)據(jù)頁面；分析從第二次讀取產(chǎn)生的第二讀取數(shù)據(jù)頁面是否具有不會被糾錯電路糾正的錯誤；以及在分析步驟完成之前，發(fā)出第三讀命令，其命令非易失性存儲器以與執(zhí)行第一次讀取時使用的操作參數(shù)不同并且與執(zhí)行第二次讀取時使用的操作參數(shù)不同的操作參數(shù)再次執(zhí)行第一頁面的第三次讀取。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在接收從第二次讀取產(chǎn)生的第二讀取數(shù)據(jù)頁面的步驟完成之前，發(fā)出第三讀命令。3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，在接收從第二次讀取產(chǎn)生的第二讀取數(shù)據(jù)頁面的任何數(shù)據(jù)之前，發(fā)出第三讀命令。4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一頁面被存儲在第一物理頁面中，并且其中，操作參數(shù)代表非易失性存儲器用來確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)的讀基準(zhǔn)電壓的量值。5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一頁面被存儲在第一物理頁面中，其中，非易失性存儲器是NAND閃速存儲器，并且其中，操作參數(shù)代表施加于非易失性存儲器的第一物理頁面的字線用于確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)的讀基準(zhǔn)電壓的量值。6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第一頁面被存儲在第一物理頁面中，其中，非易失性存儲器是多電平單元(MLC)NAND閃速存儲器，并且其中，第二讀命令和第三讀命令均命令非易失性閃速存儲器利用兩個新的讀基準(zhǔn)電壓來讀取MLCNAND閃速存儲器，所述兩個新的讀基準(zhǔn)電壓在對應(yīng)的讀操作期間被順次施加于第一物理頁面的字線。7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第二讀命令和第三讀命令中的每一個均為讀重試命令，并且包括代表對應(yīng)的操作參數(shù)的值。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其中，從讀重試表中檢索代表與第二次讀取相關(guān)聯(lián)的對應(yīng)的操作參數(shù)的值和代表用于第三次讀取的對應(yīng)的操作參數(shù)的值。9.如權(quán)利要求8所述的方法，其中，存儲器控制器發(fā)出第一讀命令、第二讀命令和第三讀命令，并且包括讀重試表。10.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，第二讀命令和第三讀命令中的每一個均不包括任何地址信息。11.如權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括在發(fā)出第二讀命令之前，發(fā)出第一電平設(shè)置命令，第一電平設(shè)置命令可操作以在非易失性存儲器中設(shè)置用于第二次讀取的操作參數(shù)；以及在發(fā)出第三讀命令之前，發(fā)出第二電平設(shè)置命令，第二電平設(shè)置命令可操作以在非易失性存儲器中設(shè)置用于第三次讀取的操作參數(shù)。12.如權(quán)利要求11所述的方法，進(jìn)一步包括在發(fā)出第一電平設(shè)置命令和第二電平設(shè)置命令的每一個之前，確定非易失性存儲器的存儲器陣列并非正在執(zhí)行讀操作。13.一種操作NAND閃速存儲器的方法，包括第一次讀取NAND閃速存儲器的第一頁面以獲取第一讀取數(shù)據(jù)頁面；以及然后，在完成對第一讀取數(shù)據(jù)頁面的糾錯操作之前，發(fā)出讀命令，該讀命令導(dǎo)致利用至少一個調(diào)整的讀電壓第二次讀取第一頁面。14.一種操作非易失性存儲器的方法，包括利用第一讀操作參數(shù)第一次讀取非易失性存儲器的頁面以獲取第一讀取數(shù)據(jù)頁面，并將第一讀取數(shù)據(jù)頁面存儲在非易失性存儲器的第一寄存器中；將第一讀取數(shù)據(jù)頁面從第一寄存器傳送到非易失性存儲器的第二寄存器；將第一讀取數(shù)據(jù)頁面從第二寄存器傳送到存儲器控制器；以及在將第一讀取數(shù)據(jù)頁面從第二寄存器傳送到存儲器控制器的同時，使用與第一讀操作參數(shù)不同的第二讀操作參數(shù)再次第二次讀取數(shù)據(jù)的頁面。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，第一和第二讀操作參數(shù)分別是非易失性存儲器用來確定存儲相應(yīng)的讀操作的頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)的第一和第二讀基準(zhǔn)電壓。16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，非易失性存儲器是NAND閃速存儲器，并且頁面被存儲在NAND閃速存儲器的第一物理頁面中，并且其中，該方法進(jìn)一步包括在第一次讀取期間將第一讀基準(zhǔn)電壓施加于第一物理頁面的字線，以確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)；以及在第二次讀取期間將第二讀基準(zhǔn)電壓施加于第一物理頁面的字線，以確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)。17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，非易失性存儲器是多電平單元(MLC)NAND閃速存儲器，并且頁面被存儲在NAND閃速存儲器的第一物理頁面中，并且其中，該方法進(jìn)一步包括在第一次讀取期間將包括第一讀基準(zhǔn)電壓的第一組讀基準(zhǔn)電壓施加于第一物理頁面的字線，以確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)；以及在第二次讀取期間將包括第二讀基準(zhǔn)電壓的第二組讀基準(zhǔn)電壓施加于第一物理頁面的字線，以確定第一物理頁面的多個存儲單元中的每一個的存儲單元數(shù)據(jù)，其中，第二組讀基準(zhǔn)電壓不同于第一組讀基準(zhǔn)電壓。18.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括接收讀重試命令，其指令非易失性存儲器件執(zhí)行第二次讀取。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，讀重試命令包括代表第二讀操作參數(shù)的值。20.如權(quán)利要求18所述的方法，讀重試命令不包含任何地址信息。21.如權(quán)利要求14所述的方法，進(jìn)一步包括接收第一電平設(shè)置命令，其可操作以在非易失性存儲器中設(shè)置第二讀操作參數(shù)。22.—種操作NAND閃速存儲器的方法，包括第一次讀取NAND閃速存儲器的第一頁面以獲取第一讀取數(shù)據(jù)頁面；以及然后，在完成對第一讀取數(shù)據(jù)頁面的糾錯操作之前，發(fā)出讀命令，該讀命令導(dǎo)致利用至少一個調(diào)整的讀電壓第二次讀取第一頁面。23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，發(fā)出讀命令在接收從第一次讀取產(chǎn)生的第一讀取數(shù)據(jù)頁面的全部之前發(fā)出。24.如權(quán)利要求22所述的方法，其中，發(fā)出讀命令在接收從第一次讀取產(chǎn)生的第一讀取數(shù)據(jù)頁面的任何內(nèi)容之前發(fā)出。25.一種非易失性存儲器件，包括存儲器陣列；命令電路，被配置為接收讀命令，并且響應(yīng)于讀命令開始存儲器陣列的讀操作；控制電路，被配置為斷言第一R/B(讀繁忙)標(biāo)志以指示非易失性存儲器不能接受額外的命令，并且響應(yīng)于讀操作而斷言第二R/B標(biāo)志以指示存儲器陣列的狀態(tài)；以及數(shù)據(jù)緩沖器，被配置為響應(yīng)于讀操作，當(dāng)?shù)诙/B標(biāo)志指示存儲器陣列的繁忙狀態(tài)時，從非易失性存儲器輸出數(shù)據(jù)。26.如權(quán)利要求25所述的非易失性存儲器件，其中，控制電路響應(yīng)于從外部存儲器控制器接收的讀狀態(tài)命令而斷言第一R/B標(biāo)志和第二R/B標(biāo)志作為響應(yīng)。27.一種被配置為操作NAND閃速存儲器的存儲器控制器，包括接口；糾錯編碼電路，被配置為分析通過接口接收的數(shù)據(jù)頁面，以糾正頁面的比特錯誤并確定數(shù)據(jù)頁面是否具有無法糾正的錯誤；以及命令電路，被配置為產(chǎn)生包括第一讀命令的命令并將其輸出到接口，以導(dǎo)致NAND閃速存儲器的第一頁面的第一次讀取，并通過接口接收從第一次讀取產(chǎn)生的第一讀取數(shù)據(jù)頁面，其中，糾錯編碼電路被配置為確定第一讀取數(shù)據(jù)頁面是否具有無法糾正的錯誤，并且其中，命令電路被配置為在糾錯編碼電路完成確定第一讀取數(shù)據(jù)頁面是否具有無法糾正的錯誤的確定操作之前，發(fā)出第二讀命令，第二讀命令導(dǎo)致利用至少一個調(diào)整的讀電壓對第一頁面的第二次讀取。28.如權(quán)利要求27所述的存儲器控制器，其中，命令電路被配置為在通過接口接收第一讀取數(shù)據(jù)頁面的全部之前發(fā)出第二讀命令。29.如權(quán)利要求27所述的存儲器控制器，其中，命令電路被配置為通過接口接收第一讀取數(shù)據(jù)頁面的任何內(nèi)容之前發(fā)出第二讀命令。30.如權(quán)利要求27所述的存儲器控制器，其中，第二讀命令是讀重試命令。全文摘要公開了執(zhí)行讀重試的方法和用于執(zhí)行這樣的方法的設(shè)備，所述方法包括利用新的讀參數(shù)讀取非易失性存儲器。讀重試操作和/或后續(xù)讀重試操作可以在確定這樣的讀重試操作被批準(zhǔn)之前開始和/或完成。例如，可以利用施加于頁面的字線的新的讀電壓電平在讀重試操作中讀取NAND閃速存儲器的頁面。例如，可以在確定目標(biāo)頁面的先前讀取的數(shù)據(jù)頁面的錯誤無法通過ECC操作糾正之前對目標(biāo)頁面執(zhí)行讀重試操作。文檔編號G11C16/26GK103035294SQ201210371210公開日2013年4月10日申請日期2012年9月28日優(yōu)先權(quán)日2011年9月28日發(fā)明者李相勛,金成彬,金眩奭,裵成桓,白種南申請人:三星電子株式會社