專利名稱：參考單元閾值電壓的調(diào)整方法、裝置和測試系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片測試技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種參考單元閾值電壓的調(diào)整方法、裝置和一種測試系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
為了驗(yàn)證非易失存儲器產(chǎn)品的正確性，在產(chǎn)品出廠前均會進(jìn)行一連串的測試流程。這些非易失存儲器產(chǎn)品可以包括快閃存儲器Flash，電可擦可編程只讀存儲器EEPROM寸。實(shí)際中，在進(jìn)行邏輯功能測試、電擦除特性測試和程序碼測試之前，需要首先對待測試非易失存儲器芯片的參考單元的閾值電壓進(jìn)行精確調(diào)整。以SLC (單比特存儲單元，Single Layer Cell) Flash memory為例，簡單介紹其讀出原理對存儲單元與參考單元施加相同的柵極端、漏極端電壓，比較它們的漏極端電流， 如果存儲單元的電流比參考單元大，則定義為存“1”，反之，定義為存“0”。即對存儲單元存 “1”和存“0”的界定，就是看存儲單元的閾值電壓比參考單元的閾值電壓低或高。因此，參考單元的閾值電壓是存儲數(shù)據(jù)的判定點(diǎn)，是整個Flash memory讀出系統(tǒng)的基礎(chǔ)，需要在測試之前進(jìn)行比較精確地調(diào)整。閾值電壓調(diào)整(Threshold Voltage Trimming)指的是對參考單元進(jìn)行編程，使其閾值電壓Vth滿足系統(tǒng)性能評估測試的要求。參照圖1，現(xiàn)有參考單元閾值電壓的調(diào)整方法通常包括編程步驟101、對參考單元進(jìn)行編程(Program)操作；校驗(yàn)步驟102、測量該參考單元的電流，并判斷該電流是否符合完成條件，若是，則調(diào)整完成，否則，返回編程步驟101。其中，所述完成條件可以為測量電流小于目標(biāo)參考值。上述方法需要重復(fù)執(zhí)行編程步驟101和校驗(yàn)步驟102，直至校驗(yàn)步驟102測量電流符合完成條件。但是，每次在編程步驟101和校驗(yàn)步驟102之間進(jìn)行切換時，測試機(jī)臺需要進(jìn)行頻繁的下電和上電切換，例如，針對編程步驟101下電脈沖，以及，針對校驗(yàn)步驟102上電，或者，針對校驗(yàn)步驟102下電，以及，針對編程步驟101上電脈沖等等，這些下電和上電切換通常需要花費(fèi)ms數(shù)量級的時間才能使測試機(jī)臺所需的電壓穩(wěn)定下來；尤其在非易失存儲器芯片內(nèi)部參考單元的數(shù)目(例如，64，128)比較多時，所述切換更會導(dǎo)致閾值電壓調(diào)整時間的增加，造成測試時間大大加長，測試成本激增?？傊壳靶枰绢I(lǐng)域技術(shù)人員迫切解決的一個技術(shù)問題就是如何能夠降低非易失存儲器芯片的測試時間，尤其是降低參考單元閾值電壓的調(diào)整時間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種參考單元閾值電壓的調(diào)整方法、裝置和一種測試系統(tǒng)，能夠大大縮短調(diào)整參考單元閾值電壓的時間，降低測試成本。為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種參考單元閾值電壓的調(diào)整裝置，包括位于非易失存儲器芯片內(nèi)部的控制狀態(tài)機(jī)、編程裝置和校驗(yàn)裝置；其中，所述控制狀態(tài)機(jī)，包括接收模塊，用于接收來自測試機(jī)臺的參考單元信息；及控制模塊，用于根據(jù)所述參考單元信息，控制所述編程裝置和校驗(yàn)裝置工作；所述編程裝置，用于對當(dāng)前參考單元進(jìn)行編程操作；所述校驗(yàn)裝置，用于對當(dāng)前參考單元進(jìn)行校驗(yàn)操作，并將校驗(yàn)結(jié)果反饋給所述控制狀態(tài)機(jī)；所述控制狀態(tài)機(jī)還包括判斷模塊，用于判斷所述校驗(yàn)結(jié)果是否符合預(yù)置條件，若是，則結(jié)束當(dāng)前參考單元的調(diào)整，否則，通知所述控制模塊，對當(dāng)前參考單元繼續(xù)執(zhí)行控制操作。優(yōu)選的，所述編程裝置包括多個第一使能端，所述校驗(yàn)裝置包括多個第二使能端；所述控制模塊，用于根據(jù)所述參考單元信息，通過所述第一使能端控制所述編程裝置工作，以及，通過所述第二使能端控制所述校驗(yàn)裝置工作。優(yōu)選的，所述裝置還包括外部參考輸入通路，用于產(chǎn)生目標(biāo)電流；所述校驗(yàn)裝置，用于測量當(dāng)前參考單元的電流，判斷該測量電流是否小于所述目標(biāo)電流，并將判斷結(jié)果作為校驗(yàn)結(jié)果反饋給所述控制狀態(tài)機(jī)；所述預(yù)置條件為，所述校驗(yàn)結(jié)果為真。優(yōu)選的，所述接收模塊，還用于接收來自測試機(jī)臺的參考單元狀態(tài)查詢信息；所述控制狀態(tài)機(jī)還包括狀態(tài)輸出模塊，用于根據(jù)參考單元狀態(tài)查詢信息，輸出相應(yīng)參考單元的調(diào)整狀態(tài)。優(yōu)選的，所述調(diào)整狀態(tài)包括正在操作、操作結(jié)束和操作失敗。另一方面，本發(fā)明還公開了一種測試系統(tǒng)，包括測試機(jī)臺，以及前述的參考單元閾值電壓的調(diào)整裝置；其中，所述測試機(jī)臺，用于將非易失存儲器芯片的參考單元信息發(fā)送至所述接收模塊。另一方面，本發(fā)明還公開了一種參考單元閾值電壓的調(diào)整方法，所述方法在非易失存儲器芯片內(nèi)部執(zhí)行，包括接收來自測試機(jī)臺的參考單元信息；根據(jù)所述參考單元信息，產(chǎn)生第一控制信號和第二控制信號；依據(jù)所述第一控制信號，對當(dāng)前參考單元進(jìn)行編程操作；依據(jù)所述第二控制信號，對當(dāng)前參考單元進(jìn)行校驗(yàn)操作，得到校驗(yàn)結(jié)果；判斷所述校驗(yàn)結(jié)果是否符合預(yù)置條件，若是，則當(dāng)前參考單元調(diào)整完畢，否則，對當(dāng)前參考單元繼續(xù)執(zhí)行編程操作。優(yōu)選的，所述第一控制信號為第一使能信號，以及，所述第二控制信號為第二使能信號。優(yōu)選的，所述方法還包括
接收外部輸入的目標(biāo)電流；所述校驗(yàn)步驟為，測量當(dāng)前參考單元的電流，判斷該測量電流是否小于所述目標(biāo)電流，以該判斷結(jié)果作為校驗(yàn)結(jié)果；所述預(yù)置條件為，所述校驗(yàn)結(jié)果為真。優(yōu)選的，所述方法還包括接收來自測試機(jī)臺的參考單元狀態(tài)查詢信息；根據(jù)參考單元狀態(tài)查詢信息，輸出相應(yīng)參考單元的調(diào)整狀態(tài)。優(yōu)選的，所述調(diào)整狀態(tài)包括正在操作、操作結(jié)束和操作失敗。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明在非易失存儲器芯片內(nèi)部進(jìn)行參考單元閾值電壓的調(diào)整，具體而言，只需復(fù)用芯片內(nèi)部的電壓脈沖和電壓，即可控制芯片內(nèi)部的編程裝置和校驗(yàn)裝置正常工作；而芯片內(nèi)部電壓的下電到上電只需μ s數(shù)量級的切換時間，即可提供測試機(jī)臺以穩(wěn)定的電壓，因而相對于現(xiàn)有技術(shù)的ms數(shù)量級的切換時間，本發(fā)明能夠大大降低參考單元閾值電壓的調(diào)整時間；再者，相對于現(xiàn)有技術(shù)一個測試通道的局限性，只能一一對芯片中的參考單元進(jìn)行串行調(diào)整，本發(fā)明無需芯片與外部的測試通道，可以在非易失存儲器芯片內(nèi)部對多個參考單元進(jìn)行并行調(diào)整，因而，能夠進(jìn)一步降低芯片中參考單元測試的整體時間，從而降低測試成本。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)一種參考單元閾值電壓的調(diào)整方法流程圖；圖2是本發(fā)明一種參考單元閾值電壓的調(diào)整裝置實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖；圖3是本發(fā)明一種參考單元閾值電壓的調(diào)整裝置示例；圖4是本發(fā)明一種測試系統(tǒng)實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖；圖5是本發(fā)明一種參考單元閾值電壓的調(diào)整方法實(shí)施例的流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。本發(fā)明實(shí)施例的核心構(gòu)思之一在于，在非易失存儲器芯片內(nèi)部進(jìn)行參考單元閾值電壓的調(diào)整；由于非易失存儲器芯片內(nèi)部電壓的下電到上電只需μs數(shù)量級的時間，即可提供測試機(jī)臺以穩(wěn)定的電壓，因而能夠降低參考單元閾值電壓的調(diào)整時間。參照圖2，示出了本發(fā)明一種參考單元閾值電壓的調(diào)整裝置實(shí)施例的結(jié)構(gòu)圖，具體可以包括位于非易失存儲器芯片內(nèi)部的控制狀態(tài)機(jī)201、編程裝置202和校驗(yàn)裝置203 ；其中，所述控制狀態(tài)機(jī)201，具體可以包括接收模塊211，用于接收來自測試機(jī)臺的參考單元信息；及控制模塊212，用于根據(jù)所述參考單元信息，控制所述編程裝置202和校驗(yàn)裝置 203工作；
所述編程裝置202，用于對當(dāng)前參考單元進(jìn)行編程操作；所述校驗(yàn)裝置203，用于對當(dāng)前參考單元進(jìn)行校驗(yàn)操作，并將校驗(yàn)結(jié)果反饋給所述控制狀態(tài)機(jī)；所述控制狀態(tài)機(jī)201還可以包括判斷模塊213，用于判斷所述校驗(yàn)結(jié)果是否符合預(yù)置條件，若是，則結(jié)束當(dāng)前參考單元的調(diào)整，否則，通知所述控制模塊212，對當(dāng)前參考單元繼續(xù)執(zhí)行控制操作。本發(fā)明的調(diào)整裝置可以應(yīng)用在各種非易失存儲器芯片的測試過程中，例如，F(xiàn)lash 芯片，EEPROM芯片等，下面僅僅以Flash芯片為例進(jìn)行說明，其它非易失存儲器芯片請參照即可。在實(shí)際中，用戶可通過測試機(jī)臺，以指令的形式輸入所述參考單元信息；假設(shè)當(dāng)前 Flash芯片中包括128個參考單元，編號分別為:0，1，2，…，127，則所述參考單元信息中可以是上述參考單元編號的任意組合，例如，{參考單元0}、{參考單元0，參考單元50，參考單元100}等，其中，集合符號{}中的內(nèi)容代表所述參考單元信息。本發(fā)明中，所述控制狀態(tài)機(jī)201主要有兩個功能，一是測試機(jī)臺接口功能，接收來自測試機(jī)臺的參考單元信息；二是控制功能，也即，根據(jù)所述參考單元信息。控制編程裝置 202和校驗(yàn)裝置203工作，自動完成參考單元閾值電壓的調(diào)整。具體而言，所述控制狀態(tài)機(jī)201能夠控制編程裝置202的所有操作，以及，校驗(yàn)裝置203的所有操作。在具體實(shí)現(xiàn)中，可以基于使能信號實(shí)現(xiàn)上述控制；例如，在所述編程裝置202中設(shè)置多個第一使能(Enable)端A，其中，每個第一使能端A對應(yīng)一個編程操作；這樣，對于該第一使能端A，當(dāng)其有效時，即是啟動相應(yīng)的編程操作，當(dāng)其無效時，即是結(jié)束相應(yīng)的編程操作；因此，控制模塊212可以通過控制所有的第一使能端A，以控制編程裝置202的所有操作。同理，也可以在所述校驗(yàn)裝置203中設(shè)置多個第二使能端B，其中，每個第二使能端B對應(yīng)一個校驗(yàn)操作；控制模塊212可以通過控制所有的第二使能端B，以控制校驗(yàn)裝置 203的所有操作。為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明，以下通過具體的示例說明本發(fā)明的調(diào)整過程，具體可以包括步驟Si、接收模塊211接收來自測試機(jī)臺的參考單元信息{參考單元0}；在實(shí)際中，可采用地址位表示Flash芯片中參考單元，例如，采用7位數(shù)據(jù)表示1 個參考單元，采用6位數(shù)據(jù)表示64個參考單元，等等；這樣，所述編程裝置202和校驗(yàn)裝置 203即可根據(jù)具體的地址位得知操作對象。步驟S2、控制模塊212控制所述編程裝置202，針對參考單元0進(jìn)行編程操作；舉例來說，在啟動所述編程操作時，控制模塊212可以通過有效第一使能端Al，使得編程裝置202對參考單元的漏極端(drain)施加幅值為4V、寬度為2μ s的電壓脈沖，以及，通過有效第一使能端A2，對使得編程裝置202對參考單元的柵極端(gate)施加9. 5V的電壓，等等。在結(jié)束所述編程操作時，控制模塊212可以通過無效第一使能端Al，關(guān)斷漏極端的電壓，以及，通過無效第一使能端A2，使得柵極端的電壓變?yōu)?，等等。
步驟S3、控制模塊212控制所述校驗(yàn)裝置203，針對參考單元0進(jìn)行校驗(yàn)操作，將校驗(yàn)結(jié)果反饋給所述控制狀態(tài)機(jī)；舉例來說，在啟動整個校驗(yàn)操作時，控制模塊212可以通過有效第二使能端Bi，使得校驗(yàn)裝置203對參考單元的漏極端施加IV電壓，以及，通過有效第二使能端B2，對使得校驗(yàn)裝置203對參考單元的柵極端施加7V的電壓，等等。在步驟間的切換時，步驟S2涉及到電壓的下電漏極端4V —0，柵極端9. 5V — 0 ； 步驟S3涉及到電壓的上電漏極端0 — IV，柵極端0 — 7V ；其中，符號一代表電壓的變化過程。由于芯片內(nèi)部具有電壓脈沖和電壓，故本發(fā)明只需復(fù)用這些電壓脈沖和電壓，即可使得編程裝置202和校驗(yàn)裝置203正常工作；而芯片內(nèi)部電壓的下電到上電只需μ s數(shù)量級的時間，即可提供測試機(jī)臺以穩(wěn)定的電壓，因而相對于現(xiàn)有技術(shù)的ms數(shù)量級的切換時間，本發(fā)明能夠大大降低參考單元閾值電壓的調(diào)整時間。在校驗(yàn)裝置203對參考單元的漏極端和柵極端施加電壓后，所述校驗(yàn)裝置203的工作過程可以為，測量當(dāng)前參考單元的電流，判斷該測量電流Iref是否小于目標(biāo)電流ITH，并將判斷結(jié)果作為校驗(yàn)結(jié)果反饋給所述控制狀態(tài)機(jī)；也即，此種情況下所述校驗(yàn)結(jié)果可以包括真和偽。參照圖3，在本發(fā)明的一種示例中，所述目標(biāo)電流Ith可以源自外部參考輸入通路 3A，也即，外部參考輸入通路3A接校驗(yàn)裝置203的輸入端。步驟S4、判斷模塊213判斷所述校驗(yàn)結(jié)果是否符合預(yù)置條件，若是，則結(jié)束當(dāng)前參考單元的調(diào)整，否則，通知所述控制模塊212，對當(dāng)前參考單元繼續(xù)執(zhí)行控制操作。對應(yīng)上例，在所述校驗(yàn)結(jié)果為真時，符合預(yù)置條件，控制狀態(tài)機(jī)201即可結(jié)束當(dāng)前參考單元的調(diào)整；在所述校驗(yàn)結(jié)果為假時，則繼續(xù)控制所述編程裝置202和校驗(yàn)裝置203， 針對當(dāng)前參考單元進(jìn)行工作。在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，在用戶對某參考單元的調(diào)整狀態(tài)存在需求時，還可以通過測試機(jī)臺向Flash芯片發(fā)送查詢指令。例如，在所述查詢指令為參考單元狀態(tài)查詢信息時，所述接收模塊211，還可用于接收來自測試機(jī)臺的參考單元狀態(tài)查詢信息；此時，所述控制狀態(tài)機(jī)201還可以包括狀態(tài)輸出模塊，用于根據(jù)參考單元狀態(tài)查詢信息，輸出相應(yīng)參考單元的調(diào)整狀態(tài)。在實(shí)際中，所述狀態(tài)輸出模塊可以采用數(shù)據(jù)位的輸出值組合表示某參考單元的各種調(diào)整狀態(tài)，例如，00代表正在操作，01代表操作結(jié)束，以及，10代表操作失敗等，而測試機(jī)臺可以通過讀操作獲取這些調(diào)整狀態(tài)，本發(fā)明對具體的輸出方式不加以限制。參照圖4，示出了本發(fā)明一種測試系統(tǒng)的實(shí)施例，具體可以包括探針臺401和測試機(jī)臺402，待測試芯片403安裝在探針臺401中，通過探針臺401 與測試機(jī)臺402相連；及參考單元閾值電壓的調(diào)整裝置404，其位于待測試芯片403內(nèi)部；其中，所述測試機(jī)臺402，可通過探針臺401向待測芯片403發(fā)送測試指令，所述測試指令可以包括參考單元信息等；進(jìn)一步，所述參考單元閾值電壓的調(diào)整裝置404具體可以包括控制狀態(tài)機(jī)4041、編程裝置4042和校驗(yàn)裝置4043 ；其中，所述控制狀態(tài)機(jī)4041，具體可以包括接收模塊40411，用于接收來自測試機(jī)臺402的參考單元信息；及控制模塊40412，用于根據(jù)所述參考單元信息，控制所述編程裝置4042和校驗(yàn)裝置4043工作；所述編程裝置4042，用于對當(dāng)前參考單元進(jìn)行編程操作；所述校驗(yàn)裝置4043，用于對當(dāng)前參考單元進(jìn)行校驗(yàn)操作，并將校驗(yàn)結(jié)果反饋給所述控制狀態(tài)機(jī)；所述控制狀態(tài)機(jī)4041還可以包括判斷模塊40413，用于判斷所述校驗(yàn)結(jié)果是否符合預(yù)置條件，若是，則結(jié)束當(dāng)前參考單元的調(diào)整，否則，通知所述控制模塊40412，對當(dāng)前參考單元繼續(xù)執(zhí)行控制操作。在實(shí)際中，所述待測試芯片403可以為Flash芯片、EEPROM芯片等非易失存儲器芯片。
具體的，所述編程裝置4042可以包括多個第一使能端，所述校驗(yàn)裝置4043可以包括多個第二使能端；此時，所述控制模塊40412，則可用于根據(jù)所述參考單元信息，通過所述第一使能端控制所述編程裝置4042工作，以及，通過所述第二使能端控制所述校驗(yàn)裝置4043工作。優(yōu)選的，所述參考單元閾值電壓的調(diào)整裝置404還可以包括外部參考輸入通路， 用于產(chǎn)生目標(biāo)電流；相應(yīng)地，所述校驗(yàn)裝置4043，則用于測量當(dāng)前參考單元的電流，判斷該測量電流是否小于所述目標(biāo)電流，并將判斷結(jié)果作為校驗(yàn)結(jié)果反饋給所述控制狀態(tài)機(jī)；此時的預(yù)置條件為，所述校驗(yàn)結(jié)果為真。在用戶對某參考單元的調(diào)整狀態(tài)存在需求時，還可以通過測試機(jī)臺402向待測芯片403的發(fā)送查詢指令，而待測芯片403中的參考單元閾值電壓的調(diào)整裝置404可以向測試機(jī)臺402反饋相應(yīng)的操作狀態(tài)信息正在操作、操作結(jié)束和操作失敗等等。例如，所述查詢指令為參考單元狀態(tài)查詢信息時，所述接收模塊40411，還可用于接收來自測試機(jī)臺402的參考單元狀態(tài)查詢信息；此時，所述控制狀態(tài)機(jī)4041還可以包括狀態(tài)輸出模塊，用于根據(jù)所述參考單元狀態(tài)查詢信息，輸出相應(yīng)參考單元的調(diào)整狀態(tài)。與前述裝置實(shí)施例相應(yīng)，本發(fā)明還公開了一種參考單元閾值電壓的調(diào)整方法，所述方法在非易失存儲器芯片內(nèi)部執(zhí)行，參照圖5，具體可以包括步驟501、接收來自測試機(jī)臺的參考單元信息；步驟502、根據(jù)所述參考單元信息，產(chǎn)生第一控制信號和第二控制信號；步驟503、依據(jù)所述第一控制信號，對當(dāng)前參考單元進(jìn)行編程操作；步驟504、依據(jù)所述第二控制信號，對當(dāng)前參考單元進(jìn)行校驗(yàn)操作，得到校驗(yàn)結(jié)果；在實(shí)際中，所述第一控制信號應(yīng)能夠控制各種編程操作，具體地，可采用第一使能信號來使能各種編程操作；同理，可采用第二使能信號來使能各種校驗(yàn)操作。
步驟505、判斷所述校驗(yàn)結(jié)果是否符合預(yù)置條件，若是，則當(dāng)前參考單元調(diào)整完畢， 否則，返回步驟503對當(dāng)前參考單元繼續(xù)執(zhí)行編程操作。在本發(fā)明的一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述調(diào)整方法還可以包括如下步驟接收外部輸入的目標(biāo)電流；此時，所述步驟504的執(zhí)行過程可以為，測量當(dāng)前參考單元的電流，判斷該測量電流是否小于所述目標(biāo)電流，以該判斷結(jié)果作為校驗(yàn)結(jié)果；所述步驟505中的預(yù)置條件則可以為，所述校驗(yàn)結(jié)果為真。針對用戶對某參考單元的調(diào)整狀態(tài)的需求，在本發(fā)明的另一種優(yōu)選實(shí)施例中，所述調(diào)整方法還可以包括接收來自測試機(jī)臺的參考單元狀態(tài)查詢信息；根據(jù)參考單元狀態(tài)查詢信息，輸出相應(yīng)參考單元的調(diào)整狀態(tài)。其中，所述調(diào)整狀態(tài)可以包括正在操作、操作結(jié)束和操作失敗，等等。本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)1、在非易失存儲器芯片內(nèi)部進(jìn)行參考單元閾值電壓的調(diào)整；由于非易失存儲器芯片內(nèi)部電壓的下電到上電只需μ s數(shù)量級的時間，即可提供測試機(jī)臺以穩(wěn)定的電壓，因而能夠降低參考單元閾值電壓的調(diào)整時間。2、由于一個非易失存儲器芯片上只有一個測試通道，現(xiàn)有技術(shù)只能一一對芯片中的參考單元進(jìn)行串行調(diào)整，而本發(fā)明無需芯片與外部的測試通道，可以在非易失存儲器芯片內(nèi)部對多個參考單元進(jìn)行并行地調(diào)整，因而，能夠進(jìn)一步降低芯片中參考單元測試的整體時間。本說明書中的各個實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于方法實(shí)施例而言，由于其與裝置實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見裝置實(shí)施例的部分說明即可。以上對本發(fā)明所提供的一種參考單元閾值電壓的調(diào)整方法、裝置和一種測試系統(tǒng)，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1.一種參考單元閾值電壓的調(diào)整裝置，其特征在于，包括位于非易失存儲器芯片內(nèi)部的控制狀態(tài)機(jī)、編程裝置和校驗(yàn)裝置；其中，所述控制狀態(tài)機(jī)，包括接收模塊，用于接收來自測試機(jī)臺的參考單元信息；及控制模塊，用于根據(jù)所述參考單元信息，控制所述編程裝置和校驗(yàn)裝置工作；所述編程裝置，用于對當(dāng)前參考單元進(jìn)行編程操作；所述校驗(yàn)裝置，用于對當(dāng)前參考單元進(jìn)行校驗(yàn)操作，并將校驗(yàn)結(jié)果反饋給所述控制狀態(tài)機(jī)；所述控制狀態(tài)機(jī)還包括判斷模塊，用于判斷所述校驗(yàn)結(jié)果是否符合預(yù)置條件，若是，則結(jié)束當(dāng)前參考單元的調(diào)整，否則，通知所述控制模塊，對當(dāng)前參考單元繼續(xù)執(zhí)行控制操作。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述編程裝置包括多個第一使能端，所述校驗(yàn)裝置包括多個第二使能端；所述控制模塊，用于根據(jù)所述參考單元信息，通過所述第一使能端控制所述編程裝置工作，以及，通過所述第二使能端控制所述校驗(yàn)裝置工作。
3.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，還包括外部參考輸入通路，用于產(chǎn)生目標(biāo)電流； 所述校驗(yàn)裝置，用于測量當(dāng)前參考單元的電流，判斷該測量電流是否小于所述目標(biāo)電流，并將判斷結(jié)果作為校驗(yàn)結(jié)果反饋給所述控制狀態(tài)機(jī)； 所述預(yù)置條件為，所述校驗(yàn)結(jié)果為真。
4.如權(quán)利要求1或2所述的裝置，其特征在于，所述接收模塊，還用于接收來自測試機(jī)臺的參考單元狀態(tài)查詢信息；所述控制狀態(tài)機(jī)還包括狀態(tài)輸出模塊，用于根據(jù)參考單元狀態(tài)查詢信息，輸出相應(yīng)參考單元的調(diào)整狀態(tài)。
5.如權(quán)利要求4所述的裝置，其特征在于，所述調(diào)整狀態(tài)包括正在操作、操作結(jié)束和操作失敗。
6.一種測試系統(tǒng)，其特征在于，包括測試機(jī)臺，以及前述1至2中任一項(xiàng)所述的參考單元閾值電壓的調(diào)整裝置；其中，所述測試機(jī)臺，用于將非易失存儲器芯片的參考單元信息發(fā)送至所述接收模塊。
7.—種參考單元閾值電壓的調(diào)整方法，其特征在于，所述方法在非易失存儲器芯片內(nèi)部執(zhí)行，包括接收來自測試機(jī)臺的參考單元信息； 根據(jù)所述參考單元信息，產(chǎn)生第一控制信號和第二控制信號； 依據(jù)所述第一控制信號，對當(dāng)前參考單元進(jìn)行編程操作； 依據(jù)所述第二控制信號，對當(dāng)前參考單元進(jìn)行校驗(yàn)操作，得到校驗(yàn)結(jié)果； 判斷所述校驗(yàn)結(jié)果是否符合預(yù)置條件，若是，則當(dāng)前參考單元調(diào)整完畢，否則，對當(dāng)前參考單元繼續(xù)執(zhí)行編程操作。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一控制信號為第一使能信號，以及， 所述第二控制信號為第二使能信號。
9.如權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，還包括接收外部輸入的目標(biāo)電流；所述校驗(yàn)步驟為，測量當(dāng)前參考單元的電流，判斷該測量電流是否小于所述目標(biāo)電流， 以該判斷結(jié)果作為校驗(yàn)結(jié)果；所述預(yù)置條件為，所述校驗(yàn)結(jié)果為真。
10.如權(quán)利要求7或8所述的方法，其特征在于，還包括 接收來自測試機(jī)臺的參考單元狀態(tài)查詢信息；根據(jù)參考單元狀態(tài)查詢信息，輸出相應(yīng)參考單元的調(diào)整狀態(tài)。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述調(diào)整狀態(tài)包括·.正在操作、操作結(jié)束和操作失敗。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種參考單元閾值電壓的調(diào)整方法、裝置和測試系統(tǒng)，其中的方法具體包括位于非易失存儲器芯片內(nèi)部的控制狀態(tài)機(jī)、編程裝置和校驗(yàn)裝置；其中，所述控制狀態(tài)機(jī)，包括接收模塊，用于接收來自測試機(jī)臺的參考單元信息；控制模塊，用于根據(jù)所述參考單元信息，控制所述編程裝置和校驗(yàn)裝置工作；所述編程裝置，用于對當(dāng)前參考單元進(jìn)行編程操作；所述校驗(yàn)裝置，用于對當(dāng)前參考單元進(jìn)行校驗(yàn)操作，并將校驗(yàn)結(jié)果反饋給所述控制狀態(tài)機(jī)；所述控制狀態(tài)機(jī)還包括判斷模塊，用于判斷所述校驗(yàn)結(jié)果是否符合預(yù)置條件，若是，則結(jié)束當(dāng)前調(diào)整，否則，通知所述控制模塊，對當(dāng)前參考單元繼續(xù)執(zhí)行控制操作。本發(fā)明用以降低調(diào)整參考單元閾值電壓的時間。
文檔編號G11C29/56GK102347084SQ20101024448
公開日2012年2月8日 申請日期2010年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月3日
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