專利名稱：電流檢測方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種檢測方法，尤指一種用于一次可編程只讀存儲(chǔ)器的電流檢測方法。
背景技術(shù)：
只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory, ROM)是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器。其內(nèi)所存數(shù)據(jù)，一般是裝入整機(jī)前事先寫好的，整機(jī)工作過程中只能讀出，而不像隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣能快速地、方便地加以改寫。只讀存儲(chǔ)器所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，斷電后所存數(shù)據(jù)也不會(huì)改變，其結(jié)構(gòu)較簡單，讀出較方便，因而常用于存儲(chǔ)各種固定程序和數(shù)據(jù)。一次可編程只讀存儲(chǔ)器(One Time Progarmming ROM, 0TP-R0M)為只讀存儲(chǔ)器中的一種，其只能寫入一次。為了了解存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的情況，有必要提供一種可以檢測出存儲(chǔ)器中是否存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電流檢測方法，而傳統(tǒng)的電流檢測方法往往較復(fù)雜。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種用于一次可編程只讀存儲(chǔ)器的電流檢測方法。一種電流檢測方法，用于檢測一存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)情況，其包括以下步驟一檢測電流輸入端與一基準(zhǔn)電流端分別輸入一電流；—第一開關(guān)元件讀取所述檢測電流輸入端的電流，一第二開關(guān)元件讀取所述基準(zhǔn)電流端的電流；所述第一開關(guān)元件與所述第二開關(guān)元件將讀取的電流轉(zhuǎn)換為電壓，并傳送至一比較器；及所述比較器輸出一用于判斷所述存儲(chǔ)單元中是否存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電壓信號(hào)。相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明電流檢測方法根據(jù)輸出的電平高低來判斷存儲(chǔ)器中是否存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，簡單方便。


圖1為本發(fā)明電流檢測方法較佳實(shí)施方式所使用的電流檢測電路的電路圖。圖2為本發(fā)明電流檢測方法較佳實(shí)施方式的流程圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1，本發(fā)明電流檢測方法較佳實(shí)施方式所使用的一電流檢測電路包括一檢測電流輸入端Idet、一基準(zhǔn)電流端IKEF、一與該檢測電流輸入端Idet相連的第一開關(guān)元件、 一與該基準(zhǔn)電流端Ikef相連的第二開關(guān)元件、一運(yùn)算放大器0ΡΑ、一比較器CMP、一基準(zhǔn)電壓端Vkef、一輸出端Vott及一接地端GND。其中，該檢測電流輸入端Idet與一存儲(chǔ)器的一存儲(chǔ)單元相連接。在本實(shí)施方式中，該第一開關(guān)元件為一第一場效應(yīng)管Μ1，該第二開關(guān)元件為一第二場效應(yīng)管M2，且第一場效應(yīng)管Ml及第二場效應(yīng)管M2均為N型場效應(yīng)管(NMOQ。在其他實(shí)施方式中，開關(guān)元件可根據(jù)需要變更為能夠?qū)崿F(xiàn)同樣功能的其它開關(guān)元件或電路。該電流檢測電路的具體連接關(guān)系如下該檢測電流輸入端Idet與該第一場效應(yīng)管 Ml的漏極、該運(yùn)算放大器OPA的一正相輸入端及該比較器CMP的一反相輸入端相連，該基準(zhǔn)電流端Ikef與該第二場效應(yīng)管M2的漏極及該比較器CMP的一正相輸入端相連。該第一場效應(yīng)管Ml與該第二場效應(yīng)管M2的源級(jí)共同連接該接地端GND。該運(yùn)算放大器OPA的一反相輸入端連接該基準(zhǔn)電壓端Vkef，該運(yùn)算放大器OPA的一輸出端連接該第一場效應(yīng)管Ml與該第二場效應(yīng)管M2的柵極。該比較器CMP的一輸出端連接該輸出端VQUT。該運(yùn)算放大器OPA使得該第一場效應(yīng)管Ml的漏極電壓與該基準(zhǔn)電壓端Vkef的電壓相等，為存儲(chǔ)單元提供了一個(gè)合適的電壓偏置，同時(shí)該運(yùn)算放大器OPA的輸出端連接該第一場效應(yīng)管Ml與該第二場效應(yīng)管M2的柵極，使得第一場效應(yīng)管Ml與第二場效應(yīng)管M2成為鏡像關(guān)系，為第一場效應(yīng)管Ml與第二場效應(yīng)管M2提供了合適的電壓偏置。該第一場效應(yīng)管Ml用于讀取該檢測電流輸入端Idet的電流大小，該第二場效應(yīng)管M2用于讀取該基準(zhǔn)電流端Ikef的電流大小。當(dāng)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)有數(shù)據(jù)時(shí)，則該檢測電流輸入端Idet的電流大小將大于該基準(zhǔn)電流端Ikef的電流大??；當(dāng)存儲(chǔ)單元中沒有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，則該檢測電流輸入端Idet 將無電流流過或該檢測電流輸入端Idet的電流大小小于該基準(zhǔn)電流端Ikef的電流大小。請(qǐng)參閱圖2，本發(fā)明電流檢測方法較佳實(shí)施方式包括以下步驟步驟一該檢測電流輸入端Idet與該基準(zhǔn)電流端Ikef分別輸入一電流。步驟二 該第一場效應(yīng)管Ml讀取該檢測電流輸入端Idet的電流大小，且該第二場效應(yīng)管M2讀取該基準(zhǔn)電流端Ikef的電流大小。步驟三該第一場效應(yīng)管Ml將讀取到的電流值轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的電壓值傳送至該比較器CMP的反相輸入端，該第二場效應(yīng)管M2將讀取到的電流值轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的電壓值傳送至該比較器CMP的正相輸入端。步驟四該比較器CMP輸出一用于判斷存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元中是否存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電壓信號(hào)；當(dāng)該第一場效應(yīng)管Ml與該第二場效應(yīng)管M2讀取到該檢測電流輸入端Idet的電流大小大于該基準(zhǔn)電流端Ikef的電流大小時(shí)，則該比較器CMP的反相輸入端的電壓大于正相輸入端的電壓，從而使得該比較器CMP的輸出端輸出一低電平電壓至該輸出端Vott，從而證明存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)有數(shù)據(jù)；當(dāng)該第一場效應(yīng)管Ml與該第二場效應(yīng)管M2讀取到該檢測電流輸入端Idet的電流大小小于該基準(zhǔn)電流端Ikef的電流大小時(shí)，則該比較器CMP的反相輸入端的電壓小于正相輸入端的電壓，從而使得該比較器CMP的輸出端輸出一高電平電壓至該輸出端VOT，從而證明存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元中沒有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。該電流檢測方法根據(jù)輸出端Vot輸出的電平高低來檢測存儲(chǔ)器中是否存儲(chǔ)數(shù)據(jù)， 檢測速度較快、功耗較低，且簡單方便。
權(quán)利要求
1.一種電流檢測方法，用于檢測一存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)情況，其包括以下步驟一檢測電流輸入端與一基準(zhǔn)電流端分別輸入一電流；一第一開關(guān)元件讀取所述檢測電流輸入端的電流，一第二開關(guān)元件讀取所述基準(zhǔn)電流端的電流；所述第一開關(guān)元件與所述第二開關(guān)元件將讀取的電流轉(zhuǎn)換為電壓，并傳送至一比較器；及所述比較器輸出一用于判斷所述存儲(chǔ)單元中是否存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電壓信號(hào)。
2.如權(quán)利要求1所述的電流檢測方法，其特征在于所述第一開關(guān)元件為一第一場效應(yīng)管，所述第二開關(guān)元件為一第二場效應(yīng)管。
3.如權(quán)利要求2所述的電流檢測方法，其特征在于所述第一場效應(yīng)管的漏極連接所述檢測電流輸入端，所述第二場效應(yīng)管的漏極連接所述基準(zhǔn)電流端，所述第一場效應(yīng)管與所述第二場效應(yīng)管的柵極共同連接一運(yùn)算放大器，所述第一場效應(yīng)管與所述第二場效應(yīng)管的源極共同連接一接地端。
4.如權(quán)利要求3所述的電流檢測方法，其特征在于所述運(yùn)算放大器的一反相輸入端連接一基準(zhǔn)電壓端，所述運(yùn)算放大器的一正相輸入端及所述第一場效應(yīng)管的漏極共同連接所述檢測電流輸入端，所述運(yùn)算放大器的一輸出端連接所述第一場效應(yīng)管與所述第二場效應(yīng)管的柵極。
5.如權(quán)利要求4所述的電流檢測方法，其特征在于所述比較器的一反相輸入端、所述第一場效應(yīng)管的漏極及所述運(yùn)算放大器的正相輸入端共同連接所述檢測電流輸入端，所述比較器的一正相輸入端及所述第二場效應(yīng)管的漏極共同連接所述基準(zhǔn)電流端。
6.如權(quán)利要求5所述的電流檢測方法，其特征在于所述第一場效應(yīng)管將讀取到的電流轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的電壓值傳送至所述比較器的反相輸入端，所述第二場效應(yīng)管將讀取到的電流轉(zhuǎn)換為對(duì)應(yīng)的電壓值傳送至所述比較器的正相輸入端。
7.如權(quán)利要求6所述的電流檢測方法，其特征在于當(dāng)所述第一場效應(yīng)管與所述第二場效應(yīng)管讀取到所述檢測電流輸入端的電流大小大于所述基準(zhǔn)電流端的電流大小時(shí)，所述比較器的反相輸入端的電壓大于正相輸入端的電壓，所述比較器的輸出端輸出一低電平電壓信號(hào)，則所述存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)有數(shù)據(jù)。
8.如權(quán)利要求6所述的電流檢測方法，其特征在于當(dāng)所述第一場效應(yīng)管與所述第二場效應(yīng)管讀取到所述檢測電流輸入端的電流大小小于所述基準(zhǔn)電流端的電流大小時(shí)，所述比較器的反相輸入端的電壓小于正相輸入端的電壓，所述比較器的輸出端輸出一高電平電壓信號(hào)，則所述存儲(chǔ)單元中沒有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
全文摘要
一種電流檢測方法，用于檢測一存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)情況，其包括以下步驟一檢測電流輸入端與一基準(zhǔn)電流端分別輸入一電流；一第一開關(guān)元件讀取所述檢測電流輸入端的電流，一第二開關(guān)元件讀取所述基準(zhǔn)電流端的電流；所述第一開關(guān)元件與所述第二開關(guān)元件將讀取的電流轉(zhuǎn)換為電壓，并傳送至一比較器；及所述比較器輸出一用于判斷所述存儲(chǔ)單元中是否存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電壓信號(hào)。該電流檢測方法檢測速度較快、功耗較低，且簡單方便。
文檔編號(hào)G11C29/50GK102314951SQ201010213788
公開日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者何忠波 申請(qǐng)人:四川和芯微電子股份有限公司