專利名稱：動態(tài)寫入策略修正方法及裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及寫入策略修正，特別是有關(guān)于動態(tài)寫入策略修正方法及裝置。
背景技術(shù)：
在光盤上記錄數(shù)據(jù)的寫入策略包括多種參數(shù)，例如，后端脈沖間隔、前端脈沖比率、后端脈沖比率。然而，并不是所有的參數(shù)都是最佳的。請參考圖1A、圖1B以及圖1C。圖1A、圖1B以及圖1C顯示了具有不同寫入策略參數(shù)值的光盤上所記錄的不同凹坑(pits)。光盤上記錄的凹坑在圖1A、圖1B以及圖1C內(nèi)分別為短、長以及移位，并具有非最佳的寫入策略參數(shù)。這些非最佳的寫入策略參數(shù)導(dǎo)致了記錄品質(zhì)的低劣。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種解決以上技術(shù)問題的動態(tài)寫入策略修正方法及裝置。
根據(jù)本發(fā)明實施例的一種動態(tài)寫入策略修正方法，首先，根據(jù)具有至少三參數(shù)的寫入策略在一光盤上寫入多個數(shù)據(jù)，測量上述數(shù)據(jù)的至少兩品質(zhì)指數(shù)，然后，儲存包括上述參數(shù)及對應(yīng)的品質(zhì)指數(shù)的結(jié)果。接下來，判斷是否達到終止條件；如果未達到，則改變參數(shù)并重復(fù)上述步驟；如果達到，則分析上述已儲存的結(jié)果并且輸出具有至少三最佳參數(shù)的最佳寫入策略。
根據(jù)本發(fā)明另一實施例的一種動態(tài)寫入策略修正裝置。動態(tài)寫入策略修正裝置包括一讀取頭、一射頻信號處理電路、一調(diào)整控制電路，以及一結(jié)果處理單元。讀取頭是根據(jù)具有至少三參數(shù)的寫入策略將多個數(shù)據(jù)寫在一光盤上。射頻信號處理電路是測量寫在光盤上的數(shù)據(jù)的至少兩品質(zhì)指數(shù)。調(diào)整控制電路是儲存包括上述參數(shù)及對應(yīng)的品質(zhì)指數(shù)的結(jié)果，并且判斷是否達到終止條件。如果未達到終止條件，調(diào)整控制電路則改變參數(shù)以產(chǎn)生下一寫入策略，并將下一寫入策略傳送至讀取頭；而當上述終止條件達到時，調(diào)整控制電路則輸出上述結(jié)果。結(jié)果處理單元從調(diào)整控制電路接收上述結(jié)果，分析已儲存的結(jié)果，并且根據(jù)上述分析輸出具有至少三最佳參數(shù)的最佳寫入策略。
本發(fā)明提供的動態(tài)寫入策略修正方法及裝置，通過測量根據(jù)即時寫入策略寫在光盤上的測試數(shù)據(jù)的至少兩品質(zhì)指數(shù)，并儲存寫入策略參數(shù)及對應(yīng)的品質(zhì)指數(shù)，然后判斷是否達到終止條件，并根據(jù)判斷結(jié)果進行相應(yīng)處理，以得到最佳參數(shù)的最佳寫入策略，可以顯著提高記錄品質(zhì)。


圖1A、圖1B以及圖1C是顯示一具有各種非最佳寫入策略參數(shù)值的光盤上所記錄的不同凹坑。
圖2是后端脈沖間隔Td的動態(tài)調(diào)整示意圖。
圖3是前端脈沖比率及后端脈沖比率的動態(tài)調(diào)整示意圖。
圖4顯示顫動值與后端脈沖間隔關(guān)系的示意圖。
圖5顯示顫動值與前端脈沖比率關(guān)系的示意圖。
圖6顯示顫動值與后端脈沖比率關(guān)系的示意圖。
圖7顯示依據(jù)本發(fā)明動態(tài)寫入策略修正方法一實施例的流程圖。
圖8顯示依據(jù)本發(fā)明動態(tài)寫入策略修正方法另一實施例的流程圖。
圖9顯示依據(jù)本發(fā)明光盤寫入系統(tǒng)的一實施例的方框圖。
具體實施例方式
以下將對本發(fā)明進行詳細的描述。請同時參考圖2及圖3。圖2是一后端脈沖間隔Td的動態(tài)調(diào)整示意圖，以及圖3是一前端脈沖比率Df(Df＝T1/T2)及一后端脈沖比率Db(Db＝T3/T4)的動態(tài)調(diào)整示意圖。最初，調(diào)整后端脈沖比率Db以記錄具有精確長度的凹坑。舉例而言，假設(shè)最佳的凹坑長度為6T，則光盤上所記錄的凹坑將會精確地等于6T。接下來，調(diào)整前端脈沖比率Df及后端脈沖比率Db，以精確地產(chǎn)生所記錄的凹坑的前端及后端位置。換言之，一最佳凹坑的起點地址及終點地址精確地等于所記錄凹坑的地址。請注意，凹坑及其長度的描述僅作為一范例，并不作為本發(fā)明的限制。換言之，本發(fā)明也可采用其他不同的記號，例如，平面(land)，其長度用以限制前面及后面的凹坑。在以下的描述中，將使用凹坑及其長度作為范例。以下將提供這些參數(shù)調(diào)整的詳細敘述。
請先參考圖2。寫入策略使用三個不同的后端脈沖間隔Td1、Td2以及Td3以在光盤上記錄三個對應(yīng)的凹坑Pit_1、Pit_2以及Pit_3。通過讀取并分析凹坑Pit_1、Pit_2以及Pit_3的射頻信號，可以判定一最佳的后端脈沖間隔Td為上述后端脈沖間隔Td3。此外，如果所記錄的凹坑長度等于nT(其中n是一正整數(shù))，則Td的調(diào)整范圍的偏移量會介于(n-2)T以及nT之間。相似地，圖3所示的最佳前端及后端脈沖比率Df及Db，最終是通過使用不同的最佳脈沖比率值來記錄凹坑、讀取凹坑的對應(yīng)射頻信號，以及找出其中具有最小顫動值(jitter)之一而判定。以下將提供在不同傳輸速率(transfer rate)下寫入策略參數(shù)變動的詳細描述。
請同時參考圖4、圖5以及圖6。圖4、圖5以及圖6分別顯示顫動值Jvalue與后端脈沖間隔Td、前端脈沖比率Df以及后端脈沖比率Db之間的關(guān)系。圖4顯示當傳輸速率(例如分別為16x、20x、24x以及32x)增加時，后端脈沖間隔Td會下降以使顫動值Jvalue降至最低。由于當傳輸速率增加時，所記錄的凹坑的擴散效應(yīng)會變得十分顯著，因此可以將后端脈沖間隔Td縮短以獲得最小的顫動值Jvalue。圖5顯示當傳輸速率增加時，前端脈沖比率Df會下降以使顫動值Jvalue降至最低。圖6顯示當傳輸速率增加時，后端脈沖比率Db會增加以使顫動值Jvalue降至最低。
請參考圖7。圖7顯示依據(jù)本發(fā)明動態(tài)寫入策略修正方法一實施例的流程圖。以下將提供更詳細的說明。
步驟702準備寫入策略參數(shù)。寫入策略參數(shù)包括多個不同的后端脈沖間隔Td1至Tdn、多個不同的前端脈沖比率Df1至Dfn，以及多個不同的后端脈沖比率Db1至Dbn，并分別具有可調(diào)范圍。
步驟704設(shè)定至少三個起始參數(shù)。例如，設(shè)定起始后端脈沖間隔Td_init、起始前端脈沖比率Df_init，以及起始后端脈沖比率Db_init。
步驟706產(chǎn)生測試數(shù)據(jù)。
步驟708根據(jù)一具有至少三個參數(shù)的寫入策略將上述數(shù)據(jù)寫在一光盤上。例如，通過使用寫入策略參數(shù)的起始后端脈沖間隔Td_init、起始前端脈沖比率Df_init，以及起始后端脈沖比率Db_init，在光盤上記錄上述測試數(shù)據(jù)。
步驟710測量光盤上數(shù)據(jù)的至少兩品質(zhì)指數(shù)。例如，測量測試數(shù)據(jù)的一凹坑長度以及顫動值。
步驟712儲存一包括上述參數(shù)及相應(yīng)的品質(zhì)指數(shù)的結(jié)果。例如，儲存顫動值信息，即時后端脈沖間隔、即時前端脈沖比率，以及即時后端脈沖比率。
步驟714判斷是否達到一終止條件。例如，通過使用不同的寫入策略參數(shù)來判斷是否停止記錄測試數(shù)據(jù)。如果是(即達到終止條件)，則進行步驟718；否則，進行步驟716。
步驟716改變參數(shù)。例如，選取另一后端脈沖間隔來取代即時后端脈沖間隔，選取另一前端脈沖比率來取代即時前端脈沖比率，以及選取另一后端脈沖比率來取代即時后端脈沖比率。
步驟718分析所儲存的數(shù)據(jù)并輸出一具有至少三最佳參數(shù)的最佳寫入策略。例如，找出一最佳后端脈沖間隔、一最佳前端脈沖比率，以及一最佳后端脈沖比率，并通過使用這些最佳的寫入策略參數(shù)以動態(tài)地修正寫入策略。
最后，使用已修正的寫入策略在光盤上記錄數(shù)據(jù)。
請參考圖8。圖8顯示依據(jù)本發(fā)明動態(tài)寫入策略修正方法另一實施例的流程圖。以下將提供更詳細的說明。
步驟802準備寫入策略參數(shù)。寫入策略參數(shù)包括多個不同的后端脈沖間隔Td1至Tdn、多個不同的前端脈沖比率Df1至Dfn，以及多個不同的后端脈沖比率Db1至Dbn，并分別具有可調(diào)范圍。
步驟804設(shè)定至少三個起始參數(shù)。例如，設(shè)定一起始后端脈沖間隔Tdi_nit、一起始前端脈沖比率Df_init，以及一起始后端脈沖比率Db_init。
步驟806產(chǎn)生測試數(shù)據(jù)。
步驟808根據(jù)一具有至少三個參數(shù)的寫入策略將上述數(shù)據(jù)寫在一光盤上。例如，通過使用寫入策略參數(shù)的起始后端脈沖間隔Td_init、起始前端脈沖比率Df_init，以及起始后端脈沖比率Db_init，在一光盤上記錄上述測試數(shù)據(jù)。
步驟810改變參數(shù)。例如，選取另一后端脈沖間隔來取代即時后端脈沖間隔，選取另一前端脈沖比率來取代即時前端脈沖比率，以及選取另一后端脈沖比率來取代即時后端脈沖比率。
步驟812判斷是否達到一終止條件。例如，通過使用不同的寫入策略參數(shù)來判斷是否停止記錄測試數(shù)據(jù)。如果是(即達到終止條件)，則進行步驟814；否則，進行步驟810。
步驟814測量光盤上數(shù)據(jù)的至少兩品質(zhì)指數(shù)。例如，測量測試數(shù)據(jù)的凹坑長度以及顫動值。
步驟816儲存一包括上述參數(shù)及相應(yīng)的品質(zhì)指數(shù)的結(jié)果。例如，儲存顫動值信息，即時后端脈沖間隔、即時前端脈沖比率，以及即時后端脈沖比率。
步驟818分析所儲存的數(shù)據(jù)并輸出一具有至少三最佳參數(shù)的最佳寫入策略。例如，找出一最佳后端脈沖間隔、一最佳前端脈沖比率，以及一最佳后端脈沖比率，并通過使用這些最佳的寫入策略參數(shù)以動態(tài)地修正寫入策略。
最后，使用所修正的寫入策略以在光盤上記錄數(shù)據(jù)。
需要注意，本發(fā)明所選取的起始參數(shù)并不限于上述三種，還可以是其他參數(shù)。本發(fā)明也不限制終止條件(在步驟714及812中)的種類。多種不同的終止條件可以應(yīng)用于本發(fā)明。舉例而言，所記錄測試數(shù)據(jù)的品質(zhì)、顫動值的分布情況、或是寫入策略參數(shù)的數(shù)目，都可用作終止條件。在使用所記錄測試數(shù)據(jù)的品質(zhì)作為終止條件的情況下，如果品質(zhì)夠佳(即測試數(shù)據(jù)的顫動值夠小)，則達到終止條件。在使用顫動值分布情況作為終止條件的情況下，如果顫動值變得發(fā)散，則達到終止條件。在使用寫入策略參數(shù)的數(shù)目作為終止條件的情況下，如果每一參數(shù)都用來寫入測試數(shù)據(jù)，則達到終止條件。
請參考圖9。圖9顯示依據(jù)本發(fā)明一實施例的一光盤寫入系統(tǒng)900的方框圖。光盤寫入系統(tǒng)900包括一光盤馬達902、一控制系統(tǒng)904、一射頻信號處理電路906、一調(diào)整控制電路908、一結(jié)果處理單元910、一記錄信號產(chǎn)生器912、一寫入脈沖控制電路914、以及一讀取頭916。記錄信號產(chǎn)生器912根據(jù)要寫在光盤上的數(shù)據(jù)及對應(yīng)于數(shù)據(jù)的寫入策略來準備一記錄信號。寫入脈沖控制電路914根據(jù)已接收的記錄信號控制讀取頭916。讀取頭916接收寫入脈沖控制電路914的控制而發(fā)射激光到光盤上。光盤馬達902用于轉(zhuǎn)動光盤，以便讓讀取頭916能將激光發(fā)射到整片光盤上。光盤的轉(zhuǎn)動速率是由控制系統(tǒng)904來控制。此外，控制系統(tǒng)904也控制讀取頭916的輸出激光的強度。
讀取頭916接收光盤所反射回的光線，并通過檢測反射光以產(chǎn)生一導(dǎo)出信號。射頻信號處理電路906處理導(dǎo)出信號，并且根據(jù)導(dǎo)出信號以測量寫入品質(zhì)指數(shù)(例如，顫動值及凹坑長度)。調(diào)整控制電路908接收品質(zhì)指數(shù)，并且儲存即時寫入策略參數(shù)(例如，后端脈沖間隔Td及/或前端脈沖比率Df及后端脈沖比率Db)以及品質(zhì)指數(shù)(例如，顫動值及凹坑長度)。接下來，調(diào)整控制電路908選出另一寫入策略參數(shù)以更新記錄信號產(chǎn)生器912內(nèi)的即時寫入策略參數(shù)，直到達到終止條件。結(jié)果處理單元910是由調(diào)整控制電路908接收結(jié)果(即寫入策略參數(shù)(例如，后端脈沖間隔Td及/或前端及后端脈沖比率Df及Db)及相應(yīng)的品質(zhì)指數(shù))，分析已儲存的結(jié)果，并根據(jù)分析輸出一具有最佳參數(shù)的最佳寫入策略。最后，寫入脈沖控制電路914根據(jù)即時寫入策略參數(shù)而產(chǎn)生寫入脈沖。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限制本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的范圍內(nèi)，可以做一些改動，因此本發(fā)明的保護范圍應(yīng)當以權(quán)利要求所界定的范圍為準。
權(quán)利要求
1.一種動態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，所述方法包括根據(jù)一具有至少三參數(shù)的寫入策略在一光盤上寫入多個數(shù)據(jù)；測量所述寫入數(shù)據(jù)的至少兩個品質(zhì)指數(shù)；儲存包括所述參數(shù)及所述相對應(yīng)的品質(zhì)指數(shù)的結(jié)果；判斷是否達到一終止條件；以及如果未達到，則改變所述參數(shù)并重復(fù)所述步驟；如果達到，則分析所述已儲存的結(jié)果并且輸出一具有至少三最佳參數(shù)的最佳寫入策略。
2.如權(quán)利要求1所述的動態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，所述參數(shù)包括一后端脈沖間隔、一前端脈沖比率，以及一后端脈沖比率。
3.如權(quán)利要求2所述的動態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，所述品質(zhì)指數(shù)包括一顫動值以及一對應(yīng)于一特定寫入數(shù)據(jù)的記號長度。
4.如權(quán)利要求3所述的動態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，當一傳輸速率增加時，通過降低所述后端脈沖間隔或所述前端脈沖比率，或增加所述后端脈沖比率，來使所述顫動值降至最低。
5.如權(quán)利要求1所述的動態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，分析所述已儲存的結(jié)果的步驟進一步包括選出一對應(yīng)于一精確記號長度的后端脈沖間隔，一對應(yīng)于一最小顫動值的前端脈沖比率或后端脈沖比率以作為所述最佳參數(shù)之一。
6.如權(quán)利要求1所述的動態(tài)寫入策略修正方法，其特征在于，所述終止條件選自一群組，所述群組包括(a)所述品質(zhì)指數(shù)符合品質(zhì)要求；(b)所述品質(zhì)指數(shù)是發(fā)散的；以及(c)所述寫入策略是寫入所述數(shù)據(jù)的最后一個寫入策略。
7.一種動態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述裝置包括一讀取頭，用以根據(jù)一具有至少三參數(shù)的寫入策略在一光盤上寫入多個數(shù)據(jù)；一射頻信號處理電路，用以測量所述寫入數(shù)據(jù)的至少兩品質(zhì)指數(shù)；一調(diào)整控制電路，用以儲存包括所述參數(shù)及所述對應(yīng)的品質(zhì)指數(shù)的結(jié)果，并判斷是否達到一終止條件；如果未達到所述終止條件，則改變所述參數(shù)以產(chǎn)生一下一寫入策略，并將所述下一寫入策略傳送至所述讀取頭；當達到所述終止條件時，所述調(diào)整控制電路輸出所述結(jié)果；以及一結(jié)果處理單元，用以從所述調(diào)整控制電路接收所述結(jié)果，分析所述已儲存的結(jié)果，并且根據(jù)所述分析而輸出一具有至少三最佳參數(shù)的最佳寫入策略。
8.如權(quán)利要求7所述的動態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述裝置進一步包括一記錄信號產(chǎn)生器，用以接收將要寫在所述光盤上的數(shù)據(jù)，并根據(jù)所述數(shù)據(jù)及所述寫入策略準備一記錄信號。
9.如權(quán)利要求7所述的動態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述參數(shù)包括一后端脈沖間隔、一前端脈沖比率，以及一后端脈沖比率。
10.如權(quán)利要求7所述的動態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述品質(zhì)指數(shù)包括一顫動值以及一對應(yīng)于一特定寫入數(shù)據(jù)的記號長度。
11.如權(quán)利要求10所述的動態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，當一傳輸速率增加時，通過降低所述后端脈沖間隔或所述前端脈沖比率，或增加所述后端脈沖比率來使所述顫動值降至最低。
12.如權(quán)利要求7所述的動態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述最佳參數(shù)包括一對應(yīng)于一精確記號長度的后端脈沖間隔，一對應(yīng)于一最小顫動值的前端脈沖比率，或一對應(yīng)于一最小顫動值的后端脈沖比率。
13.如權(quán)利要求7所述的動態(tài)寫入策略修正裝置，其特征在于，所述終止條件選自一群組，所述群組包括(a)所述品質(zhì)指數(shù)符合品質(zhì)要求；(b)所述品質(zhì)指數(shù)是發(fā)散的；以及(c)所述寫入策略是寫入所述數(shù)據(jù)的最后一個寫入策略。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種動態(tài)寫入策略修正方法與裝置。動態(tài)寫入策略修正方法包括根據(jù)一具有至少三參數(shù)的寫入策略在光盤上寫入多個數(shù)據(jù)，并且測量上述數(shù)據(jù)的至少兩品質(zhì)指數(shù)，儲存包括上述參數(shù)及對應(yīng)的品質(zhì)指數(shù)的結(jié)果，判斷是否達到一終止條件，如果未達到，則改變參數(shù)并重復(fù)上述步驟；如果達到，則分析已儲存的結(jié)果并且輸出一具有至少三最佳參數(shù)的最佳寫入策略。使用本發(fā)明的動態(tài)寫入策略修正的方法與裝置，可以顯著地提高記錄品質(zhì)。
文檔編號G11B7/007GK101059966SQ20071009638
公開日2007年10月24日 申請日期2007年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2006年4月18日
發(fā)明者詹于民 申請人:聯(lián)發(fā)科技股份有限公司