專利名稱：用于為垂直磁記錄磁極提供側(cè)屏蔽體的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
背景技術(shù)：
圖I是示出用于制作常規(guī)的垂直磁記錄(PMR)換能器的常規(guī)方法10的流程圖。為了簡(jiǎn)單起見，省略ー些步驟。常規(guī)方法10用于在氧化鋁層中提供PMR磁極。經(jīng)由步驟12在氧化鋁層中形成溝槽。溝槽的頂部比溝槽底部寬。因此，在其中形成的PMR磁極的頂表面將比其底部寬。因此，PMR磁極的側(cè)壁將具有反向角。溝槽的底部也可以是傾斜的，從而提供前緣斜面。經(jīng)由步驟14沉積釕(Ru)間隙層。Ru間隙層用于形成側(cè)間隙。步驟14通常包括使用化學(xué)氣相沉積(CVD)沉積Ru間隙層。經(jīng)由步驟16鍍常規(guī)PMR磁極材料。步驟 16可以包括鍍鐵磁磁極材料以及晶種層和/或(多個(gè))其他層。然后可以經(jīng)由步驟18執(zhí)行化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)，從而去除過(guò)量的(多種)磁極材料。然后經(jīng)由步驟20可以形成頂部或者后緣斜面。經(jīng)由步驟22沉積寫入間隙。經(jīng)由步驟24使用常規(guī)的光刻法形成常規(guī)的光致抗蝕劑屏蔽掩摸。然后經(jīng)由步驟26沉積環(huán)繞屏蔽體。圖2和3分別示出使用常規(guī)方法10形成的常規(guī)PMR換能器50的一部分的側(cè)視圖和空氣軸承表面(ABS)視圖。圖2中示出形成期間的常規(guī)換能器50。常規(guī)換能器50包括中間層52。中間層52是在其上形成有磁極的層。還示出了表示磁極的前緣斜面的所使用的斜面53。還示出了光致抗蝕劑屏蔽掩模82。用于形成掩模82的圖案的光的方向由圖2中的直線箭頭示出。圖3示出在制作完成后的常規(guī)PMR換能器。還示出了 Ru間隙層54，其沉積在溝槽(未示出)中。還示出了常規(guī)磁極60、寫入間隙70和頂部屏蔽體80。因此，使用常規(guī)方法10可以形成磁極60。盡管常規(guī)方法10可以提供常規(guī)PMR換能器50，但是可能存在缺點(diǎn)。如圖2所示，光致抗蝕劑掩膜82可以顯示出凹ロ 84?？刮g凹ロ 84接近光致抗蝕劑掩膜82的基底。因此，步驟26中鍍的屏蔽體可以具有不期望的輪廓。進(jìn)ー步地，凹ロ 84可以是不可控的，尤其是在高容量エ藝中。因此，可能不利地影響常規(guī)PMR換能器50的產(chǎn)量和/或性能。進(jìn)ー步地，如圖3中能夠看出，可以存在來(lái)自光致抗蝕劑掩膜82的抗蝕殘留82’和82”。(例如頂部比底部寬的)常規(guī)磁極60和關(guān)聯(lián)結(jié)構(gòu)的反向角可以導(dǎo)致不能從接近常規(guī)磁極60的底部的陰影區(qū)域除去部分抗蝕掩模82。因此，典型的有機(jī)抗蝕殘留82’和82”可以存在于最后的器件中。這種抗蝕殘留82’和82”占據(jù)期望成為環(huán)繞屏蔽體80的一部分的區(qū)域。因此，性能和/或產(chǎn)量可以再次降低。因此，所需要的是用于制作PMR換能器的改進(jìn)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明描述了用于制作具有非磁性的中間層的磁性換能器的方法。在中間層上提供有磁極。該磁極具有側(cè)面、底部、比底部更寬的頂部和緊鄰ABS位置的頂部斜面。側(cè)間隙被提供為至少鄰近磁極的側(cè)面。底部抗反射涂層(BARC)提供在中間層上。通過(guò)使用液體蝕刻劑可去除BARC層，并且該BARC層鄰近至少一部分側(cè)間隙。掩模層被提供在BARC層上。圖案經(jīng)光刻傳遞到掩模層中，形成屏蔽掩摸。BARC層的一部分暴露于液體蝕刻劑，以便磁極的多個(gè)側(cè)面和側(cè)間隙脫離BARC層。提供了至少ー個(gè)側(cè)屏蔽體。該側(cè)屏蔽體是磁性的。


圖I是示出了用于制作PMR換能器的常規(guī)方法的流程圖。圖2是示出了常規(guī)PMR換能器的側(cè)視圖的圖示。圖3是示出了常規(guī)PMR換能器的ABS視圖的圖示。圖4是示出了用于制作PMR換能器的方法的一個(gè)示例性實(shí)施例的流程圖。圖5是示出了在制作期間PMR換能器的一個(gè)示例性實(shí)施例的側(cè)視圖的圖示。圖6是示出了 PMR換能器的一個(gè)示例性實(shí)施例的側(cè)視圖和ABS視圖的圖示。
圖7是示出了用于制作PMR換能器的方法的另ー個(gè)示例性實(shí)施例的流程圖。圖8-13是示出了在制作期間磁記錄換能器的一個(gè)示例性實(shí)施例的圖示。
具體實(shí)施例方式圖4是示出了用于制作換能器的方法100的示例性實(shí)施例的流程圖。盡管其他換能器可以也這樣制作，但在PMR換能器的背景中描述了方法100。為簡(jiǎn)單起見，可以省略、交插和/或組合一些步驟。所制作的PMR換能器可以是合并頭部(merged head)的一部分,該合并頭部也包括讀取頭(未示出)并且位于磁盤驅(qū)動(dòng)器中的滑塊(未示出)上。方法100也可以在PMR換能器的其他部分形成之后開始。還在提供單個(gè)PMR磁極及其在單個(gè)磁記錄換能器中的關(guān)聯(lián)結(jié)構(gòu)的背景中描述方法100。然而，方法100可以用于基本同時(shí)地制作多個(gè)換能器。還在特定層的背景中描述方法100和系統(tǒng)。然而，在一些實(shí)施例中，這些層可以包括多個(gè)子層。在一個(gè)實(shí)施例中，方法100在PMR磁極位于其上的(多個(gè))中間層形成之后開始。在一些實(shí)施例中，期望前緣屏蔽體。在這些實(shí)施例中，前緣屏蔽體可以是中間層的部分或者全部。前緣屏蔽體通常是軟磁性的鐵磁體，并且可以包括例如NiFe等材料。經(jīng)由步驟102在中間層上提供磁極。磁極具有側(cè)面、底部、比底部更寬的頂部和緊鄰ABS位置的前斜面。ABS位置是例如換能器在磨光(lap)之后ABS將處于的位置。前斜面處于磁極的底部，并且允許位于ABS的磁極尖端的高度小于ABS遠(yuǎn)端的磁極的一部分。在一些實(shí)施例中，步驟102可以包括在中間層中形成斜面，或者在中間層上沉積并圖案化子層，從而形成斜面。如這里所使用的，這種子層被認(rèn)為是中間層的一部分。步驟102中提供的斜面可以具有至少十度并且不大于五十度的角度。在一些實(shí)施例中，所述斜面的角度是三十度，在エ藝容限內(nèi)。步驟102中提供的磁極也可以是PMR磁極。因?yàn)榇艠O的頂部比底部更寬，側(cè)壁具有反向角。在一些實(shí)施例中，磁極側(cè)壁的反向角大于零度并且不大于二十度。在其他實(shí)施例中，反向角大約為七到九度。作為制作磁極的一部分，可以提供(多層)晶種層以及磁性層。步驟102可以包括例如通過(guò)鍍或者濺射來(lái)沉積鐵磁及其他材料。在一些實(shí)施例中，在提供磁極中也可以執(zhí)行拋光,例如CMP。在其他實(shí)施例中,可以另ー種方式制作磁極。經(jīng)由步驟104提供至少鄰近磁極的側(cè)面的非磁性側(cè)間隙。在一些實(shí)施例中，側(cè)間隙的一部分置于磁極下方。進(jìn)ー步地，在一些實(shí)施例中，在步驟102中沉積磁極材料之前，可以在中間層中形成溝槽并且在步驟104中沉積側(cè)間隙。經(jīng)由步驟106，在中間層上提供底部抗反射涂層(BARC)。通過(guò)使用液體蝕刻劑可去除BARC層。因此，BARC層可通過(guò)使用適當(dāng)?shù)囊后w蝕刻劑液體蝕刻。BARC也鄰近側(cè)間隙的至少一部分。換句話說(shuō)，ー些BARC層位于緊鄰側(cè)間隙所處的區(qū)域，并且在一些實(shí)施例中，鄰接側(cè)間隙所處的區(qū)域。在一些實(shí)施例中，BARC層是可顯影的。換句話說(shuō)，可使用顯影劑去除BARC層。這種BARC層的ー個(gè)示例包括ARC DS-KlOl0如下所述，BARC層還配置為減少步驟108中使用的光的反射。更具體地，可以修整BARC層的厚度，使得反射離開緊接地低于BARC層的層的光經(jīng)歷破壞性干擾。因此，來(lái)自下層的反射可以被減少或基本去除。經(jīng)由步驟108，在BARC層上提供掩模層。掩模層是感光的并且可以使用光刻法形成圖案。例如，掩模層可以包括一些類型的光致抗蝕劑。經(jīng)由步驟110，圖案之后經(jīng)光刻傳遞到掩模層中，形成屏蔽掩摸。步驟110可以包括將一部分光致抗蝕劑層暴露于光，然后將換能器暴露于顯影劑，該顯影劑去除暴露的光致抗蝕劑。在一些實(shí)施例中，能夠液體蝕刻BARC層的相同的顯影劑也用于使掩膜層光刻地形成圖案。經(jīng)由步驟112，一部分BARC層暴露于液體蝕刻劑，其去除BARC層。因此，BARC層的暴露部分被去除。更具體地說(shuō)，BARC層鄰近的磁極的側(cè)面和側(cè)間隙現(xiàn)在脫離BARC層。在 BARC可顯影的實(shí)施例中，步驟112可以作為步驟110的一部分被執(zhí)行。例如，用于步驟110的顯影劑可以是BARC層能夠用其液體蝕刻的顯影劑。在這種實(shí)施例中，暴露的抗蝕劑的去除和可顯影的BARC層的去除可以一起執(zhí)行。經(jīng)由步驟114，至少提供側(cè)屏蔽體。在一些實(shí)施例中，在步驟114中提供全環(huán)繞屏蔽體。在這種實(shí)施例中，期望在制作環(huán)繞屏蔽體之前沉積頂部間隙。在其他實(shí)施例中，可以在分離的步驟中制作后屏蔽體(trailing shield)。在步驟114中提供的屏蔽體是磁性的。因此，步驟114可以包括鍍或沉積鐵磁性軟磁材料，例如NiFe。圖5-6是示出可以使用方法100形成的PMR換能器150的一部分的ー個(gè)示例性實(shí)施例的圖示。為了清楚，圖5-6不是按比例繪制的。圖5示出了形成期間的換能器150。所示的換能器150的部分在磁極遠(yuǎn)端，側(cè)屏蔽體可以在此處形成。因此，示出了中間層152，但是在圖5中沒(méi)有示出磁極。還示出了斜面153，其形成在中間層152中。BARC層154和掩模層159在步驟110執(zhí)行之前覆蓋斜面153。BARC層158的厚度可以不大于ー百納米。在一些實(shí)施例中，BARC層158的厚度可以不大于四十納米，在エ藝變化內(nèi)。相反，掩模層159可以是厚的。例如，掩模層159可以是深UV光致抗蝕劑。在這種實(shí)施例中，掩模層159的厚度可以大約是I. 5微米。在執(zhí)行了步驟110-112以后，自掩模層159形成掩模159’。進(jìn)一歩，BARC層158’僅位于掩模159’的下面，因?yàn)槭Ｓ嗖糠忠呀?jīng)暴露于液體蝕刻劑。圖6示出在執(zhí)行步驟114以后的換能器150。除了中間層152以外，還示出了間隙層154。還示出了磁極156、額外的間隙層160和屏蔽體162。磁極156具有比其底部更寬的頂部和反向角Θ。在所示的實(shí)施例中，磁極156不僅包括相應(yīng)于前斜面153的前斜面155,而且還包括可選的后斜面157。在一些實(shí)施例中，前斜面155的厚度是大約兩百納米，而磁極156的厚度是大約三百納米。因此，斜面155和157可以占據(jù)磁極156的大部分高度。使用方法100，可以改進(jìn)PMR換能器的制作。如在圖5-6中能夠看出的，掩模159’基本脫離凹ロ。BARC層158的存在可以允許減少自斜面153的反射。盡管未示出，但是由于過(guò)度去除BARC層158’，可以存在小的底切。然而，與掩膜159的高度相比，BARC層158是小的。進(jìn)ー步，這種底切可以在高容量制造期間被監(jiān)測(cè)和控制。進(jìn)ー步，如在圖6中能夠看出的，基本不存在來(lái)自掩模層159或者來(lái)自BARC層158的殘留。這是因?yàn)锽ARC層158可通過(guò)使用液體蝕刻劑去除。因此，屏蔽體162具有期望的輪廓。因此，可以改進(jìn)換能器150的制造和性能。圖7是示出用于制作PMR換能器的方法200的另ー個(gè)示例性實(shí)施例的流程圖。為了簡(jiǎn)單起見，可以省略ー些步驟。圖8-13是示出在制作期間PMR換能器250的一部分的示例性實(shí)施例的側(cè)視圖和ABS視圖的圖示。為了清楚，圖8-13不是按比例繪制的。對(duì)于側(cè)視圖，圖8-13中的磁極視圖在形成磁極的中間位置獲得，而斜面視圖鄰近磁極獲得，在所述磁極處形成側(cè)/環(huán)繞屏蔽體。進(jìn)一歩，盡管圖8-13示出了 ABS位置(將形成ABS的位置)和在磁極中的特定點(diǎn)處的ABS，但是其他實(shí)施例也可以具有其他ABS位置。參考圖8-13，方法200在PMR換能器250的背景中描述。然而，方法200可以用于形成另ー種器件(未示出)。所制作的PMR換能器250可以是合并頭部的一部分，該合并頭部也包括讀取頭(在圖8-13中未示出)并且置于磁盤驅(qū)動(dòng)器中的滑塊(未示出)上。所述方法200也可以在PMR換能器250的其他部分形成之后開始。所述方法200也在提供單個(gè)PMR換能器 250的背景中加以描述。然而，所述方法200可以用于基本同時(shí)地制作多個(gè)換能器。所述方法200和器件250還在特定層的背景中加以描述。然而，在一些實(shí)施例中，這些層可以包括多個(gè)子層。經(jīng)由步驟202在中間層上提供PMR磁極。步驟202類似于方法100的步驟102。因此，步驟202可以包括形成前斜面以及沉積(多個(gè))晶種層、(多個(gè))磁性層和/或(多個(gè))其他可選層。在一些實(shí)施例中，步驟202可以包括在中間層中形成斜面或者在中間層上沉積并圖案化子層，從而形成斜面。步驟202可以包括例如經(jīng)由鍍或者濺射來(lái)沉積鐵磁體及其他材料。在一些實(shí)施例中，在提供磁極中也可以執(zhí)行拋光，例如CMP。在其他實(shí)施例中，可以另ー種方式制作磁極。也可以提供后緣斜面。經(jīng)由步驟204沉積非磁性側(cè)間隙。在一些實(shí)施例中，步驟204可以在提供PMR磁極之前執(zhí)行。在這些實(shí)施例中，一部分側(cè)間隙低于PMR磁極。圖8示出了執(zhí)行步驟204以后的換能器250。示出了磁極256置于其上的中間層252。也示出了間隙254。在所示的實(shí)施例中，在中間層252上提供磁極。然而，在其他實(shí)施例中，磁極可以置于間隙層254的一部分上。磁極256具有側(cè)面、底部、比底部更寬的頂部和緊鄰ABS位置的前斜面255。盡管沒(méi)有示出后斜面，但是在其他實(shí)施例中，可以包括這種斜面。在一些實(shí)施例中，側(cè)壁的反向角大于零度并且不大于二十度。在其他實(shí)施例中，反向角大約為七至九度。斜面255可以具有至少十度且不大于五十度的角度。在一些這種實(shí)施例中，斜面255的角度是三十度，在エ藝容限內(nèi)。換能器250可以包括前屏蔽體(未示出)。在這種實(shí)施例中，中間層252可以是前屏蔽體，并且間隙層254的一部分或者其他非磁性層將置于磁極256和中間層252之間。經(jīng)由步驟206，底部抗反射涂層(BARC)在中間層上旋涂。BARC層可通過(guò)使用液體蝕刻劑去除。更具體地，在步驟206中噴涂的BARC層是可顯影BARC，例如ARC DS-KlOl0BARC還鄰近側(cè)間隙的至少一部分。換句話說(shuō)，ー些BARC層位于緊接側(cè)間隙所處的區(qū)域，并且在ー些實(shí)施例中，所述ー些BARC層鄰接側(cè)間隙所處的區(qū)域。如下所述，BARC層還配置為減少步驟212中所使用的光的反射。經(jīng)由步驟208，在BARC層上旋涂光致抗蝕劑掩膜層。光致抗蝕劑掩膜層是感光的并且可以通過(guò)使用光刻法形成圖案。圖9示出了執(zhí)行步驟208以后的換能器。此外，示出了斜面和磁極兩者的側(cè)視圖。因此，示出了可顯影BARC(D-BARC)層260和光致抗蝕劑層262。盡管描述為具有類似的厚度，但是在一些實(shí)施例中，D-BARC層260可以比光致抗蝕劑262明顯更薄。經(jīng)由步驟210，部分掩模層暴露于適當(dāng)頻率的光，從而將圖案?jìng)鬟f到掩膜層。經(jīng)由步驟212，換能器250暴露于用于光刻法的顯影劑。顯影劑去除光致抗蝕劑層262已經(jīng)暴露于光的部分。此外，因?yàn)槿コ瞬糠止庵驴刮g劑層262，所以下面的D-BARC層260也可以暴露于顯影劑。因此，也去除D-BARC層260的這些部分。圖10示出了執(zhí)行步驟214以后的換能器250。已經(jīng)去除了 D-BARC層260和光致抗蝕劑層262的一部分。因此，D-BARC260’和光致抗蝕劑262’的剰余部分形成屏蔽掩膜。如圖10中能夠看出的，暴露于顯影劑去除了 D-BARC層260的任意部分，并且D-BARC層260的任意部分已經(jīng)從PMR磁極256和側(cè)間隙254的多個(gè)側(cè)面去除。進(jìn)ー步地，已經(jīng)結(jié)合光刻地提供光致抗蝕劑掩膜262'而實(shí)施D-BARC 260的這種去除。經(jīng)由步驟214，提供至少側(cè)屏蔽體。在一些實(shí)施例中，在步驟214中提供全環(huán)繞屏 蔽體。在這些實(shí)施例中，期望在制作環(huán)繞屏蔽體之前沉積頂部間隙。在其他實(shí)施例中，可以在分離的步驟中制作后屏蔽體。步驟216可以包括鍍或沉積鐵磁性軟磁材料，例如NiFe。圖11示出執(zhí)行步驟216以后的換能器250。因此，屏蔽體264已被沉積。如果僅提供側(cè)屏蔽體，那么屏蔽體264在磁極256之上的部分可以被去除。如果屏蔽體264是環(huán)繞屏蔽體，那么非磁性間隙(未示出)將至少存在于磁極256的頂部和屏蔽體264之間。經(jīng)由步驟216，至少在PMR磁極256上沉積非磁性間隙層。在一些實(shí)施例中，可以在步驟206之前執(zhí)行步驟216。圖12示出步驟216之后的換能器250。因此，寫入間隙266在磁極256上示出。經(jīng)由步驟220，磁性頂部屏蔽體可以選擇性地被提供。圖13示出執(zhí)行步驟220之后的換能器250。因此，提供了后屏蔽體268。因此，屏蔽體264和268形成環(huán)繞屏蔽體。因此，通過(guò)使用方法200，可以制作PMR換能器250。PMR換能器250具有期望的幾何形狀。特別地，屏蔽體264/268具有期望的表面形狀。此外，換能器可以脫離來(lái)自D-BARC260和光致抗蝕劑262的殘留。因此，可以改進(jìn)換能器250的制造和性能。
權(quán)利要求
1.一種用于制作具有中間層和空氣軸承表面ABS的磁性換能器的方法，所述方法包括 在所述中間層上提供磁極，所述磁極具有多個(gè)側(cè)面、底部、比所述底部更寬的頂部以及緊鄰ABS位置的前斜面； 提供鄰近所述磁極的至少多個(gè)側(cè)面的側(cè)間隙； 在所述中間層上提供底部抗反射涂層BARC，所述底部抗反射涂層可通過(guò)使用液體蝕刻劑去除并且鄰近所述側(cè)間隙的至少一部分； 在所述底部抗反射涂層上提供掩膜層； 光刻地傳遞圖案到所述掩膜層中，形成屏蔽掩模； 將一部分所述底部抗反射涂層暴露于所述液體蝕刻劑，以便所述磁極的多個(gè)側(cè)面和所述側(cè)間隙脫離所述底部抗反射涂層； 至少提供側(cè)屏蔽體，所述側(cè)屏蔽體是磁性的。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，進(jìn)一步包括 在至少所述磁極和所述側(cè)間隙上沉積間隙層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述至少提供側(cè)屏蔽體的步驟包括 提供磁性頂部屏蔽體。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述底部抗反射涂層是可顯影的。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述底部抗反射涂層包括ARCDS-K101。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述液體蝕刻劑是顯影劑。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述光刻地傳遞圖案的步驟進(jìn)一步包括 將所述掩膜層的一部分暴露于光；和 使用所述顯影劑去除所述掩膜層的所述部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中所述將所述底部抗反射涂層暴露于所述液體蝕刻劑的步驟作為所述光刻地傳遞圖案的步驟的一部分而執(zhí)行。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述底部抗反射涂層的厚度不大于一百納米。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述至少提供側(cè)屏蔽體層的步驟進(jìn)一步包括 鍍至少一個(gè)屏蔽體層。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述磁極是垂直磁記錄寫入磁極。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述底部抗反射涂層暴露于所述液體蝕刻劑的部分未被所述屏蔽掩膜覆蓋。
13.一種用于制作垂直磁記錄PMR換能器的方法，所述PMR換能器具有中間層和空氣軸承表面ABS,所述方法包括 在所述中間層上提供PMR磁極，所述PMR磁極具有多個(gè)側(cè)面、底部、比所述底部更寬的頂部以及緊鄰ABS位置的前斜面； 提供鄰近所述磁極的至少多個(gè)側(cè)面的側(cè)間隙，所述側(cè)間隙是非磁性的； 在所述中間層上旋涂可顯影的底部抗反射涂層BARC，所述可顯影的底部抗反射涂層可通過(guò)使用顯影劑去除并且具有不大于一百納米的厚度； 在所述底部抗反射涂層上旋涂掩膜層； 將所述掩膜層的一部分暴露于光；將所述換能器暴露于所述顯影劑，所述掩膜層的所述部分和一部分所述底部抗反射涂層由所述顯影劑去除，形成屏蔽掩模并且從所述PMR磁極的多個(gè)側(cè)面以及所述側(cè)間隙層去除所述底部抗反射涂層的任意部分； 提供磁性側(cè)屏蔽體； 在至少所述PMR磁極和所述側(cè)間隙上沉積非磁性間隙層；和 提供磁性頂部屏蔽體，所述非磁性間隙層置于所述PMR磁極和所述磁性頂部屏蔽體之間。全文摘要
本發(fā)明涉及用于為垂直磁記錄磁極提供側(cè)屏蔽體的方法和系統(tǒng)。公開了一種用于制作具有非磁性中間層的磁性換能器的方法。在中間層上提供了磁極。磁極具有側(cè)面、底部、比底部更寬的頂部和緊鄰ABS位置的前斜面。至少鄰近磁極的側(cè)面提供側(cè)間隙。底部抗反射涂層(BARC)提供在中間層上。底部抗反射涂層可通過(guò)使用液體蝕刻劑去除，并且鄰近至少一部分側(cè)間隙。掩模層被提供在底部抗反射涂層上。光刻地傳遞圖案到掩模層中，形成屏蔽掩模。部分底部抗反射涂層暴露于液體蝕刻劑，以便磁極的所述側(cè)面和側(cè)間隙脫離底部抗反射涂層。至少提供磁性側(cè)屏蔽體。
文檔編號(hào)G11B5/187GK102682784SQ20121007135
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月18日
發(fā)明者D·萬(wàn), H·孫, H·袁, L·王, M·王, X·曾 申請(qǐng)人:西部數(shù)據(jù)(弗里蒙特)公司