專(zhuān)利名稱(chēng)：光盤(pán)記錄介質(zhì)制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光盤(pán)記錄介質(zhì)制造方法，具體地，用這種方法 廉價(jià)地制造光盤(pán)記錄介質(zhì)，特別是包括多個(gè)記錄層的光盤(pán)記錄介 質(zhì)，其中通過(guò)使用凹坑將信息記錄在記錄層上。
背景技術(shù)：
近來(lái)，隨著個(gè)人計(jì)算機(jī)的普及、地上數(shù)字廣播的開(kāi)始和普及、 以及對(duì)普通家庭的高清電4見(jiàn)普及的加快，需要一種可以記錄大量信 息的光盤(pán)記錄介質(zhì)(一種光學(xué)信息記錄系統(tǒng))。因此，需要增大光 盤(pán)記錄介質(zhì)的記錄密度。光盤(pán)記錄介質(zhì)是通過(guò)在基板上形成記錄層而形成的，其中，例 如，在記錄層中堆疊了記錄膜、介電層等。此外，從光盤(pán)記錄介質(zhì) 讀取信息信號(hào)或者將信息信號(hào)寫(xiě)入光盤(pán)記錄介質(zhì)是通過(guò)用激光束 照射包括記錄膜的記錄層來(lái)執(zhí)行的?？梢酝ㄟ^(guò)減小聚焦在記錄膜上的光點(diǎn)直徑來(lái)4丸行光盤(pán)i己錄介 質(zhì)的記錄密度的增大。光點(diǎn)直徑受到光源的波長(zhǎng)(人)和物4竟的數(shù)值孔徑(NA)的限制，并且與X/2NA成比例。為了實(shí)現(xiàn)光盤(pán)記錄介質(zhì)的記錄密度的增大，需要減小待照射的 激光束的波長(zhǎng)并且增大物鏡的NA。關(guān)于波長(zhǎng)，波長(zhǎng)已/人用于CD (第一代光盤(pán)記錄介質(zhì))的830 nm減小到用于DVD(數(shù)字通用盤(pán))4的650 nm。另外，關(guān)于NA,已實(shí)現(xiàn)NA從用于CD (第 一代光盤(pán) 記錄介質(zhì))的約0.45增大到用于DVD的0.60。另外，近來(lái)，實(shí)際上已使用了將具有405 nm波長(zhǎng)的藍(lán)激光用 作光源以及NA增大到0.85的光盤(pán)系統(tǒng)(藍(lán)光盤(pán)(Blu-ray Disk ): 注冊(cè)商標(biāo)，下文中稱(chēng)BD)。該BD是采用通過(guò)減小光點(diǎn)直徑而增大記錄密度的技術(shù)、以及 形成多個(gè)記錄層的技術(shù)(用于進(jìn)一步增大密度的技術(shù))的光盤(pán)記錄介質(zhì)。例如，用作具有大容量的光盤(pán)記錄介質(zhì)的BD是通過(guò)在具有1.1 mm厚度的基板上所設(shè)置的凸部和凹部上堆疊金屬薄膜、介電膜等 并且i殳置具有約0.1 mm厚度的保護(hù)層來(lái)構(gòu)造的。例如，具有多個(gè)記錄層并且稱(chēng)為BD的光盤(pán)i己錄介質(zhì)的制造方 法描述于以下的專(zhuān)利文獻(xiàn)1中，而通常如下來(lái)4丸4亍。作為實(shí)例，將參考圖15描述包括兩個(gè)i己錄層的光盤(pán)i己錄介質(zhì)的制造方法。首先，如圖15A所示，在形成樹(shù)脂基板200上形成金屬薄膜、 可以用于執(zhí)行熱記錄的薄膜材料和其他膜，其中，形成樹(shù)脂基板具 有約1.1 mm的厚度并且在其表面上具有凹凸圖樣，凹凸圖樣用作 凹坑和預(yù)刻槽，乂人而形成第一記錄層LO。接下來(lái)，如圖15B所示，在形成樹(shù)脂基板200上所設(shè)置的第一 記錄層LO上形成分離相鄰的記錄層并且具有從幾孩i米到幾十孩史米 范圍的厚度的間隔層201。該間隔層201例如由紫外線固化樹(shù)脂構(gòu) 成。然后，將在其表面上具有凹坑、預(yù)刻槽等凹凸圖樣的透明壓才莫203按壓到間隔層201上。通過(guò)用來(lái)自透明壓模203的上表面的紫 外光進(jìn)行照射來(lái)使間隔層201固化。因此，如圖15C所示，將凹坑 禾口予貞刻沖曹的凹凸圖才羊201a專(zhuān)爭(zhēng)印至'J間隔層201上。
然后，如圖15D所示，在轉(zhuǎn)印至間隔層201上的凹坑和預(yù)刻槽 的凹凸圖樣201a上形成對(duì)用于記錄和/或再生的激光束的波長(zhǎng)具有 預(yù)定透射率的金屬薄膜、或者可以用于執(zhí)行熱記錄的薄膜材料，從 而形成第二記錄層Ll。
此外，最后，如圖15E所示，在第二記錄層Ll上形成^f呆護(hù)該 第二記錄層L1的保護(hù)層202。
包括兩個(gè)記錄層的光盤(pán)記錄介質(zhì)是通過(guò)上述的多個(gè)步艱《形成的。
在通過(guò)形成兩個(gè)以上記錄層來(lái)實(shí)現(xiàn)多層結(jié)構(gòu)的情況下，如(例 如)以下的專(zhuān)利文獻(xiàn)2所述，這種多層結(jié)構(gòu)可以通過(guò)多次重復(fù)形成 第二記錄層的上述步艱《以考慮在信號(hào)的記錄和/或再生期間的層間 串4無(wú)而順序堆疊多個(gè)i己錄層而形成的。
對(duì)于如上述構(gòu)造的這種多層的光盤(pán)記錄介質(zhì)，為了降<氐由于盤(pán) 傾斜而引起的信號(hào)劣化的影響，需要所堆疊的記錄層被形成在0.1 mm的范圍內(nèi)。此外，在具有兩個(gè)記錄層的光盤(pán)記錄介質(zhì)中，第一 記錄層LO和第二記錄層Ll之間形成有具有乂人幾樣i米到幾十孩吏米范 圍內(nèi)的厚度的間隔物，并且其上i殳置有透光4呆護(hù)層202。
此外，需要具有多個(gè)記錄層的光盤(pán)記錄介質(zhì)可以執(zhí)行從形成樹(shù) 脂基板20的最內(nèi)周到最外周的均勻記錄和讀取。因此，需要在第 一記錄層LO和第二i己錄層Ll之間所i殳置的間隔層201具有均一的光學(xué)特性和均一的物理形狀。同時(shí)，需要廉價(jià)的光盤(pán)記錄介質(zhì)的
制造方法。
此外，對(duì)于這些光盤(pán)記錄介質(zhì)，對(duì)長(zhǎng)期存儲(chǔ)的應(yīng)用是其^f吏用的 一個(gè)重要目的，并且因而需要所記錄的信息一皮長(zhǎng)時(shí)期地保持。因此， 需要即使在高溫、高濕度環(huán)境或者在低溫環(huán)境下仍可以保持良好記 錄特性的多層結(jié)構(gòu)。
現(xiàn)有纟支術(shù)文獻(xiàn)
專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)第2003-22586號(hào) 專(zhuān)利文獻(xiàn)2:曰本未審查專(zhuān)利申請(qǐng)/>開(kāi)第2007-257759號(hào)

發(fā)明內(nèi)容
同時(shí)，上述的在其表面上具有凹坑、預(yù)刻槽等的凹凸圖樣的透 明壓模203(圖15B)(其用于傳統(tǒng)的包括兩個(gè)記錄層的光盤(pán)記錄介 質(zhì)的制造方法中)在許多情況下由透明樹(shù)脂構(gòu)成。對(duì)于包括兩個(gè)記 錄層的光盤(pán)記錄介質(zhì)，4吏用一個(gè)透明壓才莫。對(duì)于形成有數(shù)量為n的 記錄層的光盤(pán)記錄介質(zhì)，4吏用(n-l)個(gè)透明壓才莫。此外，這些透 明壓模不能被再次使用。因此，在傳統(tǒng)的壓才莫處理中，增加了成本。 因此，在制造廉價(jià)光盤(pán)記錄介質(zhì)的過(guò)程中，需要改進(jìn)壓模處理。
鑒于上述^L點(diǎn)，本發(fā)明的目的在于才是供一種可以制造廉^f介光盤(pán) 記錄介質(zhì)的光盤(pán)記錄介質(zhì)制造方法。
為了解決上述問(wèn)題和實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的，在本發(fā)明的光盤(pán)記錄 介質(zhì)制造方法中，制備轉(zhuǎn)印基板，并且在轉(zhuǎn)印基板上形成紫外線固 化樹(shù)脂層。然后，通過(guò)在從轉(zhuǎn)印基板側(cè)執(zhí)^f于紫外線照射的同時(shí)將具 有所需凹凸圖樣的鎳壓模按壓到紫外線固化樹(shù)脂層上，在紫外線固化樹(shù)脂層上形成凹凸圖樣。然后，在其上形成有凹凸圖樣的紫外線 固化樹(shù)脂層上形成記錄層。
此外，在先前步驟中形成的記錄層上形成紫外線固化樹(shù)脂層， 并且接下來(lái)在壓力下將具有所需凹凸圖樣的鎳壓才莫按壓到紫外線 固化樹(shù)脂層上。同時(shí)，從轉(zhuǎn)印基板側(cè)執(zhí)行紫外線照射。從而，在紫 外線固化樹(shù)脂層上形成凹凸圖樣。然后，在其上形成有凹凸圖才羊的 紫外線固化樹(shù)脂層上形成另一個(gè)記錄層，另一個(gè)記錄層具有比在先 前步驟中形成的記錄層的透光率更低的透光率。
此外，通過(guò)根據(jù)需要多次重復(fù)形成另一個(gè)記錄層的步驟，依次 形成均具有比在先前步驟中形成的記錄層的透光率更低的透光率 的^己錄層。
另外，制備形成基板，并且將包括多個(gè)記錄層并且在轉(zhuǎn)印基板 上形成的堆疊膜轉(zhuǎn)印至形成基板。在轉(zhuǎn)印了堆疊膜的形成基板上形 成覆蓋堆疊膜的硬涂布層。通過(guò)這些步驟制造了本發(fā)明的光盤(pán)記錄介質(zhì)。
在本發(fā)明的光盤(pán)記錄介質(zhì)制造方法中，以透光率遞減的順序在 轉(zhuǎn)印基板側(cè)上形成多個(gè)記錄層。因此，即使從轉(zhuǎn)印基板的背面?zhèn)葋?lái) 執(zhí)行紫外光的照射，仍可以有效固化紫外線固化樹(shù)脂層。此外，由 于使用了鎳壓模，所以該壓?？梢栽趬翰拍幚碇斜恢貜?fù)使用。
根據(jù)本發(fā)明，包括多個(gè)記錄層的光盤(pán)記錄介質(zhì)可以用來(lái)自其結(jié) 構(gòu)的高透射率側(cè)的紫外光來(lái)固化。因此，記錄層的設(shè)計(jì)自由度很大， 并且可以以良好的工藝一致性來(lái)廉〗介地制造光盤(pán)記錄介質(zhì)。
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圖1是在本發(fā)明的第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中形成 的光盤(pán)記錄介質(zhì)的相關(guān)部分的截面結(jié)構(gòu)的示意圖(部分1 )。圖2是在本發(fā)明的第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式中形成 的光盤(pán)記錄介質(zhì)的相關(guān)部分的截面結(jié)構(gòu)的示意圖(部分2 )。 A、 B和C是4艮據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光盤(pán)i己錄介 質(zhì)的制造處理示圖(部分l)。 D、E和F是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光盤(pán)記錄介質(zhì) 的制造處理示圖(部分2)。 G、 H和I是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光盤(pán)記錄介質(zhì) 的制造處理示圖(部分3)。 J、 K和L是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光盤(pán)記錄介質(zhì) 的制造處理示圖(部分4)。 M是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光盤(pán)記錄介質(zhì)的制造 處理示圖(部分5)。 N是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光盤(pán)記錄介質(zhì)的制造 處理示圖(部分6)。 O、 P和Q是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光盤(pán)記錄介 質(zhì)的制造處理示圖(部分7)。 R、 S和T是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光盤(pán)記錄介 質(zhì)的制造處理示圖(部分8)。[圖11]圖11是在本發(fā)明的第一實(shí)施方式的實(shí)例中所使用的按 壓葉片的平面結(jié)構(gòu)示意圖。圖12是沿圖11所示的^t要壓葉片的線A-A截取的截面
結(jié)構(gòu)示圖。A是示出了 BD的典型標(biāo)準(zhǔn)的平面結(jié)構(gòu)示意圖，而B(niǎo)是 沿平面結(jié)構(gòu)示意圖的線A-A截耳又的截面結(jié)構(gòu)示圖。 A和B是4艮據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的光盤(pán)記錄介質(zhì)的 制造處理示圖。 A至E是現(xiàn)有實(shí)例中的光盤(pán)記錄介質(zhì)的制造處理示意圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參考圖1至14描述本發(fā)明的每個(gè)實(shí)施方式。 [第一實(shí)施方式]
圖1示出了在本發(fā)明的第一實(shí)施方式中形成的光盤(pán)記錄介質(zhì)的 相關(guān)部分的截面結(jié)構(gòu)示意圖。在本實(shí)施方式中形成的光盤(pán)記錄介質(zhì) 是包括四個(gè)記錄層的光盤(pán)記錄介質(zhì)。圖1示出了在具有1.1 mm厚 度和約120 mm的外徑的盤(pán)狀的形成樹(shù)脂基板1上設(shè)置四個(gè)記錄層 的光盤(pán)記錄介質(zhì)的截面的 一部分。
將參考圖1描述其結(jié)構(gòu)。
本實(shí)施方式的實(shí)例的光盤(pán)記錄介質(zhì)是通過(guò)在具有1.1 mm厚度 的由樹(shù)脂構(gòu)成的形成基板(下文中，形成杉于脂基才反)1上依次堆疊 10第一記錄層LO、間隔層51、第二記錄層L1、間隔層52、第三i己錄層L2、間隔層53、第四記錄層L3、覆蓋層61和石更涂布層71。
此外，圖2更詳細(xì)地示出了圖1中所示的光盤(pán)記錄介質(zhì)的截面結(jié)構(gòu)。
第一記錄層LO是通過(guò)從形成樹(shù)脂基板1側(cè)堆疊反射膜12、第一介電膜13、記錄膜14和第二介電膜15構(gòu)造的。
第二記錄層Ll是通過(guò)從形成樹(shù)脂基板1側(cè)堆疊反射膜22、第一介電膜23、記錄膜24和第二介電膜25構(gòu)造的。
第三記錄層L2是通過(guò)/人形成樹(shù)脂基^反1側(cè)堆疊反射力莫32、第一介電膜33、記錄膜34和第二介電膜35構(gòu)造的。
第四記錄層L3是通過(guò)從形成樹(shù)脂基板1側(cè)堆疊反射膜42、第一介電膜43、記錄膜44和第二介電膜45構(gòu)造的。
此處，記錄膜14、 24、 34和44是由一次寫(xiě)入相變材泮牛構(gòu)成的記錄膜并且被設(shè)計(jì)以使在讀取期間從各個(gè)層輸出的信號(hào)強(qiáng)度彼此相等。
即，在本實(shí)施方式的實(shí)例的光盤(pán)記錄介質(zhì)中的第一記錄層LO至第四i己錄層L3的透光率的大小關(guān)系是LO < Ll < L2 < L3。
在第一記錄層LO至第四i己錄層L3中分別4吏用的第一和第二介電月莫13、 15、 23、 25、 33、 35、 43和45中的每個(gè)的厚度4尤選;也在3 nm至100 nm的范圍內(nèi)并且是考慮光學(xué)特性和熱特性而確定的。
作為第一和第二介電膜13、 15、 23、 25、 33、 35、 43和45中
的每個(gè)的材料，
ii的材料是優(yōu)選的。具體地說(shuō)，消光系數(shù)K的值在0.2以下的材料是優(yōu)選的。這種材料的實(shí)例包括ZnS-Si02混合物(優(yōu)選地，4:1的摩爾比)。除了 ZnS-Si02混合物外，還可以使用已用作光盤(pán)記錄介質(zhì)的介電膜材料的已知材料。
可以使用的第一和第二介電膜13、 15、 23、 25、 33、 35、 43
和45中的每個(gè)的材泮牛實(shí)例包括，諸如Al、 Si、 Ta、 Ti、 Zr、 Nb、 Mg、B、 Zn、 Pb、 Ca、 La或Ge的金屬、半金屬等元素的氮化物、氧化物、碳化物、氟化物、硫化物、硝基氧化物、硝基碳化物和碳氧化物；以及包含這些材料中的任意作為主要成分的材料。優(yōu)選地，可以4吏用A1NX (0.5 S X S 1)、 A1N、 A1202.X (0《X S 1)、 A1203、 Si3N4—x(0SXS1)、 Si3N4-X、 SiOx (12X^2)、 Si02、 SiO、 MgO、 Y203、MgAl204、 TiOx("XS2)、 Ti02、 BaTi03、 StTi04、 Ta205—x (0 S XS 1)、 Ta205、 GeOx (1SXS2)、 SiC、 ZnS、 PbS、 Ge-N、 Ge-N畫(huà)O、Si-N-O、 CaF2、 LaF、 MgF2、 NaF、 ThF4等。
在第一記錄層L0至第四記錄層L3中分別4吏用的記錄膜14、24、 34和44中的每個(gè)的厚度優(yōu)選地在5 nm至30 nm的范圍內(nèi)，并且侈'B口為約15 nm。 4乍為i己錄月莫14、 24、 34和44中的每個(gè)的才才詳牛，可以使用通過(guò)激光束的照射會(huì)引起不可逆的狀態(tài)改變的相變材料。作為這種材一牛，例如可以使用石克屬元素化合物、石危屬元素單質(zhì)等。作為石克屬元素化合物，例如可以使用Sb和Te的共晶材料。優(yōu)選地，可以Y吏用添加了諸如Ge的添加元素的Sb和Te的共晶材^K
其實(shí)例包4舌包含Ge-Sb-Te、 Sb-Te、 In-Sb-Te、 Ag-In-Sb畫(huà)Te、
Au-In-Sb-Te、 Ge-Sb-Te-Pd、 Ge-Sb-Te-Se、 Ge畫(huà)Sb-Te-Bi、 Ge畫(huà)Sb-Te-Co
或Ge-Sb-Te-Au的材料；以及在這些材料中引入諸如氮?dú)饣蜓鯕獾臍怏w添力o劑的才才泮牛。
12當(dāng)向^己錄月莫14、 24、 34和44加入添加元素時(shí)，可以4是高i者如可靠性的特性，而信號(hào)特性可能劣化?？紤]到這點(diǎn)，添加元素在記錄膜14、 24、 34和44中的量?jī)?yōu)選地為IO原子百分比以下。
在第一記錄層LO至第四記錄層L3中分別使用的反射膜12、22、 32和42中的每個(gè)的厚度優(yōu)選地為3 nm以上，并且更Y尤選地，在5 nm至60 nm的范圍內(nèi)。
作為反射膜12、 22、 32和42中的每個(gè)的材料，例如，可以使用金屬或半金屬。優(yōu)選地考慮反射能力(reflective power)和熱傳導(dǎo)性來(lái)選擇反射膜12、 22、 32和42中的每個(gè)的材料。其實(shí)例包括在用于讀取和/或再生的激光束的波長(zhǎng)處具有反射能力并且具有在0.0004 [J/(cm'K's)]至4.5 [J/(cm'K's)]的范圍內(nèi)的熱傳導(dǎo)性的金屬和半金屬元素、以及它們的^f匕合物禾口〉'昆合物。
反射膜12、 22、 32和42中的每個(gè)的材料的具體實(shí)例包括諸如Al、 Ag、 Au、 Ni、 Cr、 Ti、 Pd、 Co、 Si、 Ta、 W、 Mo和Ge的元素；以及包含這些元素中的任意作為主要成分的合金。特別地，在它們中，Al系材料、Ag系材料、Au系材料、Si系材料和Ge系材料在實(shí)用性方面是優(yōu)選地。作為合金，例如，適當(dāng)?shù)?使用Al-Ti、A1-Cr、 Al-Cu、 Al-Mg畫(huà)Si、 Ag-Pd-Cu、 Ag-PdTi、 Si-B等。
優(yōu)選地，考慮光學(xué)特性和熱特性而從這些材料中確定材料。例如，考慮到材料即使在短波長(zhǎng)區(qū)域仍具有高反射率這點(diǎn)，優(yōu)選地使用Al系或Ag系材料。通常，當(dāng)反射膜12、 22、 32和42中的每個(gè)的厚度被確定為光不透過(guò)的厚度(例如，50nm以上)時(shí)，反射率會(huì)增大并且熱很容易散逸。通過(guò)將反射膜12、 22、 32和42中的每個(gè)的厚度確定為適當(dāng)厚度，例如約10nm,可以在提高透射率的同時(shí)確^呆熱散逸。此外，反射膜12、 22、 32和42中的每個(gè)的結(jié)構(gòu)并不限于單層結(jié)構(gòu)。例如，該結(jié)構(gòu)可以是堆疊了由金屬或半金屬構(gòu)成的兩個(gè)層(反射層)的堆疊結(jié)構(gòu)。此外，該結(jié)構(gòu)可以是包括兩個(gè)以上層的多層結(jié)構(gòu)。因此，易于^M亍光學(xué)i殳計(jì)，并且還易于實(shí)5見(jiàn)與熱特性的平4軒。應(yīng)注意，可在介電層和反射層之間設(shè)置由SiN膜等構(gòu)成的阻擋層。
通過(guò)用旋涂法旋轉(zhuǎn)地涂覆具有紫外光敏性的透光材料(下文中稱(chēng)為紫外線固化樹(shù)脂)(這形成了光盤(pán)記錄介質(zhì)的多層結(jié)構(gòu))、并通過(guò)紫外光的照射固化透光材:纖來(lái)配置間隔層51、52和53中的每個(gè)。當(dāng)在多層的光盤(pán)記錄介質(zhì)上執(zhí)行信息信號(hào)的記錄和/或從多層的光盤(pán)記錄介質(zhì)執(zhí)行信息信號(hào)的再生時(shí)，為抑制層間串?dāng)_而確定這些間隔的配置和膜厚度。
為保護(hù)光盤(pán)記錄介質(zhì)而形成覆蓋層61。例如，通過(guò)使激光束在用于通過(guò)覆蓋層61記錄信息信號(hào)的記錄層上聚焦來(lái)執(zhí)行信息信號(hào)的記錄和/或再生。作為覆蓋層61,例如可以使用紫外線固化樹(shù)脂、紫外線固化樹(shù)脂與聚碳酸酯片、或粘合層與聚碳酸酯片。在多層的光盤(pán)記錄介質(zhì)中，覆蓋層61被設(shè)置在具有l(wèi).lmm厚度的形成樹(shù)脂基板1上，4吏得覆蓋層61和多層記錄層的總厚度為100 nm。
與在覆蓋層61中一樣，使用石更涂布層71以保護(hù)光盤(pán)記錄介質(zhì)免于枳4戒沖擊和刮纟察，并且此外，以保護(hù)信息信號(hào)的記錄和/或再生質(zhì)量免于用戶(hù)在才喿作期間的指紋的粘附。作為石更涂布層71,可以佳:用諸如其中加入微細(xì)二氧化硅顆粒以提高機(jī)械強(qiáng)度的紫外線固化
樹(shù)脂、溶劑型紫外線固化樹(shù)脂、或非溶劑型紫外線固化樹(shù)脂的紫外線固化樹(shù)脂。硬涂布層71具有1」微米至幾孩i米范圍的厚度，以具有機(jī)械強(qiáng)度并且防范了諸如指紋的油脂。
將參考圖3至圖13來(lái)描述根據(jù)本實(shí)施方式的實(shí)例的光盤(pán)記錄介質(zhì)制造方法。首先，如圖3A所示，制備了由樹(shù)脂構(gòu)成的轉(zhuǎn)印基板(下文中稱(chēng)為轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板)10。該轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10可以是由透光樹(shù)脂(諸如聚碳酸酉旨、ZEONOR或ZEONEX)構(gòu)成的基^反，并且例如是通過(guò)注射成型形成的。轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基^反10具有0.5 mm至1.1 mm的厚度并且具有盤(pán)的形狀(具有約())120mm的直徑)。此外，具有約(M5mm的直徑的中心孔2被設(shè)置在轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的中心部。
然后，如圖3B所示，將轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10放在旋涂裝置中，并且通過(guò)旋涂法在轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10上涂覆紫外線固化樹(shù)脂以形成覆蓋層61。在旋涂法中，轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板IO被放在旋涂裝置的旋轉(zhuǎn)臺(tái)(未示出)上。然后，將所需的涂覆液從分配器提供至轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10上。通過(guò)4吏旋轉(zhuǎn)部高速旋轉(zhuǎn)，涂覆液均勻散布在轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基一反IO上以形成所需月莫。
在本實(shí)施方式的實(shí)例中，當(dāng)轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的中心部被定義為原點(diǎn)時(shí)，通過(guò)分配器向半徑為15 mm的位置提供適當(dāng)量的紫外線固化樹(shù)脂。在這個(gè)步驟中，旋涂裝置的旋轉(zhuǎn)部在紫外線固化樹(shù)脂的提供期間以60 rpm的低速旋轉(zhuǎn)。紫外線固化樹(shù)脂的提供在5至10秒之后完成，并且旋轉(zhuǎn)部的^走轉(zhuǎn)加速到3,000 rpm并且在5秒后葉亭止。然后，將其上涂覆有紫外線固化樹(shù)脂的轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10帶到UV曝光部，并且使用閃光燈從轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的背面?zhèn)扔肬V來(lái)照射轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板IO。最后，紫外線固化樹(shù)脂被固化并形成膜，作為覆蓋層61。
接下來(lái)，如圖3C所示，為了沉積第四記錄層L3，在轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10上形成用于形成具有凹坑和預(yù)刻槽的凹凸圖樣的樹(shù)脂層。第四記錄層L3是在本實(shí)施方式的實(shí)例中沉積的記錄層中具有最高
透光率的層。作為用于形成凹凸圖樣的樹(shù)脂層，可以照原樣4吏用覆蓋層61或者可以額外形成用于間隔層的紫外線固化樹(shù)脂的另 一個(gè)膜。在圖3C所示的實(shí)例的情況下，使用用于間隔層的紫外線固化樹(shù)脂，并且在覆蓋層61的上表面上形成間隔層61a。為了形成這個(gè)間隔層61a，通過(guò)旋涂法涂覆紫外線固化樹(shù)脂來(lái)形成膜。當(dāng)轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的中心部被定義為原點(diǎn)時(shí)，通過(guò)分配器向15 mm半徑的位置摘二供適當(dāng)量的紫外線固化樹(shù)脂。在這個(gè)步驟中，旋涂裝置的旋轉(zhuǎn)部在紫外線固化樹(shù)月旨的提供期間以(例如)60 rpm的低速旋轉(zhuǎn)。例如，紫外線固化樹(shù)脂的提供在5至10秒之后完成，并且旋轉(zhuǎn)部加速到8,000 rpm并且在5秒之后停止。從而，紫外線固化樹(shù)脂被涂覆為具有所需厚度。
應(yīng)注意，在圖3C所示的截面結(jié)構(gòu)示意圖中，間隔層61a的厚度在圖中大于覆蓋層61的厚度。然而，實(shí)際上，間隔層61a^皮形成為具有1 )am至3 fim范圍的厚度，而覆蓋層61的厚度為約55 )iim。
然后，將轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10帶到裝配有鎳壓模(其具有所需凹凸圖樣)的轉(zhuǎn)印部。接下來(lái)，在轉(zhuǎn)印部中，將鎳壓模按壓到覆蓋層61上，或者在本實(shí)施方式的實(shí)例中，4要壓到形成在覆蓋層61上的紫外線固化樹(shù)脂(間隔層61a)上。同時(shí)，使用閃光燈在轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的背面?zhèn)扔肬V來(lái)照射轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10。從而，如圖4D所示，形成具有凹凸圖才羊3a的間隔層61a。
接下來(lái)，如圖4E所示，將在間隔層61a上設(shè)置凹凸圖樣3a的轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基才反10帶到濺射裝置，并且沉積第四記錄層L3。在本實(shí)施方式的實(shí)例中，第四記錄層L3是在本實(shí)施方式的實(shí)例中沉積的記錄層中具有最高透光率的層。如圖2所示，第四記錄層L3的沉積以第二介電膜45、記錄膜44、第一介電膜43和反射膜42的順序在真空中連續(xù)沖丸行。因此，第四記錄層L3是由這些堆疊膜形成的。此外，在本濺射方法中，使用掩模在所需位置沉積第二介電膜45、記錄膜44、第一介電膜43和反射膜42，并且它們例如形成在 距中心部40 mm直徑和118 mm直徑之間的區(qū)i或中。
接下來(lái)，如圖4F所示，為了在樹(shù)脂層上形成具有凹坑和預(yù)刻 槽的凹凸圖樣，通過(guò)向第四記錄層L3上涂覆紫外線固化樹(shù)脂來(lái)形 成間隔層53。為了形成間隔層53,通過(guò)旋涂法涂覆紫外線固化樹(shù) 脂以形成膜。當(dāng)將轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的中心部定義為原點(diǎn)時(shí)，通過(guò) 分配器向轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的15 mm半徑的位置提供適當(dāng)量的紫外 線固化樹(shù)脂。在這個(gè)步驟中，旋涂裝置的旋轉(zhuǎn)部在紫外線固化樹(shù)脂 的提供期間以例如60rpm的低速旋轉(zhuǎn)。例如，紫外線固化樹(shù)脂的提 供在5至10秒之后完成，并JUt轉(zhuǎn)部加速到4,000 rpm并且在5秒 后停止。從而，紫外線固化樹(shù)脂4皮涂覆為具有所需厚度。
接下來(lái)，如圖5G所示，其上具有由紫外線固化樹(shù)脂構(gòu)成的間 隔層53的轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板IO被帶到裝有具有所需凹凸圖樣的鎳壓模 的轉(zhuǎn)印部。接下來(lái)，在該部中，在間隔層53上形成凹凸圖樣53a。 在這個(gè)步驟中，使用閃光燈在轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的背面?zhèn)扔肬V照 射轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板IO，同時(shí)4妄壓4臬壓才莫，乂人而形成具有凹凸圖樣53a 的間隔層53。在本實(shí)施方式的實(shí)例中，在先前步驟中，已在比間隔 層53更4妻近光照射側(cè)的位置形成第四記錄層L3。然而，第四記錄 層L3使閃光燈的光透射到間隔層53。因此，即使從轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板 10的背面?zhèn)葓?zhí)行UV照射，仍可以在間隔層53上形成所需的凹凸 圖樣53a。
接下來(lái)，如圖5H所示，在間隔層53上設(shè)置凹凸圖樣53a的轉(zhuǎn) 印樹(shù)脂基板IO被帶到濺射裝置，并且沉積第三記錄層L2。在本實(shí) 施方式的實(shí)例中，第三記錄層L2是在本實(shí)施方式的實(shí)例中沉積的 記錄層中具有第二高透光率的層。4妄第二介電膜35、記錄膜34、 第一介電膜33和反射膜32的順序在真空中連續(xù)執(zhí)行第三記錄層 L2的沉積。因此，第三記錄層L2是由這些堆疊膜形成的。此外，在該濺射法中，使用掩模在所需位置沉積第二介電膜35、記錄膜 34、第一介電膜33和反射膜32,并且它們例如被形成在距中心部 40 mm直4圣和118 mm直^圣之間的區(qū)i或中。
4妄下來(lái)，如圖5I所示，為形成具有凹坑和預(yù)刻槽的凹凸圖才羊， 通過(guò)向轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基^反10的第三記錄層L2上涂覆紫外線固化樹(shù)脂來(lái) 形成間隔層52。這個(gè)間隔層52是通過(guò)旋涂法涂覆紫外線固化樹(shù)脂 而形成的。當(dāng)將轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的中心部定義為原點(diǎn)時(shí)，通過(guò)分 配器向15 mm半徑的位置提供適當(dāng)量的紫外線固化樹(shù)脂。在這個(gè)步 驟中，旋涂裝置的旋轉(zhuǎn)部在紫外線固化樹(shù)脂的提供期間以例如60 rpm的低速旋轉(zhuǎn)。這個(gè)提供在5至10秒后完成，并且旋轉(zhuǎn)部加速到 5,000 rpm并且在5秒后停止。從而，紫外線固化樹(shù)脂被涂覆為具有 所需厚度。
接下來(lái)，如圖6J所示，將轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10帶到裝有鎳壓模(其 具有凹坑和預(yù)刻槽的凹凸圖樣)的轉(zhuǎn)印部，并且在間隔層52上形 成凹凸圖樣52a。同樣在這個(gè)步驟中，^使用閃光燈在轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板 10的背面?zhèn)扔肬V照射轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10，同時(shí)按壓鎳壓模。因此， 通過(guò)UV照射使紫外線固化樹(shù)脂固化，從而形成了具有凹凸圖樣52a 的間隔層52。在本實(shí)施方式的實(shí)例中，在先前的步驟中，第四記錄 層L3和第三記錄層L2已被形成在比間隔層52更接近光照射側(cè)的 位置。然而，第四記錄層L3和第三記錄層L2 4吏閃光燈的光透射到 間隔層52。因此，即使從轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的背面?zhèn)葓?zhí)行紫外線照 射，仍可以在間隔層52上形成所需的凹凸圖樣52a。
接下來(lái)，如圖6K所示，將在間隔層52上i殳置凹凸圖樣52a的 轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基4反10帶到濺射裝置，并且沉積第二記錄層L1。在本實(shí) 施方式的實(shí)例中，第二記錄層Ll是在本實(shí)施方式的實(shí)例中沉積的 記錄層中具有第三高透光率的層。按第二介電膜25、記錄膜24、 第一介電膜23和反射膜22的順序在真空中連續(xù)執(zhí)行第二記錄層Ll的沉積。因此，第二記錄層L1是由這些堆疊膜形成的。此外， 在該濺射法中，使用掩模在所需位置沉積第二介電膜25、記錄膜 24、第一介電膜23和反射膜22,并且它們例如被形成在距中心部 40 mm直徑和118 mm直徑之間的區(qū)域中。
接下來(lái)，如圖6L所示，為了與形成樹(shù)脂基板1結(jié)合，在第二 記錄層Ll上形成間隔層51a以使其具有大約預(yù)定厚度的一半的厚 度。待形成為這個(gè)間隔層51a的紫外線固化樹(shù)脂通過(guò)旋涂法凈皮涂覆 到置于轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10上的第二記錄層Ll上以形成膜。在本實(shí)施 方式的實(shí)例中，當(dāng)將轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的中心部定義為原點(diǎn)時(shí)，通 過(guò)分配器向轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的15 mm半徑的位置提供適當(dāng)量的紫 外線固化樹(shù)脂。在這個(gè)步驟中，在本實(shí)施方式的實(shí)例中，例如，旋 涂裝置的旋轉(zhuǎn)部在紫外線固化樹(shù)脂的提供期間以例如60 rpm的低 速旋轉(zhuǎn)。然后，紫外線固化樹(shù)脂的提供在例如5至10秒后完成， 并且^走轉(zhuǎn)部加速到8,000 rpm并且在5秒后4亭止。,人而，由紫外線 固化樹(shù)脂構(gòu)成的間隔層51a被涂覆為具有所需厚度。
接下來(lái)，如圖7M所示，在如上所述形成在轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基一反10 上的多層膜上使用4安壓葉片300形成后續(xù)步驟必須的用于分離轉(zhuǎn)印 的切斷部。圖11示出了4姿壓葉片300的平面結(jié)構(gòu)示意圖，而圖12 示出了沿圖11的線A-A截取的截面結(jié)構(gòu)。如圖11和圖12所示， 通過(guò)在盤(pán)形基底301中嵌入內(nèi)徑葉片303和外徑葉片304來(lái)形成按 壓葉片300。此外，在盤(pán)形基底301的中心部設(shè)置開(kāi)口 302并且該 開(kāi)口用于獲得與轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的中心孔2的對(duì)準(zhǔn)。內(nèi)徑葉片303 和外徑葉片304中的每個(gè)均由石更^f匕鋼構(gòu)成，并且其端面形成刀口邊 緣。此外，例如，基底301由金屬或塑料構(gòu)成。
在本實(shí)施方式的實(shí)例中，切斷部形成在除光盤(pán)記錄介質(zhì)的內(nèi)圓 周和外圓周格式及其區(qū)域之外的位置處。
19圖13A和圖13B示出了例如BD的一次性寫(xiě)入、可重寫(xiě)、或者 4又再生的記錄層的布局。圖13A示出了 BD的平面結(jié)構(gòu)示意圖，而 圖13B示出了沿圖13A的線A-A截耳又的截面結(jié)構(gòu)。
光盤(pán)記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)^皮大體分為BCA (燒錄區(qū))101、導(dǎo)入?yún)^(qū) 102、凄t據(jù)區(qū)103、導(dǎo)出區(qū)104和外部區(qū)105。在包括多個(gè)記錄層的 諸如BD的光盤(pán)記錄介質(zhì)中，除第一記錄層之外的記錄層的結(jié)構(gòu)除 BCA 101之外都具有類(lèi)4以布局。
在本實(shí)施方式的實(shí)例中，按壓葉片300的內(nèi)徑葉片303被構(gòu)造 在BCA101的內(nèi)側(cè)，這是光盤(pán)記錄介質(zhì)中最內(nèi)圓周部，而外徑葉片 304^t形成在導(dǎo)出區(qū)104的外側(cè)，這是光盤(pán)記錄介質(zhì)中最外圓周部。
在本實(shí)施方式的實(shí)例中，如圖7M所示，將按壓葉片300附接 至簡(jiǎn)單壓力才幾，并且將轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基^反10固定至4安壓架401。接下來(lái)， 使用包括多個(gè)記錄層并且通過(guò)上述步驟制造的光盤(pán)記錄介質(zhì)的中 心孔2作為基準(zhǔn)來(lái)確定對(duì)準(zhǔn)，并且以預(yù)定壓力將按壓葉片300按壓 至預(yù)定深度。因此，如圖8N所示，形成了用于分離轉(zhuǎn)印的切斷部 91和92。內(nèi)圓周的切斷部91是由內(nèi)徑葉片303形成的，而外圓周 的士刀斷^卩92是由夕卜才圣口十片304形成的。jt匕夕卜，4刀斷部91和92 #皮 形成為至少到達(dá)轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的深度。
在本實(shí)施方式的實(shí)例中，當(dāng)將轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的中心部定義 為原點(diǎn)時(shí)，最內(nèi)圓周的切斷部91形成在cj)20 mm至小40 mm的直徑 范圍內(nèi)、更優(yōu)選地在小24mm至(l)35mm的直徑范圍內(nèi)的區(qū)域中。同 樣地，當(dāng)將轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10的中心部定義為原點(diǎn)時(shí)，最外圓周的 切斷部92優(yōu)選形成在cj)119 mm至(J) 119.5 mm的直徑范圍內(nèi)的區(qū)i或 中。此外，重要的是最內(nèi)圓周的切斷部91和最外圓周的切斷部92 在它們的截面上并不包括諸如光盤(pán)記錄介質(zhì)的第二記錄層Ll至第 四記錄層L3的各個(gè)膜。即，構(gòu)成光盤(pán)記錄介質(zhì)的記錄膜的相變記 錄材料并不在切斷部91和92的截面暴露，而是被連續(xù)涂覆有用作 構(gòu)造體的紫外線固化樹(shù)脂。因此，即使光盤(pán)記錄介質(zhì)暴露于高溫、 高濕度環(huán)境或者保持在低溫環(huán)境中，也能長(zhǎng)時(shí)間維持良好的記錄特 性。在本實(shí)施方式的實(shí)例中，第二記錄層L1至第四記錄層L3^f皮形 成在40 mm直徑和118 mm直徑之間的區(qū)i或內(nèi)。此夕卜，切斷部91 被形成在118 mm直徑的外側(cè)，而切斷部92 ^皮形成在40 mm直徑 的內(nèi)側(cè)。因此，第二記錄層Ll至第四記錄層L3并不在切斷部91 和92的截面暴露。
接下來(lái)，如圖90所示，制備了形成樹(shù)脂基板l，其中，設(shè)置 有凹凸圖樣5并且通過(guò)注射成型在中心部形成具有約15 mm直徑的 中心孔4。需要此凹凸圖樣5的方向與稍后將結(jié)合的第二記錄層Ll 至第四記錄層L3的凹凸圖樣的方向相同。優(yōu)選地，形成樹(shù)脂基板 1由具有高透光率和低吸水性的可才莫壓材料(諸如聚碳酸酯、 ZEONOR、或ZEONEX )構(gòu)成，厚度為1.1 mm以及直徑為小120 mm。
接下來(lái)，如圖9P所示，設(shè)置有凹凸圖樣5的形成樹(shù)脂基板1 被帶到濺射裝置，并且沉積第一記錄層L0。按第二介電膜15、記 錄膜14、第一介電膜13和反射膜12的順序在真空中連續(xù)執(zhí)行第一 記錄層L0的沉積。由此，形成了包才舌該堆疊力莫的第 一記錄層L0。 在本實(shí)施方式的實(shí)例中，通過(guò)在形成杉t脂基4反1側(cè)形成第一記錄層 L0,可以省掉在轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10側(cè)上形成用于第一記錄層L0的凹 凸圖樣5的步驟。
接下來(lái)，如圖9Q所示，為了結(jié)合至形成樹(shù)脂基板1，在第一 記錄層L0上形成間隔層51b以具有約預(yù)定厚度的一半的厚度。本 間隔層51b是通過(guò)旋涂法在第一記錄層L0上涂覆紫外線固化樹(shù)脂而形成的。在本實(shí)施方式的實(shí)例中，在旋涂法中，當(dāng)將形成樹(shù)脂基
才反1的中心部定義為原點(diǎn)時(shí)，通過(guò)分配器向形成樹(shù)脂基才反1的15 mm半徑的位置提供適當(dāng)量的紫外線固化樹(shù)脂。在這個(gè)步驟中，旋 涂裝置的旋轉(zhuǎn)部在紫外線固化樹(shù)脂的提供期間以60 rpm的低速旋 轉(zhuǎn)。然后，紫外線固化樹(shù)脂的提供在5至10秒之后完成，并且旋 轉(zhuǎn)部加速到8,000 rpm并且在5秒后停止。乂人而，形成了涂覆到第 一記錄層L0上以具有所需厚度(例如，幾微米的厚度)的間隔層 51b。
接下來(lái)，如圖IOR所示，使用中心孔2和4作為基準(zhǔn)，在壓力 下，在圖90至圖9Q示出的步驟中形成的、并且包括第一記錄層 L0和間隔層51b的形成樹(shù)脂基板1，被結(jié)合到在圖3A至圖8N所 示步驟中形成的、并且具有用于分離轉(zhuǎn)印的切斷部91和92的轉(zhuǎn)印 才對(duì)脂基4反10的間隔層51a上。在這個(gè)階,殳，構(gòu)成間隔層51a和51b 的紫外線固化樹(shù)脂處于未固化狀態(tài)。然后，用紫外光照射轉(zhuǎn)印樹(shù)脂 基板10側(cè)以通過(guò)固化進(jìn)行結(jié)合。接下來(lái)，轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10被分離 以將包括多個(gè)記錄層的堆疊膜轉(zhuǎn)印至形成樹(shù)脂基板l側(cè)。同時(shí)，在 本實(shí)施方式的實(shí)例中，在先前的步駛《中，已在光照射側(cè)上形成第四 記錄層L3、第三記錄層L2和第二記錄層Ll。第二記錄層L1至第 四i己錄層L3以透光率遞減的順序形成在i殳置于光照射側(cè)上的4爭(zhēng)印 樹(shù)脂基板10上。因此，第四記錄層L3、第三記錄層L2和第二記 錄層Ll將閃光燈的光透射至結(jié)合部的間隔層51a和51b。因此， 即使從轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10側(cè)執(zhí)行UV照射，仍能通過(guò)固化使間隔層 51a和51b結(jié)合。因此，如圖IOS所示，將在轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基4反IO上形 成的堆疊膜轉(zhuǎn)印到形成樹(shù)脂基板1上。
然后，如圖IOT所示，通過(guò)旋涂法在形成樹(shù)脂基板1上放置的 多層的光盤(pán)記錄介質(zhì)上涂覆包含紫外線固化樹(shù)脂作為主要成分的硬涂布材料，然后通過(guò)用紫外光照射而Y吏其固化。在該情況下，此
步驟被嚴(yán)格控制使得硬涂布材料不被涂覆到中心孔2的部分上。
因此，用于包4舌第一記錄層L0至第四記錄層L3和覆蓋層61 的多層膜的分離的端面由固化的硬涂布層71所保護(hù)。因此，在這 個(gè)步驟中完成了多層的光盤(pán)記錄介質(zhì)的制造。
同時(shí)，在多層的光盤(pán)記錄介質(zhì)的制造過(guò)程中，需要從讀取側(cè)的 頂表面輸出的再生信號(hào)的光強(qiáng)度為入射光的幾個(gè)百分比。此外，隨 著層數(shù)的增多，需要反射率增大，以便從置于底部(當(dāng)從讀取側(cè)觀 察時(shí))的記錄層輸出的信號(hào)強(qiáng)度增大。此外，各個(gè)層被設(shè)計(jì)為使得 到達(dá)讀耳又側(cè)的頂表面的光量基本上4皮此相等。因此，與傳統(tǒng)方法一 樣，在首先堆疊具有低透光率的層(例如，第一記錄層LO)的方 法中，當(dāng)用鎳壓模轉(zhuǎn)印凹凸圖樣并且通過(guò)來(lái)自轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板的背面 側(cè)的紫外光的照射執(zhí)行固化時(shí)，從低透光率側(cè)執(zhí)行紫外光的照射。 因此，當(dāng)在傳統(tǒng)方法中使用鎳壓模的情況下，由于低透光率從而效 率很低。
在本實(shí)施方式的實(shí)例中，乂人高透光率的記錄層側(cè)、即/人本實(shí)施 方式的實(shí)例的第四記錄層L3側(cè)起，在轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10上形成各層， 因此即使用來(lái)自轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10側(cè)的紫外光也可以有效地執(zhí)行固 化。因此，由于可以從轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10側(cè)有效地執(zhí)行光照射，所 以可以使用鎳壓模。從而，可以使用能重復(fù)使用的鎳壓模，來(lái)取代 傳統(tǒng)使用的僅能使用一次的透明樹(shù)脂壓模，由此，在壓模處理中可 以降4氐成本。此外，在本實(shí)施方式的實(shí)例中，例^口，可以通過(guò)4吏用 鎳壓^^莫將凹凸圖樣有效地轉(zhuǎn)印至紫外線固化樹(shù)脂層，因此記錄層的 設(shè)計(jì)自由度4艮大并且工藝一致性4艮好。此外，由于記錄層^皮形成為 并不在切斷部的截面暴露，所以可以制造不會(huì)隨時(shí)間改變的高質(zhì)量 光盤(pán)i己錄介質(zhì)。本實(shí)施方式的實(shí)例被配置為使得第一記錄層LO形成在形成樹(shù) 脂基板1上，然后將形成樹(shù)脂基板1結(jié)合至形成有第二記錄層LI 至第四記錄層L3的轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板IO。本實(shí)施方式的實(shí)例并不限于 此，并且可以是在形成第二記錄層LI之后在轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10側(cè)上 形成第一記錄層LO的實(shí)例。在這種情況下，在形成樹(shù)脂基板l上 ^又形成用于轉(zhuǎn)印的間隔層，并且在包4舌第一記錄層L0至第四i己錄 層L4的轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板10上的堆疊膜被轉(zhuǎn)印至形成樹(shù)脂基板1。
圖14示出了4艮據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的四層結(jié)構(gòu)的光盤(pán)記 錄介質(zhì)在處理期間的形狀。在本實(shí)施方式的實(shí)例中形成的光盤(pán)i己錄 介質(zhì)類(lèi)似于圖1和圖2所示的光盤(pán)記錄介質(zhì)，因此省略了重復(fù)的描 述。在本實(shí)施方式的實(shí)例中，轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板20具有122mm至128 mm ( 4尤選i也，124 mm至126 mm )的夕卜4圣和0.1 mm至1.1 mm ( 4尤 選地，0.4 mm至0.6 mm)的厚度，并且具有沒(méi)有中心孔的盤(pán)形。 本實(shí)施方式的實(shí)例除轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板20不具有中心孔外之外，與第 一實(shí)施方式相同并且通過(guò)與第一實(shí)施方式類(lèi)似的方法形成。圖14A 是對(duì)應(yīng)于在第一實(shí)施方式中的制造過(guò)程中的圖4F階段的處理示圖。 在圖14A中，對(duì)應(yīng)于圖4F中的那些部分被分配有相同的參考數(shù)字 并且省略其重復(fù)描述。
至此，在包括反射膜、介電膜、記錄膜等的第一記錄層被沉積 在其中心部具有約15 mm的中心孔(通孔)的形成樹(shù)脂基^反上并且 接下來(lái)通過(guò)旋涂法向其涂覆待形成為間隔層的紫外線固化樹(shù)脂的 情況下，已不可能將所要涂覆的紫外線固化樹(shù)脂置于中心部。因此， 例如，采用以下手段安裝用作用于填充中心部的中心孔的裝置的 經(jīng)加工的金屬帽，然后，在基板上基本上等同于中心部的位置提供 紫外線固化樹(shù)脂，使得所涂覆的膜的厚度均勻。
24相反地，在本實(shí)施方式的實(shí)例中，可以使用在中心部不具有中
心孔的轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板20來(lái)執(zhí)行與本發(fā)明的第一實(shí)施方式類(lèi)似的處 理，同時(shí)^f呆持i己錄介質(zhì)的無(wú)歲文部分具有超過(guò)(l)120mm的直^圣。并不 具有中心孔的這種轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板20的優(yōu)點(diǎn)在于，在覆蓋層61的形 成和間隔層51a、 52、 53和61a的形成中，還可以將紫外線固化樹(shù) 脂涂覆在轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板20的中心部上，并且顯著改進(jìn)通過(guò)旋涂法 所得的膜厚度的分布。
通常，當(dāng)通過(guò)旋涂法涂布紫外線固化樹(shù)脂時(shí)，所涂覆的層的厚 度是由樹(shù)脂的粘性、旋涂期間的旋轉(zhuǎn)數(shù)、在接觸樹(shù)脂的記錄層的界 面的摩擦系數(shù)和其他因素確定的。還已知一種方法，其中，在用于 涂覆的旋轉(zhuǎn)期間在整個(gè)轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板20上以預(yù)定速度移動(dòng)遠(yuǎn)紅外 照射，以獲得更均勻的厚度，但是其控制很復(fù)雜。此外，通過(guò)這種 方法，使最外圓周部的物理形狀維持良好狀態(tài)也需要很大的努力。
在本實(shí)施方式的實(shí)例中， -使用具有大于(l)120mm的直徑的轉(zhuǎn)印 樹(shù)脂基板20(例如，具有(|)124 mm直徑的基板)、通過(guò)與第一實(shí)施 方式的步驟類(lèi)似的步驟形成光盤(pán)記錄介質(zhì)的多個(gè)層。然后，如圖14B 所示，通過(guò)轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板20的切割處理(即，通過(guò)圖7和8所示 的步備聚)來(lái)切割在中心部的中心^L 94的開(kāi)口以及在外圓周部的無(wú) 效部分，可以穩(wěn)定地確保記錄膜的厚度分布良好的區(qū)域。
同樣，在本實(shí)施方式的實(shí)例中，接下來(lái)，在類(lèi)似于第一實(shí)施方 式中的圖9和10所示的處理的步艱《中，包4舌良好的四個(gè)i己錄層的 光盤(pán)記錄介質(zhì)的制造通過(guò)向形成樹(shù)脂基板1的轉(zhuǎn)印和硬涂布材料的
涂覆而完成。
此夕卜，在本實(shí)施方式的實(shí)例中，可以獲得與第一實(shí)施方式相同
的優(yōu)點(diǎn)。已經(jīng)通過(guò)第一實(shí)施方式和第二實(shí)施方式的^f乍為四層光盤(pán)^己錄 介質(zhì)的制造方法而描述了本發(fā)明， <旦是顯然，本發(fā)明在記錄層數(shù)為
3或5或更多時(shí)也是有效的。
此夕卜，本發(fā)明并不限于一次寫(xiě)入記錄介質(zhì)，而還可以應(yīng)用于可 重寫(xiě)或只讀光盤(pán)i己錄介質(zhì)制造方法。
工業(yè)應(yīng)用,性
當(dāng)代替使用透明壓模，而采用能夠重復(fù)使用幾萬(wàn)次以上的鎳壓 模時(shí)，對(duì)于本發(fā)明的多層的光盤(pán)記錄介質(zhì)的制造處理，提出了執(zhí)4亍 紫外線照射和固化的步驟(這些步驟以每個(gè)記錄層的透射率遞減的 順序執(zhí)行)作為可以實(shí)現(xiàn)從基板的背面照射紫外線的制造方法，并 且該處理可以用作由于4臬壓才莫能夠在這些步驟中長(zhǎng)時(shí)間 <吏用而僅: 成本顯著降4氐的處理。
參考數(shù)字的說(shuō)明
1形成樹(shù)脂基板
2, 4中心孑L
10轉(zhuǎn)印樹(shù)脂基板
12, 22， 32， 42反射膜
13, 23, 33, 43第一介電膜
14, 24, 34， 44記錄膜
15， 25， 35， 45第二介電膜
61
71硬涂布層
91, 92切斷部
51， 52, 53, 61a間隔層
權(quán)利要求
1.一種光盤(pán)記錄介質(zhì)制造方法，包括以下步驟制備轉(zhuǎn)印基板；在所述轉(zhuǎn)印基板的表面上形成紫外線固化樹(shù)脂層；通過(guò)在從所述轉(zhuǎn)印基板的背面?zhèn)葓?zhí)行紫外線照射的同時(shí)在壓力下將具有所需凹凸圖樣的鎳壓模按壓到所述紫外線固化樹(shù)脂層上，在所述紫外線固化樹(shù)脂層上形成凹凸圖樣，并且在其上形成有所述凹凸圖樣的所述紫外線固化樹(shù)脂層上形成記錄層；在所述記錄層上形成紫外線固化樹(shù)脂層，通過(guò)在從所述轉(zhuǎn)印基板側(cè)執(zhí)行紫外線照射的同時(shí)在壓力下將具有所需凹凸圖樣的鎳壓模按壓到所述紫外線固化樹(shù)脂層上，在所述紫外線固化樹(shù)脂層上形成凹凸圖樣，并且在形成有所述凹凸圖樣的所述紫外線固化樹(shù)脂層上形成另一個(gè)記錄層，所述另一個(gè)記錄層具有比在先前步驟中形成的所述記錄層的透光率低的透光率；以及通過(guò)根據(jù)需要多次重復(fù)所述形成另一個(gè)記錄層的步驟來(lái)形成包括多個(gè)記錄層的堆疊膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤(pán)記錄介質(zhì)制造方法，還包括以下步 驟制備形成基板；將包括所述多個(gè)記錄層并且形成在所述轉(zhuǎn)印基板上的所 述堆疊膜轉(zhuǎn)印至所述形成基板；以及在轉(zhuǎn)印了所述堆疊膜的所述形成基板上形成覆蓋所述堆 疊膜的;更涂布層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光盤(pán)記錄介質(zhì)制造方法，還包括以下步 驟在將所述堆疊膜轉(zhuǎn)印至所述形成基板的步驟之前，在所 述轉(zhuǎn)印基板上的所述堆疊膜的內(nèi)周部和外周部中形成用于分 離的切斷部，使得所述多個(gè)記錄層的截面不會(huì)從所述轉(zhuǎn)印基板 上的所述堆疊膜暴露。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光盤(pán)記錄介質(zhì)制造方法，其中，在所述轉(zhuǎn)印基板中形成用于在壓力下按壓所述4臬 壓模的步驟中進(jìn)行定心的中心孔。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光盤(pán)記錄介質(zhì)制造方法，其中，所述中心孔用于在形成所述切斷部的步驟中進(jìn)4亍定位。
6. 根據(jù)4又利要求1所述的光盤(pán)記錄介質(zhì)制造方法，還包括以下步 驟在制備所迷形成基纟反的步驟之后，在所述形成基纟反上形 成一個(gè)記錄層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種可以制造廉價(jià)光盤(pán)記錄介質(zhì)的光盤(pán)記錄介質(zhì)制造方法。為了這個(gè)目的，本發(fā)明的光盤(pán)記錄介質(zhì)制造方法包括以下步驟制備轉(zhuǎn)印基板；在轉(zhuǎn)印基板的表面上形成紫外線固化樹(shù)脂層；通過(guò)在從轉(zhuǎn)印基板的背面?zhèn)葓?zhí)行紫外線照射的同時(shí)在壓力下將具有所需凹凸圖樣的鎳壓模按壓到所述紫外線固化樹(shù)脂層上，在紫外線固化樹(shù)脂層上形成凹凸圖樣，并且在形成有凹凸圖樣的紫外線固化樹(shù)脂層上形成記錄層，其中，記錄層按透光率遞減的順序形成。
文檔編號(hào)G11B7/26GK101681654SQ200980000395
公開(kāi)日2010年3月24日 申請(qǐng)日期2009年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月12日
發(fā)明者中野淳, 大星敏夫, 秋山昭次, 雷納德·達(dá)努雷奧吉 申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社