專利名稱：光源芯片、熱促進(jìn)磁頭及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有光源模塊的熱促進(jìn)磁頭，尤其涉及一種用于熱促進(jìn)磁頭的光源芯片的制造方法、具有該光源芯片的熱促進(jìn)磁頭的制造方法，以及由上述方法制得的光源芯片和熱促進(jìn)磁頭。
背景技術(shù)：
硬盤驅(qū)動器是常見的信息存儲設(shè)備。圖1a為一典型硬盤驅(qū)動器100的示意圖。其包括安裝于一主軸馬達(dá)102上的一系列可旋轉(zhuǎn)磁盤101，以及繞驅(qū)動臂軸105旋轉(zhuǎn)用以存取磁盤上的數(shù)據(jù)的磁頭懸臂組合(head stack assembly, HSA) 130。該HSA 130包括至少一馬達(dá)臂104和磁頭折片組合(head gimbal assembly,HGA)典型地,還包括一主軸音圈馬達(dá)(圖未示)以控制在馬達(dá)臂104的運(yùn)動。
參考圖lb，該HGA 150包括具有磁頭103的熱促進(jìn)磁頭110，以及用于支撐熱促進(jìn)磁頭Iio的懸臂件190。該懸臂件190包括負(fù)載桿106、基板108、絞接件107以及撓性件109，以上元件均裝配在一起。在磁頭103的極尖上埋植一寫傳感器和讀傳感器(圖未示)以讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)。當(dāng)磁盤驅(qū)動器運(yùn)作時，主軸馬達(dá)102使得磁盤101高速旋轉(zhuǎn)，而磁頭103因磁盤101旋轉(zhuǎn)而產(chǎn)生的氣壓而在磁盤101上方飛行。該磁頭103在音圈馬達(dá)的控制下，在磁盤101的表面以半徑方向移動。對于不同的磁軌，磁頭103能夠從磁盤表面上讀取數(shù)據(jù)或?qū)?shù)據(jù)寫進(jìn)磁盤101。
該種熱促進(jìn)磁頭110在寫傳感器的位置或附近位置上設(shè)置熱能源，例如激光二極管。該種熱能源向記錄媒介提供能量，從而降低媒介的矯頑力以便于寫操作。因此，此種具有激光二極管的熱促進(jìn)磁頭110變得越來越受消費(fèi)者喜愛。
通常，具有傳統(tǒng)激光二極管芯片的熱促進(jìn)磁頭的制造方法包括以下步驟，如圖1c所示:
步驟(1001)，提供一激光二極管條；
步驟(1002)，在該激光二極管條上涂上抗反射膜；
步驟(1003)，通過劃線裝置將該激光二極管切割成若干個獨(dú)立的激光二極管芯片；具體地，利用切刀或激光束在激光二極管上形成溝槽，繼而沿著該溝槽將其切割成多個激光二極管芯片。
步驟(1004)， 將該激光二極管粘接在一襯底基座上以形成一激光二極管模塊；
步驟(1005)，將該激光二極管模塊連接在一磁頭上以形成熱促進(jìn)磁頭。
然而，利用上述方法制得的激光二極管模塊在后續(xù)的加工工序，如清洗工序、按壓工序或轉(zhuǎn)移工序等中，產(chǎn)生問題。例如，由于切刀或激光束直接在激光二極管條上進(jìn)行切害!]，因此激光二極管芯片的切割邊緣很粗糙，從而增加抗反射膜從激光二極管芯片上脫粘的可能性。更甚，在激光二極管芯片被刷子或超聲波清洗的清洗工序中，該抗反射膜會在發(fā)生脫落。再且，該激光二極管芯片在按壓工序中，因受壓而在表面發(fā)生裂痕。因此激光二極管芯片和熱促進(jìn)磁頭的性能被削弱，從而不符合制造商和消費(fèi)者的要求。
因此，亟待一種改進(jìn)的光源芯片和熱促進(jìn)磁頭的制造方法，以獲得改進(jìn)的光源芯片和熱促進(jìn)磁頭，以克服上述缺陷。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的之一在于提供一種用于熱促進(jìn)磁頭的光源芯片的制造方法，通過該方法得到的光源芯片具有光滑的邊緣，表面沒有裂痕，而且，形成于其上的表面鍍膜不易剝落。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種用于熱促進(jìn)磁頭的光源芯片，其具有光滑的邊緣，表面沒有裂痕，而且，形成于其上的表面鍍膜不易剝落，從而提高光源芯片的性能。
本發(fā)明的再一目的在于提供一種熱促進(jìn)磁頭的制造方法，通過該方法得到具有改進(jìn)的光源模塊的熱促進(jìn)磁頭，其中的光源芯片具有光滑的邊緣，表面沒有裂痕，而且，形成于其上的表面鍍膜不易剝落。
本發(fā)明的又一目的在于提供一種熱促進(jìn)磁頭，其具有改進(jìn)的光源模塊，其中的光源芯片具有光滑的邊緣，表面沒有裂痕，而且，形成于其上的表面鍍膜不易剝落，從而提高光源芯片的性能。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種用于熱促進(jìn)磁頭的光源芯片的制造方法，包括以下步驟:
(a)提供一具有表面鍍膜的光源條；
(b)在所述光源條的預(yù)定位置上通過蝕刻形成若干盲孔，所述盲孔具有在所述表面鍍膜上挖空的頂部以及在所述光源條上挖空的底部，所述盲孔在其頂部具有第一最大寬度；以及
(C)利用一切割機(jī)器沿相鄰的兩個盲孔切割所述光源條；
其中，所述切割機(jī)器具有一切割部件，所述切割部件具有第二最大寬度，所述第二最大寬度小于所述盲孔的第一最大寬度，從而無需接觸所述盲孔的側(cè)邊緣切下獨(dú)立的光源-H-* I I心/T O
本發(fā)明提供一種用于熱促進(jìn)磁頭的光源芯片，包括上部和與所述上部連接的下部；其中，所述上部具有用以支撐一表面鍍膜的頂部表面，所述下部具有用以連接熱促進(jìn)磁頭的襯底基座的底部表面；其中，所述上部和所述表面鍍膜的寬度小于所述下部的寬度。
本發(fā)明提供一種熱促進(jìn)磁頭的制造方法，包括:提供一具有空氣承載面和與所述空氣承載面相對的相對面的磁頭；以及在所述磁頭的相對面上連接一光源模塊，所述光源模塊包括一襯底基座和連接于所述襯底基座上的一光源芯片。
其中，形成所述光源芯片包括以下步驟:
(a)提供一具有表面鍍膜的光源條；
(b)在所述光源條的預(yù)定位置上通過蝕刻形成若干盲孔，所述盲孔具有在所述表面鍍膜上挖空的頂部以及在所述光源條上挖空的底部，所述盲孔在其頂部上具有第一最大覽度；以及
(C)利用一切割機(jī)器沿相鄰的兩個盲孔切割所述光源條；
其中，所述切割機(jī)器具有一切割部件，所述切割部件具有第二最大寬度，所述第二最大寬度小于所述盲孔的第一最大寬度，從而無需接觸所述盲孔的側(cè)邊緣切下獨(dú)立的光源-H-* I I心/T ο
本發(fā)明的熱促進(jìn)磁頭包括:一磁頭，所述磁頭具有空氣承載面以及與所述空氣承載面相對的相對面；以及一光源模塊，所述光源模塊形成于所述磁頭的相對面上，所述光源模塊包括一襯底基座和連接于所述襯底基座上的一光源芯片。
其中，所述光源芯片包括包括上部和與所述上部連接的下部；所述上部具有用以支撐一表面鍍膜的頂部表面，所述下部具有用以連接熱促進(jìn)磁頭的襯底基座的底部表面；其中，所述上部和所述表面鍍膜的寬度小于所述下部的寬度。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的光源芯片制造方法利用蝕刻方法預(yù)先在光源條上形成若干盲孔，繼而利用切割部件在兩個相鄰的盲孔上進(jìn)行切割。由于該切割部件具有的第二最大寬度小于盲孔的第一最大寬度，因此當(dāng)切割光源芯片時，切割部件不會接觸盲孔的側(cè)邊緣，即，不會接觸表面鍍膜的側(cè)邊緣，因此，光源芯片具有平滑的表面，且表面不會產(chǎn)生裂痕。再且，表面鍍膜亦不易剝落。尤其地，該制造方法制得的光源芯片在后續(xù)的加工工序中如高溫清洗或刷洗、按壓或轉(zhuǎn)移，仍能保持高性能。因此光源芯片的性能大大提高，進(jìn)而熱促進(jìn)磁頭的性能亦提聞。
通過以下的描述并結(jié)合附圖，本發(fā)明將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本發(fā)明的實(shí)施例。


圖1a為傳統(tǒng)的磁盤驅(qū)動單元的局部立體圖。
圖1b為傳統(tǒng)HGA的局部頂視圖。
圖1c為傳統(tǒng)的熱促進(jìn)磁頭的制造方法的流程圖。
圖2為本發(fā)明的磁盤驅(qū)動單元的一個立體圖。
圖3為圖2所示的磁盤驅(qū)動單元的HGA的頂視圖。
圖4為本發(fā)明的熱促進(jìn)磁頭的一個實(shí)施例的立體圖。
圖5a為本發(fā)明的熱促進(jìn)磁頭的光源芯片的一個實(shí)施例的立體圖。
圖5b為圖5a所示的光源芯片的剖視圖。
圖5c為本發(fā)明光源芯片的另一實(shí)施例的剖視圖。
圖6為本發(fā)明的光源芯片的制造方法的第一實(shí)施例的流程圖。
圖7a為本發(fā)明的光源芯片的制造方法的第二實(shí)施例的流程圖。
圖7b為依照圖7a的制造步驟的光源芯片的多個剖視圖。
圖8為本發(fā)明的光源芯片的另一個實(shí)施例的制造步驟的多個剖視圖。
具體實(shí)施方式
下面將參考附圖闡述本發(fā)明幾個不同的最佳實(shí)施例，其中不同圖中相同的標(biāo)號代表相同的部件。如上所述，本發(fā)明的實(shí)質(zhì)在于一種熱促進(jìn)磁頭和光源芯片的制造方法，通過該方法得到具有改進(jìn)的光源模塊的熱促進(jìn)磁頭和改進(jìn)的光源芯片，其中的光源芯片具有光源邊緣，表面無裂痕，而且，形成于其上的表面鍍膜不易剝落，從而改善光源芯片和熱促進(jìn)磁頭的性能。
圖2為本發(fā)明的磁盤驅(qū)動單元的一個實(shí)施例的立體圖。該磁盤驅(qū)動單元300包括HGA 200，與HGA 200連接的驅(qū)動臂304，一系列旋轉(zhuǎn)磁盤301，以及用以驅(qū)動磁盤301的主軸馬達(dá)302，上述元件均安裝于一殼體309中。如圖3所示，該HGA 200包括懸臂件290以及承載于該懸臂件290上的一熱促進(jìn)磁頭230。該懸臂件290包括裝配在一起的負(fù)載桿216、基板218、絞接件217以及撓性件215。具體地，該熱促進(jìn)磁頭230由撓性件215支撐。
如圖4所示，該熱促進(jìn)磁頭230包括磁頭203以及設(shè)置于磁頭203上的光源模塊220，用以熱能促進(jìn)磁記錄。該熱促進(jìn)磁頭230包括襯底基座221和安裝于該襯底基座221上的光源芯片222。在該實(shí)施例中，該光源模塊220為激光二極管模塊，而光源芯片222為激光二極管芯片。
具體地，再次參考圖4，該磁頭203包括前邊204、尾邊205，以及形成于兩者之間的的磁頭本體(圖未標(biāo)號)。該尾邊205上設(shè)有多個連接觸點(diǎn)207，如8個，以與HGA 200的懸臂件209連接。而在尾邊205的中心嵌植具有讀寫元件(圖未示)的極尖(圖未示)，用以實(shí)現(xiàn)讀寫操作。該磁頭體具有面向磁盤(圖未示)的表面，被稱之為“空氣承載面(airbearing surface，ABS) ” 241，以及與該ABS 241相對的相對面242。特定地，該襯底基座221和光源芯片222安裝在該相對面242之上。較佳地，該襯底基座221和光源芯片222安裝在相對面242的尾邊部位，從而便于和磁頭本體電連接。
圖5a為本發(fā)明的光源芯片222的一個實(shí)施例的立體圖。圖5b為光源芯片222的剖視圖。如圖5a、5b所示，該光源芯片222包括連接的上部251和下部252。具體地，該上部251具有用以支撐一表面鍍膜253的頂表面2511，該下部252具有用以連接襯底基座221的底表面2521。作為一個較佳實(shí)施例，該表面鍍膜253為抗反射膜。
作為本發(fā)明的構(gòu)思，該上部251的寬度不大于下部252的寬度。在本實(shí)施例中，上部251的橫截面呈梯形狀，而下部252的橫截面呈矩形狀。特定地，上部251包括矩形部和梯形部?？蛇x地，該上部251的橫截面可設(shè)計成矩形，下部252的橫截面同樣可設(shè)計成矩形，如圖5c所示。
較佳地，該光源芯片222還包括包覆于表面鍍膜253和上部251的側(cè)表面的保護(hù)鍍膜254，以防止化學(xué)材料滲入表面鍍膜253和上部251的頂表面2511之間的空隙之中。較佳地，該保護(hù)鍍膜254為類金剛石膜，但并不限于此，其他合適的鍍膜亦可。
基于上述光源芯片222的結(jié)構(gòu)，表面鍍膜253不易脫落，而且表面鍍膜253和上部251的側(cè)邊緣平滑。因此，光源芯片222的性能提高，進(jìn)而具有該光源芯片的熱促進(jìn)磁頭230的性能亦得以提聞。
以下對光源芯片222的制造方法進(jìn)行詳細(xì)說明。在本實(shí)施例中，該光源芯片222為激光二極管芯片。
圖6為本發(fā)明的光源芯片222的制造方法的一個實(shí)施例的流程圖，其至少包括以下步驟:
步驟(601)，提供具有表面鍍膜253的光源條261 ；
步驟(602)，在光源條261的預(yù)定位置上通過蝕刻形成若干盲孔262，該盲孔262在其頂部具有第一最大寬度；以及
步驟(603)，利用切割機(jī)器沿相鄰的兩個盲孔262對光源條261進(jìn)行切割，該切割機(jī)器具有切割部件，該切割部件具有小于第一最大寬度的第二最大寬度。
具體地，該切割機(jī)器包括劃線裝置，該切割部件可以是切刀或激光束。
圖7a展示了光源芯片222制造方法的一個較佳實(shí)施例，其步驟包括:
步驟(701)，提供具有表面鍍膜253的光源條261 ；
步驟(702)，將光源條261粘接在具有干膜272的載具271上；
步驟(703)，在光源條261的表面鍍膜253上涂上抗蝕層273 ；
步驟(704)，在抗蝕層273上曝光并顯影形成一洞孔274 ；
步驟(705)，沿洞孔274銑削表面鍍膜253和光源條261，以形成盲孔275 ;具體地，定義該盲孔275的第一最大寬度Wl ；
步驟(706)，從光源條261上移除載具271 ;以及
步驟(707)，利用切割機(jī)器沿相鄰的兩個盲孔275對光源條261進(jìn)行切割，該切割機(jī)器具有切刀276，該切刀276的第二最大寬度W2小于盲孔275的第一最大寬度Wl。
相應(yīng)地，圖7b展示了圖7a在制造光源芯片222的過程中的剖視圖。
結(jié)合圖7a及圖7b，在步驟(702)中的干膜272用以使得載具271易于脫粘。具體，在步驟(704)中，該抗蝕層273為濕抗蝕層。較佳地，在執(zhí)行步驟(704)之前，在90°C的條件下對抗蝕層273進(jìn)行烘焙為佳。在本實(shí)施例中，該蝕刻方法采用干法刻蝕，如反應(yīng)離子刻蝕方法。較佳地，該方法還包括在步驟(705)之后，步驟(706)之前，在抗蝕層273的表面上鍍上保護(hù)鍍膜254，該保護(hù)鍍膜254覆蓋盲孔275的邊緣。
在本實(shí)施例中，步驟(704)中形成的洞孔274和步驟(705)形成的盲孔275的橫截面均呈矩形。盲孔275的第一最大寬度Wl的范圍是30μπι 500μπι，例如在本實(shí)施例為65 μ m ;盲孔275延伸至光源條271的深度范圍是0.1 μ m 30 μ m，如2 μ m。而切刀276或激光束的第二最大寬度W2小于盲孔275的第一最大寬度Wl，其范圍是10 μ m 480 μ m，例如 45 μ m。
當(dāng)然，在光源芯片222的切割工序之后還有若干加工工序，例如清洗工序、按壓工序等，在此省略其描述。
作為另一個實(shí)施例，圖8展示了光源芯片222的制造過程，某些方面與圖7b所示的稍有不同。其中，圖8省略了載具。
具體地，本實(shí)施例的盲孔275’的橫截面成錐形狀，其包括較寬頂部(圖未標(biāo)號)及較窄底部(圖未標(biāo)示)。特定地，該頂部在表面鍍膜253上形成，而底部則延伸至光源條261上。具體地，該盲孔275’的底部的寬度小于第一最大寬度W1。
與第一實(shí)施例相似，該切刀276的第二最大寬度W2小于盲孔275’的第一最大寬度W1，使得在切割的過程中，切刀276不會接觸盲孔275’的側(cè)邊緣，即不會接觸表面鍍膜253的側(cè)邊緣。因此，該光源芯片222具有平滑的邊緣，而且表面不會產(chǎn)生裂痕，再且，由于切刀276不會接觸表面鍍膜253的邊緣，因此該表面鍍膜253不會輕易脫離。尤其，該制造方法制得的光源芯片222在后續(xù)的加工工序中，如高溫清洗或刷洗、按壓或轉(zhuǎn)移，仍能保持高性能。
因此，所得的光源芯片性能得到提高?；谠撝圃旆椒ǎ纬梢痪哂写斯庠葱酒臒岽龠M(jìn)磁頭還包括以下步驟:⑴提供具有ABS和與ABS相對的相對面的一磁頭；(2)將由上述方法制得的光源芯片連接在一襯底基座上，以形成光源模塊；(3)將該光源模塊連接在磁頭的相對面上。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的光源芯片制造方法利用蝕刻方法預(yù)先在光源條上形成若干盲孔，繼而利用切刀或激光束在兩個相鄰的盲孔上進(jìn)行切割。由于該切刀或激光束具有的第二最大寬度W2小于盲孔的第一最大寬度W1，因此當(dāng)切割光源芯片時，切割部件不會接觸盲孔的側(cè)邊緣，即，不會接觸表面鍍膜的側(cè)邊緣，因此，光源芯片具有平滑的表面，且表面不會產(chǎn)生裂痕。再且，表面鍍膜亦不易剝落。尤其地，該制造方法制得的光源芯片在后續(xù)的加工工序中如高溫清洗或刷洗、按壓或轉(zhuǎn)移，仍能保持高性能。因此，光源芯片的性能大大提聞，進(jìn)而熱促進(jìn)磁頭的性能亦提聞。
以上所揭露的僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本發(fā)明之權(quán)利范圍，因此依本發(fā)明申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本發(fā)明所涵蓋的范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于熱促進(jìn)磁頭的光源芯片的制造方法，包括以下步驟: (a)提供一具有表面鍍膜的光源條； (b)在所述光源條的預(yù)定位置上通過蝕刻形成若干盲孔，所述盲孔具有在所述表面鍍膜上挖空的頂部以及在所述光源條上挖空的底部，所述盲孔在其頂部具有第一最大寬度；以及 (C)利用一切割機(jī)器沿相鄰的兩個盲孔切割所述光源條； 其特征在于:所述切割機(jī)器具有一切割部件，所述切割部件具有第二最大寬度，所述第二最大寬度小于所述盲孔的第一最大寬度，從而無需接觸所述盲孔的側(cè)邊緣切下獨(dú)立的光源芯片。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述切割機(jī)器包括劃線裝置。
3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述切割部件包括切刀或激光束。
4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:在步驟(c)之前在所述盲孔的側(cè)邊緣上涂上一保護(hù)鍍膜。
5.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述步驟(b)進(jìn)一步包括以下步驟: (bl)將所述光源條粘接在一具有干膜的載具上； (b2)在所述光源條的表面鍍膜上涂上一抗蝕層； (b3)在所述抗蝕層上曝光并顯影形成一洞孔； (b4)沿所述洞孔銑削所述表面鍍膜和所述光源條，以形成所述盲孔；以及 (b5)從所述光源條上移除所述載具。
6.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于:在步驟(b4)之后，步驟(b5)之前在所述抗蝕層的表面上涂上一保護(hù)鍍膜，所述保護(hù)鍍膜覆蓋所述盲孔的側(cè)邊緣。
7.如權(quán)利要求5所述的制造方法，其特征在于:所述抗蝕層為濕抗蝕層。
8.如權(quán)利要求7所述的制造方法，其特征在于:還包括在步驟(b3)之前烘焙所述濕抗蝕層。
9.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:通過干法刻蝕在所述光源條上形成所述盲孔。
10.如權(quán)利要求9所述的制造方法，其特征在于:通過反應(yīng)離子刻蝕在所述光源條上形成所述盲孔。
11.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述盲孔的第一最大寬度的范圍是30 μ m 500 μ m。
12.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述切割機(jī)器的所述切割部件的第二最大寬度的范圍是10 μ m 480 μ m。
13.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述盲孔在所述光源條上的蝕刻深度的范圍是0.Ιμ 30μπ 。
14.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述盲孔的橫截面呈矩形。
15.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于:所述盲孔的底部的寬度小于所述第一最大寬度。
16.一種用于熱促進(jìn)磁頭的光源芯片，包括上部和與所述上部連接的下部；其特征在于:所述上部具有用以支撐一表面鍍膜的頂部表面， 所述下部具有用以連接熱促進(jìn)磁頭的襯底基座的底部表面；其中，所述上部和所述表面鍍膜的寬度小于所述下部的寬度。
17.如權(quán)利要求16所述的光源芯片，其特征在于:一保護(hù)鍍膜形成于所述表面鍍膜的側(cè)邊緣和所述上部之上。
18.如權(quán)利要求16所述的光源芯片，其特征在于:所述表面鍍膜為抗反射膜。
19.如權(quán)利要求17所述的光源芯片，其特征在于:所述保護(hù)鍍膜為類金剛石。
20.如權(quán)利要求16所述的光源芯片，其特征在于:所述上部和所述下部的橫截面呈矩形。
21.如權(quán)利要求16所述的光源芯片，其特征在于:所述上部的橫截面呈梯形，所述下部的橫截面呈矩形。
22.一種熱促進(jìn)磁頭的制造方法，包括: 提供一具有空氣承載面和與所述空氣承載面相對的相對面的磁頭；以及在所述磁頭的相對面上連接一光源模塊，所述光源模塊包括一襯底基座和連接于所述襯底基座上的一光源芯片； 其特征在于:形成所述光源芯片包括以下步驟: (a)提供一具有表面鍍膜的光源條； (b)在所述光源條的預(yù)定位置上通過蝕刻形成若干盲孔，所述盲孔具有在所述表面鍍膜上挖空的頂部以及在所述光源條上挖空的底部，所述盲孔在其頂部上具有第一最大寬度；以及 (C)利用一切割機(jī)器沿相鄰的兩個盲孔切割所述光源條； 其中，所述切割機(jī)器具有一切割部件，所述切割部件具有第二最大寬度，所述第二最大寬度小于所述盲孔的第一最大寬度，從而無需接觸所述盲孔的側(cè)邊緣切下獨(dú)立的光源芯片。
23.如權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于:所述所述切割機(jī)器包括劃線裝置。
24.如權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于:所述切割部件包括切刀或激光束。
25.如權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于:在步驟(c)之前在所述盲孔的側(cè)邊緣上涂上一保護(hù)鍍膜。
26.如權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于:所述步驟(b)進(jìn)一步包括以下步驟: (bl)將所述光源條粘接在一具有干膜的載具上； (b2)在所述光源條的表面鍍膜`上涂上一抗蝕層； (b3)在所述抗蝕層上曝光并顯影形成一洞孔； (b4)沿所述洞孔銑削所述表面鍍膜和所述光源條，以形成所述盲孔；以及 (b5)從所述光源條上移除所述載具。
27.如權(quán)利要求26所述的制造方法，其特征在于:在步驟(b4)之后，步驟(b5)之前在所述抗蝕層的表面上涂上一保護(hù)鍍膜，所述保護(hù)鍍膜覆蓋所述盲孔的側(cè)邊緣。
28.如權(quán)利要求26所述的制造方法，其特征在于:所述抗蝕層為濕抗蝕層。
29.如權(quán)利要求28所述的制造方法，其特征在于:還包括在步驟(b3)之前烘焙所述濕抗蝕層。
30.如權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于:通過干法刻蝕在所述光源條上形成所述盲孔。
31.如權(quán)利要求30所述的制造方法，其特征在于:通過反應(yīng)離子刻蝕在所述光源條上形成所述盲孔。
32.如權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于:所述盲孔的第一最大寬度的范圍是30 μ m 500 μ m。
33.如權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于:所述切割機(jī)器的所述切割部件的第二最大寬度的范圍是10 μ m 480 μ m。
34.如權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于:所述盲孔在所述光源條上的蝕刻深度的范圍是0.1 μ m 30 μ m。
35.如權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于:所述盲孔的橫截面呈矩形。
36.如權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于:所述盲孔的底部的寬度小于所述第一最大寬度。
37.一種熱促進(jìn)磁頭，包括: 一磁頭，所述磁頭具有空氣承載面以及與所述空氣承載面相對的相對面；以及 一光源模塊，所述光源模塊形成于所述磁頭的相對面上，所述光源模塊包括一襯底基座和連接于所述襯底基座上的一光源芯片； 其特征在于:所述光源芯片包括包括上部和與所述上部連接的下部；所述上部具有用以支撐一表面鍍膜的頂部表面，所述下部具有用以連接熱促進(jìn)磁頭的襯底基座的底部表面；其中，所述上部和所述表面鍍膜的寬度小于所述下部的寬度。
38.如權(quán)利要求37所述的熱促進(jìn)磁頭，其特征在于:一保護(hù)鍍膜形成于所述表面鍍膜的側(cè)邊緣和所述上部之上。
39.如權(quán)利要求37所述的熱促進(jìn)磁頭，其特征在于:所述表面鍍膜為抗反射膜。
40.如權(quán)利要求39所述 的熱促進(jìn)磁頭，其特征在于:所述保護(hù)鍍膜為類金剛石。
41.如權(quán)利要求37所述的熱促進(jìn)磁頭，其特征在于:所述上部和所述下部的橫截面呈矩形。
42.如權(quán)利要求37所述的熱促進(jìn)磁頭，其特征在于:所述上部的橫截面呈梯形，所述下部的橫截面呈矩形。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于熱促進(jìn)磁頭的光源芯片的制造方法，包括步驟(a)提供一具有表面鍍膜的光源條；(b)在所述光源條的預(yù)定位置上通過蝕刻形成若干盲孔，所述盲孔具有在所述表面鍍膜上挖空的頂部以及在所述光源條上挖空的底部，所述盲孔在其頂部具有第一最大寬度；以及(c)利用一切割機(jī)器沿相鄰的兩個盲孔切割所述光源條。其中，所述切割機(jī)器具有一切割部件，所述切割部件具有第二最大寬度，所述第二最大寬度小于所述盲孔的第一最大寬度，從而無需接觸所述盲孔的側(cè)邊緣切下獨(dú)立的光源芯片。該方法得到的光源芯片具有光滑的邊緣，表面沒有裂痕，而且，形成于其上的表面鍍膜不易剝落。
文檔編號G11B5/187GK103137140SQ20111037784
公開日2013年6月5日 申請日期2011年11月24日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月24日
發(fā)明者藤井隆司, 李泰文, 丹澤秀樹, 粉川泰浩 申請人:新科實(shí)業(yè)有限公司