專利名稱：用于熱輔助磁記錄介質(zhì)的低粗糙度散熱器設(shè)計(jì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及磁盤驅(qū)動(dòng)器領(lǐng)域，更具體地，涉及用于熱或者能量輔助磁記錄介質(zhì)的散熱層。
背景技術(shù)：
能量輔助或者熱輔助磁記錄(HAMR)利用磁盤的溫度升高到接近居里(Curie)級別時(shí)磁介質(zhì)的矯頑カ降低。這通過在寫操作之前加熱介質(zhì)來允許使用具有高的室溫矯頑カ的磁介質(zhì)。這個(gè)過程期間引入的熱必須被耗散以避免熱擴(kuò)散，熱擴(kuò)散會(huì)使相鄰信息不穩(wěn)定，并且隨著介質(zhì)冷卻使當(dāng)前信息不穩(wěn)定?！榱藢?shí)現(xiàn)磁頭的低飛行高度和良好的記錄可靠性，期望低粗糙度介質(zhì)。在HAMR介質(zhì)中，散熱層造成整體介質(zhì)的粗糙度。另外地，當(dāng)被加熱時(shí)，通常的散熱層增加粗糙度，限制·在HAMR記錄期間可使用的溫度。


在附圖中通過示例圖解說明本發(fā)明，并且不是限制，其中圖I是制造HAMR介質(zhì)的方法；圖2圖解說明圖I的方法中的各種階段的HAMR介質(zhì)；圖3A圖解說明第一 HAMR介質(zhì)構(gòu)造；圖3B圖解說明第二 HAMR介質(zhì)構(gòu)造；圖3C圖解說明第三HAMR介質(zhì)構(gòu)造；圖4A是具有CuZr散熱器的現(xiàn)有技術(shù)的HAMR介質(zhì)的TEM ；圖4B是采用CuTi散熱器的HAMR介質(zhì)的TEM ；圖5是在散熱器沉積階段期間使用電壓偏置制造HAMR介質(zhì)的方法；圖6是采用CuTi和CuZr的雙層散熱器的HAMR介質(zhì)；以及圖7圖解說明改變雙層散熱器中CuZr的厚度導(dǎo)致的實(shí)驗(yàn)粗糙度結(jié)果。
具體實(shí)施例方式在以下描述中，闡述了大量具體細(xì)節(jié)，例如具體層成分和屬性的例子，以提供對本發(fā)明的各種實(shí)施方式的徹底理解。然而對于本領(lǐng)域技術(shù)人員明顯的是不需要采用這些具體細(xì)節(jié)來實(shí)踐本發(fā)明的各種實(shí)施方式。在其它情況下，未詳細(xì)描述公知的部件或者方法以避免不必要地混淆本發(fā)明的各種實(shí)施方式。此處所用的措辭“上方”、“下方”、“之間”和“上”是指ー個(gè)介質(zhì)層相對于其它層的相對位置。就這點(diǎn)而論，例如在另ー個(gè)層上方或者下方布置的ー個(gè)層可以直接與另ー個(gè)層接觸或者可以具有一個(gè)或者更多個(gè)中間層。另外，在兩個(gè)層之間布置的ー個(gè)層可以直接與這兩個(gè)層接觸或者可以具有一個(gè)或者更多個(gè)中間層。相反地，在第二層“上”的第一層與該第二層接觸。另外，假定相對于基板進(jìn)行操作而不考慮基板的絕對方向，提供ー個(gè)層相對于其它層的相對位置。本發(fā)明的實(shí)施方式涉及促成介質(zhì)的低粗糙度同時(shí)保持合理的熱導(dǎo)率的用于HAMR介質(zhì)的散熱層。在一些實(shí)施方式中，HAMR介質(zhì)(HAMR)包括硬磁記錄層(LlciFePt)、軟磁襯層(SUL)、位于硬磁記錄層和SUL之間的散熱層和非磁性中間層。在一些實(shí)施方式中，在室溫沉積非晶體CuTi膜，接著將其加熱到350°C到650°C范圍的高溫。在加熱之后，CuTi結(jié)晶并且其熱導(dǎo)率從lW/mK増加到10W/mK或者更高。在進(jìn)ー步實(shí)施方式中，可采用雙CuTi/CuZr或者CuTi/Cu散熱器，其中熱障阻力急劇降低并且熱導(dǎo)率將進(jìn)ー步提高而不增加粗糙度。圖I圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造具有低粗糙度散熱器的HAMR介質(zhì)的方法。在步驟105，在基板上方的基礎(chǔ)層上沉積ー層非晶體散熱材料。非晶體散熱材料可以包括室溫濺射エ藝中沉積的非晶體CuTi膜。在進(jìn)ー步實(shí)施方式中，可以在CuTi層上沉積ー層CuZr以形成雙層散熱層?；A(chǔ)層可以包括粘性層、晶體種子層、軟磁性襯層(SUL)或者介質(zhì)基板。另外，在步驟105期間可以沉積任何其它非晶體介質(zhì)層。例如，在一些實(shí)施方 式中，可以在非晶體CuTi層上沉積非晶體中間層，諸如ー層CrTa、CoCrTaZr, CoTaZr或者CrTi。在進(jìn)ー步實(shí)施方式中，可以在非晶體CuTi層上沉積非晶體SUL，諸如ー層CoFeTaZr,其中非晶體中間層沉積在SUL上。步驟106之前沉積的層可以被稱為襯層。在步驟106，將襯層加熱到足以使CuTi層結(jié)晶的溫度。當(dāng)結(jié)晶之后，CuTi的熱導(dǎo)率提高，例如從約lW/mK到約10W/mK。在一些實(shí)施方式中，足以使CuTi層結(jié)晶的溫度是約350°C到約650°C之間。在步驟107，在已加熱、結(jié)晶的CuTi層上方沉積磁層。在一些實(shí)施方式中，這包括在襯層上沉積磁層。在進(jìn)ー步實(shí)施方式中，可以在襯層上和磁層下方沉積晶體種子層，諸如MgO的薄層。在一些實(shí)施方式中，磁層包括LI。相FePt記錄層。在這些實(shí)施方式中，在加熱的襯層給出的高溫沉積條件下，等原子的FePt形成順序的金屬間Lltl相。Ll0 FePt具有相對高的磁矩和磁晶各向異性Ku，使其用作高區(qū)域密度磁記錄層。在ー些實(shí)施方式中，硬磁層可以包括或者更多個(gè)添加物，諸如Ag、Au、Cu、Ni、B、氧化物、碳、氮化物或者碳化物(FePt = X)。在具體實(shí)施方式
中，硬磁層包括一個(gè)或者更多個(gè)FePt:C層，具有改變的FePt和C的比。在另ー些實(shí)施方式中，比硬磁層磁性更軟并且提高切換場分布的覆蓋層可應(yīng)用于硬磁層。這種覆蓋層包括FePt層、CoPt層或者FePt或CoPt的合金層，具有諸如Ag、Au、Ni、Cu、B的添加物。在一些實(shí)施方式中，在低于構(gòu)成覆蓋層的材料的有序化溫度的溫度涂布覆蓋物。在這些實(shí)施方式中，覆蓋層具有比硬磁層的有序化溫度更高的有序化溫度，并且CuTi層被加熱到低于覆蓋層的有序化溫度但是高于硬磁層的有序化溫度的溫度。在步驟108中，將具有涂布磁層的組件冷卻到室溫。在各種實(shí)施方式中，可控制冷卻速率。例如，在10°C /秒到200°C /秒之間。在組件被冷卻之后，在步驟109中，可以涂布外涂層和潤滑層。例如，可以使用化學(xué)氣相沉積(CVD)來沉積第一層C以形成保護(hù)外涂層，并且可以涂布ー層快速沉積(flash-d印osited)的C以形成潤滑層。圖2圖解說明參照圖I描述的方法的各種步驟處的HAMR介質(zhì)的實(shí)施方式。在所圖解說明的實(shí)施方式中，SUL層206被涂布到基板205。在一些實(shí)施方式中，基板可以包括玻璃基板。然而如果能夠承受使CuTi結(jié)晶時(shí)使用的エ藝溫度，則可以使用涂布了 NiP的鋁基板或者其它基板。粘性層207，諸如MgO層被涂布在SUL上。然后非晶體散熱層208沉積在粘性層207上。接著在非晶體散熱層208上沉積非晶體中間層209。在非晶體中間層209在散熱層208的CuTi層上的一些實(shí)施方式中，可以在中間層209和散熱層208之間形成互擴(kuò)散區(qū)域或者“緩沖”層。這個(gè)緩沖層甚至在加熱之后保持非晶體，提高得到的介質(zhì)的表面光滑性。參考圖4B圖解說明并且在以下進(jìn)ー步描述在CoCrTaZr和CuTi之間形成的緩沖層。如上所述，在加熱步驟之后，非晶體散熱層208結(jié)晶以形成晶體散熱層210。在具有位于散熱器的CuTi層和中間層209之間的緩沖層的實(shí)施方式中，緩沖層在加熱之后保持非晶體。如以上參照圖I描述的，當(dāng)由中間層209、散熱器210、粘性層207和SUL 206形成的襯層仍熱時(shí)，涂布硬磁層211和覆蓋層212，以確保硬磁層211的適當(dāng)結(jié)晶。在冷卻之后，可以在覆蓋層212上涂布外涂層213，并且在外涂層213上涂布潤滑層214。
圖3A到圖3C圖解說明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)的HAMR記錄介質(zhì)的各種層構(gòu)造。圖3A圖解說明參照圖I和圖2描述的實(shí)施方式。粘性層306沉積在基板305上。SUL307沉積在粘性層306上。散熱層308沉積在SUL 307上。在一些實(shí)施方式中，散熱層包括CuxTi ，其中X是百分制的49到55之間。在各種實(shí)施方式中，CuTi的晶體結(jié)構(gòu)消除或者減少散熱器厚度和襯層粗糙度之間的關(guān)系。在這些實(shí)施方式中，CuTi層可以在0到200nm之間，更具體地在10到50mm之間。另外，在一些實(shí)施方式中，可以在散熱器308和SUL 307之間沉積薄的晶體種子層。在其它實(shí)施方式中，可以在散熱器308和SUL 307之間沉積諸如CuZr的材料薄層，以防止這兩個(gè)層之間的互擴(kuò)散。非晶體中間層309沉積在散熱器308上。磁層301沉積在中間層309上。覆蓋層311沉積在磁層301上。最終，外涂層312和潤滑層313沉積在覆蓋層311上方。圖3B的實(shí)施方式類似于圖3A的實(shí)施方式，除了 SUL307沉積在散熱器308上，并且中間層309沉積在SUL 307上以外。圖3C圖解說明沒有SUL307的實(shí)施方式，針對不要求軟磁性襯層的HAMR介質(zhì)。圖4A和圖4B是比較現(xiàn)有技術(shù)的散熱器和根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式實(shí)現(xiàn)的散熱器的粗糙度的圖像。圖4A圖解說明由CuZr構(gòu)成的現(xiàn)有技術(shù)的散熱器405，具有0.3-5%的Zr和平衡的Cu。所圖解說明的CuZr散熱器405具有(111)紋理并且示出粗糙表面，導(dǎo)致CoCrTaZr的粗糙化中間層406、MgO的種子層407、FePtiX的硬磁記錄層408和碳外涂層409。圖4B圖解說明來自包括CuTi的散熱器416的降低的粗糙度。在該介質(zhì)中，包括CoFeTaZr的SUL 413涂布有MgO的種子層414。結(jié)晶的CuTi層416形成在種子層414上，并且明顯比CuZr散熱層405更光滑。另外，位于中間層417和晶體CuTi層416之間的包括非晶體互擴(kuò)散層的緩沖層415進(jìn)ー步平滑散熱器的表面。因此，中間層417、種子層418、磁層419和外涂層420明顯地比圖4A中圖解說明的介質(zhì)中的對應(yīng)層光滑。在各種實(shí)施方式中，在MgO層的襯層粗糙度從 7A降低到 2.5A。在CuTi濺射エ藝期間應(yīng)用負(fù)電壓偏置影響最終的晶體CuTi層的結(jié)構(gòu)和光滑性。圖5圖解說明在濺射期間利用負(fù)電壓偏置制造HAMR介質(zhì)的方法。在步驟505，電壓偏置被施加到基板和將接收CuTi的基礎(chǔ)層。在各種實(shí)施方式中，可以采用OV到-500V的偏置。在偏置施加到基礎(chǔ)層的情況下，在步驟506，將ー層非晶體CuTi涂布到基礎(chǔ)層。在此步驟期間還涂布任何其它非晶體襯層，諸如中間層。如以上相對于圖I描述的，沉積可以包括將非晶體CuTi濺射到基礎(chǔ)層上。在步驟507，去除電壓偏置并且加熱非晶體CuTi散熱層以使非晶體CuTi結(jié)晶。根據(jù)參照圖I描述的方法，在步驟508，將磁層和任何覆蓋層涂布到加熱的襯層，包括結(jié)晶的CuTi層。在步驟509，將介質(zhì)冷卻到室溫，在步驟510，涂布外涂層和潤滑層。在一些實(shí)施方式中，在濺射エ藝期間施加電壓偏置可以增加涂層的表面處的原子移動(dòng)性。隨著移動(dòng)性增加，原子更自由以呈現(xiàn)更光滑的表面構(gòu)造。另外，施加電壓偏置可以輔助CuTi形成變化的晶體結(jié)構(gòu)。結(jié)晶的CuTi可以呈現(xiàn)正方晶系、空間群P4/_的晶體結(jié)構(gòu)，空間群數(shù)量為129或者123。施加電壓偏置可以影響CuTi呈現(xiàn)哪一種晶體結(jié)構(gòu)。具體地，當(dāng)未偏置的非晶體層被加熱時(shí)，CuTi可以形成空間群數(shù)量129的晶體，當(dāng)偏置的非晶體層被加熱時(shí)，CuTi可以形成空間群數(shù)量123的晶體。這些效果之ー或者兩者可以進(jìn)ー步改善MAMR介質(zhì)的粗糙度。例如，研究一介質(zhì)以確定電壓偏置的效果，該介質(zhì)包括(從最低層到最高層)1)基板;2)40nm 的 CoFeTaZr ;3)4nm 的 MgO ;4)40nm 的 CuTi ;5)20nm 的 CoTaZr ；6) 4nm 的 MgO ；7) 5nm 的 FePt_C30 ；8) 5nm 的 FePt_C40 ;以及 9) 2nm 的 CVD 和閃積的 C。在實(shí)驗(yàn)中，進(jìn)行規(guī)范化的Ium Ra全堆(V3L單元エ序)粗糙度測試。OV偏置導(dǎo)致8.56 A的全堆 表面粗糙度、150V偏置導(dǎo)致8.40 A的全堆表面粗糙度和250V偏置導(dǎo)致8.16 A的全堆表面粗糙度。在一些實(shí)施方式中，用于HAMR介質(zhì)的散熱層可以包括雙層散熱器，其包括CuZr層和CuTi層。圖6圖解說明一個(gè)這種HAMR介質(zhì)。在所圖解說明的介質(zhì)中，SUL 606，諸如CoFeTaZr層沉積在基板605上方。種子層607，諸如MgO層沉積在SUL 606上方。第一 CuTi散熱層608沉積在種子層607上方。在一些實(shí)施方式中，CuTi包括CuxTi 1QQ_X，其中X是百分制的55到49之間。在各種實(shí)施方式中，CuTi層可以在0到200nm之間，更具體地在10到50mm之間。在一些實(shí)施方式中，可以在CuTi層608和SUL 606之間沉積CuZr的薄層，以防止這兩個(gè)層之間的互擴(kuò)散。第二 CuZr散熱層609沉積在CuTi層608上方。在各種實(shí)施方式中，CuZr層包括CuZrx，其中X是0. 3%到0. 5%之間，并且可以在0到50nm之間，或者更具體地，在5到40nm之間。中間層610，諸如CoTaZr沉積在CuZr層609上方。在中間層610上方沉積第二中間層，諸如種子層 611，其可以包括ー層 Ta、Cr、RuAl、NiAl、TiN、CrMo、CrTi、CrVa, CrT、CrTa>CrRu或者M(jìn)gO。種子層611形成用于硬磁記錄層612的晶體種子層,在種子層611上方沉積諸如一個(gè)或者更多個(gè)FePt:C層。在硬磁性記錄層612上方沉積潤滑層614和外涂層 614。在采用雙層CuZr和CuTi散熱器的實(shí)施方式中，CuTir減少上CuZr層的(111)紋理，減小否則存在的CuZr層的粗糙度。圖7圖解說明各種雙層散熱器的實(shí)驗(yàn)結(jié)果。用于這些實(shí)驗(yàn)的介質(zhì)堆是(從底到頂):1)玻璃基板；2) CoFeTaZr層；3)4nm的MgO ；4)40nm的CuTi ；5)x nm 的 CuZr ;6)20nm 的 CoTaZr ;7)Mg0層；8) IOnm 的 FePt:C 30/20 ;9)CVD C外涂層；以及10)閃積C潤滑層。圖7的曲線解說明X指示值的粗糙度結(jié)果。在雙散熱器中使用CuZr層影響熱障阻值。在實(shí)驗(yàn)中，具有200nm的CuTi的介質(zhì)具有Rth = 11 X 10_9m2K/W，給介質(zhì)引入IOnm的CuZr將Rth減小到3 X 10_9m2K/W。在各種應(yīng)用中，通過改變CuZr層和CuTi層的厚度，可以在設(shè)計(jì)階段調(diào)整介質(zhì)的熱阻值和熱導(dǎo)率參數(shù)。在前述說明書中，參照具體示例特征描述了本發(fā)明的實(shí)施方式。然而，明顯可對其進(jìn)行各種修改和變化，而不背離所附的權(quán)利要求闡述的本發(fā)明的更寬實(shí)質(zhì)和范圍。說明書和附圖因此將被認(rèn)為是例示性的而不是限制性 的。
權(quán)利要求
1.一種制造磁記錄介質(zhì)的方法，所述方法包括 在布置在磁記錄介質(zhì)基板上方的基礎(chǔ)層上涂布非晶體CuTi層； 將所述非晶體CuTi層加熱到足以使所述非晶體CuTi層形成結(jié)晶的CuTi層的溫度；以及 冷卻所述結(jié)晶的CuTi層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，還包括在所述非晶體CuTi層上涂布CuZr層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述CuZr層包括CuZrx，其中x是在O.3%到5%之間，并且在Onm到50nm的厚度之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，還包括當(dāng)沉積所述非晶體CuTi層時(shí)向所述基礎(chǔ)層施、加OV到-500V之間的負(fù)電壓偏置。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，還包括在冷卻所述結(jié)晶的CuTi層的步驟之前在所述結(jié)晶的CuTi層上方涂布硬磁記錄層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，還包括在涂布所述硬磁記錄層的步驟之前在所述結(jié)晶的CuTi層上方涂布軟磁襯層；以及其中涂布所述硬磁記錄層的步驟還包括在所述軟磁襯層上方涂布所述硬磁記錄層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述基礎(chǔ)層包括軟磁襯層。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述基礎(chǔ)層包括粘性層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述粘性層包括CrTa、CrTi、AlTa、AlTi、NiNb或# NiTa0
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述基礎(chǔ)層包括晶體種子層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述晶體種子層包括Ta、Cr、RuAl、NiAl、TiN,CrMo、CrTi、CrVa、CrT、CrTa、CrRu 或者 MgO。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，還包括在所述非晶體CuTi層上方涂布非晶體中間層。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中所述非晶體中間層包括CrTaXoCrTaZr、CoTaZr或者CrTi。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述非晶體CuTi層和所述非晶體中間層之間形成非晶體互擴(kuò)散層。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，還包括在所述非晶體中間層上方涂布第二中間層，所述第二中間層包括 Ta、Cr、RuAl、NiAl、TiN、CrMo, CrTi, CrVa, CrT、CrTa、CrRu 或者 MgO并且形成用于所述硬磁層的晶體種子層。
16.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述CuTi包括55%到49%之間的Cu和45%和51%之間的Ti。
17.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述足以使所述非晶體CuTi層形成結(jié)晶CuTi的層的溫度是在350°C到650°C之間。
18.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述結(jié)晶的CuTi層的厚度是在IOnm到200nm之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述結(jié)晶的CuTi層的厚度是在30nm到50nm之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中冷卻所述結(jié)晶的CuTi層的步驟包括以10°C/秒到200°C /秒之間的冷卻速率將所述結(jié)晶的CuTi層從足以使所述非晶體CuTi層形成結(jié)晶的CuTi層的溫度冷卻到室溫。
21.—種磁記錄介質(zhì),所述磁記錄介質(zhì)包括 基板； 包括結(jié)晶的CuTi層的散熱層，；以及 硬磁記錄層。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述散熱層還包括CuZr層。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述CuZr層包括CuZrx,其中x是在O.3%到5%之間，并且在Onm到50nm的厚度之間。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述結(jié)晶的CuTi層具有正方晶系的晶體結(jié)構(gòu)，其具有空間群P4/_和空間群數(shù)量123。
25.根據(jù)權(quán)利要求21所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述結(jié)晶的CuTi層具有正方晶系的晶體結(jié)構(gòu)，其具有空間群P4/_和空間群數(shù)量129。
26.根據(jù)權(quán)利要求21所述的磁記錄介質(zhì)，其中所述CuTi包括55%到49%之間的Cu和45%和51%之間的Ti。
27.根據(jù)權(quán)利要求21所述的磁記錄介質(zhì),其中所述結(jié)晶的CuTi層在IOnm到200nm之間。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的磁記錄介質(zhì),其中所述結(jié)晶的CuTi層在30nm到SOnmi間。
29.根據(jù)權(quán)利要求21所述的磁記錄介質(zhì)，還包括位于所述散熱層下方的軟磁襯層。
30.根據(jù)權(quán)利要求21所述的磁記錄介質(zhì)，還包括位于所述散熱層下方的粘性層。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的磁記錄介質(zhì),其中所述粘性層包括CrTa、CrTi、AlTa、AlTi、NiNb 或者 NiTa。
32.根據(jù)權(quán)利要求21所述的磁記錄介質(zhì)，還包括位于所述散熱層下方的晶體種子層。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的磁記錄介質(zhì),其中所述晶體種子層包括Ta、Cr、RuAl、NiAl、TiN、CrMo, CrTi、CrVa、CrT、CrTa、CrRu 或者 MgO。
34.根據(jù)權(quán)利要求21所述的磁記錄介質(zhì)，還包括在所述CuTi層上方沉積的非晶體中間層。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的磁記錄介質(zhì),其中所述非晶體中間層包括CrTa、CoCrTaZr、CoTaZr 或者 CrTi。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的磁記錄介質(zhì)，還包括在所述非晶體中間層上方的第二中間層，所述第二中間層包括 Ta、Cr、RuAl、NiAl, TiN、CrMo, CrTi、CrVa, CrT、CrTa、CrRu 或者M(jìn)gO,并且形成用于所述硬磁層的晶體種子層。
37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的磁記錄介質(zhì)，還包括所述CuTi層和所述非晶體中間層之間的非晶體互擴(kuò)散層。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于熱輔助磁記錄介質(zhì)的低粗糙度散熱器設(shè)計(jì)。一種磁記錄介質(zhì)包括基板、包括結(jié)晶CuTi層的散熱層以及硬磁記錄層。結(jié)晶的CuTi在非晶體狀態(tài)下涂布，接著通過加熱而結(jié)晶。與先前的散熱器設(shè)計(jì)相比較，使用這個(gè)散熱器改善表面和底層粗糙度。
文檔編號G11B5/84GK102737652SQ20121010134
公開日2012年10月17日 申請日期2012年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月31日
發(fā)明者A·切爾內(nèi)紹夫, B·R·阿查亞, G·A·貝爾泰羅, H·元 申請人:西部數(shù)據(jù)傳媒公司