專(zhuān)利名稱(chēng)：磁記錄介質(zhì)、采用其的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和測(cè)量寫(xiě)讀偏移的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的方法和設(shè)備涉及磁記錄介質(zhì)、采用磁記錄介質(zhì)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器
(HDD)和測(cè)量HDD的寫(xiě)讀(WR)偏移的方法，更特別地，涉及磁記錄介質(zhì)， 例如具有形成圖案的數(shù)據(jù)區(qū)域的圖案介質(zhì)或者分離磁道介質(zhì)，其中磁記錄 介質(zhì)可以容易地用于測(cè)量WR偏移，以及涉及采用磁記錄介質(zhì)的HDD，和 測(cè)量HDD的偏移的方法。
背景技術(shù)：
近來(lái)，隨著處理的數(shù)據(jù)量的快速增長(zhǎng)，對(duì)于用于記錄和再生數(shù)據(jù)的更 高密度的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置的需求已經(jīng)增加。特別地，因?yàn)椴捎么庞涗浗橘|(zhì)的 HDD具有高存儲(chǔ)能力和高訪問(wèn)速度，所以其作為各種數(shù)字裝置以及計(jì)算機(jī) 系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)裝置引起了很大的注意。同時(shí)，在具有連續(xù)磁記錄層的磁 記錄介質(zhì)(在此及后稱(chēng)為連續(xù)介質(zhì))的情形中，當(dāng)作為記錄數(shù)據(jù)的最小單元的 比特的尺寸，或者數(shù)據(jù)磁道的節(jié)距降低到某一極限之下時(shí)，由于相鄰的數(shù) 據(jù)磁道之間的磁相互作用噪音增加并且記錄穩(wěn)定性降級(jí)。相應(yīng)地，在通過(guò) 不斷增加作為磁記錄介質(zhì)的轉(zhuǎn)動(dòng)方向的密度的線性記錄密度和作為在磁記
錄介質(zhì)的徑向方向的密度的磁道密度來(lái)不斷增加記錄密度方面存在限制。
因此，已經(jīng)研究具有在其中進(jìn)行磁記錄并且在制造過(guò)程中預(yù)形成圖案 的圖案介質(zhì)或者分離磁道介質(zhì)。分離磁道介質(zhì)配置的以使得數(shù)據(jù)磁道之間 的空間是空的或者用非磁性材料充填。圖案介質(zhì)配置的以使得作為最小記 錄單元的比特點(diǎn)形成圖案為島，并且比特點(diǎn)周?chē)目臻g是空的或者用非磁 性材料充填。但是，難以用測(cè)量施加到包括連續(xù)磁記錄層的連續(xù)介質(zhì)的寫(xiě) 讀(WR)偏移的方法使用分離石茲道介質(zhì)和圖案介質(zhì)。
圖1是示出連續(xù)介質(zhì)的磁頭的磁道位置和偏離磁道的量之間的關(guān)系的 圖。參照?qǐng)D1， WR偏移根據(jù)磁記錄表面hd0和hdl和磁頭的磁道位置改變。 WR偏移可還根據(jù)磁頭的寫(xiě)頭和讀頭之間的距離或者寫(xiě)頭和讀頭的制造公差改變。參照?qǐng)D1，在連續(xù)介質(zhì)的外部發(fā)生約5-10 ;茲道的偏移。當(dāng)使用具 有比連續(xù)介質(zhì)的磁道節(jié)距更窄的磁道節(jié)距的圖案介質(zhì)離或者分離磁道介質(zhì) 時(shí)，WR偏移可變的更糟。相應(yīng)地，需要測(cè)量分離磁道介質(zhì)或者圖案介質(zhì)的 WR偏移的方法。
測(cè)量連續(xù)介質(zhì)的WR偏移的方法包括寫(xiě)特定數(shù)據(jù)和搜索所寫(xiě)數(shù)據(jù)將被 讀取處的磁頭的最佳位置。測(cè)量連續(xù)介質(zhì)的WR偏移的方法包括利用在特 定磁道位置的寫(xiě)頭寫(xiě)待測(cè)量的數(shù)據(jù)，改變?cè)谔囟ā菲澋牢恢锰帯菲濐^偏離；茲道 的量和當(dāng)從讀頭輸入的信號(hào)是最大的時(shí)計(jì)算偏離磁道的值。因?yàn)閃R偏移 根據(jù)磁頭的磁道位置連續(xù)不斷的改變，所以獲得在各個(gè)位置處偏離磁道的 值，然后預(yù)測(cè)在磁頭的每個(gè)磁道位置的值，如圖1所示。但是，在分離磁 道介質(zhì)或者圖案介質(zhì)的情形中，因?yàn)檫M(jìn)行磁記錄的數(shù)據(jù)區(qū)域，例如數(shù)據(jù)石茲 道或者比特點(diǎn)是在制造過(guò)程中預(yù)先確定的，所以數(shù)據(jù)可以寫(xiě)在數(shù)據(jù)磁道或 者比特點(diǎn)之外。在這種情況中，因?yàn)閿?shù)據(jù)錯(cuò)誤地寫(xiě)在數(shù)據(jù)磁道或者比特?cái)?shù) 據(jù)之外，所以當(dāng)測(cè)量連續(xù)介質(zhì)的WR偏移的方法被用于分離的軌道介質(zhì)或 者圖案介質(zhì)時(shí)，錯(cuò)誤發(fā)生。相應(yīng)地，對(duì)于分離磁道介質(zhì)或者圖案介質(zhì)，使 用施加到連續(xù)介質(zhì)的WR偏移的測(cè)量方法是有問(wèn)題的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例克服上面的缺點(diǎn)和上面沒(méi)有描述的其它缺點(diǎn)。 再者，本發(fā)明并不必須克服上述缺點(diǎn)，并且本發(fā)明的示例性實(shí)施例可以不 克服上述的任何問(wèn)題。
本發(fā)明提供磁記錄介質(zhì)，其可使用用于相關(guān)技術(shù)的連續(xù)介質(zhì)的WR偏 移的測(cè)量方法而無(wú)需對(duì)該方法做大的修改，以及提供采用磁記錄介質(zhì)的 HDD和測(cè)量HDD的WR偏移的方法。
根據(jù)本發(fā)明一方面，提供一種磁記錄介質(zhì)，其包括》茲盤(pán)基底；和形 成在磁盤(pán)基底的一個(gè)或者兩個(gè)表面上的磁記錄層，其中所述磁記錄層包括 形成圖案為多個(gè)數(shù)據(jù)磁道的至少一個(gè)圖案區(qū)域，其中至少一個(gè)圖案區(qū)域由 圖案》茲性物質(zhì)(patterned magnetic substance)形成；和至少一個(gè)由連續(xù)》茲^生物 質(zhì)形成的連續(xù)區(qū)域，其中連續(xù)區(qū)域用于測(cè)量WR偏移。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種HDD,包括磁記錄介質(zhì)，其包括 磁盤(pán)基底和形成在磁盤(pán)基底的一個(gè)或者兩個(gè)表面上的磁記錄層，其中磁記
錄層包括形成圖案為多個(gè)數(shù)據(jù)磁道的至少一個(gè)圖案區(qū)域，其中至少一個(gè) 圖案區(qū)域是由圖案磁性物質(zhì)形成；和由連續(xù)磁性物質(zhì)形成的至少一個(gè)連續(xù)
區(qū)域，以及f茲頭，其包括在,茲記錄介質(zhì)上寫(xiě)數(shù)據(jù)的寫(xiě)頭和讀記錄在》茲記錄
介質(zhì)上的數(shù)據(jù)的讀頭；和控制單元，其控制磁頭在磁記錄介質(zhì)上的位置， 其中控制單元利用石茲記錄介質(zhì)的連續(xù)區(qū)域;險(xiǎn)測(cè)石茲頭的WR偏移。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種測(cè)量-茲記錄介質(zhì)的》茲頭在HDD中的 WR偏移的方法，其包括形成圖案為多個(gè)數(shù)據(jù)磁道的至少一個(gè)圖案區(qū)域，其 中所述至少 一個(gè)圖案區(qū)域是由圖案磁性物質(zhì)形成，和由連續(xù)磁性物質(zhì)形成 的至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域，所述方法包括在磁記錄介質(zhì)的連續(xù)區(qū)域中寫(xiě)一部 分WR偏移測(cè)量圖案；和從WR偏移測(cè)量圖案測(cè)量WR偏移。


本發(fā)明的上面和其它方面將通過(guò)參照附圖詳細(xì)地描述其示例性實(shí)施例 而變得更加明顯，其中
圖1是示出磁頭的磁道位置與由于WR偏移所致的偏離磁道的量之間 的關(guān)系的圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)的頂部視圖3是圖2的磁記錄介質(zhì)的Rl部分的放大的透視圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)的頂部視圖5是圖4的磁記錄介質(zhì)的R2部分的放大的透視圖6是根據(jù)本發(fā)明的另 一示例性實(shí)施例的石茲記錄介質(zhì)的頂部視圖7是圖6的磁記錄介質(zhì)的R3部分的放大的透視圖8是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)的頂部視圖9是圖8的磁記錄介質(zhì)的R4部分的放大的透視圖10是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的磁頭的氣浮(air bearing)表面的視
圖11和12是用于解釋圖10的》茲頭的WR偏移的一見(jiàn)圖； 圖13是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的釆用磁記錄介質(zhì)的HDD的方框 圖；和
圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的測(cè)量磁記錄介質(zhì)的WR偏移 的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明，其中示出本發(fā)明的示例性實(shí)施 例。但是，本發(fā)明可以實(shí)施為不同的形式，并且不應(yīng)解釋為限制到在此所 提出的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例以使得本公開(kāi)更加徹底和完全，并 將完全傳達(dá)本發(fā)明的范圍到本領(lǐng)域技術(shù)人員。在圖中，為了清楚，部件的 厚度可以被擴(kuò)大。全文中，相同的標(biāo)號(hào)表示相同的部件。
現(xiàn)將參照?qǐng)D2和圖3解釋根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)。 圖2是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)10的頂部視圖；圖3是圖 2的^茲記錄介質(zhì)10的Rl部分的》欠大的透浮見(jiàn)圖。
參照?qǐng)D2，石茲記錄介質(zhì)10的磁記錄表面具有盤(pán)形狀，并等角度地分為 多個(gè)具有扇形形狀的扇區(qū)11。每一扇區(qū)11包括分離磁道區(qū)域12和連續(xù)區(qū) 域13。
參照?qǐng)D3,磁記錄介質(zhì)10包括磁盤(pán)基底19和形成在磁盤(pán)基底19的至 少一個(gè)表面上的-茲記錄層15。
磁記錄層15的分離磁道區(qū)域12形成圖案成為由磁性物質(zhì)形成并從磁 盤(pán)基底19突起的數(shù)據(jù)磁道12a和將數(shù)據(jù)磁道12a的磁性地彼此隔離的分隔 開(kāi)的區(qū)域12b。數(shù)據(jù)磁道12a是在其中執(zhí)行磁記錄的數(shù)據(jù)區(qū)域，其在制造過(guò) 程中預(yù)先確定。數(shù)據(jù)磁道12a在跨磁道的方向彼此磁性地隔離開(kāi)，并且由連 續(xù)的石茲性物質(zhì)在沿著》茲道方向形成。每個(gè)數(shù)據(jù)》茲道12a可具有幾到幾十納米 (nm)的寬度。磁性地隔離數(shù)據(jù)磁道12a的分隔區(qū)域12b可以是空的或者用非 磁性材料充填。相應(yīng)地，分離磁道區(qū)域12最小化相鄰數(shù)據(jù)磁道12a之間的 磁相互作用，從而提高記錄密度。
磁記錄層15的連續(xù)區(qū)域13具有由連續(xù)的磁性物質(zhì)形成的表面。每個(gè) 具有楔形形狀的連續(xù)區(qū)域13從盤(pán)中心等距間隔，如圖2所示。連續(xù)區(qū)域13 用于測(cè)量WR偏移。也就是說(shuō)，連續(xù)區(qū)域13變?yōu)閃R偏移測(cè)量的部分。為 了測(cè)量WR偏移，任意的WR偏移測(cè)量圖案可以寫(xiě)入連續(xù)區(qū)域13。盡管在 圖2和3中寫(xiě)WR偏移測(cè)量圖案4又為了測(cè)量WR偏移，本示例性實(shí)施例并 不限于此。例如，WR偏移測(cè)量圖案可以是用戶數(shù)據(jù)或者為了其它目的寫(xiě)入 的圖案。再者，WR偏移測(cè)量圖案可以一次寫(xiě)入或分次寫(xiě)入。有很多用于相 關(guān)^t支術(shù)的連續(xù)介質(zhì)的測(cè)量WR偏移的方法。因?yàn)樵趫D2和3中連續(xù)區(qū)域13
用于測(cè)量WR偏移，所以用于相關(guān)技術(shù)的連續(xù)介質(zhì)的測(cè)量WR偏移的各種 圖案可用作WR偏移測(cè)量圖案。
盡管在圖2和圖3中為每個(gè)扇區(qū)11形成用于測(cè)量WR偏移的一個(gè)連續(xù) 區(qū)域13， ^f旦是本示例性實(shí)施例并不限于此。例如，連續(xù)區(qū)域13可^f義形成在 ^磁記錄表面的一個(gè)扇區(qū)中或者一些扇區(qū)中。
現(xiàn)將參照?qǐng)D4和圖5解釋根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的磁記錄介 質(zhì)。圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)20的頂部視圖。 圖5是圖4的磁記錄介質(zhì)20的R2部分的放大的透視圖。
參照?qǐng)D4,磁記錄介質(zhì)20的磁記錄表面具有盤(pán)形狀，并包括分離磁道 區(qū)域22,在其上圓形數(shù)據(jù)磁道22a關(guān)于盤(pán)中心形成圖案，以及包括具有與 數(shù)據(jù)磁道22a同心的環(huán)形的帶狀的連續(xù)區(qū)域23。
參照?qǐng)D5,磁記錄介質(zhì)20包括磁盤(pán)基底29和形成在磁盤(pán)基底29的至 少一個(gè)表面上的》茲記錄介質(zhì)25。 -磁記錄層25的分離^茲道區(qū)域22形成圖案 成為由f茲性物質(zhì)形成并/人》茲盤(pán)基底29突起的數(shù)據(jù)》茲道22a和-磁性地隔離數(shù) 據(jù)磁道22a的分隔區(qū)域22b中。數(shù)據(jù)磁道22a是在其中執(zhí)行磁記錄的數(shù)據(jù)區(qū) 域，是在制造過(guò)程中預(yù)先確定的。因?yàn)閿?shù)據(jù)磁道22a實(shí)質(zhì)上與圖2和圖3 的數(shù)據(jù)磁道12a相同，除了數(shù)據(jù)磁道22a是由連續(xù)的環(huán)形形狀形成之外，所 以將不會(huì)對(duì)其給予重復(fù)的解釋。
磁記錄層25的連續(xù)區(qū)域23具有由連續(xù)的磁性物質(zhì)形成的表面，并具 有環(huán)形帶狀，如圖4所示。盡管在圖4中僅一個(gè)區(qū)域23形成在整個(gè)磁記錄 表面上，但是，本示例性實(shí)施例并不限于此。與數(shù)據(jù)磁道22a同心的多個(gè)同 心的連續(xù)區(qū)域可關(guān)于盤(pán)中心形成。
連續(xù)區(qū)域23變成WR偏移測(cè)量部分。例如，WR偏移測(cè)量圖案可以寫(xiě) 入連續(xù)區(qū)域23， WR偏移可以利用所寫(xiě)的偏移測(cè)量圖案測(cè)量。WR偏移測(cè)量 圖案可以是用于相關(guān)技術(shù)的連續(xù)介質(zhì)中的WR偏移測(cè)量圖案?？紤]到在WR 偏移的測(cè)量過(guò)程中的邊界(margin),連續(xù)區(qū)域23可具有對(duì)應(yīng)至少兩個(gè)磁道 節(jié)距的寬度。因?yàn)閳D4和5的磁記錄介質(zhì)20包括連續(xù)區(qū)域23,所以可以使 用測(cè)量用于相關(guān)技術(shù)的連續(xù)介質(zhì)的WR偏移的方法，其包括寫(xiě)數(shù)據(jù)和檢測(cè) 所寫(xiě)的凝:據(jù)，而無(wú)需變化太多。
現(xiàn)將參照?qǐng)D6和圖7解釋根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的磁記錄介 質(zhì)。圖6是根據(jù)本發(fā)明的另一示例性實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)30的頂部視圖。
圖7是圖6的磁記錄介質(zhì)30的R3部分的放大的透視參照?qǐng)D6和7, f茲記錄介質(zhì)30的磁記錄表面等角地分為具有扇形形狀 的多個(gè)扇區(qū)31。每一扇區(qū)31包括比特圖案區(qū)域32和連續(xù)區(qū)域33。參照?qǐng)D 7，磁記錄介質(zhì)30包括磁盤(pán)基底39和形成在磁盤(pán)基底39的至少一個(gè)表面 上的》茲記錄層35。
/磁記錄層35的比特圖案區(qū)域32是在3爭(zhēng)》茲道方向和沿著》茲道方向由非 連續(xù)的磁性物質(zhì)形成。非連續(xù)磁性物質(zhì)可以是比特點(diǎn)32a，其通過(guò)將用戶數(shù) 據(jù)以最小的磁記錄單元形成圖案而形成。分配到每個(gè)比特點(diǎn)32a—個(gè)比特。 圍繞比特點(diǎn)32a的分隔區(qū)域32b是空的或者用非磁性物質(zhì)充填以磁性地彼 此隔離比特點(diǎn)32a。比特圖案區(qū)域32最小化相鄰比特點(diǎn)32a之間的》茲相互 作用并降低比特尺寸，從而增加記錄密度。比特點(diǎn)32a排列起來(lái)以形成數(shù)據(jù) 磁道。
磁記錄層35的連續(xù)區(qū)域33具有由連續(xù)磁性物質(zhì)形成的表面，并用于 測(cè)量WR偏移。例如，用于測(cè)量相關(guān)技術(shù)的連續(xù)介質(zhì)的WR偏移的各種圖 案可以在圖6和圖7的連續(xù)區(qū)域33中寫(xiě)入作為WR偏移測(cè)量圖案。因?yàn)榇?記錄介質(zhì)30實(shí)質(zhì)上與圖2和3的^茲記錄介質(zhì)10相同，除了比特圖案區(qū)域 32外，所以將不會(huì)給予其重復(fù)的解釋。
盡管在圖6中為每個(gè)扇區(qū)31形成一個(gè)連續(xù)區(qū)域33，但是本示例性實(shí)施 例并不限于此。連續(xù)區(qū)域33可形成在整個(gè)^茲記錄表面的^f又一個(gè)扇區(qū)或者一 些扇區(qū)中。
現(xiàn)將參照?qǐng)D8和9釋根據(jù)另一示例性實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)。圖8是根 據(jù)本發(fā)明的另 一示例性實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)40的頂部視圖。圖9是圖8的 磁記錄介質(zhì)40的R4部分的放大的透視圖。因?yàn)閳D8和9的磁記錄介質(zhì)40 實(shí)質(zhì)上與圖4和圖5的磁記錄介質(zhì)20相同，除了比特圖案區(qū)域42外，所 以將不會(huì)給予其重復(fù)的解釋。
參照?qǐng)D8，磁記錄介質(zhì)40的磁記錄表面具有盤(pán)形狀，并包括比特圖案 區(qū)域42，在其上圓形數(shù)據(jù)磁道關(guān)于盤(pán)中心形成圖案，以及包括具有與數(shù)據(jù) 磁道同心的環(huán)形帶狀連續(xù)區(qū)域43。參照?qǐng)D9，磁記錄介質(zhì)40包括磁盤(pán)基底 49和形成在-茲盤(pán)基底49的至少一個(gè)表面上的石茲記錄層45。 /磁記錄層45的 比特圖案區(qū)域42包括由在跨躍磁道方向和沿著磁道方向非連續(xù)的磁性物質(zhì) 形成的比特點(diǎn)42a和圍繞比特點(diǎn)42a的分隔區(qū)域42b。比特點(diǎn)42a安置在環(huán)
形線路中以形成數(shù)據(jù)》茲道。因?yàn)楸忍攸c(diǎn)42a實(shí)質(zhì)上與圖6和7的凄t據(jù)f茲道 32相同，除了比特點(diǎn)42a安置為連續(xù)的圓形線路之外，所以將不會(huì)給予其 重復(fù)的解釋。
磁記錄層45的連續(xù)區(qū)域43具有由連續(xù)磁性物質(zhì)形成的表面，并具有 環(huán)形的帶狀，如圖8所示。WR偏移測(cè)量圖案可以寫(xiě)入連續(xù)區(qū)域43中以測(cè) 量WR偏移?？紤]到在WR偏移的測(cè)量過(guò)程中的邊界，連續(xù)區(qū)域43可以具 有對(duì)應(yīng)至少2個(gè)磁道節(jié)距的寬度。盡管在圖8中一個(gè)連續(xù)區(qū)域43形成在整 個(gè)磁記錄表面上，本示例性實(shí)施例并不限于此?？梢躁P(guān)于盤(pán)中心形成與數(shù) 據(jù)石茲道同心的多個(gè)連續(xù)區(qū)域。
將解釋根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的采用磁記錄介質(zhì)的HDD和測(cè)量
HDD的WR偏移的方法。
現(xiàn)將參照?qǐng)D10-12解釋根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的采用磁記錄介質(zhì) 的HDD中的磁頭的WR偏移。圖10示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的磁 頭50的氣浮表面。圖11是示出在其上安裝圖10的磁頭50的致動(dòng)器和磁記 錄介質(zhì)的透視圖。圖12示出圖10的磁頭50的WR偏移。
參照?qǐng)D10，磁頭50包括具有寫(xiě)極52和返回極53的寫(xiě)頭51、讀頭54 和屏蔽雜散場(chǎng)進(jìn)入讀頭54的屏蔽層55和56。寫(xiě)才及52和讀頭54 ;f皮比間隔 開(kāi)預(yù)定距離因?yàn)榇蓬^50與用于相關(guān)技術(shù)的HDD中的磁頭的結(jié)構(gòu)實(shí)質(zhì)上 相同，所以將不給予其詳細(xì)的解釋。
參照?qǐng)D11，在磁記錄介質(zhì)60的表面上通過(guò)的圖10的磁頭50由致動(dòng)器 70移動(dòng)以寫(xiě)和讀數(shù)據(jù)。致動(dòng)器70包括致動(dòng)器臂75和從致動(dòng)器臂75延伸的 懸架73。在其上安裝磁頭50的滑塊71連接到懸架73的末端。
當(dāng)繞致動(dòng)器70的轉(zhuǎn)動(dòng)軸轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，磁頭50移動(dòng)到磁記錄介質(zhì)60上的另 一磁道T。由于致動(dòng)器70的轉(zhuǎn)動(dòng)所致的磁頭50的運(yùn)動(dòng)可表示為平動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng) 的組合。參照?qǐng)D12,轉(zhuǎn)動(dòng)磁頭50以使得磁頭50的中心線Ll和讀頭54的 軌跡L2或者寫(xiě)頭51的軌跡L3彼此偏離。
當(dāng)讀頭54正確地沿著磁道時(shí)，讀頭54的軌跡L2與磁道重合。但是， 如圖12所示，讀頭54的軌跡L2和寫(xiě)頭51的軌跡L3可以彼此不相同，在 這種情況中，寫(xiě)頭51的軌跡L3與磁道并不重合。在讀頭54的軌跡L2和 寫(xiě)頭51的軌跡L3之間的該偏移量稱(chēng)作WR偏移5,并且磁頭50的中心線
Ll和磁記錄介質(zhì)60的轉(zhuǎn)動(dòng)方向之間的角度稱(chēng)作傾斜角e。
現(xiàn)將參照?qǐng)D13解釋根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的采用磁記錄介質(zhì)的
HDD 。圖13是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的采用磁記錄介質(zhì)60的HDD 100 的方框圖。
參照?qǐng)D13, HDD100包括磁頭具有機(jī)械部件的磁頭磁盤(pán)組件110和電 路單元120。
磁頭磁盤(pán)組件110包括由心軸電機(jī)117轉(zhuǎn)動(dòng)的磁記錄介質(zhì)60和致動(dòng)器 70。磁記錄介質(zhì)60可以是圖2-9的磁記錄介質(zhì)10-40的任何一個(gè)。將不會(huì) 給出磁記錄介質(zhì)60的詳細(xì)解釋以避免重復(fù)解釋。致動(dòng)器70配置的以使得 具有帶磁頭的滑塊71附著到其上的末端的致動(dòng)器臂75由音圈電機(jī)(VCM)77 驅(qū)動(dòng)。安裝在致動(dòng)器70上的磁頭可以是參照?qǐng)DIO描述的磁頭50，但是本 示例性實(shí)施例并不限于此。
電路單元120包括前置放大器121、讀/寫(xiě)通道122、控制單元123、伺 服驅(qū)動(dòng)單元124、心軸電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元125、磁盤(pán)數(shù)據(jù)控制器(DDC)126、存儲(chǔ) 器127和緩沖存儲(chǔ)器128。
在寫(xiě)模式，前置放大器121允許從讀/寫(xiě)通道122施加的編碼寫(xiě)數(shù)據(jù)通 過(guò)使用》茲頭寫(xiě)在磁記錄介質(zhì)60上。在讀模式，前置放大器121預(yù)放大^茲頭 拾取的模擬讀信號(hào)并施加模擬讀信號(hào)到讀/寫(xiě)通道122。讀/寫(xiě)通道122檢測(cè) 和解碼來(lái)自從前置放大器121施加的讀信號(hào)的數(shù)據(jù)脈沖并施加解碼數(shù)據(jù)脈
沖到DDC126，或者讀/寫(xiě)通道122編碼從DDC126提供的寫(xiě)數(shù)據(jù)并施加編 碼寫(xiě)數(shù)據(jù)到前置放大器121。DDC126通過(guò)使用讀/寫(xiě)通道122和前置放大器 121將從主機(jī)收到的數(shù)據(jù)寫(xiě)在磁記錄介質(zhì)60上，或者讀來(lái)自磁記錄介質(zhì)60 的數(shù)據(jù)并將讀數(shù)據(jù)發(fā)送到主機(jī)。再者，DDC126連接主機(jī)和控制單元123 之間的通信。緩沖存儲(chǔ)器128臨時(shí)儲(chǔ)存從主機(jī)、控制單元123和讀/寫(xiě)通道 122發(fā)送的數(shù)據(jù)?？刂茊卧?23控制DDC126響應(yīng)從主機(jī)接收到的讀或?qū)懼?令，并控制磁道尋找和磁道跟隨。存儲(chǔ)器127儲(chǔ)存控制單元123的程序和 各種值。通過(guò)利用控制控制單元123產(chǎn)生的磁頭位置信號(hào)產(chǎn)生驅(qū)動(dòng)致動(dòng)器 70的驅(qū)動(dòng)電流，伺^Ji動(dòng)單元124驅(qū)動(dòng)VCM77。致動(dòng)器70#4居伺力良驅(qū)動(dòng) 單元124施加的驅(qū)動(dòng)電流的方向和電平移動(dòng)磁頭到磁記錄介質(zhì)60的記錄 面。心軸電機(jī)驅(qū)動(dòng)單元125根據(jù)用于控制控制單元123產(chǎn)生的磁記錄介質(zhì) 60的轉(zhuǎn)動(dòng)的控制值驅(qū)動(dòng)心軸電機(jī)117以便轉(zhuǎn)動(dòng)石茲記錄介質(zhì)60。
例如，關(guān)于WR偏移測(cè)量圖案的數(shù)據(jù)從主機(jī)施加到DDC126，并通過(guò)
利用讀/寫(xiě)通道122和前置放大器121寫(xiě)在^茲記錄介質(zhì)60上。在》茲記錄介質(zhì) 60的連續(xù)區(qū)域的位置上的信息可以預(yù)先記錄在磁記錄介質(zhì)60中。在這種情 況中，WR偏移測(cè)量圖案通過(guò)參照在連續(xù)區(qū)域位置上先前記錄的信息寫(xiě)在;茲 記錄介質(zhì)的連續(xù)區(qū)域中。當(dāng)制造磁磁記錄介質(zhì)時(shí)在將數(shù)據(jù)磁道形成圖案過(guò) 程中，在磁記錄介質(zhì)60的連續(xù)區(qū)域位置的信息可以與磁道信息一起記錄為 特定圖案。但是，在連續(xù)區(qū)域位置上的信息可以在制造磁記錄介質(zhì)60后單 獨(dú)記錄，或者可以存儲(chǔ)在電路單元120中的存儲(chǔ)器127中，而本示例性實(shí) 施例并不限于此。
控制器123通過(guò)利用存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器127中的程序基于WR偏移測(cè)量圖 案檢測(cè)WR偏移，并通過(guò)利用檢測(cè)出的WR偏移驅(qū)動(dòng)伺服驅(qū)動(dòng)單元124以 允許磁頭在正確的位置讀和寫(xiě)數(shù)據(jù)。
因?yàn)樯厦娴膶?xiě)WR偏移測(cè)量圖案、利用寫(xiě)的WR偏移測(cè)量圖案檢測(cè) WR偏移以及利用檢測(cè)出的WR偏移糾正磁頭的位置的操作與用于采用相 關(guān)才支術(shù)的連續(xù)介質(zhì)的HDD的方法并無(wú)大異，所以石茲頭的WR偏移可以凈皮糾 正而無(wú)需對(duì)采用相關(guān)技術(shù)的連續(xù)介質(zhì)的HDD的電路單元進(jìn)行大量的修改。
現(xiàn)將參照?qǐng)D14解釋根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例測(cè)量HDD中的WR偏 移的方法。
圖14是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的測(cè)量磁記錄介質(zhì)的WR偏移 的方法的流程圖。
測(cè)量WR偏移的方法包括寫(xiě)WR偏移測(cè)量圖案和利用所寫(xiě)的WR偏移 測(cè)量圖案4企測(cè)WR偏移。盡管相關(guān)技術(shù)的連續(xù)介質(zhì)可以在記錄面的任何位 置形成WR偏移測(cè)量圖案，因?yàn)閳D14的磁記錄介質(zhì)形成的以使得連續(xù)區(qū)域 和圖案區(qū)域在物理制造過(guò)程中分隔開(kāi)，但是有必要首先找到在其上寫(xiě)WR 偏移測(cè)量圖案的連續(xù)區(qū)域的位置。
相應(yīng)地，在操作S10中，首先確定連續(xù)區(qū)域的位置。 在連續(xù)區(qū)域位置上的信息可以包含在磁道信息中，其在磁記錄介質(zhì)的 制造過(guò)程中將數(shù)據(jù)磁道形成圖案時(shí)可以嵌入到數(shù)據(jù)磁道中。在這種情況中， 連續(xù)區(qū)域的位置可以通過(guò)讀磁道信息確定?；蛘?，連續(xù)區(qū)域的位置上的信 息可以在完全制造磁記錄介質(zhì)后記錄在磁記錄介質(zhì)上，或者可以記錄在 HDD的電路單元的存儲(chǔ)器上。但是，本示例性實(shí)施例并不限于已經(jīng)記錄連 續(xù)區(qū)域位置的信息的情況。例如，連續(xù)區(qū)域的位置可以通過(guò)利用圖案區(qū)域和連續(xù)區(qū)域的信號(hào)特征的差異確定。當(dāng)任意的圖案被寫(xiě)在整個(gè)記錄面上時(shí)， 在圖案區(qū)域的數(shù)據(jù)磁道上和在連續(xù)區(qū)域的任意的位置上進(jìn)行磁記錄。相應(yīng) 地，因?yàn)樵趫D案區(qū)域和連續(xù)區(qū)域之間的邊界處再生的圖案信號(hào)的電平是非 連續(xù)性變化的，所以可以通過(guò)利用圖案信號(hào)的電平的非連續(xù)變化確定連續(xù) 區(qū)域的位置。
在操作S20中，WR偏移測(cè)量圖案基于連續(xù)區(qū)域的確定位置被寫(xiě)入到 連續(xù)區(qū)域中。在圖14中，因?yàn)閃R偏移測(cè)量圖案寫(xiě)入在連續(xù)區(qū)域中，所以 寫(xiě)入的WR偏移測(cè)量圖案可以是用于相關(guān)技術(shù)的連續(xù)介質(zhì)的各種圖案的任
盡管在圖14中WR偏移測(cè)量圖案寫(xiě)入在連續(xù)區(qū)域中，但是本示例性實(shí) 施例并不限于此，并且WR偏移測(cè)量圖案的 一部分可以寫(xiě)入到圖案區(qū)域中。 例如，WR偏移測(cè)量圖案可以跨圖案區(qū)域和連續(xù)區(qū)域?qū)憽Ｔ诓僮鱏30中，利 用寫(xiě)入的WR偏移測(cè)量圖案測(cè)量WR偏移。在操作S40中，利用測(cè)量的WR 偏移補(bǔ)償磁頭的位置。因?yàn)閷?xiě)入的WR偏移測(cè)量圖案與用于相關(guān)技術(shù)的連 續(xù)介質(zhì)的圖案相同，所以測(cè)量WR偏移和補(bǔ)償》茲頭位置的方法可以與用于 使用相關(guān)技術(shù)的連續(xù)介質(zhì)的HDD的方法相同。因?yàn)樵谶B續(xù)介質(zhì)中測(cè)量WR 偏移和補(bǔ)償磁頭位置的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知，所以將不會(huì)給予其詳 細(xì)解釋。
如上所述，因?yàn)楦鶕?jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的磁記錄介質(zhì)、采用磁記 錄介質(zhì)的HDD和測(cè)量HDD的WR偏移的方法包括在》茲記錄介質(zhì)例如分離 磁道介質(zhì)或者具有預(yù)定的磁記錄區(qū)域的圖案介質(zhì)上形成連續(xù)區(qū)域，所以可 以使用測(cè)量用于相關(guān)技術(shù)的連續(xù)介質(zhì)的WR偏移的方法而無(wú)需大的修改。 相應(yīng)地，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的HDD可以糾正磁頭的WR偏移，而 無(wú)需對(duì)采用相關(guān)技術(shù)的連續(xù)介質(zhì)的HDD的電路單元做大的修改。
盡管本發(fā)明已經(jīng)參照其示例性實(shí)施例特別地示出和描述，但是，本領(lǐng) 域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在其中做出各種形式上和細(xì)節(jié)上的變化，其并 未脫離本發(fā)明的權(quán)利要求所限定的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，包括磁盤(pán)基底；和形成在所述磁盤(pán)基底的至少一個(gè)表面上的磁記錄層，其中所述磁記錄層包括形成圖案為多個(gè)數(shù)據(jù)磁道的至少一個(gè)圖案區(qū)域，其中所述至少一個(gè)圖案區(qū)域是由圖案的磁性物質(zhì)形成；和由連續(xù)磁性物質(zhì)形成的至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域，其中從所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域確定寫(xiě)讀(WR)偏移。
2. 如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，用于檢測(cè)所述WR偏移的 WR偏移測(cè)量圖案的至少一部分寫(xiě)在所述至少 一個(gè)連續(xù)區(qū)域中。
3. 如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域形 成在具有扇形形狀的至少一個(gè)扇區(qū)中。
4. 如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域是 與所述多個(gè)數(shù)據(jù)/磁道同心的至少一個(gè)環(huán)形的帶狀區(qū)域。
5. 如權(quán)利要求4所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域具 有對(duì)應(yīng)至少2個(gè)^茲道節(jié)距的寬度。
6. 如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，在所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域 位置上的信息記錄在所述至少 一個(gè)圖案區(qū)域中。
7. 如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述多個(gè)數(shù)據(jù)磁道在跨磁 道方向4皮此磁性地隔離，并在沿著磁道方向由第三連續(xù)石茲性物質(zhì)形成。
8. 如權(quán)利要求7所述的；茲記錄介質(zhì)，其中，分隔區(qū)域磁性地彼此隔離 所述多個(gè)數(shù)據(jù)磁道，并且至少一個(gè)是空的并用非磁性材料充填。
9. 如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述多個(gè)數(shù)據(jù);茲道是由多 個(gè)非連續(xù)磁性物質(zhì)形成，其在跨磁道方向和沿著磁道方向磁性地隔離。
10. 如權(quán)利要求9所述的磁記錄介質(zhì)，其中，分配一個(gè)比特到所述多個(gè) 非連續(xù)磁性物質(zhì)的每一個(gè)。
11. 如權(quán)利要求9所述的磁記錄介質(zhì)，其中，分隔區(qū)域磁性地彼此隔離 由所述多個(gè)非連續(xù)磁性物質(zhì)形成的所述多個(gè)數(shù)據(jù)磁道，并且至少一個(gè)是空 的并用非磁性材料充填。
12. —種硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，包括 石茲記錄介質(zhì)，其包括 磁盤(pán)基底；和形成在所述石茲盤(pán)基底的至少 一個(gè)表面上的-茲記錄層， 其中所述磁記錄層包括形成圖案為多個(gè)數(shù)據(jù)磁道的至少一個(gè)圖案區(qū)域，其中所述至少一個(gè)圖 案區(qū)域是由圖案磁性物質(zhì)形成；和由連續(xù)^t性物質(zhì)形成的至少 一個(gè)連續(xù)區(qū)域，^茲頭，其包括在所述磁記錄介質(zhì)上寫(xiě)數(shù)據(jù)的寫(xiě)頭和讀所述磁記錄介質(zhì)上記錄的數(shù)據(jù)的讀頭；和控制單元，其控制所述磁頭在所述磁記錄介質(zhì)上的位置，其中所述控制單元利用所述^F茲記錄介質(zhì)的所述至少 一個(gè)連續(xù)區(qū)域;險(xiǎn)測(cè)所述》茲頭的寫(xiě)讀(WR)偏移。
13. 如權(quán)利要求12所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，WR偏移測(cè)量圖案的至 少一部分寫(xiě)在所述磁記錄介質(zhì)的所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域中。
14. 如權(quán)利要求12所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域 形成在具有扇形形狀的至少一個(gè)扇區(qū)中。
15. 如權(quán)利要求12所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域 是與所述多個(gè)數(shù)據(jù)磁道同心的至少一個(gè)環(huán)形的帶狀區(qū)域。
16. 如權(quán)利要求12所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，在所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū) 域位置上的信息記錄在所述》茲記錄介質(zhì)中。
17. 如權(quán)利要求12所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，所述磁記錄介質(zhì)是配置 的以使得所述多個(gè)數(shù)據(jù)磁道在跨磁道方向磁性地彼此隔離的分離磁道介 質(zhì)，并在沿著^茲道的方向由第三連續(xù)^1性物質(zhì)形成。
18. 如權(quán)利要求12所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，所述磁記錄介質(zhì)是配置 的以使得所述多個(gè)數(shù)據(jù)磁道在跨磁道方向和沿著磁道方向由非連續(xù)磁性物 質(zhì)形成的圖案介質(zhì)。
19. 一種測(cè)量磁記錄介質(zhì)的磁頭的在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中的寫(xiě)讀(WR)偏移的 方法，所述磁記錄介質(zhì)包括由連續(xù)磁性物質(zhì)形成的至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域和形 成圖案為多個(gè)數(shù)據(jù)磁道的至少一個(gè)圖案區(qū)域，其中所述至少一個(gè)圖案區(qū)域 是由圖案^f茲性物質(zhì)形成，所述方法包括 在所述-茲記錄介質(zhì)的所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域中寫(xiě)WR偏移測(cè)量圖案的至少一部分；和從所述WR偏移測(cè)量圖案測(cè)量WR偏移。
20. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，在所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域位置 上的信息預(yù)先記錄在所述^t記錄介質(zhì)上，其中所述寫(xiě)所述WR偏移測(cè)量圖案的所述至少一部分包括通過(guò)參照在 所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域位置上的所述信息在所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域中寫(xiě)所 述WR偏移測(cè)量圖案。
21. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述寫(xiě)所述WR偏移測(cè)量圖案 的所述至少一部分包括利用所述至少一個(gè)圖案區(qū)域和所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域之間的信號(hào)特征 的差異確定所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域的位置；和通過(guò)參照確定所述至少一個(gè)連續(xù)區(qū)域的位置的結(jié)果在所述連續(xù)區(qū)域中 寫(xiě)WR偏移測(cè)量圖案。
22. 如權(quán)利要求19所述的方法，還包括利用所述測(cè)量WR偏移的結(jié)果 糾正所述》茲頭的位置。
23. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述磁記錄介質(zhì)是配置的以使 得所述多個(gè)數(shù)據(jù)磁道在跨磁道方向磁性地彼此隔離的分離磁道介質(zhì)，并在 沿著磁道的方向由第三連續(xù)磁性物質(zhì)形成。
24. 如權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述磁記錄介質(zhì)是配置的以使 得所述多個(gè)數(shù)據(jù)磁道在跨磁道方向和沿著磁道方向由非連續(xù)磁性物質(zhì)形成 的圖案介質(zhì)。
全文摘要
提供一種磁記錄介質(zhì)、采用磁記錄介質(zhì)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(HDD)和測(cè)量HDD的寫(xiě)讀(WR)偏移的方法。磁記錄介質(zhì)包括磁盤(pán)基底和形成在磁盤(pán)基底的一個(gè)或者兩個(gè)表面上的磁記錄層，其中所述磁記錄層包括至少一個(gè)形成圖案為多個(gè)數(shù)據(jù)磁道的圖案區(qū)域，其中至少一個(gè)圖案區(qū)域是由圖案的磁性物質(zhì)形成；和至少一個(gè)由連續(xù)磁性物質(zhì)形成的連續(xù)區(qū)域，其中連續(xù)區(qū)域用于測(cè)量WR偏移。相應(yīng)地，采用磁記錄介質(zhì)的HDD可以糾正磁頭的WR偏移，而無(wú)需大的修改。
文檔編號(hào)G11B5/012GK101339776SQ200810128288
公開(kāi)日2009年1月7日 申請(qǐng)日期2008年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月4日
發(fā)明者吳薰翔, 左圣熏, 李厚山 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社