專利名稱：一種用于管理一次寫入型記錄介質(zhì)的設(shè)備和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種一次寫入型光盤，例如一種一次寫入型藍光光盤(Blu-ray Disc Write Once， BD-WO)，和用于管理該一次寫入型光盤上的缺陷區(qū)的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
—種新型的高密度光盤例如一種可再寫藍光光盤(BD-RE)正在開發(fā)當中。BD-RE 的一個好處是它具有可再寫功能，在其上可反復(fù)地寫入、擦除和再寫高質(zhì)量影音數(shù)據(jù)。
圖l是一個用于向/從如BD-RE光盤上寫入/再現(xiàn)數(shù)據(jù)的普通光盤設(shè)備的方框圖。 如圖1所示，該光盤設(shè)備包括一個光學(xué)拾波器ll，用于向/從BD-RE 10上記錄/再現(xiàn)信 號；一個視盤記錄(VDR)系統(tǒng)12，用于將來自光學(xué)拾波器11的信號處理成一種再現(xiàn)信號， 或?qū)⑼獠繑?shù)據(jù)流解調(diào)和處理成適用于在BD-RE IO上寫入的可寫入信號；和一個編碼器13， 用于對外部模擬信號進行編碼并將該編碼信號提供給VDR系統(tǒng)12。 圖2示出了一種現(xiàn)有技術(shù)的BD-RE結(jié)構(gòu)。參照圖2， BD-RE被分成導(dǎo)入?yún)^(qū)(LIA)、 數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)(LOA)，在數(shù)據(jù)區(qū)前端與后端設(shè)置有一個內(nèi)備用區(qū)(ISA)和一個外備用區(qū) (OSA)。 參照圖1和2，在光盤設(shè)備的VDR系統(tǒng)12將外部信號編碼和解調(diào)成適合于寫入的 信號后，VDR系統(tǒng)12將外部數(shù)據(jù)按簇寫入BD-RE的數(shù)據(jù)區(qū)，其中簇對應(yīng)于一個具有預(yù)定記 錄長度的ECC塊單元。在寫入過程期間，如果在BD-RE的數(shù)據(jù)區(qū)發(fā)現(xiàn)一個缺陷區(qū)，則VDR系 統(tǒng)12執(zhí)行一系列替換寫入操作，將寫入缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)簇寫入某一備用區(qū)，例如用ISA來替 換缺陷區(qū)。因此，即使在BD-RE的數(shù)據(jù)區(qū)中存在缺陷區(qū)，VDR系統(tǒng)12也可以借助于將寫入 缺陷區(qū)中的數(shù)據(jù)簇寫入備用區(qū)而預(yù)先防止數(shù)據(jù)寫入錯誤。 —次寫入藍光光盤(BD-WO)是發(fā)展中的另一種高密度光盤，在該光盤上可記錄和 從該光盤可再現(xiàn)高質(zhì)量的數(shù)據(jù)。正如其名稱所示，在BD-WO上數(shù)據(jù)僅可一次寫入，在BD-WO 上不可再寫，但BD-WO可被反復(fù)地讀出。因而，在不需要對記錄介質(zhì)重寫數(shù)據(jù)的領(lǐng)域，BD-WO 是有用的。 令人遺憾地是，因為BD-WO仍處于其發(fā)展的早期階段，在怎樣管理BD-WO的缺陷區(qū) 方面仍沒有方案、光盤結(jié)構(gòu)、設(shè)備和方法，而這些對于使BD-WO具有商業(yè)價值和易于操作將 是必要的。

發(fā)明內(nèi)容
如前所說，本發(fā)明是要提供一種技術(shù)，用于管理如BD-WO等一次寫入型光盤上的 缺陷區(qū)。
本發(fā)明的目的之一是提供一種一次寫入型光盤，以及一種設(shè)備和方法，用于有效地管理該一次寫入型光盤的缺陷區(qū)。 下文說明中將闡明本發(fā)明的另外的特點及優(yōu)點，其中部分內(nèi)容是本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員對熟知的，通過考察下文的內(nèi)容或通過實施本發(fā)明也可以理解。本發(fā)明的目的和其它優(yōu)點可通過在說明書和權(quán)利要求以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)而實現(xiàn)和獲得。
根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種用于管理一種一次寫入型記錄介質(zhì)上的缺陷區(qū)的方法，該記錄介質(zhì)包含具有備用區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)，所述方法包括在數(shù)據(jù)寫入操作中，一旦向數(shù)據(jù)區(qū)寫入數(shù)據(jù)時，則檢測該記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)內(nèi)是否存在的缺陷區(qū)；如檢測到缺陷區(qū)，則將寫入該缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)寫入備用區(qū)；在該記錄介質(zhì)上的臨時管理區(qū)寫入關(guān)于該缺陷區(qū)的臨時管理信息；以及在該記錄介質(zhì)的保留區(qū)上寫入用于存取臨時管理信息的存取信息。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于管理一次寫入型記錄介質(zhì)的缺陷區(qū)的方法，該記錄介質(zhì)包括一個具有一個備用區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)，所述方法包括如果檢測到缺陷區(qū)，將寫入缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)寫入備用區(qū)；在該記錄介質(zhì)上的臨時管理區(qū)寫入關(guān)于該缺陷區(qū)的臨時管理信息；在該記錄介質(zhì)的保留區(qū)上寫入用于存取臨時管理信息的存取信息；以及在該記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)寫入操作終止階段，將該臨時管理信息和該存取信息作為缺陷管理區(qū)(DMA)信息傳送到該記錄介質(zhì)的另一個區(qū)域。 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于管理一次寫入型記錄介質(zhì)上缺陷區(qū)的設(shè)備，該記錄介質(zhì)包括具有備用區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)，所述設(shè)備包括用于以下步驟的部件的組合(a)在數(shù)據(jù)寫入操作過程中，一旦數(shù)據(jù)被寫入數(shù)據(jù)區(qū)中，則檢測該記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)中是否存在缺陷區(qū)；(b)在檢測到缺陷區(qū)時，將寫入該缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)寫入備用區(qū)；(C)在該記錄介質(zhì)上的臨時管理區(qū)寫入關(guān)于該缺陷區(qū)的臨時管理信息；以及(d)在該記錄介質(zhì)的保留區(qū)上寫入用于存取臨時管理信息的存取信息。 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種用于管理一次寫入型記錄介質(zhì)上缺陷區(qū)的設(shè)
備，該記錄介質(zhì)包括具有備用區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)，該設(shè)備包括用于以下步驟的部件的組合(a)如
檢測到缺陷區(qū)時，將寫入該缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)寫入備用區(qū)；(b)在該記錄介質(zhì)上的臨時管理區(qū)
寫入關(guān)于該缺陷區(qū)的臨時管理信息；(c)在該記錄介質(zhì)的保留區(qū)上寫入用于存取臨時管理
信息的存取信息；以及(d)在該記錄介質(zhì)上的數(shù)據(jù)寫入操作終止階段，將該臨時管理信息
和該存取信息作為缺陷管理區(qū)(DMA)信息傳送到該記錄介質(zhì)的另一個區(qū)域。 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種一次寫入記錄介質(zhì)，包括至少一個具有數(shù)據(jù)區(qū)
的記錄層，所述數(shù)據(jù)區(qū)具有備用區(qū)，其中，在數(shù)據(jù)寫入操作時，一旦向數(shù)據(jù)區(qū)上寫入數(shù)據(jù)，則
檢測該記錄介質(zhì)的數(shù)據(jù)區(qū)是否存在一個缺陷區(qū)，如果檢測到缺陷區(qū)，則將寫入缺陷區(qū)的數(shù)
據(jù)寫入備用區(qū)，將與缺陷區(qū)相關(guān)的臨時管理信息寫入該記錄介質(zhì)的臨時管理區(qū)，以及將用
于存取臨時管理信息的存取信息寫入該記錄介質(zhì)的保留區(qū)。 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種一次寫入記錄介質(zhì)，包括至少一個記錄層，該記錄層包含數(shù)據(jù)區(qū)和數(shù)據(jù)區(qū)之外的區(qū)域，該數(shù)據(jù)區(qū)具有備用區(qū)，其中，如果檢測到缺陷區(qū)，則將寫入該缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)寫入備用區(qū)，將與缺陷區(qū)相關(guān)的臨時管理信息寫入該記錄介質(zhì)的臨時管理區(qū)，將用于存取臨時管理信息的存取信息寫入記錄介質(zhì)的保留區(qū)，以及在該記錄介質(zhì)寫入操作終止階段，將該臨時管理信息和該存取信息作為缺陷管理區(qū)(DMA)信息，傳送至數(shù)據(jù)區(qū)外的所述區(qū)域。
應(yīng)該理解，本發(fā)明的上述的說明及后面的詳細說明是示例性的和說明性的，是用來為權(quán)利要求提供進一步的解釋說明。


通過下面結(jié)合附圖的詳細說明將會更完整的理解本發(fā)明的目的和優(yōu)點，其中 圖1示意性地示出了一種現(xiàn)有技術(shù)的光盤設(shè)備； 圖2示出了一種現(xiàn)有技術(shù)的BD-RE的結(jié)構(gòu)； 圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的光盤記錄/再現(xiàn)設(shè)備的方框圖； 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的某一優(yōu)選實施例的BD-WO結(jié)構(gòu)以及示出用于管理BD-WO的缺陷區(qū)的方法的示意圖； 圖5和6示出了根據(jù)圖4所示方法所產(chǎn)生和寫入的各管理信息；
圖7示出了一種適用本發(fā)明的雙層BD-WO的結(jié)構(gòu)；禾口 圖8示出了根據(jù)本發(fā)明另一優(yōu)選實施例的BD-WO的結(jié)構(gòu)以及示出了用于管理該BD-WO缺陷區(qū)的方法的示意圖。
具體實施例方式
現(xiàn)對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細說明，其中的例子參照

。 圖3是根據(jù)本發(fā)明的某一實施例的一個光盤記錄/再現(xiàn)設(shè)備20的方框圖的例子。
該光盤記錄/再現(xiàn)設(shè)備20包括光學(xué)拾波器22，用于從/向光記錄介質(zhì)21讀/寫數(shù)據(jù)；伺
服機構(gòu)23，用于控制拾波器22，以使拾波器22的物鏡與記錄介質(zhì)21之間保持一定距離并
用于追蹤記錄介質(zhì)21上的相應(yīng)的磁道；數(shù)據(jù)處理器24，用于處理和供給輸入數(shù)據(jù)到拾波器
22以寫入，并處理從記錄介質(zhì)21讀取的數(shù)據(jù)；接口 25，用于與任意外部主機30交換數(shù)據(jù)和
/或命令；存儲器或存儲裝置27，用于儲存與記錄介質(zhì)21相關(guān)的包括缺陷管理數(shù)據(jù)在內(nèi)的
信息和數(shù)據(jù)(例如，臨時管理信息等)；和微處理器或控制器26，用于控制記錄/再現(xiàn)設(shè)備
20的操作和部件。從/向記錄介質(zhì)21讀/寫的數(shù)據(jù)也可保存在存儲器27中。記錄/再現(xiàn)
設(shè)備20的所有組成部分是有效偶合的。 記錄介質(zhì)21是一次寫入的記錄介質(zhì)，例如BD-WO。 圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的某一優(yōu)選實施例的一種BD-WO的結(jié)構(gòu)和一種用于管理BD-WO上的缺陷區(qū)的方法。 參照圖4，例如，BD-WO包括導(dǎo)入?yún)^(qū)(LIA)36，數(shù)據(jù)區(qū)31，和導(dǎo)出區(qū)(L0A)34。數(shù)據(jù)區(qū)31包括分配有物理扇區(qū)號(PSN)和邏輯扇區(qū)號(LSN)的用戶數(shù)據(jù)區(qū)32 ;和僅分配有物理扇區(qū)號的非用戶數(shù)據(jù)區(qū)。 非用戶數(shù)據(jù)區(qū)包括外備用區(qū)(0SA)35，用于代替用戶數(shù)據(jù)區(qū)32的缺陷區(qū)將數(shù)據(jù)寫入其中；臨時缺陷列表(TDFL)區(qū)33，用于寫入與用戶數(shù)據(jù)區(qū)32的各缺陷區(qū)和替換該各缺陷區(qū)的各備用區(qū)相關(guān)的臨時管理信息。 數(shù)據(jù)區(qū)31可進一步包括內(nèi)備用區(qū)(ISA)(未顯示)，該內(nèi)備用區(qū)是附加于或代替0SA 35的，它位于數(shù)據(jù)區(qū)31前部。TDFL區(qū)可位于鄰近0SA的位置，代替TDFL區(qū)33或附加在TDFL區(qū)33。LIA 36包括可位于LIA 36任意部分的缺陷管理區(qū)(DMA) 36c ;可位于LIA 36任意部分的臨時磁盤定義結(jié)構(gòu)(TDDS)區(qū)36a。該TDDS區(qū)36a中儲存TDDS信息。DMA 36c儲存DMA信息，這些信息包括磁盤定義結(jié)構(gòu)(DDS)信息和缺陷列表(DFL)信息。TDDS信息、DDS信息和DFL信息在下文中將詳細論述。 BD-WO可以有一個或兩個記錄層。只有單個記錄層(層0)的BD-WO可包括由導(dǎo)入?yún)^(qū)(LIA)、數(shù)據(jù)區(qū)和導(dǎo)出區(qū)(LOA)組成的單記錄層，在此稱為單層光盤。有兩個記錄層(層O和1)的BD-WO可包括兩個記錄層，它們各自包含數(shù)據(jù)區(qū)和LIA(或LOA)，在此稱為雙層光盤。單層光盤可存儲23. 3、25. 0或27. 0千兆字節(jié)，而雙層光盤可存儲46. 6、50. 0或54. 0
千兆字節(jié)。 應(yīng)該注意的是，本發(fā)明所有不同的實施例(例如在此討論的各種方法)可用于任意一種一次寫入光盤，如單層BD-WO或雙層BD-WO。另外，雖然本發(fā)明的方法結(jié)合對圖3所示的記錄/再現(xiàn)設(shè)備20的使用進行了論述，但本發(fā)明并不受限于此，而包含其它記錄/再現(xiàn)設(shè)備，只要它們的配置可以實現(xiàn)本方法。例如，圖1所示設(shè)備也可按需要用于實施本方法。 參照圖3和4，光盤記錄/再現(xiàn)設(shè)備20在BD-WO的用戶數(shù)據(jù)區(qū)32的預(yù)先設(shè)定的寫扇區(qū)上連續(xù)寫入數(shù)據(jù)，其中寫扇區(qū)可設(shè)置成具有一定記錄長度的缺陷校驗單元(DVU)，該長度等于BD-WO上的一個或多個物理磁道或簇的記錄長度。 在各DVU上連續(xù)地寫入一組數(shù)據(jù)后(例如，Recordingl)，微計算機26控制拾波器22在BD-WO的記錄1區(qū)域執(zhí)行一系列缺陷區(qū)檢測操作。缺陷區(qū)檢測操作包括再現(xiàn)寫入DVU的數(shù)據(jù)，并且，例如通過對由DVU再現(xiàn)的實際數(shù)據(jù)同要向該DVU寫入的數(shù)據(jù)進行比較，以校驗寫入DVU的數(shù)據(jù)是否正確。如果校驗結(jié)果指示某些數(shù)據(jù)沒有正確寫入DVU，那么記錄/再現(xiàn)設(shè)備20認定該BD-WO的DVU中有缺陷區(qū)，并利用直接替換方案重寫該數(shù)據(jù)(指有缺陷DVU上的數(shù)據(jù))到備用區(qū)(如OSA 35)。 例如在連續(xù)寫入第一到第五簇數(shù)據(jù)(簇#1_#5)作為第一缺陷校驗單元DVU#1之后(步驟S10)，微計算機26控制拾波器22逐個(即一簇接一簇地)再現(xiàn)寫入DVU#1中的數(shù)據(jù)，并通過檢查再現(xiàn)數(shù)據(jù)來檢測其中是否存缺陷區(qū)。如果，例如在第二簇，也就是簇區(qū)32a中的簇#2發(fā)現(xiàn)一個缺陷(步驟Sll)，則微計算機26控制數(shù)據(jù)處理器24和拾波器22執(zhí)行一個替換寫入操作。在替換寫入操作中，可能暫存在存儲器27中或其它的存儲裝置中的寫入?yún)^(qū)域32a的簇ft2的數(shù)據(jù)，被寫入0SA35內(nèi)的一個簇/替換區(qū)(步驟S12)。在這種情況下，簇#2的數(shù)據(jù)可能從OSA 35的前端或后端開始寫入OSA 35。 在簇#2的替換寫入操作完成后，記錄/再現(xiàn)設(shè)備20檢查下一簇，并繼續(xù)直到DVU中的最后一簇檢查完成。如果，例如在第四簇簇#4檢測到一個缺陷區(qū)(S13)，記錄/再現(xiàn)設(shè)備20執(zhí)行如前所述的替換寫入操作以便將寫入有缺陷的簇#4區(qū)的數(shù)據(jù)寫入OSA 35中的下一個可用區(qū)域，例如，鄰近簇#2的替換區(qū)的區(qū)域(步驟S14)。 替換寫入操作持續(xù)直到所有DVU中的有缺陷簇的數(shù)據(jù)都被寫入替換區(qū)例如備用區(qū)中。這樣，在本例中，DVU#1在包含簇#1、 #3和#5及兩個缺陷區(qū)(原簇#2和#4)的地方終結(jié)，其中，利用直接替換方案，使用替換區(qū)(OSA 35)代替兩個缺陷區(qū)，以在其上寫入數(shù)據(jù)。 —旦該數(shù)據(jù)記錄(Recording 1)有一個時間連續(xù)的終結(jié)(包括數(shù)據(jù)寫入操作，缺陷區(qū)檢測操作和DVU#2.....DVU柳的替換寫入操作)，微計算機26以TDFL信息的形式將
7。可選的，在進行替換寫入操作期間，在寫入缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)向 OSA 35的寫入進行當中，當數(shù)據(jù)記錄(即Recording 1)有一個臨時連續(xù)終結(jié)，則微計算機 26可將缺陷條目作為那一點的TDFL信息寫入TDFL區(qū)33，然后按后續(xù)步驟的需要更新TDFL 信息。 臨時管理信息用于BD-WO的數(shù)據(jù)區(qū)31中的缺陷區(qū)的管理，以及與缺陷區(qū)相對應(yīng)的 替換區(qū)中所寫入的數(shù)據(jù)的管理。臨時管理信息可像如含有一條或多條TDFL的TDFL信息一 樣管理。圖5示出一個根據(jù)本發(fā)明的某一實施例的TDFL信息的結(jié)構(gòu)。
如圖5所示，TDFL信息包括一個或多個的TDFL (TDFL#1 TDFL#n)。每個TDFL可 包括一個或多個缺陷條目，缺陷條目#1 缺陷條目#m。每個缺陷條目具有相應(yīng)缺陷區(qū)的第 一物理扇區(qū)號(缺陷PSN)，與該缺陷區(qū)相對應(yīng)的替換區(qū)的第一物理扇區(qū)號(替換PSN)，狀 態(tài)信息(Status)，和其它所有與缺陷條目相關(guān)的數(shù)據(jù)。簡而言之，缺陷PSN是存在有缺陷的 簇的起點的物理扇區(qū)號。同樣地，替換PSN是用于替換有缺陷的簇區(qū)域的替換區(qū)的起點的 物理扇區(qū)號。 這里僅做為一個例子，如果狀態(tài)信息(Status)是'Status = 0000'，該狀態(tài)信息 指出，在代替數(shù)據(jù)寫入操作中檢測出的缺陷區(qū)的區(qū)域中寫入數(shù)據(jù)時，在相應(yīng)缺陷條目寫入 的管理信息是第一次管理信息。簡而言之，它表示與缺陷區(qū)相對應(yīng)的替換區(qū)(例如，在OSA 35中)沒有缺陷。另一方面，如果狀態(tài)信息(Status)是'Status = 1001'，狀態(tài)信息表示 在相應(yīng)缺陷條目所寫入的管理信息不是第一次管理信息，而是第二次管理信息。簡而言之， 它表示在與缺陷區(qū)相對應(yīng)的第一替換區(qū)(如，OSA 35)中存在缺陷，并且當前的管理信息與 一個新的、用來代替在OSA 35中有缺陷的第一替換區(qū)的第二替換區(qū)(如，在OSA 35中)相 關(guān)。 用于Recording 1的TDFL信息(例如，TDFL#1)的寫入操作一經(jīng)完成，記錄/再 現(xiàn)設(shè)備20可繼續(xù)另一個具有時間連續(xù)性的數(shù)據(jù)寫入操作(如，Recording 2)。當該數(shù)據(jù)寫 入操作(Recording 2)結(jié)束(包括檢測缺陷區(qū)操作和如前所述的記錄2的所有DVU的替換 寫入操作)，則用于Recording 2的臨時管理信息可寫入TDFL區(qū)33。本過程可反復(fù)進行， 直至所有要寫入BD-WO的數(shù)據(jù)都正確寫入。 為快速存取此前寫入的TDFL信息，可配置微計算機26，以便將快速存取信息寫入 BD-WO的其它部分?？焖俅嫒⌒畔⒗缈梢允桥R時磁盤定義結(jié)構(gòu)(TDDS)信息，并可寫入LIA 36的保留區(qū)36a中(圖4)。 如圖5所示，例如，TDDS信息包括一個或多個物理扇區(qū)號(例如，TDFL #1的 PSN)，每個物理扇區(qū)號表示一個寫入TDFL區(qū)33的TDFL位置；標志信息(例如，Spare & TDFL滿標志)，用于表示OSA區(qū)35和/或TDFL區(qū)33寫滿與否；和其它與TDFL信息相關(guān)的 信息。這里，可使用單個標志來表示OSA區(qū)35和TDFL區(qū)33是否都寫滿，或使用多個標志 來表示OSA區(qū)35和/或TDFL區(qū)33是否寫滿。臨時缺陷管理區(qū)(TDMA)信息包括TDDS信 息和TDFL信息。 圖6是示出根據(jù)本發(fā)明某一實施例的替換區(qū)中缺陷管理過程的示意圖。參照圖 4-6，舉例來說，由于用戶數(shù)據(jù)區(qū)32相應(yīng)簇區(qū)域32a的缺陷，在第二簇數(shù)據(jù)(簇#2)寫入OSA 35內(nèi)的一個替換區(qū)35a時，如前所述，記錄/再現(xiàn)設(shè)備20將與簇#2相關(guān)的TDFL信息寫入 TDFL區(qū)33。該TDFL信息包括與簇#2相關(guān)的第一缺陷條目(S卩，缺陷條目#1)，替換區(qū)35a
8的物理扇區(qū)號(替換簇#2的PSN)，有缺陷的第二簇區(qū)域32a的物理扇區(qū)號(缺陷簇#2的 PSN)，狀態(tài)信息'Status = 0000'，等等。 此后，如果在按照數(shù)據(jù)再現(xiàn)操作(步驟S50)對寫入OSA 35的替換區(qū)35a中的第 二數(shù)據(jù)簇簇#2的再現(xiàn)中檢測出新的缺陷，則將第二數(shù)據(jù)簇簇#2寫到OSA 35的第二替換區(qū) (例如，區(qū)域35c)(步驟S51)。第二替換區(qū)35c的物理扇區(qū)號(替換簇#2(新)的PSN)， 存在缺陷的用戶數(shù)據(jù)區(qū)32的第二簇區(qū)域32a的物理扇區(qū)號(缺陷簇#2的PSN)，狀態(tài)信 息'Status = 1001'(表示兩次替換)等作為第(m+1)缺陷條目(缺陷條目#(m+l))寫 入TDFL區(qū)33。以這種方式管理所有替換/備用區(qū)的缺陷。 當再次執(zhí)行數(shù)據(jù)再現(xiàn)操作時，根據(jù)儲存的第(m+1)缺陷條目TDFL信息，而忽略以 前在第一缺陷條目寫入的TDFL信息，讀出并再現(xiàn)寫在OSA 35的第二替換區(qū)35c的第二簇 數(shù)據(jù)。包含在第(m+1)缺陷條目(缺陷條目#(m+l))的狀態(tài)信息數(shù)值'1001'指示記錄/ 再現(xiàn)設(shè)備20忽略從前面缺陷條目(例如，缺陷條目#1)獲得的數(shù)據(jù)。 以這種方式，可以指定不同的狀態(tài)值，以表示缺陷條目的優(yōu)先級。僅作為一個例 子，與一個缺陷簇區(qū)域相關(guān)的狀態(tài)信息值'1101'可表示記錄/再現(xiàn)設(shè)備20應(yīng)忽略與同一
缺陷簇區(qū)域相關(guān)的狀態(tài)信息值為'ioor的低優(yōu)先級的缺陷條目。簡而言之，狀態(tài)值'iior
表示在第二替換區(qū)存在缺陷，且當前替換區(qū)是代替OSA 35中的有缺陷的第二替換區(qū)的第
三替換區(qū)。顯然，任何數(shù)值都可用作狀態(tài)信息。 在一個實施例中，如果TDDS中的標志信息(例如'SPARE & TDFL滿標志')表示 OSA 35和TDFL區(qū)33寫滿數(shù)據(jù)，則記錄/再現(xiàn)設(shè)備20不再執(zhí)行任何不必要的缺陷區(qū)檢測和 替換寫入操作。但是如果根據(jù)標志信息OSA 35和TDFL區(qū)33未寫滿數(shù)據(jù)，則記錄/再現(xiàn)設(shè) 備20繼續(xù)缺陷區(qū)檢測和替換寫入操作。沒有BD-WO上的數(shù)據(jù)寫終止命令，例如一個'DISC Finalize'命令，缺陷區(qū)檢測和替換寫入操作也可停止。該BD-W0上的寫終止命令可由微 計算機26產(chǎn)生。例如，如果用戶數(shù)據(jù)區(qū)32或一個操作者所選擇的用戶數(shù)據(jù)滿，則可產(chǎn)生 BD-WO上的數(shù)據(jù)寫入操作終止命令。 在另一個例子中，在缺陷區(qū)檢測和替換寫入操作過程中接到命令終止BD-WO上的 數(shù)據(jù)寫入操作時(終止命令)，例如'DISC Finalize'命令，而如果標志信息顯示OSA 35 和TDFL區(qū)33未滿，則記錄/再現(xiàn)設(shè)備20可保持執(zhí)行缺陷區(qū)檢測和替換寫入操作，即使記 錄/再現(xiàn)設(shè)備20停止了通常的寫入操作(S卩，向用戶數(shù)據(jù)區(qū)32寫數(shù)據(jù))。
在終止時(例如，響應(yīng)終止命令)，微計算機26分別讀取此前寫入?yún)^(qū)域36a和33的 TDDS信息和TDFL信息，并將它們作為缺陷管理區(qū)(DMA)信息永久地寫入LIA 36中的DMA 36c。簡而言之，由TDDS信息和TDFL信息組成的TDMA信息轉(zhuǎn)換為由DDS信息和DFL信息 組成的DMA信息寫入DMA 36c。 DDS信息和DFL信息分別對應(yīng)TDDS和TDFL信息，但在DDS 信息中，保存在TDDS信息中的各PSN變更為對應(yīng)于各DFL的位置而不是對應(yīng)于各TDFL的 位置。 BD-WO可包含多個DMA,將相同DMA信息保存在各DMA中，因此可通過不同DMA的 重復(fù)DMA信息來防止任何DMA信息的丟失或錯誤讀取。第一和第二缺陷管理區(qū)DMA l和2 可分配給LIA，第三和第四缺陷管理區(qū)DMA 3和4可分配給LOA。相應(yīng)地，當記錄/再現(xiàn)設(shè) 備執(zhí)行數(shù)據(jù)再現(xiàn)操作時，利用保存在任何一個的DMA中的DDS信息和DFL信息(DMA信息)， 可讀出并再現(xiàn)寫入備用區(qū)的替換區(qū)而不是用戶數(shù)據(jù)區(qū)的缺陷區(qū)的數(shù)據(jù)。
此外，利用缺陷條目(DEFECT_ENTRYS)中的狀態(tài)信息，可正確讀出和再現(xiàn)由于替 換區(qū)的任何缺陷而寫入隨后的替換區(qū)的數(shù)據(jù)。 而且，如備用區(qū)和TDFL區(qū)寫滿，通過參考包含在TDDS信息及此類信息中的標志信 息(Spare & TDFL滿標志)，任何不必要的缺陷檢查和替換寫入操作可自動地停止。
圖7示出根據(jù)本發(fā)明的某一實施例的雙層BD-WO的結(jié)構(gòu)。參見圖7，該BD_WO為具 有第一層(層#0)和第二層(層#1)的雙層光盤。第一層包括LIA 36、數(shù)據(jù)區(qū)31和外部區(qū) 域(外部區(qū)域0)，第二層包括數(shù)據(jù)區(qū)31，外部區(qū)域(外部區(qū)域1)，和L0A 41。同時，第一外 備用區(qū)(OSA 0)35和第二外備用區(qū)(0SA1)42可分別分配給鄰近第一層的外部區(qū)域(外部 區(qū)域O)和第二層的外部區(qū)域(外部區(qū)域l)的非用戶數(shù)據(jù)區(qū)。 采用本發(fā)明以上所述概念，TDFL區(qū)可位于鄰近第一層的LIA 36的一個非用戶數(shù) 據(jù)區(qū)33，并且TDFL區(qū)也可位于鄰近第二層的L0A 41的非用戶數(shù)據(jù)區(qū)40。如虛線箭頭方向 所示，由于數(shù)據(jù)寫入操作通常發(fā)生在從第一層的用戶數(shù)據(jù)區(qū)32a的開頭(這里表示為〃 LSN =0〃 )到第二層的用戶數(shù)據(jù)區(qū)32b的末尾(這里表示為〃 Last LSN〃 )的范圍，故TDFL 區(qū)33和40可順序地或相互獨立地用于在其中存儲TDFL信息。如果順序使用TDFL區(qū)33 和40，則在第一 TDFL區(qū)33寫滿前，不會使用第二 TDFL區(qū)40。如果TDFL區(qū)33和40獨立 地使用，則指派各TDFL區(qū)可包含僅指向單層的信息。例如，TDFL區(qū)33僅包含與第一層(層 #0)相關(guān)的信息，而TDFL區(qū)40僅包含與第二層(層#1)相關(guān)的信息。
類似地，如上所述，LIA 36和L0A 41也可順序地或獨立地在其中保存TDDS和/或 DMA(DDS & DFL)信息。例如，如果LIA 36和LOA 41順序地使用，則在第一 TDDS區(qū)36a寫 滿前，不會用到第二TDDS區(qū)41a。如果LIA 36和LOA 41獨立地使用，例如，第一 TDDS區(qū) 36a僅包含與第一層(層#0)相關(guān)的信息，第二 TDDS區(qū)41a僅包含與第二層(層#1)相關(guān) 的信息。 同樣地，第一 DMA 36c和和第二 DMA 41c可順序地或獨立地使用。例如，如果DMA 36c和41c是順序地使用，則在第一DMA 36c寫滿前，不會使用第二 DMA 41c。如果DMAs 36c 和41c獨立地使用，則第一DMA 36c僅包含與第一層(層#0)相關(guān)的DMA信息(可從第一 TDMA區(qū)33和36a和/或第二 TDMA區(qū)40和41a獲得)，或包含全部與保存在第一 TDMA區(qū) 33和36a信息相對應(yīng)的DMA信息。在相同情況下，第二DMA 41c僅包含與第二層(層#1) 相關(guān)的DMA信息(可從第一 TDMA區(qū)33和36a和/或第二 TDMA區(qū)40和41a獲得)，或包含 所有與存儲在第二 TDMA區(qū)40和41a的信息相對應(yīng)的DMA信息。其他的變化也是可能的。
每個TDFL區(qū)可具有等于2048物理簇的記錄長度，而每個OSA可具有等于256物 理簇的倍數(shù)的記錄長度。 圖8示出根據(jù)本發(fā)明的另一優(yōu)選實施例的一種BD-WO的結(jié)構(gòu)和一種用于管理 BD-WO的缺陷區(qū)的一種方法的示意圖。除了 TDFL信息和TDDS信息都寫入數(shù)據(jù)區(qū)前/后的 一個特別的扇區(qū)以外，如LIA中，本實施例與上面圖4-6所示實施例一致。
參照圖8，例如，LIA 36包括DMA 36c，用于在其中儲存由DDS和DFL信息組成的 DMA信息；TDMA區(qū)36e，用于在其中儲存由TDDS和TDFL信息組成的TDMA信息。其他的數(shù) 據(jù)也可保存LIA 36中。 圖8實施例的概念同樣適用于具有多記錄層的BD-WO。例如圖8的實施例同樣 適用于圖7所示的雙層BD-WO結(jié)構(gòu)。在那種情況下，如前參照圖7所述的具有DMA和TDMA
10信息的雙層BD-W0的結(jié)構(gòu)可作變更，以便使TDFL區(qū)處于雙層BD-WO的LIA和/或LOA中， 而不是處于第一和第二層的數(shù)據(jù)區(qū)(33，40)中。所有其它與圖7實施例相關(guān)的概念在此均 可使用。 在本發(fā)明中，數(shù)據(jù)再現(xiàn)操作可與數(shù)據(jù)寫入操作同時執(zhí)行，或先于或后于其執(zhí)行。數(shù) 據(jù)寫入操作可與缺陷檢查操作和/或數(shù)據(jù)替換寫入操作和/或管理信息寫入操作同時執(zhí) 行，或先于或后于其執(zhí)行。同時在本發(fā)明中，位于LIA和LOA中的DDS區(qū)、DFL區(qū)、TDDS區(qū)和 TDFL區(qū)的次序是可變的。例如，在圖4中，LIA 36中的TDDS區(qū)36a可位于DMA 36c之前。
工業(yè)實用性 如前所述，用于管理如BD-WO等一次寫入型記錄介質(zhì)的方法和設(shè)備，通過將數(shù)據(jù) 寫入備用區(qū)以代替缺陷區(qū)以及有效地管理臨時管理數(shù)據(jù)，使得可以對寫入該記錄介質(zhì)的缺 陷區(qū)的數(shù)據(jù)進行正確的讀取和/或再現(xiàn)。此外，利用缺陷條目的狀態(tài)信息，在第一替換區(qū)發(fā) 現(xiàn)有缺陷時，本方法和設(shè)備可讀取和再現(xiàn)寫入其它替換區(qū)的數(shù)據(jù)。根據(jù)保存在TDDS信息中 的標志信息，如備用區(qū)(替換區(qū))和TDFL區(qū)寫滿時，本方法和設(shè)備可停止不必要的缺陷檢 查及替換寫入操作。 顯然，在不脫離本發(fā)明的范圍和精神的前提下，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可作出多 種修改和變更。因而，本發(fā)明要覆蓋其權(quán)利要求書的定義及其等價物所確定的范圍中的修 改和變更。
1權(quán)利要求
1. 一種用于管理一次寫入型記錄介質(zhì)的設(shè)備，所述記錄介質(zhì)包括導(dǎo)入?yún)^(qū)、具有用戶數(shù) 據(jù)區(qū)和非用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)、以及導(dǎo)出區(qū)，所述設(shè)備包括拾波器，被配置成向/從所述記錄介質(zhì)寫/讀數(shù)據(jù)；伺服機構(gòu)，被配置成控制所述拾波器，以使所述拾波器與所述記錄介質(zhì)之間保持一定 距離，并被配置成追蹤所述記錄介質(zhì)上的相應(yīng)的軌道；微計算機，被配置成控制所述伺服機構(gòu)和拾波器，以執(zhí)行缺陷區(qū)檢測和替換寫入操作； 控制所述伺服機構(gòu)和拾波器，以便在所述記錄介質(zhì)終止之前，將屬于用戶數(shù)據(jù)區(qū)中所檢測 到的缺陷區(qū)的臨時缺陷列表信息寫入到位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷列表區(qū)；并且控制 所述伺服機構(gòu)和拾波器，以便當位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷列表區(qū)被寫滿數(shù)據(jù)時，將 指示符信息寫入到導(dǎo)入?yún)^(qū)中保留的區(qū)域，所述指示符信息指示位于所述記錄介質(zhì)中的臨時 缺陷列表區(qū)被寫滿。
2. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中，所述微計算機被配置成控制所述伺服機構(gòu)和拾波 器，以便如果所述指示符信息指示位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷列表區(qū)被寫滿，則不再 執(zhí)行缺陷區(qū)檢測和替換寫入操作。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的設(shè)備，其中，所述微計算機被配置成控制所述伺服機構(gòu)和拾 波器，以便當終止所述記錄介質(zhì)時，將位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷列表區(qū)中所寫入的 臨時缺陷列表信息作為缺陷列表信息寫入到缺陷管理區(qū)。
4. 如權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中，所述微計算機被配置成控制所述伺服機構(gòu)和拾波 器，以便當終止所述記錄介質(zhì)時，將盤定義結(jié)構(gòu)信息寫入到所述缺陷管理區(qū)，所述盤定義結(jié) 構(gòu)信息具有所述缺陷管理區(qū)中所寫入的缺陷列表信息的位置的第一物理扇區(qū)號。
5. —種管理一次寫入型記錄介質(zhì)的方法，所述記錄介質(zhì)包括導(dǎo)入?yún)^(qū)、具有用戶數(shù)據(jù)區(qū) 和非用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)、以及導(dǎo)出區(qū)，所述方法包括以下步驟(a) 執(zhí)行缺陷區(qū)檢測和替換寫入操作；(b) 在所述記錄介質(zhì)終止之前，將屬于用戶數(shù)據(jù)區(qū)中所檢測到的缺陷區(qū)的臨時缺陷列 表信息寫入到位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷列表區(qū)；(c) 當位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷列表區(qū)被寫滿數(shù)據(jù)時，將指示符信息寫入到導(dǎo) 入?yún)^(qū)中保留的區(qū)域，所述指示符信息指示位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷列表區(qū)被寫滿。
6. 如權(quán)利要求5所述的方法，其中，如果所述指示符信息指示位于所述記錄介質(zhì)中的 臨時缺陷列表區(qū)被寫滿，則不再執(zhí)行步驟(a)。
7. 如權(quán)利要求5或6所述的方法，進一步包括以下步驟(d) 當終止所述記錄介質(zhì)時，將位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷列表區(qū)中所寫入的臨 時缺陷列表信息作為缺陷列表信息寫入到缺陷管理區(qū)。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，進一步包括以下步驟(e) 當終止所述記錄介質(zhì)時，將盤定義結(jié)構(gòu)信息寫入到所述缺陷管理區(qū)，所述盤定義結(jié) 構(gòu)信息具有所述缺陷管理區(qū)中所寫入的缺陷列表信息的位置的第一物理扇區(qū)號。
9. 一種用于管理一次寫入型記錄介質(zhì)的設(shè)備，所述記錄介質(zhì)包括導(dǎo)入?yún)^(qū)、具有用戶數(shù) 據(jù)區(qū)和非用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)、以及導(dǎo)出區(qū)，所述設(shè)備包括拾波器，被配置成向/從所述記錄介質(zhì)寫/讀數(shù)據(jù)；伺服機構(gòu)，被配置成控制所述拾波器，以使所述拾波器與所述記錄介質(zhì)之間保持一定距離，并被配置成追蹤所述記錄介質(zhì)上的相應(yīng)的軌道；微計算機，被配置成控制所述伺服機構(gòu)和所述拾波器，以讀取指示符信息，所述指示符 信息位于所述導(dǎo)入?yún)^(qū)中保留的區(qū)域，所述指示符信息指示位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷 列表區(qū)是否被寫滿數(shù)據(jù)；并且被配置成控制所述伺服機構(gòu)和所述拾波器，以便如果所述指 示符信息指示位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷列表區(qū)被寫滿，則不再執(zhí)行缺陷區(qū)檢測和替 換寫入操作。
10. 如權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中，所述微計算機被配置成控制所述伺服機構(gòu)和所述 拾波器，以便當終止所述記錄介質(zhì)時，將位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷列表區(qū)中所寫的 臨時缺陷列表信息作為缺陷列表信息寫入到缺陷管理區(qū)。
11. 如權(quán)利要求io所述的設(shè)備，其中，所述微計算機被配置成控制所述伺服機構(gòu)和所述拾波器，以便當終止所述記錄介質(zhì)時，將盤定義結(jié)構(gòu)信息寫入到所述缺陷管理區(qū)，所述盤 定義結(jié)構(gòu)信息具有所述缺陷管理區(qū)中所寫入的缺陷列表信息的位置的第一物理扇區(qū)號。
12. 如權(quán)利要求10或11所述的設(shè)備，其中，所述微計算機被配置成產(chǎn)生命令以終止所 述記錄介質(zhì)。
13. —種管理一次寫入型記錄介質(zhì)的方法，所述記錄介質(zhì)包括導(dǎo)入?yún)^(qū)、具有用戶數(shù)據(jù)區(qū) 和非用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)區(qū)、以及導(dǎo)出區(qū)，所述方法包括以下步驟(a) 讀取指示符信息，所述指示符信息位于所述導(dǎo)入?yún)^(qū)中保留的區(qū)域，所述指示符信息 指示位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷列表區(qū)是否被寫滿數(shù)據(jù)；(b) 如果所述指示符信息指示位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷列表區(qū)被寫滿，則停止 缺陷區(qū)檢測和替換寫入操作。
14. 如權(quán)利要求13所述的方法，進一步包括以下步驟(c) 當終止所述記錄介質(zhì)時，將位于所述記錄介質(zhì)中的臨時缺陷列表區(qū)中所寫入的臨 時缺陷列表信息作為缺陷列表信息寫入到缺陷管理區(qū)。
15. 如權(quán)利要求14所述的方法，進一步包括以下步驟(d) 當終止所述記錄介質(zhì)時，將盤定義結(jié)構(gòu)信息寫入到所述缺陷管理區(qū)，所述盤定義結(jié) 構(gòu)信息具有所述缺陷管理區(qū)中所寫入的缺陷列表信息的位置的第一物理扇區(qū)號。
全文摘要
文檔編號G11B7/00GK101697281SQ200910164688
公開日2010年4月21日 申請日期2003年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月30日
發(fā)明者樸容徹, 金成大 申請人:Lg電子株式會社;