專利名稱：磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于硬盤裝置(HDD)等中的磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置。
背景技術(shù)：
近年來，硬盤裝置、軟盤裝置、磁帶裝置等的磁記錄裝置的應用范圍顯著地增大，在其重要性增加的同時，對于在這些裝置中所使用的磁記錄介質(zhì)，正在謀求其記錄密度的顯著提高。特別是引入MR磁頭和PRML技術(shù)以來，面記錄密度的上升更加加劇，近年來還引入了 GMR磁頭和TMR磁頭等，正在以一年約I. 5倍的速度持續(xù)增加，對于這些磁記錄介質(zhì)，要求今后達到更高的記錄密度。因此，要求實現(xiàn)磁性層的高矯頑力化、高信噪比(SNR)和高分辨率。另外，近年來，在線記錄密度的提高的同時通過磁道密度的增加來使面記錄密度上升的努力也在繼續(xù)。在最新的磁記錄裝置中，磁道密度已達到了 250kTPI。但是，如果將磁道密度提高下去，則相鄰的磁道間的磁記錄信息會相互干擾，其邊界區(qū)域的磁化遷移區(qū)域成為噪聲源，從而容易產(chǎn)生損害SNR的問題，這會直接導致比特誤碼率(Bit Error Rate)的惡化，因此對于記錄密度的提高成為阻礙。為了使面記錄密度上升，需要將磁記錄介質(zhì)上的各記錄位的尺寸變得更微細，在各記錄位確保盡可能大的飽和磁化和磁性膜厚。另一方面，如果將記錄位微細化下去，則每一比特的磁化最小體積變小，產(chǎn)生因熱擺造成的磁化翻轉(zhuǎn)而使記錄數(shù)據(jù)消失的問題。另外，如果將磁道密度提高下去，則磁道間距離接近，因此磁記錄裝置在要求極高精度的磁道伺服技術(shù)的同時，一般采用下述方法寬幅地實行記錄，為了盡量排除來自相鄰磁道的影響，再生比記錄時窄地實行。但是，在該方法中，雖然可以將磁道間的影響抑制為最小限度，但難以充分獲得再生輸出，其結(jié)果存在難以確保充分的SNR的問題。作為解決這樣的熱擺的問題和確保SNR、確保充分的輸出的方法之一，曾進行了下述嘗試在記錄介質(zhì)表面形成沿磁道的凹凸，將記錄磁道彼此物理性地分離，由此提高磁道密度。這樣的技術(shù)一般被稱為分離磁道法(discrete track method),將由此制造了的磁記錄介質(zhì)稱為分離磁道介質(zhì)。另外，也有制造將同一磁道內(nèi)的數(shù)據(jù)區(qū)域進一步分割了的所謂圖案化介質(zhì)的嘗試。作為分離磁道介質(zhì)的一例，已知在表面形成了凹凸圖案的非磁性基板上形成磁記錄介質(zhì)，形成物理性地分離了的磁記錄磁道和伺服信號圖案的磁記錄介質(zhì)(例如，參照專利文獻1)。該磁記錄介質(zhì)，是在表面具有多個凹凸的基板的表面隔著軟磁性層形成強磁性層，再在其表面上形成了保護膜的磁記錄介質(zhì)。在該磁記錄介質(zhì)中，在凸部區(qū)域形成了與周圍物理性地分隔了的磁記錄區(qū)域。根據(jù)該磁記錄介質(zhì)，能夠抑制在軟磁性層中的磁疇壁產(chǎn)生，因此難以出現(xiàn)熱擺的影響，也沒有相鄰的信號間的干擾，所以能夠形成噪聲少的高密度磁記錄介質(zhì)。
分離磁道法有在形成了由幾層的薄膜構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)后形成磁道的方法；和預先在基板表面直接或者在用于磁道形成的薄膜層上形成了凹凸圖案后，進行磁記錄介質(zhì)的薄膜形成的方法(例如，參照專利文獻2、3)。其中，前者的方法被稱為磁層加工型。但是，在該方法的情況下，由于在介質(zhì)形成后實施對表面的物理加工，因此存在介質(zhì)在制造工序中容易被污染，并且制造工序變得非常復雜的缺點。另一方面，后者的方法被稱為壓花加工型。但是，在該方法的情況下，雖然在制造工序中介質(zhì)難以被污染，但是由于形成于基板上的凹凸形狀被在其上成膜了的膜所繼承，因此存在一邊在介質(zhì)上浮起一邊進行記錄再生的記錄再生磁頭的浮起姿勢、浮起高度變得不穩(wěn)定的問題。
另外，曾公開了對預先形成了的磁性層注入氮、氧等的離子或者照射激光，由此使該部分的磁特性變化從而形成分離磁道介質(zhì)的磁道間區(qū)域的方法(例如，參照專利文獻
4 6)。此外，曾公開了在磁性層的表面形成了凹凸圖案后，形成覆蓋其表面的非磁性層，將該非磁性層的表面通過斜方離子束蝕刻、CMP(Chemical Mechanical Polishing)平滑化，由此形成磁記錄圖案的方法(例如，參照專利文獻7)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻I :日本特開2004-164692號公報專利文獻2 日本特開2004-178793號公報專利文獻3 :日本特開2004-178794號公報專利文獻4 :日本特開平5-205257號公報專利文獻5 日本特開2006-209952號公報專利文獻6 :日本特開2006-309841號公報專利文獻7 日本特開2005-135455號公報

發(fā)明內(nèi)容
作為圖案化介質(zhì)的制造方法，在采用形成連續(xù)的磁性層的薄膜后，將該磁性層部分性地加工或者將磁特性改性從而形成磁記錄圖案的方法的情況下，需要在連續(xù)的磁性層的薄膜的表面設(shè)置與磁記錄圖案對應的掩模層。該掩模層要求能夠耐受磁性層的部分性的加工和磁特性的改性的強度和對于離子束的遮蔽性。另一方面，該掩模層需要在磁性層的圖案化工序之后可以容易地除去。作為具有這樣的特性的材料，可使用例如硬質(zhì)碳。原因是硬質(zhì)碳具有對于惰性離子束等的高的遮蔽性，并且可以通過氧等離子體等進行氣化。但是，掩模層的等離子體除去花費時間，這使磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)率降低。另外，如果想要使掩模層的等離子體除去高速化，則表面容易殘留殘渣，這使磁記錄介質(zhì)的表面的平滑性降低。此外，在掩模層的形成工序時，如果因灰塵等的影響而有圖案化不充分的部位，則該部位等離子體蝕刻變不充分，沒有徹底除去掩模層而作為突起殘留。如果為了除去該掩模層，將等離子體蝕刻強化，則有時對于磁性層的損傷變大。另外，掩模層的除去也有時使用CMP(化學機械拋光；Chemical MechanicalPolishing)，謀求除去速度的高速化，但CMP難以檢測其研磨的停止位置，有時研磨到磁性層的表面。本發(fā)明是鑒于這樣的現(xiàn)有的情況提出的，其目的是提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法和磁記錄再生裝置，該磁記錄介質(zhì)的制造方法能夠切實而且以高速進行掩模層的除去，并且能夠適當?shù)爻パ谀?，形成沒有 突起的處理面，再者，能夠進一步提高生產(chǎn)率，另外，該磁記錄再生裝置使用采用這樣的制造方法制造的磁記錄介質(zhì)，能夠進一步提高電磁轉(zhuǎn)換特性。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明者進行了專心研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)通過在磁性層和掩模層之間設(shè)置溶解層，并利用藥液將該溶解層濕式溶解，可以切實并且以高速從磁性層的表面將掩模層沒有殘存地除去，其結(jié)果，可以顯著地提高磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)率，并且制造平滑性高的磁記錄介質(zhì)，從而完成了本發(fā)明。S卩，本發(fā)明提供以下的手段。(I) 一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，是具有磁分離了的磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括在非磁性基板之上形成磁性層的工序；在上述磁性層之上形成溶解層的工序；在上述溶解層之上形成掩模層的工序；將上述溶解層和掩模層圖案化成為與上述磁記錄圖案對應的形狀的工序；將上述磁性層的沒有被上述掩模層和溶解層覆蓋的地方部分性地改性或除去的工序；和利用藥劑將上述溶解層濕式溶解，與其上的掩模層一同從上述磁性層之上除去的工序，在形成上述溶解層的工序中，通過在上述磁性層之上涂布了將有機硅化合物溶解于有機溶劑中的涂液后，固化該涂液，從而形成上述溶解層。(2)根據(jù)上述(I)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，上述有機硅化合物包含聚硅氧烷，上述有機溶劑包含丙二醇單甲醚或丙二醇單甲醚乙酸酯。(3)根據(jù)上述⑴或⑵所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，上述藥劑包含異丙醇。(4) 一種磁記錄再生裝置，其特征在于，具備采用上述(I) (3)的任一項所述的方法制造的磁記錄介質(zhì)；沿記錄方向驅(qū)動上述磁記錄介質(zhì)的介質(zhì)驅(qū)動部；進行對于上述磁記錄介質(zhì)的記錄動作和再生動作的磁頭；使上述磁頭相對于磁記錄介質(zhì)相對移動的磁頭移動單元；和用于進行向上述磁頭的信號輸入和來自上述磁頭的輸出信號的再生的記錄再生信號處理單元。如以上那樣，根據(jù)本發(fā)明，能夠切實并且以高速進行設(shè)置在磁性層之上的掩模層的除去，因此能夠以高的生產(chǎn)率制造平滑性高的磁記錄介質(zhì)。另外，在使用了這樣的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置中，利用平滑性高的特性，能夠進一步提高電磁轉(zhuǎn)換特性。附圖 說明圖I是用于說明應用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法的一例的截面圖。圖2是用于說明應用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法的另一例的截面圖。圖3是表示應用本發(fā)明制造的磁記錄介質(zhì)的一例的截面圖。圖4是表示磁記錄再生裝置的一構(gòu)成例的立體圖。附圖標記說明I.非磁性基板；2.磁性層；2a、2b.磁記錄圖案；3.溶解層；4.掩模
層；5...抗蝕劑層；6...保護層；7...非磁性區(qū)域；30...磁記錄介質(zhì)；31...非磁性基板；32...軟磁性層；33...中間層；34...記錄磁性層；34a...磁記錄圖案；35...保護層；36...潤滑膜；37...磁性層；38...改性區(qū)域；51...旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部；52...磁頭；53...磁頭驅(qū)動部；54...記錄再生信號處理系統(tǒng)
具體實施例方式以下，對于本發(fā)明的實施方式，參照附圖詳細地說明。再者，為易于明白其特征，在以下的說明中使用的附圖有時為方便起見將成為特征的部分放大地表示，各構(gòu)成要素的尺寸比率等未必與實際相同。(磁記錄介質(zhì)的制造方法)首先，對于應用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法的一例進行說明。本發(fā)明是具有磁分離了的磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)的制造方法，例如

圖1(a) 圖I (g)所示，包括在非磁性基板I之上形成磁性層2的工序；在磁性層2之上形成溶解層3的工序；在溶解層3之上形成掩模層4的工序；在掩模層4之上形成抗蝕劑層5的工序；將抗蝕劑層5的表面圖案化成為與磁記錄圖案對應的形狀的工序；使用圖案化了的抗蝕劑層5將掩模層4和溶解層3圖案化的工序；將磁性層2的沒有被抗蝕劑層5、掩模層4和溶解層3覆蓋的地方部分性地除去的工序；利用藥劑將溶解層3濕式溶解，與其上的掩模層4和抗蝕劑層5 —同從磁性層2之上除去的工序；在其上形成保護層5的工序；和在保護層5之上形成潤滑膜(未圖示)的工序。具體地講，制造這樣的磁記錄介質(zhì)時，首先，如圖1(a)所示，在非磁性基板I之上，順序?qū)盈B形成磁性層2、溶解層3和掩模層4。然后，在該掩模層4之上，如圖1(b)所示，形成了抗蝕劑層5后，采用例如光刻法、納米壓印法等，將該抗蝕劑層5圖案化成為與磁記錄圖案對應的形狀。由此，在抗蝕劑層5的表面，如圖I (c)所示那樣，形成與磁記錄圖案對應的部分成為凸5a、其間成為凹5b的圖案。在此，將抗蝕劑層5圖案化時，優(yōu)選采用納米壓印法。該納米壓印法將通過照射放射線而固化的材料用于抗蝕劑層5，對該抗蝕劑層5使用印模(stamp)(未圖示)轉(zhuǎn)印圖案。另外，在本發(fā)明中，優(yōu)選在轉(zhuǎn)印這樣的圖案的工序之后，對抗蝕劑層5照射放射線。由此，可以在抗蝕劑層5上精度良好地轉(zhuǎn)印印模的形狀，能夠使磁記錄圖案的形成特性提聞。特別是在對抗蝕劑層5使用印模轉(zhuǎn)印圖案時，在抗蝕劑層5的流動性高的狀態(tài)下，對該抗蝕劑層5按壓印模，在該按壓的狀態(tài)下，對抗蝕劑層5照射放射線，由此使抗蝕劑層5固化，其后，將印模從抗蝕劑層5脫離，由此能夠精度良好地將印模的形狀轉(zhuǎn)印在抗蝕劑層5上。作為在對抗蝕劑層5按壓印模的狀態(tài)下，對該抗蝕劑層5照射放射線的方法，例如可以采用從印模的相反側(cè)即非磁性基板I側(cè)照射放射線的方法；作為印模的材料選擇可以透過放射線的物質(zhì)，從印模側(cè)照射放射線的方法；從印模的側(cè)面照射放射線的方法；使用如熱線那樣對固體傳導性高的放射線，利用來自印模或非磁性基板I的熱傳導來照射放射線的方法等。
再者，所謂本發(fā)明中的放射線，是指熱線、可見光線、紫外線、X射線、Y射線等的廣義概念的電磁波。另外，作為通過照射放射線從而固化的材料，例如可以舉出對于熱線來說是熱固化樹脂、對于紫外線來說是紫外線固化樹脂。另外，在這樣的材料之中特別是作為抗蝕劑層5，優(yōu)選使用酚醛清漆系樹脂、丙烯酸酯類、脂環(huán)式環(huán)氧類等的紫外線固化樹脂，作為印模材料，優(yōu)選使用對于紫外線透射性高的玻璃或樹脂。在轉(zhuǎn)印上述的圖案的工序中，作為印模，可以使用例如對金屬板采用電子束描畫等的方法形成了微細的磁道圖案的印模。另外，由于印模要求能夠耐受上述工藝的硬度和耐久性，因此可使用例如Ni等，但只要符合上述目的，則對于其材質(zhì)沒有特別限定。此外，在印模上，除了通常的記錄數(shù)據(jù)的磁道以外，還可以形成脈沖串圖案(burst pattern)、格雷碼圖案(Gray code pattern)、前同步碼圖案(preamble pattern)等的伺服信號的圖案。接著，使用被圖案化了的抗蝕劑層5，并向例如ICP(感應耦合等離子體；Inductive Coupled Plasma)裝置導入氧氣,通過反應性離子蝕刻除去掩模層4的沒有被抗蝕劑層5覆蓋的地方。作為掩模層4，優(yōu)選使用例如碳膜。另外，碳膜可以采用濺射法、CVD法等成膜，但采用CVD法可以形成致密性更高的碳膜。此外，碳膜由于使用了上述氧氣的干蝕刻(反應性離子蝕刻或反應性離子銑削)較容易，因此能夠減少殘留物，使磁記錄介質(zhì)表面的污染減少。掩模層4的膜厚優(yōu)選設(shè)在5nm 40nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選為IOnm 30nm的范圍。如果掩模層4的膜厚比5nm薄，則該掩模層4的邊緣部分塌邊，磁記錄圖案的形成特性惡化。并且，透過抗蝕劑層5、掩模層4和溶解層3的離子侵入磁性層2，使磁性層2的磁特性惡化。另一方面，如果掩模層4比40nm厚，則該掩模層4的蝕刻時間變長，生產(chǎn)率降低。另夕卜，蝕刻掩模層4時的殘洛容易殘留在磁性層2的表面。然后，接著，使用反應性離子蝕刻、離子銑削等的干蝕刻，部分性地除去位于掩模層4之下的溶解層3之中的、沒有被抗蝕劑層5和掩模層4覆蓋的地方。由此，如圖1(d)所示，可以將掩模層4和溶解層3圖案化成為與磁記錄圖案對應的形狀。接著，如圖1(e)所示，接著使用反應性離子蝕刻、離子銑削等的干蝕刻，部分性地除去位于溶解層3之下的磁性層2之中的、沒有被抗蝕劑層5、掩模層4和溶解層3覆蓋的地方，形成磁分離了的磁記錄圖案2a。在本發(fā)明中，使用上述的ICP裝置將掩模層4的沒有被抗蝕劑層5覆蓋的地方利用反應性離子蝕刻除去時，雖然優(yōu)選使用氧氣，但對于其后的溶解層3和磁性層2的干蝕亥IJ，優(yōu)選使用例如ICP、RIE等的反應性離子蝕刻裝置，導入Ar氣和N2氣等的惰性氣體來進行。即，在本發(fā)明中，優(yōu)選將掩模層4的銑削離子和溶解層3以及磁性層2的銑削離子分別最佳化，例如對于掩模層4，變更為使用了氧氣的ICP，對于溶解層3和磁性層2，變更為使用了 Ar、N2氣的尚子統(tǒng)削。在本發(fā)明中，通過采用這樣的方法，能夠垂直地形成所殘留了的磁性層2的邊緣部。這是因為，磁性層2之上的溶解層3和掩模層4是垂直地陡立的形狀，因此其下的磁性層2也成為同樣的形狀。由此，可以形成邊緣(fringe)特性優(yōu)異的磁性層2 (磁記錄圖案2a)。接著，如圖1(f)所示，可以利用藥劑將溶解層3濕式溶解，與其上的掩模層4和抗 蝕劑層5 —同地，在磁性層2之上沒有殘存地、切實而且以高速除去。在本發(fā)明中，為了使溶解層3不殘存地切實且以高速溶解，需要適當?shù)剡x擇構(gòu)成溶解層3的材料和溶解該材料的藥劑。具體地講，在本發(fā)明中，在磁性層2之上涂布了將有機硅化合物溶解于有機溶劑中的涂液后，將該涂液固化，由此形成溶解層3。其中，有機硅化合物是具有碳與硅的鍵的有機化合物，可以舉出例如，有機硅烷、硅烷氧化物(siloxide)、甲硅烷基氫化物(silylhydride)、娃賓(娃烯；silene)等。在本發(fā)明中，優(yōu)選使用其中能夠溶解于有機溶劑且富于涂布性，通過將涂液涂布于磁性層2之上后的加熱和/或有機溶劑的蒸發(fā)可以薄膜化的物質(zhì)，具體地講，優(yōu)選使用硅氧烷或作為其聚合物的聚硅氧烷。另一方面，有機溶劑優(yōu)選使用含有丙二醇單甲醚或丙二醇單甲醚乙酸酯的有機溶劑。采用藥劑的溶解層3的溶解時間，根據(jù)藥劑的濃度、溶解層3的材質(zhì)、層厚、液溫等適當選擇，但為了極力避免由該藥劑引起的對磁性層2的損傷，優(yōu)選設(shè)為以10秒至I小時左右完成溶解層3的溶解的時間。另外，在本發(fā)明中，采用藥劑的溶解層3的溶解工序之后，為了除去在基板表面附著的藥液，優(yōu)選設(shè)置采用純水的洗滌工序和/或使用了酸或堿性的藥液的中和工序。此外，由于也有時在基板表面附著有掩模層4和/或抗蝕劑層5的殘渣，因此若設(shè)置使用了泡沫氨基甲酸乙酯的擦洗工序則是有效的。接著，如圖1(g)所示，形成將被除去了溶解層3、掩模層4和抗蝕劑層5的面上覆蓋的保護層6。該保護層6的形成一般可采用使用P-CVD等形成DLC (類金剛石碳；DiamondLike Carbon)薄膜的方法，但未必限定于這樣的方法。另外，該保護層6以足以埋入被除去了磁性層2的部分的厚度形成。其后，通過在保護層6之上涂布潤滑劑來形成潤滑膜(未圖示)。作為用于該潤滑膜的潤滑劑，可以舉出氟系潤滑劑、烴系潤滑劑和它們的混合物等，通常以I 4nm的厚度形成潤滑膜。然后，通過經(jīng)過以上的工序，可以制造磁記錄介質(zhì)。在應用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，在磁性層2和掩模層4之間設(shè)置溶解層3，利用藥液將該溶解層3濕式溶解，因此能夠從磁性層2的表面使全部的掩模層4不殘存地切實且以高速除去。S卩，在以往的制造方法中，通過使用了氧等離子體的灰化來除去由上述碳膜構(gòu)成的掩模層4。該情況下，沒有形成圖案的異常地方由于表面積小，因此掩模層4幾乎沒有被除去而殘留。這使磁記錄介質(zhì)的表面的平滑性降低，成為產(chǎn)生磁頭碰撞等的原因。另一方面，如果加強灰化直到能夠除去掩模層4，則損傷會波及到其下的磁性層2。
與此相對，在本發(fā)明中，由于利用藥液溶解在磁性層2和掩模層4之間設(shè)置的溶解層3，與掩模層4 一同除去，因此不對磁性層2的表面給予損傷，能夠切實且以高速進行掩模層4的除去。如以上那樣，根據(jù)本發(fā)明，由于能夠切實且以高速進行在磁性層2之上設(shè)置的掩模層4的除去，因此能夠以高的生產(chǎn)率制造平滑性高的磁記錄介質(zhì)。另外，在使用了這樣的磁記錄介質(zhì)的磁記錄再生裝置中，能夠進一步提高電磁轉(zhuǎn)換特性。接著，對于應用了本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法的另一例進行說明。本發(fā)明是具有磁分離了的磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)的制造方法，例如作為在上述 磁性層2上形成磁記錄圖案的方法，有時采用將磁性層2的磁特性部分性地改性的方法。S卩，制造這樣的磁記錄介質(zhì)時，例如圖2(a) 圖2(g)所示，包括在非磁性基板I之上形成磁性層2的工序；在磁性層2之上形成溶解層3的工序；在溶解層3之上形成掩模層4的工序；在掩模層4之上形成抗蝕劑層5的工序；將抗蝕劑層5的表面圖案化成為與磁記錄圖案對應的形狀的工序；使用圖案化了的抗蝕劑層5將掩模層4和溶解層3圖案化的工序；使用圖案化了的掩模層4將磁性層2部分性地改性的工序；利用藥劑將溶解層3濕式溶解，與其上的掩模層4 一同從磁性層2之上除去的工序；在其上形成保護層5的工序；和在保護層5之上形成潤滑膜(未圖示)的工序。具體地講，圖2(a) (d)所示的工序與上述圖1(a) (d)所示的工序基本相同。因此，對于這些圖2(a) (d)所示的工序的說明進行省略。接著，如圖2(e)所示，使用例如反應性等離子體、反應性離子，將位于溶解層3之下的磁性層2之中的、沒有被抗蝕劑層5、掩模層4和溶解層3覆蓋的地方部分性地改性，形成磁分離了的磁記錄圖案2b。在本發(fā)明中，所謂磁記錄圖案2b，從表面?zhèn)瓤创庞涗浗橘|(zhì)時，是指被將磁性層2的一部分的磁特性改性了的、優(yōu)選非磁性化了的非磁性區(qū)域7分離了的狀態(tài)的圖案。即，只要磁性層2從表面?zhèn)瓤幢环蛛x，則即使在磁性層2的底部沒有被分離，也能夠?qū)崿F(xiàn)本發(fā)明的目的，在本發(fā)明中包含于磁記錄圖案2b的概念中。另外，所謂用于形成磁記錄圖案2b的磁性層2的改性，是指為了將磁性層2圖案化，使該磁性層2的矯頑力、剩余磁化等部分性地變化，所謂該變化，是指降低矯頑力、降低剩余磁化。特別地，作為磁特性的改性，優(yōu)選采用使暴露于反應性等離子體或反應性離子的地方的磁性層2的磁化量為當初(未處理)的75%以下、更優(yōu)選為50%以下、并使矯頑力為當初的50%以下、更優(yōu)選為20%以下的方法。通過采用這樣的方法制造分離磁道型的磁記錄介質(zhì)，可消除對本介質(zhì)進行磁記錄時的洇寫，能夠提供高的面記錄密度的磁記錄介質(zhì)。此外，在本發(fā)明中，也可以通過將已經(jīng)成膜的磁性層2暴露于反應性等離子體或反應性離子，將磁性層2非晶質(zhì)化來實現(xiàn)分離磁記錄磁道和伺服信號圖案部的地方(非磁性區(qū)域7)。即，本發(fā)明中的磁性層2的磁特性的改性，也包含通過磁性層2的晶體結(jié)構(gòu)的改變來實現(xiàn)。在本發(fā)明中，將磁性層2非晶質(zhì)化，是指使磁性層2的原子排列成為不具有長程有序的不規(guī)則的原子排列的形態(tài)，更具體地講，是指成為低于2nm的微晶粒無序地排列的狀態(tài)。并且，在采用分析方法確認該原子排列狀態(tài)的情況下，成為通過X射線衍射或電子束衍射確認不到表示晶面的峰，并且僅確認到光暈的狀態(tài)。作為反應性等離子體，可以例示感應稱合等離子體(ICP !Inductively CoupledPlasma)、反應性離子等離子體(RIE ;Reactive Ion Plasma)。另外，作為反應性離子，可以例示存在于上述的感應耦合等離子體、反應性離子等離子體內(nèi)的反應性的離子。作為感應耦合等離子體，可例舉通過對氣體施加高電壓而使其等離子化,再通過高頻的變動磁場使該等離子體內(nèi)部發(fā)生由渦電流引起的焦耳熱，從而得到的高溫的等離子體。感應耦合等離子體，其電子密度高，與現(xiàn)有的使用離子束制造分離磁道介質(zhì)的情況相t匕，在寬面積的磁性膜中，能夠以高的效率實現(xiàn)磁特性的改性。所謂反應性離子等離子體，是在等離子體中加入了 02、SF6, CHF3> CF4, CCl4等的反應性氣體的反應性高的等離子體。通過使用這樣的等離子體，能夠以更高的效率實現(xiàn)磁性層2的磁特性的改性。在本發(fā)明中，通過使磁性層2暴露于反應性等離子體來將磁性層2改性，但該改性優(yōu)選通過構(gòu)成磁性層2的磁性金屬和反應性等離子體中的原子或離子的反應來實現(xiàn)。該情況下，所謂反應，可以例示反應性等離子體中的原子等侵入到磁性金屬中，磁性金屬的晶體結(jié)構(gòu)變化、磁性金屬的組成變化、磁性金屬氧化、磁性金屬氮化、磁性金屬硅化等。特別優(yōu)選通過作為反應性等離子體含有氧原子，并使構(gòu)成磁性層2的磁性金屬和反應性等離子體中的氧原子反應，來使磁性層2氧化。因為通過使磁性層2部分性地氧化，能夠效率良好地降低氧化部分的剩余磁化和矯頑力等，因此通過短時間的反應性等離子體處理，可以制造具有磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)。另外，反應性等離子體優(yōu)選含有鹵素原子。作為鹵素原子特別優(yōu)選使用F原子。鹵素原子可以與氧原子一起添加到反應性等離子體中使用，另外也可以不使用氧原子而添加到反應性等離子體中。如上述那樣，通過向反應性等離子體中加入氧原子等，構(gòu)成磁性層2的磁性金屬和氧原子等反應，從而能夠使磁性層2的磁特性改性。此時，通過使反應性等離子體中含有鹵素原子，能夠進一步提高其反應性。另外，在未向反應性等離子體中添加氧原子的情況下，鹵素原子也與磁性合金反應，也能夠使磁性層2的磁特性改性。其原因的詳情不清楚，但認為是反應性等離子體中的鹵素原子腐蝕在磁性層2的表面形成的異物，由此磁性層2的表面清潔化，磁性層2的反應性提聞。另外認為清潔化了的磁性層表面和鹵素原子以高的效率反應。作為具有這樣的效果的鹵素原子特別優(yōu)選使用F原子。接著，對于圖2 (f)及其以后所示的工序而言，與上述圖I (f)及其以后所示的工序基本相同。因此，對于圖2(f)及其以后所示的工序的說明進行省略。因此，在該圖2所示的制造工序中，由于利用藥液將設(shè)置在磁性層2和掩模層4之間的溶解層3溶解并與掩模層4 一同除去，因此能夠不對磁性層2的表面給予損傷地切實且以高速進行掩模層4的除去。因此，能夠以高的生產(chǎn)率制造平滑性高的磁記錄介質(zhì)。 另外，在上述圖2所示的工序中制造的磁記錄介質(zhì)，由于與在圖I的工序中制造的磁記錄介質(zhì)相比表面的平滑性較高，因此能夠降低磁頭的浮起高度，能夠得到記錄密度更高的磁記錄介質(zhì)。
再者，本發(fā)明不必限定于上述實施方式，在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍可以施加各種的變更。例如，在本發(fā)明中，作為在上述磁性層2上形成磁記錄圖案的方法，也可以采用下述方法將位于上述圖案化了的掩模層4和溶解層3之下的磁性層2之中的、沒有被抗蝕劑層5、掩模層4和溶解層3覆蓋的地方部分性地除去，在磁性層2形成了凹部后，將該凹部的磁特性部分性地改性。
另外，在本發(fā)明中，將上述磁性層2部分性地除去后，形成覆蓋被除去了該磁性層2的面上的非磁性層,其后,對非磁性層實施采用CMP (Chemical Mechanical Polishing)的研磨加工直到磁性層2顯現(xiàn)出，由此也能夠成為非磁性層埋入成為磁記錄圖案的磁性層2之間的狀態(tài)。(磁記錄介質(zhì))接著，對于應用本發(fā)明制造的磁記錄介質(zhì)的具體的構(gòu)成，列舉例如圖3所示的分離型的磁記錄介質(zhì)30為例詳細地說明。再者，在以下的說明中例示的磁記錄介質(zhì)30僅為一例，應用本發(fā)明制造的磁記錄介質(zhì)未必限定于這樣的構(gòu)成，在不變更本發(fā)明的要旨的范圍可以適當變更來實施。該磁記錄介質(zhì)30如圖3所示，在非磁性基板31的兩面具有順序?qū)盈B了軟磁性層
32、中間層33、具有磁記錄圖案34a的記錄磁性層34、和保護層35的結(jié)構(gòu)，進而具有在最表面形成了潤滑膜36的結(jié)構(gòu)。另外，由軟磁性層32、中間層33和記錄磁性層34構(gòu)成了磁性層37。再者，在圖3中，僅圖示了非磁性基板31的單面。作為非磁性基板31，可以舉出例如Al-Mg合金等的以Al為主成分的Al合金基板、鈉玻璃、鋁硅酸鹽系玻璃、結(jié)晶化玻璃等的玻璃基板、硅基板、鈦基板、陶瓷基板、樹脂基板等的各種基板，其中，優(yōu)選使用Al合金基板、玻璃基板、硅基板。另外，非磁性基板31的平均表面粗糙度(Ra)優(yōu)選為Inm以下，更優(yōu)選為0. 5nm以下，進一步優(yōu)選為0. Inm以下。軟磁性層32是為了增大從磁頭產(chǎn)生的磁通量的相對于基板面的垂直方向分量，并且為了將被記錄信息的記錄磁性層34的磁化的方向更牢固地固定在與非磁性基板I垂直的方向而設(shè)置的。該作用特別是在使用垂直記錄用的單磁極磁頭作為記錄再生用的磁頭的情況下更加顯著。作為軟磁性層32，可以使用例如含有Fe、Ni、Co等的軟磁性材料。作為具體的軟磁性材料，可以舉出例如CoFe系合金(CoFeTaZr、CoFeZrNb等)、FeCo系合金(FeCo、FeCoV 等)、FeNi 系合金(FeNi、FeNiMo、FeNiCr、FeNiSi 等)、FeAl 系合金(FeAl、FeAlSi、FeAlSiCr、FeAlSiTiRu、FeAlO 等)、FeCr 系合金(FeCr、FeCrTi> FeCrCu 等)、FeTa 系合金(FeTa、FeTaC、FeTaN 等)、FeMg 系合金(FeMgO 等)、FeZr 系合金(FeZrN 等)、FeC 系合金、FeN系合金、FeSi系合金、FeP系合金、FeNb系合金、FeHf系合金、FeB系合金等。中間層33可以將磁性層的晶粒微細化，改善記錄再生特性。作為這樣的材料，沒有特別限定，但優(yōu)選具有hep結(jié)構(gòu)、fee結(jié)構(gòu)、非晶結(jié)構(gòu)的材料。特別優(yōu)選Ru系合金、Ni系合金、Co系合金、Pt系合金、Cu系合金,另外，也可以將這些合金多層化。例如，優(yōu)選米用從基板側(cè)起的、Ni系合金和Ru系合金的多層結(jié)構(gòu)、Co系合金和Ru系合金的多層結(jié)構(gòu)、Pt系合金和Ru系合金的多層結(jié)構(gòu)。例如，若為Ni系合金，則優(yōu)選由從含有33 96原子％的Ni的NiW合金、Ni Ta合金、NiNb合金、NiTi合金、NiZr合金、NiMn合金、NiFe合金之中選擇的至少I種材料構(gòu)成。另外，也可以是含有33 96原子％的Ni、并含有Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Nb、Ta、C之中的至少I種或2種以上的非磁性材料。該情況下，為了維持作為中間層33的效果、設(shè)為不具有磁性的范圍，優(yōu)選Ni的含量為33原子％ 96原子％的范圍。中間層33的厚度,在多層的情況下，以合計的厚度計，優(yōu)選為5 40nm,更優(yōu)選為8 30nm。中間層33的厚度在上述范圍時，記錄磁性層34的垂直取向性變得特別高，并且可以減小記錄時的磁頭和軟磁性層的距離，因此能夠不使再生信號的分辨率降低而提高記錄再生特性。 磁性層37可以為面內(nèi)磁記錄介質(zhì)用的水平磁性層也可以為垂直垂直磁記錄介質(zhì)用的垂直磁性層，但為了實現(xiàn)更高的記錄密度而優(yōu)選垂直磁性層。另外，優(yōu)選磁性層37由主要以Co為主成分的合金形成，例如，可以使用CoCrPt系、CoCrPtB系、CoCrPtTa系的磁性層、向這些物質(zhì)中加入了 Si02、Cr2O3等的氧化物的粒狀(granular)結(jié)構(gòu)的磁性層。在垂直磁記錄介質(zhì)的情況下，可以利用下述的磁性層，所述磁性層層疊有由例如軟磁性的 FeCo 合金(FeCoB、FeCoSiB、FeCoZr、FeCoZrB、FeCoZrBCu 等)、FeTa 合金(FeTaN、FeTaC等)、Co合金(CoTaZr、CoZrNB、CoB等)等構(gòu)成的軟磁性層32、由Ru等構(gòu)成的中間層
33、和由60Co-15Cr-15Pt合金和/或70Co-5Cr-15Pt_10Si02合金構(gòu)成記錄磁性層34。另夕卜，也可以在軟磁性層32和中間層33之間層疊由Pt、Pd、NiCr、NiFeCr等構(gòu)成的取向控制膜。另一方面，在面內(nèi)磁記錄介質(zhì)的情況下，作為磁性層37，可以利用層疊有非磁性的CrMo基底層和強磁性的CoCrPtTa磁性層的磁性層。磁性層37的厚度，設(shè)為3nm 20nm,優(yōu)選設(shè)為5nm 15nm,只要相應于使用的磁性合金的種類和疊層結(jié)構(gòu)來形成使得可得到充分的磁頭輸入輸出即可。另外，磁性層37，為了在再生時得到一定以上的輸出，需要某種程度以上的膜厚，另一方面，表示記錄再生特性的諸參數(shù)與輸出的上升一同劣化是通例，因此需要設(shè)定為最佳的膜厚。磁性層37通常采用濺射法作為薄膜形成。作為粒狀結(jié)構(gòu)的磁性層37，優(yōu)選至少作為磁性粒子含有Co和Cr，并在磁性粒子的晶粒邊界部至少含有選自Si氧化物、Cr氧化物、Ti氧化物、W氧化物、Co氧化物、Ta氧化物、Ru氧化物之中的至少I種或2種以上的磁性層。具體地講,可以舉出例如CoCrPt-Si氧化物、CoCrPt-Cr氧化物、CoCrPt-W氧化物、CoCrPt-Co氧化物、CoCrPt-Cr氧化物-W氧化物、CoCrPt-Cr氧化物-Ru氧化物、CoRuPt-Cr氧化物-Si氧化物、CoCrPtRu-Cr氧化物-Si氧化物等。具有粒狀結(jié)構(gòu)的磁性晶粒的平均粒徑，優(yōu)選為Inm 12nm。另外，在磁性層中存在的氧化物的總量優(yōu)選為3 15摩爾％。另外，作為非粒狀結(jié)構(gòu)的磁性層，可以例示使用了含有Co和Cr、優(yōu)選含有Pt的磁性合金的磁性層。另外，該磁記錄介質(zhì)30,是通過在記錄磁性層34上形成的磁記錄圖案34a磁特性被改性了的區(qū)域(例如非磁性區(qū)域或相對于記錄磁性層34矯頑力降低了 80%左右的區(qū)域)38磁分離而成的、所謂的分離型的磁記錄介質(zhì)。另外，分離型的磁記錄介質(zhì)30，為了提高其記錄密度，優(yōu)選將記錄磁性層34之中的磁記錄圖案34a的寬度LI設(shè)為200nm以下，將改性區(qū)域38的寬度L2設(shè)為IOOnm以下。另外，該磁記錄介質(zhì)30的磁道間距P ( = L1+L2)優(yōu)選為300nm以下,為了提高記錄密度，優(yōu)
選盡可能窄。保護層35只要使用在磁記錄介質(zhì)中通常所使用的材料即可，作為這樣的材料，可以舉出例如碳(C)、氫化碳(HXC)、氮化碳(CN)、無定形碳、碳化娃(SiC)等的碳質(zhì)材料、Si02、Zr203、TiN等。另外，保護層35也可以是層疊2層以上的保護層。保護層35的厚度如果超過10nm，則磁頭和磁性層37的距離變大，得不到充分的輸入輸出特性，因此優(yōu)選為低于10nm。潤滑膜36，例如可以通過在 保護層35上涂布由氟系潤滑劑、烴系潤滑劑、由它們的混合物等構(gòu)成的潤滑劑來形成。另外，潤滑膜36的膜厚通常為I 4nm左右。如以上那樣的分離型的磁記錄介質(zhì)30，能夠通過采用應用了上述本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的制造方法，以高的生產(chǎn)率制造。(磁記錄再生裝置)接著，對于應用了本發(fā)明的磁記錄再生裝置(HDD)進行說明。應用了本發(fā)明的磁記錄再生裝置，例如如圖4所示，具備上述磁記錄介質(zhì)30 ;將上述磁記錄介質(zhì)30旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動部51 ;進行對于上述磁記錄介質(zhì)30的記錄動作和再生動作的磁頭52 ;使磁頭52在上述磁記錄介質(zhì)30的徑向移動的磁頭驅(qū)動部53 ;和用于進行向磁頭52的信號輸入和來自磁頭52的輸出信號的再生的記錄再生信號處理系統(tǒng)54。在該磁記錄再生裝置中，通過使用上述分離磁道型的磁記錄介質(zhì)30，可消除對該磁記錄介質(zhì)30進行磁記錄時的洇寫，能夠得到高的面記錄密度。即，通過使用上述磁記錄介質(zhì)30能夠構(gòu)成記錄密度高的磁記錄再生裝置。另外，通過將上述磁記錄介質(zhì)30的記錄磁道進行磁不連續(xù)地加工，對于以往為了排除磁道邊緣部的磁化遷移區(qū)域的影響而使再生磁頭寬度比記錄磁頭寬度窄地對應的情況，可使兩者成為大致相同的寬度地工作。由此能夠得到充分的再生輸出和高的SNR。進而，通過利用GMR磁頭或TMR磁頭構(gòu)成磁頭52的再生部，即使在高記錄密度下也可以得到充分的信號強度，能夠?qū)崿F(xiàn)具有高記錄密度的磁記錄再生裝置。另外，如果將該磁頭52的浮起量設(shè)為0. 005 ii m 0. 020 ii m的范圍內(nèi)，以低于以往的高度浮起，則輸出提高，可獲得高的裝置SNR，可以提供大容量且高可靠性的磁記錄再生裝置。此外，如果組合采用最大似然譯碼法的信號處理電路，則能夠進一步提高記錄密度，例如，即使在以磁道密度IOOk道/英寸以上、線記錄密度IOOOk比特/英寸以上、每一平方英寸IOOG比特以上的記錄密度進行記錄和再生的情況下，也能夠得到充分的SNR。再者,本發(fā)明能夠?qū)τ诰哂写欧蛛x了的磁記錄圖案MP的磁記錄介質(zhì)廣泛地應用，作為具有磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)，可以舉出磁記錄圖案在每一位具有一定的規(guī)則性地配置的所謂圖案化介質(zhì)、磁記錄圖案配置成磁道狀的介質(zhì)、此外的含有伺服信號圖案等的磁記錄介質(zhì)。本發(fā)明從其制造的簡便性來看，優(yōu)選應用于其中磁分離了的磁記錄圖案為磁記錄磁道以及伺服信號圖案的所謂的分離型的磁記錄介質(zhì)。
實施例以下，利用實施例更加明確本發(fā)明的效果。再者，本發(fā)明不限定于以下的實施例，可以在不變更其要旨的范圍適當變更來實施。
(實施例I)在實施例I中，首先，將安置了 HD用玻璃基板的真空室預先進行真空排氣至I.OX KT5Pa 以下。在此使用的玻璃基板，以將 Li2Si205、Al203-K20、Mg0_P205、Sb2O3-ZnO 作為構(gòu)成成分的結(jié)晶化玻璃作為材質(zhì)，外徑為65mm、內(nèi)徑為20mm、平均表面粗糙度(Ra)為2埃(單位人、0. 2nm)。接著，在該玻璃基板上，采用DC濺射法順序?qū)盈B了 作為軟磁性層的層厚為60nm的FeCoB膜，作為中間層的層厚為IOnm的Ru膜，作為記錄磁性層的層厚為15nm的70Co-5Cr-15Pt-10Si02合金膜、層厚為14nm的70Co-5Cr_15Pt合金膜，作為溶解層的聚硅氧烷膜、層厚為5nm的Mo層，和作為掩模層的層厚為30nm的碳膜。其中，對于溶解層，制作含有I質(zhì)量％的聚硅氧烷的丙二醇單甲醚乙酸酯溶液(pH=7)，將其旋涂在記錄磁性層的表面。旋涂條件是基板轉(zhuǎn)速為2000rpm，涂覆時間為20秒鐘，涂布膜厚為15nm。旋涂后，將基板在130°C加熱5分鐘，使聚硅氧烷膜固化。接著，在其上采用旋涂法涂布抗蝕劑，形成了層厚為IOnm的抗蝕劑層。再者，抗蝕劑使用作為紫外線固化樹脂的酚醛清漆系樹脂。然后，使用具有磁記錄圖案的正圖案的玻璃制的印模，以IMPa (約8. 8kgf/cm2)的壓力將該印模按壓于抗蝕劑層的狀態(tài)下，從紫外線的透射率為95%以上的玻璃制的印模的上部照射10秒鐘的波長為250nm的紫外線，使抗蝕劑層固化。其后，從抗蝕劑層分離印模，將與磁記錄圖案對應的凹凸圖案轉(zhuǎn)印到了抗蝕劑層上。再者，轉(zhuǎn)印到抗蝕劑層上的凹凸圖案，與271k道/英寸的磁記錄圖案對應，凸部為寬度64nm的圓周狀,凹部為寬度30nm的圓周狀,抗蝕劑層的層厚為65nm,抗蝕劑層的凹部的深度約為5nm。另外，凹部的相對于基板面的角度大致為90度。接著，通過干蝕刻將抗蝕劑層的凹部的地方以及其下的掩模層和溶解層除去。干蝕刻的條件是將O2氣設(shè)為40SCCm、壓力設(shè)為0. 3Pa、高頻等離子體電力設(shè)為300W、DC偏電壓設(shè)為30W、蝕刻時間設(shè)為20秒。接著，對記錄磁性層中的沒有被掩模層覆蓋的地方照射離子束，將該地方的磁特性改性。離子束使用氮氣為40SCCm、氫氣為20SCCm、氖為20SCCm的混合氣體來產(chǎn)生。離子的量為5X IO16原子/cm2、加速電壓為20keV、蝕刻時間設(shè)為90秒。再者，磁性層的照射離子束的地方，磁性粒子非晶質(zhì)化，矯頑力降低了約80 %。接著，將處理基板在30%的異丙醇(液溫25°C)中浸潰200秒鐘從而溶解溶解層，與該溶解層一同除去了其上的掩模層和抗蝕劑層。接著，在中性洗滌劑中浸潰10分鐘，進行了擦洗和旋轉(zhuǎn)洗滌后，使用離子束蝕刻將處理基板的表面蝕刻Inm左右，采用CVD法形成厚度為4nm的DLC膜，涂布2nm的潤滑劑從而制作了磁記錄介質(zhì)。然后，對于該制造了的磁記錄介質(zhì)實施了滑翔檢查。在該滑翔檢查中，將檢查磁頭(磁頭滑塊)和磁記錄介質(zhì)的表面之間的浮起高度設(shè)定在0. 2微英寸(6. 5nm),在從檢查磁頭輸出了起因于與磁記錄介質(zhì)表面的突起物的碰撞的信號的情況下，將該磁記錄介質(zhì)判斷為不良品。其結(jié)果，對于實施例I的磁記錄介質(zhì)，沒有檢測到起因于突起物的信號。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，是具有磁分離了的磁記錄圖案的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，包括 在非磁性基板之上形成磁性層的工序； 在所述磁性層之上形成溶解層的工序； 在所述溶解層之上形成掩模層的工序； 將所述溶解層和掩模層圖案化成為與所述磁記錄圖案對應的形狀的工序； 將所述磁性層的沒有被所述掩模層和溶解層覆蓋的地方部分性地改性或除去的工序；和 將所述溶解層利用藥劑濕式溶解，與其上的掩模層一同從所述磁性層之上除去的工 序， 在形成所述溶解層的工序中，通過在所述磁性層之上涂布了將有機硅化合物溶解于有機溶劑中的涂液后，固化該涂液，從而形成所述溶解層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述有機硅化合物包含聚硅氧烷，所述有機溶劑包含丙二醇單甲醚或丙二醇單甲醚乙酸酯。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，所述藥劑包含異丙醇。
4.一種磁記錄再生裝置，其特征在于，具備 采用權(quán)利要求I 3的任一項所述的方法制造的磁記錄介質(zhì)； 沿記錄方向驅(qū)動所述磁記錄介質(zhì)的介質(zhì)驅(qū)動部； 進行對于所述磁記錄介質(zhì)的記錄動作和再生動作的磁頭； 使所述磁頭相對于磁記錄介質(zhì)相對移動的磁頭移動單元；和 用于進行向所述磁頭的信號輸入和來自所述磁頭的輸出信號的再生的記錄再生信號處理單元。
全文摘要
本發(fā)明提供一種能夠切實且以高速進行掩模層的除去的磁記錄介質(zhì)的制造方法。本發(fā)明是一種具有磁分離了的磁記錄圖案(2a)的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其包括在非磁性基板(1)之上形成磁性層(2)的工序；在磁性層(2)之上形成溶解層(3)的工序；在溶解層(3)之上形成掩模層(4)的工序；將溶解層(3)和掩模層(4)圖案化成為與磁記錄圖案(2a)對應的形狀的工序；將磁性層(2)的沒有被掩模層(4)和溶解層(3)覆蓋的地方部分性地改性或除去的工序；和利用藥劑將溶解層(3)濕式溶解，與其上的掩模層(4)一同從磁性層(2)之上除去的工序，在形成溶解層(3)的工序中，通過在磁性層(2)之上涂布了將有機硅化合物溶解于有機溶劑中的涂液后，固化該涂液，從而形成溶解層(3)。
文檔編號G11B5/84GK102629475SQ201210015408
公開日2012年8月8日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年2月7日
發(fā)明者上田學, 岡田翼, 山根明, 村上雄二, 王志鵬, 石橋信一, 茂智雄 申請人:昭和電工株式會社