專利名稱：磁記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及適于通過(guò)熱輔助磁記錄方式來(lái)記錄信息的磁記錄介質(zhì)。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，計(jì)算機(jī)設(shè)備中的硬盤(pán)等磁記錄介質(zhì)(以下，稱為盤(pán))順應(yīng)想要進(jìn)行更大量且高密度的信息的記錄再現(xiàn)等的需求，要求進(jìn)ー步的高密度化。因此，為了將相鄰的磁疇彼此的影響或熱波動(dòng)抑制為最小限度，作為盤(pán)開(kāi)始采用頑磁力強(qiáng)的盤(pán)。因此，正變得難以將信息記錄于盤(pán)。于是，為了消除上述不良狀況，采用如下的利用熱輔助磁記錄方式(混合磁記錄方式)的寫(xiě)入方法利用將光聚集的點(diǎn)光或近場(chǎng)光局部地加熱磁疇以使頑磁力暫時(shí)下降， 在此期間進(jìn)行向盤(pán)的寫(xiě)入。尤其是，在利用近場(chǎng)光的情況下，能夠在作為現(xiàn)有的光學(xué)系中成為極限的光的波長(zhǎng)以下的區(qū)域處理光學(xué)信息，能夠謀求在現(xiàn)有技術(shù)中不可能的記錄位的高密度化。另外，現(xiàn)在提供許多與上述的熱輔助磁記錄方式相對(duì)應(yīng)的盤(pán)，作為用于可靠地進(jìn)行熱輔助磁記錄的必要條件之一，對(duì)這些盤(pán)要求構(gòu)成記錄層的磁性體(由I個(gè)或多個(gè)磁性粒子構(gòu)成的磁簇)的有效的加熱。這是因?yàn)?，迅速地加熱期望的磁性體而使其頑磁力下降抑制記錄不良而關(guān)系到寫(xiě)入的可靠性。于是，在構(gòu)成記錄層的記錄軌跡(磁性體)的上部及側(cè)部設(shè)置有熱傳導(dǎo)率比記錄層高的高熱傳導(dǎo)薄膜的磁記錄介質(zhì)為人所知(例如參照專利文獻(xiàn)I)。依照該磁記錄介質(zhì)，能夠由高熱傳導(dǎo)薄膜從記錄軌跡的外側(cè)傳遞熱，能夠迅速地加熱記錄軌跡的整體。專利文獻(xiàn)I :日本特開(kāi)2010-165404號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
然而，在上述專利文獻(xiàn)I所記載的磁記錄介質(zhì)中，由于高熱傳導(dǎo)薄膜以與記錄軌跡的上部及側(cè)部相接的狀態(tài)設(shè)置，因而在加熱時(shí)傳遞至高熱傳導(dǎo)薄膜的熱的一部分容易沿與記錄軌跡側(cè)不同的方向逸出。因此，難以沒(méi)有浪費(fèi)地將熱從高熱傳導(dǎo)薄膜側(cè)傳遞至記錄軌跡側(cè)，未達(dá)到有效地加熱記錄軌跡。另外，未對(duì)記錄軌跡的加熱作出貢獻(xiàn)而沿與記錄軌跡側(cè)不同的方向逸出的熱有經(jīng)由相鄰的高熱傳導(dǎo)薄膜而傳遞至其他記錄軌跡之憂。因此，還存在產(chǎn)生使其他記錄軌跡的熱穩(wěn)定性下降、已記錄于該記錄軌跡的信息消失或進(jìn)行誤記錄等不良狀況的可能性。本發(fā)明是考慮到這樣的情況而做出的，其目的是提供如下的磁記錄介質(zhì)能夠有效地加熱期望的磁性體而以高可靠性進(jìn)行寫(xiě)入，并且能夠確保記錄時(shí)的其他磁性體的熱穩(wěn)定性而抑制記錄消失或誤記錄等。本發(fā)明為了解決如上課題，采用如下的方案。(I)本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)，在基板形成有記錄層，其特征在于在構(gòu)成所述記錄層的多個(gè)記錄位區(qū)域各自的內(nèi)側(cè)，設(shè)置有熱傳導(dǎo)率比所述記錄層更高的高熱傳導(dǎo)體。在本發(fā)明中，由于從設(shè)置于由I個(gè)以上的磁性粒子構(gòu)成的記錄位區(qū)域的內(nèi)側(cè)的高熱傳導(dǎo)體朝向包圍周圍的記錄位區(qū)域傳熱，因而能夠有效地加熱記錄信息的記錄位區(qū)域。即，如果加熱高熱傳導(dǎo)體，則從內(nèi)側(cè)加熱包圍高熱傳導(dǎo)體的記錄位區(qū)域，熱并不逸出至不進(jìn)行記錄的其他記錄位區(qū)域，而是熱沒(méi)有浪費(fèi)地傳遞至進(jìn)行記錄的記錄位區(qū)域，因而該記錄位區(qū)域的加熱效率提高。另外，由于熱難以選出至不進(jìn)行記錄的其他記錄位區(qū)域，因而能夠抑制加熱不進(jìn)行記錄的其他記錄位區(qū)域而使其熱穩(wěn)定性下降，能夠防止已記錄于其他記錄位區(qū)域的信息消失或記錄錯(cuò)誤信息。而且，與以包圍記錄位區(qū)域的方式設(shè)置高熱傳導(dǎo)體的情況相比，能夠維持對(duì)進(jìn)行記錄的記錄位區(qū)域的加熱效率，同時(shí)能夠使高熱傳導(dǎo)體的占有面積減少。由此，能夠進(jìn)一歩提高磁記錄介質(zhì)的記錄密度。(2)在上述本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)中，優(yōu)選所述高熱傳導(dǎo)體貫通所述記錄層而 設(shè)置。在這種情況下，高熱傳導(dǎo)體與記錄層的下層或基板接觸，由此，在從記錄位區(qū)域排熱時(shí)，變得容易從經(jīng)加熱的記錄位區(qū)域經(jīng)由高熱傳導(dǎo)體而從記錄層放出至磁記錄介質(zhì)的外偵牝冷卻效率進(jìn)ー步提高。(3)在上述本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)中，優(yōu)選在所述基板與所述記錄層之間形成有基底層，所述高熱傳導(dǎo)體貫通所述記錄層及所述基底層而設(shè)置。在這種情況下，充分確保高熱傳導(dǎo)體與基底層的接觸面積，由此，在從記錄位區(qū)域排熱時(shí)，變得容易從經(jīng)加熱的記錄位區(qū)域經(jīng)由高熱傳導(dǎo)體而從基底層放出至磁記錄介質(zhì)的外側(cè)，因而能夠提高冷卻效率。(4)在上述本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)中，優(yōu)選，所述高熱傳導(dǎo)體貫通所述記錄層，所述高熱傳導(dǎo)體中與層疊方向正交的方向的剖面面積在所述層疊方向上隨著接近所述基板而變大。在這種情況下，由于與設(shè)在記錄層的下表面的層的接觸面積増大，因而在從記錄位區(qū)域排熱時(shí)，變得容易從經(jīng)加熱的記錄位區(qū)域經(jīng)由高熱傳導(dǎo)體而從該層放出至磁記錄介質(zhì)的外側(cè)，冷卻效率進(jìn)ー步提高。(5)在上述本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)中，優(yōu)選，在所述高熱傳導(dǎo)體的內(nèi)側(cè)，設(shè)置有與包圍該高熱傳導(dǎo)體的所述記錄層構(gòu)成同一所述記錄位區(qū)域的記錄層。在這種情況下，由于高熱傳導(dǎo)體與記錄層的接觸面積増大，并且從高熱傳導(dǎo)體加熱設(shè)置于外側(cè)及內(nèi)側(cè)兩者的記錄層，因而記錄位區(qū)域的加熱效率進(jìn)ー步提高。(6)在上述本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)中，優(yōu)選，在所述高熱傳導(dǎo)體的外周面，沿著該外周面形成有朝向內(nèi)側(cè)凹陷的多個(gè)凹部。在這種情況下，由于高熱傳導(dǎo)體與記錄層的接觸面積増大，因而記錄位區(qū)域的加熱效率進(jìn)一步提尚。(7)在上述本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)中，優(yōu)選，在所述記錄層，形成有將該記錄層劃分為多個(gè)分區(qū)的分割部，在所述分割部，填充有熱傳導(dǎo)率比所述記錄層更低的低熱傳導(dǎo)體。
在這種情況下，由低熱傳導(dǎo)體將記錄層劃分為多個(gè)分區(qū)，由此能夠抑制熱從對(duì)加熱作出貢獻(xiàn)的分區(qū)傳遞至未對(duì)加熱作出貢獻(xiàn)的其他分區(qū)，將熱約束在對(duì)加熱作出貢獻(xiàn)的分區(qū)內(nèi)，由此，進(jìn)行記錄的記錄位區(qū)域的加熱效率進(jìn)ー步提高。(8)在上述本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)中，優(yōu)選所述記錄位區(qū)域及所述高熱傳導(dǎo)體呈同心狀配置。在這種情況下，由于熱從高熱傳導(dǎo)體朝向記錄位區(qū)域均勻地傳遞，因而能夠更有效地加熱記錄位區(qū)域。(9)在上述本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)中，優(yōu)選所述高熱傳導(dǎo)體由金屬材料或電介質(zhì)材料形成。在這種情況下，不需要特別的加工，能夠用例如蝕刻等既存的加工方法而容易地 加工。此外，形成高熱傳導(dǎo)體的材料也可以是單ー的材料，也可以是混合的材料。(10)在上述本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)中，優(yōu)選，在所述基板與所述記錄層之間，形成用于將構(gòu)成所述記錄位區(qū)域的磁性粒子的磁化方向相對(duì)于該基板的基板面而沿一定方向取向的取向?qū)?，所述高熱傳?dǎo)體還貫通所述取向?qū)佣O(shè)置。在這種情況下，在基板與記錄層之間除了基底層以外，還形成有取向?qū)?，因而容易進(jìn)行更穩(wěn)定的記錄。尤其是，取向?qū)訉?dǎo)致記錄層的磁性粒子的易磁化軸相對(duì)于基板面而沿例如水平方向或垂直方向的一定方向取向，因而可提供穩(wěn)定的水平或垂直磁記錄介質(zhì)。另外，由于高熱傳導(dǎo)體也對(duì)于取向?qū)迂炌?，因而能夠充分地確保相對(duì)于該高熱傳導(dǎo)體的接觸面積，在從記錄位區(qū)域排熱時(shí)，變得容易從經(jīng)加熱的記錄位區(qū)域經(jīng)由高熱傳導(dǎo)體而放出至磁記錄介質(zhì)的外側(cè)，因而能夠提高冷卻效率。(11)在上述本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)中，優(yōu)選所述取向?qū)酉啾人龌讓佣谒鲇涗泴觽?cè)形成。在這種情況下，由于取向?qū)有纬捎谟涗泴觽?cè)，因而能夠使記錄層的上述易磁化軸進(jìn)ー步精度良好地取向，容易進(jìn)行更穩(wěn)定的記錄。依照本發(fā)明涉及的磁記錄介質(zhì)，由于記錄位區(qū)域包圍加熱的高熱傳導(dǎo)體，因而熱能夠從高熱傳導(dǎo)體沒(méi)有浪費(fèi)地傳遞至包圍周圍的記錄位區(qū)域而有效地加熱該記錄位區(qū)域。另外，能夠防止已記錄于其他記錄位區(qū)域的信息消失或記錄錯(cuò)誤信息，并且能夠在維持對(duì)進(jìn)行記錄的記錄位區(qū)域的加熱效率的同時(shí)減少高熱傳導(dǎo)體的占有面積。由此，能夠進(jìn)一歩提高磁記錄介質(zhì)的記錄密度。


圖I是示出本發(fā)明的第I實(shí)施方式中的磁記錄介質(zhì)的俯視圖及局部放大圖。圖2是示出圖I的磁記錄介質(zhì)的放大剖面圖。圖3是示出圖I的磁記錄介質(zhì)的局部立體圖。圖4是示出圖I的磁記錄介質(zhì)的制造方法的放大剖面圖。圖5同樣是示出圖I的磁記錄介質(zhì)的制造方法的放大剖面圖。圖6同樣是示出圖I的磁記錄介質(zhì)的制造方法的放大剖面圖。圖7是示出本發(fā)明的第2實(shí)施方式中的磁記錄介質(zhì)的放大剖面圖。圖8是示出本發(fā)明的第3實(shí)施方式中的磁記錄介質(zhì)的放大剖面圖。
圖9是示出本發(fā)明的第4實(shí)施方式中的磁記錄介質(zhì)的局部立體圖。圖10是示出本發(fā)明的第5實(shí)施方式中的磁記錄介質(zhì)的局部立體圖。圖11是示出本發(fā)明的第6實(shí)施方式中的磁記錄介質(zhì)的局部立體圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明1、50、60、70、80、90磁記錄介質(zhì)；2基板；3基底層；4記錄層;11、74記錄位區(qū)域；12分割部；13低熱傳導(dǎo)體；14、51、61、71、81高熱傳導(dǎo)體；91取向?qū)印?
具體實(shí)施例方式(第I實(shí)施方式)以下，基于附圖，說(shuō)明本發(fā)明中的磁記錄介質(zhì)的第I實(shí)施方式。此外，在以上的說(shuō)明所使用的各附圖中，為了使各部件成為能夠識(shí)別的大小，適當(dāng)變更比例尺。本實(shí)施方式中的磁記錄介質(zhì)1，如圖I所示，俯視時(shí)成為圓盤(pán)狀，如圖2及圖3所示，具備基板2、形成于基板2上的基底層3、形成于基底層3上的記錄層4以及形成于記錄層4上的保護(hù)層5。此外，在圖I的局部放大圖及圖3中，除去保護(hù)層5。另外，在本實(shí)施方式中，以與俯視時(shí)成為圓盤(pán)狀的磁記錄介質(zhì)I的中心軸正交的方向作為徑方向，以圍繞中心軸的方向作為周方向?；?由例如玻璃、鋁或鋁合金、AlTiC形成，確保磁記錄介質(zhì)I的剛性?；讓?由例如NiFe、FeTaC, CoTaZr這樣的鐵合金、鎳合金或鈷合金這樣的軟磁性材料形成，使通過(guò)記錄層4的來(lái)自磁頭(省略圖示)的磁通回流至該磁頭，由此在記錄層4產(chǎn)生垂直方向分量的磁場(chǎng)。記錄層4由例如CoCrPtXoCrPt-SiO2這樣的磁性合金、磁性合金與氧化物膜等的顆粒膜或?qū)⑻砑釉丶尤胫吝@些而成的材料形成，利用從上述磁頭施加的磁通來(lái)將磁化方向適當(dāng)反轉(zhuǎn)。
另外，記錄層4由多個(gè)記錄位區(qū)域11構(gòu)成，多個(gè)記錄位區(qū)域11由貫通記錄層4的分割部12劃分。這些記錄位區(qū)域11由I個(gè)以上的磁性粒子構(gòu)成，如圖I及圖3所示成為圓柱狀。而且，如圖I所示，記錄位區(qū)域11沿周方向等間隔地排列，由此構(gòu)成記錄軌跡，該記錄軌跡沿徑方向隔開(kāi)間隔而呈同心圓狀排列。此外，記錄位區(qū)域11不限于圓柱狀，也可以成為其他形狀。在分割部12，如圖I至圖3所示，設(shè)置有熱傳導(dǎo)率比記錄層4更低的低熱傳導(dǎo)體13。低熱傳導(dǎo)體13由例如氧化硅、氮化硅、氧化鋁等形成，使得難以在相鄰的記錄位區(qū)域11之間傳遞熱。此外，也可以采用空氣以作為低熱傳導(dǎo)體13。在構(gòu)成各記錄位區(qū)域11的記錄層4的中央，貫通記錄層4而到達(dá)基底層3的圓柱狀的高熱傳導(dǎo)體14與記錄位區(qū)域11呈同心狀地設(shè)置。高熱傳導(dǎo)體14熱傳導(dǎo)率比記錄層4更高，由例如銅、銀、金、鋁、金剛石、類金剛石碳、碳納米管等金屬材料或電介質(zhì)材料形成，使得容易在與所接觸的記錄層4之間傳熱。保護(hù)層5由例如類金剛石碳、氧化硅、氮化硅、氧化銅、氧化鋁等形成，在物理上以及在化學(xué)上將記錄層4從磁記錄介質(zhì)I的外界保護(hù)起來(lái)。接著，對(duì)如上構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)I的制造方法進(jìn)行說(shuō)明。
首先，通過(guò)例如濺射法或CVD法等在基板2上形成基底層3 (圖4 (a)及圖4 (b))。然后，同樣地通過(guò)例如濺射法或CVD法等在基底層3上形成低熱傳導(dǎo)體13 (圖4(c))。隨后，在低熱傳導(dǎo)體13上涂敷構(gòu)圖用的第I抗蝕劑層21，通過(guò)光刻及顯影除去第I抗蝕劑層21中的與記錄位區(qū)域11的形成位置對(duì)應(yīng)的部分而形成開(kāi)ロ圖案(圖4(d))。接下來(lái)，通過(guò)例如蝕刻處理來(lái)除去從第I抗蝕劑層21的開(kāi)ロ圖案露出的低熱傳導(dǎo)體13(圖5(a))。然后，通過(guò)例如濺射法或CVD法等來(lái)在未除去的第I抗蝕劑層21及露出的基底層3上形成記錄層4 (圖5(b))，利用丙酮等溶劑來(lái)除去第I抗蝕劑層21，通過(guò)CMP法等對(duì)表面進(jìn)行平坦化(圖5(c))。由此，形成由殘存的低熱傳導(dǎo)體13構(gòu)成的分割部12劃分的記錄位區(qū)域11。隨后，在低熱傳導(dǎo)體13及記錄層4上涂敷構(gòu)圖用的第2抗蝕劑層22，通過(guò)光刻及顯影除去第2抗蝕劑層22中的與高熱傳導(dǎo)體14的形成位置對(duì)應(yīng)的部分而形成開(kāi)ロ圖案(圖5(d))。接著，通過(guò)例如蝕刻處理來(lái)除去從第2抗蝕劑層22的開(kāi)ロ圖案露出的記錄層4 (圖6 (a))。然后，通過(guò)例如濺射法或CVD法等來(lái)在第2抗蝕劑層22及露出的基底層3上 形成高熱傳導(dǎo)體14 (圖6 (b))，利用丙酮等溶劑來(lái)除去第2抗蝕劑層22，通過(guò)CMP法等對(duì)表面進(jìn)行平坦化(圖6 (c))。隨后，通過(guò)例如濺射法或CVD法等來(lái)形成保護(hù)層5 (圖6 (d))。如以上這樣，制造磁記錄介質(zhì)I。接著，說(shuō)明如上構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)I中的信息的記錄方法。首先，將點(diǎn)光或近場(chǎng)光照射至在記錄層4中的記錄信息的記錄位區(qū)域11的中央設(shè)置的高熱傳導(dǎo)體14來(lái)加熱高熱傳導(dǎo)體14。經(jīng)加熱的高熱傳導(dǎo)體14朝向包圍高熱傳導(dǎo)體14的記錄位區(qū)域11傳熱。由此，進(jìn)行記錄的記錄位區(qū)域11被局部地加熱，頑磁力暫時(shí)地下降。然后，在頑磁力下降的期間，將磁場(chǎng)施加至記錄位區(qū)域11而記錄信息。此時(shí)，由于進(jìn)行記錄的記錄位區(qū)域11包圍被加熱的高熱傳導(dǎo)體14的周圍，因而高熱傳導(dǎo)體14沒(méi)有使熱逸出至不進(jìn)行記錄的其他記錄位區(qū)域11，而是加熱進(jìn)行記錄的記錄位區(qū)域11。另外，由于上述其他記錄位區(qū)域11從被加熱的高熱傳導(dǎo)體14離開(kāi)，并且由低熱傳導(dǎo)體13包圍記錄位區(qū)域11的外側(cè)，因而可抑制加熱不進(jìn)行記錄的其他記錄位區(qū)域11。隨后，在此期間將信息記錄至記錄位區(qū)域11后，蓄積于記錄位區(qū)域11的熱自然地排熱，或者經(jīng)由停止加熱的高熱傳導(dǎo)體14而傳導(dǎo)至基底層3，經(jīng)由基底層3及基板2而排熱至磁記錄介質(zhì)I的外界。此時(shí)，高熱傳導(dǎo)體14貫通記錄層4而與基底層3接觸，因而經(jīng)加熱的記錄位區(qū)域11的熱變得容易通過(guò)高熱傳導(dǎo)體14而傳導(dǎo)至基底層3。如以上這樣，將信息記錄于磁記錄介質(zhì)I。依照如上構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)1，由于進(jìn)行記錄的記錄位區(qū)域11包圍進(jìn)行加熱的高熱傳導(dǎo)體14，因而熱能夠從高熱傳導(dǎo)體14沒(méi)有浪費(fèi)地傳遞至記錄位區(qū)域11而有效地加熱該記錄位區(qū)域11。此時(shí)，由于記錄位區(qū)域11和高熱傳導(dǎo)體14呈同心狀配置，熱從高熱傳導(dǎo)體14朝向記錄位區(qū)域11均勻地傳遞，因而能夠更有效地加熱記錄位區(qū)域11。另外，由于熱難以逸出至不進(jìn)行記錄的其他記錄位區(qū)域11，而且由低熱傳導(dǎo)體13劃分記錄位區(qū)域11，因而可抑制不進(jìn)行記錄的其他記錄位區(qū)域11被加熱。因此，能夠防止已記錄于其他記錄位區(qū)域11的信息消失或記錄錯(cuò)誤信息，并且能夠在維持對(duì)進(jìn)行記錄的記錄位區(qū)域11的加熱效率的同時(shí)減少聞熱傳導(dǎo)體14的占有面積。由此，能夠進(jìn)一步提聞磁記錄介質(zhì)I的記錄密度。
而且，由于變得經(jīng)加熱的記錄位區(qū)域11的熱容易經(jīng)由貫通記錄層4的高熱傳導(dǎo)體14而傳導(dǎo)至基底層3，因而變得容易將記錄位區(qū)域11的熱排熱至磁記錄介質(zhì)I的外界。(第2實(shí)施方式)接下來(lái)，基于附圖，說(shuō)明本發(fā)明中的磁記錄介質(zhì)的第2實(shí)施方式。此外，在此說(shuō)明的實(shí)施方式，其基本的構(gòu)成與上述的第I實(shí)施方式相同，是將別的要素附加于上述的第I實(shí)施方式。所以，在圖7中，對(duì)與圖I至圖6相同的構(gòu)成要素標(biāo)記相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)50中，如圖7所示,高熱傳導(dǎo)體51貫通記錄層4及基底層3而與基板2接觸。 依照如上構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)50,由于能夠充分地確保高熱傳導(dǎo)體51與基底層3的接觸面積，因而變得熱容易經(jīng)由高熱傳導(dǎo)體51而從經(jīng)加熱的記錄層4傳導(dǎo)至基底層3，能夠提高經(jīng)加熱的記錄位區(qū)域11的排熱效率。(第3實(shí)施方式)接下來(lái)，基于附圖，說(shuō)明本發(fā)明中的磁記錄介質(zhì)的第3實(shí)施方式。此外，在此說(shuō)明的實(shí)施方式，其基本的構(gòu)成與上述的第2實(shí)施方式相同，是將別的要素附加于上述的第2實(shí)施方式。所以，在圖8中，對(duì)與圖7相同的構(gòu)成要素標(biāo)記相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)60中，如圖8所示，高熱傳導(dǎo)體61成為圓錐臺(tái)狀。即，高熱傳導(dǎo)體61中與磁記錄介質(zhì)60的層疊方向正交的方向的剖面面積在該層疊方向上隨著接近基板2而變大。依照如上構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)60，由于高熱傳導(dǎo)體61與基底層3之間的接觸面積增大，因而能夠進(jìn)ー步提高經(jīng)加熱的記錄位區(qū)域11的排熱效率。(第4實(shí)施方式)接下來(lái)，基于附圖，說(shuō)明本發(fā)明中的磁記錄介質(zhì)的第4實(shí)施方式。此外，在此說(shuō)明的實(shí)施方式，其基本的構(gòu)成與上述的第I實(shí)施方式相同，是將別的要素附加于上述的第I實(shí)施方式。所以，在圖9中，對(duì)與圖I至圖6相同的構(gòu)成要素標(biāo)記相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)70中，高熱傳導(dǎo)體71成為圓筒狀。另外，在高熱傳導(dǎo)體7 I的內(nèi)側(cè)，設(shè)置有磁性體72，磁性體72與包圍高熱傳導(dǎo)體71的磁性體73 —起構(gòu)成同一記錄位區(qū)域74。依照如上構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)70，由于從高熱傳導(dǎo)體71朝向外側(cè)及內(nèi)側(cè)兩者傳遞的熱加熱磁性體72、73，因而記錄位區(qū)域74的加熱效率進(jìn)ー步提高。另外，由于高熱傳導(dǎo)體71與記錄位區(qū)域74之間的接觸面積増大，因而能夠進(jìn)ー步提高經(jīng)加熱的記錄位區(qū)域74的排熱效率。此外，在本實(shí)施方式中，高熱傳導(dǎo)體71成為圓筒狀，但不限于圓筒狀等筒狀，也可以是俯視時(shí)為C字狀等。(第5實(shí)施方式)接下來(lái)，基于附圖，說(shuō)明本發(fā)明中的磁記錄介質(zhì)的第5實(shí)施方式。此外，在此說(shuō)明的實(shí)施方式，其基本的構(gòu)成與上述的第I實(shí)施方式相同，是將別的要素附加于上述的第I實(shí)施方式。所以，在圖10中，對(duì)與圖I至圖6相同的構(gòu)成要素標(biāo)記相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)80中，在高熱傳導(dǎo)體81的外周面沿著外周面形成有多個(gè)朝向內(nèi)側(cè)凹陷的凹部82。
依照如上構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)80，在高熱傳導(dǎo)體81的外周面形成有凹凸，使高熱傳導(dǎo)體81的剖面形狀復(fù)雜化，由此，高熱傳導(dǎo)體81與記錄位區(qū)域11之間的接觸面積增大，記錄位區(qū)域11與高熱傳導(dǎo)體81之間的熱阻下降。由此，能夠進(jìn)ー步提高經(jīng)加熱的記錄位區(qū)域11的排熱效率。(第6實(shí)施方式)接下來(lái)，基于附圖，說(shuō)明本發(fā)明中的磁記錄介質(zhì)的第6實(shí)施方式。此外，在此說(shuō)明的實(shí)施方式，其基本的構(gòu)成與上述的第I實(shí)施方式相同，是將別的要素附加于上述的第I實(shí)施方式。所以，在圖11中，對(duì)與圖I至圖6相同的構(gòu)成要素標(biāo)記相同的符號(hào)，省略其說(shuō)明。
在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)90中，在基板2與記錄層4之間，形成有基底層3及取向?qū)?1。取向?qū)?1相比基底層3而位于記錄層4側(cè)，成為使記錄層4的磁性粒子的易磁化軸(具有晶體磁各向異性的磁性體中容易磁化的晶體取向)相對(duì)于基板2的基板面而沿ー定方向(水平方向或垂直方向)取向的層。具體而言，在使易磁化軸沿水平方向取向的情況下，利用含有Cr、W、Mo等并具有適合于水平磁記錄的體心立方構(gòu)造的材料來(lái)形成取向?qū)?1即可。另外，在使易磁化軸沿垂直方向取向的情況下，利用含有Ru、Os、Re等并具有適合于垂直磁記錄的六方最緊密堆積結(jié)構(gòu)的材料來(lái)形成取向?qū)?1即可。而且，在本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)90中，高熱傳導(dǎo)體14貫通記錄層4、基底層3及取向?qū)?1而與基板2接觸。依照如上構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)90，由于記錄層4的磁性粒子的易磁化軸相對(duì)于基板2的基板面而沿水平方向或垂直方向取向，因而可提供穩(wěn)定的水平或垂直磁記錄介質(zhì)。另外，由于能夠充分地確保高熱傳導(dǎo)體14與基底層3及取向?qū)?1的接觸面積，因而熱容易從經(jīng)加熱的記錄層4傳導(dǎo)至基板2側(cè)，能夠提高經(jīng)加熱的記錄位區(qū)域11的排熱效率。此外，在本實(shí)施方式中，相比基底層3而在記錄層4側(cè)形成取向?qū)?1，但也可以在基板2側(cè)形成。但是，形成于記錄層4側(cè)容易使易磁化軸的方向更有效地取向，因而優(yōu)選。此外，本發(fā)明并不限定于上述實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的要g的范圍內(nèi)，能夠施加各種變更。例如，記錄位區(qū)域由I個(gè)以上的磁性粒子構(gòu)成即可，但也可以是在I個(gè)磁性粒子形成凹部并將高熱傳導(dǎo)體填充至該凹部的構(gòu)成。高熱傳導(dǎo)體也可以不貫通記錄層，另外，也可以貫通記錄層及基底層而配置于基板內(nèi)。記錄位區(qū)域及高熱傳導(dǎo)體的形狀也可以適當(dāng)組合各實(shí)施方式中的方式，也可以是其他形狀。高熱傳導(dǎo)體在記錄位區(qū)域的中央與記錄位區(qū)域呈同心狀地設(shè)置，但如果被I個(gè)記錄位區(qū)域包圍，則也可以不設(shè)置于記錄位區(qū)域的中央。分割部按每個(gè)記錄位區(qū)域而進(jìn)行區(qū)劃，但也可以按每個(gè)呈同心圓狀配置的軌跡而進(jìn)行區(qū)劃。另外，也可以不形成分割部。在記錄層與基板之間形成有基底層，但也可以不形成基底層。另外，也可以不形成保護(hù)膜。而且，除了基底層或保護(hù)膜以外，也可以形成其他層。[產(chǎn)業(yè)上的可利用性]依照本發(fā)明，關(guān)于能夠有效地加熱期望的磁性體而以高可靠性進(jìn)行寫(xiě)入井能夠確 保記錄時(shí)的其他磁性體的熱穩(wěn)定性而抑制記錄消失或誤記錄等的磁記錄介質(zhì)，可認(rèn)定產(chǎn)業(yè)上的可利用性。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，在其基板形成有記錄層，其特征在干， 在構(gòu)成所述記錄層的多個(gè)記錄位區(qū)域各自的內(nèi)側(cè)，設(shè)置有熱傳導(dǎo)率比所述記錄層更高的高熱傳導(dǎo)體。
2.如權(quán)利要求I所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于， 所述高熱傳導(dǎo)體貫通所述記錄層而設(shè)置。
3.如權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì),其特征在于， 在所述基板與所述記錄層之間，形成有基底層， 所述高熱傳導(dǎo)體貫通所述記錄層及所述基底層而設(shè)置。
4.如權(quán)利要求I所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于， 所述高熱傳導(dǎo)體貫通所述記錄層， 所述高熱傳導(dǎo)體中與層疊方向正交的方向的剖面面積在所述層疊方向上隨著接近所述基板而變大。
5.如權(quán)利要求I所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于， 在所述高熱傳導(dǎo)體的內(nèi)側(cè)，設(shè)置有與包圍該高熱傳導(dǎo)體的所述記錄層構(gòu)成同一所述記錄位區(qū)域的記錄層。
6.如權(quán)利要求I所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于， 在所述高熱傳導(dǎo)體的外周面，沿著該外周面形成有朝向內(nèi)側(cè)凹陷的多個(gè)凹部。
7.如權(quán)利要求I所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于， 在所述記錄層，形成有將該記錄層劃分為多個(gè)分區(qū)的分割部， 在所述分割部，填充有熱傳導(dǎo)率比所述記錄層更低的低熱傳導(dǎo)體。
8.如權(quán)利要求I所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于， 所述記錄位區(qū)域及所述高熱傳導(dǎo)體呈同心狀配置。
9.如權(quán)利要求I所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于， 所述高熱傳導(dǎo)體由金屬材料或電介質(zhì)材料形成。
10.如權(quán)利要求3所述的磁記錄介質(zhì),其特征在于， 在所述基板與所述記錄層之間，形成有用于將構(gòu)成所述記錄位區(qū)域的磁性粒子的磁化方向相對(duì)于該基板的基板面而沿一定方向取向的取向?qū)樱? 所述高熱傳導(dǎo)體還貫通所述取向?qū)佣O(shè)置。
11.如權(quán)利要求10所述的磁記錄介質(zhì),其特征在于， 所述取向?qū)酉啾人龌讓佣谒鲇涗泴觽?cè)形成。
全文摘要
本發(fā)明提供能夠有效地加熱期望的磁性體而以高可靠性進(jìn)行寫(xiě)入并能夠確保記錄時(shí)的其他磁性體的熱穩(wěn)定性而抑制記錄消失或誤記錄等的磁記錄介質(zhì)。本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)，在基板(2)形成有記錄層(4)，在構(gòu)成記錄層(4)的多個(gè)記錄位區(qū)域(11)各自的內(nèi)側(cè)，設(shè)置有熱傳導(dǎo)率比記錄層(4)更高的高熱傳導(dǎo)體(14)。另外，在記錄層(4)，形成有將記錄層(4)劃分為多個(gè)記錄位區(qū)域(11)的分割部(12)，在分割部(12)，填充有熱傳導(dǎo)率比記錄層(4)更低的低熱傳導(dǎo)體(13)。
文檔編號(hào)G11B5/667GK102693731SQ20121008058
公開(kāi)日2012年9月26日 申請(qǐng)日期2012年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月18日
發(fā)明者千葉德男, 大海學(xué), 平田雅一, 田中良和, 田邊幸子, 筱原陽(yáng)子 申請(qǐng)人:精工電子有限公司