專利名稱：控制設(shè)備、控制方法以及存儲(chǔ)裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過使讀寫頭在旋轉(zhuǎn)的記錄介質(zhì)上方飛行來讀寫入數(shù)據(jù) 的控制設(shè)備、控制方法以及存儲(chǔ)裝置，尤其涉及通過向設(shè)置在讀寫頭中 的加熱器供電以及該加熱器的發(fā)熱而引起的熱膨脹來控制讀寫頭與記錄 介質(zhì)表面之間的間隙(間隔)的存儲(chǔ)裝置、控制方法以及控制電路。
背景技術(shù)：
常規(guī)上來講，為了實(shí)現(xiàn)磁盤裝置的高記錄密度，必須減小讀寫頭與 磁盤的記錄表面之間的間隙，并且設(shè)計(jì)成，使得通過利用流入讀寫頭設(shè) 置在其中的滑塊與磁記錄介質(zhì)之間的間隔中的空氣的壓力(正壓/負(fù)壓)來 將由于讀寫頭升高而導(dǎo)致的間隙保持恒定。為了提高記錄密度，必須減
小讀寫頭與介質(zhì)之間的距離；因此，隨著記錄密度的增大，讀寫頭的間
隔逐年減小，近年來已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了 10 nm量級(jí)的間隙。因?yàn)槌Ｒ?guī)讀寫頭僅 僅通過空氣的壓力來維持間隙，所以無法校正由于環(huán)境溫度、安裝讀寫 頭時(shí)出現(xiàn)的安裝差異所導(dǎo)致的間隙改變，以及各個(gè)讀寫頭之間出現(xiàn)的間 隙差異(如各個(gè)讀寫頭之間出現(xiàn)的制造差異)。因此，必須在考慮了這些差 異的條件下設(shè)計(jì)間隙；然而，因?yàn)楦鱾€(gè)讀寫頭間隙差異落在機(jī)械公差范 屈內(nèi)，所以當(dāng)考慮介質(zhì)接觸時(shí)，會(huì)出現(xiàn)無法將所述間隙設(shè)置得比公差范 圍小的問題。此外，因?yàn)榻橘|(zhì)在磁盤裝置中高速旋轉(zhuǎn)，所以當(dāng)讀寫頭的 間隙減小時(shí)，容易發(fā)生與磁盤表面上的微小突出的碰撞；并且，當(dāng)介質(zhì) 與讀寫頭彼此接觸時(shí)，會(huì)出現(xiàn)由于讀寫頭和介質(zhì)彼此接觸時(shí)產(chǎn)生的讀寫 頭磨損、污染(灰塵)而導(dǎo)致裝置的壽命無法令人滿足的問題。因此，近年 來，已經(jīng)提出了這樣的方法，即在檢査或類似步驟中測量由于寫頭溫度 升高(熱突出TPR)造成的讀寫頭飛行表面朝向磁盤方向突出的現(xiàn)象而導(dǎo) 致的突出值(TPR值)變化并保留在磁盤上，并通過利用該數(shù)據(jù)來針對(duì)各個(gè)
讀寫頭控制間隙，如專利JP2002-037480(日本出版的專利公開)。此外， 還提出了如專利JP2005-071546和JP2005-276284中描述的方法，其中在 讀寫頭中并入加熱器，并且通過利用突出現(xiàn)象來控制讀寫頭與磁盤的記 錄表面之間的間隙，所述突出現(xiàn)象是由伴隨著向加熱器供電而造成的讀 寫頭飛行表面的熱膨脹導(dǎo)致的。在JP2005-0715462中，通過相對(duì)于裝置 溫度或記錄/再現(xiàn)所造成的元件溫度升高而改變施加到設(shè)置在讀寫頭中的 導(dǎo)電膜上的電力來維持恒定的元件溫度，從而在元件與記錄介質(zhì)之間維 持了恒定的間隙。在JP2005-276284中，讀寫頭中設(shè)置了通過加熱使讀寫 頭的空氣承載表面的一部分膨脹并突出來增大記錄/再現(xiàn)元件與磁盤表面 之間的距離的間隙增大加熱器件，和通過加熱使讀寫頭的空氣承載表面 的另一部分膨脹并突出來減小記錄/再現(xiàn)元件與磁盤表面之間的距離的間 隙減小加熱器件，并且對(duì)所述間隙進(jìn)行校正使得可以進(jìn)行再現(xiàn)而不會(huì)在 例如啟動(dòng)裝置時(shí)引起碰撞。
'然而，在這種通過在讀寫頭中設(shè)置加熱器來控制其與磁盤記錄表面 之間的間隙的常規(guī)方法中，基本上是利用間隙隨著對(duì)加熱器分配電力和 加熱器的發(fā)熱而產(chǎn)生的讀寫頭飛行表面的膨脹和突出而改變的事實(shí)來對(duì) 突出值進(jìn)行調(diào)整，使得可以實(shí)行再現(xiàn)而不會(huì)引起介質(zhì)接觸；然而，因?yàn)?用于DA轉(zhuǎn)換器的設(shè)定了提供到加熱器的電力的加熱器控制值在設(shè)計(jì)階 段就己經(jīng)固定地確定，所以存在這樣的問題，即不能執(zhí)行考慮到各個(gè)讀 寫頭中均不同的間隙差異來將記錄和再現(xiàn)時(shí)的間隙控制在恒定的目標(biāo)間 隙的高精度間隙控制。此外，在間隙改變了由于向加熱器分配電力后的 熱膨脹引起的突出之后，在間隙穩(wěn)定前存在短暫的時(shí)間滯后(lag);所以， 在通過記錄時(shí)對(duì)加熱器電分配電力的常規(guī)間隙控制中，處于這樣的狀態(tài)， 即在寫開始部分，讀寫頭的熱膨脹未完全飽和，并且讀寫頭的間隙未達(dá) 到目標(biāo)間隙；因此存在這樣的問題，即記錄元件的寫能力較低，并且在 寫起始部分，記錄/再現(xiàn)特性劣化。為了解決這些問題，當(dāng)預(yù)加熱(從目標(biāo) 軌道之前的位置開始向加熱器分配電力)之后進(jìn)行寫入操作時(shí)，讀寫頭的 熱膨脹在寫開始位置處完全飽和，間隙穩(wěn)定在目標(biāo)間隙，從而可以解決 在寫開始部分特性劣化的問題。然而，即使在進(jìn)行預(yù)加熱時(shí)，記錄時(shí)記
錄電流流過記錄元件時(shí)讀寫頭也發(fā)生熱膨脹；并且在這種情況下，在間 隙改變了記錄電流開始流動(dòng)后的熱膨脹所引起的突出之后，在間隙穩(wěn)定 前存在短暫的時(shí)間滯后，并且出現(xiàn)了讀寫頭的間隙在寫起始扇區(qū)與寫扇 區(qū)之間改變(改變后其中的特性也改變)的現(xiàn)象，這抑制了記錄密度的提 咼。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種控制設(shè)備、控制方法以及存儲(chǔ)裝置，其可以處理 由于讀寫頭、半徑位置、溫度等產(chǎn)生的變化，并通過校正處理來設(shè)定最 優(yōu)加熱器控制值，對(duì)最優(yōu)加熱器控制值進(jìn)行調(diào)整從而改善由于記錄電流 導(dǎo)致的熱膨脹所產(chǎn)生的緊接著開始記錄的特性劣化。
(控制設(shè)備)
本發(fā)明提供了具有讀寫頭的存儲(chǔ)裝置的控制設(shè)備，所述讀寫頭具有 讀取元件和記錄元件，設(shè)置有通過電力分配和加熱而引入的熱膨脹來改 變突出值的加熱器，并通過在旋轉(zhuǎn)記錄介質(zhì)上方飛行來訪問數(shù)據(jù)。
作為這種控制設(shè)備，本發(fā)明的特征在于具有
參數(shù)管理單元，其登記并管理基本加熱器控制值和調(diào)整加熱器控制 值，所述基本加熱器控制值用于設(shè)定在預(yù)加熱、記錄以及再現(xiàn)時(shí)提供給 所述加熱器的電力，而所述調(diào)整加熱器控制值用于設(shè)定在除記錄之外的
預(yù)加熱和再現(xiàn)時(shí)提供給所述加熱器的電力；
寫入間隙控制單元，其在記錄時(shí)從預(yù)定的設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位 置開始通過依據(jù)一控制值向所述加熱器分配電力而進(jìn)行預(yù)加熱，所述控 制值是通過將所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值相加而獲 得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)將電力分配切換為依據(jù)所述基 本加熱器控制值的電力分配，從而進(jìn)行寫入加熱；
讀取間隙控制單元，其在再現(xiàn)時(shí)從所述設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位置 開始通過依據(jù)所述控制值向所述加熱器分配電力而進(jìn)行預(yù)加熱，所述控 制值是通過將所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值相加而獲 得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)維持所述控制值，從而進(jìn)行讀
取加熱；
加熱器控制值測量單元，其在進(jìn)行期望校正時(shí)，在從預(yù)定的初始值 開始逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值的同時(shí)測量所述讀寫頭與介質(zhì)表面 相接觸(著陸)時(shí)的接觸加熱器控制值，將所述初始值設(shè)為所述調(diào)整加熱器 控制值，并將通過從所述接觸加熱器控制值中減去與預(yù)定的最小間隙相 對(duì)應(yīng)的最小間隙加熱器控制值和所述初始值而獲得的值設(shè)為基本加熱器
控制值；以及
寫入輔助調(diào)整單元，其將所述加熱器控制值測量單元測得的調(diào)整加 熱器控制值調(diào)整為改善了緊接著記錄開始的特性劣化的加熱器控制值， 其中預(yù)加熱被切換到寫入加熱。
其中，所述寫入輔助調(diào)整單元具有
區(qū)域設(shè)定單元，其在調(diào)整時(shí)的寫入/讀取中所使用的測量軌道內(nèi)設(shè)定 被分割成多個(gè)塊的第一測量區(qū)域和第二測量區(qū)域，其中， 一個(gè)塊包括多 個(gè)扇區(qū)；
第一調(diào)整記錄單元，其對(duì)所述加熱器控制值測量單元測量的所述基 本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值進(jìn)行初始設(shè)定，并通過所述寫 入間隙控制單元在所述第一測量區(qū)域和所述第二測量區(qū)域中記錄數(shù)據(jù)；
第二調(diào)整記錄單元，其對(duì)所述加熱器控制值測量單元設(shè)定的所述基 本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值進(jìn)行初始設(shè)定，并通過所述寫 入間隙控制單元在所述第一測量區(qū)域的每個(gè)塊中記錄數(shù)據(jù)；
特性評(píng)價(jià)值檢測單元，其對(duì)所述加熱器控制值測量單元設(shè)定的所述 基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值進(jìn)行初始設(shè)定，通過所述讀 取間隙控制單元以塊為單位來讀取所述第一測量區(qū)域和所述第二測量區(qū) 域，并針對(duì)所述第一測量區(qū)域和第二測量區(qū)域的每一個(gè)，檢測從塊的讀 信號(hào)中獲得的特性評(píng)價(jià)值的平均值；以及
控制值調(diào)整單元，其將所述第一測量區(qū)域的特性評(píng)價(jià)值與所述第二 測量區(qū)域的特性評(píng)價(jià)值進(jìn)行比較，在逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值的 同時(shí)重復(fù)所述第一調(diào)整記錄單元、所述第二調(diào)整記錄單元以及所述特性 評(píng)價(jià)值檢測單元進(jìn)行的處理直到它們之間的差小于等于預(yù)定值，并且當(dāng)
它們之間的差小于等于所述預(yù)定值時(shí)將所述調(diào)整加熱器控制值設(shè)定為調(diào) 整結(jié)果。
所述控制值調(diào)整單元逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值，并且同時(shí)使 所述基本加熱器控制值逐漸減小相同的值，從而進(jìn)行調(diào)整(基本可變模 式)。另外，所述控制值調(diào)整單元可以逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值， 并且將所述基本加熱器控制值固定為初始值，從而進(jìn)行調(diào)整(基本固定模 式)。
作為特性評(píng)價(jià)值，可以使用維特比度量裕度(VMM)、信號(hào)質(zhì)量監(jiān)控 值(SQM)或誤差率。所述加熱器控制值測量單元根據(jù)校正時(shí)裝置中的溫度 和預(yù)定的基準(zhǔn)溫度(例如3(TC)之間的溫度差，對(duì)讀寫頭與介質(zhì)表面接觸 時(shí)的接觸加熱器控制值進(jìn)行溫度校正，將其校正為所述基準(zhǔn)溫度下的加 熱器控制值。
所述參數(shù)管理單元針對(duì)讀寫頭和記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)區(qū)分別登記和管理 所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值。所述加熱器控制值測 量單元和所述寫入輔助調(diào)整單元針對(duì)讀寫頭和所述記錄介質(zhì)的所有存儲(chǔ) 區(qū)分別測量和調(diào)整所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值。
所述加熱器控制值測量單元和所述寫入輔助調(diào)整單元針對(duì)讀寫頭和 記錄介質(zhì)的多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)中的一部分存儲(chǔ)區(qū)測量和調(diào)整所述基本加熱器控 制值和所述調(diào)整加熱器控制值，并且針對(duì)未測量存儲(chǔ)區(qū)，設(shè)定根據(jù)插值 計(jì)算從所述測量存儲(chǔ)區(qū)的加熱器控制值中獲得的加熱器控制值。
所述加熱器控制值測量單元和所述寫入輔助調(diào)整單元針對(duì)與所述讀 寫頭相對(duì)應(yīng)的記錄介質(zhì)的特定一個(gè)軌道測量和調(diào)整所述基本加熱器控制 值和所述調(diào)整加熱器控制值，并將測量和調(diào)整后的基本加熱器控制值與 調(diào)整加熱器控制值設(shè)定給所有存儲(chǔ)區(qū)。
(控制方法)
本發(fā)明提供了一種具有讀寫頭的存儲(chǔ)裝置的控制方法，所述讀寫頭 具有讀元件和記錄元件，設(shè)置有通過電力分配和加熱而引入的熱膨脹來 改變突出值的加熱器，并通過在旋轉(zhuǎn)記錄介質(zhì)上方飛行來訪問數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的這種控制方法包括以下步驟
參數(shù)管理步驟，其中登記并管理基本加熱器控制值和調(diào)整加熱器控 制值，所述基本加熱器控制值用于設(shè)定在預(yù)加熱、記錄以及再現(xiàn)時(shí)提供 給所述加熱器的電力，而所述調(diào)整加熱器控制值用于設(shè)定在除記錄之外 的預(yù)加熱和再現(xiàn)時(shí)提供給所述加熱器的電力；
寫入間隙控制步驟，其中在記錄時(shí)從預(yù)定的設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū) 位置開始通過依據(jù)一控制值向所述加熱器分配電力而進(jìn)行預(yù)加熱，所述 控制值是通過將所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值相加而 獲得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)將電力分配切換為依據(jù)所述
基本加熱器控制值的電力分配，從而進(jìn)行寫入加熱；
讀取間隙控制步驟，其中在再現(xiàn)時(shí)從所述設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位 置開始通過依據(jù)所述控制值向所述加熱器分配電力而進(jìn)行預(yù)加熱，所述 控制值是通過將所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值相加而 獲得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)維持所述控制值，從而進(jìn)行
讀加熱；
加熱器控制值測量步驟，其中在進(jìn)行期望校正時(shí)，在從預(yù)定的初始 值開始逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值的同時(shí)測量所述讀寫頭與介質(zhì)表 面相接觸時(shí)的接觸加熱器控制值，將所述初始值設(shè)為所述調(diào)整加熱器控 制值，并將通過從所述接觸加熱器控制值中減去與預(yù)定最小間隙相對(duì)應(yīng) 的最小間隙加熱器控制值和所述初始值而獲得的值設(shè)為基本加熱器控制 值；以及
寫入輔助調(diào)整步驟，其中將所述加熱器控制值測量單元測得的調(diào)整 加熱器控制值調(diào)整為改善了緊接著記錄開始的特性劣化的加熱器控制 值，其中預(yù)加熱被切換到寫入加熱。
(存儲(chǔ)裝置)
本發(fā)明提供了一種具有讀寫頭的存儲(chǔ)裝置，所述讀寫頭具有讀元件 和記錄元件，設(shè)置有通過電力分配和加熱而引入的熱膨脹來改變突出值 的加熱器，并通過在旋轉(zhuǎn)記錄介質(zhì)上方飛行來訪問數(shù)據(jù)。
作為這種存儲(chǔ)裝置，本發(fā)明的特征在于具有
參數(shù)管理單元，其登記并管理基本加熱器控制值和調(diào)整加熱器控制
值，所述基本加熱器控制值用于設(shè)定在預(yù)加熱、記錄以及再現(xiàn)時(shí)提供給 所述加熱器的電力，而所述調(diào)整加熱器控制值用于設(shè)定在除記錄之外的 預(yù)加熱和再現(xiàn)時(shí)提供給所述加熱器的電力；
寫入間隙控制單元，其在記錄時(shí)從預(yù)定的設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位 置開始通過依據(jù)一控制值向所述加熱器分配電力而進(jìn)行預(yù)加熱，所述控 制值是通過將所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值相加而獲 得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)將電力分配切換為依據(jù)所述基
本加熱器控制值的電力分配，從而進(jìn)行寫入加熱；
讀取間隙控制單元，其在再現(xiàn)時(shí)從所述設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位置 開始通過依據(jù)所述控制值向所述加熱器分配電力而進(jìn)行預(yù)加熱，所述控 制值是通過將所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值相加而獲 得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)維持所述控制值，從而進(jìn)行讀 加熱；
加熱器控制值測量單元，其在進(jìn)行期望校正時(shí)，在從預(yù)定的初始值 開始逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值的同時(shí)測量所述讀寫頭與介質(zhì)表面 相接觸時(shí)的接觸加熱器控制值，將所述初始值設(shè)為所述調(diào)整加熱器控制 值，并將通過從所述接觸加熱器控制值中減去與預(yù)定最小間隙相對(duì)應(yīng)的 最小間隙加熱器控制值和所述初始值而獲得的值設(shè)為基本加熱器控制 值；以及
寫入輔助調(diào)整單元，其將所述加熱器控制值測量單元測得的調(diào)整加 熱器控制值調(diào)整為改善了緊接著記錄開始的特性劣化的加熱器控制值， 其中預(yù)加熱被切換到寫入加熱。
根據(jù)本發(fā)明，通過在逐漸增大加熱器控制值的同時(shí)進(jìn)行實(shí)際測量， 可以分別針對(duì)讀寫頭和存儲(chǔ)區(qū)(記錄介質(zhì)的徑向位置)而獲得讀寫頭由于 膨脹和突出而與記錄介質(zhì)表面相接觸時(shí)所需的接觸加熱器控制值，可以 從實(shí)際測得的接觸加熱器控制值中確定間隙控制中使用的基本加熱器控 制值，并且當(dāng)缺省調(diào)整加熱器控制值被調(diào)整為改善了緊接著記錄開始的 特性劣化(其中預(yù)加熱切換到寫入加熱)的加熱器控制值時(shí)，通過實(shí)際測 量，可以獲得始終保證與依賴于讀寫頭、存儲(chǔ)區(qū)以及溫度的間隙差異相
對(duì)應(yīng)的特定最小間斷目標(biāo)間隙)所需的加熱器控制值。因此，可以增大數(shù) 據(jù)記錄密度同時(shí)保證讀寫頭的間隙裕度，并可以改善讀寫頭的間隙差異。 通過以下參照附圖的詳細(xì)描述，將更加清楚本發(fā)明的以上及其他目標(biāo)、 特征和優(yōu)點(diǎn)。


圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的存儲(chǔ)裝置的實(shí)施方式的磁盤裝置的框圖2A和2B是本實(shí)施方式的讀寫頭結(jié)構(gòu)的說明圖3是示出本實(shí)施方式中的MPU的功能構(gòu)成的細(xì)節(jié)的框圖4是本實(shí)施方式中使用的參數(shù)表的說明圖5是本實(shí)施方式中的加熱器控制系統(tǒng)的框圖6A到6C是本實(shí)施方式中再現(xiàn)與記錄時(shí)使用基本加熱器控制值和 調(diào)整加熱器控制值的加熱器控制的說明圖7是示出本實(shí)施方式中的校正處理的流程圖8A到8D是本實(shí)施方式的加熱器控制值測量處理中的著陸 (touchdown)測量的說明圖9A到9C是基于本實(shí)施方式的著陸測量結(jié)果來確定基本加熱器控 制值和調(diào)整加熱器控制值的處理的說明圖10A和10B是示出根據(jù)圖7的步驟Sl的加熱器控制值測量處理 的細(xì)節(jié)的流程圖IIA到IIC是本實(shí)施方式的寫入輔助調(diào)整處理中的基本加熱器控 制值固定模式下的加熱器控制的說明圖12是示出圖11A到11C的讀寫頭表面通過調(diào)整前的加熱器控制 值而發(fā)生的改變的說明圖13是示出當(dāng)圖IIA到11C中調(diào)整加熱器控制值增大AR時(shí)讀寫頭 表面的改變的說明圖14A到14D是本實(shí)施方式的寫入輔助調(diào)整處理的時(shí)序圖，在該處 理中連續(xù)地執(zhí)行向第一測量區(qū)域和第二測量區(qū)域的寫入操作；
圖15A到15D是本實(shí)施方式的寫入輔助調(diào)整處理的時(shí)序圖，在該處
理中執(zhí)行向第一測量區(qū)域的第一塊的寫入操作；
圖16A到16D是本實(shí)施方式的寫入輔助調(diào)整處理的時(shí)序圖，在該處 理中接著圖15A到15D執(zhí)行向第一測量區(qū)域的第二塊的寫入操作；
圖17A到17D是其中從第一測量區(qū)域和第二測量區(qū)域讀取數(shù)據(jù)來測 量VMM的讀處理的時(shí)序圖18A到18C是本實(shí)施方式的寫入輔助調(diào)整處理中的基本加熱器控
制值可變模式下的加熱器控制的說明圖19A和19B是圖7的步驟S2中的寫入輔助調(diào)整處理的流程圖20是示出根據(jù)本實(shí)施方式的寫入間隙控制處理的流程圖；而 圖21是示出根據(jù)本實(shí)施方式的讀取伺隙控制處理的流程圖。
具體實(shí)施方式
，
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的磁盤裝置的實(shí)施方式的框圖。在圖1中， 公知為硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)的磁盤裝置10由盤殼14和控制板12組成。盤 殼14中設(shè)有主軸馬達(dá)(SPM)16;磁盤(存儲(chǔ)介質(zhì))20-l和20-2附接在主軸 馬達(dá)16的旋轉(zhuǎn)軸上并以例如4200 rpm的速度旋轉(zhuǎn)特定時(shí)間段。此外，盤 殼14中設(shè)有音圈馬達(dá)(VCM)18，其中音圈馬達(dá)18在讀寫頭致動(dòng)器的臂 的遠(yuǎn)端裝載有讀寫頭22-1到22-4，并執(zhí)行讀寫頭相對(duì)于磁盤20-1和20-2 的記錄表面的定位。此外，記錄元件和讀元件以集成的方式裝載在讀寫 頭22-1到22-4上。讀寫頭22-1到22-4通過信號(hào)線連接到讀寫頭IC 24， 讀寫頭IC 24根據(jù)基于來自主機(jī)的寫入命令或讀取命令的讀寫頭選擇信 號(hào)來選擇其中一個(gè)讀寫頭，該讀寫頭充當(dāng)上層裝置從而執(zhí)行寫入或讀取。 此外，在讀寫頭IC24中，為寫系統(tǒng)設(shè)置了寫放大器，并為讀系統(tǒng)設(shè)置了 前置放大器?？刂瓢?2中設(shè)置有MPU26，并且對(duì)于MPU26的總線28， 設(shè)置有使用RAM并存儲(chǔ)控制程序和控制數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器30和使用FROM 等并存儲(chǔ)控制程序的非易失性存儲(chǔ)器32。此外，對(duì)于MPU26的總線28， 設(shè)置有主機(jī)接口控制單元34、控制緩沖存儲(chǔ)器38的緩沖存儲(chǔ)器控制單元 36、硬盤控制器40、充當(dāng)寫調(diào)制單元和讀調(diào)制單元的讀信道42、控制音 圈馬達(dá)18和主軸馬達(dá)16的驅(qū)動(dòng)單元44。這里，控制板12中的MPU26、
存儲(chǔ)器30、主機(jī)接口控制單元34、緩沖存儲(chǔ)器控制單元36、硬盤控制器 40以及讀信道42可以構(gòu)成一個(gè)控制設(shè)備15;具體來講，控制設(shè)備15構(gòu) 成為一個(gè)LSI設(shè)備。磁盤裝置IO基于來自主機(jī)的命令而執(zhí)行寫處理和讀 處理。下面將描述磁盤裝置中的正常操作。當(dāng)主機(jī)接口控制單元34從主 機(jī)接收到寫入命令和寫入數(shù)據(jù)時(shí)，MPU26對(duì)寫入命令進(jìn)行解碼，而根據(jù) 需要將接收到的寫入數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在緩沖存儲(chǔ)器38中。然后，硬盤控制器40 將其轉(zhuǎn)換成預(yù)定的數(shù)據(jù)格式，通過ECC處理向其中添加ECC碼，并且 在讀信道42中在寫調(diào)制系統(tǒng)內(nèi)進(jìn)行加擾、RLL碼轉(zhuǎn)換以及寫壓縮。然后， 通過讀寫頭IC 24將其從寫放大器和從例如所選讀寫頭22-1的記錄元件 寫入到磁盤20中。在此過程中，MPU 26向具有VCM馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器等的 驅(qū)動(dòng)單元44提供讀寫頭定位信號(hào)；音圈馬達(dá)18使讀寫頭尋找命令所指 定的目標(biāo)軌道并放置在該軌道上，從而執(zhí)行軌道跟隨控制。同時(shí)，當(dāng)主 機(jī)接口控制單元34從主機(jī)接收到讀取命令時(shí)，MPU 26對(duì)讀信號(hào)進(jìn)行解 碼，前置放大器對(duì)讀寫頭IC 24的讀寫頭選擇所選擇的讀寫頭22-l的讀 元件所讀取的讀信號(hào)進(jìn)行放大。然后，將它們輸入到讀信道的讀解調(diào)系 統(tǒng)，通過部分響應(yīng)最大似然檢測(PRML)等來解調(diào)讀取數(shù)據(jù)，并且通過硬 盤控制器40的ECC處理來檢測和校正誤差。然后，將它們緩沖到緩沖 存儲(chǔ)器38中，并將讀取數(shù)據(jù)從主機(jī)接口控制單元34發(fā)送到主機(jī)。作為 MPU26中通過執(zhí)行程序而實(shí)現(xiàn)的本實(shí)施方式的功能，提供了校正處理單 元46和間隙控制單元48。本實(shí)施方式的讀寫頭22-1到22-4具有讀元件 和記錄元件，并設(shè)置有加熱器，所述加熱器通過由分配電力引起的加熱 所引入的熱膨脹來改變突出值。例如在車間的檢驗(yàn)處理中，針對(duì)磁盤的 每個(gè)讀寫頭和每個(gè)存儲(chǔ)區(qū)，校正處理單元46測量控制各個(gè)讀元件與對(duì)于 讀寫頭22-1到22-4的每一個(gè)的磁盤20-1到20-2的記錄表面之間的間隙 所需的加熱器控制值，將其登記在參數(shù)表50中，并且記錄到磁盤20-l、 20-2的系統(tǒng)區(qū)域或裝置的非易失性存儲(chǔ)器32中。本實(shí)施方式中使用的加 熱器控制值包括兩個(gè)值，即基本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控制值R， 并且這兩個(gè)加熱器控制值B和R是針對(duì)磁盤的每個(gè)讀寫頭和每個(gè)存儲(chǔ)區(qū) 來測量的并且在校正處理中登記在參數(shù)表50中。間隙控制單元48改變
分配到讀寫頭中所設(shè)置的加熱器的電力以改變讀寫頭的突出值，從而在 再現(xiàn)和記錄時(shí)將間隙控制成預(yù)定的最小間隙(目標(biāo)間隙)。
圖2A和2B是本實(shí)施方式的讀寫頭結(jié)構(gòu)的說明圖。圖2A著重于本 實(shí)施方式中使用的讀寫頭22，其中讀元件和記錄元件形成在由例如陶瓷 材料制成的滑塊52的端面上?；瑝K52的與磁盤20相對(duì)的飛行表面的遠(yuǎn) 端側(cè)形成有錐形表面56，而沿軌道方向在飛行表面上形成有空氣流通槽 (air communication groove)54 。
圖2B是從軌道方向觀察讀寫頭22的橫截面視圖。設(shè)置了記錄線圈 58和記錄核60作為由陶瓷等制成的讀寫頭22中的記錄元件。在記錄元 件的左側(cè)與記錄元件相鄰地設(shè)置有讀元件62。作為讀元件62，使用了 GMR元件(巨磁阻元件)或TMR元件(隧道磁阻元件)。讀寫頭22的與磁 盤20相對(duì)的表面是ABS表面(空氣承載表面)64，且其表面上形成有保護(hù) 膜66。另一方面，在磁盤20中，基板70上形成有記錄膜72，接著記錄 膜72形成有保護(hù)膜74，然后該表面上設(shè)置有潤滑劑75。在本實(shí)施方式 中，將加熱器65設(shè)置成，靠近構(gòu)成讀寫頭22的記錄元件的記錄核60。 當(dāng)向加熱器65分配電力以進(jìn)行加熱時(shí)，用作讀寫頭22的飛行表面的ABS 表面64向磁盤20側(cè)膨脹和突出，如虛線讀寫頭表面64-1所示。讀寫頭 22與磁盤20之間的間隙76被定義為從讀取元件62的下端到磁盤20的 記錄膜72的距離。
圖3是示出本實(shí)施方式中的MPU 26的功能構(gòu)成的細(xì)節(jié)的框圖。在 圖3中，作為通過執(zhí)行固件程序來實(shí)現(xiàn)MPU 26的功能，設(shè)置了間隙控 制單元48和校正處理單元46。間隙控制單元48中設(shè)置有參數(shù)管理單元 92、寫入間隙控制單元94以及讀取間隙控制單元96。參數(shù)管理單元92 針對(duì)在存儲(chǔ)器30中讀取和定位的參數(shù)表50來管理加熱器控制值的登記 和讀取。如圖4中所示，在參數(shù)表50中，分別針對(duì)讀寫頭和存儲(chǔ)區(qū)來登 記基本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控制值R。登記在參數(shù)表50中的基 本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控制值R是在圖3的校正處理單元48 的校正處理中測得的控制值。這里，將描述本實(shí)施方式中的加熱器控制 中使用的基本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控制值R。
圖5是本是實(shí)施方式中的加熱器控制系統(tǒng)的框圖。在圖5中，在MPU
26中設(shè)置有主加熱器控制值寄存器(resistor)[x1]98和調(diào)整加熱器控制值 寄存器100。記錄或再現(xiàn)時(shí)，在圖4中示出的參數(shù)表50中指定了讀寫頭 和存儲(chǔ)區(qū)時(shí)，分別在基本加熱器控制值寄存器98和調(diào)整加熱器控制值寄 存器100中讀取和設(shè)定相應(yīng)的基本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控制值 R。讀寫頭IC 24側(cè)設(shè)置有DA轉(zhuǎn)換器102和104;其中，在所述DA轉(zhuǎn) 換器102和104將在基本加熱器控制值寄存器98和調(diào)整加熱器控制值寄 存器100中設(shè)定的加熱器控制值B和R分別轉(zhuǎn)換成模擬信號(hào)并添加它們 時(shí)，通過讀寫頭選擇電路106向加熱器65-1到65-4中與此時(shí)所選的讀寫 頭相對(duì)應(yīng)的任意一個(gè)提供電力，由于發(fā)熱和膨脹造成讀寫頭突出，并且 將間隙(從讀寫頭表面到介質(zhì)表面的距離)控制為預(yù)先設(shè)定的最小間隙(目 標(biāo)間隙)。
圖6A到6C是本實(shí)施方式中在再現(xiàn)與記錄時(shí)使用基本加熱器控制值 B和調(diào)整加熱器控制值R的加熱器控制的說明圖。圖6A處于加熱器電力 分配被關(guān)閉的狀態(tài)，其中此時(shí)的B^、 R=0，并且讀寫頭22的讀寫頭表 面并未由于熱膨脹而突出。
圖6B示出了再現(xiàn)時(shí)讀寫頭表面的改變，其中再現(xiàn)時(shí)，依據(jù)通過將基 本加熱器控制值B與調(diào)整加熱器控制值R相加而得到的加熱器控制值 (B+R)向加熱器分配電力，從而使讀寫頭22受熱并膨脹；所以，生成了 依據(jù)基本加熱器控制值B的讀寫頭表面改變值108和依據(jù)調(diào)整加熱器控 制值R的讀寫頭表面改變值110，并且到介質(zhì)表面25的間隔被保證為與 最小間隔控制值Sp相對(duì)應(yīng)的間隔，所述最小間隔控制值Sp是與最小間
隔do相對(duì)應(yīng)的加熱器控制值的轉(zhuǎn)換后的值。
圖6C示出了記錄時(shí)讀寫頭表面隨加熱器控制值的改變；其中，記錄 時(shí)，調(diào)整加熱器控制值R被關(guān)閉，僅依據(jù)基本加熱器控制值B將向加熱 器分配電力，并且生成了與基本加熱器控制值B相對(duì)應(yīng)的讀寫頭表面改 變值108。此外，記錄時(shí)，由流過圖2B中示出的讀寫頭22的記錄線圈 58的記錄電流而引起了發(fā)熱，并且與寫力Pw引起的熱膨脹相對(duì)應(yīng)的讀 寫頭表面改變值112增大。所以，記錄時(shí)，通過讀寫頭表面改變值保證
了對(duì)于介質(zhì)表面25的最小間隔do，所述讀寫頭表面改變值是通過將根據(jù)
寫電流的讀寫頭表面改變值112與根據(jù)基本加熱器控制值B的讀寫頭表 面改變值108相加而得到的。此外，在圖6B的再現(xiàn)和圖6C的記錄中， 因?yàn)樵谙蜃x寫頭22分配電力之后到熱膨脹所引起的突出值穩(wěn)定之前存在: 延遲，所以都從目標(biāo)扇區(qū)之前預(yù)定數(shù)量個(gè)扇區(qū)的位置來進(jìn)行預(yù)加熱。在 再現(xiàn)和記錄中，預(yù)加熱時(shí)的加熱器控制值都是通過將基本加熱器控制值B 與調(diào)整加熱器控制值R相加而得到的加熱器控制值(B+R)。借助于與預(yù)先 設(shè)定的扇區(qū)號(hào)相對(duì)應(yīng)的預(yù)加熱，因?yàn)樵佻F(xiàn)時(shí)的加熱器控制值與相加所得 的加熱器控制值(B+R)相同(如圖6B中所示出)，所以預(yù)加熱的加熱器控 制值維持不變來啟動(dòng)再現(xiàn)處理。同時(shí)，在圖6C的記錄時(shí)，因?yàn)閮H僅是基 本加熱器控制值B，所以當(dāng)?shù)竭_(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)，預(yù)加熱中的加熱器控制值 (B+R)切換為目標(biāo)加熱器控制值B來執(zhí)行記錄處理。圖3的間隙控制單元 中所設(shè)置的寫入間隙控制單元94和讀取間隙控制單元96分別執(zhí)行伴隨 圖6B的加熱器控制的再現(xiàn)處理和伴隨圖6C的加熱器控制的記錄處理。 在寫入間隙控制和讀取間隙控制中，通過對(duì)從上級(jí)裝置接收到的寫入命 令和讀取命令進(jìn)行解碼，根據(jù)讀寫頭和與目標(biāo)軌道相對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)區(qū)來查 閱圖4的參數(shù)表50，獲取與所述讀寫頭和所述存儲(chǔ)區(qū)相對(duì)應(yīng)的基本加熱 器控制值B和調(diào)整加熱器控制值R，并且執(zhí)行圖6B或6C中示出的再現(xiàn) 時(shí)的加熱器控制和記錄時(shí)的加熱器控制。
再次參照?qǐng)D3， MPU 26中設(shè)置的校正處理單元46是通過執(zhí)行用于 校正處理的固件來實(shí)現(xiàn)的功能，例如在裝置制造階段的檢驗(yàn)步驟中由 MPU 26安裝在MPU 26中，并且校正處理單元46中設(shè)置有加熱器控制 值測量單元78和寫入輔助調(diào)整單元80。在例如制造時(shí)的檢驗(yàn)處理的組織 時(shí)，加熱器控制值測量單元78在從預(yù)定的初始值Ro開始每次逐漸使調(diào) 整加熱器控制值R增大特定值A(chǔ)R的同時(shí)檢測讀寫頭與介質(zhì)表面接觸的著 陸狀態(tài)，當(dāng)檢測到著陸時(shí)測量接觸加熱器控制值Rtd，將初始值Ro設(shè)為 調(diào)整加熱器控制值R，并將通過從接觸加熱器控制值Rtd中減去與預(yù)定的 最小間隙do相對(duì)應(yīng)的最小間隙加熱器控制值Sp和初始值Ro而獲得的值 設(shè)為基本加熱器控制值R。換言之，如下來確定調(diào)整加熱器控制值R和
基本加熱器控制值B， R-Ro以及
B=Rtd-Sp-Ro。
寫入輔助調(diào)整單元80執(zhí)行調(diào)整處理，在所述調(diào)整處理中，使用加熱 器控制值測量單元的測量處理所確定的調(diào)整加熱器控制值R作為改善了 在記錄剛剛開始時(shí)頂部扇區(qū)中的特性劣化的加熱器值，其中預(yù)加熱切換 到寫訪問時(shí)的寫入加熱。對(duì)于寫入輔助調(diào)整單元80的調(diào)整處理，提供了 區(qū)域設(shè)定單元82、第一調(diào)整記錄單元84、第二調(diào)整記錄單元86、特性評(píng) 價(jià)值檢測單元88以及控制值調(diào)整單元90的功能。針對(duì)寫入輔助調(diào)整時(shí) 的寫和讀取中使用的測量軌道，區(qū)域設(shè)置單元82設(shè)置了被分成多個(gè)塊的 第一測量區(qū)域和第二測量區(qū)域，其中一個(gè)塊包括多個(gè)扇區(qū)。第一調(diào)整記 錄單元84對(duì)由加熱器控制值測量單元78設(shè)定的基本加熱器控制值B和 調(diào)整加熱器控制值R進(jìn)行初始設(shè)定，并且通過寫入間隙控制單元94連續(xù) 地向第一測量區(qū)域和第二測量區(qū)域中記錄數(shù)據(jù)。第二調(diào)整記錄單元86對(duì) 由加熱器控制值測量單元測得的基本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控制 值R進(jìn)行初始設(shè)定，并且通過寫入間隙控制單元94在第一測量區(qū)域的每 個(gè)塊中記錄數(shù)據(jù)。特性評(píng)價(jià)值檢測單元88對(duì)由加熱器控制值測量單元78 設(shè)定的基本加熱器控制值和調(diào)整加熱器控制值進(jìn)行初始設(shè)定，通過讀取 間隙控制單元96以塊為單位讀取第一測量區(qū)域和第二測量區(qū)域，并針對(duì) 第一測量區(qū)域和第二測量區(qū)域分別檢測從塊的讀信號(hào)中獲得的性能評(píng)價(jià) 值的平均值。在本實(shí)施方式中，采用VMM(維特比度量裕度)作為性能評(píng) 價(jià)值。在VMM中，執(zhí)行作為一種最大似然解碼的維特比解碼，作為圖1 的讀信道42的解碼方法，當(dāng)執(zhí)行維特比解碼時(shí)比較最終選擇的路徑與隨 后的路徑的均方誤差值，它是從讀信道42中作為通過對(duì)沒有裕度時(shí)所述 均方誤差值的數(shù)量進(jìn)行計(jì)數(shù)而獲得的值獲得的。同樣，可以類似地使用 從讀信道42獲得的信號(hào)質(zhì)量評(píng)價(jià)值QM作為性能評(píng)價(jià)值；此外，盡管存 在處理費(fèi)時(shí)的問題，但是也可以使用誤差率?？刂浦嫡{(diào)整單元90將特性 評(píng)價(jià)值檢測單元88測得的第一測量區(qū)域的特性評(píng)價(jià)值和第二測量區(qū)域的 特性評(píng)價(jià)值進(jìn)行比較，并且在每次逐漸使調(diào)整加熱器控制值R增大特定 值A(chǔ)R的同時(shí)重復(fù)第一調(diào)整記錄單元84、第二調(diào)整記錄單元86和特性評(píng)
價(jià)值檢測單元88的這些處理，直到第二測量區(qū)域的特性評(píng)價(jià)值與第一測 量區(qū)域的特性評(píng)價(jià)值之間的差變?yōu)轭A(yù)定值或更小。當(dāng)?shù)诙y量區(qū)域的特 性評(píng)價(jià)值與第一測量區(qū)域的特性評(píng)價(jià)值之間的差變?yōu)轭A(yù)定值或更小時(shí)，
獲取此時(shí)的調(diào)整加熱器控制值作為調(diào)整結(jié)果并在圖4的參數(shù)表50中進(jìn)行設(shè)定。
圖7是示出圖3的校正處理單元46進(jìn)行的校正處理的流程圖。在圖 7中，例如在執(zhí)照階段的檢驗(yàn)處理中執(zhí)行校正處理；并且在步驟S1中， 執(zhí)行基于讀寫頭的著陸檢測的基本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控制值 R的測量處理。接著，在步驟S2中，執(zhí)行將測量處理中獲得的調(diào)整加熱 器控制值R調(diào)整為最優(yōu)值的寫入輔助調(diào)整處理。然后，在步驟S3中，執(zhí) 行在參數(shù)表50中設(shè)定基本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控制值R的確定 處理。參數(shù)表50被進(jìn)一步存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器32或磁盤的系統(tǒng)區(qū)域 中。
圖8A到8D是圖3的校正處理單元48中設(shè)置的加熱器控制值測量 單元78所進(jìn)行的著陸測量的說明圖。在圖8A到8D的著陸測量中，在 校正處理中，在使加熱器查找預(yù)定的測量軌道并放置在該軌道上的狀態(tài) 下，在每次逐漸使調(diào)整加熱器控制值R增大預(yù)定的值A(chǔ)R的同時(shí)來測量其 中讀寫頭與介質(zhì)表面相接觸的著陸。
圖8A示出了開始測量之前的狀態(tài)，其中未向讀寫頭22的加熱器分 配電力，讀寫頭22相對(duì)于介質(zhì)表面的間隙為d，間隙d依賴于讀寫頭介 質(zhì)在徑向上的位置而有多種差異，從而間隙d是未知值。
在這種狀態(tài)下，如圖8B中所示，在第一位置處，對(duì)于讀寫頭22的 加熱器，根據(jù)預(yù)先設(shè)置為缺省值的調(diào)整加熱器控制值的初始值Ro向加熱 器分配電力，從而生成讀寫頭表面改變值108。設(shè)為調(diào)整加熱器控制值R 的缺省值的初始值Ro是在設(shè)計(jì)階段依賴于熱膨脹而被確定為讀寫頭表面 改變值的值，所述熱膨脹是由造成基于正常用戶數(shù)據(jù)的寫電流流過讀寫 頭22時(shí)的寫力Pw引起的。
如圖8B中所示，當(dāng)通過基于初始值RO向加熱器分配電力而進(jìn)行加 熱來獲得讀寫頭表面改變值108時(shí)，在這種狀態(tài)下，執(zhí)行其中檢測與介
質(zhì)表面25的著陸的著陸檢測處理。這里，測量讀寫頭的間隙(間隔值)以 檢測讀寫頭22的著陸的方法包括以下三種方法。
(1) 高次諧波比率測量法
(2) 華萊士間隔損耗測量法
(3) 誤差發(fā)生率測量法
首先，在(l)的高次諧波率測量法中，在加熱器電力分配被關(guān)閉的狀 態(tài)下將單個(gè)頻率的測試數(shù)據(jù)寫入測量軌道，通過其讀信號(hào)的平均幅值獲
取基頻的幅值Vo(f)和三次諧波的幅值V0(3f)，并通過下面的表達(dá)式來計(jì) 算初始幅值比率RAo。
脅,， 即/)
接著，使調(diào)整加熱器控制值R增大預(yù)定的值A(chǔ)R以讀取測量軌道，通過讀
信號(hào)的平均幅值來測量基頻f的幅值Vi(f)和三次諧波3f的幅值Vi(3f)，
并通過下面的表達(dá)式來計(jì)算幅值比率RAi。
腸,里 ,)
接著，基于初始幅值比率RAo和加熱器控制值增大了 AR后測得的測量幅 值比率RAi，通過下面的表達(dá)式來計(jì)算間隙改變值A(chǔ)d。
2冗(3/-/)
這樣，在每次順序?qū)⒄{(diào)整加熱器控制值R增大特定值M的同時(shí)計(jì)算間隙 改變值/W，并且確定間隙改變值A(chǔ)d不改變而成為恒定值的非連續(xù)點(diǎn)以檢 測讀寫頭的著陸。接著，在(2)的華萊士間隔損耗測量法中，基于根據(jù)華 萊士的間隔損耗法來檢測間隙改'變值/W 。當(dāng)讀信號(hào)的初始幅值在向加熱 器分配電力之前為V。時(shí)可以通過以下的表達(dá)式來提供間隙改變值A(chǔ)么并 且通過基于調(diào)整加熱器控制值向加熱器分配電力而獲得的平均幅值是 Vi。
△<i =——log(—)
確定非連續(xù)點(diǎn)以檢測著陸，在所述非連續(xù)點(diǎn)處通過上述方法計(jì)算出的間 隙改變值A(chǔ)c/變?yōu)楹愣ㄖ怠４送?，?3)的誤差發(fā)生率測量法中，在每次使 調(diào)整加熱器控制值增大特定值M的同時(shí)通過測量軌道的讀信號(hào)來檢測誤
2
差發(fā)生率，并且從誤差發(fā)生率的變化變?yōu)楹愣ǖ姆沁B續(xù)點(diǎn)檢測讀寫頭的 著陸。注意，本實(shí)施方式中的著陸檢測不限于上述的(1)到(3)，而是可以 使用在增大對(duì)于加熱器的電力分配量的同時(shí)檢測著陸的任意檢測方法。
圖8C示出了這樣的情況，其中通過依照調(diào)整加熱器控制值R的初 始值Ro向加熱器分配電力未檢測到著陸，并且通過使加熱器控制值進(jìn)一 步增大特定值M來生成讀寫頭表面改變值110-1。當(dāng)重復(fù)加熱器控制值 M的這種逐漸增大時(shí)，如圖8D中所示，生成了讀寫頭表面改變值110-1 到110-n，并且通過根據(jù)上述(l)到(3)中任意一種測量的確定將讀寫頭表面 改變值是110-n時(shí)與介質(zhì)表面的接觸檢測為著陸。然后，將檢測到著陸時(shí) 的調(diào)整加熱器控制值檢測為著陸控制值Rtd?？梢酝ㄟ^Rtd=Ro+MXn 來提供著陸加熱器控制值Rtd。
圖9A到9C是基于圖8A到8D的著陸測量結(jié)果來確定基本加熱器 控制值B和調(diào)整加熱器控制值R的處理的說明圖。圖9A示出了進(jìn)行圖 8D的著陸檢測時(shí)的讀寫頭表面改變值112，其中通過根據(jù)著陸加熱器控 制值Rtd向加熱器分配電力來生成所述讀寫頭表面改變值112。在本實(shí)施 方式中，因?yàn)榭刂剖前凑帐雇ㄟ^向加熱器分配電力而得到的讀寫頭表面 相對(duì)于介質(zhì)表面25的間隙成為預(yù)先設(shè)定的最小間隙d()的方式進(jìn)行的，所 以預(yù)先計(jì)算加熱器控制值(即實(shí)現(xiàn)最小間隙dQ的最小間隙加熱器控制值 Sp)，并且從在著陸測量中檢測到的著陸加熱器控制值Rtd中減去提供最 小間隔do的最小間隔控制值Sp，由此計(jì)算出圖6B中示出的與再現(xiàn)中使 用的相加所得加熱器控制值(B+R)相對(duì)應(yīng)的加熱器控制值Rsp。更具體來 講，通過Rsp=Rtd-Sp來提供所述加熱器控制值Rsp。因?yàn)橛?jì)算出的加熱 器控制值Rsp是基本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控制值R的相加值， 如圖9C中所示，所以此時(shí)的調(diào)整加熱器控制值R被設(shè)為提供缺省值的初 始值Ro，換言之， R=Ro;并且，
從加熱器控制值Rsp中減去由此確定的調(diào)整加熱器控制值R，計(jì)算出基 本加熱器控制值B。換言之，如下來確定基本加熱器控制值B B= Rsp-Ro=Rtd-Sp-Ro。
圖IOA和10B是示出本實(shí)施方式中的加熱器控制值測量處理的細(xì)節(jié)
的流程圖。在圖IOA和10B中，例如在制造階段的檢驗(yàn)處理中的校正處 理中進(jìn)行加熱器控制值測量處理；其中，在第一位置處，在步驟S1中選 擇讀寫頭，然后在步驟S2中，選擇與所選讀寫頭相對(duì)應(yīng)的磁盤的介質(zhì)表 面上的存儲(chǔ)區(qū)。在本實(shí)施方式中，以其中針對(duì)所有讀寫頭來選擇記錄介 質(zhì)的所有存儲(chǔ)區(qū)以進(jìn)行加熱器控制值測量處理的情況為例。接著在步驟 S3中，進(jìn)行對(duì)于所選存儲(chǔ)區(qū)的預(yù)定調(diào)整軌道的查找，并且將讀寫頭放置 在該軌道上；然后，在步驟S4中，在調(diào)整前的如圖4所示預(yù)先寫入?yún)?shù) 表50中的基本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控制值R的缺省控制值Bo、 Ro被讀取并保存之后，將參數(shù)表50初始化為初始值(例如，16進(jìn)制數(shù) 0x01)。接著在步驟S4中，在所保存的缺省值的調(diào)整加熱器控制值Ro被 設(shè)定在圖5的調(diào)整加熱器控制值寄存器100中而最小值"0x01"被設(shè)定 在基本加熱器控制值寄存器98中并且加熱器控制被關(guān)閉的狀態(tài)下，在步 驟S5中根據(jù)加熱器控制值打開加熱器。接著，在步驟S6中執(zhí)行著陸檢 測處理，并在步驟S6中在每次使調(diào)整加熱器控制值增大特定值M的同 時(shí)重復(fù)著陸檢測處理，直到在步驟S7中確定了著陸為止。當(dāng)在步驟S7 中確定了著陸時(shí)，在步驟S8中將著陸時(shí)獲得的加熱器控制值保存為著陸 加熱器控制值Rtd。接著在步驟S9中，執(zhí)行著陸加熱器控制值Rtd的溫 度校正。在溫度校正中，針對(duì)著陸加熱器控制值Rtd獲得預(yù)定的裝置中 的正常溫度(例如3(TC)與當(dāng)前裝置的溫度之間的溫度差A(yù)r，將溫度差A(yù)r
乘以每rc溫度的加熱器控制值而獲得的溫度校正控制值Rt作為溫度系
數(shù)，并從步驟S8中保存的著陸加熱器控制值Rt中減去溫度校正值Rt， 從而獲得降低為正常溫度3(TC的著陸加熱器控制值Rtd。這里，因?yàn)檠b 置中的溫度通常比周圍環(huán)境溫度高大概10°C，所以當(dāng)裝置外部的正常溫 度為20'C時(shí)，裝置中的正常溫度3(TC被確定為裝置中的正常溫度。接著 在步驟S10中，通過著陸加熱器控制值Rtd來獲得基本加熱器控制值B 和調(diào)整加熱器控制值R。按照B=Rtd-Sp-Ro獲得基本加熱器控制值B。
這里，Sp是從最小間隔do轉(zhuǎn)換得到的加熱器控制值，而Ro是調(diào)整 加熱器控制值的初始值。調(diào)整加熱器控制值R是R=Ro，并且本身是調(diào)整
加熱器控制值的初始值Ro。在步驟S11中，將由此測得的基本加熱器控 制值B和調(diào)整加熱器控制值R存儲(chǔ)在圖4中示出的參數(shù)表50中的對(duì)應(yīng)位 置。接著，在步驟S12中驗(yàn)證是否已經(jīng)完成所有的存儲(chǔ)區(qū)；如果未完成， 則處理前進(jìn)到步驟S2，選擇下一個(gè)存儲(chǔ)區(qū)，并重復(fù)步驟S3到Sll的處理。 如果在步驟S12中確定完成了所有存儲(chǔ)區(qū)，則處理前進(jìn)到步驟S13，驗(yàn)證 是否已經(jīng)完成所有讀寫頭；如果未完成，則處理返回到步驟S1，選擇下 一個(gè)讀寫頭并重復(fù)從步驟S2開始的處理，當(dāng)所有讀寫頭都完成時(shí)結(jié)束這 —系列處理。
注意，在圖IOA和10B的實(shí)施方式中，加熱器控制值的測量處理是 針對(duì)所有讀寫頭和與這些讀寫頭相對(duì)應(yīng)的記錄介質(zhì)的所有存儲(chǔ)區(qū)進(jìn)行 的；然而，因?yàn)榧訜崞骺刂浦禍y量處理包括由讀寫頭的熱膨脹引起的著 陸所造成的介質(zhì)接觸，所以必須根據(jù)情況降低必需的最小值。因此，作 為本實(shí)施方式中的另一個(gè)加熱器控制值測量處理，例如，可以使用一部 分系統(tǒng)存儲(chǔ)區(qū)作為用于記錄介質(zhì)的調(diào)整軌道來進(jìn)行測量處理，并且可以 將通過該調(diào)整處理而獲得的基本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控制值R 登記為對(duì)于圖4中所示的準(zhǔn)備的參數(shù)表50的所有讀寫頭的所有存儲(chǔ)區(qū)通 用的值。作為本實(shí)施方式中的加熱器控制值測量處理的另一個(gè)實(shí)施方式， 可以在記錄介質(zhì)中的最外側(cè)存儲(chǔ)區(qū)和最內(nèi)側(cè)存儲(chǔ)區(qū)這兩個(gè)存儲(chǔ)區(qū)中進(jìn)行 圖9A到9C的測量處理以分別獲得基本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控 制值R，并且對(duì)于測量存儲(chǔ)區(qū)之間的存儲(chǔ)區(qū)，可以通過測量存儲(chǔ)區(qū)的測 量值的插值計(jì)算來計(jì)算加熱器控制值并且登記在圖4的參數(shù)表50中。毫 無疑問，除了最外側(cè)和最內(nèi)側(cè)兩個(gè)位置以外，還可以在三個(gè)位置或四個(gè) 位置處執(zhí)行在部分存儲(chǔ)區(qū)中測量加熱器控制值的處理。下面將說明由圖3 中示出的校正處理單元46中設(shè)置的寫入輔助調(diào)整單元80執(zhí)行的調(diào)整處 理。
圖IIA到IIC是本實(shí)施方式的寫入輔助調(diào)整處理的基本加熱器固定 模式下的加熱器控制的說明圖。在圖IOA和10B的加熱器控制值測量處 理中獲得的調(diào)整加熱器控制值R是預(yù)先被確定為缺省值的調(diào)整加熱器控 制值本身的初始值(設(shè)計(jì)值)Ro，而不是與讀寫頭或介質(zhì)的徑向中的實(shí)際位
置的變化相對(duì)應(yīng)的值；所以，實(shí)際數(shù)據(jù)寫入操作必須分別針對(duì)讀寫頭和
存儲(chǔ)區(qū)來調(diào)整軌道，從而確定最優(yōu)的調(diào)整加熱器控制值。在寫入輔助調(diào)
整處理中，將在圖IOA和10B的加熱器控制值測量處理中獲得的未調(diào)整 的調(diào)整加熱器控制值R調(diào)整為改善了扇區(qū)中特性劣化的加熱器控制值， 所述扇區(qū)緊接在記錄開始的后面，其中預(yù)加熱切換到寫訪問中的寫入加 熱。
圖IIA示出了寫入輔助調(diào)整處理中的第一處理；并且，在第一處理 中，圖3的寫入間隙控制單元94通過根據(jù)加熱器控制值(B+R)(是通過將 基本加熱器控制值B和由圖IOA與10B的加熱器控制值測量處理獲得為 加熱器控制值的未調(diào)整的調(diào)整加熱器控制值R相加而獲得的)進(jìn)行的加熱 器電力分配來執(zhí)行以用戶數(shù)據(jù)作為測試數(shù)據(jù)的記錄處理，接著，由讀取 間隙控制單元96執(zhí)行再現(xiàn)處理，從而測量緊接著開始記錄(其中預(yù)加熱被 切換到寫入加熱)的記錄區(qū)域中特性的劣化狀態(tài)。
圖12是示出圖11A的第一寫訪問(也即通過未調(diào)整的加熱器控制值 進(jìn)行的記錄處理)中讀寫頭表面的改變。在圖IIA到11C中，在第一位置 中，在tl時(shí)刻從目標(biāo)扇區(qū)之前預(yù)先設(shè)置的扇區(qū)號(hào)的位置開始預(yù)加熱，并 且通過此時(shí)的加熱器控制值來進(jìn)行加熱器的加熱控制，此時(shí)的加熱器控 制值是通過將基本加熱器控制值B和未調(diào)整的加熱器控制值R相加獲得 的加熱器控制值(B+R)。在t2時(shí)刻，當(dāng)預(yù)加熱進(jìn)行的設(shè)置扇區(qū)號(hào)的處理完 成并且到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)，通過調(diào)整加熱器控制值R進(jìn)行的加熱器加熱被 停止，并切換到僅通過基本加熱器控制值B進(jìn)行的加熱器電力分配。同 時(shí)，在t2時(shí)刻開始通過用戶數(shù)據(jù)進(jìn)行的記錄，.并且引起讀寫頭記錄電流 流動(dòng)。由于記錄處理中的這種加熱器控制，所以如實(shí)線的改變特性130 所示出，通過加熱器的加熱，在tl時(shí)刻讀寫頭表面被突出相加的加熱器 控制值(B+R)，并且讀寫頭表面被穩(wěn)定在最小間隔d()的間隙的狀態(tài)。當(dāng)在 時(shí)刻t2到達(dá)記錄開始扇區(qū)時(shí)，僅通過基本加熱器控制值B執(zhí)行加熱器控 制，并且同時(shí)執(zhí)行通過記錄電流進(jìn)行的寫入操作；所以，在相對(duì)于最小 間隔d。產(chǎn)生間隙增大136之后，讀寫頭改變特性130在此穩(wěn)定在最小間 隔dQ。與緊接著t2時(shí)刻的寫入加熱128開始的間隙增大136 —起，特性在開始記錄之后立即劣化。對(duì)于緊接著記錄開始后的間隙增大136的比
率，生成間隙增大136，作為這種情況(在預(yù)加熱時(shí)僅通過基本加熱器控 制值B來加熱加熱器之后，在t2時(shí)刻引起寫入電流流動(dòng))的讀寫頭表面改 變特性132和這種情況(當(dāng)切換到寫入加熱128時(shí)未引起讀取電流流動(dòng)) 的讀寫頭表面改變特性134的綜合特性。因此，在本實(shí)施方式的寫入輔 助調(diào)整處理中，在每次使預(yù)加熱126中的調(diào)整加熱器控制值R增大特定 值M的同時(shí)減小緊接著寫入加熱開始之后的間隙增大136，從而改善緊 接著寫入操作開始的性能劣化。
圖13示出了通過圖11B的第二寫入輔助調(diào)整處理中的加熱器控制而 產(chǎn)生的讀寫頭表面的改變。在圖11B的第二寫入輔助調(diào)整處理中的加熱 器控制中，使調(diào)整加熱器控制值R增大特定值M ，并且除讀寫頭表面118 外，還減小了與讀寫頭表面118-1相對(duì)應(yīng)的間隙。
艮P，除了圖12的第一時(shí)刻的讀寫頭表面的改變外，圖13還示出了 圖11B的第二加熱器控制中的讀寫頭表面的改變。在圖13中，由于其中 調(diào)整加熱器控制值為(R+M)的第二預(yù)加熱126，讀寫頭表面表現(xiàn)出比第 一時(shí)刻更突出的讀寫頭表面的改變特性130-1 ，并且緊接著從時(shí)刻t2開始 寫入操作而生成了間隙增大136-1，作為在時(shí)刻t2處未引起寫入電流流動(dòng) 時(shí)的情況下的讀寫頭表面改變特性132和當(dāng)僅通過基本加熱器控制值B 進(jìn)行預(yù)加熱126后引起寫入電流流動(dòng)的情況下的讀寫頭表面改變特性 134-1的綜合特性。和圖12中示出的間隙增大136相比，與調(diào)整加熱器 控制值R增大Ai 相對(duì)應(yīng)，這種情況的間隙增大136-1減小；所以改善了
緊接著開始寫入操作的特性劣化。
圖14A到14D是用于測量寫入輔助調(diào)整處理中緊接著開始寫入操作
的特性劣化的改善程度的測量處理的說明圖，所述寫入輔助調(diào)整處理是 在每次使圖12和圖13中示出的調(diào)整加熱器控制值R增大特定值M的同 時(shí)來執(zhí)行的。
在圖14A到14D中，對(duì)于寫入輔助調(diào)整處理中的調(diào)整軌道，如圖14A 中所示，從預(yù)加熱開始時(shí)刻tl到寫入開始時(shí)刻t2的部分被設(shè)為用于預(yù)加 熱的設(shè)定扇區(qū)號(hào)，并且從時(shí)刻t2直到t4的調(diào)整對(duì)象區(qū)域被分割成時(shí)刻t2
到t3的第一測量區(qū)域122和時(shí)刻t3到t4的第二測量區(qū)域124。例如，從 扇區(qū)號(hào)0開始的100個(gè)扇區(qū)被分配給第一測量區(qū)域122，而從第100個(gè)扇 區(qū)開始的110個(gè)扇區(qū)被分配給第二測量區(qū)域124。這里，第二測量區(qū)域 124的前10個(gè)扇區(qū)作為可能包含特性劣化的壞扇區(qū)而被排除在第二測量 區(qū)域124中的測量范圍之外。所以，實(shí)際上，第二測量區(qū)域124是從第 110個(gè)扇區(qū)開始的100個(gè)扇區(qū)的區(qū)域。此外，第一測量區(qū)域122在每個(gè)設(shè) 定扇區(qū)號(hào)處被分割成塊122-1到122-n，并且第二測量區(qū)域124也在每個(gè) 設(shè)定扇區(qū)號(hào)處被分割成塊124-1到124-n。在寫入輔助調(diào)整的處理中，如 圖3的寫入輔助調(diào)整處理單元80中所示，區(qū)域設(shè)置單元82設(shè)置圖14A 到14D中示出的第一測量區(qū)域122和第二測量區(qū)域124。對(duì)于這些測量 區(qū)域，第一調(diào)整記錄單元84執(zhí)行第一寫入處理。在第一寫入處理中，如 圖14B禾口 14C中所示，在時(shí)刻tl處預(yù)加熱開始時(shí)，基本加熱器控制值B 和調(diào)整加熱器控制值R中的每一個(gè)都被打開，并且通過相加所得的加熱 器控制值(B+R)來分配電力以加熱加熱器。當(dāng)在時(shí)刻t2處到達(dá)第一測量區(qū) 域122的頂部扇區(qū)時(shí)，切換到寫入加熱；因此，圖14C的調(diào)整加熱器控 制值R被關(guān)閉，并執(zhí)行通過圖14B的基本加熱器控制值的電力分配和加 熱器的加熱。同時(shí)，將圖14D的寫入選通WG從0設(shè)為1，執(zhí)行利用用 戶數(shù)據(jù)針對(duì)第一測量區(qū)域122和第二測量區(qū)域124的用戶數(shù)據(jù)連續(xù)寫入， 并且當(dāng)寫入完成時(shí)在時(shí)刻t4分別關(guān)閉基本加熱器控制值B和寫門WG。 接著，執(zhí)行圖3的第二調(diào)整記錄單元86進(jìn)行的記錄處理。在第二記錄單 元86進(jìn)行的記錄處理中，首先，如圖15A到15D中所示，執(zhí)行針對(duì)第 一測量區(qū)域122的頂部塊122-1的用戶數(shù)據(jù)的寫入。更具體來講，在時(shí)刻 tll處，如圖15B和15C中所示，基本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控 制值R被打開以將電力分配到加熱器并加熱該加熱器；并且，當(dāng)在時(shí)刻 tl2處到達(dá)第一測量區(qū)域122的起始位置時(shí)，調(diào)整加熱器控制值R被關(guān)閉， 同時(shí)打開寫入選通WG，并將用戶數(shù)據(jù)寫入頂部塊122-1。
圖16A到16D示出了接著圖15A到15D的塊122-1執(zhí)行的將用戶數(shù) 據(jù)寫入下一塊122-2。這樣，將用戶數(shù)據(jù)重復(fù)連續(xù)地寫入第一測量區(qū)域122 的塊122-1到122-n中。這里，通過第一調(diào)整記錄單元84進(jìn)行的針對(duì)圖
14A到14D示出的第一測量區(qū)域122和第二測量區(qū)域124的用戶數(shù)據(jù)的 連續(xù)寫入的目的是在由熱膨脹引起的讀寫頭表面通過在時(shí)刻t2處開始寫 入加熱而穩(wěn)定的狀態(tài)下向第二測量區(qū)域124的塊124-1到124-n中寫入數(shù) 據(jù)。另一方面，在圖15A到15D和圖16A到16D的針對(duì)第一測量區(qū)域 122的塊122-1到122-n的用戶數(shù)據(jù)連續(xù)寫入中，塊122-1到122-n中的 每一個(gè)都在緊接著開始寫入后進(jìn)入記錄狀態(tài)。當(dāng)針對(duì)第一測量區(qū)域122 和第二測量區(qū)域124的這種寫入完成時(shí)，圖3中示出的特性評(píng)價(jià)值檢測 單元88通過讀取間隙控制單元96來執(zhí)行再現(xiàn)處理，由此讀取第一測量 區(qū)域122和第二測量區(qū)域124中的記錄數(shù)據(jù)。
圖17A到17D是第一測量區(qū)域122和第二測量區(qū)域124的再現(xiàn)處理 的時(shí)序圖。在再現(xiàn)處理以及記錄處理的情況下，在時(shí)刻tl處開始基于加 熱器控制值(B+R)的預(yù)加熱，并且當(dāng)在時(shí)刻t2處到達(dá)第一測量區(qū)域122 的頂部扇區(qū)時(shí)，讀取門RG被打開以開始再現(xiàn)操作。此時(shí)的加熱器控制值 維持在(B+R)。接著，在時(shí)刻fl'處開始基于加熱器控制值(B+R)的預(yù)加熱， 并且當(dāng)在時(shí)刻r2'處到達(dá)第二測量區(qū)域124的頂部扇區(qū)時(shí)，執(zhí)行第二測量 區(qū)域124的再現(xiàn)操作。該操作被執(zhí)行多次，并且對(duì)此時(shí)的第一測量區(qū)域 122和第二測量區(qū)域124的VMM值進(jìn)行存儲(chǔ)。對(duì)于再現(xiàn)操作中獲得的讀 取數(shù)據(jù)，在本實(shí)施方式中，檢測第一測量區(qū)域122的塊122-1到122-n中 的每一個(gè)的VMM(維特比度量裕度)作為性能評(píng)價(jià)值，并且作為它們的平 均值獲得第一測量區(qū)域122的VMM1。類似地，對(duì)于第二測量區(qū)域124， 獲得塊124-1到124-n中的每一個(gè)的VMM，并且作為它們的平均值獲得 第二測量區(qū)域124的VMM2。這里，在調(diào)整加熱器控制值R的未調(diào)整狀 態(tài)中，存在第二測量區(qū)域124的VMM2比第一測量區(qū)域122的VMM1 低的關(guān)系，在這種狀態(tài)下出現(xiàn)了特性劣化。所以，在本實(shí)施方式中，將 (VMM2+a)(其中將預(yù)定的閾值a與特性正常的第二測量區(qū)域的VMM2相 加)與第一測量區(qū)域122的VMM1進(jìn)行比較，并且檢測獲得 VMMK(VMM2+a)的關(guān)系時(shí)的調(diào)整加熱器控制值R，作為最優(yōu)值并作為 已調(diào)整的調(diào)整加熱器控制值R登記在參數(shù)表50中。本實(shí)施方式的寫入輔 助調(diào)整處理有兩種調(diào)整模式(l)基本加熱器控制值可變模式和(2)基本
加熱器控制值固定模式。
圖IIA到IIC為基本加熱器控制值固定模式，其中，如圖IIB和11C 中所示出，每次使調(diào)整加熱器控制值R增大特定值A(chǔ)i 以執(zhí)行調(diào)整處理； 然而基本加熱器控制值B為恒定值且不變。另一方面，在基本加熱器控
制值可變模式中，如圖18B和18C中所示，使當(dāng)調(diào)整加熱器控制值R增 大特定值M時(shí)的基本加熱器控制值B減小，從而B-B-M。所以，在圖 11A到11C的基本加熱器控制值固定的模式中，當(dāng)每次使調(diào)整加熱器控 制值R增大特定值M時(shí)，例如在圖11C的調(diào)整后情況下，R=R+2Ai ， 并且將該值不變地登記在參數(shù)表中。所以，例如在圖6B的再現(xiàn)和記錄時(shí) 的預(yù)加熱中，通過加熱器控制值(B+R)進(jìn)行的讀寫頭表面的改變提供了比 最小間隔do更小的間隙，所述加熱器控制值(B+R)是通過將基本加熱器控 制值B和調(diào)整加熱器控制值R相加而獲得的。另一方面，在圖17A到17D 的基本加熱器控制值可變模式中，例如如圖18C中所示，即使調(diào)整加熱 器控制值增大了 2M，基本加熱器控制值也與其相關(guān)從而被相應(yīng)地減??； 所以，總加熱器控制值和圖18A的第一時(shí)刻的加熱器控制值(即調(diào)整前的 加熱器控制值(B+R))相同，并且即使執(zhí)行了寫入輔助調(diào)整，最小間隔do 也未改變。這里，對(duì)于基本加熱器控制值B，在圖IOA和10B中的加熱 器控制值測量處理中的步驟S9執(zhí)行溫度校正；并且因?yàn)樵趫D18A到18C 的基本加熱器控制值可變模式中，根據(jù)溫度校正的依賴程度降低，所以 當(dāng)裝置的環(huán)境溫度變化時(shí)，基本加熱器控制值可變模式可能不穩(wěn)定。另 一方面，在圖IIA到IIC的基本加熱器控制值固定模式中，因?yàn)樵陔娏?調(diào)整中未改變控制值，所以可以說溫度校正的影響是很大的。所以，期 望例如當(dāng)裝置使用溫度變化較大時(shí)，執(zhí)行根據(jù)圖11A到11C的基本加熱 器控制值固定模式的電力輔助調(diào)整處理，而當(dāng)裝置使用溫度變化較小時(shí)， 執(zhí)行根據(jù)圖18A到18C中示出的基本加熱器控制值可變模式的寫入輔助 調(diào)整處理。當(dāng)然，可以根據(jù)需要任意選擇是固定模式還是可變模式。
圖19A和19B是根據(jù)本實(shí)施方式的寫入輔助調(diào)整處理的流程圖，下 面將參照?qǐng)D3進(jìn)行說明。在圖19A和19B中，首先在步驟Sl中，設(shè)置 基本加熱器控制值B的可變模式和固定模式之一。接著在步驟S2中，通
過圖3的區(qū)域設(shè)置單元來設(shè)置預(yù)加熱扇區(qū)數(shù)、起始扇區(qū)、第一測量區(qū)域 塊的號(hào)、第二測量區(qū)域塊的號(hào)、跳過壞扇區(qū)的號(hào)等等。接著在步驟S3中
選擇讀寫頭；并且接著在步驟S4中選擇與所選讀寫頭相對(duì)應(yīng)的記錄介質(zhì) 的存儲(chǔ)區(qū)。接著，在步驟S5中執(zhí)行對(duì)調(diào)整軌道的査找；并且在步驟S6 中，從圖4的參數(shù)表50中讀取所選讀寫頭和存儲(chǔ)區(qū)的加熱器控制值B和 R并設(shè)為命令參數(shù)。接著在步驟S7中，發(fā)出寫入命令，并且向第一測量 區(qū)域和第二測量區(qū)域連續(xù)寫入數(shù)據(jù)。接著在步驟S8中，發(fā)出寫入命令， 并且向第一測量區(qū)域的每個(gè)塊中單獨(dú)寫入數(shù)據(jù)。在對(duì)于每個(gè)塊的數(shù)據(jù)單 獨(dú)寫入中，針對(duì)每個(gè)塊發(fā)出寫入命令以執(zhí)行寫入。接著在步驟S9中，發(fā) 出讀取命令以多次測量第一測量區(qū)域的誤差檢測率VMM1，并獲得它們 的平均值。接著在步驟S10中，發(fā)出讀取命令以多次測量第二測量區(qū)域 的誤差檢測率VMM2，并獲得它們的平均值。注意，作為步驟S9和S10 的處理，可以通過一個(gè)讀取命令來讀取第一測量區(qū)域和第二測量區(qū)域， 并且可以分別測量VMM1和VMM2。接著在步驟Sll中，確定第一測量 區(qū)域的VMM1是否小于(VMM2+a)， (VMM2+a)是通過將預(yù)定的值a和第 二測量區(qū)域的VMM2相加而得到的。如果未滿足步驟Sll的確定條件， 則處理前進(jìn)到步驟S12，確定當(dāng)設(shè)定了基本加熱器控制值的可變模式時(shí)基 本加熱器控制值B的當(dāng)前減小值(B-M)是否小于等于最小值Bmin，以及
當(dāng)設(shè)定了基本加熱器控制值的固定模式時(shí)調(diào)整加熱器控制值R是否不大 于從最大值Rmax中減去特定值M所獲得的值；如果兩個(gè)條件均不滿足， 則處理前進(jìn)到步驟S13，改變加熱器控制值。還是在這種情況下，當(dāng)設(shè)定 了基本加熱器控制值的可變模式時(shí)，使調(diào)整加熱器控制值增大特定值M ， 而同時(shí)使基本加熱器控制值B減小預(yù)定值M。同時(shí)，當(dāng)設(shè)定了基本加熱 器控制值的固定模式時(shí)，盡管使調(diào)整加熱器控制值R增大預(yù)定值M，但 是基本加熱器控制值B未改變而是被用作固定值。當(dāng)步驟S13的加熱器 控制值改變完成時(shí)，處理返回到步驟S6，并且重復(fù)使用改變后的加熱器 控制值的步驟S6到Sll的處理。當(dāng)通過使用寫入處理和讀取處理(這些 處理是在改變這些加熱器控制值的同時(shí)執(zhí)行的)的第一測量區(qū)域和第二測 量區(qū)域的VMM1與VMM2的檢測處理的重復(fù)處理滿足了步驟Sll的條件時(shí)，處理前進(jìn)到步驟S14,其中，此時(shí)的調(diào)整加熱器控制值R和基本
加熱器控制值B作為調(diào)整后加熱器控制值被登記在圖4的參數(shù)表50中。 這里，如果在步驟S12中調(diào)整后加熱器控制值小于等于最小值Bmin(可變 模式)或超過最大值Rmax(固定模式)，則盡管步驟Sll的特性劣化未被改 善，但是調(diào)整后加熱器控制值也己經(jīng)到達(dá)限制值；所以，在步驟S14中， 調(diào)整加熱器控制值R和基本加熱器控制值B作為調(diào)整后控制值被登記在 參數(shù)表50中。接著，在步驟S15中，檢查是否已經(jīng)完成所有存儲(chǔ)區(qū)；如 果未完成，則處理前進(jìn)到步驟S4，選擇下一存儲(chǔ)區(qū)并重復(fù)類似處理。如 果在步驟S15中確定完成了所有存儲(chǔ)區(qū)，則處理前進(jìn)到步驟S16,確定是 否已經(jīng)完成了所有讀寫頭；如果未完成，則處理前進(jìn)到步驟S3，選擇下 --讀寫頭，并重復(fù)從步驟S4的處理。注意，在圖19A和19B的寫入輔 助調(diào)整處理中，針對(duì)記錄介質(zhì)的與所有讀寫頭相對(duì)應(yīng)的所有存儲(chǔ)區(qū)執(zhí)行 用于改善緊接著開始寫入的特性劣化的對(duì)調(diào)整加熱器控制值R的調(diào)整； 然而，當(dāng)在圖IOA和10B的加熱器控制值測量處理中以記錄介質(zhì)的一個(gè) 位置處的調(diào)整軌道進(jìn)行測量時(shí)，還針對(duì)圖19A和19B的輔助調(diào)整處理以 相同位置的調(diào)整軌道進(jìn)行測量處理，并且測量結(jié)果被登記為對(duì)所有存儲(chǔ) 區(qū)通用的值。當(dāng)在記錄介質(zhì)的局部存儲(chǔ)區(qū)(例如在圖IOA和10B的加熱器 控制值測量處理中最外側(cè)存儲(chǔ)區(qū)和最內(nèi)側(cè)存儲(chǔ)區(qū)兩個(gè)位置)處進(jìn)行測量 時(shí)，在最外側(cè)存儲(chǔ)區(qū)和最內(nèi)側(cè)存儲(chǔ)區(qū)這兩個(gè)位置處以與圖19A與19B的 寫入輔助調(diào)整處理類似的方式進(jìn)行測量處理，并且通過插值計(jì)算獲得其 間的測量存儲(chǔ)區(qū)的調(diào)整后加熱器控制值并將其登記在參數(shù)表50中。
圖20是示出根據(jù)本實(shí)施方式的寫入間隙控制處理的流程圖，該處理 是由圖3的寫入間隙控制單元94來執(zhí)行的。在圖20中，在寫入間隙控 制處理中，首先在步驟S1處，對(duì)寫入命令進(jìn)行解碼以獲知目標(biāo)軌道并指 定讀寫頭和存儲(chǔ)區(qū)，從而查閱圖4的參數(shù)表50來獲取基本加熱器控制值 B和調(diào)整加熱器控制值R。接著在步驟S2中，對(duì)獲取的基本加熱器控制 值B進(jìn)行溫度校正。在溫度校正中，因?yàn)檠b置中正常溫度3(TC處的加熱 器控制值登記在圖4的參數(shù)表50中，所以讀取裝置中的當(dāng)前溫度T，并 且計(jì)算與正常溫度的溫度差A(yù)T: AT = T-30。C;并且，通過將其乘以用于
轉(zhuǎn)換成每單位溫度的加熱器控制值的系數(shù)來獲得溫度校正值Bt，并按照
B=B+Bt的方式進(jìn)行校正。這里，如果裝置中的溫度高于30°C，則溫度 校正值Bt為負(fù)值，并且將基本加熱器控制值B校正為比原值低了與溫度 校正值Bt相對(duì)應(yīng)的量的值。當(dāng)裝置中的溫度低于3(TC時(shí)，溫度校正值 Bt為正值，并且將基本加熱器控制值B校正為比原值高了與溫度校正值 Bt相對(duì)應(yīng)的量的值。接著在步驟S3中，基于加熱器控制值(B+R)從設(shè)定 扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)開始進(jìn)行預(yù)加熱控制。接著在步驟S4中，驗(yàn)證目標(biāo)頂 部扇區(qū)；并且，當(dāng)確定到達(dá)了目標(biāo)頂部扇區(qū)時(shí)，在步驟S5中切換到加熱 器控制值B的寫入加熱控制，在步驟S6中將數(shù)據(jù)寫入指定的扇區(qū)中，并 且當(dāng)在步驟S7中確定完成了寫入操作時(shí)，在步驟S8中關(guān)閉加熱器控制。 圖21是示出根據(jù)本實(shí)施方式的讀取間隙控制處理的流程圖，該處理 是由圖3的讀取間隙控制單元96來執(zhí)行的。在圖21中，在讀取間隙控 制處理中，首先在步驟S1處，對(duì)讀取命令進(jìn)行解碼以獲知目標(biāo)軌道并指 定讀寫頭和存儲(chǔ)區(qū)，從而查閱圖4的參數(shù)表50來獲取基本加熱器控制值 B和調(diào)整加熱器控制值R。接著在步驟S2中，對(duì)獲取的基本加熱器控制 值B進(jìn)行溫度校正。在溫度校正中，因?yàn)檎囟?(TC處的加熱器控制 值登記在圖4的參數(shù)表50中，所以讀取裝置中的當(dāng)前溫度T，并計(jì)算與 正常溫度的溫度差A(yù)T: AT = T-30°C;并且，通過將其乘以用于轉(zhuǎn)換成每 單位溫度的加熱器控制值的系數(shù)來獲得溫度校正值Bt，并按照B=B+Bt 的方式進(jìn)行校正。接著在步驟S3中，基于加熱器控制值(B+R)從設(shè)定扇 區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)開始進(jìn)行預(yù)加熱控制。接著當(dāng)在步驟S4中確定到達(dá)了目 標(biāo)頂部扇區(qū)時(shí)，處理前進(jìn)到步驟S5，在保持加熱器控制值(B+R)不變的同 時(shí)開始讀取。然后，當(dāng)在步驟S6中確定完成了讀取時(shí)，在步驟S7中關(guān) 閉加熱器控制值。本發(fā)明還提供了用于由圖1的磁盤裝置中設(shè)置的MPU 26執(zhí)行的校正處理的程序，即用于校正處理的固件程序，并且所述固件 程序具有圖7、 IOA、 IOB、 19A以及19B的流程圖中示出的處理內(nèi)容。 本發(fā)明還提供了圖1的磁盤裝置的控制設(shè)備，并且所述控制設(shè)備對(duì)應(yīng)于 實(shí)現(xiàn)為安裝在本實(shí)施方式中的圖1的控制板12上的LSI設(shè)備的控制設(shè)備 15。本發(fā)明還提供了用于圖20和圖21中示出的寫入間隙控制和讀取間
隙控制的程序，并且所述程序具有在各自流程圖中示出的處理內(nèi)容。注 意，在本實(shí)施方式中，如圖5中所示，基本加熱器控制值寄存器98和調(diào)
整加熱器控制值寄存器100設(shè)置在MPU 26側(cè)，并且與它們相對(duì)應(yīng)地， 針對(duì)所述寄存器，DA轉(zhuǎn)換器102和104分別設(shè)置在讀寫頭IC 24側(cè)；然 而，對(duì)于MPU26側(cè)的兩個(gè)寄存器，可以在讀寫頭IC24側(cè)設(shè)置單個(gè)DA 轉(zhuǎn)換器，并且可以通過將寄存器的各個(gè)值或相加值輸入到DA轉(zhuǎn)換器并 對(duì)它們進(jìn)行DA轉(zhuǎn)換來執(zhí)行加熱器控制。此外，在上述實(shí)施方式中，在 寫入間隙控制和讀取間隙控制時(shí)，在從參數(shù)表50獲取的基本加熱器控制 值B和調(diào)整加熱器控制值R當(dāng)中，將基本加熱器控制值B溫度校正到與 此時(shí)裝置中的溫度相對(duì)應(yīng)的加熱器控制值；然而，也可以將調(diào)整加熱器 控制值R溫度校正到與裝置中的溫度相對(duì)應(yīng)的加熱器控制值。此外，在 上述實(shí)施方式中，以在參數(shù)表50中設(shè)定輸入到DA轉(zhuǎn)換器以獲得加熱器 電力量的加熱器控制值，從而執(zhí)行校正處理來代替加熱器電力量的情況 為例進(jìn)行了說明；然而，可以用與加熱器控制值的本身相對(duì)應(yīng)的加熱器 電力的值來進(jìn)行校正處理，而不是將加熱器電力值處理為加熱器控制值。 在這種情況下，可以根據(jù)經(jīng)DA轉(zhuǎn)換器102轉(zhuǎn)換的輸出電流將基本加熱 器控制值B處理為加熱器電力量Pd，并且可以根據(jù)經(jīng)DA轉(zhuǎn)換器104轉(zhuǎn) 換的輸出電流將調(diào)整加熱器控制值R處理為加熱器電力Pr。當(dāng)然，最小 間隔控制值Sp也被處理為轉(zhuǎn)換成加熱器電力量的最小間隔電力值Psp。 此外，上述實(shí)施方式以在生產(chǎn)的檢驗(yàn)處理中將校正處理的固件安裝在磁 盤裝置中來執(zhí)行校正處理，并且在完成校正處理后刪除了校正處理的固 件的狀態(tài)下將磁盤裝置發(fā)貨給用戶的情況為例進(jìn)行了說明；然而，當(dāng)把 磁盤裝置發(fā)貨給用戶，而所述磁盤裝置未刪除校正處理的固件時(shí)，用戶 可以根據(jù)使用期間的需要執(zhí)行本實(shí)施方式的參數(shù)校正處理。此外，本發(fā) 明包括不會(huì)削弱其目標(biāo)和優(yōu)勢的修改并且不受上述實(shí)施方式中示出的數(shù) 值的限制。
本申請(qǐng)基于2006年10月31日在日本遞交的申請(qǐng)?zhí)枮镴P 2006-29375 的在先申請(qǐng)，并要求其優(yōu)先權(quán)。
權(quán)利要求
1、一種具有讀寫頭的存儲(chǔ)裝置的控制設(shè)備，所述讀寫頭具有讀取元件和記錄元件，設(shè)置有通過電力分配和加熱而引入的熱膨脹來改變突出值的加熱器，并通過在旋轉(zhuǎn)記錄介質(zhì)上方飛行來訪問數(shù)據(jù)，該控制設(shè)備的特征在于具有參數(shù)管理單元，其登記并管理基本加熱器控制值和調(diào)整加熱器控制值，所述基本加熱器控制值用于設(shè)定在預(yù)加熱、記錄以及再現(xiàn)時(shí)提供給所述加熱器的電力，而所述調(diào)整加熱器控制值用于設(shè)定在除記錄之外的預(yù)加熱和再現(xiàn)時(shí)提供給所述加熱器的電力；寫入間隙控制單元，其在記錄時(shí)從預(yù)定的設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位置開始通過依據(jù)一控制值向所述加熱器分配電力而進(jìn)行預(yù)加熱，所述控制值是通過將所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值相加而獲得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)將電力分配切換為依據(jù)所述基本加熱器控制值的電力分配，從而進(jìn)行寫入加熱；讀取間隙控制單元，其在再現(xiàn)時(shí)從所述設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位置開始通過依據(jù)所述控制值向所述加熱器分配電力而進(jìn)行預(yù)加熱，所述控制值是通過將所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值相加而獲得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)維持所述控制值，從而進(jìn)行讀取加熱；加熱器控制值測量單元，其在進(jìn)行期望校正時(shí)，在從預(yù)定的初始值開始逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值的同時(shí)測量所述讀寫頭與介質(zhì)表面相接觸時(shí)的接觸加熱器控制值，將所述初始值設(shè)為所述調(diào)整加熱器控制值，并將通過從所述接觸加熱器控制值中減去與預(yù)定的最小間隙相對(duì)應(yīng)的最小間隙加熱器控制值和所述初始值而獲得的值設(shè)為基本加熱器控制值；以及寫入輔助調(diào)整單元，其將所述加熱器控制值測量單元測得的調(diào)整加熱器控制值調(diào)整為改善了緊接著記錄開始后的特性劣化的加熱器控制值，在記錄開始時(shí)預(yù)加熱被切換到寫入加熱。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制設(shè)備，該控制設(shè)備的特征在于所述寫 入輔助調(diào)整單元具有區(qū)域設(shè)定單元，其在調(diào)整時(shí)的寫入/讀取中所使用的測量軌道內(nèi)設(shè)定 被分割成多個(gè)塊的第一測量區(qū)域和第二測量區(qū)域，其中， 一個(gè)塊包括多個(gè)扇區(qū)；第一調(diào)整記錄單元，其對(duì)所述加熱器控制值測量單元測量的所述基 本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值進(jìn)行初始設(shè)定，并通過所述寫 入間隙控制單元在所述第一測量區(qū)域和所述第二測量區(qū)域中記錄數(shù)據(jù)；第二調(diào)整記錄單元，其對(duì)所述加熱器控制值測量單元設(shè)定的所述基 本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值進(jìn)行初始設(shè)定，并通過所述寫 入間隙控制單元在所述第一測量區(qū)域的每個(gè)塊中記錄數(shù)據(jù)；特性評(píng)價(jià)值檢測單元，其對(duì)所述加熱器控制值測量單元設(shè)定的所述 基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值進(jìn)行初始設(shè)定，通過所述讀 取間隙控制單元以塊為單位來讀取所述第一測量區(qū)域和所述第二測量區(qū) 域，并針對(duì)所述第一測量區(qū)域和第二測量區(qū)域的每一個(gè)，檢測從塊的讀 信號(hào)中獲得的特性評(píng)價(jià)值的平均值；以及控制值調(diào)整單元，其將所述第一測量區(qū)域的特性評(píng)價(jià)值與所述第二 測量區(qū)域的特性評(píng)價(jià)值進(jìn)行比較，在逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值的 同時(shí)重復(fù)所述第一調(diào)整記錄單元、所述第二調(diào)整記錄單元以及所述特性 評(píng)價(jià)值檢測單元進(jìn)行的處理直到它們之間的差小于等于預(yù)定值，并且當(dāng) 它們之間的差小于等于所述預(yù)定值時(shí)將所述調(diào)整加熱器控制值設(shè)定為調(diào) 整結(jié)果。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制設(shè)備，該控制設(shè)備的特征在于所述控 制值調(diào)整單元逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值，并且同時(shí)使所述基本加 熱器控制值逐漸減小相同的值，從而進(jìn)行調(diào)整。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制設(shè)備，該控制設(shè)備的特征在于所述控 制值調(diào)整單元逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值，并且將所述基本加熱器 控制值固定為初始值，從而進(jìn)行調(diào)整。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的控制設(shè)備，該控制設(shè)備的特征在于所述特性評(píng)價(jià)值是維特比度量裕度、信號(hào)質(zhì)量監(jiān)控值或者誤差率。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制設(shè)備，該控制設(shè)備的特征在于所述加 熱器控制值測量單元根據(jù)校正時(shí)裝置中的溫度和預(yù)定的基準(zhǔn)溫度之間的 溫度差，對(duì)所述讀寫頭與介質(zhì)表面接觸時(shí)的接觸加熱器控制值進(jìn)行溫度 校正，將其校正為所述基準(zhǔn)溫度下的加熱器控制值。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制設(shè)備，該控制設(shè)備的特征在于所述參數(shù)管理單元針對(duì)讀寫頭和記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)區(qū)分別登記和管理所述基本加 熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的控制設(shè)備，該控制設(shè)備的特征在于所述加 熱器控制值測量單元和所述寫入輔助調(diào)整單元針對(duì)讀寫頭和所述記錄介 質(zhì)的所有存儲(chǔ)區(qū)分別測量和調(diào)整所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱 器控制值。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制設(shè)備，該控制設(shè)備的特征在于所述加 熱器控制值測量單元和所述寫入輔助調(diào)整單元針對(duì)讀寫頭和記錄介質(zhì)的 多個(gè)存儲(chǔ)區(qū)中的一部分存儲(chǔ)區(qū)測量和調(diào)整所述基本加熱器控制值和所述 調(diào)整加熱器控制值，并且針對(duì)未測量存儲(chǔ)區(qū)，設(shè)定根據(jù)插值計(jì)算從所述 測量存儲(chǔ)區(qū)的加熱器控制值中獲得的加熱器控制值。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的控制設(shè)備，該控制設(shè)備的特征在于所述 加熱器控制值測量單元和所述寫入輔助調(diào)整單元針對(duì)與所述讀寫頭相對(duì) 應(yīng)的記錄介質(zhì)的特定一個(gè)軌道測量和調(diào)整所述基本加熱器控制值和所述 調(diào)整加熱器控制值，并將測量和調(diào)整后的基本加熱器控制值與調(diào)整加熱 器控制值設(shè)定給所有存儲(chǔ)區(qū)。
11、 一種具有讀寫頭的存儲(chǔ)裝置的控制方法，所述讀寫頭具有讀元件和記錄元件，設(shè)置有通過電力分配和加熱而引入的熱膨脹來改變突出 值的加熱器，并通過在旋轉(zhuǎn)記錄介質(zhì)上方飛行來訪問數(shù)據(jù)，該控制方法 的特征在于包括以下步驟參數(shù)管理步驟，其中登記并管理基本加熱器控制值和調(diào)整加熱器控 制值，所述基本加熱器控制值用于設(shè)定在預(yù)加熱、記錄以及再現(xiàn)時(shí)提供 給所述加熱器的電力，而所述調(diào)整加熱器控制值用于設(shè)定在除記錄之外的預(yù)加熱和再現(xiàn)時(shí)提供給所述加熱器的電力；寫入間隙控制步驟，其中在記錄時(shí)從預(yù)定的設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū) 位置開始通過依據(jù)一控制值向所述加熱器分配電力而進(jìn)行預(yù)加熱，所述 控制值是通過將所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值相加而 獲得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)將電力分配切換為依據(jù)所述 基本加熱器控制值的電力分配，從而進(jìn)行寫入加熱；讀取間隙控制步驟，其中在再現(xiàn)時(shí)從所述設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位 置開始通過依據(jù)所述控制值向所述加熱器分配電力而進(jìn)行預(yù)加熱，所述 控制值是通過將所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值相加而 獲得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)維持所述控制值，從而進(jìn)行 讀加熱；加熱器控制值測量步驟，其中在進(jìn)行期望校正時(shí)，在從預(yù)定的初始 值開始逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值的同時(shí)測量所述讀寫頭與介質(zhì)表 面相接觸時(shí)的接觸加熱器控制值，將所述初始值設(shè)為所述調(diào)整加熱器控 制值，并將通過從所述接觸加熱器控制值中減去與預(yù)定的最小間隙相對(duì) 應(yīng)的最小間隙加熱器控制值和所述初始值而獲得的值設(shè)為基本加熱器控 制值；以及寫入輔助調(diào)整步驟，其中將所述加熱器控制值測量單元測得的調(diào)整 加熱器控制值調(diào)整為改善了緊接著記錄開始后的特性劣化的加熱器控制 值，在記錄開始時(shí)預(yù)加熱被切換到寫入加熱。
12、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的控制方法，該控制方法的特性在于所述 寫入輔助調(diào)整步驟包括區(qū)域設(shè)定步驟，其中在調(diào)整時(shí)的寫入/讀取中所使用的測量軌道內(nèi)設(shè) 定被分割成多個(gè)塊的第一測量區(qū)域和第二測量區(qū)域，其中， 一個(gè)塊包括 多個(gè)扇區(qū)；第一調(diào)整記錄步驟，其中對(duì)所述加熱器控制值測量單元設(shè)定的所述 基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值進(jìn)行初始設(shè)定，并在所述寫 入間隙控制步驟中在所述第一測量區(qū)域和所述第二測量區(qū)域中記錄數(shù) 據(jù)； 第二調(diào)整記錄步驟，其中對(duì)所述加熱器控制值測量步驟設(shè)定的所述 基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值進(jìn)行初始設(shè)定，并在所述寫入間隙控制步驟中在所述第一測量區(qū)域的每個(gè)塊中記錄數(shù)據(jù)；特性評(píng)價(jià)值檢測步驟，其中對(duì)所述加熱器控制值測量步驟設(shè)定的所 述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值進(jìn)行初始設(shè)定，在所述讀 取間隙控制步驟中以塊為單位來讀取所述第一測量區(qū)域和所述第二測量 區(qū)域，并針對(duì)所述第一測量區(qū)域和第二測量區(qū)域的每一個(gè)，檢測從塊的 讀信號(hào)中獲得的特性評(píng)價(jià)值的平均值；以及控制值調(diào)整步驟，其中將所述第一測量區(qū)域的特性評(píng)價(jià)值與所述第 二測量區(qū)域的特性評(píng)價(jià)值進(jìn)行比較，在逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值 的同時(shí)重復(fù)所述第一調(diào)整記錄步驟、所述第二調(diào)整記錄步驟以及所述特 性評(píng)價(jià)值檢測步驟的處理直到它們之間的差小于等于預(yù)定值，并且當(dāng)它 們之間的差小于等于所述預(yù)定值時(shí)將所述調(diào)整加熱器控制值設(shè)定為調(diào)整 結(jié)果。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的控制方法，該控制方法的特征在于，在 所述控制值調(diào)整步驟中，逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值，并且同時(shí)使 所述基本加熱器控制值逐漸減小相同的值，從而進(jìn)行調(diào)整。
14、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的控制方法，該控制方法的特征在于，在 所述控制值調(diào)整步驟中，逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值，并且將所述 基本加熱器控制值固定為初始值，從而進(jìn)行調(diào)整。
15、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的控制方法，該控制方法的特征在于，在 所述控制值測量步驟中，根據(jù)校正時(shí)裝置中的溫度和預(yù)定的基準(zhǔn)溫度之 間的溫度差，對(duì)所述讀寫頭與介質(zhì)表面接觸時(shí)的接觸加熱器控制值進(jìn)行 溫度校正，將其校正為所述基準(zhǔn)溫度下的加熱器控制值。
16、 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的控制方法，該控制方法的特征在于，在 所述參數(shù)管理步驟中，針對(duì)讀寫頭和記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)區(qū)分別登記和管理 所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值。
17、 一種具有讀寫頭的存儲(chǔ)裝置，所述讀寫頭具有讀元件和記錄元 件，設(shè)置有通過電力分配和加熱而引入的熱膨脹來改變突出值的加熱器， 并通過在旋轉(zhuǎn)記錄介質(zhì)上方飛行來訪問數(shù)據(jù)，該存儲(chǔ)裝置的特征在于具 有參數(shù)管理單元，其登記并管理基本加熱器控制值和調(diào)整加熱器控制 值，所述基本加熱器控制值用于設(shè)定在預(yù)加熱、記錄以及再現(xiàn)時(shí)提供給 所述加熱器的電力，而所述調(diào)整加熱器控制值用于設(shè)定在除記錄之外的預(yù)加熱和再現(xiàn)時(shí)提供給所述加熱器的電力；寫入間隙控制單元，其在記錄時(shí)從預(yù)定的設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位 置開始通過依據(jù)一控制值向所述加熱器分配電力而進(jìn)行預(yù)加熱，所述控 制值是通過將所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值相加而獲 得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)將電力分配切換為依據(jù)所述基本加熱器控制值的電力分配，從而進(jìn)行寫入加熱；讀取間隙控制單元，其在再現(xiàn)時(shí)從所述設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位置 開始通過依據(jù)所述控制值向所述加熱器分配電力而進(jìn)行預(yù)加熱，所述控 制值是通過將所述基本加熱器控制值和所述調(diào)整加熱器控制值相加而獲 得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)維持所述控制值，從而進(jìn)行讀 加熱；加熱器控制值測量單元，其在進(jìn)行期望校正時(shí)，在從預(yù)定的初始值 開始逐漸增大所述調(diào)整加熱器控制值的同時(shí)測量所述讀寫頭與介質(zhì)表面 相接觸時(shí)的接觸加熱器控制值，將所述初始值設(shè)為所述調(diào)整加熱器控制 值，并將通過從所述接觸加熱器控制值中減去與預(yù)定的最小間隙相對(duì)應(yīng) 的最小間隙加熱器控制值和所述初始值而獲得的值設(shè)為基本加熱器控制 值；以及寫入輔助調(diào)整單元，其將所述加熱器控制值測量單元測得的調(diào)整加 熱器控制值調(diào)整為改善了緊接著記錄開始后的特性劣化的加熱器控制 值，記錄開始時(shí)預(yù)加熱被切換到寫入加熱。
18、根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)裝置的控制設(shè)備，該控制設(shè)備的特 征在于，所述參數(shù)管理單元登記和管理基本加熱器電力值和調(diào)整加熱器 電力值，所述基本加熱器電力值在預(yù)加熱、記錄以及再現(xiàn)時(shí)被提供給所 述加熱器，而所述調(diào)整加熱器電力值在除記錄之外的預(yù)加熱和再現(xiàn)時(shí)被 提供給所述加熱器；記錄時(shí)，所述寫入間隙控制單元從預(yù)定的設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位 置開始通過依據(jù)電力值向所述加熱器的電力分配來執(zhí)行預(yù)加熱，所述電 力值是通過將所述基本加熱器電力值和所述調(diào)整加熱器電力值相加而獲 得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)將電力分配切換為依據(jù)所述基 本加熱器電力值的電力分配來進(jìn)行寫入加熱；再現(xiàn)時(shí)，所述讀取間隙控制單元從所述設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位置 開始通過依據(jù)所述電力值向所述加熱器的電力分配來執(zhí)行預(yù)加熱，所述 電力值是通過將所述基本加熱器電力值和所述調(diào)整加熱器電力值相加而 獲得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)通過維持所述電力值來進(jìn)行 讀取加熱；進(jìn)行期望校正時(shí)，所述加熱器控制值測量單元在從預(yù)定的初始值開 始逐漸增大所述調(diào)整加熱器電力值的同時(shí)測量所述讀寫頭與介質(zhì)表面相 接觸時(shí)的接觸加熱器電力值，將所述初始值設(shè)為所述調(diào)整加熱器電力值， 并將通過從所述接觸加熱器電力值中減去與預(yù)定的最小間隙相對(duì)應(yīng)的最 小間隙加熱器電力值和所述初始值而獲得的值設(shè)為基本加熱器電力值； 并且所述寫入輔助調(diào)整單元將所述加熱器控制值測量單元測得的調(diào)整加 熱器控制值調(diào)整為改善了緊接著記錄開始后的特性劣化的加熱器電力 值，在記錄開始時(shí)預(yù)加熱被切換到寫入加熱。
19、根據(jù)權(quán)利要求ll所述的存儲(chǔ)裝置的控制方法，該控制方法的特 征在于，在所述參數(shù)管理步驟中，登記和管理基本加熱器電力值和調(diào)整 加熱器電力值，所述基本加熱器電力值在預(yù)加熱、記錄以及再現(xiàn)時(shí)被提 供給所述加熱器，而所述調(diào)整加熱器電力值在除記錄之外的預(yù)加熱和再 現(xiàn)時(shí)被提供給所述加熱器；記錄時(shí)，在所述寫入間隙控制步驟中，從預(yù)定的設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的 扇區(qū)位置開始通過依據(jù)電力值向所述加熱器的電力分配來執(zhí)行預(yù)加熱， 所述電力值是通過將所述基本加熱器電力值和所述調(diào)整加熱器電力值相 加而獲得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)將電力分配切換為依據(jù) 所述基本加熱器電力值的電力分配來進(jìn)行寫入加熱；再現(xiàn)時(shí)，在所述讀取間隙控制步驟中，從所述設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇 區(qū)位置開始通過依據(jù)所述電力值向所述加熱器的電力分配來執(zhí)行預(yù)加 熱，所述電力值是通過將所述基本加熱器電力值和所述調(diào)整加熱器電力 值相加而獲得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)通過維持所述電力值來進(jìn)行讀取加熱；進(jìn)行期望校正時(shí)，在所述加熱器控制值測量步驟中，在從預(yù)定的初 始值開始逐漸增大所述調(diào)整加熱器電力值的同時(shí)測量所述讀寫頭與介質(zhì) 表面相接觸時(shí)的接觸加熱器電力值，將所述初始值設(shè)為所述調(diào)整加熱器 電力值，并將通過從所述接觸加熱器電力值中減去與預(yù)定的最小間隙相 對(duì)應(yīng)的最小間隙加熱器電力值和所述初始值而獲得的值設(shè)為基本加熱器電力值；并且在所述寫入輔助調(diào)整步驟中，將所述加熱器控制值測量單元測得的 調(diào)整加熱器控制值調(diào)整為改善了緊接著記錄開始后的特性劣化的加熱器 電力值，在記錄開始時(shí)預(yù)加熱被切換到寫入加熱。
20、 一種根據(jù)權(quán)利要求17所述的存儲(chǔ)裝置的控制設(shè)備，該控制設(shè)備 的特征在于所述參數(shù)管理單元登記和管理基本加熱器電力值和調(diào)整加熱 器電力值，所述基本加熱器電力值在預(yù)加熱、記錄以及再現(xiàn)時(shí)被提供給 所述加熱器，而所述調(diào)整加熱器電力值在除記錄之外的預(yù)加熱和再現(xiàn)時(shí) 被提供給所述加熱器；記錄時(shí)，所述寫入間隙控制單元從預(yù)定的設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位 置開始通過依據(jù)電力值向所述加熱器的電力分配來執(zhí)行預(yù)加熱，所述電 力值是通過將所述基本加熱器電力值和所述調(diào)整加熱器電力值相加而獲 得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)將電力分配切換為依據(jù)所述基 本加熱器電力值的電力分配來進(jìn)行寫入加熱；再現(xiàn)時(shí)，所述讀取間隙控制單元從所述設(shè)定扇區(qū)號(hào)之前的扇區(qū)位置 開始通過依據(jù)所述電力值向所述加熱器的電力分配來執(zhí)行預(yù)加熱，所述 電力值是通過將所述基本加熱器電力值和所述調(diào)整加熱器電力值相加而 獲得的，并且當(dāng)所述讀寫頭到達(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)通過維持所述電力值來進(jìn)行 讀取加熱；進(jìn)行期望校正時(shí)，所述加熱器控制值測量單元在從預(yù)定的初始值開 始逐漸增大所述調(diào)整加熱器電力值的同時(shí)測量所述讀寫頭與介質(zhì)表面相 接觸時(shí)的接觸加熱器電力值，將所述初始值設(shè)為所述調(diào)整加熱器電力值， 并將通過從所述接觸加熱器電力值中減去與預(yù)定的最小間隙相對(duì)應(yīng)的最 小間隙加熱器電力值和所述初始值而獲得的值設(shè)為基本加熱器電力值； 并且所述寫入輔助調(diào)整單元將所述加熱器控制值測量單元測得的調(diào)整加 熱器控制值調(diào)整為改善了緊接著記錄開始后的特性劣化的加熱器電力 值，在記錄開始時(shí)預(yù)加熱被切換到寫入加熱。
全文摘要
本發(fā)明提供了控制設(shè)備、控制方法以及存儲(chǔ)裝置。記錄時(shí)，間隙控制單元依據(jù)基本加熱器控制值B和調(diào)整加熱器控制值R的相加所得的控制值(B+R)進(jìn)行預(yù)加熱，當(dāng)?shù)竭_(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)切換為僅依據(jù)所述基本加熱器控制值B，從而進(jìn)行寫入。再現(xiàn)時(shí)，依據(jù)相加所得的控制值(B+R)進(jìn)行預(yù)加熱，當(dāng)?shù)竭_(dá)目標(biāo)扇區(qū)時(shí)維持所述相加所得的控制值(B+R)，從而進(jìn)行讀取。校正處理單元46在從預(yù)定的初始值Ro開始逐漸增大調(diào)整加熱器控制值R的同時(shí)檢測讀寫頭與介質(zhì)表面之間的接觸(著陸)，將從接觸加熱器控制值Rtd中減去從最小間隙轉(zhuǎn)換來的加熱器控制值Sp和初始值Ro而獲得的值設(shè)為基本加熱器控制值B，并將初始值Ro設(shè)為調(diào)整加熱器控制值R。進(jìn)行寫入輔助調(diào)整，其中將測得的調(diào)整加熱器控制值R調(diào)整為改善了緊接著記錄開始后的特性劣化的加熱器控制值，記錄開始時(shí)預(yù)加熱被切換到寫入加熱。
文檔編號(hào)G11B5/60GK101174423SQ20071018095
公開日2008年5月7日 申請(qǐng)日期2007年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月31日
發(fā)明者光永信行, 富田勇, 田中浩幸, 近藤正夫, 鐘江昌英 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社