專利名稱：電流檢測電路的制作方法
技術(shù)領域：
本實用新型涉及一種檢測電路，尤指一種用于一次可編程只讀存儲器的電流檢測 電路。
背景技術(shù)：
只讀存儲器(Read-Only Memory, ROM)是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導 體存儲器。其內(nèi)所存數(shù)據(jù)，一般是裝入整機前事先寫好的，整機工作過程中只能讀出，而不 像隨機存儲器那樣能快速地、方便地加以改寫。只讀存儲器所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，斷電后所存數(shù)據(jù) 也不會改變，其結(jié)構(gòu)較簡單，讀出較方便，因而常用于存儲各種固定程序和數(shù)據(jù)。一次可編程只讀存儲器(One Time Progarmming ROM, 0TP-R0M)為只讀存儲器中 的一種，其只能寫入一次。為了了解存儲器中存儲數(shù)據(jù)的情況，有必要提供一種可以檢測出 存儲器中是否存儲數(shù)據(jù)的電流檢測電路，而傳統(tǒng)的電流檢測電路往往結(jié)構(gòu)比較復雜。
發(fā)明內(nèi)容鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種用于一次可編程只讀存儲器的電流檢測電路。一種電流檢測電路，用于檢測一存儲單元中的數(shù)據(jù)存儲情況，所述電流檢測電路 包括一連接所述存儲單元的檢測電流輸入端、一基準電流端、一與所述檢測電流輸入端相 連的第一開關元件、一與所述基準電流端相連的第二開關元件、一與所述第一開關元件及 所述第二開關元件相連的運算放大器及一與所述第一開關元件及所述第二開關元件相連 的比較器，所述電流檢測電路根據(jù)所述比較器輸出的電平高低判斷所述存儲單元中是否存 儲數(shù)據(jù)。優(yōu)選地，所述第一開關元件為一第一場效應管，所述第二開關元件為一第二場效應管。優(yōu)選地，所述第一場效應管的漏極連接所述檢測電流輸入端，所述第二場效應管 的漏極連接所述基準電流端，所述第一場效應管與所述第二場效應管的柵極共同連接所述 運算放大器，所述第一場效應管與所述第二場效應管的源極共同連接一接地端。優(yōu)選地，所述運算放大器的一反相輸入端連接一基準電壓端，所述運算放大器的 一正相輸入端及所述第一場效應管的漏極共同連接所述檢測電流輸入端，所述運算放大器 的一輸出端連接所述第一場效應管與所述第二場效應管的柵極。優(yōu)選地，所述比較器的一反相輸入端、所述第一場效應管的漏極及所述運算放大 器的正相輸入端共同連接所述檢測電流輸入端，所述比較器的一正相輸入端及所述第二場 效應管的漏極共同連接所述基準電流端。優(yōu)選地，如果所述存儲單元中存儲有數(shù)據(jù)，所述檢測電流輸入端的電流大小大于 所述基準電流端的電流大小，所述比較器輸出一低電平電壓。優(yōu)選地，如果所述存儲單元中沒有存儲數(shù)據(jù)，所述檢測電流輸入端的電流大小小 于所述基準電流端的電流大小，所述比較器輸出一高電平電壓。[0012]相對現(xiàn)有技術(shù)，本實用新型電流檢測電路根據(jù)輸出的電平高低來判斷存儲器中是 否存儲數(shù)據(jù)，結(jié)構(gòu)簡單，使用方便。

圖1為本實用新型電流檢測電路較佳實施方式的電路圖。
具體實施方式
請參閱圖1，本實用新型電流檢測電路較佳實施方式包括一檢測電流輸入端IDET、 一基準電流端Ikef、一與該檢測電流輸入端Idet相連的第一開關元件、一與該基準電流端Ikef 相連的第二開關元件、一運算放大器ΟΡΑ、一比較器CMP、一基準電壓端Vkef、一輸出端Vott及 一接地端GND。其中，該檢測電流輸入端Idet與一存儲器的一存儲單元相連接。在本實施方式中，該第一開關元件為一第一場效應管Μ1，該第二開關元件為一第 二場效應管Μ2，且第一場效應管Ml及第二場效應管Μ2均為N型場效應管(NMOS)。在其他 實施方式中，開關元件可根據(jù)需要變更為能夠?qū)崿F(xiàn)同樣功能的其它開關元件或電路。該電路的具體連接關系如下該檢測電流輸入端Idet與該第一場效應管Ml的漏 極、該運算放大器OPA的一正相輸入端及該比較器CMP的一反相輸入端相連，該基準電流端 Ieef與該第二場效應管Μ2的漏極及該比較器CMP的一正相輸入端相連。該第一場效應管 Ml與該第二場效應管Μ2的源級共同連接該接地端GND。該運算放大器OPA的一反相輸入 端連接該基準電壓端Vkef，該運算放大器OPA的一輸出端連接該第一場效應管Ml與該第二 場效應管Μ2的柵極。該比較器CMP的一輸出端連接該輸出端VQUT。該運算放大器OPA使得該第一場效應管Ml的漏極電壓與該基準電壓端Vkef的電壓 相等，為存儲單元提供了一個合適的電壓偏置，同時該運算放大器OPA的輸出端連接該第 一場效應管Ml與該第二場效應管M2的柵極，使得第一場效應管Ml與第二場效應管M2成為 鏡像關系，為第一場效應管Ml與第二場效應管M2提供了合適的電壓偏置。該第一場效應 管Ml用于讀取該檢測電流輸入端Idet的電流大小，該第二場效應管M2用于讀取該基準電流 端Ikef的電流大小。當存儲單元中存儲有數(shù)據(jù)時，則該檢測電流輸入端Idet的電流大小將大 于該基準電流端Ikef的電流大小；當存儲單元中沒有存儲數(shù)據(jù)時，則該檢測電流輸入端Idet 將無電流流過或該檢測電流輸入端Idet的電流大小小于該基準電流端Ikef的電流大小。當該第一場效應管Ml與該第二場效應管M2讀取到該檢測電流輸入端Idet的電流 大小大于該基準電流端Ikef的電流大小時，則該比較器CMP的反相輸入端的電壓大于正相 輸入端的電壓，從而使得該比較器CMP的輸出端輸出一低電平電壓至該輸出端VOT，從而證 明存儲器的存儲單元中存儲有數(shù)據(jù)；當該第一場效應管Ml與該第二場效應管M2讀取到該 檢測電流輸入端Idet的電流大小小于該基準電流端Ikef的電流大小時，則該比較器CMP的反 相輸入端的電壓小于正相輸入端的電壓，從而使得該比較器CMP的輸出端輸出一高電平電 壓至該輸出端VOT，從而證明存儲器的存儲單元中沒有存儲數(shù)據(jù)。該電流檢測電路根據(jù)輸出端Vtm輸出的電平高低來檢測存儲器中是否存儲數(shù)據(jù)， 檢測速度較快、功耗較低，且結(jié)構(gòu)簡單、使用方便。
權(quán)利要求一種電流檢測電路，用于檢測一存儲單元中的數(shù)據(jù)存儲情況，其特征在于所述電流檢測電路包括一連接所述存儲單元的檢測電流輸入端、一基準電流端、一與所述檢測電流輸入端相連的第一開關元件、一與所述基準電流端相連的第二開關元件、一與所述第一開關元件及所述第二開關元件相連的運算放大器及一與所述第一開關元件及所述第二開關元件相連的比較器，所述電流檢測電路根據(jù)所述比較器輸出的電平高低判斷所述存儲單元中是否存儲數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的電流檢測電路，其特征在于所述第一開關元件為一第一場效 應管，所述第二開關元件為一第二場效應管。
3.如權(quán)利要求2所述的電流檢測電路，其特征在于所述第一場效應管的漏極連接所 述檢測電流輸入端，所述第二場效應管的漏極連接所述基準電流端，所述第一場效應管與 所述第二場效應管的柵極共同連接所述運算放大器，所述第一場效應管與所述第二場效應 管的源極共同連接一接地端。
4.如權(quán)利要求3所述的電流檢測電路，其特征在于所述運算放大器的一反相輸入端 連接一基準電壓端，所述運算放大器的一正相輸入端及所述第一場效應管的漏極共同連接 所述檢測電流輸入端，所述運算放大器的一輸出端連接所述第一場效應管與所述第二場效 應管的柵極。
5.如權(quán)利要求4所述的電流檢測電路，其特征在于所述比較器的一反相輸入端、所述 第一場效應管的漏極及所述運算放大器的正相輸入端共同連接所述檢測電流輸入端，所述 比較器的一正相輸入端及所述第二場效應管的漏極共同連接所述基準電流端。
6.如權(quán)利要求1所述的電流檢測電路，其特征在于如果所述存儲單元中存儲有數(shù)據(jù)， 所述檢測電流輸入端的電流大小大于所述基準電流端的電流大小，所述比較器輸出一低電 平電壓。
7.如權(quán)利要求1所述的電流檢測電路，其特征在于如果所述存儲單元中沒有存儲數(shù) 據(jù)，所述檢測電流輸入端的電流大小小于所述基準電流端的電流大小，所述比較器輸出一 高電平電壓。
專利摘要一種電流檢測電路，用于檢測一存儲單元中的數(shù)據(jù)存儲情況，所述電流檢測電路包括一連接所述存儲單元的檢測電流輸入端、一基準電流端、一與所述檢測電流輸入端相連的第一開關元件、一與所述基準電流端相連的第二開關元件、一與所述第一開關元件及所述第二開關元件相連的運算放大器及一與所述第一開關元件及所述第二開關元件相連的比較器，所述電流檢測電路根據(jù)所述比較器輸出的電平高低判斷所述存儲單元中是否存儲數(shù)據(jù)。該電路檢測速度較快、功耗較低，且結(jié)構(gòu)簡單、使用方便。
文檔編號G11C16/06GK201707928SQ20102024273
公開日2011年1月12日 申請日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者何忠波 申請人:四川和芯微電子股份有限公司