專利名稱：具有交換彈簧結構的垂直磁記錄介質和記錄系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明總體上涉及垂直磁記錄介質，例如，磁記錄硬盤驅動器內采用的 磁盤，更具體而言，涉及具有帶有多個交換彈簧層的交換彈簧結構(exchange-spring structure)的介質。
技術背景將所記錄的位以通常垂直的取向或離面取向(即不平行于盤襯底和記錄 層的表面)存儲在基本平坦的記錄層內的垂直磁記錄介質是有前景的實現(xiàn)磁 記錄硬盤驅動器中的超高記錄密度的途徑。 一種常見類型的垂直磁記錄系統(tǒng) 是采用"雙層"介質的系統(tǒng)。圖l示出了這種類型的系統(tǒng)，其具有單寫入極 型記錄頭。所述雙層介質包括垂直磁數(shù)據(jù)記錄層(RL),其位于形成于襯底 上的"軟"或較低矯頑力磁導襯層(SUL)上。一種用于RL的材料是諸如CoPtCr合金的粒狀鐵磁鈷合金，其具有c 軸取向一般垂直于所述RL的六角密堆積(hcp)晶體結構。所述粒狀鈷合金 RL還應當具有良好隔離的細粒結構，以產生高矯頑力介質，并降低作為導 致高固有介質噪聲的因素的粒間交換耦合?？梢酝ㄟ^添加氧化物，包括Si、 Ta、 Ti、 Nb、 Cr、 V和B的氧化物，實現(xiàn)鈷合金RL中的晶粒分離(grain segregation)的增強。這些氧化物傾向于離析至晶粒邊界，并連同鈷合金的元 素 一起形成非石茲粒間材泮+(intergranular material)。SUL起著通量返回路徑的作用，其用于使來自寫入極的場抵達記錄頭的 返回極。在圖1中，示出了具有垂直記錄或磁化區(qū)的RL，相鄰區(qū)域具有相 反的磁化方向，如箭頭所示。相鄰的具有相反指向的磁化區(qū)之間的磁轉變可 以由讀耳又元件或讀耳又頭一冢測作為記錄位。圖2是現(xiàn)有技術垂直磁記錄盤的截面的示意圖，其示出了作用于記錄層 RL上的寫入場H。所述磁盤還包括硬盤襯底，其為接下來淀積的層提供了 基本平坦的表面。形成于所述襯底的表面上的基本平坦的層還包括用于SUL 的生長的種子層或開始層(OL)、用于中斷SUL的磁導膜和RL之間的磁交換耦合并促進RL的外延生長的交換中斷層(EBL)以及保護外涂層(OC)。 如圖2所示，RL位于"表觀(apparent)"記錄頭(ARH)的間隙內，與縱向 或平面內記錄相比，這樣能夠容許明顯更高的寫入場。ARH包括位于磁盤 之上的作為真實寫入頭(RWH)的寫入極(圖1)和位于RL之下的次級寫 入極(SWP)。 SWP受到SUL的促進，SUL通過EBL與RL去耦，并在寫 入過程中生成RWH的磁鏡像。這有效地將RL帶進ARH的間隙內，并且允 許在RL內具有大寫入場H。但是，這一幾何結構還將導致RL內的寫入場 H的l^向幾乎與襯底的表面和RL的表面正交，即沿著RL晶粒的垂直易軸， 如帶有易軸2的典型晶粒1所示。寫入場H和RL易軸幾乎平行對準的缺點 在于，必須具備較高的寫入場使磁化逆轉，這是因為對晶粒磁化施加了最小 的轉矩。而且，寫入場/易軸對準增加了 RL晶粒的^茲化反轉時間，如M. Benakli等人所述，7>ara. M4G 37, 1564 ( 2001 )。有人提出將尾屏蔽件應用于寫入極，從而使寫入場相對于介質各向異性 軸傾斜，從而使RL中的磁化反轉更容易。尾屏蔽件的優(yōu)點還在于獲得高密 度記錄所需的提高的寫入場梯度。但是，采用尾屏蔽件的代價是降低了能夠 實現(xiàn)的有效寫入場的幅度。為了解決寫入場/易軸對準的問題，有人在理論上提出了 "傾斜"介質， 如K. Z. Gao等人所述，M4G39， 704 (2003 )，其中，RL的易 軸相對于表面法線以大約45度的角傾斜，由此能夠以較低的電場完成磁化 反轉且不增加反轉時間。盡管沒有已知的制造工藝制造具有傾斜易軸的高質仿效傾斜介質的磁行為特性。在一項技術中，所述垂直記錄介質是由具有充 分不同的各向異性場(Hk)的兩個鐵磁交換耦合磁層構成的復合介質。(具 有單軸磁各向異性Ku的鐵磁層的各向異性場Hk是沿易軸需要施加的來切換 磁化方向的磁場。)這一復合介質的磁模擬表明，在存在均勻的寫入場H的 情況下，較低Hk層的磁化將首先旋轉并輔助較高Hk層的磁化的反轉。R. H. Victora等人的"Composite Media for Perpendicular Magnetic Recording" ， IEEE Trans MAG 41( 2 ), 537-542， Feb 2005以及J. R Wang等人的"Composite media (dynamic tilted media) for magnetic recording" ， Appl. Phys. Lett. 86 (14) Art. No. 142504， Apr4 2005描述了這一有時被稱為"交換彈簧"的性能行為和各種 類型的復合介質。2006年8月10日作為US 2006/0177704A1公開的并且轉讓給了與本申 請相同的受讓人的待決申請11/231516描述了一種交換彈簧垂直磁記錄介 質，該介質具有跨越耦合層交換耦合至上部低Hk磁層(有時稱為"交換彈 簧"層)的下部高Hk磁層(有時稱為"介質"層)。交換彈簧介質的記錄性能由交換彈簧層提供的橫向和豎直交換強度、磁 矩、層厚度、交換彈簧層的各向異性場和介質層的屬性確定。交換彈簧層用 于幾個目的。交換彈簧效應降低了切換RL所必需的寫入場，并且還起著通 過控制橫向交換而降低系統(tǒng)內的噪聲的機構的作用。但是，難以通過獨立地 控制這些參數(shù)而實現(xiàn)預期的記錄性能。我們所需要的是一種改進的交換彈簧型垂直磁記錄介質，其能夠對可寫 性、噪聲特性、熱穩(wěn)定性和分辨率等各種參數(shù)進行更好的控制，以實現(xiàn)具有 所需記錄性能的介質。發(fā)明內容本發(fā)明涉及具有多層交換彈簧層(ESL)的交換彈簧型垂直磁記錄介質 和結合了所述介質的記錄系統(tǒng)。所述記錄層(RL )包括高Hk下部介質層(ML ) 和多層交換彈簧層(ESL),其中，所述ML和所述多層ESL跨越耦合層交 換耦合。所述ESL包括至少兩個通過耦合層分隔的交換彈簧層，每一 ESL 的Hk明顯小于ML的Hk。具有多層ESL的交換彈簧結構利用了這樣的事實，即，寫入場幅度和寫 入場梯度作為與寫入極的距離的函數(shù)而變化?？梢允姑恳籈SL的厚度、橫向 交換和Hk值獨立變化，以優(yōu)化介質的總體記錄性能。在具有兩層ESL的介 質的一個例子中，上部ESL具有比下部ESL高的Hk，從而導致了隔離轉變 的寬度的降低(降低的T5())。在另一個例子中，上部ESL具有比下部ESL 低的Hk,其允許上部ESL在暴露至寫入場時更加容易地旋轉，并生成更大 的轉矩來輔助下部ESL和ML的磁化的反轉。為了更加充分地理解本發(fā)明的實質和優(yōu)點，可以結合附圖參考下述詳細 說明。


圖1是現(xiàn)有技術垂直磁記錄系統(tǒng)的示意圖。圖2是現(xiàn)有技術垂直磁記錄盤的截面的示意圖，其示出了作用于記錄層(RL)上的寫入場H。圖3A是具有由兩個鐵石茲交換耦合^ 茲層(MAG1和MAG2 )構成的交換 彈簧記錄層(RL)的現(xiàn)有技術垂直磁記錄盤的截面的示意圖。圖3B是具有由兩個通過耦合層(CL)分隔的^f茲層(MAG1和MAG2) 構成的交換彈簧記錄層(RL)的垂直^f茲記錄盤的截面的示意圖，其中場H1 和H2分別作用于MAG1和MAG2上。圖4是根據(jù)本發(fā)明的垂直磁記錄盤的截面的示意圖。
具體實施方式
圖3A是具有由兩個鐵;茲交換耦合磁層(MAG1和MAG2 )構成的交換 彈簧記錄層(RL)的根據(jù)現(xiàn)有技術的垂直磁記錄盤的截面的示意圖。MAG1 有時被稱為交換彈簧層，MAG2有時被稱為介質層，它們中的每者具有垂直 磁各向異性。但是，MAG1和MAG2具有不同的磁特性，因而它們對所施 加的寫入場的響應也不同。例如，MAG1和MAG2之一可以是較軟的(低 Hk),另一個是較硬的(高Hk)。軟層內的磁晶粒可以相互交換去耦，這意 味著在軟層內具有非常低的粒間交換耦合。借助MAGI和MAG2中的晶粒 之間的適當?shù)膶娱g交換耦合，軟晶粒將首先在所施加的寫入場下發(fā)生旋轉， 同時向硬晶粒提供交換場，以模仿它們的易軸的有效傾斜，由此輔助硬層中 的晶粒的磁化反轉。在圖3A的現(xiàn)有技術磁盤中，兩個磁層MAGI和MAG2 接觸且在不具有中間耦合層的情況下直接交換耦合。圖3B示出了上文引用的未決申請11/231516中描述的交換彈簧介質， 其中，在MAG1和MAG2之間具有耦合層(CL)。該復合RL具有至少兩個 通過CL分隔的交換耦合磁層(MAG1和MAG2),每一交換耦合磁層一般 具有垂直磁各向異性。交換彈簧層(MAG2)具有比介質層MAG1低的Hk。 CL在磁層之間提供了適當?shù)蔫F^f茲耦合強度。如圖3B的放大圖所示，MAG2 中的典型晶粒IO具有沿易軸12的大體垂直的或離面磁化，并且受到寫入場 H2的作用。位于MAG2晶粒10之下的MAG1內的典型晶粒20也具有沿易 軸22的垂直石茲化，并且受到小于H2的寫入場Hl的作用，這是因為MAG1 比MAG2離寫入頭更遠。在存在所施加的寫入場H2的情況下，具有較低 Hk的MAG2將首先旋轉，并且通過向具有較高Hk的MAG1上施加石茲轉矩而起著寫入輔助層的作用，其有助于反轉MAG1的磁化。在MAG1和MAG2 的磁化的該非一致反轉(non-coherent reversal)中，MAG2響應于寫入場改變 了其^f茲化取向，并且又放大了施加在MAG1上的"轉矩，，或反轉場，從而 使MAG1響應于較弱的寫入場而改變其》茲化方向。在圖4的截面圖中示出了根據(jù)本發(fā)明的交換彈簧型垂直磁記錄介質。所 述記錄層(RL)包括交換彈簧結構中作為介質層(ML)的高Hk下層MAGI 和多層交換彈簧層(ESL)，其中，ML和ESL跨越耦合層CL1交換耦合。 ESL包括至少兩個通過耦合層(CL2)分隔的交換彈簧層(ESL1和ESL2 ), ESL1和ESL2中的每者具有充分小于MAG1的Hk的Hk。現(xiàn)在將說明圖4中所示的介質的代表性磁盤結構。硬盤襯底可以是任何 商業(yè)可得的玻璃襯底，但也可以是具有NiP表面涂層的常規(guī)鋁合金，或者諸 如硅、硅堿4丐石或碳化硅的備選襯底。用于SUL的生長的粘附層或OL可以是厚度大約為1 -10nm的AlTi合金 或者類似材料。SUL可以由諸如CoNiFe、 FeCoB、 CoCuFe、 NiFe、 FeAlSi、 FeTaN、 FeN、 FeTaC、 CoTaZr、 CoFeTaZr、 CoFeB和CoZrNb的；茲導材料形 成。所述SUL還可以是通過諸如Al或CoCr導電膜的非磁膜分隔的多個軟 磁膜形成的層疊或多層SUL。所述SUL還可以是由通過作為引起反鐵磁耦 合的媒介的層間膜分離的多個軟磁膜形成的層疊或多層SUL，所述層間膜可 以是Ru、 Ir或Cr或者其合金。EBL位于SUL的頂部。其起著中斷SUL的導磁膜和RL之間的磁交換 耦合的作用，并且還起著促進RL的外延生長的作用。所述EBL可以是不必 要的，但是如果采用EBL，其可以是非磁鈦(Ti)層；諸如Si、 Ge和SiGe 的非導電材料；諸如Cr、 Ru、 W、 Zr、 Nb、 Mo、 V和Al的金屬；諸如非 晶CrTi和NiP的金屬合金；諸如CNX、 CHx和C的無定形碳；或者從Si、 Al、 Zr、 Ti和B構成的集合中選出的元素的氧化物、氮化物或碳化物。如果 采用了EBL,那么可以在淀積EBL之前在SUL的頂部采用種子層。例如， 如果采用Ru作為EBL,那么可以在SUL的頂部淀積l-5nm厚的NiFe或NiW 種子層，并繼之以5-30nm厚的RuEBL。MAG1、 ESL1和ESL2層中的每者可以由任何表現(xiàn)出了垂直磁各向異性 的已知非晶材料或晶體材料和結構形成。因而，MAG 1 、 ESL1和ESL2中的 一個或多個可以是由諸如CoPt或CoPtCr合金的粒狀多晶鈷合金構成的層，所述合金具有諸如Si、 Ta、 Ti、 Nb、 Cr、 V和B的氧化物的適當分離體 (segregant)。而且，MAG1、 ESL1和ESL2中的一個或多個可以由含有諸如 上述材料的適當分離體的具有垂直石茲各向異性的多層構成，例如Co/Pt、 Co/Pd、 Fe/Pt和Fe/Pd多層。但是，ESL1和ESL2中的每者具有充分低于 MAG1的各向異性場(Hk)的Hk，以確保它們對所施加的寫入場做出不同 的響應，由此表現(xiàn)出提高可寫性的交換彈簧特性。充分低的Hk意味著ESL1 和ESL各自的Hk值都應當?shù)陀贛AG1的Hk值的大約70%。例如，如果 MAG1、 ESL1和ESL2中的每者由粒狀CoPtCr合金形成，那么所述磁層中 的任何一個的Hk值都能夠分別通過提高或降低Pt的濃度而增大或減小。由于CL (CL1和CL2)位于磁層之下，因而它們應當能夠在調節(jié)磁層 之間的足夠水平的鐵磁交換耦合的同時支持磁層的生長。例如，六角密堆積 (hcp)材料就是很好的選擇，其能夠調節(jié)弱鐵磁耦合，并且能夠為磁層的 生長提供良好的模板。由于CL必須能實現(xiàn)適當?shù)鸟詈蠌姸龋蚨鼈儜?是非磁的或者弱鐵磁的。因而，CL可以由具有充分低的Co含量(<大約65 原子百分數(shù))的RuCo和RuCoCr合金、或者具有高Cr和/或B含量(Cr+B> 大約30原子百分數(shù))的CoCr和CoCrB合金形成?？梢韵蜻@些合金添加Si 的氧化物或者Ta、 Ti、 Nb、 Cr、 V和B的氧化物等其他氧化物。所述CL可 也以由諸如Pt或Pd或者基于Pt或Pd的合金的面心立方(fcc )材料形成， 因為這些材料能夠實現(xiàn)磁層之間的可調強度的鐵磁耦合(即，它們通過提高 厚度而降低耦合)，并且它們與介質生長兼容。此外，可以通過控制合金成 分，尤其是在ESL和MAG層之間的邊界處控制分離體在ESL或MAG層中 的比值而實現(xiàn)CL的作用。還可以通過控制淀積條件從而控制邊界處的一個 或兩個層的生長而實現(xiàn)對層間耦合的控制。根據(jù)用于CL的材料的選擇，更具體而言，根據(jù)CL中的鈷(Co)的濃 度，CL可以具有小于2.0nm的厚度，優(yōu)選具有大約0.2nm到1.5nm之間的 厚度。由于Co具有高磁性，因而可以通過增厚CL補償CL中的較高的Co 濃度，從而實現(xiàn)MAG 1 、 ESL 1和ESL2之間的最佳的層間交換耦合?？梢?部分地通過調整CL的材料和厚度來優(yōu)化MAGI 、 ESL1和ESL2之間的層間 交換耦合。CL所提供的耦合強度應當足以對切換場(以及切換場分布)起 到顯著的作用，但是其還應當小到不會將MAG1、 ESL1和ESL2層嚴格地 耦合到一起。形成于RL的頂部的OC可以是非晶"類金剛石"碳膜或者諸如氮化硅 的其他已知的保護外涂層。已經通過微磁建模對根據(jù)本發(fā)明的介質的改善的記錄特性進行了證實。 將具有Hk=14kOe的12nm的MAG1、 Hk=5kOe的4nm的ESLl和Hk=7kOe 的2nm的ESL2的測試結構(類似于圖4所示)與具有Hk=14kOe的12nm 的MAGI和Hk=5kOe的8nm的ESL ( MAG2 )的參考結構(類似于圖3B 所示)進行比較。計算了關鍵記錄性能參數(shù)抖動(jitter)(測量為讀回電壓 的零交叉(zero crossing)的標準偏差的位轉變定位誤差)和T5G (測量為信號 的+50%點和-50%點之間的距離的隔離轉變的寬度)。所述測試結構的抖動為 1.8nm,而所述參考結構的抖動則為2.2nm。所述測試結構的丁5。為25.4nm, 而所述參考結構的丁5Q則為26.0nm。這一例子表明，測試結構中的多層ESL 的總厚度(6nm)小于參考結構中的ESL的厚度(8nm )能夠獲得提高的記 錄性能。具有根據(jù)本發(fā)明的多層ESL的交換彈簧結構允許改變每一 ESL的厚度 和Hk值以優(yōu)化介質的總體記錄性能。上述測試結構是這樣一個例子上部 ESL (ESL2)具有比下部ESL (ESLl)更高的Hk,從而導致了提高的T50 值。與ESL2的Hk值與ESLl的Hk值相同的情況相比，這要求寫入頭提供 更大的場來切換ESL2的磁化，但是與ESL1相比，ESL2更加接近寫入頭， 因而受到更大的磁頭場的作用。作為另一個例子，ESL2可以具有比ESLl 更低的Hk，例如與5kOe相比較的3kOe。這將使ESL2在暴露至磁頭場時能 夠更容易地旋轉，并生成更大的轉矩來輔助ESL1和MAG1的^f茲化的反轉。 例如，這將允許介質層(MAG1)具有更大的Hk值。盡管對本發(fā)明進行圖示和文字說明的過程中所借助的RL具有僅由兩個 磁層(ESL1和ESL2 )和一個耦合層構成的ESL，但是RL可以在ESL中具 有三個或更多的磁層，并具有所需的額外的CL從而在ESL的相鄰磁層之間 調節(jié)最佳水平的交換耦合。本領域技術人員應當理解，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下可以做出 各種形式和細節(jié)上的改變。因此，應當將所公開的本發(fā)明僅視為說明性的， 其范圍僅由權利要求界定。
權利要求
1.一種垂直磁記錄介質，包括襯底；位于所述襯底上并且具有離面磁化易軸的第一鐵磁層；具有離面磁化易軸的第二鐵磁層，所述第二鐵磁層的各向異性場小于所述第一鐵磁層的各向異性場的70％左右；位于所述第一和第二鐵磁層之間并且允許所述第一鐵磁層與所述第二鐵磁層的鐵磁耦合的第一耦合層；具有離面磁化易軸的第三鐵磁層，所述第三鐵磁層的各向異性場小于所述第一鐵磁層的各向異性場的70％左右；以及位于所述第二和第三鐵磁層之間并且允許所述第二鐵磁層與所述第三鐵磁層的鐵磁耦合的第二耦合層。
2. 根據(jù)權利要求1所述的介質，其中，所述第三鐵磁層的各向異性場 大于所述第二鐵磁層的各向異性場。
3. 根據(jù)權利要求1所述的介質，其中，所述第三鐵^磁層的厚度小于所 述第二鐵磁層的厚度。
4. 根據(jù)權利要求1所述的介質，其中，所述襯底具有基本平坦的表面， 并且其中，所述第一、第二和第三鐵磁層中的每者是其c軸取向大致垂直于 所述襯底表面的六角密堆積材料，且所述第一和第二耦合層中的每者是其c 軸取向大致垂直于所述村底表面的六角密堆積材料。
5. 根據(jù)權利要求1所述的介質，其中，所述第一和第二耦合層中的至 少一個由選自下述材料構成集合中的材料形成a)具有低于約65原子百分 數(shù)的Co的RuCo合金，b)具有低于約65原子百分數(shù)的Co的RuCoCr合金， 以及c )由Co以及Cr和B中的一者或兩者構成并且Cr和B的組合含量大 于大約30原子百分數(shù)的合金。
6. 根據(jù)權利要求5所述的介質，其中，所述至少一個耦合層還包括從 Si、 Ta、 Ti、 Nb、 Cr、 V和B構成的集合中選擇的一種或多種元素的一種或 多種氧化物。
7. 根據(jù)權利要求1所述的介質，其中，所述第一和第二耦合層中的至 少一個包括選自由Pt、 Pd、基于Pt的合金和基于Pd的合金構成的集合的材料。
8. 根據(jù)權利要求1所述的介質，還包括位于所述襯底上的由磁導材料構成的襯層以及位于所述襯層和所述第 一鐵磁層之間的交換中斷層以用于 防止所述襯層和所述第 一鐵磁層之間的磁交換耦合。
9. 根據(jù)權利要求1所述的介質，其中，所述第一、第二和第三鐵^茲層中的每者為粒狀多晶鈷合金。
10. 根據(jù)權利要求9所述的介質，其中，所述第一、第二和第三鐵磁層 中的至少一個還包括Si、 Ta、 Ti、 Nb、 Cr、 V和B中的一種或多種元素的氧 化物。
11. 根據(jù)權利要求1所述的介質，其中，所述第一、第二和第三鐵磁層 中的至少一個是選自由Co/Pt、 Co/Pd、 Fe/Pt和Fe/Pd多層構成的集合中的多 層。
12. —種垂直》茲記錄盤，包括 具有基本平坦表面的襯底；位于所述襯底表面上的由磁導材料構成的襯層；位于所述襯層上的并且具有離面磁化易軸的由粒狀多晶鈷合金構成的 第一鐵磁層；具有離面磁化易軸的由粒狀多晶鈷合金構成的第二鐵磁層，所述第二鐵 磁層的各向異性場小于所述第一鐵磁層的各向異性場的70%左右；位于所述第 一和第二鐵磁層之間并且允許所述第 一鐵磁層與所述第二 鐵磁層的鐵磁耦合的第 一耦合層；具有離面磁化易軸的由粒狀多晶鈷合金構成的第三鐵磁層，所述第三鐵 磁層的各向異性場小于所述第一鐵磁層的各向異性場的70%左右；以及位于所述第二和第三鐵磁層之間并且允許所述第二鐵磁層與所述第三 鐵磁層的鐵磁耦合的第二耦合層。
13. 根據(jù)權利要求12所述的盤，其中，所述第三鐵磁層的各向異性場 大于所述第二鐵磁層的各向異性場。
14. 根據(jù)權利要求12所述的盤，其中，所述第三鐵磁層的厚度小于所 述第二鐵磁層的厚度。
15. 根據(jù)權利要求12所述的盤，其中，所述第一和第二耦合層中的至 少一個由選自下述材料構成集合中的材料形成a)具有低于65原子百分數(shù)的Co的RuCo合金，b )具有低于65原子百分數(shù)的Co的RuCoCr合金，以 及c)由Co以及Cr和B中的一者或兩者構成并且Cr和B的組合含量大于 大約30原子百分數(shù)的合金。
16. 根據(jù)權利要求15所述的盤，其中，所述至少一個耦合層還包括選 自由Si、 Ta、 Ti、 Nb、 Cr、 V和B構成的集合中的一種或多種元素的一種或 多種氧化物。
17. 根據(jù)權利要求12所述的盤，其中，所述第一和第二耦合層中的至 少一個包括選自由Pt、 Pd、基于Pt的合金和基于Pd的合金構成的集合中的材料。
18. 根據(jù)權利要求12所述的盤，還包括位于所述襯層和所述第一鐵磁 層之間的交換中斷層以用于防止所述襯層和所述第一鐵磁層之間的磁交換 耦合。
19. 根據(jù)權利要求12所述的盤，其中，所述第一、第二和第三鐵磁層 中的至少一個還包括Si、 Ta、 Ti、 Nb、 Cr、 V和B中的一種或多種元素的氧 化物。
20. —種垂直磁記錄系統(tǒng)，包括 根據(jù)權利要求12所述的磁盤；用于使所述磁盤的鐵磁耦合的第一、第二和第三鐵磁層中的區(qū)域磁化的 寫入頭；以及用于探測所述磁化區(qū)域之間的轉變的讀出頭。
全文摘要
本發(fā)明提供一種垂直磁記錄系統(tǒng)，采用了交換彈簧型垂直磁記錄介質。所述介質具有包括下部介質層(ML)和位于所述ML之上的多層交換彈簧層(ESL)的記錄層(RL)。高各向異性場(高H_k)下部ML和多層ESL跨越耦合層交換耦合。多層ESL具有至少兩個通過耦合層分隔的ESL，每一ESL的H_k明顯小于ML的H_k。具有多層ESL的交換彈簧結構利用了這樣的事實，即，寫入場幅度和寫入場梯度作為與寫入極的距離的函數(shù)而變化。可以使每一ESL的厚度和H_k值獨立變化，以優(yōu)化介質的總體記錄性能。
文檔編號G11B5/66GK101246698SQ20081008079
公開日2008年8月20日 申請日期2008年2月18日 優(yōu)先權日2007年2月18日
發(fā)明者埃里克·E·富勒頓, 安德烈亞斯·K·伯杰, 拜倫·H·倫格斯菲爾德三世 申請人:日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司