專利名稱：具有芯片識別符結(jié)構(gòu)的可垂直堆疊的裸片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明大體上涉及可垂直堆疊的裸片。
背景技術(shù)：
可使用存儲器裸片及芯片的垂直堆疊來増加半導(dǎo)體裝置中的存儲器密度。在垂直堆疊的存儲器裸片和邏輯裸片中，存儲器裸片大小可能因堆疊エ藝通過量和其它因素而限于小于邏輯裸片大小。這將可用存儲器密度和引線限于下一代存儲器裸片的使用，以滿足可用存儲器密度要求?？墒褂么怪倍询B的存儲器裸片來滿足存儲器密度要求，但常規(guī)垂直堆疊的存儲器裸片具有與同邏輯裸片共享同一信道有關(guān)的增加的堆疊復(fù)雜性以及與之相關(guān)聯(lián)的増加的成本，例如對存儲器裸片的垂直堆疊中的存儲器裸片中的每ー者進(jìn)行編程、 分類、標(biāo)記或分離。

發(fā)明內(nèi)容
兩個或兩個以上裸片的垂直堆疊的多個裸片大體上相同，且在不對所述垂直堆疊中的每ー裸片進(jìn)行編程、分類、標(biāo)記或分離的情況下形成所述裸片堆疊。物理上預(yù)定的芯片識別符結(jié)構(gòu)區(qū)分堆疊中的每ー裸片，且信道接ロ可在堆疊的多個裸片之間共享。不需要裸片的非易失性編程。在不對堆疊裸片進(jìn)行編程或分類的情況下形成裸片堆疊降低了總成本且提供較簡單的芯片后勤供應(yīng)。在特定實施例中，掲示一種半導(dǎo)體裝置，所述半導(dǎo)體裝置包含裸片，其包括第一穿硅通孔以傳送芯片識別符和其它數(shù)據(jù)。所述半導(dǎo)體裝置還包含芯片識別符結(jié)構(gòu)，其包括至少兩個穿硅通孔，所述至少兩個穿硅通孔各自硬連線到外部電觸點。在另ー特定實施例中，掲示一種多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置，其包含第一裸片，其包括第一芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述第一芯片識別符結(jié)構(gòu)包括數(shù)目N個穿硅通孔，其各自硬連線到第一組外部電觸點，所述數(shù)目N包括大于ー的整數(shù)。所述多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置還包含第二裸片，其包括第二芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述第二芯片識別符結(jié)構(gòu)包括N個穿硅通孔，其各自硬連線到第二組電觸點。在另ー特定實施例中，掲示ー種制作堆疊式多裸片半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包含形成N個裸片的堆疊，其中每ー裸片包含芯片識別符結(jié)構(gòu)，其包括第一組N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到一組外部電觸點；芯片識別符選擇邏輯，其耦合到所述芯片識別符結(jié)構(gòu)；以及芯片選擇結(jié)構(gòu)，其包括耦合到所述芯片識別符選擇邏輯的第二組N個穿硅通孔，其中N為大于一的整數(shù)。所述方法還包含將每一組外部電觸點中的每一外部電觸點耦合到電壓源或耦合到接地，其中所述第一組N個穿硅通孔中的每ー者具有耦合到鄰近穿硅通孔的墊，且所述第二組N個穿硅通孔中的每ー者耦合到其自己的相應(yīng)墊。在另ー特定實施例中，掲示一種多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置，其包含第一裸片，其包括用于識別芯片的第一裝置，所述第一裝置包括數(shù)目N個穿硅通孔，其各自硬連線到第一組用于形成外部電接觸的裝置，所述數(shù)目N包括大于ー的整數(shù)。所述多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置還包含第二裸片，其包括用于識別芯片的第二裝置，所述第二裝置包括N個穿硅通孔， 其各自硬連線到第二組用于形成電接觸的裝置。在另ー特定實施例中，掲示ー種方法，其包含基于第一裸片在裸片堆疊中的位置而接收芯片識別符信號。在所述第一裸片處經(jīng)由所述第一裸片的多個穿硅通孔接收所述芯片識別符信號。所述方法還包含基于所述所接收到的芯片識別符信號確定所述第一裸片是否為由所接收到的芯片選擇信號指示的特定裸片。所掲示的實施例中的至少ー者所提供的ー個特定優(yōu)點是兩個或兩個以上裸片的垂直堆疊的每ー裸片大體上相同，且在不對所述垂直堆疊中的每ー裸片進(jìn)行編程、分類、標(biāo)記或分離的情況下形成所述裸片堆疊。在堆疊式裸片中使用不帶任何編程或不同分類的相同裸片降低了總成本且提供較簡單的芯片后勤供應(yīng)。不需要裸片的非易失性編程。在審閱整個申請案之后，本發(fā)明的其它方面、優(yōu)點和特征將變得明顯，整個申請案包含以下部分


具體實施方式
和權(quán)利要求書。

圖1是具有芯片識別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的第一實施例的說明性圖；圖2是芯片識別符選擇邏輯的實施例的說明性圖；圖3是具有安置在封裝襯底上方的封裝中的芯片識別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的第二實施例的說明性圖；圖4是具有安置于母裸片上方的芯片識別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的第三實施例的說明性圖；圖5是耦合到鄰近穿硅通孔(TSV)的墊的穿硅通孔(TSV)的實施例的說明性圖；圖6是形成具有芯片識別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的方法的說明性實施例的流程圖；圖7是包含具有具芯片識別符結(jié)構(gòu)的多裸片堆疊的模塊的便攜式通信裝置的特定實施例的框圖；以及圖8是說明結(jié)合具有芯片識別符結(jié)構(gòu)的多裸片堆疊使用的制造エ藝的數(shù)據(jù)流程圖。
具體實施例方式下文參考圖式描述本發(fā)明的特定實施例。在描述中，共同特征在圖式中始終由共同參考編號指示。參看圖1，描繪具有芯片識別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的第一實施例的說明性圖，且將其大體表示為100。垂直堆疊100可包含第一裸片102、第二裸片104、第三裸片 106以及第四裸片108，其中第四裸片108堆疊在第三裸片106上方，第三裸片106堆疊在第二裸片104上方，第二裸片104堆疊在第一裸片102上方。每ー裸片102到108包含硅襯底110和金屬層112。每ー裸片還包含至少ー個穿硅通孔(TSV) 124，其延伸穿過硅襯底 110以傳送芯片識別符和其它數(shù)據(jù)。每ー裸片進(jìn)一歩包含芯片識別符結(jié)構(gòu)114，所述芯片識別符結(jié)構(gòu)包含至少兩個穿硅通孔(TSV)，其各自硬連線到外部電觸點。在特定實施例中，所述外部電觸點耦合到電壓源VDD 1 或耦合到接地128。舉例來說，可從封裝襯底或母裸片接收電壓源VDD 1 或接地128。
用于每ー裸片的芯片識別符結(jié)構(gòu)114包含第一列TSV 116、第二列TSV 118、第三列TSV 120以及第四列TSV 122。追蹤穿過相應(yīng)的金屬層112中的連接，第四裸片108的第四列TSV 122耦合到第三裸片106的第三列TSV 120，第三裸片106的第三列TSV120耦合到第二裸片104的第二列TSV 118，第二裸片104的第二列TSV 118耦合到第一裸片102 的第一列TSV 116，第一裸片102的第一列TSV 116耦合到接地128。類似地，第四裸片108 的第三列TSV 120耦合到第三裸片106的第二列TSV 118，第三裸片106的第二列TSV 118 耦合到第二裸片104的第一列TSV 116，第二裸片104的第一列TSV 116耦合到第一裸片 102的第四列TSV 122，第一裸片102的第四列TSV 122耦合到電壓源VDD 126。同樣，第四裸片108的第二列TSV 118耦合到第三裸片106的第一列TSV 116，第三裸片106的第一列 TSV 116耦合到第二裸片104的第四列TSV 122，第二裸片104的第四列TSV 122耦合到第 ー裸片102的第三列TSV 120，第一裸片102的第三列TSV 120也耦合到電壓源VDD 126。 最后，第四裸片108的第一列TSV 116耦合到第三裸片106的第四列TSV 122，第三裸片106 的第四列TSV 122耦合到第二裸片104的第三列TSV 120，第二裸片104的第三列TSV 120 耦合到第一裸片102的第二列TSV 118，第一裸片102的第二列TSV 118也耦合到電壓源 VDD 126ο相應(yīng)金屬層112中的芯片識別符結(jié)構(gòu)114之間的連接在每ー裸片中是相同的，且使得可基于哪一列TSV 116到122連接到接地1 而唯一地選擇每一裸片。舉例來說，第 ー裸片102的第一列TSV 116連接到接地128，第二裸片104的第二列TSV 118連接到接地 128，第三裸片106的第三列TSV 120連接到接地128，且第四裸片108的第四列TSV 122連接到接地128。舉例來說，垂直堆疊100中的每ー裸片可基于哪一列TSV 116到122連接到接地1 來辨識其垂直位置。在替代實施例中，除了ー個以外的列TSV 116到122耦合到接地128，而列TSV 116到122中的一者耦合到電壓源VDD 126，在所述情況下，可基于哪ー 列TSV 116到122連接到電壓源VDD 126而唯一地選擇每一裸片。每ー裸片102到108具有相同的芯片識別符結(jié)構(gòu)114，其在每ー硅襯底110中包含相同的TSV結(jié)構(gòu)，且在每一金屬層112中包含相同布線。兩個或兩個以上裸片的垂直堆疊100的每ー裸片大體上相同，且在不對垂直堆疊 100中的每ー裸片進(jìn)行編程、分類、標(biāo)記或分離的情況下形成裸片102、104、106、108的垂直堆疊100。物理上預(yù)定的芯片識別符結(jié)構(gòu)114區(qū)分垂直堆疊100中的每ー裸片，且信道接ロ 可在堆疊的多個裸片102、104、106、108之間共享。在垂直堆疊100中使用不帶任何編程或不同分類的相同裸片可降低總成本且提供較簡單的芯片后勤供應(yīng)。不需要裸片102、104、 106、108的非易失性編程。參看圖2，描繪芯片識別符選擇邏輯的實施例的說明性圖，且大體表示為202。圖 1的裸片102、104、106、108的垂直堆疊100中的每ー裸片可通過芯片識別符選擇邏輯202 從主機裝置214接收特定且不同的芯片識別符信號。在特定實施例中，提供到主機裝置214 的接ロ。舉例來說，主機裝置214可為單獨裝置或母裸片。主機裝置214可接入任何特定裸片，但共用接入信道結(jié)構(gòu)在多個裸片之間共享， 例如圖3和圖4中所示且在下文更全面描述的共用接入信道結(jié)構(gòu)306。主機裝置214可經(jīng)由主機裝置214與垂直裸片堆疊100中的裸片102到108之間的共享接ロ提供芯片選擇信號Chip ID
和數(shù)據(jù)信號DataW:n]?？蓪⑿酒x擇信號Chip ID
和數(shù)據(jù)信號DataW:n]施加到垂直裸片堆疊100中的所有裸片102到108可接入的TSV。數(shù)據(jù)信號 DataW:n]可因此經(jīng)由共用接入信道結(jié)構(gòu)306從主機裝置214發(fā)送到任一特定裸片，其中使用芯片識別符選擇邏輯202來選擇所述特定裸片。為了簡單起見，圖2中未說明主機裝置 214與圖1的裸片102、104、106、108的垂直堆疊100之間的共享接ロ。在特定實施例中，芯片識別解碼邏輯204耦合到圖1的芯片識別符結(jié)構(gòu)114，且分別經(jīng)由線路206、208、210和212接受列TSV 116、118、120和122作為輸入。芯片識別符選擇邏輯202可包含芯片識別解碼邏輯204，且可響應(yīng)于來自主機裝置214的芯片選擇信號 Chip ID
。芯片識別符選擇邏輯202可在芯片識別符結(jié)構(gòu)114中的TSV處檢測圖1的電壓源VDD 126或接地128。來自圖1的第一列TSV 116的信號可經(jīng)由線路206輸入到芯片識別解碼邏輯204。來自圖1的第二列TSV 118的信號可經(jīng)由線路208輸入到芯片識別解碼邏輯204。來自圖1的第三列TSV 120的信號可經(jīng)由線路210輸入到芯片識別解碼邏輯204。來自圖1的第四列TSV 122的信號可經(jīng)由線路212輸入到芯片識別解碼邏輯204。可經(jīng)由線路2M從芯片識別解碼邏輯204輸出信號S
，且信號S
可為到選擇電路232的控制信號，其可確定是否選擇第一芯片。為了確定是否選擇第一芯片，線路216 上來自主機裝置214的信號Chip ID
沿線路240從芯片識別符選擇邏輯202輸出。信號S [1]可經(jīng)由線路2 從芯片識別解碼邏輯204輸出，且可為到選擇電路234的控制信號， 其可確定線路218上來自主機裝置214的信號Chip ID[1]是否沿線路240從芯片識別符選擇邏輯202輸出。信號S[2]可經(jīng)由線路2 從芯片識別解碼邏輯204輸出，且可為到選擇電路236的控制信號，其可確定線路220上來自主機裝置214的信號Chip ID[2]是否沿線路240從芯片識別符選擇邏輯202輸出。信號S[3]可經(jīng)由線路230從芯片識別解碼邏輯204輸出，且可為到選擇電路238的控制信號，其可確定線路222上來自主機裝置214的信號Chip ID[3]是否沿線路240從芯片識別符選擇邏輯202輸出。使用圖1的第一裸片102作為說明性實施例，由于第一裸片102在垂直裸片堆疊 100內(nèi)的位置，第一列TSV 116連接到接地128，且第二列TSV 118、第三列TSV 120和第四列TSV 122全部連接到電壓源VDD 126。在此情況下，沿線路206的輸入將為邏輯“低”，且沿線路208、210和212的輸入將全部為邏輯“高”。芯片識別解碼邏輯204可使輸入反相， 使得沿線路224的信號S
為邏輯“高”信號，而分別沿線路2沈、2觀和230的信號S[l]、 S[2]和S[3]全部為邏輯“低”信號。因為信號S
為邏輯“高”，所以選擇電路232的通過門的N型金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOQ晶體管接通。信號S
也經(jīng)反相為邏輯“低”，其接通選擇電路232的通過門的P型金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)晶體管。因為NMOS和PMOS是接通的，因此選擇電路232的通過門具有低阻抗?fàn)顟B(tài)，其實現(xiàn)信號傳播，與NMOS和PMOS斷開時的高阻抗?fàn)顟B(tài)形成對比。沿線路216的信號Chip ID
經(jīng)反相，且穿過選擇電路232 的低阻抗通過門，以成為沿線路MO的來自芯片識別符選擇邏輯202的選定輸出。作為對比，因為信號S[l]為邏輯“低”，所以選擇電路234的通過門的NMOS晶體管斷開。信號S[l]經(jīng)反相為邏輯“高”，其斷開選擇電路234的通過門的PMOS晶體管。沿線路218的信號Chip ID[1]可經(jīng)反相，但不穿過選擇電路234的高阻抗通過門。類似地，因為信號S[2]和S[3]處于邏輯“低”，所以選擇電路236和選擇電路238的通過門也處于高阻抗?fàn)顟B(tài)。因此，基于在TSV 116到122處接收到的信號，第一裸片102的芯片識別符選擇邏輯202基于芯片選擇信號Chip ID
而不是芯片選擇信號Chip ID[1:3]來產(chǎn)生沿線路MO的輸出。為了說明，當(dāng)芯片選擇信號Chip ID
具有“高”狀態(tài)時，沿線路240的輸出為“低”，且當(dāng)芯片選擇信號Chip ID
具有“低”狀態(tài)時，沿線路240的輸出為“高”。以此方式，可基于第一裸片102在垂直裸片堆疊100中的位置以及主機裝置214所提供的芯片選擇信號Chip ID
來選擇或取消選擇圖1的第一裸片102。當(dāng)被選擇吋，來自主機裝置214的數(shù)據(jù)信號Data 可由圖1的第一裸片102接入。當(dāng)不被選擇時，數(shù)據(jù)信號 Data
可不被第一裸片102接入，而是可由垂直裸片堆疊100中的另ー裸片接入。參看圖3，描繪具有安置于封裝襯底上方的封裝中的芯片識別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的第二實施例的說明性圖，且大體表示為300。圖1的垂直堆疊100可安置于封裝襯底 304上方的封裝302中。垂直堆疊100的每ー裸片具有芯片選擇結(jié)構(gòu)320，其針對垂直堆疊 100中的每個裸片包含一 TSV。芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的TSV可耦合在一起以形成延伸穿過垂直堆疊100的列322。垂直堆疊100的每ー裸片還具有圖2的芯片識別符選擇邏輯202， 其耦合到芯片識別符結(jié)構(gòu)114且耦合到芯片選擇結(jié)構(gòu)320。垂直堆疊100的每ー裸片進(jìn)ー 步具有共用接入信道結(jié)構(gòu)306，其包含多個TSV 308，以提供將可由每ー裸片接入的數(shù)據(jù)信
DatEi
中的一者)與接收到的芯片選擇信號進(jìn)行比較，如相對于圖2所述。在特定實施例中，每ー裸片可因TSV與鄰近墊之間的布線而接收不同的芯片ID信號，而不實施有源邏輯或其它電路來遞增或以其它方式產(chǎn)生或修改接收到的芯片識別符信號。使用圖5的結(jié)構(gòu)作為說明性實例，第一裸片的芯片識別符結(jié)構(gòu)的第一 TSV 502可具有耦合到芯片識別符結(jié)構(gòu)(例如圖1的芯片識別符結(jié)構(gòu)114)的第二 TSV 508的墊504，第二 TSV 508鄰近于第一 TSV 502。芯片識別符信號(例如對應(yīng)于提供給多個TSV 116、118、120 和122中的一者的接地128的信號)的至少一部分是在墊504處從第二裸片的第一 TSV接收，且傳達(dá)給第一裸片的第二 TSV 508。為了說明，圖1的裸片102的第一列TSV 116可經(jīng)由耦合到裸片104的第二 TSV 118的裸片104的墊傳達(dá)對應(yīng)于接地128的信號。圖1、圖3和圖4的垂直堆疊100提供多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置的實例，所述裝置具有至少ー第一裸片102，第一裸片102具有芯片識別符結(jié)構(gòu)114，芯片識別符結(jié)構(gòu)114具有數(shù)目N個TSV，其各自硬連線到第一組外部電觸點，數(shù)目N為大于一的整數(shù)。數(shù)目N可等于垂直堆疊100中的裸片的數(shù)目。多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置(例如垂直堆疊100)還具有至少ー第二裸片104，第二裸片104具有芯片識別符結(jié)構(gòu)114，芯片識別符結(jié)構(gòu)114具有N 個TSV，其各自硬連線到第二組外部電觸點。在特定實施例中，第一組外部電觸點中和第二組外部電觸點中的每一外部電觸點耦合到接地128或耦合到電壓源VDD 126。N個TSV中的每ー者可具有耦合到芯片識別符結(jié)構(gòu)114中的每ー者中的鄰近TSV的墊，例如如圖5中所示。參看圖6，描繪形成具有芯片識別符結(jié)構(gòu)的垂直堆疊裸片的方法的說明性實施例的流程圖，且大體表示為600。制作堆疊式多裸片半導(dǎo)體裝置的方法600包含在602處形成 N個裸片的堆疊，其中N為大于一的整數(shù)。N個裸片中的每ー者包含芯片識別符結(jié)構(gòu)，其包含第一組N個TSV，所述TSV各自硬連線到一組外部電觸點。N個裸片中的每ー者還包含芯片識別符選擇邏輯，其耦合到芯片識別符結(jié)構(gòu)。N個裸片中的每ー者進(jìn)ー步包含芯片選擇結(jié)構(gòu)，其包含第二組N個TSV，所述TSV耦合到芯片識別符選擇邏輯。舉例來說，圖1的垂直堆疊100可為四個裸片102、104、106和108的堆疊，每ー裸片包含芯片識別符結(jié)構(gòu)114，芯片識別符結(jié)構(gòu)114包含第一組四個TSV，其各自硬連線到一組外部電觸點。垂直堆疊100的每一裸片還可包含圖2的芯片識別符選擇邏輯202，其耦合到芯片識別符結(jié)構(gòu)114。垂直堆疊 100的每ー裸片可進(jìn)一歩包含圖3和圖4的芯片選擇結(jié)構(gòu)320，其包含耦合到芯片識別符選擇邏輯202的第二組四個TSV。 方法600還包含在604處將每一組外部電觸點中的每一外部電觸點耦合到電壓源或耦合到接地。第一組N個TSV中的每ー者具有耦合到鄰近TSV的墊。第二組N個TSV中的每ー者耦合到其自己的相應(yīng)墊。舉例來說，圖1的芯片識別符結(jié)構(gòu)114中的每ー TSV可耦合到電壓源VDD 1 或耦合到接地128。第一組四個TSV中的每ー者可具有耦合到鄰近 TSV的墊，例如如圖5中所示。圖3和圖4的芯片選擇結(jié)構(gòu)320中的第二組四個TSV中的每ー者可耦合到其自己的相應(yīng)墊。在特定實施例中，圖1、圖3和圖4的垂直堆疊100的每一裸片進(jìn)一歩包含共用接入信道結(jié)構(gòu)，其包含多個TSV。舉例來說，圖3和圖4的垂直堆疊 100的每ー裸片可進(jìn)一歩包含共用接入信道結(jié)構(gòu)306，其可包含多個TSV 308。
圖7是包含具有多裸片堆疊的模塊的系統(tǒng)700的特定實施例的框圖，所述多裸片堆疊具有芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有多個TSV 764。系統(tǒng)700可實施于便攜式電子裝置中，且包含耦合到計算機可讀媒體(例如存儲器732，其存儲例如軟件766等計算機可讀指令)的處理器710，例如數(shù)字信號處理器(DSP)。系統(tǒng)700包含具有多裸片堆疊的模塊，所述多裸片堆疊具有芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有多個TSV 764。在說明性實例中，具有多裸片堆疊的模塊(所述多裸片堆疊具有芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有多個TSV 764)包含具有根據(jù)圖6的實施例而產(chǎn)生的圖1、圖3或圖4的芯片識別符結(jié)構(gòu)的多裸片堆疊的實施例中的任一者，或其任何組合。具有多裸片堆疊的模塊(所述多裸片堆疊具有芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有多個TSV 764)可在處理器710中，或可為單獨的裝置或電路(未圖示)。 在特定實施例中，如圖7中所示，具有多裸片堆疊的模塊(所述多裸片堆疊具有芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有多個TSV 764)可由數(shù)字信號處理器(DSP)710存取。在另ー特定實施例中，存儲器732可包含具有多裸片堆疊的模塊(所述多裸片堆疊具有芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)具有多個TSV 764)。相機接ロ 768耦合到處理器710，且還耦合到相機(例如攝像機770)。顯示器控制器7 耦合到處理器710且耦合到顯示裝置728。編碼器/解碼器(CODEC) 734也可耦合到處理器710。揚聲器736和麥克風(fēng)738可耦合到CODEC 734。無線接ロ 740可耦合到處理器710且耦合到無線天線742。在特定實施例中，處理器710、顯示器控制器726、存儲器732、CODEC 734、無線接 ロ 740以及相機接ロ 768包含于系統(tǒng)級封裝或芯片上系統(tǒng)裝置722中。在特定實施例中， 輸入裝置730和電源744耦合到芯片上系統(tǒng)裝置722。此外，在特定實施例中，如圖7中所說明，顯示裝置728、輸入裝置730、揚聲器736、麥克風(fēng)738、無線天線742、攝像機770以及電源744在芯片上系統(tǒng)裝置722外部。然而，顯示裝置728、輸入裝置730、揚聲器736、麥克風(fēng)738、無線天線742、攝像機770以及電源744可耦合到芯片上系統(tǒng)裝置722的組件，例如接ロ或控制器。前面掲示的裝置和功能性(例如圖1、圖2、圖3、圖4或圖5的裝置，圖6的方法，或其任何組合)可設(shè)計且配置為存儲在計算機可讀媒體上的計算機文件(例如，RTL、⑶SII、 GERBER等)?？蓪ⅸ`些或所有此些文件提供給制造處理者，其基于此些文件而制造裝置。所得產(chǎn)品包含半導(dǎo)體晶片，其接著被切成半導(dǎo)體裸片，且封裝到半導(dǎo)體芯片中。所述半導(dǎo)體芯片接著在電子裝置中使用。圖8描繪電子裝置制造エ藝800的特定說明性實施例。在制造エ藝800中(例如在研究計算機806處)接收物理裝置信息802。物理裝置信息802可包含表示半導(dǎo)體裝置(例如圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300 或圖4的多裸片裝置400)的至少ー個物理性質(zhì)的設(shè)計信息。舉例來說，物理裝置信息802 可包含物理參數(shù)、材料特性以及結(jié)構(gòu)信息，其經(jīng)由耦合到研究計算機806的用戶接ロ 804輸入。研究計算機806包含耦合到計算機可讀媒體(例如存儲器810)的處理器808，例如一個或ー個以上處理核。處理器810可存儲計算機可讀指令，其可執(zhí)行以致使處理器808變換物理裝置信息802以使其符合文件格式，且產(chǎn)生庫文件812。在特定實施例中，庫文件812包含包括經(jīng)變換設(shè)計信息的至少ー個數(shù)據(jù)文件。舉例來說，庫文件812可包含包括圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400的半導(dǎo)體裝置庫，其用于結(jié)合電子設(shè)計自動化(EDA)工具820使用。庫文件812可在包含耦合到存儲器818的處理器816 (例如ー個或ー個以上處理核)的設(shè)計計算機814處結(jié)合EDA工具820使用。EDA工具820可作為處理器可執(zhí)行指令存儲在存儲器818處，以使設(shè)計計算機814的用戶能夠使用庫文件812的圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400來設(shè)計電路。舉例來說，設(shè)計計算機814的用戶可經(jīng)由耦合到設(shè)計計算機814的用戶接ロ擬4輸入電路設(shè)計信息822。電路設(shè)計信息822可包含表示半導(dǎo)體裝置(例如圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300 或圖4的多裸片裝置400)的至少ー個物理性質(zhì)的設(shè)計信息。為了說明，電路設(shè)計性質(zhì)可包含特定電路的識別以及與電路設(shè)計中的其它元件的關(guān)系、定位信息、特征大小信息、互連信息或表示半導(dǎo)體裝置的物理性質(zhì)的其它信息。設(shè)計計算機814可經(jīng)配置以變換包含電路設(shè)計信息822的設(shè)計信息以符合文件格式。為了說明，文件信息可包含數(shù)據(jù)庫ニ進(jìn)制文件格式，其表示平面幾何形狀、文本標(biāo)簽，以及關(guān)于層級格式(例如圖形數(shù)據(jù)系統(tǒng)(GDSII)文件格式)中的電路布局的其它信息。設(shè)計計算機814可經(jīng)配置以產(chǎn)生包含經(jīng)變換設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件，例如包含描述圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400的信息以及其它電路或信息的 ⑶SII文件826。為了說明，數(shù)據(jù)文件可包含對應(yīng)于包含圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400且還包含芯片上系統(tǒng)(SOC)內(nèi)的額外電子電路和組件的SOC的信息?？稍谥圃欹ㄋ?28處接收⑶SII文件826以根據(jù)⑶SII文件826中的經(jīng)變換信息來制造圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400。舉例來說，裝置制造エ藝可包含將⑶SII文件擬6提供給掩模制造商830，以產(chǎn)生ー個或ー個以上掩模，例如待用于光刻處理的掩模，說明為代表性掩模832。掩模832可在制造エ藝期間用以產(chǎn)生ー個或ー個以上晶片834，晶片834可經(jīng)測試且分成若干裸片，例如代表性裸片836。 裸片836包含結(jié)合圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400 使用的電路。可將裸片836提供到封裝エ藝838，其中將裸片836并入到代表性封裝840中。舉例來說，封裝840可包含多個裸片836，例如圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300、 圖4的多裸片裝置400，或系統(tǒng)級封裝(SiP)布置，或其任一組合。封裝840可經(jīng)配置以符合一個或ー個以上標(biāo)準(zhǔn)或規(guī)定，例如聯(lián)合電子裝置工程設(shè)計會議(JEDEC)標(biāo)準(zhǔn)。封裝エ藝 838可包含耦合到存儲可由計算機執(zhí)行的指令的計算機可讀有形媒體的處理器。所述處理器可集成到電子裝置(例如計算機或電子封裝裝置)中。所述指令可包含可由計算機執(zhí)行以起始形成N個裸片的堆疊(其中N為大于一的整數(shù))的指令。N個裸片中的每ー者包含芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包含第一組N個TSV，所述TSV各自硬連線到一組外部電觸點。N 個裸片中的每ー者還包含芯片識別符選擇邏輯，其耦合到芯片識別符結(jié)構(gòu)。N個裸片中的每一者進(jìn)ー步包含芯片選擇結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)包含第二組N個TSV，所述TSV耦合到芯片識別符選擇邏輯。所述指令還可包含可由計算機執(zhí)行以起始將每一組外部電觸點中的每一外部電觸點耦合到電壓源或耦合到接地的指令。第一組N個TSV中的每ー者具有耦合到鄰近TSV 的墊。第二組N個TSV中的每ー者耦合到其自己的相應(yīng)墊。在封裝エ藝838處執(zhí)行存儲在計算機可讀有形媒體中的指令可產(chǎn)生包含多個裸片836(例如圖1的多裸片裝置100、圖3 的多裸片裝置300、圖4的多裸片裝置400或其任一組合)的封裝840?？蓪㈥P(guān)于封裝840的信息分發(fā)給各個產(chǎn)品設(shè)計者，例如經(jīng)由存儲在計算機846處的組件庫。計算機846可包含耦合到存儲器850的處理器848，例如ー個或ー個以上處理核。印刷電路板(PCB)工具可作為處理器可執(zhí)行指令存儲在存儲器850處，以處理經(jīng)由用戶接ロ 844從計算機846的用戶接收的PCB設(shè)計信息842。PCB設(shè)計信息842可包含電路板上的所封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息，所述所封裝半導(dǎo)體裝置對應(yīng)于包含圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400的封裝840。計算機846可經(jīng)配置以變換PCB設(shè)計信息842以產(chǎn)生數(shù)據(jù)文件，例如具有包含電路板上的所封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息以及例如跡線和通孔等電連接的布局的數(shù)據(jù)的GERBER文件852，其中所述所封裝半導(dǎo)體裝置對應(yīng)于包含圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400的封裝840。在其它實施例中，由經(jīng)變換PCB設(shè)計信息產(chǎn)生的數(shù)據(jù)文件可具有不同于GERBER格式的格式。GERBER文件852可在板組裝エ藝邪4處接收，且用以形成根據(jù)存儲在GERBER文件 852內(nèi)的設(shè)計信息而制造的PCB，例如代表性PCB 856。舉例來說，可將GERBER文件852上載到ー個或ー個以上機器，以用于執(zhí)行PCB生產(chǎn)エ藝的各個步驟。PCB 856可填充有包含封裝840的電子組件，以形成代表性印刷電路組合件(PCA) 858。PCA 858可在產(chǎn)品制造エ藝860處接收，且集成到ー個或ー個以上電子裝置(例如第一代表性電子裝置862和第二代表性電子裝置864)中。作為說明性非限制實例，第一代表性電子裝置862、第二代表性電子裝置864或兩者可從機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、 娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理(PDA)、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機的群組中選擇。作為另一明性非限制實例，電子裝置862和864中的一者或一者以上可為遠(yuǎn)程単元， 例如移動電話、手持式個人通信系統(tǒng)(PCQ単元、例如個人數(shù)據(jù)助理等便攜式數(shù)據(jù)單元、具全球定位系統(tǒng)(GPQ功能的裝置、導(dǎo)航裝置、例如儀表讀數(shù)設(shè)備等固定位置數(shù)據(jù)單元，或任何其它存儲或檢索數(shù)據(jù)或計算機指令的裝置，或其任一組合。盡管圖8說明根據(jù)本發(fā)明教示的遠(yuǎn)程單元，但本發(fā)明不限于這些示范性所說明單元。本發(fā)明的實施例可合適地用于包含包括存儲器和芯片上電路的有源集成電路的任何裝置中。因此，圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400可經(jīng)制造、處理且并入到電子裝置中，如說明性エ藝800中所描述。相對于圖1到6而掲示的實施例的ー個或ー個以上方面可包含在各個處理階段，例如在庫文件812、⑶SII文件擬6 以及GERBER文件852內(nèi)，以及存儲在研究計算機806的存儲器810、設(shè)計計算機814的存儲器818、計算機846的存儲器850、各個階段(例如在板組裝エ藝邪4處)使用的一個或ー 個以上其它計算機或處理器(未圖示)的存儲器處，且還并入到例如掩模832、裸片836、封裝840、PCA 858、例如原型電路或裝置(未圖示)等其它產(chǎn)品或其任一組合等ー個或ー個以上其它物理實施例中。舉例來說，⑶SII文件擬6或制造エ藝828可包含計算機可讀有形媒體，其存儲可由計算機執(zhí)行的指令，所述指令包含可由計算機執(zhí)行以起始形成圖1的多裸片裝置100、圖3的多裸片裝置300或圖4的多裸片裝置400的指令。盡管描繪從物理裝置設(shè)計到最終產(chǎn)品的各個代表性生產(chǎn)階段，但在其它實施例中，可使用較少的階段，或可包含額外階段。類似地，エ藝800可由單個實體或由執(zhí)行エ藝800的各個階段的一個或ー 個以上實體執(zhí)行。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將進(jìn)一歩了解，結(jié)合本文中所掲示的實施例而描述的各種說明性邏輯塊、配置、模塊、電路及方法步驟可實施為電子硬件、由處理單元執(zhí)行的計算機軟件或兩者的組合。上文以大體上依據(jù)其功能性描述了各種說明性組件、塊、配置、模塊、電路和步驟。將所述功能性實施為硬件還是可執(zhí)行處理指令取決于特定應(yīng)用及強加于整個系統(tǒng)的設(shè)計約束。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可針對每一特定應(yīng)用以不同方式來實施所描述的功能性，但所述實施決策不應(yīng)被解釋為會導(dǎo)致脫離本發(fā)明的范圍。結(jié)合本文中所掲示的實施例而描述的方法或算法的步驟可直接體現(xiàn)于硬件中、由處理器執(zhí)行的軟件模塊中或兩者的組合中。軟件模塊可駐存在隨機存取存儲器(RAM)、磁阻隨機存取存儲器(MRAM)、自旋扭矩轉(zhuǎn)移磁阻隨機存取存儲器(STT-MRAM)、快閃存儲器、只讀存儲器(ROM)、可編程只讀存儲器(PR0M)、可擦除可編程只讀存儲器(EPROM)、電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)、寄存器、硬盤、可裝卸盤、壓縮光盤只讀存儲器(CD-ROM)，或此項技術(shù)中已知的任何其它形式的存儲媒體。示范性存儲媒體耦合到處理器，使得處理器可從存儲媒體讀取信息和將信息寫入到存儲媒體。在替代方案中，存儲媒體可與處理器成一體式。處理器及存儲媒體可駐存在專用集成電路(ASIC)中。ASIC可駐留在計算裝置或用戶終端中。在替代方案中，處理器及存儲媒體可作為離散組件駐存在計算裝置或用戶終端中。提供對所掲示實施例的先前描述是為了使所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠制作或使用所掲示的實施例。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將容易明白對這些實施例的各種修改，且本文所定義的原理可在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下應(yīng)用于其它實施例。因此，本發(fā)明無意限于本文所示的實施例，而是將被賦予與如由所附權(quán)利要求書界定的原理和新穎特征一致的最寬范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其包括裸片，其包括第一穿硅通孔以傳送芯片識別符和其它數(shù)據(jù)；以及芯片識別符結(jié)構(gòu)，其包括至少兩個穿硅通孔，所述至少兩個穿硅通孔各自硬連線到外部電觸點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)ー步包括耦合到所述芯片識別符結(jié)構(gòu)的芯片識別解碼邏輯。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)ー步包括到主機裝置的接ロ。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述主機裝置為單獨裝置或母裸片。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述外部電觸點耦合到電壓源或耦合到接地。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述電壓源或所述接地是從封裝襯底或母裸片接收的。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)ー步包括芯片識別符選擇邏輯，所述芯片識別符選擇邏輯包括所述芯片識別解碼邏輯且響應(yīng)來自主機裝置的芯片選擇信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述芯片識別符選擇邏輯在所述芯片識別符結(jié)構(gòu)中的所述至少兩個穿硅通孔處檢測電壓源或接地。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述至少兩個穿硅通孔中的每ー者具有耦合到所述芯片識別符結(jié)構(gòu)中的鄰近穿硅通孔的墊。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)ー步包括選自由以下各項組成的群組的裝置機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理 PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機，所述半導(dǎo)體裝置集成到所述裝置中。
11.一種多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置，其包括第一裸片，其包括第一芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述第一芯片識別符結(jié)構(gòu)包括數(shù)目N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到第一組外部電觸點，所述數(shù)目N包括大于ー的整數(shù)；以及第二裸片，其包括第二芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述第二芯片識別符結(jié)構(gòu)包括N個穿硅通孔， 所述穿硅通孔各自硬連線到第二組電觸點。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置，其中所述第一組外部電觸點中以及所述第二組外部電觸點中的每一外部電觸點耦合到接地或耦合到電壓源。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置，其中所述N個穿硅通孔中的每一者具有耦合到所述第一芯片識別符結(jié)構(gòu)和所述第二芯片識別符結(jié)構(gòu)中的每ー者中的鄰近穿硅通孔的墊。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)ー步包括選自由以下各項組成的群組的裝置機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機，所述多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置集成到所述裝置中。
15.ー種制作堆疊式多裸片半導(dǎo)體裝置的方法，所述方法包括形成N個裸片的堆疊，其中每ー裸片包括芯片識別符結(jié)構(gòu)，其包括第一組N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到一組外部電觸點；芯片識別符選擇邏輯，其耦合到所述芯片識別符結(jié)構(gòu)；以及芯片選擇結(jié)構(gòu)，其包括耦合到所述芯片識別符選擇邏輯的第二組N個穿硅通孔，其中N 為大于一的整數(shù)；以及將每一組外部電觸點中的每一外部電觸點耦合到電壓源或耦合到接地，其中所述第一組N個穿硅通孔中的每ー者具有耦合到鄰近穿硅通孔的墊，且所述第二組N個穿硅通孔中的每ー者耦合到其自己的相應(yīng)墊。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中每ー裸片進(jìn)一歩包括共用接入信道結(jié)構(gòu)，所述共用接入信道結(jié)構(gòu)包括多個穿硅通孔。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在供應(yīng)所述電壓源和所述接地的封裝襯底上形成所述N個裸片的所述堆疊，且所述封裝襯底具有形成于所述封裝襯底的與所述N個裸片的所述堆疊相對的側(cè)上的多個封裝球，所述多個封裝球包括至少N個芯片選擇封裝球，所述至少N個芯片選擇封裝球耦合到N個裸片的所述堆疊的一個裸片的所述芯片選擇結(jié)構(gòu)中的所述第二組N個穿硅通孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中N個裸片的所述堆疊包括N個存儲器裸片的堆疊。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在供應(yīng)所述電壓源和所述接地的母裸片上形成所述N個裸片的所述堆疊，且所述母裸片包括第三組N個穿硅通孔，其耦合到N個裸片的所述堆疊的一個裸片的所述芯片識別符結(jié)構(gòu)中的所述第一組N個穿硅通孔；以及第四組N 個穿硅通孔，其耦合到N個裸片的所述堆疊的所述ー個裸片的所述芯片選擇結(jié)構(gòu)中的所述第二組N個穿硅通孔。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述母裸片包括邏輯芯片，N個裸片的所述堆疊包括N個存儲器裸片的堆疊，且所述第四組N個穿硅通孔耦合到所述母裸片的存儲器信道物理層。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中N個裸片的所述堆疊的每ー裸片大體上相同，且在不對N個裸片的所述堆疊的每ー裸片進(jìn)行編程、分類、標(biāo)記或分離的情況下形成N個裸片的所述堆疊。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中通過集成到電子裝置中的處理器來起始所述形成和所述耦合。
23.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其進(jìn)ー步包括將所述堆疊式多裸片半導(dǎo)體裝置集成到選自由以下各項組成的群組的裝置中機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機。
24.ー種方法，其包括用于形成N個裸片的堆疊的第一步驟，其中每ー裸片包括芯片識別符結(jié)構(gòu)，其包括第一組N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到一組外部電觸點；芯片識別符選擇邏輯，其耦合到所述芯片識別符結(jié)構(gòu)；以及芯片選擇結(jié)構(gòu)，其包括耦合到所述芯片識別符選擇邏輯的第二組N個穿硅通孔，其中N 為大于一的整數(shù)；以及用于將每一組外部電觸點中的每一外部電觸點耦合到電壓源或耦合到接地的第二步驟，其中所述第一組所述N個穿硅通孔中的每ー者具有耦合到鄰近穿硅通孔的墊，且所述第二組所述N個穿硅通孔中的每ー者耦合到其自己的相應(yīng)墊。
25.根據(jù)權(quán)利要求M所述的方法，其中通過集成到電子裝置中的處理器來起始所述第 ー步驟和所述第二步驟。
26.ー種方法，其包括接收表示半導(dǎo)體裝置的至少ー個物理性質(zhì)的設(shè)計信息，所述半導(dǎo)體裝置包括 第一裸片，其包括第一芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述第一芯片識別符結(jié)構(gòu)包括數(shù)目N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到第一組外部電觸點，所述數(shù)目N包括大于ー的整數(shù)；以及第二裸片，其堆疊在所述第一裸片上方，所述第二裸片包括第二芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述第二芯片識別符結(jié)構(gòu)包括N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到第二組電觸點； 變換所述設(shè)計信息以使其符合文件格式；以及產(chǎn)生包括所述經(jīng)變換的設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件。
27.根據(jù)權(quán)利要求沈所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件包括GDSII格式。
28.ー種方法，其包括接收包括對應(yīng)于半導(dǎo)體裝置的設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件；以及根據(jù)所述設(shè)計信息制造所述半導(dǎo)體裝置，其中所述半導(dǎo)體裝置包括 第一裸片，其包括第一芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述第一芯片識別符結(jié)構(gòu)包括數(shù)目N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到第一組外部電觸點，所述數(shù)目N包括大于ー的整數(shù)；以及第二裸片，其堆疊在所述第一裸片上方，所述第二裸片包括第二芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述第二芯片識別符結(jié)構(gòu)包括N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到第二組電觸點。
29.根據(jù)權(quán)利要求觀所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件具有GDSII格式。
30.ー種方法，其包括接收設(shè)計信息，所述設(shè)計信息包括電路板上的所封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息，所述所封裝半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一裸片，其包括第一芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述第一芯片識別符結(jié)構(gòu)包括數(shù)目N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到第一組外部電觸點，所述數(shù)目N包括大于ー的整數(shù)；以及第二裸片，其堆疊在所述第一裸片上方，所述第二裸片包括第二芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述第二芯片識別符結(jié)構(gòu)包括N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到第二組電觸點；以及變換所述設(shè)計信息以產(chǎn)生數(shù)據(jù)文件。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件具有GERBER格式。
32.ー種方法，其包括接收包括設(shè)計信息的數(shù)據(jù)文件，所述設(shè)計信息包括電路板上的所封裝半導(dǎo)體裝置的物理定位信息；以及根據(jù)所述設(shè)計信息制造經(jīng)配置以接納所述所封裝半導(dǎo)體裝置的所述電路板，其中所述所封裝半導(dǎo)體裝置包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一裸片，其包括第一芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述第一芯片識別符結(jié)構(gòu)包括數(shù)目N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到第一組外部電觸點，所述數(shù)目N包括大于ー的整數(shù)；以及第二裸片，其堆疊在所述第一裸片上方，所述第二裸片包括第二芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述第二芯片識別符結(jié)構(gòu)包括N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到第二組電觸點。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述數(shù)據(jù)文件具有GERBER格式。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其進(jìn)ー步包括將所述電路板集成到選自由以下各項組成的群組的裝置中機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機。
35.一種多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置，其包括第一裸片，其包括用于識別芯片的第一裝置，所述第一裝置包括數(shù)目N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到第一組用于形成外部電接觸的裝置，所述數(shù)目N包括大于ー的整數(shù)；以及第二裸片，其包括用于識別芯片的第二裝置，所述第二裝置包括N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到第二組用于形成電接觸的裝置。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置，其中所述第一組用于形成外部電接觸的裝置中以及所述第二組用于形成外部電接觸的裝置中的所述用于形成外部電接觸的裝置中的每ー者耦合到接地或耦合到電壓源。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置，其中所述N個穿硅通孔中的每一者具有耦合到所述用于識別芯片的第一裝置和所述用于識別芯片的第二裝置中的每ー 者中的鄰近穿硅通孔的墊。
38.根據(jù)權(quán)利要求35所述的多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置，其進(jìn)ー步包括選自由以下各項組成的群組的裝置機頂盒、音樂播放器、視頻播放器、娛樂單元、導(dǎo)航裝置、通信裝置、個人數(shù)字助理PDA、固定位置數(shù)據(jù)單元和計算機，所述多裸片堆疊式半導(dǎo)體裝置集成到所述裝置中。
39.一種存儲可由計算機執(zhí)行的指令的計算機可讀有形媒體，所述指令包括可由所述計算機執(zhí)行以起始形成N個裸片的堆疊的指令，其中每ー裸片包括芯片識別符結(jié)構(gòu)，其包括第一組N個穿硅通孔，所述穿硅通孔各自硬連線到一組外部電觸點；芯片識別符選擇邏輯，其耦合到所述芯片識別符結(jié)構(gòu)；以及芯片選擇結(jié)構(gòu)，其包括耦合到所述芯片識別符選擇邏輯的第二組N個穿硅通孔，其中N 為大于一的整數(shù)；以及可由所述計算機執(zhí)行以起始將每一組外部電觸點中的每一外部電觸點耦合到電壓源或耦合到接地的指令，其中所述第一組所述N個穿硅通孔中的每ー者具有耦合到鄰近穿硅通孔的墊，且所述第二組所述N個穿硅通孔中的每ー者耦合到其自己的相應(yīng)墊。
40.ー種方法，其包括基于第一裸片在裸片堆疊中的位置而接收芯片識別符信號，其中在所述第一裸片處經(jīng)由所述第一裸片的多個穿硅通孔接收所述芯片識別符信號；以及基于所述所接收到的芯片識別符信號確定所述第一裸片是否為由所接收到的芯片選擇信號指示的特定裸片。
41.根據(jù)權(quán)利要求40所述的方法，其中所述第一裸片的芯片識別符結(jié)構(gòu)的第一穿硅通孔TSV具有耦合到所述芯片識別符結(jié)構(gòu)的第二 TSV的墊，所述第二 TSV鄰近所述第一 TSV， 且其中在所述墊處從第二裸片的第一 TSV接收所述芯片識別符信號的至少一部分，且將所述芯片識別符信號的所述至少一部分傳達(dá)給所述第一裸片的所述第二 TSV。
全文摘要
本發(fā)明揭示具有芯片識別符結(jié)構(gòu)的可垂直堆疊的裸片。在特定實施例中，揭示一種半導(dǎo)體裝置，其包含裸片，所述裸片包括第一穿硅通孔以傳送芯片識別符和其它數(shù)據(jù)。所述半導(dǎo)體裝置還包含芯片識別符結(jié)構(gòu)，所述芯片識別符結(jié)構(gòu)包括至少兩個穿硅通孔，所述至少兩個穿硅通孔各自硬連線到外部電觸點。
文檔編號G11C5/00GK102576564SQ201080045165
公開日2012年7月11日 申請日期2010年10月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月7日
發(fā)明者徐鐘元 申請人:高通股份有限公司