專(zhuān)利名稱(chēng)：存儲(chǔ)介質(zhì)，再現(xiàn)方法和記錄方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如光盤(pán)這樣的存儲(chǔ)介質(zhì)，再現(xiàn)方法和存儲(chǔ)介質(zhì)的記錄方法。
背景技術(shù)：
在例如多媒體數(shù)碼光盤(pán)中，燒錄區(qū)，系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)，連接區(qū)，數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)是從其內(nèi)部的外圍側(cè)分配的。標(biāo)準(zhǔn)DVD上的識(shí)別信息記錄在燒錄區(qū)中。日本專(zhuān)利No. 330895(圖2)中描述了數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。這里，只存在ー個(gè)BCA數(shù)據(jù)區(qū)，被ー個(gè)BCA前導(dǎo)部分和ー個(gè)BCA后同步指令部分包圍。在傳統(tǒng)光盤(pán)中，由于只存在ー個(gè)BCA數(shù)據(jù)區(qū)，因此有可能出現(xiàn)BCA數(shù)據(jù)由于光盤(pán)表面上的灰塵或劃痕的影響而不能再現(xiàn)的情況。如上所述，傳統(tǒng)光盤(pán)中存在BCA數(shù)據(jù)可靠性低的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目標(biāo)是提供BCA數(shù)據(jù)的可靠性有所提高的存儲(chǔ)介質(zhì)，再現(xiàn)方法和記錄方法。依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，存儲(chǔ)介質(zhì)在其內(nèi)邊緣區(qū)域包含燒錄區(qū)，其中燒錄區(qū)包含多個(gè)燒錄區(qū)數(shù)據(jù)區(qū)。依照本發(fā)明的另ー個(gè)實(shí)施例，用于從包含燒錄區(qū)的存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)燒錄區(qū)數(shù)據(jù)的方法包括用激光束照射存儲(chǔ)介質(zhì)和基于激光束的反射光束再現(xiàn)燒錄區(qū)數(shù)據(jù)的步驟，其中所述燒錄區(qū)包括多個(gè)燒錄區(qū)數(shù)據(jù)區(qū)。依照本發(fā)明的另ー個(gè)實(shí)施例，用于記錄包含燒錄區(qū)的存儲(chǔ)介質(zhì)中的燒錄區(qū)數(shù)據(jù)的方法包括用激光束照射存儲(chǔ)介質(zhì)的燒錄區(qū)并基于照射的激光束記錄燒錄區(qū)數(shù)據(jù)，其中所述燒錄區(qū)包括多個(gè)燒錄區(qū)數(shù)據(jù)區(qū)。下面將在說(shuō)明中闡述本發(fā)明的其它目標(biāo)和優(yōu)點(diǎn)，其中一部分可以從說(shuō)明了解，或者可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解。可以通過(guò)下面指出的方法和組合了解并掌握本發(fā)明的目標(biāo)和優(yōu)點(diǎn)。


并入并構(gòu)成部分說(shuō)明的附解了本發(fā)明當(dāng)前的優(yōu)選實(shí)施例，并與上面給出的優(yōu)選實(shí)施例和下面給出的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明一起，用來(lái)解釋本發(fā)明的原理，其中
圖I是本實(shí)施例中的信息存儲(chǔ)介質(zhì)和組合方法的構(gòu)成元素的內(nèi)容的例圖；圖2A和2B示出相變型記錄膜與基于有機(jī)染料的記錄膜之間獲得再現(xiàn)信號(hào)原理的差異的例圖，其中圖2A示出相變型記錄膜，圖2B示出基于有機(jī)染料的記錄膜；圖3是示出圖I所示信息存儲(chǔ)介質(zhì)組元的特殊內(nèi)容“ (A3)偶氮+Cu”的特殊結(jié)構(gòu)式；
圖4是示出用于目前使用的DVD-R光盤(pán)的有機(jī)染料記錄材料的吸收光譜特性的例圖；圖5A和5B示出相變型記錄膜與基于有機(jī)染料的記錄膜之間預(yù)刻凹坑/預(yù)刻溝槽區(qū)域中光反射層形狀的差異的例圖，其中圖5A示出相變記錄膜，圖5B示出有機(jī)染料記錄膜；圖6A和6B是示出使用傳統(tǒng)有機(jī)染料材料的一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中記錄刻記9位置處的特殊透明襯底2-2的塑性變形情況的例圖；圖7A,7B和7C是關(guān)于容易促成記錄原通的記錄I旲形狀和尺寸的例圖；圖8A，8B和8C是示出記錄膜的形狀和尺寸的特性的例圖；圖9是“H-L”記錄膜中未記錄條件下吸收光譜特性的例圖；圖10是“H-L”記錄膜中記錄刻記中吸收光譜特性的例圖；圖11是依照本發(fā)明的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備的實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)的例圖；圖12是示出包含圖11所示的同步代碼位取樣單元145的外圍部分的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的例圖；圖13是示出使用限幅電平檢測(cè)系統(tǒng)的信號(hào)處理電路的例圖；圖14是示出圖13的限制器310中的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的例圖；圖15是示出使用PRML檢測(cè)技術(shù)的信號(hào)處理電路的例圖；圖16是示出圖11或圖15所示的維特比解碼器156中的結(jié)構(gòu)的例圖；圖17是示出PR(1，2，2，2，1)類(lèi)中狀態(tài)轉(zhuǎn)移的例圖；圖18是示出對(duì)驅(qū)動(dòng)器檢驗(yàn)區(qū)執(zhí)行檢驗(yàn)性寫(xiě)操作的記錄脈沖的波長(zhǎng)(寫(xiě)策略)的例圖；圖19是示出記錄脈沖形狀的精確度的例圖；圖20A，20B和20C是記錄脈沖時(shí)序參數(shù)設(shè)置表的例圖；圖21A, 21B和21C是關(guān)于檢測(cè)最佳記錄功率時(shí)使用的甸個(gè)參數(shù)的值的例圖；圖22是示出“H-L”記錄膜和“L_H”記錄膜中非記錄單元的光反射因數(shù)范圍的例圖；圖23是從“H-L”記錄膜和“L-H”記錄膜檢測(cè)到的檢測(cè)信號(hào)的極性的例圖；圖24是示出“H-L”記錄膜和“L_H”記錄膜之間的光反射因數(shù)的比較的例圖；圖25是“L-H”記錄膜中未記錄條件下的吸收光譜特性的例圖；圖26是示出“L-H”記錄膜中記錄和未記錄條件下的吸收光譜特性變化的例圖；圖27是用于“L-H”記錄膜的陽(yáng)離子部分的花青染料的示范性通用分子式；圖28是用于“L-H”記錄膜的陽(yáng)離子部分的苯こ烯基染料的示范性通用分子式；圖29是用于“L-H”記錄膜的陽(yáng)離子部分的一こ炔花青染料的示范性通用分子式；圖30是用于“L-H”記錄膜的陰離子部分的甲金屬絡(luò)合物的示范性通用分子式；
圖31是示出信息存儲(chǔ)介質(zhì)中結(jié)構(gòu)和尺寸的示例的例圖；圖32是示出只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中總體參數(shù)值的例圖；圖33是示出一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中總體參數(shù)值的例圖；圖34是示出可重寫(xiě)型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中總體參數(shù)值 的例圖；圖35A，35B和35C是比較多種信息存儲(chǔ)介質(zhì)中系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI和數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI中的詳細(xì)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖36是示出一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的RMD不贊成使用區(qū)(RMZdeprecation)RDZ和記錄位管理區(qū)RMZ中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖37A，37B, 37C，37D，37E和37F是示出多種信息存儲(chǔ)介質(zhì)中數(shù)據(jù)區(qū)DTA和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的比較的例圖；圖38是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖39是示出于圖38所示不同的一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中邊界區(qū)域的結(jié)構(gòu)的例圖；圖40是示出一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的邊界區(qū)域的結(jié)構(gòu)的例圖；圖41是示出控制數(shù)據(jù)區(qū)⑶Z于R物理信息區(qū)RIZ中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖42是示出物理格式信息PRI和R物理信息格式信息R-PRI中的特殊信息內(nèi)容的例圖；圖43是示出記錄在數(shù)據(jù)區(qū)DTA上的分配位置信息中的詳細(xì)信息的內(nèi)容的比較的例圖；圖44是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的詳細(xì)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖45是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的詳細(xì)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖46是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的詳細(xì)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖47是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的詳細(xì)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖48是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的詳細(xì)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖49是示出記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的詳細(xì)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖50是示出數(shù)據(jù)ID中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖51是用來(lái)結(jié)構(gòu)關(guān)于記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的另ー個(gè)實(shí)施例的例圖；圖52是用來(lái)結(jié)構(gòu)關(guān)于記錄位置管理數(shù)據(jù)RMD中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的另ー個(gè)實(shí)施例的例圖；圖53是示出RMD字段I中的另ー個(gè)數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖54是與物理格式信息和R物理格式信息相關(guān)的另一個(gè)實(shí)施例的例圖；圖55是示出與控制數(shù)據(jù)區(qū)中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)相關(guān)的另一個(gè)實(shí)施例的例圖；圖56是示意地示出用于配置物理扇區(qū)結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)換步驟的例圖；圖57是示出數(shù)據(jù)幀中的結(jié)構(gòu)的例圖；圖58A和58B是示出創(chuàng)建擾亂的幀和反饋電阻器的電路結(jié)構(gòu)時(shí)分配給移位寄存器的初始值的例圖；圖59是ECC區(qū)塊結(jié)構(gòu)的例圖；圖60是擾亂的幀結(jié)構(gòu)的例圖61是PO交錯(cuò)方法的例圖；圖62A和62B是示出物理扇區(qū)中的結(jié)構(gòu)的例圖；圖63是同步碼型的內(nèi)容的例圖；圖64是示出圖61所示的PO交錯(cuò)后的ECC區(qū)塊的詳細(xì)結(jié)構(gòu)的例圖；圖65是基準(zhǔn)碼型的例圖；圖66是示出多種信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的每ー種的數(shù)據(jù)記錄格式的比較的例圖；圖67A和67B是比較多種信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)示例相的例圖；圖68是比較多種信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)示例的例圖； 圖69是擺動(dòng)調(diào)制中180度相位調(diào)制和NRZ技術(shù)的例圖；圖70是地址位區(qū)域中擺動(dòng)形狀與地址位之間關(guān)系的例圖；圖71A, 71B, 71C和71D是擺動(dòng)接收器模式(wobble sink pattern)與擺動(dòng)數(shù)據(jù)單元之間的位置關(guān)系的比較例圖；圖72是包含在一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的擺動(dòng)地址信息中的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)例圖；圖73是一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的調(diào)制區(qū)域中的分配位置的例圖；圖74是示出一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的物理段中的分配位置的例圖；圖75A和75B是記錄簇的布局的例圖；圖76是示出用于記錄在可重寫(xiě)型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的可重寫(xiě)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)記錄方法的例圖；圖77是記錄在可重寫(xiě)型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的可重寫(xiě)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)隨機(jī)移位的例圖；圖78是用于另外描述記錄在一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的一次性寫(xiě)入型數(shù)據(jù)的方法的例圖；圖79是圖解擺動(dòng)信號(hào)發(fā)生串?dāng)_的原因的例圖；圖80是示出用于測(cè)量擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的載波電平的最大值Cwmax和最小值Cwmin的方法的例圖；圖81是圖解用于測(cè)量擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的最大振幅Wppmax和最小振幅Wppmin的方法的流程圖；圖82A是圖解擺動(dòng)信號(hào)和軌道偏移信號(hào)的測(cè)量電路的例圖；圖82B是圖解擺動(dòng)信號(hào)和軌道偏移信號(hào)的特性的例圖；圖83是用于測(cè)量(Il_I2)pp信號(hào)的方法的示例流程圖；圖84是圖解擺動(dòng)信號(hào)的方波的NBSNR測(cè)量電路的例圖；圖85是圖解用于測(cè)量擺動(dòng)信號(hào)的方波的NBSNR的方法的例圖；圖86A和86B是圖解使用相位調(diào)制的擺動(dòng)信號(hào)的頻譜分析器檢測(cè)信號(hào)的特性的例圖；圖87是圖解調(diào)相擺動(dòng)信號(hào)的頻譜分析器波形的例圖；圖88是圖解將擺動(dòng)信號(hào)平方之后的頻譜分析器波形的例圖；圖89是圖解用于測(cè)量本實(shí)施例中的抑制比的方法的例圖；圖90A和90B圖解“H_L”記錄膜中H格式的檢測(cè)信號(hào)電平的另ー個(gè)實(shí)施例；圖91A和91B圖解“H-L”記錄膜中H格式的檢測(cè)信號(hào)電平的另ー個(gè)實(shí)施例；
圖92是圖解前置放大器的檢測(cè)范圍與檢測(cè)信號(hào)電平之間的關(guān)系的圖；圖93是用于搜索最后的記錄位置的方法的說(shuō)明圖；圖94是用于在信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備搜索最后記錄位置的方法的流程圖；圖95是用于在信息再現(xiàn)設(shè)備中搜索最后記錄的位置的流程圖；圖96是設(shè)置內(nèi)邊界區(qū)域BRDA中記錄位置管理區(qū)RMZ的狀態(tài)的說(shuō)明圖；
圖97是用于設(shè)置內(nèi)邊界區(qū)域BRDA中記錄位置管理區(qū)RMZ的方法的說(shuō)明圖；圖98是可以通過(guò)信息再現(xiàn)設(shè)備執(zhí)行再現(xiàn)的狀態(tài)下的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的例圖；圖99是近邊界處理方法的說(shuō)明圖；圖100是擴(kuò)展驅(qū)動(dòng)器檢驗(yàn)區(qū)設(shè)置方法的另ー個(gè)實(shí)施例的例圖；圖101是關(guān)于13T部分的極性控制方法的說(shuō)明圖；圖102是來(lái)自燒錄區(qū)的再現(xiàn)信號(hào)的說(shuō)明圖；圖103是BCA數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的說(shuō)明圖；圖104是BCA同步位SBBCA和BCA再同步RSBCA的位模式的說(shuō)明圖；圖105是示出記錄在BCA數(shù)據(jù)區(qū)中的BCA信息的內(nèi)容的示例的說(shuō)明圖；圖106是一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的擺動(dòng)地址格式的說(shuō)明圖；圖107是相鄰軌之間物理段分配之間關(guān)系的說(shuō)明圖；圖108是第i+1個(gè)相鄰軌中分配調(diào)制區(qū)的位置的類(lèi)型選擇的說(shuō)明圖；圖109是將類(lèi)型3選作分配類(lèi)型的情形中的分配狀態(tài)的說(shuō)明圖；圖110是用于選擇調(diào)制區(qū)中的分配類(lèi)型的方法的說(shuō)明圖；圖111是示出物理格式信息PFI和R物理信息格式信息R_PFI中的信息內(nèi)容的例圖；圖112是示出詳細(xì)信息的內(nèi)容的另ー種比較的例圖，所述詳細(xì)信息記錄在數(shù)據(jù)區(qū)DTA上的分配位置信息中；圖113是示出記錄管理數(shù)據(jù)RMD的更新?tīng)顟B(tài)的例圖。
具體實(shí)施例方式下面將參照附圖描述本發(fā)明的各種實(shí)施例。通常，依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，在存儲(chǔ)介質(zhì)中，擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)的振幅最小值與軌道偏移(track shift)檢測(cè)信號(hào)的振幅最小值之比設(shè)置為等于或大于預(yù)定值。以下將參考附圖介紹根據(jù)本發(fā)明的記錄介質(zhì)和用于記錄和再現(xiàn)記錄介質(zhì)的方法的優(yōu)選實(shí)施例。本發(fā)明的特性和有利效果摘要(I)軌道間距/比特間距與最佳記錄功率之間的關(guān)系按照慣例，在具有襯底形狀改變的記錄原理的情形中，如果軌道間距縮小，則發(fā)生“交叉寫(xiě)入(cross-write) ”或“交叉消除(cross-erase) ”，并且如果比特間距縮小，則發(fā)生碼間串?dāng)_。在本實(shí)施例中，由于設(shè)計(jì)了沒(méi)有襯底形狀改變的記錄原理，所以可以通過(guò)縮小軌道間距/比特間距來(lái)實(shí)現(xiàn)高密度。另外，同時(shí)，在上述記錄原理中，提高了記錄靈敏度，從而由于最佳記錄功率可以被低地設(shè)置而能夠?qū)崿F(xiàn)高速記錄和記錄膜的多分層Unulti-Iayeringノ。
(2)在波長(zhǎng)為620nm或更短的光學(xué)記錄中，ECC區(qū)塊由多個(gè)小ECC區(qū)塊的組合構(gòu)成，兩個(gè)扇區(qū)中每條數(shù)據(jù)ID信息放置在相互不同的小ECC區(qū)塊中如圖2B所示，依照本發(fā)明，記錄原理是記錄層3-2中的局部光學(xué)特性變化，并因此，由于透明襯底2-2的塑性變形或由于有機(jī)染料記錄材料的熱分解或氣化(蒸發(fā))，記錄時(shí)記錄層3-2的到達(dá)溫度(arrival temperature)比傳統(tǒng)記錄原理中低。因此，到達(dá)溫度與回放時(shí)記錄層3-2中的記錄溫度之差很小。在本實(shí)施例中，在ー個(gè)ECC區(qū)塊中設(shè)計(jì)小ECC區(qū)塊與數(shù)據(jù)ID分配之間的交錯(cuò)處理，從而提高在反復(fù)重放時(shí)記錄膜退化的情形中的再現(xiàn)可靠性。(3)通過(guò)波長(zhǎng)短于620nm的光執(zhí)行記錄，并且記錄部分的反射因數(shù)比非記錄部分聞在一般有機(jī)染料材料的吸收光譜特性的影響下，在波長(zhǎng)小于620nm的光的控制下，光吸收率明顯降低，并且記錄密度降低。因此，需要大量曝光以形成襯底形變，其中襯底形變是傳統(tǒng)DVD-R中的記錄原理。通過(guò)使用“從低到高(以下縮寫(xiě)為L(zhǎng)-H)有機(jī)染料記錄材料”，襯底形變通過(guò)利用“由于電子耦合的離解而造成的退色作用”形成記錄刻記(recording mark)而被消除,并且提高了記錄靈敏度，其中“L-H有機(jī)染料記錄材料”的反射因數(shù)比本實(shí)施例中記錄的部分(記錄刻記)中的未記錄部分的反射因數(shù)増加得更顯著。(4) “L-H”有機(jī)染料記錄膜和PSK/FSK調(diào)制擺動(dòng)溝槽(groove)可以容易地獲得回放時(shí)的擺動(dòng)同步,并且提高了擺動(dòng)地址(wobble address)的再現(xiàn)可靠性。(5) “L-H”有機(jī)染料記錄膜和再現(xiàn)信號(hào)調(diào)制度(modulation degree)規(guī)則可以保證與來(lái)自記錄刻記的再現(xiàn)信號(hào)相關(guān)的高C/N比，并且提高了從記錄刻記進(jìn)行再現(xiàn)的可靠性。(6)鏡像部分(mirror section)和“L_H”有機(jī)染料記錄膜中的光反射因數(shù)范圍可以保證與來(lái)自系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)(lead-in area) SYLDI的再現(xiàn)信號(hào)相關(guān)的高C/N比，并且可以保證高的再現(xiàn)可靠性。(7) “L-H”有機(jī)染料記錄膜和在磁道上(on-track)時(shí)未記錄區(qū)域的光反射因數(shù)范圍可以保證與未記錄區(qū)域中擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)相關(guān)的高C/N比，并且可以保證與擺動(dòng)地址信息相關(guān)的高再現(xiàn)可靠性。(8) “L-H”有機(jī)染料記錄膜和擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)振幅范圍可以保證與擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)相關(guān)的高C/N比，并且可以保證與擺動(dòng)地址信息相關(guān)的高再現(xiàn)可靠性?！秲?nèi)容表》第0章波長(zhǎng)與本實(shí)施例之間關(guān)系的說(shuō)明本實(shí)施例中所使用的波長(zhǎng)。第I章本實(shí)施例中信息存儲(chǔ)介質(zhì)的組元組合的說(shuō)明
圖I示出本實(shí)施例中信息存儲(chǔ)介質(zhì)的組元的內(nèi)容的說(shuō)明。第2章相變(phase change)記錄膜與有機(jī)染料記錄膜之間再現(xiàn)信號(hào)差異的說(shuō)明
2-1)記錄原理/記錄膜的差異和關(guān)于生成再現(xiàn)信號(hào)的基本概念的差異......入_胃入的定義2-2)預(yù)刻凹坑(Pre-pit)/預(yù)刻溝槽(Pre-groove)區(qū)域中光反射層形狀的差異光學(xué)反射層形狀(旋轉(zhuǎn)涂布與濺射汽相沉積中的差異)和對(duì)再現(xiàn)信號(hào)的影響。第3章本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄膜的特性的說(shuō)明
3-1)與在使用傳統(tǒng)有機(jī)染料材料的一次性寫(xiě)入記錄膜(DVD-R)中實(shí)現(xiàn)高密度相關(guān)的問(wèn)題3-2)對(duì)本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄膜共同的基本特性的說(shuō)明在本發(fā)明中獲得有利效果的記錄層厚度的下限值、通道比特長(zhǎng)度(channel bitlength) /軌道間距，反復(fù)重放使能計(jì)數(shù)，最佳再現(xiàn)功率，溝槽寬度與岸臺(tái)寬度(land width)之間的比......與擺動(dòng)地址格式的關(guān)系溝槽部分與岸臺(tái)部分之間記錄層厚度的關(guān)系提高記錄信息糾錯(cuò)能力的技術(shù)和與PRML的組合3-3)本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄膜共同的記錄特性最佳記錄功率的上限值3-4)關(guān)于本實(shí)施例中“由高到低(以下縮寫(xiě)為H-L) ”記錄膜的特性的說(shuō)明未記錄層中反射因數(shù)的上限值A(chǔ) _的值與\ Imax的值之間的關(guān)系(未記錄/記錄位置處吸光率最大波長(zhǎng))未記錄/記錄位置處的反射因數(shù)相對(duì)值和調(diào)制度，及再現(xiàn)波長(zhǎng)處的光吸收值......范圍nXk所需分辨率特性與記錄層厚度之間上限值的關(guān)系第4章再現(xiàn)設(shè)備或記錄/再現(xiàn)設(shè)備與記錄條件/再現(xiàn)電路的說(shuō)明4-1)本實(shí)施例中再現(xiàn)設(shè)備或記錄/再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)和特性的說(shuō)明使用波長(zhǎng)范圍，NA值，和RM強(qiáng)度4-2)本實(shí)施例中再現(xiàn)電路的說(shuō)明4-3)本實(shí)施例中記錄條件的說(shuō)明第5章本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄膜的具體實(shí)施例的說(shuō)明5-1)關(guān)于本實(shí)施例中“L-H”記錄膜的特性的說(shuō)明記錄原理和未記錄/記錄位置處的調(diào)制度和反射因數(shù)5-2)與本實(shí)施例中“L-H”記錄膜相關(guān)的吸收光譜的特性用于設(shè)置最大吸收波長(zhǎng)X_胃入、Al4tl5的值和Ah4tl5的值的條件5-3)陰離子部分偶氮(Azo metal complex) +陽(yáng)離子部分染料5-4)使用“銅”作為含氮金屬絡(luò)合物+主金屬記錄后吸收光譜在“H-L”記錄膜中加寬，在“L-H”記錄膜中變窄。記錄前和記錄后最大吸收波長(zhǎng)改變量的上限值記錄前和記錄后最大吸收波長(zhǎng)的改變量很小，并且最大吸收波長(zhǎng)處吸光率變化。第6章關(guān)于涂層型(coating type)有機(jī)染料記錄膜中和光反射層界面上的預(yù)刻凹坑形狀/預(yù)刻溝槽形狀的說(shuō)明
6-1)光反射層(材料和厚度)厚度范圍和鈍化結(jié)構(gòu)......記錄原理和針對(duì)退化的對(duì)策(信號(hào)比襯底形變或比空腔(cavity)更易于退化)6-2)關(guān)于涂層型有機(jī)染料記錄膜中和光反射層界面上的預(yù)刻凹坑形狀的說(shuō)明通過(guò)增加系統(tǒng) 導(dǎo)入?yún)^(qū)中軌道間距_/通道比特間距而實(shí)現(xiàn)的有利效果系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)中的再現(xiàn)信號(hào)振幅值和分辨率關(guān)于光反射層4-2中岸臺(tái)部分和預(yù)刻凹坑部分處步進(jìn)量(step amount)的規(guī)定6-3)關(guān)于涂層型有機(jī)染料記錄膜中和光反射層界面上的預(yù)刻溝槽形狀的說(shuō)明關(guān)于光反射層4-2中岸臺(tái)部分和預(yù)刻溝槽部分處步進(jìn)量的規(guī)定推挽信號(hào)振幅范圍擺動(dòng)信號(hào)振幅范圍(與擺動(dòng)調(diào)制系統(tǒng)的組合)第7章第一下一代光盤(pán)的說(shuō)明HD DVD系統(tǒng)(以下稱(chēng)為H格式):記錄原理和針對(duì)再現(xiàn)信號(hào)退化的對(duì)策(信號(hào)比襯底形變或比空腔更易于退化)糾錯(cuò)碼(ECC)結(jié)構(gòu)，PRML(部分響應(yīng)最大似然Partial Response MaximumLikelihood)系統(tǒng)溝槽的寬平區(qū)域和擺動(dòng)地址格式之間的關(guān)系。在一次性寫(xiě)入記錄中，在作為非數(shù)據(jù)區(qū)的VFO區(qū)域中執(zhí)行覆寫(xiě)。覆寫(xiě)區(qū)域中DC分量改變的影響被降低。特別地，對(duì)“L-H”記錄膜的有利效果是顯著的。第8章第二下一代光盤(pán)的說(shuō)明B格式記錄原理和針對(duì)再現(xiàn)信號(hào)退化的對(duì)策(信號(hào)比襯底形變或空腔更易于退化)溝槽中寬平區(qū)域與擺動(dòng)地址格式之間的關(guān)系在一次性寫(xiě)入記錄中，在作為非數(shù)據(jù)區(qū)的VFO區(qū)域中執(zhí)行覆寫(xiě)。覆寫(xiě)區(qū)域中DC分量改變的影響被降低。特別地，“L-H”記錄膜中的有利效果是顯著的?，F(xiàn)在將給出本實(shí)施例的說(shuō)明。第0章使用波長(zhǎng)與本實(shí)施例之間的關(guān)系的說(shuō)明作為通過(guò)將有機(jī)染料材料用于記錄介質(zhì)而獲得的一次性寫(xiě)入光盤(pán)，市場(chǎng)上已經(jīng)出現(xiàn)使用記錄/再現(xiàn)激光源波長(zhǎng)780nm的⑶-R盤(pán)和使用記錄/再現(xiàn)激光束波長(zhǎng)650nm的DVD-R盤(pán)。另外，在已經(jīng)實(shí)現(xiàn)高密度的下一代一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，計(jì)劃將接近405nm(即，在355nm 455nm范圍內(nèi))的用于記錄或再現(xiàn)的激光源波長(zhǎng)用在稍后描述的圖I的H格式(Dl)或B格式(D2)中。在使用有機(jī)染料材料的一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，記錄/再現(xiàn)特性由于光源波長(zhǎng)的輕微改變而靈敏地改變。原則上，密度與用于記錄/再現(xiàn)的激光源波長(zhǎng)的平方成反比地増加，并且因此希望將更短的激光源波長(zhǎng)用于記錄/再現(xiàn)。但是，由于上述原因，不能將用于⑶-R盤(pán)或DVD-R盤(pán)的有機(jī)染料材料用作405nm的一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)。此外，由于405nm接近紫外線(xiàn)波長(zhǎng)，所以很容易出現(xiàn)ー種不利情況，即“可以容易地用405nm的光束記錄的”記錄材料的特性容易因紫外線(xiàn)照射而改變，從而缺少長(zhǎng)期穩(wěn)定性。特性根據(jù)使用的有機(jī)染料材料而相互明顯不同，并因此一般難以確定這些染料材料的特性。作為示例，將通過(guò)特定波長(zhǎng)描述前述特性。關(guān)于用波長(zhǎng)為650nm的光束優(yōu)化的有機(jī)染料記錄材料，要使用的光變得短于620nm，記錄/再現(xiàn)特性發(fā)生明顯變化。因此，在用波長(zhǎng)小于620nm的光束執(zhí)行記錄/再現(xiàn)操作的情形中，需要開(kāi)發(fā)新的有機(jī)染料材料，該材料對(duì)于記錄光或再現(xiàn)光的光源波長(zhǎng)是最佳的?？梢院苋菀椎赜貌ㄩL(zhǎng)小于530nm的光束執(zhí)行記錄的有機(jī)染料材料容易由于紫外線(xiàn)照射而引起特性退化，從而缺少長(zhǎng)期穩(wěn)定性。在本實(shí)施例中，將對(duì)與適合在接近405nm的情況下使用的有機(jī)記錄材料有關(guān)的實(shí)施例做出說(shuō)明。即，將對(duì)在考慮取決于半導(dǎo)體激光源的制造商的光發(fā)射波長(zhǎng)波動(dòng)的情況下與可以在355nm 455nm范圍內(nèi)穩(wěn)定使用的有機(jī)記錄材料相關(guān)的實(shí)施例做出說(shuō)明。即，本實(shí)施例的范圍對(duì)應(yīng)于 適合于波長(zhǎng)620nm、并且理想的情況是波長(zhǎng)小于530nm的光源的光束(最窄范圍內(nèi)清晰度(,definition)為 355nm 455nmノ。另外，由于有機(jī)染料材料的吸收光譜而引起的光學(xué)記錄靈敏度也受到記錄波長(zhǎng)的影響。適合長(zhǎng)期穩(wěn)定性的有機(jī)染料材料在關(guān)于波長(zhǎng)小于620nm的光束的光吸收率方面容易降低。特別地，對(duì)波長(zhǎng)小于620nm的光束，光吸收率顯著降低，并且特別地，對(duì)波長(zhǎng)小于530nm的光束，光吸收率的降低尤為劇烈。因此，在最苛刻的條件下，即用波長(zhǎng)為355nm 455nm的激光束執(zhí)行記錄的情形中，記錄靈敏度由于吸光率很低而被減弱，并且需要使用如本實(shí)施例所示的新記錄原理的新設(shè)計(jì)。用于記錄或再現(xiàn)應(yīng)用的焦斑(focusing spot)的尺寸與所使用的光束的波長(zhǎng)成比例地縮小。因此，僅從焦斑尺寸的角度出發(fā)，在波長(zhǎng)減小到上述值的情形中，試圖通過(guò)關(guān)于作為傳統(tǒng)技術(shù)的當(dāng)前DVD-R盤(pán)(使用波長(zhǎng)650nm)的波長(zhǎng)分量縮小軌道間距或通道比特長(zhǎng)度。但是，如下面在“3-2-A]要求應(yīng)用依照本實(shí)施例的技術(shù)的范圍”中所述，只要使用諸如DVD-R盤(pán)這樣的傳統(tǒng)一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的記錄原理，就存在不能縮小軌道間距或通道比特長(zhǎng)度的問(wèn)題。軌道間距或通道比特長(zhǎng)度可以通過(guò)使用本實(shí)施例中設(shè)計(jì)的下述技術(shù)而與上述波長(zhǎng)成比例地縮小。第I章本實(shí)施例中信息存儲(chǔ)介質(zhì)的組元的組合的說(shuō)明在本實(shí)施例中，存在ー個(gè)重要的技術(shù)特征，S卩，已經(jīng)設(shè)計(jì)了適合于波長(zhǎng)等于或小于620nm的光源的有機(jī)記錄介質(zhì)材料(有機(jī)染料材料)。這種有機(jī)記錄介質(zhì)(有機(jī)染料材料)具有光反射因數(shù)在記錄刻記中増大的獨(dú)特特性(由低到高特性)，這是傳統(tǒng)CD-R盤(pán)或DVD-R盤(pán)中沒(méi)有的。因此，在信息存儲(chǔ)介質(zhì)的結(jié)構(gòu)、尺寸、或格式(信息記錄格式)組合中產(chǎn)生本實(shí)施例的技術(shù)特征和由此獲得的新效果，所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)更有效地產(chǎn)生本實(shí)施例所示的有機(jī)記錄材料(有機(jī)染料材料)的特性。圖I示出產(chǎn)生本實(shí)施例中的新技術(shù)特征和有利效果的組合。即本實(shí)施例中的信息存儲(chǔ)介質(zhì)具有下列組元A]有機(jī)染料記錄膜B]預(yù)制格式(諸如預(yù)刻溝槽形狀/尺寸或預(yù)刻凹坑形狀/尺寸)；C]擺動(dòng)狀態(tài)(諸如擺動(dòng)調(diào)制方法和擺動(dòng)改變形狀，擺動(dòng)振幅，和擺動(dòng)分配方法)；和D]格式(諸如用于記錄將被記錄或已經(jīng)被預(yù)先記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的數(shù)據(jù)的格式)。組元的特定實(shí)施例對(duì)應(yīng)于圖I的每欄中所描述的內(nèi)容。在圖I所示組元的特定實(shí)施例的組合中產(chǎn)生本實(shí)施例的技術(shù)特征和獨(dú)特的有利效果。下面將在解釋實(shí)施例的階段對(duì)各個(gè)實(shí)施例的組合狀態(tài)做出說(shuō)明。關(guān)于不指定組合的組元，其表示使用如下特性
A5)任意涂層記錄膜；B3)任意溝槽形狀和任意凹坑形狀；C4)任意調(diào)制系統(tǒng)C6)任意振幅量；和D4)任意記錄方法和一次性寫(xiě)入介質(zhì)中的格式。第2章相變記錄膜與有機(jī)染料記錄膜之間再現(xiàn)信號(hào)的差異的說(shuō)明2-1)記錄原理/記錄膜的差異和關(guān)于生成再現(xiàn)信號(hào)的基本概念的差異 圖2A示出標(biāo)準(zhǔn)相變記錄膜結(jié)構(gòu)(主要用于可重寫(xiě)型信息存儲(chǔ)介質(zhì))，圖2B示出標(biāo)準(zhǔn)有機(jī)染料記錄膜結(jié)構(gòu)(主要用于一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì))。在本實(shí)施例的說(shuō)明中，不包含圖2A和2B中所示透明襯底2-1和2-2 (包含光反射層4_1和4_2)的整個(gè)記錄膜結(jié)構(gòu)被定義為“記錄膜”，并與其內(nèi)設(shè)置有記錄材料的記錄層3-1和3-2相區(qū)別。關(guān)于使用相變的記錄材料，通常，記錄區(qū)(在記錄刻記中)和未記錄區(qū)(在記錄刻記外)的光學(xué)特性改變量很小，并且因此使用增強(qiáng)結(jié)構(gòu)來(lái)提高再現(xiàn)信號(hào)的相對(duì)變化率。因此，如圖2A所示，在相變記錄膜結(jié)構(gòu)中，在透明襯底2-1與相變型記錄層3-1之間設(shè)置底襯中間層5，在光反射層4-2與相變型記錄層3-1之間設(shè)置上中間層。在本發(fā)明中，作為用于透明襯底2-1和2-2的材料，使用是透明塑性材料的丙烯酸PMMA(聚甲基丙烯酸甲酷)或聚碳酸酯PC。本實(shí)施例中所使用的激光束7的中心波長(zhǎng)是405nm，并且該波長(zhǎng)處聚碳酸酯PC的折射率n21、n22接近I. 62。結(jié)晶區(qū)中，最經(jīng)常被用作為相變型記錄材料的GeSbTe (鍺銻碲)處對(duì)405nm的標(biāo)準(zhǔn)折射率H31和吸收系數(shù)k31為Ii31與1.5, k31與2.5，而在無(wú)定形區(qū)！!31與2.5，k31與1.8。因此，相變型記錄介質(zhì)的折射率(在無(wú)定形區(qū))與透明襯底2-1的折射率不同，并且在相變記錄膜結(jié)構(gòu)中，容易發(fā)生激光束7在各層之間的界面上的反射。如上所述，由于(I)相變記錄膜結(jié)構(gòu)采用增強(qiáng)結(jié)構(gòu)；和(2)各層之間的折射率差異很大等原因，作為底襯中間層5、記錄層3-1、上中間層6與光反射層4-2之間界面上所生成的多反射光束的干涉結(jié)果，可以獲得在從記錄在相變記錄膜中的記錄刻記進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)的光反射量改變(來(lái)自記錄刻記的光反射量與來(lái)自未記錄區(qū)的光反射量的差值)。在圖2A中，雖然激光束7明顯在底襯中間層5與記錄層3-1之間的界面、記錄層3-1與上中間層6之間的界面、上中間層6與光反射層4-2之間的界面上被反射，但事實(shí)上，作為多個(gè)多反射光束之間的干渉結(jié)果獲得反射光量改變。與此相反，有機(jī)染料記錄膜結(jié)構(gòu)采用由有機(jī)染料記錄層3-2和光反射層4-2構(gòu)成的非常簡(jiǎn)單的疊層結(jié)構(gòu)。使用這種有機(jī)染料記錄膜的信息存儲(chǔ)介質(zhì)(光盤(pán))被稱(chēng)為一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)，其只能被記錄一次。但是，與使用相變記錄介質(zhì)的可重寫(xiě)型信息存儲(chǔ)介質(zhì)不同，該介質(zhì)不能對(duì)已經(jīng)記錄的信息執(zhí)行擦除處理或重寫(xiě)處理。一般有機(jī)染料記錄材料在405nm的折射率經(jīng)常接近H32與1.4 (多種有機(jī)染料記錄材料在405nm的折射率范圍是n32 = I. 4 I. 9)，并且吸收系數(shù)通常接近Ii32=^ 0.2 (多種有機(jī)染料記錄材料在405nm的吸收系數(shù)范圍是k32$0.1 ~ 0.2 )。由于有機(jī)染料記錄材料與透明襯底2-2之間的折射率差異很小，所以記錄層3-2與透明襯底2-2之間的界面上幾乎不出現(xiàn)光反射量。因此，有機(jī)顔料記錄膜的光學(xué)再現(xiàn)原理(反射光量發(fā)生變化的原因)不是相變記錄膜中的“多次干渉”，并且主要因素是“激光束7在光反射層4-2中被反射后返回的光徑中途的光量損失(包括干渉)”。導(dǎo)致光徑中途光量損失的具體原因包括“由于部分在激光束7中引起的相差而產(chǎn)生的干涉現(xiàn)象”或“記錄層3-2中的光學(xué)吸收現(xiàn)象”。不存在預(yù)刻凹坑或預(yù)刻溝槽的鏡像表面上未記錄區(qū)中有機(jī)染料記錄膜的光反射因數(shù)的特征是，直接由這樣ー個(gè)值獲得，其中該值是通過(guò)從光反射層4-2中激光束7的光反射因數(shù)中減去在穿過(guò)記錄層3-2時(shí)的光學(xué)吸收量而得到的。如上所述，這種膜與相變記錄膜不同，后者的光反射因數(shù)是通過(guò)計(jì)算“多次干渉”而獲得的。首先，將對(duì)作為傳統(tǒng)技術(shù)應(yīng)用在當(dāng)前DVD-R盤(pán)中的記錄原理做出說(shuō)明。在當(dāng)前的DVD-R盤(pán)中，當(dāng)用激光束7照射記錄膜吋，記錄層3-2局部吸收激光束7的能量，并變熱。如果超過(guò)特定溫度，則透明襯底2-2局部形變。雖然包括透明襯底2-2的形變的機(jī)制根據(jù)DVD-R盤(pán)的制造商而不同，但是據(jù)說(shuō)這種機(jī)制是通過(guò)如下而實(shí)現(xiàn)的(I)由于記錄層3-2的氣化能量而引起的透明襯底2-2的局部塑性形變；和(2)熱量從記錄層3-2到透明襯底2-2的轉(zhuǎn)移，以及由于受熱而引起的透明襯底
2-2的局部塑性形變。如果透明襯底2-2發(fā)生局部塑性形變，則穿過(guò)透明襯底2-2在光反射層4_2中被反射的激光束7的光學(xué)距離改變，其中激光束7又穿過(guò)透明襯底2-2返回。在來(lái)自記錄刻記的激光束7與來(lái)自記錄刻記外圍的激光束7之間發(fā)生相差，其中前者穿過(guò)局部塑性形變的透明襯底2-2的部分返回，后者穿過(guò)未形變的透明襯底2-2的部分返回，并因此反射光束由于這些光束之間的干涉而發(fā)生光量改變。另外，特別地，在上述機(jī)制(I)已經(jīng)發(fā)生的情形中，由于氣化(蒸發(fā))導(dǎo)致的記錄層3-2中記錄刻記內(nèi)氣穴現(xiàn)象所產(chǎn)生的實(shí)際折射率n32的改變，或者可選地，由于記錄刻記中有機(jī)染料記錄材料的熱分解而產(chǎn)生的折射率n32的改變，也會(huì)導(dǎo)致上述相差的出現(xiàn)。在當(dāng)前的DVD-R盤(pán)中，在透明襯底2-2發(fā)生局部形變之前，需要使記錄層3-2變熱(即，在上述機(jī)制(I)中記錄層3-2的氣化溫度或在上述機(jī)制(2)中對(duì)透明襯底2-2進(jìn)行塑性重整所需的記錄層3-2的內(nèi)部溫度)，或者需要記錄層3-2的部分變熱以便導(dǎo)致熱分解或氣化(蒸發(fā))。為了形成記錄刻記，需要大量的激光束7功率。為了形成記錄刻記，記錄層3-2必需能在第一階段吸收激光束7的能量。記錄層
3-2中的吸收光譜影響有機(jī)染料記錄膜的記錄靈敏度。下面將參照本實(shí)施例的(A3)描述構(gòu)成記錄層3-2的有機(jī)染料記錄材料中的光吸收原理。圖3示出圖I所示信息存儲(chǔ)介質(zhì)的組元的具體內(nèi)容“ (A3)偶氮+Cu”的特定分子式。獲得圖3所示偶氮的中心金屬M(fèi)周?chē)沫h(huán)形外圍區(qū)域作為光發(fā)射區(qū)8。當(dāng)激光束7穿過(guò)該光發(fā)射區(qū)8吋，該光發(fā)射去8中的局域電子(local electron)與激光束7的電場(chǎng)變化發(fā)生共振，并吸收激光束7的能量。對(duì)于這些電子共振最強(qiáng)并容易吸收能量的電場(chǎng)變化頻率轉(zhuǎn)換成激光束波長(zhǎng)的值被稱(chēng)為最大吸收波長(zhǎng)，用Xmax表示。隨著圖3所示光發(fā)射區(qū)8(共振范圍)的范圍増大，最大吸收波長(zhǎng)偏移到長(zhǎng)波長(zhǎng)側(cè)。另外，在圖3中，中心金屬M(fèi)周?chē)木钟螂娮拥亩ㄎ环秶?中心金屬M(fèi)可以將局域電子吸引到中心附近的范圍)可以通過(guò)改變中心金屬M(fèi)的原子而改變，并且最大吸收波長(zhǎng)\ _的值發(fā)生變化。雖然可以預(yù)知在只存在ー個(gè)溫度為絕對(duì)0度的高純度光發(fā)射區(qū)8的情形中，有機(jī) 染料記錄材料的吸收光譜為靠近最大吸收波長(zhǎng)Xmax的窄線(xiàn)性光譜，但是，通常溫度下包含雜質(zhì)并進(jìn)ー步包含多個(gè)光吸收區(qū)的一般有機(jī)記錄材料的光吸收光譜相對(duì)于最大吸收波長(zhǎng)入_周?chē)墓馐ㄩL(zhǎng)展示出寬的光吸收特性。
圖4示出用于當(dāng)前DVD-R盤(pán)的有機(jī)染料記錄材料的光吸收光譜的示例。在圖4中，用于照射通過(guò)涂敷有機(jī)染料記錄材料而形成的有機(jī)染料記錄膜的光束的波長(zhǎng)用橫軸表示，并且在用具有相應(yīng)波長(zhǎng)的光束照射有機(jī)染料記錄膜時(shí)所獲得的吸光率用縱軸表示。這里所使用的吸光率是通過(guò)對(duì)于在一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)已經(jīng)完成的狀態(tài)(或者可選地，僅記錄層3-2已經(jīng)在透明襯底2-2上形成的狀態(tài)(對(duì)于圖2B的結(jié)構(gòu)形成光學(xué)反射層4-2的狀態(tài)))從透明襯底2-2側(cè)引入入射強(qiáng)度為Io的光束、并然后測(cè)量反射激光強(qiáng)度Ir (從記錄層3-2側(cè)透射的激光束的光強(qiáng)度It)所獲得的值。吸光率Ar(At)表示為Ar = -IoglO (Ir/Io)(A-I)Ar = -IoglO (It/Io)(A_2)本實(shí)施例中，除非特別說(shuō)明，雖然在給出的說(shuō)明中假設(shè)吸光率表示公式(A-I)所表示的反射形式的吸光率Ar，但可以定義公式(A-2)所表示的透射形式的吸光率At，而不限制于此。在圖4所示實(shí)施例中，有多個(gè)光吸收區(qū)，每個(gè)都包含光發(fā)射區(qū)8，并因此存在多個(gè)吸光率最大的位置。在這種情形中，存在多個(gè)在吸光率取最大值時(shí)的最大吸收波長(zhǎng)Xmax。當(dāng)前DVD-R盤(pán)中的記錄激光的波長(zhǎng)設(shè)為650nm。在本實(shí)施例中存在多個(gè)最大吸收波長(zhǎng)入max的情形中，最接近記錄激光束波長(zhǎng)的最大吸收波長(zhǎng)Xmax的值變得重要。因此，只在本實(shí)施例的說(shuō)明中，設(shè)置在最接近記錄激光束波長(zhǎng)的位置處的最大吸收波長(zhǎng)的值被定義為“入.寫(xiě)入”；并與另一入max(Xmax0)相區(qū)別。2-2)預(yù)刻凹坑/預(yù)刻溝槽區(qū)中光反射層形狀的差異圖5A和5B示出在記錄膜在預(yù)刻凹坑區(qū)或預(yù)刻溝槽區(qū)10中形成時(shí)的形狀的比較。圖5A示出與相變記錄膜相關(guān)的形狀。在構(gòu)造底襯中間層5、記錄層3-1、上中間層6和光反射層4-1中任何一個(gè)的情形中，在真空中使用濺射汽相沉積、真空汽相沉積或離子鍍方法中任何ー種。因此，在多個(gè)層中，比較準(zhǔn)確地復(fù)制了透明襯底2-2的不規(guī)則性。例如，在透明襯底2-1的預(yù)刻凹坑區(qū)或預(yù)刻溝槽區(qū)10中截面形狀為矩形或梯形的情形中，記錄層3-1和光反射層4-1的截面形狀也是矩形或梯形。圖5B示出在已經(jīng)使用有機(jī)染料記錄膜的情況下作為傳統(tǒng)技術(shù)的當(dāng)前DVD-R盤(pán)的一般記錄膜截面形狀。在這種情形中，作為用于構(gòu)成記錄膜3-2的方法，使用被稱(chēng)為旋轉(zhuǎn)涂布(或旋轉(zhuǎn)式涂布)的方法，這與圖5A所示的完全不同。這里使用的旋轉(zhuǎn)涂布指的是用于將構(gòu)成記錄層3-2的有機(jī)染料記錄材料溶解在有機(jī)溶劑中；將涂層應(yīng)用于透明襯底2-2上；然后通過(guò)高速旋轉(zhuǎn)透明襯底2-2，以借助離心カ使涂布劑擴(kuò)展到透明襯底2-2的外邊緣側(cè)；并將有機(jī)溶劑氣化從而形成記錄層3-2的方法。通過(guò)使用這種方法，使用用于涂敷有機(jī)溶劑的處理，并因此容易使記錄層3-2 (與光反射層2-2的界面)的表面平滑。結(jié)果，獲得的光反射層2-2與記錄層3-2之間界面上的截面形狀與透明襯底2-2的表面(透明襯底2-2與記錄層3-2之間的界面)的形狀不同。例如，在其中透明襯底2-2的表面(透明襯底2-2與記錄層3-2之間的界面)的截面形狀為矩形或梯形的預(yù)刻溝槽區(qū)中，形成的光反射層2-2與記錄層3-2之間界面上的截面形狀基本是V型溝槽形。在預(yù)刻凹坑區(qū)中，形成的上述截 面形狀基本為錐形側(cè)面形。另外，在進(jìn)行旋轉(zhuǎn)涂布時(shí)，有機(jī)溶劑容易在凹陷部分聚集，并因此，預(yù)刻凹坑區(qū)或預(yù)刻溝槽區(qū)中記錄層3-2的厚度Dg( S卩，從預(yù)刻凹坑區(qū)或預(yù)刻溝槽區(qū)的底面到相對(duì)光反射層2-2的界面最低的位置的距離)大于岸臺(tái)區(qū)12中的厚度Dl (Dg > Dl)。結(jié)果，預(yù)刻凹坑區(qū)或預(yù)刻溝槽區(qū)10中透明襯底2-2與記錄區(qū)3-2之間界面上的不規(guī)則體的數(shù)量變得充分小于透明襯底2-2和記錄層3-2上不規(guī)則體的數(shù)量。如上所述，光反射層2-2與記錄層3-2之間界面上的不規(guī)則體形狀變鈍，并且不規(guī)則體的數(shù)量明顯變小。因此，在透明襯底2(預(yù)刻凹坑區(qū)或預(yù)刻溝槽區(qū)10)表面上的不規(guī)則體的形狀和尺寸根據(jù)形成記錄膜的方法不同而相互相等的情形中，在激光照射時(shí)來(lái)自有機(jī)染料記錄膜的反射光束的衍射強(qiáng)度明顯比來(lái)自相變記錄膜的反射光束的衍射強(qiáng)度退化得多。結(jié)果，在透明襯底2(預(yù)刻凹坑區(qū)或預(yù)刻溝槽區(qū)10)表面上的不規(guī)則體的形狀和尺寸相互相等的情形中，與使用相變記錄膜的情況相比，使用傳統(tǒng)有機(jī)染料記錄膜的不利特征在于(I)來(lái)自預(yù)刻凹坑區(qū)的光再現(xiàn)信號(hào)的調(diào)制度 很小，并且來(lái)自預(yù)刻凹坑區(qū)的信號(hào)再現(xiàn)可靠性差；(2)幾乎不能從預(yù)刻溝槽區(qū)中根據(jù)推挽技術(shù)獲得足夠大的軌道偏移檢測(cè)信號(hào)；和(3)在預(yù)刻溝槽區(qū)中發(fā)生擺動(dòng)的情形中，幾乎不能獲得足夠大的擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)。另外，在DVD-R盤(pán)中，諸如地址信息這樣的特定信息以小的不規(guī)則(凹點(diǎn))形狀記錄在岸臺(tái)區(qū)中，并因此，岸臺(tái)區(qū)12的寬度Wl大于預(yù)刻凹坑區(qū)或預(yù)刻溝槽區(qū)10的寬度Wg(Wg> Wl)。第3章本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄膜的特性的說(shuō)明3-1)關(guān)于使用傳統(tǒng)有機(jī)染料材料在一次性寫(xiě)入型記錄膜(DVD-R)中實(shí)現(xiàn)高密度的問(wèn)題如“2-1)記錄原理/記錄膜結(jié)構(gòu)的差異和關(guān)于生成再現(xiàn)信號(hào)的基本概念的差異”中所述，作為使用傳統(tǒng)有機(jī)染料材料的一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的當(dāng)前DVD-R或CD-R的一般記錄原理包括“透明襯底2-2的局部塑性形變”或“記錄層3-2中的局部熱分解或“氣化””。圖6A和6B示出使用傳統(tǒng)有機(jī)染料材料的一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中記錄刻記9位置處特定透明襯底2-2的塑性形變狀態(tài)。有兩類(lèi)典型的塑性形變狀態(tài)。有兩種情形，即，在一種情形中，如圖6A所示，記錄刻記9位置處的預(yù)刻溝槽區(qū)的底面14的深度(相對(duì)于相鄰岸臺(tái)區(qū)12的步進(jìn)量)與未記錄區(qū)中預(yù)刻溝槽區(qū)11的底面的深度不同(在圖6A所示的示例中，記錄刻記9位置處預(yù)刻溝槽區(qū)中底面14的深度比未記錄區(qū)中的小)；在另ー種情形中，如圖6B所示，記錄刻記9位置處的預(yù)刻溝槽區(qū)中底面14變形并發(fā)生輕微彎曲(底面14的平面性被扭曲在圖6B所示的示例中，記錄刻記9位置處的預(yù)刻溝槽區(qū)中的底面14稍微向底側(cè)彎曲)。這兩種情形的特種都在于記錄刻記9位置處的透明襯底2-2的塑性變形范圍覆蓋寬的范圍。在當(dāng)前傳統(tǒng)技術(shù)DVD-R盤(pán)中，軌道間距是0. 74 u m,通道比特長(zhǎng)度為0. 133 u m。在該程度的大值情形中，即使記錄刻記9位置處透明襯底2-2的塑性形變范圍覆蓋寬的范圍，也可以執(zhí)行比較穩(wěn)定的記錄和再現(xiàn)處理。但是，如果軌道間距窄于上述0. 74 u m,則記錄刻記9位置處透明襯底2_2的塑性形變范圍覆蓋寬的范圍，并因此對(duì)相鄰軌道產(chǎn)生不利影響，并且存在的相鄰軌道的記錄刻記9由于其中記錄刻記9加寬至相鄰軌道的“交叉寫(xiě)入”或覆寫(xiě)而基本被擦除(不能被再現(xiàn))。另外，在沿著軌道的方向(圓周方向)上，如果通道比特長(zhǎng)度窄于0.133 pm，則發(fā)生問(wèn)題，出現(xiàn)碼間干擾；再現(xiàn)時(shí)的誤差率明顯增加；并且再現(xiàn)的可靠性降低。3-2)本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄膜共同的基本特性的說(shuō)明3-2-A]需要應(yīng)用依照本實(shí)施例的技術(shù)的范圍
如圖6A和6B所示，在包含透明襯底2_2的塑性形變或記錄膜3_2中局部熱分解或氣化現(xiàn)象的傳統(tǒng)一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，下面將說(shuō)明出現(xiàn)不利影響時(shí)軌道間距變窄到什么程度，或出現(xiàn)不利影響時(shí)通道比特長(zhǎng)度變窄到什么程度，以及在對(duì)于這種不利影響的原因已經(jīng)執(zhí)行技術(shù)討論之后所獲得的結(jié)果。在使用傳統(tǒng)記錄原理的情形中開(kāi)始出現(xiàn)不利影響的范圍是指由于本實(shí)施例中所示新型記錄原理而獲得有利效果的(適于實(shí)現(xiàn)高密度的)范圍。(I)記錄層3-2的厚度Dg的條件在試圖執(zhí)行熱分析以便在理論上確定可允許的通道比特長(zhǎng)度的下限值或可允許的軌道間距的下限值時(shí)，基本可以被熱分析的記錄層3-2的厚度Dg的范圍變得重要。如圖6A和6B所示，在包括透明襯底2-2塑性形變的傳統(tǒng)一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(⑶-R或DVD-R)中，對(duì)于在記錄刻記8中提供信息再現(xiàn)焦斑的情形中或焦斑在記錄層3-2的未記錄區(qū)中的情形中的光反射量改變，最大因素是“由于記錄刻記9中和未記錄區(qū)中光學(xué)距離差異所產(chǎn)生的干涉效應(yīng)”。另外，其光學(xué)距離的差異主要由“由于透明襯底2-2的塑性形變所引起的物理記錄層3-2的厚度Dg (從透明襯底2-2與記錄層3-2之間界面到記錄層3_2與光反射層4-2之間界面的物理距離)的改變”和“記錄刻記9中記錄層3-2的折射率n32的改變”引起。因此，為了在記錄刻記9與未記錄區(qū)之間獲得充足的再現(xiàn)信號(hào)(光反射量改變)，在將激光束在真空中的波長(zhǎng)定義為、時(shí)，未記錄區(qū)中厚度3-2的值的大小必需在一定程度上可以與X/n32相當(dāng)。否則，不會(huì)出現(xiàn)記錄刻記9與未記錄區(qū)之間光學(xué)距離的差異(相位差)，并且光干渉效應(yīng)變小。事實(shí)上，必須滿(mǎn)足最低條件Dg 彡入 /8n32(I)并且優(yōu)選地，必須滿(mǎn)足條件Dg 彡入 /4n32(2)在進(jìn)行目前的討論時(shí),假設(shè)入=405nm附近。405nm時(shí)有機(jī)染料記錄材料的折射率H32的值的范圍是I. 3 2. O。因此，作為將n32 = 2.0代入公式⑴中的結(jié)果，有條件地要求記錄層3-2的厚度Dg的值為Dg ^ 25nm(3)這里，討論包括透明襯底2-2的塑性形變的傳統(tǒng)一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(CD-R或DVD-R)的有機(jī)染料記錄層已經(jīng)與405nm的光束關(guān)聯(lián)時(shí)的條件。如下所述，在本實(shí)施例中，雖然對(duì)不發(fā)生透明襯底2-2塑性形變且吸收系數(shù)k32的改變是記錄原理的主要因素的情形做出了說(shuō)明，但需要通過(guò)使用來(lái)自記錄刻記9的DPD (差分相位檢測(cè))技術(shù)來(lái)執(zhí)行軌道偏移檢測(cè)，并因此，事實(shí)上，折射率n32的改變是在記錄刻記9中引起的。因此，公式(3)的條件變成了其中不發(fā)生透明襯底2-2塑性形變的本實(shí)施例中應(yīng)滿(mǎn)足的條件。也從另ー個(gè)角度出發(fā)，可以指定厚度Dg的范圍。在圖5A所示相變記錄膜的情形中，在透明襯底的折射率為n21時(shí)，在通過(guò)使用推挽技術(shù)獲得最大軌道偏移檢測(cè)信號(hào)吋，預(yù)刻凹坑區(qū)與岸臺(tái)區(qū)之間的步進(jìn)量是入バ8n21)。但是，如前所述，在圖5B所示的有機(jī)染料記錄膜的情形中，記錄層3-2與光反射層4-2之間界面上的形狀變鈍，并且步進(jìn)量變小。因此，需要増加透明襯底2-2上預(yù)刻凹坑區(qū)與岸臺(tái)區(qū)之間的步進(jìn)量，使其明顯大于入バSn22)。例如，在已經(jīng)將聚碳酸酯用作透明襯底2-2的材料的情形中，405nm時(shí)的折射率Il22 41.62,并因此，需要增加預(yù)刻凹坑區(qū)與岸臺(tái)區(qū)之間的步進(jìn)量，使其明顯大于31nm。在使用旋轉(zhuǎn)涂布、技術(shù)的情形中，如果預(yù)刻溝槽區(qū)中記錄層3-2的厚度Dg大于透明徹底2-2上預(yù)刻凹坑區(qū)與岸臺(tái)區(qū)之間的步進(jìn)量，就存在岸臺(tái)區(qū)12中記錄層3-2的厚度Dl被消除的危險(xiǎn)。因此，根據(jù)上述討論結(jié)果，需要滿(mǎn)足條件Dg ^ 3 Inm(4)公式(4)的條件也是其中不發(fā)生透明襯底2-2塑性形變的本實(shí)施例中應(yīng)滿(mǎn)足的條件。雖然下限值的條件已經(jīng)在公式⑶和⑷中示出，但通過(guò)用n32 = I. 8替換公式⑵中的等號(hào)部分所獲得的值Dg □ 60nm已經(jīng)被用作為用于熱分析的記錄層3_2的厚度Dg。然后，假設(shè)用聚碳酸酯作為透明襯底2-2的標(biāo)準(zhǔn)材料，將聚碳酸酯的玻璃化轉(zhuǎn)換溫度150°C已經(jīng)被設(shè)為透明襯底2-2側(cè)的熱形變 溫度的估計(jì)值。對(duì)于使用熱分析的討論，已將k32 = 0. I 0. 2的值假設(shè)為405nm時(shí)有機(jī)染料記錄膜3_2的吸收系數(shù)的值。另外，已經(jīng)對(duì)在穿過(guò)物鏡時(shí)入射光強(qiáng)度分布和調(diào)焦(focusing)物鏡的NA值為NA = 60和H格式(圖I中(Dl) NA = 0. 65)和B格式(圖I中(D2) NA = 0. 85)的情形做出了討論，其中B格式是假設(shè)的傳統(tǒng)DVD-R格式中的條件。(2)通道比特長(zhǎng)度的下限值條件已經(jīng)對(duì)在記錄功率已經(jīng)改變時(shí)沿著與記錄層3-2接觸的透明襯底2-2側(cè)上達(dá)到熱分解溫度的區(qū)域中軌道的方向上的縱向變化進(jìn)行檢查。已經(jīng)討論了在再現(xiàn)時(shí)考慮窗ロ空邊(window margin)的情況下可允許的通道比特長(zhǎng)度的下限值。結(jié)果，如果通道比特長(zhǎng)度略低于105nm，那么就認(rèn)為依照記錄功率的輕微改變而發(fā)生在透明襯底2-2側(cè)達(dá)到熱分解溫度的區(qū)域中軌道方向上的縱向改變，并且不能獲得足夠的窗ロ空邊。討論熱分析時(shí)，在NA值是0. 60,0. 65、和0. 85中任何一個(gè)的情形中示出了模擬趨勢(shì)。雖然通過(guò)改變NA值改變了焦斑大小，但是可能的原因被認(rèn)為是熱傳播范圍較寬(與記錄層3-2接觸的透明襯底2-2側(cè)上溫度分布的梯度相對(duì)平緩)。在上面的熱分析中，討論了與記錄層3-2接觸的透明襯底
2-2側(cè)上的溫度分布，并因此，不會(huì)出現(xiàn)記錄層3-2的厚度Dg的影響。另外，發(fā)生圖6A和6B所示的透明襯底的形狀改變的情形中，襯底形變區(qū)的邊界位置變模糊，并因此，窗ロ空邊更明顯地變小。用電子顯微鏡觀(guān)察形成記錄刻記9的區(qū)域的截面形狀吋，認(rèn)為襯底形變區(qū)的邊界位置的模糊量隨著記錄層3-2的厚度Dg的值增加而増加。關(guān)于由于以上記錄功率改變而產(chǎn)生的對(duì)熱分解區(qū)長(zhǎng)度的影響，考慮到該襯底形變區(qū)的邊界位置的模糊，認(rèn)為需要使允許分配足夠窗ロ空邊的通道比特長(zhǎng)度的下限值是記錄層
3-2的厚度Dg的兩倍的量級(jí)，并且優(yōu)選地下限值大于120nm。前面，已經(jīng)主要對(duì)在發(fā)生透明襯底2-2熱分解的情形中使用熱分析的討論做出了說(shuō)明。還存在ー種情形，其中作為傳統(tǒng)一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(CD-R或DVD-R)中記錄原理(用于構(gòu)成記錄刻記9的機(jī)制)，透明襯底2-2的塑性形變非常小，并且主要發(fā)生記錄層3-2中有機(jī)染料記錄材料的熱分解或氣化(蒸發(fā))。因此，將對(duì)這種情形做出另外的說(shuō)明。雖然有機(jī)染料記錄材料的氣化(蒸發(fā))溫度根據(jù)有機(jī)染料材料的類(lèi)型不同而不同，但通常，溫度范圍是220°C 370°C，并且熱分解溫度比該范圍低。雖然上面的討論中已將聚碳酸酯樹(shù)脂的玻璃化轉(zhuǎn)換溫度150°C設(shè)為襯底形變時(shí)的到達(dá)溫度，但150°C與220°C之間的溫差小，并且當(dāng)透明襯底2-2達(dá)到150°C吋，記錄層3-2內(nèi)超過(guò)220°C。因此，雖然根據(jù)有機(jī)記錄材料的類(lèi)型而存在例外情況，但即使在透明襯底2-2的塑性形變非常小且主要發(fā)生記錄層中有機(jī)染料記錄材料的熱分解或氣化(蒸發(fā))的情況下，還是獲得與上述討論結(jié)果基本相同的結(jié)果。在總結(jié)關(guān)于以上通道比特長(zhǎng)度的討論結(jié)果時(shí)，在包括透明襯底2-2塑性形變的傳統(tǒng)一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(⑶-R或DVD-R)中，認(rèn)為當(dāng)通道比特長(zhǎng)度窄于120nm吋，窗ロ空邊降低，并且另外，如果長(zhǎng)度小于105nm，則難以進(jìn)行穩(wěn)定的再現(xiàn)。也就是說(shuō)，當(dāng)通道比特小于120nm(105nm)時(shí),通過(guò)使用本實(shí)施例所示的新型記錄原理獲得有利效果。(3)軌道間距的下限值條件當(dāng)對(duì)記錄層3-2施加記錄功率時(shí)，在記 錄層3-2中吸收能量，并且獲得高溫度。在傳統(tǒng)一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(CD-R或DVD-R)中，必需在記錄層3-2中吸收能量，直到透明襯底3-2已經(jīng)達(dá)到熱形變溫度。在記錄層3-2中發(fā)生有機(jī)染料記錄材料的結(jié)構(gòu)變化且折射率n32或吸收系數(shù)k32的值開(kāi)始變化的溫度比透明襯底2-2開(kāi)始熱形變的到達(dá)溫度低得多。因此，在透明襯底2-2側(cè)發(fā)生熱形變的記錄刻記9外圍處的記錄層3-2中，折射率n32或吸收系數(shù)k32的值在比較寬的范圍內(nèi)變化，并且這個(gè)變化可能引起相鄰軌道的“交叉寫(xiě)入”或“交錯(cuò)擦除”?？梢栽O(shè)置在透明襯底2-2超過(guò)熱形變溫度時(shí)達(dá)到改變記錄層3-2中折射率n32或吸收系數(shù)k32的溫度的區(qū)域的寬度的情況下不發(fā)生“交叉寫(xiě)入”或“交錯(cuò)擦除”的軌道間距的下限值。從上述觀(guān)點(diǎn)的角度出發(fā)，認(rèn)為“交叉寫(xiě)入”或“交錯(cuò)擦除”發(fā)生在軌道間距等于或小于500nm的位置。另外，由于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的翹曲或傾斜或記錄功率(記錄功率裕度)改變的影響，可以斷定，難以將在透明襯底2-2已經(jīng)達(dá)到熱形變溫度之前在記錄層3-2中吸收能量的傳統(tǒng)一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(CD-R或DVD-R)中的軌道間距設(shè)為600nm或更小。如上所述，即使NA值從0.60變到0.65，然后變到0. 85，顯示趨向也基本相同，因?yàn)楫?dāng)透明襯底2-2在中心部分處達(dá)到熱形變溫度時(shí)外圍記錄層3-2中的溫度分布梯度比較平緩，并且熱傳播范圍寬。在透明徹底2-2的塑性形變非常小、并且主要發(fā)生記錄層3-2中有機(jī)染料記錄材料的熱分解或氣化(蒸發(fā))作為傳統(tǒng)一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(CD-R或DVD-R)的另ー記錄原理(構(gòu)成記錄刻記9的機(jī)制)的情形中，如已經(jīng)在“(2)通道比特下限值條件”部分中所述，作為基本類(lèi)似的結(jié)果，獲得開(kāi)始發(fā)生“交叉寫(xiě)入”或“交錯(cuò)擦除”的軌道間距值。由于上述原因，在將軌道間距設(shè)為600nm(500nm)或更小時(shí)，通過(guò)本實(shí)施例中所示的新型記錄原理獲得有利效果。3-2-B]本發(fā)明中有機(jī)染料記錄材料共同的基本特性如上所述，在透明襯底2-2的塑性形變非常小、并且主要發(fā)生記錄層3-2中有機(jī)染料記錄材料的熱分解或氣化(蒸發(fā))作為傳統(tǒng)一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(CD-R或DVD-R)的另ー記錄原理(構(gòu)成記錄刻記9的機(jī)制)的情形中，出現(xiàn)ー個(gè)問(wèn)題，即，由于在形成記錄刻記9吋，記錄層3-2內(nèi)部或透明襯底2-2的表面達(dá)到高溫，所以通道比特長(zhǎng)度或軌道間距不能變窄。為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)施例的主要特征在于“創(chuàng)新的有機(jī)染料材料”，其中“記錄原理是記錄層3-2中在比較低的溫度下發(fā)生的局部光學(xué)特性變化”，和“上述記錄原理容易發(fā)生而不導(dǎo)致襯底形變和記錄層3-2中氣化(蒸發(fā))的設(shè)置環(huán)境(記錄膜結(jié)構(gòu)或形狀)”。下面列出本實(shí)施例的特定特性。a ]記錄層3-2內(nèi)光學(xué)特性改變方法-顯色特性(chromogeniccharacteristic)改變---由于光發(fā)射區(qū)8(圖3)的質(zhì)變(qualitative change)或摩爾分子(molarmo I ecu I e)光吸收系數(shù)的改變所導(dǎo)致的光吸收截面的改變光發(fā)射區(qū)8被部分損壞，或光發(fā)射區(qū)8的尺寸發(fā)生變化，由此，實(shí)際光吸收截面發(fā)生變化。這樣，記錄刻記9中入_胃入的位置處的振幅(吸光率)發(fā)生變化，而維持光吸收光譜(圖4)本身的輪廓(特性)。-關(guān)于引起顯色現(xiàn)象的電子的電子結(jié)構(gòu)(電子軌道)的改變—基于退色反應(yīng)的光吸收光譜(圖4)的改變，所述退色反應(yīng)是由于切斷了局部電子軌道(局部分子鍵斷開(kāi)連接)或光發(fā)射區(qū)8(圖3)的尺寸或結(jié)構(gòu)的改變
-定向(orientation)或陣列的分子內(nèi)(分子間)變化---基于例如圖3所示偶氮的定向變化的光學(xué)特性改變-分子中分子結(jié)構(gòu)改變—例如，對(duì)導(dǎo)致陽(yáng)離子部分與陰離子部分之間離解、陽(yáng)離子部分和陰離子部分的熱分解、以及分子結(jié)構(gòu)本身被損壞且碳原子被沉淀(變性為煤焦油(black coal tar))的焦油現(xiàn)象(tar phenomenon)的有機(jī)染料材料做出了討論。結(jié)果，記錄刻記9中的折射率n32或吸收系數(shù)k32相對(duì)于未記錄區(qū)改變，從而可以進(jìn)行光學(xué)再現(xiàn)。^ ]設(shè)置記錄膜結(jié)構(gòu)或形狀，使其易于穩(wěn)定地引起上述[a ]的光學(xué)特性改變—在“3-2-C]使導(dǎo)致本實(shí)施例所示記錄原理變得容易的理想記錄膜結(jié)構(gòu)”部分及其后續(xù)下文中將詳細(xì)描述關(guān)于這種技術(shù)的具體內(nèi)容。y]降低記錄功率，以便在記錄層內(nèi)部或透明襯底表面的溫度比較低的狀態(tài)下形成記錄刻記—上述[a]中所示的光學(xué)特性變化在低于透明襯底2-2的形變溫度或記錄層3-2中的氣化(蒸發(fā))溫度低的溫度上發(fā)生。因此，降低記錄時(shí)的曝光量(記錄功率)，以防止在透明襯底2-2表面上超過(guò)形變溫度或在記錄層3-2中超過(guò)氣化(蒸發(fā))溫度。稍后在“3-3)本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄層共同的記錄特性”部分中詳細(xì)描述該內(nèi)容。另外，與此相反，可以通過(guò)在記錄時(shí)檢查最佳功率的值來(lái)確定上述[a]所示的光學(xué)特性的改變是否發(fā)生。6 ]光發(fā)射區(qū)中的電子結(jié)構(gòu)被穩(wěn)定，并且?guī)缀醪划a(chǎn)生與紫外線(xiàn)或再現(xiàn)光照射相關(guān)的結(jié)構(gòu)分解—當(dāng)在進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)用再現(xiàn)光照射記錄層3-2或用紫外線(xiàn)照射記錄層3-2吋，記錄層3-2中溫度升高。需要看起來(lái)矛盾的性能，即避免與這種升溫相關(guān)的特性衰減并在低于襯底形變溫度或記錄層3-2中氣化(蒸發(fā))溫度的溫度下執(zhí)行記錄。在本實(shí)施例中，通過(guò)“穩(wěn)定光發(fā)射區(qū)中的電子結(jié)構(gòu)”保證了上述看似矛盾的性能?！暗?章本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄膜的實(shí)施例的具體說(shuō)明”中將描述具體技術(shù)內(nèi)容。e ]對(duì)于由于紫外線(xiàn)或再現(xiàn)光照射所發(fā)生的再現(xiàn)信號(hào)衰減的情形，提高了再現(xiàn)信息的可靠性—在本實(shí)施例中，雖然為了“穩(wěn)定光發(fā)射區(qū)中的電子結(jié)構(gòu)”而做出技術(shù)發(fā)明，但與由于透明襯底2-2表面的塑性形變或氣化(蒸發(fā))而產(chǎn)生的記錄層3-2中的局部空穴相比，本實(shí)施例中所示記錄原理中所形成的記錄刻記9的可靠性可能大體上被降低。作為此現(xiàn)象的對(duì)策，在本實(shí)施例中，如稍后在“第7章H格式的說(shuō)明”和“第8章B格式的說(shuō)明”中所述，在與強(qiáng)大的糾錯(cuò)能力(新型ECC區(qū)塊結(jié)構(gòu))相結(jié)合的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了記錄信息的高密度和可靠性的有利效果。另外，在本實(shí)施例中，使用PRML(部分響應(yīng)最大似然)技術(shù)作為再現(xiàn)方法，如“ 4-2本實(shí)施例中再現(xiàn)電路的說(shuō)明”部分中所述，在進(jìn)行ML解調(diào)時(shí)與糾錯(cuò)技術(shù)結(jié)合的同時(shí)實(shí)現(xiàn)了記錄信息的高密度和可靠性。在本實(shí)施例的上述特定特性中，已經(jīng)對(duì)[a ] [Y ]項(xiàng)是本實(shí)施例中為了實(shí)現(xiàn)“窄軌道間距”或“窄通道比特長(zhǎng)度”而新設(shè)計(jì)的技術(shù)性發(fā)明的內(nèi)容這一事實(shí)做出了說(shuō)明。另外，“窄通道比特長(zhǎng)度”導(dǎo)致實(shí)現(xiàn)“縮小最小記錄刻記長(zhǎng)度”。下面將詳細(xì)描述涉及剰余[S]和[e]兩項(xiàng)的本實(shí)施例的意圖(目標(biāo))。在本實(shí)施例中H格式進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)，穿過(guò)記錄層3-2的光的焦斑的通過(guò)速度(線(xiàn)速)被設(shè)為6.61m/s，并且B格式中的線(xiàn)速被設(shè)置在5. Om/s 10. 2m/s的范圍內(nèi)。在任何情況下，本實(shí)施例中再現(xiàn)時(shí)的線(xiàn)速大于或等于5m/s。如圖31所示，H格式中數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI的起始位置的直徑為47. 6mm。同樣，在B格式中，用戶(hù)數(shù)據(jù)被記錄在直徑大于或等于45mm的位置處。直徑45mm的內(nèi)邊緣為0. 141m,并因此，在以線(xiàn)速5m/s再現(xiàn)該 位置時(shí)的信息存儲(chǔ)介質(zhì)的轉(zhuǎn)動(dòng)頻率被獲得為35. 4轉(zhuǎn)/秒。作為使用依照本發(fā)明的一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的ー種方法，提供諸如TV節(jié)目這樣的視頻圖像信息。例如，當(dāng)用戶(hù)在再現(xiàn)用戶(hù)的所記錄視頻圖像中按下“中止(暫停)鍵”時(shí)，再現(xiàn)焦斑停在其暫停位置的軌道上。當(dāng)焦斑停在暫停位置的軌道上時(shí)，用戶(hù)可以在按下“再現(xiàn)開(kāi)始鍵”之后立即在暫停位置開(kāi)始再現(xiàn)。例如，在用戶(hù)按下“中止(暫停)鍵”后，在用戶(hù)去衛(wèi)生間之后立即有客人拜訪(fǎng)用戶(hù)家的情形中，就會(huì)發(fā)生用戶(hù)接待客人時(shí)暫停鍵處于被按下?tīng)顟B(tài)長(zhǎng)達(dá)一小時(shí)的情形。一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)每小時(shí)旋轉(zhuǎn)35.4x60x60與130,000轉(zhuǎn)，并且在此過(guò)程(130，ooo
次反復(fù)重放)中，焦斑追蹤同一軌道上。如果記錄層3-2由于反復(fù)重放的原因而老化，且在該時(shí)間周期之后視頻圖像信息不能被再現(xiàn)，那么一小時(shí)后返回的用戶(hù)不能看到視頻圖像的任何部分，并因此生氣，并且最糟糕的情況是，有可能將該問(wèn)題訴諸法院的危險(xiǎn)。因此，如果所記錄的視頻圖像信息即使在這種暫停時(shí)間持續(xù)ー小時(shí)甚至更長(zhǎng)時(shí)間(即使在同一軌道中連續(xù)重放)的情況下也不損壞，則沒(méi)有視頻圖像數(shù)據(jù)被損壞，這種情況的最低條件要求保證至少發(fā)生100，000次反復(fù)重放，不發(fā)生再現(xiàn)退化。在一般使用狀態(tài)下，很少發(fā)生用戶(hù)將在相同位置的一小時(shí)暫停(反復(fù)重放)重復(fù)10次的情形。因此，在保證依照本實(shí)施例的一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)理想地進(jìn)行1，000，000次反復(fù)重放時(shí)，一般用戶(hù)的使用不會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題，并且只要記錄層3-2不老化，就認(rèn)為反復(fù)重放次數(shù)的上限值設(shè)為1，000，000次是足夠的。如果將反復(fù)重放次數(shù)的上限值設(shè)為明顯大于1，000，000次的值，則出現(xiàn)“記錄靈敏度降低”或“介質(zhì)價(jià)格升高”的麻煩。在保證上述反復(fù)再現(xiàn)次數(shù)的上限值的情形中，再現(xiàn)功率值變成重要因素。在本實(shí)施例中，記錄功率被限定在公式(8) (13)中設(shè)置的范圍內(nèi)。據(jù)說(shuō)，半導(dǎo)體激光束的特征在于連續(xù)光照射在等于或小于最大使用功率的1/80的值中不穩(wěn)定。由于作為最大使用功率的1/80的功率處于光照射剛剛開(kāi)始(開(kāi)始模式啟動(dòng))的位置，所以很可能發(fā)生模式跳躍。因此，在該光照射功率下，信息存儲(chǔ)介質(zhì)的光反射層4-2中所反射的光返回到半導(dǎo)體激光源，那里發(fā)生“回光噪聲”，其特征在于光發(fā)射量總是改變。因此，在本實(shí)施例中，設(shè)置的再現(xiàn)功率值在公式(12)或(13)右側(cè)所描述的值的1/80之下[光學(xué)再現(xiàn)功率]>0. 91X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6) (B-I)[光學(xué)再現(xiàn)功率]>0. 91X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6)12(B_2)
另外，最佳再現(xiàn)功率的值受到功率監(jiān)控光學(xué)檢測(cè)器的動(dòng)態(tài)范圍的限制。雖然圖11的信息記錄/再現(xiàn)單元141中沒(méi)有示出，但存在記錄/再現(xiàn)光學(xué)頭。該光學(xué)頭包括監(jiān)控半導(dǎo)體激光源的光發(fā)射量的光學(xué)檢測(cè)器。在本實(shí)施例中，為了提高再現(xiàn)時(shí)再現(xiàn)功率的光照射精確性，該光學(xué)檢測(cè)器在光照射時(shí)檢測(cè)光發(fā)射量并將反饋應(yīng)用到要提供給半導(dǎo)體激光源的電流量。為了降低光學(xué)頭的價(jià)格，有必要使用非常廉價(jià)的光學(xué)檢測(cè)器?？稍谏虡I(yè)上獲得的廉價(jià)光學(xué)檢測(cè)器通常是用樹(shù)脂塑造的(包圍著光學(xué)檢測(cè)單元)。如“第0章使用波長(zhǎng)與本實(shí)施例之間的關(guān)系的說(shuō)明”中公開(kāi)的那樣，本實(shí)施例中使用等于或小于530nm(特別地，等于或小于455nm)作為光源波長(zhǎng)。在該波長(zhǎng)區(qū)域的情形中，如果波長(zhǎng)光被照射(諸如深黃退色或出現(xiàn)狹縫(crack)(細(xì)白條fine whitestripes))并且光學(xué)檢測(cè)特性被削弱，則用于塑造光學(xué)檢測(cè)單元的樹(shù)脂(主要是環(huán)氧樹(shù)脂)導(dǎo)致在已經(jīng)照射紫外線(xiàn)時(shí)發(fā)生的退化。特別地，在本實(shí)施例所示一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的情形中，如圖8A、8B和SC所示，由于存儲(chǔ)介質(zhì)具有預(yù)刻溝槽區(qū)11而可能發(fā)生成型樹(shù)脂退化。作為光學(xué)頭的聚焦模糊(focus blurring)檢測(cè)系統(tǒng)，為了消除由于來(lái)自該預(yù)刻溝槽區(qū)11的衍射光造成的不利影響，最通常使用在信息存儲(chǔ)介質(zhì)有關(guān)的成像位置處分配光學(xué)檢測(cè)器的“刀ロ技術(shù)(knife-edge technique) ” (成像放大倍率為3 10倍)。將光學(xué)檢測(cè)器被布置在成像位置處時(shí)，由于光束聚焦在光學(xué)檢測(cè)器上，所以高的光學(xué)密度被照射到成型樹(shù)脂上，并且可能出現(xiàn)由此導(dǎo)致的樹(shù)脂老化。由于光子模式(光學(xué)作用)而主要發(fā)生這種成型樹(shù)脂特性退化，但是，可以在與熱模式(熱激勵(lì))中光發(fā)射量進(jìn)行比較中預(yù)知可允許的照射量的上限值。假設(shè)最糟糕的情形，讓我們假設(shè)這樣的光學(xué)系統(tǒng)，其中光學(xué)檢測(cè)器被布置在成像位置處作為光學(xué)頭。根據(jù)“3-2-A]需要應(yīng)用依照本實(shí)施例的技術(shù)的范圍”中“(I)記錄層3-2的厚度Dg條件”中描述的內(nèi)容，當(dāng)在本實(shí)施例中記錄時(shí)在記錄層3-2中發(fā)生最佳特性變化(熱模式)時(shí)，認(rèn)為記錄層3-2的溫度暫時(shí)上升到80°C 150°C的范圍內(nèi)。由于室溫大約為15°C，所以溫差A(yù)Tmite的范圍是65°C 135°C。記錄時(shí)發(fā)生脈沖光發(fā)射，并且在再現(xiàn)時(shí)發(fā)生連續(xù)光發(fā)射。在再現(xiàn)時(shí)，在記錄層3-2中溫度升高，并產(chǎn)生溫差A(yù)T_d。當(dāng)光學(xué)頭中檢測(cè)系統(tǒng)的成像放大倍率為M吋，獲得的聚焦在光學(xué)檢測(cè)器上的被檢測(cè)光的光學(xué)密度為照射在記錄層
3-2上的匯聚光的光學(xué)密度的1/M2，并且因此，獲得的在再現(xiàn)時(shí)光學(xué)檢測(cè)器處的升溫量大約為AT_d/M2。由于可以被照射在光學(xué)檢測(cè)器上的光學(xué)密度的上限值是由升溫量轉(zhuǎn)換的，所以認(rèn)為該上限值為AT_d/M2< TC的量級(jí)。光學(xué)頭中檢測(cè)系統(tǒng)的成像放大倍率M通常為
3 10倍的量級(jí)，如果暫時(shí)估計(jì)放大倍率為M2 = 10，則有必要設(shè)置再現(xiàn)功率，以便
得到A Tread/A Twrite 彡 20 (B-3)假設(shè)在記錄時(shí)記錄脈沖的占空比被估計(jì)為50%，要求滿(mǎn)足[最佳再現(xiàn)功率]([最佳記錄功率]/10(B-4)因此，考慮到稍后描述的公式⑶ (13)和上面的公式(B-4)，對(duì)最佳再現(xiàn)功率進(jìn)行如下賦值[最佳再現(xiàn)功率]<3 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6) (B-5)[最佳再現(xiàn)功率]<3 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6)1/2 (B-6) [最佳再現(xiàn)功率]<2 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6) (B-7)
[最佳再現(xiàn)功率]<2 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6)1/2 (B_8)[最佳再現(xiàn)功率]<I. 5X (0. 65/NA)2X (V/6. 6) (B_9)[最佳再現(xiàn)功率]<I. 5X (0. 65/NA)2X (V/6. 6)1/2(B-IO)(參照“3-2-E]關(guān)于用于參數(shù)定義的本實(shí)施例中記錄層的厚度分布的基本特性，，。)例如，當(dāng) NA = 0. 65，V = 6. 6m/s 時(shí)，得[最佳再現(xiàn)功率]く3mW， [最佳再現(xiàn)功率]く2mW，或[最佳再現(xiàn)功率]くI. 5mW。事實(shí)上，與信息存儲(chǔ)介質(zhì)旋轉(zhuǎn)并相對(duì)移動(dòng)的事實(shí)相比，光學(xué)檢測(cè)器是固定的，并且因此鑒于這一事實(shí)，有必要進(jìn)ー步設(shè)置最佳再現(xiàn)功率，使其為上述公式中所得到的值的1/3或更小。在依照本實(shí)施例的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，再現(xiàn)功率的值設(shè)為0. 4mW。3-2-C]容易產(chǎn)生本實(shí)施例所示記錄原理的理想記錄膜結(jié)構(gòu)下面將介紹用干“設(shè)置環(huán)境”(記錄膜結(jié)構(gòu)或形狀)的方法，在該環(huán)境中容易產(chǎn)生本實(shí)施例中的記錄原理。作為可能發(fā)生上述記錄層3-2內(nèi)光學(xué)特性變化的環(huán)境，本實(shí)施例的特征在于在記錄膜結(jié)構(gòu)或形式中執(zhí)行技術(shù)型發(fā)明，諸如“在用于形成記錄刻記9的區(qū)域中，超過(guò)可能發(fā)生光學(xué)特性變化的臨界溫度，并且在記錄刻記9的中心部分，超過(guò)氣化(蒸發(fā))溫度，并且記錄刻記9中心部分附近的透明襯底2-2的表面不超過(guò)熱溫度”下面將參照?qǐng)D7A、7B和7C描述關(guān)于上述說(shuō)明的具體內(nèi)容。在圖7A、7B和7C中，空(空白)箭頭指示照射激光束7的光學(xué)路徑，而虛線(xiàn)箭頭指示熱流。圖7A所示的記錄膜結(jié)構(gòu)表示最可能發(fā)生與本實(shí)施例相應(yīng)的記錄層3-2內(nèi)光學(xué)特性變化的環(huán)境。也就是說(shuō)，在圖7A中，由有機(jī)染料記錄材料構(gòu)成的記錄層2-2具有公式(3)或公式(4)中所示范圍內(nèi)的均勻厚度(厚度足夠大)，并且在垂直于記錄層3-2的方向上接收激光束7的照射。如“6-1)光反射層(材料和厚度)”中詳細(xì)描述的，銀合金被用作為本實(shí)施例中光反射層4-2的材料。含有光反射因數(shù)高的金屬的材料通常具有高的熱傳導(dǎo)性和熱輻射性，而不限于銀合金。因此，雖然記錄層3-2的溫度通過(guò)吸收所照射的激光束7的能量而升高，但熱量向具有熱輻射特性的光反射層4-2輻射。雖然圖7A所示的記錄膜在任何地方都構(gòu)造為相同形狀，但在記錄層3-2內(nèi)發(fā)生比較均勻的溫度升高，并且中心部分a、P和Y點(diǎn)的溫差比較小。因此，在形成記錄刻記9時(shí)，如果超過(guò)a和P點(diǎn)處發(fā)生光學(xué)特性變化的臨界溫度，則中心部分Y點(diǎn)處不超過(guò)氣化(蒸發(fā))溫度；并且在最接近中心部分a點(diǎn)處的位置存在的透明襯底(未示出)的表面不超過(guò)熱形變溫度。相比之下，如圖7B所示，部分記錄膜3-2中提供了階躍(st印)。在S點(diǎn)和e點(diǎn)處，激光束7的照射在方向上向記錄層3-2排列的方向傾斜，并因此，単位面積上激光束7的照射量與中心部分a點(diǎn)處相比相對(duì)較低。結(jié)果，記錄層3-2中8點(diǎn)和e點(diǎn)處的升溫量低。同樣，在8點(diǎn)和e點(diǎn)處，發(fā)生朝著光反射層4-2的熱輻射，并因此，與中心部分的a點(diǎn)相比，8點(diǎn)和e點(diǎn)處的到達(dá)溫度足夠低。因此，一股熱量從P點(diǎn)流向a點(diǎn)，并且ー股熱量從a點(diǎn)流到P點(diǎn)，并因此，P和Y點(diǎn)處相對(duì)于中心部分的a點(diǎn)的溫差非常小。在記錄吋，P和Y點(diǎn)處的升溫量低，并且在P和a點(diǎn)處幾乎不超過(guò)發(fā)生光學(xué)特性變化的臨界溫度。作為針對(duì)這種 情況的對(duì)策，為了在0和Y點(diǎn)處發(fā)生光學(xué)特性變化(為了達(dá)到臨界溫度或更高)，需要增加激光束7的曝光量(記錄功率)。在圖7B所示的記錄膜結(jié)構(gòu)中，中心部分a點(diǎn)處相對(duì)于P和Y點(diǎn)的溫差非常大。因此，在當(dāng)前溫度已經(jīng)上升到在@和Y點(diǎn)處發(fā)生光學(xué)特性變化的溫度時(shí)，在中心部分a點(diǎn)處超過(guò)氣化(蒸發(fā))溫度，或中心部分a點(diǎn)附近的透明襯底(未示出)的表面幾乎不超過(guò)熱形變溫度。另外，即使受到激光束7照射側(cè)的記錄層3-2表面都與激光束7的照射方向垂直，在記錄層3-2的厚度根據(jù)位置而改變的情形中，也提供了幾乎不發(fā)生依照本發(fā)明的記錄層
3-2內(nèi)光學(xué)特性變化的結(jié)構(gòu)。例如，如圖7C所示，讓我們考慮對(duì)于中心部分的a點(diǎn)處記錄層3-2的厚度Dg，外圍部分的厚度Dl明顯較小(例如，不滿(mǎn)足公式(2)或公式(4))的情形。即使在中心部分的a點(diǎn)處，雖然熱量向光反射層4-2輻射，但記錄層3-2的厚度Dg足夠大，因此可能實(shí)現(xiàn)熱積聚或?qū)崿F(xiàn)高溫。相比之下，在厚度Dl明顯小的(和n點(diǎn)處，熱量向光反射層4-2輻射，而不進(jìn)行熱積聚，并且因此，升溫量小。結(jié)果，與朝向光反射層4-2的熱福射ー樣，依次發(fā)生向著點(diǎn)P、S和(的熱福射和依次發(fā)生向著點(diǎn)Y、e和??！的熱福射，并且因此，如圖7B所示，中心部分a點(diǎn)處與P和Y點(diǎn)的溫差變得非常大。當(dāng)激光束7的曝光量(記錄功率)增加以便在P和Y處產(chǎn)生光學(xué)特性變化(為了產(chǎn)生臨界溫度或更高溫度)時(shí)，超過(guò)中心部分的a點(diǎn)處的氣化(蒸發(fā))溫度，或中心部分的a點(diǎn)處附近的透明襯底(未示出)的表面超過(guò)熱形變溫度?；谏鲜鰞?nèi)容，參照?qǐng)D8A、8B和SC，將說(shuō)明關(guān)于用來(lái)提供其中可能進(jìn)行依照本實(shí)施例的記錄原理的“環(huán)境設(shè)置(記錄膜的結(jié)構(gòu)或形狀)”的預(yù)刻溝槽形狀/尺寸的本實(shí)施例中技術(shù)性發(fā)明的內(nèi)容；以及關(guān)于記錄層厚度分布的本實(shí)施例中技術(shù)性發(fā)明的內(nèi)容。圖8A示出諸如CD-R或DVD-R這樣的傳統(tǒng)一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的記錄膜結(jié)構(gòu)；圖SB和8C分別示出本實(shí)施例中的記錄膜結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明中，如圖8A、8B和8C所示,記錄刻記9形成在預(yù)刻溝槽區(qū)11中。3-2-D]關(guān)于本實(shí)施例中預(yù)刻溝槽形狀/尺寸的基本特性如圖8A所示，已經(jīng)存在很多情形，其中預(yù)刻溝槽區(qū)11被形成在諸如⑶-R或DVD-R這樣的傳統(tǒng)一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中的“ V型槽”中。在該結(jié)構(gòu)的情形中，如圖7B所述，激光束7的能量吸收效率低，并且記錄層3-2中溫度分布不均勻性變得非常大。本實(shí)施例的特征在于，為了接近圖7A所示的理想狀態(tài)，至少在“透明襯底2-2”側(cè)預(yù)刻溝槽區(qū)11中提供與入射激光束7的傳播方向垂直的平面形狀。如參照?qǐng)D7A所述，希望該平面區(qū)域盡量寬。因此，本實(shí)施例的第二特征在于在預(yù)刻溝槽區(qū)11中提供平面區(qū)域，并且預(yù)刻溝槽區(qū)11的寬度Wg大于岸臺(tái)區(qū)的寬度Wl (Wg > Wl)。在此說(shuō)明中，預(yù)刻溝槽區(qū)的寬度Wg和岸臺(tái)區(qū)的寬度Wl被定義為某一位置處其各自的寬度，其中在這個(gè)位置處交叉放置ー個(gè)平面，該平面的高度為預(yù)刻溝槽區(qū)的平面位置處的高度與岸臺(tái)區(qū)最高的位置處的高度之間的中間高度，并且該平面具有預(yù)刻溝槽中的傾斜面。已經(jīng)利用熱分析進(jìn)行了討論，數(shù)據(jù)已經(jīng)被記錄在實(shí)際被生成作為原型的一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，已經(jīng)進(jìn)行了由于記錄刻記9位置處截面SEM(掃描型電子顯微鏡)圖像的襯底形變觀(guān)察，并且已經(jīng)重復(fù)對(duì)存在或不存在因記錄層3-2中氣化(蒸發(fā))而產(chǎn)生的空穴的觀(guān)察。結(jié)果，發(fā)現(xiàn)通過(guò)增加預(yù)刻溝槽區(qū)的寬度Wg，使其明顯寬于岸臺(tái)區(qū)的寬度W1，可以達(dá)到有利效果。另外，預(yù)刻溝槽區(qū)寬度Wg與岸臺(tái)區(qū)寬度Wl的比Wg Wl = 6 4，并且優(yōu)選地，該比值大于Wg Wl = 7 3，從而認(rèn)為可能發(fā)生記錄層3-2中局部光學(xué)特性變化，而變化在記錄時(shí)更穩(wěn)定。如上所述，當(dāng)預(yù)刻溝槽區(qū)寬度Wg與岸臺(tái)區(qū)寬度Wl之間的差増加時(shí)，如圖SC所示，從岸臺(tái)區(qū)12頂部消除平表面。在傳統(tǒng)DVD-R盤(pán)中，預(yù)刻凹坑(岸臺(tái)預(yù)刻凹坑未示出)在岸臺(tái)區(qū)12中形成，并且這里預(yù)先了解用于記錄地址信息等的格式。因此，有條件地要求在岸臺(tái)區(qū)12中形成平面區(qū)域。結(jié)果，已經(jīng)出現(xiàn)其中以“V型槽”形狀形成預(yù)刻溝槽區(qū)11的情形。另外，在傳統(tǒng)⑶-R盤(pán)中，已經(jīng)通過(guò)調(diào)頻將擺動(dòng)信號(hào)記錄在預(yù)刻溝槽區(qū)11中。在傳統(tǒng)CD-R盤(pán)的調(diào)頻系統(tǒng)中，槽縫間隙(slot gap)(詳細(xì)給出了每種格式的詳細(xì)說(shuō)明)不是固定不變的，并且擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)(PLL PLL(鎖相環(huán))的同歩)時(shí)的相位調(diào)節(jié)已經(jīng)相當(dāng)難。因此，將預(yù)刻溝槽區(qū)11的壁面集中(使之接近V型槽)在再現(xiàn)焦斑的強(qiáng)度最高且擺動(dòng)振幅量増加的中心附近，從而保證了擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)精確性。如圖SB和SC所示，在將本實(shí)施例中預(yù)刻溝槽區(qū)11中的平面區(qū)域加寬之后，在預(yù)刻溝槽區(qū)11的傾斜表面與再現(xiàn)焦斑的中心位置相比相對(duì)向外偏移時(shí)，幾乎不能獲得擺動(dòng)檢測(cè)信號(hào)。本實(shí)施例的特征在于加寬了上述預(yù)刻溝槽區(qū)的寬度Wg，并且組合使用其中總是固定地維持?jǐn)[動(dòng)檢測(cè)處槽縫間隙的PSK (移相鍵控)的H格式或使用FSK (移頻鍵控)或STW(鋸齒狀擺動(dòng))的B格式，從而在 低記錄功率下保證了穩(wěn)定的記錄特性(適合于高速記錄或分層)，并保證穩(wěn)定的信號(hào)檢測(cè)特性。特別地，在H格式中，除上述組合之外，“比非調(diào)制區(qū)域更顯著地降低了擺動(dòng)調(diào)制比”，由此更顯著地促進(jìn)了擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)時(shí)的同步，并且更顯著地穩(wěn)定了擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)特性。3-2-E]本實(shí)施例中記錄層3-2的厚度分布的基本特性在本實(shí)施例中，如圖8B和8C所示，岸臺(tái)區(qū)12中記錄層3_2最厚的部分中的厚度被定義為岸臺(tái)區(qū)12中的記錄層厚度Dl ;并且預(yù)刻溝槽區(qū)11中記錄層3-2最厚的部分的厚度被定義為預(yù)刻溝槽區(qū)中的記錄層厚度Dg。如參照?qǐng)D7C所述，岸臺(tái)區(qū)中的記錄層厚度Dl相對(duì)增加，從而記錄時(shí)可能穩(wěn)定地發(fā)生記錄層中的局部光學(xué)特性變化。以跟上述相同的方式，已經(jīng)利用熱分析進(jìn)行了討論，已經(jīng)將數(shù)據(jù)記錄在實(shí)際被生產(chǎn)作為原型的一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，已經(jīng)進(jìn)行襯底形變觀(guān)察和由于通過(guò)記錄刻記9位置處截面SEM (掃描型電子顯微鏡)圖像的記錄層3-2中氣化(蒸發(fā))而產(chǎn)生的空穴的存在或不存在的觀(guān)察。結(jié)果，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)需要將預(yù)刻溝槽區(qū)中的記錄層厚度Dg和岸臺(tái)區(qū)中的記錄層厚度Dl之間的比設(shè)為等于或小于Dg Dl = 4 I。另外,設(shè)置Dg Dl = 3 I,并且優(yōu)選地，設(shè)置Dg Dl = 2 1，由此可以保證本實(shí)施例中記錄原理的穩(wěn)定性。3-3)本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄膜共同的記錄特性作為ー個(gè)“3-2-B]本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄材料共同的基本特性”，如[Y ]項(xiàng)中所述，本實(shí)施例的特征在于記錄功率控制。由于記錄層3-2中的局部光學(xué)特性變化所引起的記錄刻記9形成發(fā)生在遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于傳統(tǒng)透明襯底2-2的塑性形變溫度的溫度下，發(fā)生在記錄層3-2中的熱分解溫度，或氣化(蒸發(fā))溫度下。因此，限制記錄功率的上限值，以免記錄時(shí)透明襯底2-2局部超過(guò)塑性形變溫度或在記錄層3-2中局部超過(guò)氣化(蒸發(fā))溫度。與使用熱分析的討論并行地，通過(guò)使用稍后在“ 4-1)本實(shí)施例中再現(xiàn)設(shè)備或記錄/再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)和特性的說(shuō)明”中描述的設(shè)備，和通過(guò)使用稍后在“4-3)本實(shí)施例中記錄條件的說(shuō)明”中描述的記錄條件，已經(jīng)對(duì)已經(jīng)以本實(shí)施例中所示記錄原理執(zhí)行記錄的情形中的最佳功率的值進(jìn)行了示例。示例測(cè)驗(yàn)中所使用的記錄/再現(xiàn)設(shè)備中物鏡的數(shù)值孔徑的值為0.65，并且記錄時(shí)的線(xiàn)速為6. 61m/s。作為稍后在“4_3)本實(shí)施例中記錄條件的說(shuō)明”中定義的記錄功率(峰值功率)的值，已經(jīng)發(fā)現(xiàn) 大多數(shù)有機(jī)染料記錄材料在30mW下發(fā)生氣化(蒸發(fā)),并且在記錄刻記中出現(xiàn)空穴；…記錄層3-2附近位置處透明襯底2-2的溫度明顯超過(guò)玻璃化轉(zhuǎn)換溫度； 記錄層3-2附近位置處透明襯底2-2的溫度在20mW下達(dá)到塑性形變溫度(玻璃化轉(zhuǎn)換溫度)； 在考慮諸如信息存儲(chǔ)介質(zhì)的表面預(yù)先扭曲(pre-warping)或記錄功率變化這樣的裕度(margin)的情況下,理想為15mW或更小。上述“記錄功率”表示照射到記錄層3-2的曝光量的總和。獲得焦斑中心部分處和光學(xué)強(qiáng)度密度最高的部分處的光學(xué)能量密度，作為本實(shí)施例中討論的參數(shù)。焦斑大小與NA值成反比，并因此，焦斑中心部分處的光學(xué)能量密度與NA值的平方成比例地増加。因此，通過(guò)使用下面的公式，當(dāng)前值可以被轉(zhuǎn)換成稍后描述的B格式或圖I (D3)所示另一格式(另ー個(gè)NA值)中的最佳記錄功率的值[可應(yīng)用于不同NA值的記錄功率]= [NA = 0. 65 時(shí)的記錄功率]X 0. 652/NA2 (5)另外，最佳記錄功率根據(jù)相變型記錄材料中的線(xiàn)速V改變。通常，據(jù)說(shuō)最佳記錄功率與相變型記錄材料中的線(xiàn)速V的1/2次方成比例地變化，并且與有機(jī)染料記錄材料中的線(xiàn)速V成比例地變化。因此，得到通過(guò)擴(kuò)展公式(5)所得到的考慮線(xiàn)速V的最激記錄功率的轉(zhuǎn)換公式如下[總記錄功率]= [NA = 0. 65 時(shí)的記錄功率；6. 6m/s] X (0. 65/NA) 2 X (V/6. 6) (6)或[總記錄功率]= [NA = 0. 65 時(shí)的記錄功率；6. 6m/s] X (0. 65/NA) 2 X (V/6. 6)1/2 (7)在總結(jié)上面的討論結(jié)果時(shí)，作為用于保證本實(shí)施例中所示記錄原理的記錄功率，希望設(shè)置上限值，諸如[最佳記錄功率]<30 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6) (8)[最佳記錄功率]< 30 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6)1/2 (9)[最佳記錄功率]<20 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6) (10)[最佳記錄功率]<20X (0. 65/NA)2X (V/6. 6)1/2(II)[最佳記錄功率]<15 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6) (12)[最佳記錄功率]<15 X (0. 65/NA)2 X (V/6. 6)1/2 (13)從上面的公式中，得到用于公式(8)或公式(9)的條件作為強(qiáng)制性條件；得到用于
(10)或公式(11)的目標(biāo)條件；并且得到用于公式(12)或公式(13)的條件作為理想條件。3-4)關(guān)于本實(shí)施例中“H-L”記錄膜特性的說(shuō)明具有記錄刻記9中光反射量低于未記錄區(qū)中這ー特性的記錄膜被稱(chēng)為“H-L”記錄膜。相反，上述光反射量高的記錄膜被稱(chēng)為“L-H”記錄膜。其中，對(duì)于“H-L”記錄膜，本實(shí)施例的特征在于
(I)提供再現(xiàn)波長(zhǎng)下的吸光率與光吸收光譜的入位置處的吸光率之比的上限值；和(2)改變光吸收光譜輪廓以便形成記錄刻記。下面將參照?qǐng)D9和10給出關(guān)于上述內(nèi)容的詳細(xì)說(shuō)明。在本實(shí)施例中“H-L”記錄膜中，如圖9所示，寫(xiě)人的波長(zhǎng)短于用于記錄/再現(xiàn)的使用波長(zhǎng)(405nm附近)。如圖10明顯示出的那樣，在入_胃入的波長(zhǎng)附近，未記錄部分與記錄部分之間吸光率的變化很小。如果未記錄部分與記錄部分之間吸光率的變化很小，則不能獲得大的再現(xiàn)信號(hào)振幅。即使發(fā)生記錄或再現(xiàn)激光源的波長(zhǎng)發(fā)生，鑒于不能穩(wěn)定執(zhí)行記錄或再現(xiàn)這一事實(shí)，如圖9所示，在本實(shí)施例中，設(shè)計(jì)記錄膜3-2,使得入maxi|A的波長(zhǎng)達(dá)到355nm 455nm之外，即達(dá)到短于355nm的波長(zhǎng)側(cè)。 在“2-1)記錄原理/記錄膜結(jié)構(gòu)的差異和有關(guān)再現(xiàn)信號(hào)生成的基本概念的差異”中限定的Xmax胃入位置處的吸光率吋，“第0章使用波長(zhǎng)與本實(shí)施例之間的關(guān)系的說(shuō)明”中所描述的355nm、455nm和405nm處的相對(duì)吸光率被定義為Ah355、Ah455和Ah4(l5。在Ah4tl5 = 0.0的情形中，來(lái)自處于未記錄條件的記錄膜的光反射因數(shù)與波長(zhǎng)為405nm時(shí)光反射層4-2中的一致。稍后將在“6_1)光反射層”部分中詳細(xì)描述光反射層4_2的光反射因數(shù)。在下文中，將對(duì)為了簡(jiǎn)化而將光反射層4-2的光反射因數(shù)定義為100%這ー事實(shí)做出說(shuō)明。在使用本實(shí)施例中“ H-L”記錄膜的一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，再現(xiàn)電路通常共用在使用一側(cè)單層膜情形中只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)(HD DVD-ROM盤(pán))的情形中。因此，在這種情形中，依照一側(cè)單層膜的只反射信息存儲(chǔ)介質(zhì)(HD DVD-ROM盤(pán))的光反射因數(shù)，將光學(xué)反射因數(shù)定義為45% 85%。因此，需要將未記錄位置處的光反射因數(shù)設(shè)為40%或更多。由于1-0. 4 = 0. 6，所以可以直觀(guān)地理解405nm時(shí)的吸光率Ah4tl5是否可以被設(shè)置為Ah405 ^ 0. 6(14)在滿(mǎn)足上面的公式(14)的情況下，可以輕易地明白可以將光反射因數(shù)設(shè)為40%或更多。因此，在本實(shí)施例中，選擇在未記錄區(qū)中滿(mǎn)足公式(14)的有機(jī)染料記錄材料。在圖9中，上面的公式(14)假設(shè)在光反射層4-2將波長(zhǎng)為入_胃入的光束反射在記錄層3-2上時(shí)得到的光反射因數(shù)為0%。但事實(shí)上，這時(shí)得到的光反射因數(shù)不是0%，而是具有一定的光反射因數(shù)。因此，嚴(yán)格地說(shuō)，需要修正公式(14)。在圖9中，如果在光反射層4-2已經(jīng)將波長(zhǎng)為入_胃入的光束反射在記錄層3-2上時(shí)將光反射因數(shù)定義為R Xmax胃入，那么得到的將未記錄位置處光反射因數(shù)設(shè)為40%或更大的嚴(yán)格條件式為I-Ah405 X a_R 入 max write) ^ 0.4(15)在“ H-L”記錄層中，在很多情況下，(RAmx^a)彡0. 25，并且因此，公式(15)如下Ah405 彡 0. 8 (16)在依照本實(shí)施例的“H-L”記錄膜中，有條件地強(qiáng)制性地滿(mǎn)足公式(16)。已經(jīng)提供上面的公式(14)的特性，另外，已經(jīng)在記錄層3-2的膜厚度滿(mǎn)足公式(3)或公式(4)的條件下做出了詳細(xì)的光學(xué)薄膜設(shè)計(jì)，其中考慮了多種裕度，諸如膜厚度改變或再現(xiàn)光的波長(zhǎng)改變。結(jié)果，已經(jīng)得到令人滿(mǎn)意的結(jié)果Ah405 ^ 0. 3 (17)假設(shè)公式(14)成立，當(dāng)
Ah455 彡 0. 6 (18)或Ah355 彡 0. 6 (19)時(shí)，記錄/再現(xiàn)特性更穩(wěn)定。這是因?yàn)?，在公?14)成立時(shí)公式(14)至少滿(mǎn)足公式(18)和(19)中任何一個(gè)的情況下，在波長(zhǎng)為355nm 405nm范圍內(nèi)或405nm 455nm范圍(偶爾在355nm 455nm范圍)內(nèi)，Ah的值變成0. 6或更小，并因此，即使記錄激光源(或再現(xiàn)激光源)的光發(fā)射波長(zhǎng)發(fā)生波動(dòng)，吸光率的值也不大幅度改變。作為本實(shí)施例中“ H-L”記錄膜的具體記錄原理，使用在已經(jīng)作為本實(shí)施例中“H-L”記錄膜的具體記錄原理被描述的“3-2-B]本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄材料共同的基本特征”中[a]項(xiàng)中所列出的記錄機(jī)制中的“分子之間的陣列變化”或“分子中分子結(jié)構(gòu)變化”的現(xiàn)象。結(jié)果，如上面的(2)項(xiàng)中所述，光吸收光譜曲線(xiàn)發(fā)生變化。圖10中，本實(shí)施例中記錄刻記中的光吸收光譜曲線(xiàn)輪廓用實(shí)線(xiàn)表示，未記錄位置的光吸收光譜曲線(xiàn)使用虛線(xiàn)添加，由此可以對(duì)這些曲線(xiàn)進(jìn)行比較。在本實(shí)施例中，記錄刻記中的光吸收光譜曲線(xiàn)比較寬地變化，并且可能發(fā)生分子中的分子結(jié)構(gòu)變化和發(fā)生碳原子的局部沉淀(煤焦油)。本實(shí)施 例的特征在于，記錄刻記中吸光率最大時(shí)的波長(zhǎng)入1_的值比未記錄位置處的波長(zhǎng)入_胃入的值更接近再現(xiàn)波長(zhǎng)405nm。這樣，吸光率最高的波長(zhǎng)\ Ifflax處的吸光率變得小于1，并且再現(xiàn)波長(zhǎng)405nm處的吸光率Al4tl5的值變得大于Ah405的值。結(jié)果，記錄刻記中總的光反射因數(shù)降低。在本實(shí)施例中的H格式中，作為調(diào)制系統(tǒng)，使用ETM(8到12 8位數(shù)據(jù)代碼被轉(zhuǎn)換成12通道比持)和RLL(1，10)(在調(diào)制后的代碼串(code train)中，與12通道比特長(zhǎng)度T相關(guān)的最小倒轉(zhuǎn)長(zhǎng)度(invention length)為2T,并且最大倒轉(zhuǎn)長(zhǎng)度為11T)。執(zhí)行稍后在“4-2)本實(shí)施例中再現(xiàn)電路的說(shuō)明”中所描述的再現(xiàn)電路的性能評(píng)估時(shí)，為了通過(guò)再現(xiàn)電路穩(wěn)定地執(zhí)行再現(xiàn)，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)有必要滿(mǎn)足差值I11 E I1ih-Iul與I1ih之比為In/I11H 彡 0. 4(20)或優(yōu)選地，111/11111>0.2(21)，其中I1ih是來(lái)自具有足夠大長(zhǎng)度(IlT)的未記錄區(qū)域的再現(xiàn)信號(hào)量，而Im是來(lái)自具有足夠大長(zhǎng)度(IlT)的記錄刻記的再現(xiàn)信號(hào)量。在實(shí)施例中，在以高密度所記錄的信號(hào)再現(xiàn)時(shí)使用PRML方法，并使用圖15 17中所示的信號(hào)處理電路和狀態(tài)轉(zhuǎn)移圖(稍后給出詳細(xì)說(shuō)明)。為了依照PRML技術(shù)精確地執(zhí)行檢測(cè)，要求再現(xiàn)信號(hào)為線(xiàn)性。已經(jīng)基于圖17所示的狀態(tài)轉(zhuǎn)意圖分析了圖15和16所示的信號(hào)處理電路的特性，以便確保上述再現(xiàn)信號(hào)的線(xiàn)性。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，需要滿(mǎn)足在長(zhǎng)度為3T的記錄刻記和來(lái)自未記錄間隔的重復(fù)信號(hào)的再現(xiàn)信號(hào)振幅被定義為I3時(shí)關(guān)于上述I11的比滿(mǎn)足I3/In 彡 0. 35 (22)或優(yōu)選地，I3/In > 0. 2(23)考慮上述公式(16)的條件，本實(shí)施例的技術(shù)特征在于已經(jīng)設(shè)置Al4tl5的值以滿(mǎn)足公式(20)和(21)。參照公式(16)，可得1-0. 3 = 0. 7 (24)考慮公式(24)，由與公式(20)的關(guān)系得出下列條件(Al405-O. 3) /0. 7)彡 0. 4，即
Al405 彡 0. 58 (25)公式(25)是從討論的非常不精確結(jié)果所得出的公式，并且只作為基本概念示出。由于Ah4tl5設(shè)置范圍是依照公式(16)給定的，在本實(shí)施例中，Al4tl5至少必須滿(mǎn)足條件Al405 > 0. 3 (26)作為用于選擇適合于特定“H-L”記錄層的有機(jī)染料材料的方法，選擇這樣的有機(jī)染料材料，對(duì)于該材料，在本實(shí)施例中，基于光學(xué)薄膜設(shè)計(jì)，未記錄狀態(tài)下的折射系數(shù)范圍是n32 = I. 3 2. 0 ;吸收系數(shù)范圍是k32 = 0. I 0. 2,理想值為n32 = I. 7 I. 9 ;吸收系數(shù)范圍是k32 = 0. 15 0. 17,并且滿(mǎn)足上述一系列條件。 在圖9或圖10所示的“H-L”記錄膜中，在未記錄區(qū)域的光吸收光譜中，雖然Xnix寫(xiě)A的波長(zhǎng)短于再現(xiàn)光或記錄/再現(xiàn)光的波長(zhǎng)(例如405nm)，但入 胃入的波長(zhǎng)可以長(zhǎng)于再現(xiàn)光或記錄/再現(xiàn)光的波長(zhǎng)(例如405nm)而不限于此。為了滿(mǎn)足以上公式(22)或公式(23)，記錄層3-2的厚度Dg受到影響。例如，如果記錄層3-2的厚度Dg明顯超過(guò)允許值，則記錄層3-2中只有與透明襯底2-2接觸的部分的光學(xué)特性被變成形成記錄刻記9之后的狀態(tài)，由此，所獲得的與其位置相鄰的光反射層4-2接觸的部分的光學(xué)特性的值與未記錄區(qū)域中的相等。結(jié)果，再現(xiàn)光量改變被降低，并且公式
(22)或公式(23)中的值I3被減小，并且無(wú)法滿(mǎn)足公式(22)或(23)的條件。因此，為了滿(mǎn)足公式(22)，如圖SB和SC所示，需要改變記錄刻記9中與光反射層4-2接觸的部分的光學(xué)特性。另外，如果記錄層3-2的厚度明顯超過(guò)允許值，則在記錄刻記形成時(shí)，在記錄層3-2中厚度方向上出現(xiàn)溫度梯度。于是，在達(dá)到記錄層3-2中與光反射層4-2接觸的部分處光學(xué)特性改變溫度之前，已經(jīng)超過(guò)了與透明襯底2-2接觸的部分的氣化(蒸發(fā))溫度，或在透明襯底2-2中超過(guò)了熱形變溫度。由于上述原因，在本實(shí)施例中，為了滿(mǎn)足公式(22)，基于熱分析的討論而將記錄層3-2的厚度Dg設(shè)為“3T”或更小；并且滿(mǎn)足公式(23)的條件是將記錄層3-2的厚度Dg設(shè)為“3X3T”或更小?；旧希谟涗泴?-2的厚度Dg等于或小于“3T”的情形中，雖然能滿(mǎn)足公式(22)，但在考慮由于一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的表面運(yùn)動(dòng)或翹曲或與焦斑模糊相關(guān)的裕度而產(chǎn)生的傾斜效果的情況下，可以將厚度設(shè)為“T”。由于通過(guò)前述公式(I)和(2)所獲得的結(jié)果，本實(shí)施例中的記錄層3-2的厚度Dg被設(shè)置在要求的最小條件9T 彡 Dg 彡入 /8n32 (27)并且理想的條件是3T 彡 Dg 彡入 /4n32 (28)所指定的范圍內(nèi)。不限于此，最嚴(yán)格的條件可以被定義為T(mén) 彡 Dg 彡入 /4n32 (29)如稍后所述，通道比特長(zhǎng)度T的值在H格式中為102nm，在B格式中為69nm 80nm。因此，在H格式中，3T的值為306nm，而在B格式中為207nm 240nm。H格式中9T的值為918nm，而在B格式中為621nm 720nm。這里，雖然已經(jīng)描述了“H-L”記錄膜，但也可以將公式(27) (29)的條件應(yīng)用于“L-H”記錄膜，不限于此。第4章記錄設(shè)備或記錄/再現(xiàn)設(shè)備和記錄條件/再現(xiàn)電路的說(shuō)明4-1)本實(shí)施例中再現(xiàn)設(shè)備或記錄/再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)和特性的說(shuō)明
圖11示出信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備的一個(gè)實(shí)施例中的結(jié)構(gòu)說(shuō)明。在圖11中，控制單元143的上側(cè)主要是用于信息存儲(chǔ)介質(zhì)的信息記錄控制系統(tǒng)。在這個(gè)信息再現(xiàn)設(shè)備的實(shí)施例中，不包含圖11中信息記錄控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)于以上結(jié)構(gòu)。在圖11中，粗實(shí)線(xiàn)箭頭表示指定再現(xiàn)信號(hào)或記錄信號(hào)的主信息的流；細(xì)實(shí)線(xiàn)箭頭表示信息流；點(diǎn)劃線(xiàn)箭頭表示參考時(shí)鐘線(xiàn)；虛線(xiàn)指示命令指示方向。

光學(xué)頭(未示出)被設(shè)置在圖11所示的信息記錄/再現(xiàn)單元141中。在本實(shí)施例中，雖然光學(xué)頭中所使用的光源(半導(dǎo)體激光)的波長(zhǎng)為405nm，但本實(shí)施例不限于此，并且如前所述，可以使用使用波長(zhǎng)等于或小于620nm或530nm的光源、或355nm 455nm范圍的光源。另外，光學(xué)頭中可以包括兩個(gè)用來(lái)將上述波長(zhǎng)的光束聚焦到信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的物鏡。在對(duì)H格式的信息存儲(chǔ)介質(zhì)執(zhí)行記錄/再現(xiàn)操作的情形中，使用NA值為0. 65的物鏡。提供了一種結(jié)構(gòu)，使得在對(duì)B格式的信息存儲(chǔ)介質(zhì)執(zhí)行記錄/再現(xiàn)操作的情形中，使用NA=0. 85的物鏡。作為光入射到物鏡直接之前的入射光強(qiáng)度分布，中心強(qiáng)度被設(shè)為I時(shí)(在孔徑的邊界位置)物鏡外圍區(qū)域處相對(duì)強(qiáng)度被稱(chēng)為“RM強(qiáng)度”。H格式中RIM強(qiáng)度的值被設(shè)置在55% 70%范圍內(nèi)。此時(shí),對(duì)于使用波長(zhǎng)入，光學(xué)上將光學(xué)頭中波面偏差量(wavesurface aberration amount)設(shè)計(jì)為 0. 33 入(0. 33 入或更小)。在本實(shí)施例中，部分響應(yīng)最大似然(PRML)被用于信息再現(xiàn)以實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的高密度(圖1，[A]點(diǎn))。作為多次測(cè)試的結(jié)果，在將PR(1，2，2，2，I)用作要使用的PR類(lèi)(class)時(shí)，可以增加線(xiàn)密度，并且在已經(jīng)發(fā)生諸如聚焦模糊或軌道偏移這樣的伺服校正誤差(servo correction error)時(shí),可以提高再現(xiàn)信號(hào)的可靠性(即，可以提高解調(diào)可靠性)。因此，在本實(shí)施例中，使用PR(1，2，2，2，1)(圖1，點(diǎn)[A])。在本實(shí)施例中，調(diào)制后的通道比特模式(pattern)依照(d, k ；m, n)調(diào)制規(guī)則(在上述方法中，這表示m/n調(diào)制的RLL(d，k))被記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)中。特別地，用于將8位數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為12位(m = 8，n = 12)的ETM (8到12調(diào)制)被用作為調(diào)制系統(tǒng)，并且必須滿(mǎn)足RLL(1，10)的條件，其中具有連續(xù)“0”的最小值被定義為d= 1，并且最大值被定義為k= 10，作為運(yùn)行長(zhǎng)度受限(run length limited) RLL限制，用于對(duì)調(diào)制后通道比特模式中“0”之后的長(zhǎng)度的應(yīng)用限制。在本實(shí)施例中，為了實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的高密度，通道位隙(channel bit gap)減到最小。結(jié)果，例如，在已經(jīng)在信息存儲(chǔ)介質(zhì)中已經(jīng)記錄了模式“ 101010101010101010101010”模式，即d= I的模式的重復(fù)之后，在信息記錄/再現(xiàn)單元141中再現(xiàn)數(shù)據(jù)的情形中，數(shù)據(jù)接近具有再現(xiàn)光學(xué)系統(tǒng)的MTF特性的關(guān)閉頻率(shutdown frequency),并且因此，再現(xiàn)的原始信號(hào)(raw signal)的信號(hào)振幅以幾乎被噪聲隱藏(hidden)的形狀被形成。因此，部分響應(yīng)最大似然(PRML)技術(shù)被用作為用于再現(xiàn)已經(jīng)密集到MTF特性的極限(截止頻率)附近的記錄刻記或凹坑的方法。也就是說(shuō)，從信息記錄/再現(xiàn)單元141所再現(xiàn)的信號(hào)通過(guò)PR均衡器電路130接收再現(xiàn)波形糾正。通過(guò)將通過(guò)PR均衡器電路130后的信號(hào)按照從參考時(shí)鐘生成電路160所發(fā)送的參考時(shí)鐘198的定時(shí)轉(zhuǎn)換成數(shù)字量，來(lái)對(duì)已經(jīng)通過(guò)PR均衡器電路130的信號(hào)進(jìn)行采樣；通過(guò)AD轉(zhuǎn)換器169將經(jīng)過(guò)采樣的信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)；在維特比(Viterbi)解碼器156中執(zhí)行維特比解碼處理。將經(jīng)過(guò)維特比解碼處理的數(shù)據(jù)作為與傳統(tǒng)限幅電平(slice level)處的ニ進(jìn)制數(shù)據(jù)完全相似的數(shù)據(jù)進(jìn)行處理。在已經(jīng)使用PRML技術(shù)的情形中，如果通過(guò)AD轉(zhuǎn)換器169所獲得的采樣定時(shí)發(fā)生轉(zhuǎn)移，那么經(jīng)過(guò)維特比解碼后的數(shù)據(jù)的誤差率増加。因此，為了提高采樣定時(shí)的精確性，依照本實(shí)施例的信息再現(xiàn)設(shè)備或信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備特別地具有另ー采樣定時(shí)采樣電路(施密特觸發(fā)ニ進(jìn)制化電路(Schmidt trigger binarizing circuit) 155 和 PLL 電路 174 的組合)。該施密特觸發(fā)電路155具有用于ニ進(jìn)制化的分界參考電平處特定值(實(shí)際ニ極管的前向電壓值)，并且其特征在于只在已經(jīng)超過(guò)特定寬度時(shí)才提供ニ進(jìn)制化。因此，例如，如上所述，在已經(jīng)輸入“ 101010101010101010101010”模式的情形中，信號(hào)振幅非常小，并且因此不發(fā)生ニ進(jìn)制化的切換。在例如已經(jīng)輸入比上述模式更罕見(jiàn)片斷(fraction)模式“1001001001001001001001”模式的情形中，再現(xiàn)原始信號(hào)的振幅増大，并且因此，依照定時(shí)“I”通過(guò)施密特觸發(fā)ニ進(jìn)制化電路155進(jìn)行ニ進(jìn)制信號(hào)的極性轉(zhuǎn)換。在本實(shí)施例中，使用NRZI (不歸零反向Non Return to Zero Invert)技術(shù)，并且上述模式的“ I ”位置與記錄刻記或凹坑的邊緣部分(邊界部分)一致。PLL電路174檢測(cè)作為該施密特觸發(fā)ニ進(jìn)制化電路155的輸出的ニ進(jìn)制信號(hào)與參考時(shí)鐘生成電路160所發(fā)送的參考時(shí)鐘198的信號(hào)之間的頻率和相位的偏移，以改變PLL電路174的輸出時(shí)鐘的頻率和相位。通過(guò)使用該P(yáng)LL電路174的輸出信號(hào)，并解碼維特比解碼器156中關(guān)于維特比解碼器156和路徑度量(path metric)存儲(chǔ)器中收斂長(zhǎng)度(關(guān)于(到收斂的距離)的信息)的特性信息，參考時(shí)鐘生成電路160將反饋施加到參考時(shí)鐘198的(頻率和相位)，以便降低維特比解碼后的誤差率，盡管圖中沒(méi)有明確示出。將該參考時(shí)鐘生成電路160所生成的參考時(shí)鐘198用作在再現(xiàn)信號(hào)處理時(shí)的參考定時(shí)。同步碼位置采樣單元145用來(lái)檢測(cè)共存在維特比解碼器156的輸出數(shù)據(jù)序列中的同步代碼的存在和位置，并對(duì)上述輸出數(shù)據(jù)的起始位置進(jìn)行采樣。將該起始位置定義為基準(zhǔn)時(shí)，解調(diào)電路152對(duì)臨時(shí)存儲(chǔ)在移位寄存電路170中的數(shù)據(jù)進(jìn)行解調(diào)處理。在本實(shí)施例中，上述臨時(shí)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在12通道逐位的基礎(chǔ)上參考記錄在解調(diào)轉(zhuǎn)換表記錄單元154中的轉(zhuǎn)換表被返回到其原始位模式。然后，ECC解碼電路162執(zhí)行糾錯(cuò)處理，并且解擾電路159執(zhí)行解擾。地址信息預(yù)先通過(guò)擺動(dòng)調(diào)制被記錄在依照本實(shí)施例的記錄型(可重寫(xiě)型或一次性寫(xiě)入型)信息存儲(chǔ)介質(zhì)中。擺動(dòng)信號(hào)檢測(cè)單元135再現(xiàn)該地址信息(即，判斷擺動(dòng)信號(hào)的內(nèi)容)，并給控制単元143提供對(duì)于提供對(duì)期望位置的存取所需的信息。下面將介紹在控制單元143的上側(cè)所提供的信息記錄控制系統(tǒng)。在從數(shù)據(jù)ID生成単元165依照信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的記錄位置而已經(jīng)生成數(shù)據(jù)ID信息后，在CPR_MAI數(shù)據(jù)生成単元167生成復(fù)制控制信息吋，關(guān)于數(shù)據(jù)ID、IED、CPR_MAI和EDC的多種信息被添加到要被數(shù)據(jù)ID、IED、CPR_MAI和EDC添加単元168記錄的信息中。在被添加的信息已經(jīng)被解擾電路157解擾之后，ECC編碼電路161形成ECC塊，并且ECC塊被調(diào)制電路151轉(zhuǎn)換為通道比特模式。同步碼生成/添加単元146添加同步碼，并且數(shù)據(jù)被記錄在信息記錄/再現(xiàn)單元141中的信息存儲(chǔ)介質(zhì)中。在進(jìn)行調(diào)制吋，DSV(數(shù)字和值Digital Sum Value)計(jì)算單元148順序計(jì)算調(diào)制后的DSV值，并且順序計(jì)算的值被反饋給調(diào)制后的代碼變換。圖12示出包含圖11所示同步碼位置檢測(cè)單元145的外圍部分的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。同步碼包括同步位置檢測(cè)代碼部分和具有固定模式的可變代碼部分。根據(jù)來(lái)自維特比解碼器的通道比特模式輸出，同步位置檢測(cè)代碼檢測(cè)器単元182檢測(cè)具有上述固定模式的同步位置 檢測(cè)代碼部分。可變代碼傳輸單元183和184對(duì)在被檢測(cè)位置之前或之后存在的可變代碼上的數(shù)據(jù)進(jìn)行采樣，并判斷同步代碼位于扇區(qū)中哪個(gè)同步幀中，其中用于檢測(cè)具有上述固定模式的同步位置的識(shí)別單元185檢測(cè)同步碼。記錄在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上的用戶(hù)信息按照移位寄存器電路170、解調(diào)電路152中的解調(diào)處理単元188、和ECC解碼電路162的順序被順
序傳輸。在本實(shí)施例中，在H格式中，通過(guò)使用用于數(shù)據(jù)區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)中再現(xiàn)的PRML系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)信息存儲(chǔ)介質(zhì)的高密度(特別地，提高線(xiàn)密度)。另外，通過(guò)使用用于系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)中再現(xiàn)的限幅電平檢測(cè)系統(tǒng)保證與當(dāng)前DVD的兼容性，并保證再現(xiàn)穩(wěn)定性。(詳細(xì)說(shuō)明將在“第7章H格式說(shuō)明”中給出。) 4-2)本實(shí)施例中的再現(xiàn)電路的說(shuō)明圖13示出使用在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)和系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)中進(jìn)行再現(xiàn)時(shí)所使用的限幅電平檢測(cè)系統(tǒng)的信號(hào)再現(xiàn)電路的實(shí)施例。圖13中的正交光學(xué)檢測(cè)器(quadrature optical detector) 302被安裝到存在于圖11所示信息記錄/再現(xiàn)單元141中的光學(xué)頭中。在下文中，已經(jīng)對(duì)從正交光學(xué)檢測(cè)器302的光學(xué)檢測(cè)單元(optical detecting cell) la、lb、Ic和Id所獲得的檢測(cè)信號(hào)取和的信號(hào)被稱(chēng)為“引導(dǎo)通道(lead channel) I信號(hào)”。圖13中從前置放大器304到限制器(slicer) 310對(duì)應(yīng)于圖11中限幅電平檢測(cè)電路132中的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。在信號(hào)通過(guò)高通濾波器306之后，預(yù)均衡器308對(duì)從信息存儲(chǔ)介質(zhì)所獲得的再現(xiàn)信號(hào)進(jìn)行波形均衡處理，其中高通濾波器濾掉低于再現(xiàn)信號(hào)頻帶寬度的頻率分量。根據(jù)測(cè)試，發(fā)現(xiàn)該預(yù)均衡器308通過(guò)使用7抽頭均衡器將電路尺寸最小化，并能夠精確地檢測(cè)再現(xiàn)信號(hào)。因此，在本實(shí)施例中，使用7抽頭均衡器。圖13中的VFO電路/PLL 312與圖11中的PLL電路174相對(duì)應(yīng)；圖13中的解調(diào)/ECC解碼電路314與圖11中的解碼電路152和ECC解碼電路162相對(duì)應(yīng)。圖14示出圖13中的限制器電路的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。通過(guò)使用比較器316生成限幅之后的ニ進(jìn)制信號(hào)。響應(yīng)于ニ進(jìn)制化后ニ進(jìn)制數(shù)據(jù)的反向信號(hào)，在ニ進(jìn)制化時(shí)設(shè)置在限幅電平處。在本實(shí)施例中，該低通濾波器的截止頻率被設(shè)為5KHz。當(dāng)該截止頻率高時(shí)，限幅電平變化快，并且低通濾波器受到噪聲影響。相反，如果截止頻率低，則限幅電平響應(yīng)慢，并且因此，濾波器受到信息存儲(chǔ)介質(zhì)上灰塵或劃痕的影響。考慮到前述RLL(1，10)與通道比特的參考頻率之間的關(guān)系，將截止頻率設(shè)為5KHz，。圖15示出使用用于數(shù)據(jù)區(qū)、數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)、和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)中信號(hào)再現(xiàn)的PRML檢測(cè)技術(shù)的信號(hào)處理器電路。圖15中的正交光學(xué)檢測(cè)器302被安裝到光學(xué)頭中，其中光學(xué)頭位于圖11所示的信息記錄/再現(xiàn)單元141中。在下文中，用“引導(dǎo)通道I信號(hào)”表示已經(jīng)對(duì)從正交光學(xué)檢測(cè)器302的光學(xué)檢測(cè)單元la、lb、lc和Id所獲得的檢測(cè)信號(hào)取和的信號(hào)。圖11中PR均衡器電路130中的詳細(xì)結(jié)構(gòu)包括圖15中從前置放大器304到抽頭控制器332、均衡器330、和偏置消除器(offset canceller) 336的電路。圖15中的PLL電路334是PR均衡器電路130的一部分，并且表示除施密特觸發(fā)ニ進(jìn)制化電路155之外的元件。圖15中高通濾波器306的初級(jí)截止頻率(primary cutoff frequency)被設(shè)為lKHz。預(yù)均衡器電路308以與圖13中相同的方式使用7抽頭均衡器(因?yàn)?抽頭均衡器的使用將電路尺寸最小化并能夠精確檢測(cè)再現(xiàn)信號(hào))。A/D轉(zhuǎn)換器電路324的采樣時(shí)鐘頻率被設(shè)為72MHz，并且產(chǎn)生數(shù)字輸出作為8位輸出。在PRML檢測(cè)技術(shù)中，如果再現(xiàn)信號(hào)受到其整個(gè)信號(hào)的電平改變(直流偏置)的影響，那么在進(jìn)行維特比解調(diào)時(shí)可能出現(xiàn)錯(cuò)誤。為了消除這種影響，提供了通過(guò)使用從均衡器輸出所獲得的信號(hào)的偏置消除器336來(lái)校正偏置的結(jié)構(gòu)。在圖15所示的實(shí)施例中，在PR均衡器電路130中執(zhí)行自適應(yīng)均衡處理。因此，通過(guò)利用維特比解碼器156的輸出信號(hào)，利用用于自動(dòng)校正均衡器330中抽頭系數(shù)的抽頭控制器。圖16示出圖11或15所示維特比解碼器156的結(jié)構(gòu)。通過(guò)分支度量計(jì)算單元(branch metric calculating unit) 340計(jì)算關(guān)于響應(yīng)于輸入信號(hào)能夠預(yù)測(cè)的所有分支的分支度量，并且所計(jì)算的值被發(fā)送到ACS 342。ACS 342是相加比較選擇(Add CompareSelect)的首字母縮寫(xiě),其計(jì)算通過(guò)響應(yīng)于可以在ACS 342中預(yù)測(cè)的姆次通過(guò)(pass)而將分支度量相加所獲得的路徑度量，并將計(jì)算結(jié)果發(fā)送到路徑度量存儲(chǔ)器350。此時(shí)，在ACS342中，對(duì)包含在路徑度量存儲(chǔ)器350中的信息執(zhí)行計(jì)算處理。路徑存儲(chǔ)器346暫時(shí)存儲(chǔ)與每個(gè)路徑(轉(zhuǎn)換)狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的路徑度量的值和這樣的每個(gè)路徑，其中所述路徑(轉(zhuǎn)換)狀態(tài)和每個(gè)路徑可以在存儲(chǔ)器346中預(yù)測(cè)，所述值由ACS 342計(jì)算。輸出切換單元348比較與每個(gè)路徑相對(duì)應(yīng)的路徑度量，并在路徑度量最小時(shí)選擇路徑。 圖17示出本實(shí)施例中PR(1，2，2，2，I)類(lèi)中的狀態(tài)變化。可以使可以在PR(1，2，2，2,1)類(lèi)中得到的狀態(tài)的變化只如圖17所示的變化，并且在維特比解碼器156中基于圖17中的轉(zhuǎn)換圖識(shí)別可以在解碼時(shí)存在(可以預(yù)測(cè))的路徑。4-3)本實(shí)施例中記錄條件的說(shuō)明“3-3)本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄膜共同的記錄特性”中已經(jīng)對(duì)本實(shí)施例中的“最佳記錄功率(峰值功率)”進(jìn)行了說(shuō)明。下面將參照?qǐng)D18，對(duì)在檢查最佳記錄功率時(shí)所使用的記錄波形(記錄時(shí)的曝光條件)進(jìn)行說(shuō)明。記錄時(shí)的曝光級(jí)別有記錄功率(峰值功率)、偏置功率I、偏置功率2、偏置功率3四個(gè)級(jí)別。在形成長(zhǎng)(4T或更長(zhǎng))記錄刻記9吋，以記錄功率(峰值功率)和偏置功率3之間多脈沖的形式執(zhí)行調(diào)制。在本實(shí)施例中，在任何H格式和B格式系統(tǒng)中，獲得與通道比特長(zhǎng)度T相關(guān)的最小刻記長(zhǎng)度為2T。在記錄該2T最小刻記的情形中，如圖18所示，使用偏置功率I后的記錄功率(峰值功率)的ー個(gè)寫(xiě)脈沖，并且在寫(xiě)入脈沖之后立即臨時(shí)獲得偏置功率2。在記錄3T記錄刻記9的情形中，在曝光兩個(gè)寫(xiě)入脈沖、偏置功率I之后記錄功率(峰值功率)等級(jí)的第一脈沖和最后ー個(gè)脈沖后，臨時(shí)使用偏置功率2。在記錄長(zhǎng)度為4T或更長(zhǎng)的記錄刻記9情形中，在多脈沖和寫(xiě)入脈沖曝光后使用偏置功率2。圖18中的垂直虛線(xiàn)表示通道時(shí)鐘周期。在記錄2T最小刻記的情況下，激光功率在從時(shí)鐘邊緣延遲Tsfp的位置處上升，并在從后續(xù)時(shí)鐘邊緣向后Tap的位置處下降。激光功率被設(shè)為偏置功率2的周期被定義為し。Tsfp、Teuj、和Tlc的值被記錄在包含在稍后在H格式的情形中所描述的控制數(shù)據(jù)區(qū)CDZ中的物理格式信息PFI中。在形成3T或更長(zhǎng)記錄刻記的情形中，激光功率在從時(shí)鐘邊緣延遲Tsfp的位置處上升，并最后，以最后ー個(gè)脈沖結(jié)束。在最后ー個(gè)脈沖之后，激光功率立即在!Y。期間保持在偏置功率2。從時(shí)鐘邊緣到最后ー個(gè)脈沖的上升/下降定時(shí)的偏移時(shí)間被定義為T(mén)SU)、TEU>。另外，從時(shí)鐘邊緣到最后ー個(gè)脈沖的下降定時(shí)的偏移時(shí)間被定義為T(mén)efp，并且進(jìn)ー步，多脈沖的單脈沖的間隔被定義為T(mén)mp。如圖19所示，時(shí)間間隔Teuj-TsfpJmpJeuj-Tsuj和！Y。中每ー個(gè)被定義為最大值的半值寬度。另外，在本實(shí)施例中，上述參數(shù)設(shè)置范圍被限定為0. 25T く Tsfp く I. 50T (30)0. OOT く Telp く I. OOT (31)I. OOT ^ Tefp 彡 I. 75T (32)-0. IOT く Tslp く I. OOT (33)
0. OOT ( Tlc ( I. OOT (34)0. 15T ^ Tmp ^ 0. 75T (35)另外，在本實(shí)施例中，如圖20A、20B和20C所示，上述參數(shù)的值可以根據(jù)記錄刻記長(zhǎng)度(記號(hào)長(zhǎng)度)和直接相鄰在前/直接相鄰在后空間長(zhǎng)度(導(dǎo)引/抱尾(Leading/Trailing)空間長(zhǎng)度)而改變。如“ 3_3)本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄膜共同的記錄特性”部分中所述，圖21A、21B和21C分別示出在已經(jīng)檢查用本實(shí)施例所示記錄原理記錄的一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的最佳功率時(shí)的參數(shù)值。此時(shí)，偏置功率I、偏置功率2和偏置功率3的值為2. 6mW、I. 7mff和I. 7mff,而再現(xiàn)功率是0. 4mW。
第5章本實(shí)施例中“L-H”記錄膜的特性的說(shuō)明下面將對(duì)具有其中記錄刻記中的光反射量比未記錄區(qū)中的高這ー特性的“ L-H”記錄膜進(jìn)行說(shuō)明。根據(jù)“3-2-B]本實(shí)施例中有機(jī)染料記錄膜共同的基本特性”中描述的記錄原理，在使用該記錄膜的情況下的記錄原理主要使用以下任何特性-顯色特性改變；-關(guān)于造成顯色現(xiàn)象(退色反應(yīng)等)的元素的電子結(jié)構(gòu)(電子軌道)改變；和-分子之間的陣列改變，以及光吸收光譜的改變特性?！癓-H”記錄膜的特征在干，已經(jīng)鑒于具有單面雙層結(jié)構(gòu)的只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)的特性指定了未記錄位置和記錄位置中的反射量范圍。圖22示出依照本實(shí)施例的“ L-H”記錄膜和“ H-L”記錄膜的未記錄區(qū)域(非記錄部分)中光反射因數(shù)范圍。在本實(shí)施例中，指定了“H-L”記錄膜的非記錄部分處反射因數(shù)的下限值S，使其高于“L-H”記錄膜的非記錄部分處的上限值Y。當(dāng)將上述信息存儲(chǔ)介質(zhì)安裝到信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備或信息再現(xiàn)設(shè)備上時(shí)，通過(guò)圖11所示的限幅電平檢測(cè)單元132或PR均衡器電路130測(cè)量非記錄部分的光反射因數(shù)，由此可以判斷膜是“H-L”記錄膜還是“L-H”記錄膜，并因此可以很容易地判斷記錄膜類(lèi)型。當(dāng)“H-L”記錄膜的非記錄部分處下限值S與“L-H”記錄膜的非記錄部分處上限值Y之間的光反射因數(shù)a被設(shè)置在32% 40%范圍內(nèi)吋，在改變的生產(chǎn)條件下制造“H-L”記錄和“L-H”記錄膜時(shí)執(zhí)行測(cè)量。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，獲得記錄膜的高制造性能，并促進(jìn)了介質(zhì)成本的降低。在使“L-H”記錄膜的非記錄部分(“L”部分)的光學(xué)反射因數(shù)范圍801與只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中單面雙記錄層的光反射因數(shù)范圍803 —致之后，在“ H-L”記錄膜的非記錄部分(“H”部分)的光反射因數(shù)范圍802與只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中單面單層的光反射因數(shù)范圍804 —致時(shí)，可以共用使用信息再現(xiàn)設(shè)備的再現(xiàn)電路，以便很好地與只讀型信息存儲(chǔ)介質(zhì)兼容，并且因此，可以廉價(jià)地制造信息再現(xiàn)設(shè)備。在多種改變的生產(chǎn)條件下制造“H-L”記錄膜和“L-H”記錄膜時(shí)已經(jīng)執(zhí)行了測(cè)量，以便幫助在提高記錄膜的生產(chǎn)性能的同時(shí)降低介質(zhì)的價(jià)格。結(jié)果，“L-H”記錄膜的非記錄部分(“L”部分)的光反射因數(shù)的下限值P被設(shè)為18%，上限值Y被設(shè)為32% ；并且“H-L”記錄膜的非記錄部分(“H”部分)的光反射因數(shù)的下限值8被設(shè)為40%，上限值e被設(shè)為85%。圖23和24示出本實(shí)施例中多種記錄膜中非記錄位置和記錄位置處的反射因數(shù)。在已經(jīng)使用H格式(參照“第7章H格式的說(shuō)明”)的情形中，如圖22所示，指定非記錄部分處光學(xué)反射因數(shù)范圍，由此，在溝槽電平(groove level)被定義為基準(zhǔn)時(shí)，在“L_H”記錄膜中凸點(diǎn)(emboss)區(qū)域(諸如系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI)和記錄刻記區(qū)(數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI，數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0，或數(shù)據(jù)區(qū)DTA)中相同方向上出現(xiàn)信號(hào)。同樣，在“H-L”記錄膜中，在溝槽電平被定義為基準(zhǔn)時(shí)，在凸點(diǎn)區(qū)域(諸如系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYSDI)和記錄刻記區(qū)(數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI，數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO，或數(shù)據(jù)區(qū)DTA)中相反方向上出現(xiàn)信號(hào)。利用這ー現(xiàn)象，除了“ L-H”記錄膜和“H-L”記錄膜之間記錄膜識(shí)別的使用外，還促進(jìn)了對(duì)應(yīng)于“L-H”記錄膜和“H-L”記錄膜的檢測(cè)電路設(shè)計(jì)。另外，從記錄在本實(shí)施例所示“L-H”記錄膜上的記錄刻記所獲得的再現(xiàn)信號(hào)特性被調(diào)整以符合從“H-L”記錄膜所獲得的信號(hào)特性滿(mǎn)足公式(20) (23)。這樣，在使用“L-H”記錄膜和“H-L”記錄膜中任意之一的情形中，可以使用相同的信號(hào)處理電路，并且信號(hào)處理電路可以被簡(jiǎn)化，并且價(jià)格降低。下面將參照?qǐng)D90A 92，對(duì)與表示圖22 24所示“L-H”記錄膜與“H-L”記錄膜之間光反射率關(guān)系的實(shí)施例相關(guān)的另一實(shí)施例做出說(shuō)明。在本實(shí)施例中，如圖8所示， 預(yù)刻溝槽區(qū)11的寬度Wg被設(shè)置為大于岸臺(tái)區(qū)12的寬度Wl。這樣，如圖90B所示，當(dāng)在預(yù)刻溝槽區(qū)11 (數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI，數(shù)據(jù)區(qū)DTA，或數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLD0)上執(zhí)行跟蹤時(shí)，來(lái)自預(yù)刻溝槽區(qū)11的信號(hào)電平(lot)溝槽增加。下面將參照?qǐng)D90A，給出檢測(cè)信號(hào)(及其信號(hào)檢測(cè)電路)的說(shuō)明。通過(guò)準(zhǔn)直鏡1122使從半導(dǎo)體激光器1121所發(fā)射的激光束1117成為平行光束。于是，在所得到的光束已經(jīng)穿過(guò)分束器1123之后，光束通過(guò)物鏡1128聚焦在信息記錄介質(zhì)1101的預(yù)刻溝槽區(qū)1111上。信息記錄介質(zhì)1101的預(yù)刻溝槽區(qū)1111中所反射的光束在再次穿過(guò)物鏡1128之后通過(guò)分束器1123被反射；反射的光束穿過(guò)聚焦透鏡1124 ;并且光束被照射到光學(xué)檢測(cè)器1125上。光學(xué)檢測(cè)器1125具有光學(xué)檢測(cè)單元1125-1和光學(xué)檢測(cè)單元1125-2。從光學(xué)檢測(cè)單元1125-1檢測(cè)Il信號(hào)，而從光學(xué)檢測(cè)單元1125-2檢測(cè)12信號(hào)。在圖82所示的檢測(cè)信號(hào)(及其檢測(cè)電路)中，取Il和12之間的差，并且獲得軌道偏移檢測(cè)信號(hào)。在圖90A所示的檢測(cè)信號(hào)(及其信號(hào)檢測(cè)電路中)，通過(guò)借助于加法器1126將Il和12信號(hào)相加，檢測(cè)(11+12)信號(hào)。圖90B示出通過(guò)(11+12)檢測(cè)的信號(hào)波形。圖90B示出當(dāng)由圖90A所示的光學(xué)頭的物鏡1128所引起的焦斑已經(jīng)照射到信息存儲(chǔ)介質(zhì)1101上每個(gè)區(qū)域上時(shí)再現(xiàn)信號(hào)的檢測(cè)信號(hào)電平。如圖35C所示，在依照本實(shí)施例的一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI內(nèi)側(cè)被構(gòu)造為凸坑(emboss pit)區(qū)211，并且到處都形成凸坑。因此，在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中，可以如圖90B所示從凸坑獲得再現(xiàn)信號(hào)。這里，系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的最高檢測(cè)信號(hào)電平被定義為I11HP。在本實(shí)施例中，如上所述，通過(guò)使用利用光學(xué)頭所檢測(cè)的檢測(cè)信號(hào)電平定義“光反射因數(shù)”。首先，入射光量Io的平行激光束照射到?jīng)]有諸如預(yù)刻凹坑或預(yù)刻溝槽這樣的不規(guī)則體的信息存儲(chǔ)介質(zhì)1101的特定區(qū)域；測(cè)量從信息存儲(chǔ)介質(zhì)1101所反射的平行激光束的反射光量Ik ;并且將Rs = IrZi0的值用作為光反射因數(shù)Rs的參考。因此，不使用光學(xué)頭所測(cè)量的值被定義為校準(zhǔn)光反射因數(shù)Rs。下一歩，將通過(guò)使用光學(xué)頭在其預(yù)定區(qū)域內(nèi)檢測(cè)到的檢測(cè)信號(hào)定義為反射光功率Ds，并且將Rs/Ds的值用作為用于從利用光學(xué)頭在信息存儲(chǔ)介質(zhì)1101的每個(gè)位置處所檢測(cè)到的檢測(cè)信號(hào)電平轉(zhuǎn)換為“光反射因數(shù)”的轉(zhuǎn)換系數(shù)。即，當(dāng)已經(jīng)在圖90A所示的光學(xué)頭上再現(xiàn)上述預(yù)定區(qū)域時(shí)，來(lái)自加法器1126的檢測(cè)信號(hào)電平輸出被測(cè)量作為反射光功率Ds。例如，光學(xué)頭移動(dòng)到系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中，并且測(cè)量加法器1126的所獲得檢測(cè)信號(hào)電平中的最高檢測(cè)信號(hào)電平IllHP。(Rs/Ds) XIllHP的值被定義為作為系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中反射因數(shù)的I11HP。
本實(shí)施例的特征在于 指定信息記錄介質(zhì)的反射因數(shù)，使得“H-L”記錄膜的系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI的光反射因數(shù)在16% 32%的范圍內(nèi)。如圖35C所示，與形成于凸點(diǎn)區(qū)域211上的系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI相鄰地存在形成于鏡面(mirror face) 210上的連接區(qū)CNA。在借助于圖90A所示光學(xué)頭的物鏡1128所聚焦的焦斑已經(jīng)移動(dòng)到連接區(qū)CNA吋，由于不存在凸坑，所以光反射因數(shù)在各處都是統(tǒng)ー的檢測(cè)信號(hào)電平。下一歩，存在與連接區(qū)CAN相鄰的數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI，并且存在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI和數(shù)據(jù)區(qū)DTA、以及數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO的預(yù)刻溝槽區(qū)214(圖35C)中的預(yù)刻溝槽。在該預(yù)刻溝槽區(qū)214中，當(dāng)軌道循環(huán)(track loop)為開(kāi)(ON)時(shí)，生成檢測(cè)信號(hào)電平為圖90B所示的(lot)溝槽電平。在已經(jīng)在該預(yù)刻溝槽上形成記錄刻記的情形中，“H-L”記錄膜中記錄刻記位置中的光反射量降低。因此，如圖90B所示，記錄膜的檢測(cè)信號(hào)電平低于(lot)溝槽電平。已經(jīng)記錄該記錄刻記的區(qū)域中的最高檢測(cè)信號(hào)電平被定義為I11HM。該預(yù)刻溝槽區(qū)214中的光反射因數(shù)也以與前述相同的方式被定義為(Rs/Ds) XI11HM。在本實(shí)施例中，在“H-L”記錄膜中形成記錄刻記的位置中的光反射因數(shù)被指定在14% 28%的范圍內(nèi)。另外，本實(shí)施例中“H-L”記錄膜的未記錄區(qū)域中系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的光反射量(lot)溝槽與反射因數(shù)IllHP的比(lot)溝槽/IllHP被指定為高電平，以被包括在0.5 1.0的范圍內(nèi)。如圖8B和8C所示，本實(shí)施例具有這樣的主要技術(shù)特征，即溝槽區(qū)11的寬度Wg比岸臺(tái)區(qū)12的寬度Wl窄，從而如圖90B所示，提高了(lot)溝槽電平。另外，特別地，在“H-L”記錄膜中，如圖8B和8C所示，記錄層3-2的厚度Dg增加，由此減少了溝槽與岸臺(tái)之間的步進(jìn)差量。通過(guò)這樣的方式，(lot)溝槽電平被提高，使得(lot)溝槽/IIIHP的值為50%或更多。結(jié)果，可以很大地取來(lái)自記錄在溝槽區(qū)11中的記錄刻記的光反射量I11HM，并且來(lái)自溝槽區(qū)1111上記錄刻記的檢測(cè)信號(hào)振幅増大?，F(xiàn)在，將參照?qǐng)D91A和91B，對(duì)“L-H”記錄膜中的檢測(cè)信號(hào)電平做出說(shuō)明。圖91A所示的光學(xué)頭結(jié)構(gòu)和檢測(cè)信號(hào)(信號(hào)檢測(cè)方法和檢測(cè)電路)與圖90A中所示相同。與“H-L”記錄膜的情形一祥，“ L-H”記錄膜的系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的光反射量被定義為(Rs/Ds) XIllHP0在本實(shí)施例中，“L-H”記錄膜的系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的光反射因數(shù)被指定在14% 28%范圍內(nèi)。在“ L-H”記錄膜中，圖8B和8C所示的預(yù)刻溝槽區(qū)11和岸臺(tái)區(qū)12的記錄膜3-2的厚度Dg和Dl相對(duì)較小。因此，當(dāng)未記錄區(qū)中軌道循環(huán)為ON吋，預(yù)刻溝槽區(qū)214的未記錄區(qū)中的檢測(cè)信號(hào)電平(lot)溝槽比圖90B所示的“H-L”記錄膜中的低。因此，在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI、數(shù)據(jù)區(qū)DTA或數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO中未記錄位置處預(yù)刻溝槽區(qū)214上的光反射量(lot)溝槽的比(lot)溝槽/IllHP被設(shè)置為比“H-L”記錄膜的低，以被包括在40% 80%范圍內(nèi)。在“ L-H”記錄膜中，記錄刻記中的光反射因數(shù)增加得比未記錄區(qū)的反射因數(shù)更顯著，因此產(chǎn)生如圖SB所示的再現(xiàn)信號(hào)波形。同樣，在圖91B中，對(duì)于光反射量，用使用來(lái)自記錄刻記的再現(xiàn)信號(hào)的最高檢測(cè)信號(hào)電平IllHM的(Rs/Ds) XIllHM來(lái)指定反射因數(shù)。在本實(shí)施例中，“ L-H”記錄膜中的反射因數(shù)在14% 28%范圍內(nèi)。圖92共同地示出圖90A 91B所示“L_H”記錄膜和“H_L”記錄膜中的檢測(cè)信號(hào)電平。本實(shí)施例的特征在于，指定系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的光反射因數(shù)范圍以在“L_H”記錄膜和“ H-L”記錄膜中部分重疊。在圖92所示的系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的“ H-L”記錄膜和“L-H”記錄膜之間的光反射因數(shù)中存在重疊部分a。在本實(shí)施例中，該區(qū)域中的光反射因數(shù)在16%和28%之間。在本實(shí)施例中，通過(guò)用于在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中在“H-L”記錄膜和“L-H”記錄膜之間重疊反射因數(shù)范圍的方法，通過(guò)控制每個(gè)記錄層3-2的光學(xué)特性，形成系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中“ H-L”記錄膜和“ L-H”記錄膜之間反射因數(shù)的重疊部分。另外，在本實(shí)施例中，如圖92所示，當(dāng)在數(shù)據(jù)導(dǎo)入?yún)^(qū)DTLDI、數(shù)據(jù)區(qū)DTA、或數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)DTLDO中軌道循環(huán)為ON時(shí)，也提供光反射因數(shù)范圍的重疊部分P。該重疊部分的主要特征在于，如圖90B所示，“ H-L”記錄膜中未記錄區(qū)中的(lot)溝槽電平被設(shè)置為高于圖91B所示“ L-H”記錄膜中未記錄區(qū)中的檢測(cè)信號(hào)電平(lot)溝槽的信號(hào)電平，從而存在兩個(gè)光反射因數(shù)的重疊部分@。特別地，如圖8B和8C所示，在“H-L”記錄膜中，記錄層3-2的膜厚度Dg和Dl被設(shè)置為比“ L-H”記錄膜中的大。結(jié)果，“ H-L”記錄膜中光反射層4-2中的步進(jìn)差Hr比“ L-H”記錄膜中的小。結(jié)果，“H-L”記錄膜中未記錄區(qū)的檢測(cè)信號(hào)電平(lot)溝槽變高。在本實(shí)施例中，如圖92所示，在軌道循環(huán)為ON時(shí)，在“H-L”記錄膜中和“L-H”記錄膜中，光反射因數(shù)范圍相互一致，從而使數(shù)據(jù)區(qū)DTA等中“H-L”記錄膜和“L-H”記錄膜之間的光反射因數(shù)中 的重疊部分P最大。另外，在本實(shí)施例中，在a部分與0部分之間存在光反射因數(shù)重疊的Y部分，其中在a部分，系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的光反射因數(shù)相互重疊，在P部分，數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的光反射因數(shù)相互重疊。在依照本實(shí)施例的信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備或信息再現(xiàn)設(shè)備中，如圖13或15所示，通過(guò)使用相同的前置放大器電路304檢測(cè)系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中的再現(xiàn)信號(hào)和數(shù)據(jù)區(qū)DTA中的再現(xiàn)信號(hào)。在光反射因數(shù)在5% 50%范圍內(nèi)時(shí)，前置放大器電路304可以穩(wěn)定地檢測(cè)檢測(cè)信號(hào)的最大值電平。因此，所有光反射因數(shù)的范圍都依照前置放大器電路304的特性被設(shè)置在5% 50%范圍內(nèi)。結(jié)果,通過(guò)使用ー個(gè)前置放大器,可以在系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI和數(shù)據(jù)區(qū)DTA中檢測(cè)信號(hào)，由此可以降低信息記錄/再現(xiàn)設(shè)備或信息再現(xiàn)設(shè)備的成本。在本實(shí)施例中，如圖92所示，通過(guò)增加系統(tǒng)導(dǎo)入?yún)^(qū)SYLDI中光反射因數(shù)重疊的a部分與數(shù)據(jù)區(qū)DTA中光反射因數(shù)重疊的P部分之間的光反射因數(shù)重疊的Y部分，可以通過(guò)前置放大器電路304穩(wěn)定地檢測(cè)信號(hào)。在本實(shí)施例中，如圖SB和SC所示，預(yù)刻溝槽區(qū)11的寬度Wg大于岸臺(tái)區(qū)12的寬度W1，并且檢測(cè)信號(hào)電平(lot)溝槽從諸如數(shù)據(jù)區(qū)DTA內(nèi)部這樣的未記錄區(qū)中的溝槽被降低，由此加寬a部分與P部分之間光反射因數(shù)重疊部分Y。下面對(duì)關(guān)于圖22、23和24所示的“H_L”記錄膜和“L_H”記錄膜中光反射因數(shù)的另ー實(shí)施例做出說(shuō)明。圖92示出依照與圖22相對(duì)應(yīng)的另ー實(shí)施例的光反射因數(shù)。圖90和91示出與圖23所示實(shí)施例相對(duì)應(yīng)的另ー實(shí)施例。5-2)關(guān)于本實(shí)施例中“L-H”記錄膜的光吸收光譜的特性如“3-4)關(guān)于本實(shí)施例中“H-L”記錄膜的特性的說(shuō)明”中所述，未記錄區(qū)中的相對(duì)吸光率基本上低于“H-L”記錄膜中的，并且因此，當(dāng)在再現(xiàn)時(shí)已經(jīng)用再現(xiàn)光照射時(shí)，發(fā)生通過(guò)吸收再現(xiàn)光的能量所產(chǎn)生的光學(xué)特性變化。即使在再現(xiàn)光的能量已經(jīng)在具有高吸光率的記錄刻記中被吸收之后光學(xué)特性(記錄動(dòng)作的更新)已經(jīng)改變時(shí)，來(lái)自記錄刻記的光反射因數(shù)也被降低。因此，由于這種改變?cè)谠佻F(xiàn)信號(hào)的再現(xiàn)信號(hào)(I11 E I1ih-Iul)振幅増大的方向上產(chǎn)生作用，所以再現(xiàn)信號(hào)處理受到的影響較小。與此不同，“ L-H”記錄膜具有以下光學(xué)特性“未記錄區(qū)的光反射因數(shù)比記錄刻記中的低”。這意味著，如關(guān)于圖2B的描述內(nèi)容中顯而易見(jiàn)的那樣，未記錄部分的吸光率高于記錄刻記中的。因此，與“H-L”記錄膜相比，在“L-H”記錄膜中，可能出現(xiàn)再現(xiàn)時(shí)的信號(hào)衰減。如“3-2-B]本發(fā)明中有機(jī)染料記錄材料共同的基本特性”中所述，需要提高在由于紫外線(xiàn)或再現(xiàn)光照射而已經(jīng)引發(fā)再現(xiàn)信號(hào)衰減的情形中再現(xiàn)信息的可靠性。詳細(xì)檢查有機(jī)染料記錄材料的特性后發(fā)現(xiàn)，吸收再現(xiàn)光的能量以引起光學(xué)特性改變的機(jī)制與因紫外線(xiàn)照射而引起的光學(xué)特性改變的機(jī)制基本相同。結(jié)果，如果在未記錄區(qū)中提供用于提高紫外線(xiàn)照射的持久性的結(jié)構(gòu)，則幾乎不出現(xiàn)再現(xiàn)時(shí)的信號(hào)衰減。因此，本實(shí)施例的特征在于，在“L-H”記錄膜中，入_胃入(最接近記錄光波長(zhǎng)的最大吸收波長(zhǎng))的值比記錄光或再現(xiàn)光的波長(zhǎng)(接近405nm)長(zhǎng)。通過(guò)這種方式，可以降低與紫外線(xiàn)相關(guān)的吸光率，并可以顯著提高與紫外線(xiàn)照射相關(guān)的持久性。如圖26中所示，入_胃入附近記錄部分和未記錄部分之間吸光率差異很小，并且在光波長(zhǎng)在入_胃入附近的情形中再現(xiàn)信號(hào)調(diào)制度(信號(hào)振幅)被降低。由于半導(dǎo)體激光源的波長(zhǎng)改變，希望在355nm 455nm范圍內(nèi)獲得足夠大的再現(xiàn)信號(hào)調(diào)制度(信號(hào)振幅)。因此，在本實(shí)施例中，設(shè)計(jì)記錄膜3-2，使得入_胃入的波長(zhǎng)在355nm 455nm之外(即，在比455nm更長(zhǎng)的波長(zhǎng))。圖25示出本實(shí)施例中“L-H”記錄膜中的光吸收光譜的示例。如“5_1)關(guān)于“L_H” 記錄膜的特性的說(shuō)明”中所述，本實(shí)施例中，“ L-H”記錄膜的非記錄部分(“L”部分)處光反射系數(shù)的下限值P被設(shè)為18%，上限值Y被設(shè)為32%。根據(jù)1-0. 32 = 0.68，為了滿(mǎn)足上述條件，可以從直觀(guān)上明白405nm時(shí)未記錄區(qū)中吸光率的值A(chǔ)l4tl5是否應(yīng)該滿(mǎn)足Al405 ^ 68%(36)雖然圖2A和2B中光反射層4_2的405nm時(shí)的光反射因數(shù)略小于100%，但為了簡(jiǎn)化，假設(shè)該系數(shù)幾乎接近100%。因此，吸光率Al =0時(shí)的光反射因數(shù)幾乎是100%。在圖25中，波長(zhǎng)為胃入時(shí)整個(gè)記錄膜的光反射因數(shù)由指定。此時(shí)，假設(shè)光反射因數(shù)為00 入_胃入 0)，得出公式(36)。但事實(shí)上，該系數(shù)不被設(shè)為0，并且因此，需要生成更嚴(yán)格的公式。下面給出用于設(shè)置“L-H”記錄膜的非記錄部分(“L”部分)的光反射因數(shù)的上限值Y的嚴(yán)格條件式I-Al405 X a_R 入 maxwrite)彡 0. 32 (37)在傳統(tǒng)一次性寫(xiě)入型信息存儲(chǔ)介質(zhì)中，只使用“H-L”記錄膜，并且沒(méi)有關(guān)于“L-H”記錄膜的信息的累積。但是，在使用稍后在“5-3)陰離子部分偶氮+陽(yáng)離子部分染料”和“5-4)使用“銅”作為偶氮+中心金屬”中所描述的本實(shí)施例的情形中，得到滿(mǎn)足公式(37)的最嚴(yán)格條件是Al405 ^ 80%(38)在使用稍后在本實(shí)施例中所描述的有機(jī)染料記錄材料的情形中，當(dāng)記錄膜的光學(xué)設(shè)計(jì)包括諸如制造時(shí)特性改變或記錄層3-2的厚度改變等的裕度時(shí)，發(fā)現(xiàn)可以滿(mǎn)足滿(mǎn)足本實(shí)施例中“關(guān)于“L-H”記錄膜的特性的說(shuō)明”部分中所述的反射因數(shù)的最小條件Al405 ^ 40%(39)。另外,通過(guò)滿(mǎn)足Al355 ^ 40%(40)Al455 ^ 40%(41)中任何一個(gè)，即使光源的波長(zhǎng)在355nm 405nm范圍內(nèi)或在405nm 455nm范圍內(nèi)(在同時(shí)滿(mǎn)足兩個(gè)公式的情形中在355nm 455nm范圍內(nèi))變化,也可以保證穩(wěn)定的記錄特性或再現(xiàn)特性。圖26示出記錄在依照本實(shí)施例的“L-H”記錄膜中之后的光吸收光譜?？紤]記錄刻記中最大吸收波長(zhǎng)Mmax的值偏離入_胃入的波長(zhǎng)，并發(fā)生分子間陣列變化(例如，偶氮之間的陣列變化)。另外,還考慮平行于其中入Imax位置中的吸光率和405nm時(shí)的吸光率A1405被降低且光吸收光譜本身擴(kuò)展的位置發(fā)生退色反應(yīng)(局部電子軌道中斷(局部分子鍵離解))。同樣，在依照本實(shí)施例的“L-H”記錄膜中，通過(guò)滿(mǎn)足公式(20)、(21)、(22)和(23)，相同的信號(hào)處理電路可用干“ L-H”記錄膜和“H-L”記錄膜，由此促進(jìn)簡(jiǎn)化并降低信號(hào)處理電路的價(jià)格。在公式(20)中，當(dāng)
權(quán)利要求
1.ー種信息存儲(chǔ)介質(zhì),包括導(dǎo)入?yún)^(qū)；數(shù)據(jù)區(qū)；以及包括系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的導(dǎo)出區(qū)。
2.一種用于從信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)信息的方法，所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括導(dǎo)入?yún)^(qū)；數(shù)據(jù)區(qū)；以及包括系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的導(dǎo)出區(qū)，所述方法包括從所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)信息。
3.一種用于在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上記錄信息的方法，所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括導(dǎo)入?yún)^(qū)；數(shù)據(jù)區(qū)；以及包括系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的導(dǎo)出區(qū)，所述方法包括在所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)上記錄信息。
4.一種用于從信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)信息的設(shè)備，所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括導(dǎo)入?yún)^(qū)；數(shù)據(jù)區(qū)；以及包括系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的導(dǎo)出區(qū)，所述設(shè)備包括再現(xiàn)單元，配置成從所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)再現(xiàn)信息。
5.一種用于在信息存儲(chǔ)介質(zhì)上記錄信息的設(shè)備，所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)包括導(dǎo)入?yún)^(qū)；數(shù)據(jù)區(qū)；以及包括系統(tǒng)導(dǎo)出區(qū)和數(shù)據(jù)導(dǎo)出區(qū)的導(dǎo)出區(qū)，所述設(shè)備包括記錄單元，配置成在所述信息存儲(chǔ)介質(zhì)上記錄信息。
全文摘要
公開(kāi)了存儲(chǔ)介質(zhì)，再現(xiàn)方法和記錄方法。BCA包括兩個(gè)BCA前導(dǎo)部分，兩個(gè)BCA后同步指令部分，和兩個(gè)BCA數(shù)據(jù)區(qū)。BCA檢錯(cuò)碼和BCA糾錯(cuò)碼添加到每個(gè)BCA數(shù)據(jù)區(qū)。相同的信息項(xiàng)多次記錄在兩個(gè)BCA數(shù)據(jù)區(qū)。即使由于存儲(chǔ)介質(zhì)表面上形成的劃痕或灰塵而導(dǎo)致一項(xiàng)數(shù)據(jù)不能再現(xiàn)，也可以從其它BCA數(shù)據(jù)區(qū)再現(xiàn)數(shù)據(jù)，提高的數(shù)據(jù)的可靠性。
文檔編號(hào)G11B7/24GK102646427SQ201210123959
公開(kāi)日2012年8月22日 申請(qǐng)日期2006年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月22日
發(fā)明者丸山純孝, 安東秀夫, 小川昭人, 柏原裕, 長(zhǎng)井裕士 申請(qǐng)人:株式會(huì)社東芝