專利名稱：：信息記錄介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種通過光學(xué)裝置或者電裝置對信息進行記錄或者進行再現(xiàn)的信息記錄介質(zhì)及其制造方法。
背景技術(shù)：
：作為光學(xué)信息記錄介質(zhì)之一例，有藍光光盤(Blu-rayDisc)。作為其介質(zhì)的層結(jié)構(gòu)，可列舉在基板表面上依次形成反射層、第三界面層、第二電介質(zhì)層、第二界面層、記錄層、第一界面層、第一電介質(zhì)層及保護層的示例。第一電介質(zhì)層及第二電介質(zhì)層具有下述功能，即，通過調(diào)節(jié)光距(二折射率X物理距離)來提高記錄層的光吸收效率、使結(jié)晶相的反射率及非晶質(zhì)相的反射率之差變大，提高信號振幅。另外，還兼具有保護記錄層不受水分等影響的功能。作為這些電介質(zhì)層的材料的一例，可列舉80mol%的ZnS和20mol。/o的Si02的混合物(下面記做(ZnS)80(Si02)20)(例如參照專利文獻l)。這種材料是非晶質(zhì)材料，具有熱傳導(dǎo)率低、高折射率且高透明性的特性。另外，成膜時的成膜速度快，機械特性及耐潮性也優(yōu)良。由于具有這樣優(yōu)良的特性，因而，(ZnS)80(Si02)2o作為非常適于形成電介質(zhì)層的材料而被實用化。第一界面層及第二界面層是在用激光照射記錄層進行反復(fù)重寫記錄時，出于防止(ZnS)80(Si02)20中的硫(下面簡稱S)元素擴散到記錄層的目的而設(shè)置的。若S元素擴散到記錄層中，將會使介質(zhì)的反射率明顯降低，進而使記錄介質(zhì)的反復(fù)重寫特性顯著惡化。作為該界面層的材料，例如公開有含有Zr02和0203的材料(例如參照專利文獻2)。這種材料不含S元素，相對于藍紫色波長域(405nm附近)的激光透明度高，且由于為高熔點，因而也是一種耐熱性高的優(yōu)良材料。反射層具有下述的功能，g卩，在光學(xué)方面使被記錄層吸收的光量增大，在熱學(xué)方面使在記錄層產(chǎn)生的熱量快速擴散，從而使記錄層快速冷卻而易于實現(xiàn)非晶質(zhì)化。除此之外，還具有保護記錄層、界面層及電介質(zhì)層不受使用環(huán)境影響的功能。因此，作為反射層的材料，優(yōu)選使用熱傳導(dǎo)率高的Ag合金。在第二電介質(zhì)層使用(ZnS)80(Si02)20、反射層使用Ag合金時，第三界面層具有防止(ZnS)80(Si02)20中的S元素擴散到反射層的功能。若S元素擴散到反射層，則與Ag合金中的Ag發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成Ag2S。即使在常溫常濕度環(huán)境中也會生成該Ag2S，而使介質(zhì)的可靠性明顯降低。作為該第三界面層的材料，可使用除硫化物之外的電介質(zhì)，除Ag之外的金屬、半金屬、半導(dǎo)體。本發(fā)明者們發(fā)現(xiàn)了在第二電介質(zhì)層使用含S元素的電介質(zhì)并設(shè)置第二界面層及第三界面層而引起的多種問題。就第三界面層而言，首先，列舉記錄層產(chǎn)生的熱量難以擴散的問題。在信息記錄介質(zhì)中，若冷卻效果好則易于非晶質(zhì)化從而得到良好的記錄標記。雖然在元素中熱傳導(dǎo)率最高的是Ag，但是如上所述，不能在第三界面中使用Ag合金。因此，通過設(shè)置第三界面將降低記錄層的冷卻效果。另外，出于提高防止元素彼此的擴散效果的目的，或者使用不同的材料而使界面層多層化，或者使膜厚變厚，由此喪失冷卻效果而難以快速冷卻，從而使信號品質(zhì)降低。第二，設(shè)置第三界面層，將增加構(gòu)成介質(zhì)的層數(shù)。若增加層數(shù)，將產(chǎn)生或者增加對制造介質(zhì)的設(shè)備的投資額或者延長制造時間的問題，介質(zhì)的成本升高。關(guān)于第二界面也一樣，通過設(shè)置該層，將造成或者降低冷卻效果，或者提高介質(zhì)成本。專利文獻l:日本特公平06—090808號公報；專利文獻2:日本特開2003_323743號公報。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是解決上述問題的，其目的在于提供一種不含S元素、相對于藍紫色波長域激光具有高透明度且耐潮性優(yōu)良的電介質(zhì)材料。另一目的在于提供一種信息記錄介質(zhì)，其通過將該電介質(zhì)材料應(yīng)用于第二電介質(zhì)層，從而不需要第二及第三界面層，不僅信號品質(zhì)高而且記錄靈敏度及反復(fù)重寫特性優(yōu)良。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明中的信息記錄介質(zhì)具備氧化物一氟化物電介質(zhì)層，該氧化物一氟化物電介質(zhì)層包含In元素、元素M1(其中，Ml為選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素)、氧元素(0)、元素M2(其中，M2為選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素)、氟元素(F)。另外，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的制造方法，是使用包含下述元素的濺射靶來形成氧化物一氟化物電介質(zhì)層的，其中，上述元素為In元素、元素M1(其中，Ml為選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素)、氧元素(O)、元素M2(其中，M2為選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素)、氟元素(F)。根據(jù)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)，即使在反射層和電介質(zhì)層之間不設(shè)置界面層，也可提供一種不僅信號品質(zhì)高而且記錄靈敏度及反復(fù)重寫特性優(yōu)良的信息記錄介質(zhì)。另外，根據(jù)本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的制造方法，可制造出實現(xiàn)如上所述效果的信息記錄介質(zhì)。圖1是本發(fā)明實施方式1中的信息記錄介質(zhì)1的局部剖面圖；圖2是本發(fā)明實施方式2中的信息記錄介質(zhì)2的局部剖面圖；圖3是本發(fā)明實施方式3中的信息記錄介質(zhì)3的局部剖面圖；圖4是本發(fā)明實施方式4中的信息記錄介質(zhì)4的局部剖面圖；圖5是對于本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)進行信息的記錄再現(xiàn)的記錄再現(xiàn)裝置的局部結(jié)構(gòu)的簡略圖；圖6是本發(fā)明實施方式7中的信息記錄介質(zhì)607的局部剖面圖；圖7是使用圖6所示的信息記錄介質(zhì)的系統(tǒng)之一例的示意圖；圖8是具有四個信息層的信息記錄介質(zhì)的局部剖面圖。符號說明1、2、3、4、55、607、5:信息記錄介質(zhì)301、302、501、502、503、504:信息層50:記錄再現(xiàn)裝置11、43、601:基板12、33、85:反射層13、34、86:第二電介質(zhì)層14:第二界面層15、35、605、87:記錄層16、88:第一界面層17、37、89:第一電介質(zhì)層18:保護層19:能量束(激光)31、81、82、83:光學(xué)分離層32、84:透射率調(diào)節(jié)層36:界面層41:偽基板42:粘接層51:主軸電動機52-半導(dǎo)體激光器53-光學(xué)頭54-物鏡56:激光602:下部電極603:記錄部604:上部電極606:電介質(zhì)層608:脈沖發(fā)生部609:電阻測量器610、611:開關(guān)612:施加部613:判斷部614:電寫入/讀取裝置具體實施例方式下面，參照本發(fā)明的實施方式。下面的實施方式都是例示性的，本發(fā)明并不局限于下面的實施方式。(實施方式1)作為本發(fā)明的實施方式1，說明使用激光進行信息的記錄及再現(xiàn)的信息記錄介質(zhì)之一例。圖1表示其光學(xué)信息記錄介質(zhì)的局部剖面。圖1所示的信息記錄介質(zhì)1，是在基板11的表面上順次層疊反射層12、第二電介質(zhì)層13、第二界面層14、記錄層15、第一界面層16、第一電介質(zhì)層17、以及保護層18而形成的。從第一電介質(zhì)層17側(cè)向該信息記錄介質(zhì)照射記錄*再現(xiàn)用的能量束(一般為激光)19。保護層18例如由光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)及遲效性熱硬化型樹脂等樹脂、或者電介質(zhì)等構(gòu)成，優(yōu)選對于所使用的激光光吸收小的材料。另外，在保護層18上，也可以使用聚碳酸酯、非晶聚烯烴(7乇少777求y才^70)，或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等樹脂，或者玻璃。使用這些材料時，例如通過使用光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化型樹脂等樹脂將保護層18粘貼于第一電介質(zhì)層17而形成。基板11是圓盤狀的透明基板。對于基板11的材料，例如可使用聚碳酸酯、非晶聚烯烴，或者PMMA等樹脂，或者玻璃。在基板ll的記錄層15側(cè)的表面，也可以根據(jù)需要形成用于引導(dǎo)激光的導(dǎo)向槽(道間距0.32/xm)。優(yōu)選基板11的與記錄層15的相反側(cè)的面是平滑的。另外，雖然基板11的厚度是500/rni1300itmi左右，但在保護層18的厚度為100nmi左右(NA=0.85是可進行良好的記錄再現(xiàn)的厚度)的情況下，優(yōu)選基板11的厚度在1050/xm1150/mi的范圍。記錄層15例如由因激光的照射而在結(jié)晶相和非晶質(zhì)相之間引起可逆相變的材料構(gòu)成。作為這種材料，例如有用式GepM5qM6/Te，-(p+q^(原子％)表示的材料。根據(jù)這種材料，可形成非晶質(zhì)相穩(wěn)定且信號振幅大、并且熔點的上升和結(jié)晶化速度的降低比較少的記錄膜。其中，M5是選自Sb及Bi的元素，M6是選自Si、Ti、V、Fe、Co、Ni、Cu、Zr、Nb、Mo、Se、Ru、Rs、Pd、Mn、Ag、Al、Cr、Sn、Ga、In、Ta、Dy、Gd、Td、Os、Ir、W、Pt、Au的元素。優(yōu)選p滿足30《p〈50，更優(yōu)選p滿足35《p《48。另夕卜，優(yōu)選q滿足(Xq《20，優(yōu)選r滿足0《r《20，優(yōu)選35《p+q+r《60。為了得到良好的記錄特性，優(yōu)選記錄層15的膜厚在5nm15nm的范圍內(nèi)。當記錄層15過厚時，使得因熱向面內(nèi)方向的擴散而引起的向相鄰區(qū)域的熱影響變大。而當記錄層15過薄時，由于信息記錄介質(zhì)1的反射率變小，因此更優(yōu)選膜厚為8nm12nm。另外，記錄層15還可用含有Sb、M7(其中，M7為選自V、Mn、Ga、Ge、Se、Ag、In、Sn、Te、Pb、Bi及Au的至少一種元素)的材料形成。具體而言，記錄層15可用由SbsM7剛—s(原子％)表示的材料來形成。在s滿足50《s《95時，可使記錄層15在結(jié)晶相的情況和非晶質(zhì)相的情況之間的信息記錄介質(zhì)1的反射率差變大，因而可得到良好的記錄再現(xiàn)特性。其中，在75《s《95的情況下，結(jié)晶化速度特別快，可在高的傳輸速率下得到良好的重寫性能。另外，在50《s《75的情況下，非晶質(zhì)相特別穩(wěn)定，可在低的傳輸速度下得到良好的記錄性能。另外，記錄層15可用非可逆的相變材料形成。作為非可逆的相變材料，例如如日本國專利公報平7—25209公報(特許第2006849號)所公示的，優(yōu)選使用TeOx+M8(其中，M8為Pd或Ge等元素)。在記錄層為非可逆的相變材料時，雖然是只能寫入一次的一次寫入多次讀出型的信息記錄介質(zhì)，但是，由于這樣的信息記錄介質(zhì)也會對記錄靈敏度、信號儲存性的課題有所改善，因而也適用本發(fā)明。另外，記錄層15并非局限于相變材料，也可以使用通過施加磁場和照射光進行記錄消去再現(xiàn)的光磁材料。作為該材料，可使用包含由Tb、Gd、Dy、Nd、Sm組成的稀土類金屬族中的至少一種元素、和由Sc、Cr、Fe、Co、Ni組成的過渡性金屬族中的至少一種元素的材料。具體而言，可列舉Tb—Fe、Te—Fe—Co、Gd—Fe、Gd—Fe—Co、Dy—Fe—Co、Nd一Fe—Co、Sm一Co、丁b—Fe—Ni、Gd—Tb—Fe—Co、Dy—Sc一Fe一Go等。在記錄層的材料為光磁材料時，信息記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)不一定與圖l相一致，但優(yōu)選使用本發(fā)明中的記錄層的兩側(cè)的界面層構(gòu)成及材料。反射層12具有使被記錄層15吸收的光量增大的光學(xué)性能。另外，反射層12還具有使在記錄層15產(chǎn)生的熱快速擴散、易于使記錄層15非晶質(zhì)化的熱學(xué)性能。再者，反射層12還具有保護多層膜不受使用的環(huán)境影響的性能。反射層12的材料，例如可使用Ag、Au、Cu、Al、Pt、Ti及W這些熱傳導(dǎo)率高的單體金屬。另外，還可以使用下述的合金，即，在Al中添加了Cr、Ni、Ti等的Al合金、在Au中添加了Cu、Cr、Nd等的Au合金、在Ag中添加了Cu、Pd、Ga、In、Nd等的Ag合金、或者在Ag—Cu中添加了Pd、Ti、Ru、Al、Au、Ni、Nd、Ga、Ca、In、Gd、Y等的Ag合金、在Ag—Nd中添加了Au及Pd等的Ag合金、在Ag—In中添加了Sn及Ga等的Ag合金、以及Ag—Ga—Sn、Ag—Ga—Y、Ag—Ga—Al、Ag—Zn—Al、Cu—Si這些合金。特別是由于Ag合金熱傳導(dǎo)率高，因而優(yōu)選作為反射層12的材料。而添加濃度優(yōu)選在3原子％以下。反射層12的膜厚，優(yōu)選熱擴散性能很充分的30nm以上。在該范圍內(nèi)，反射層12厚度大于240nm時，因其熱擴散性能過強，反而使記錄靈敏度降低。因此，更優(yōu)選反射層12的膜厚在30nm240nm的范圍內(nèi)。第二界面層14、第一界面層16具有作為防止元素擴散到記錄層及水分混入到記錄層的阻擋層的功能。另外，由于與記錄層15鄰接設(shè)置，因而具有促進或者抑制記錄層的結(jié)晶化速度的效果，理想的是與由硫?qū)倩锊牧蠘?gòu)成的記錄層15的粘合性優(yōu)良。這些界面層優(yōu)選使用光吸收少的材料，作為界面層14及16的材料，例如可使用下述材料，即Zr02、Hf02、Si02、MgO、Cr203、Ga203、ln203、Y203及A1203等氧化物，C_N、Ti一N、Zr—N、Nb—N、Ta—N、Si—N、Ge—N、Cr一N、Al—N、Ge—Si—N及Ge—Cr—N等氮化物，SiC等碳化物，LaF3、CeF3及YF3等氟化物。另外，也可以是選自其中的混合物。作為其混合物的一例可列舉為了Zr02的穩(wěn)定而添加有Y203的Zr02—￥203(穩(wěn)定化氧化鋯或者部分穩(wěn)定化氧化鋯)，除此之外，還可列舉Zr02—Cr203、Zr02—Si02—Cr203、Zr02—Y203—Cr203、Zr02—ln203、Zr02_Si02—ln203、Zr02_Y203—ln203、HfO廣Ce203、Hf02—Si02—Cr203及Zr02_Si02—Cr203—LaF3等。優(yōu)選界面層14及16的膜厚為lnm12nm。若界面層的膜厚太薄，則得不到作為阻擋層的充分效果，導(dǎo)致元素向記錄層的擴散及水分混入記錄層，致使信號品質(zhì)惡化。而若界面層太厚，則對記錄層的結(jié)晶化促進及抑制效果太大，致使記錄*再現(xiàn)特性惡化。因此，更優(yōu)選膜厚為3nm10nm。，第一電介質(zhì)層17具有下述作用，g卩，保護記錄層15不受水分等影響、調(diào)節(jié)光學(xué)距離提高記錄層15的光吸收率、使在記錄前后的反射光量的變化率變大以提高信號振幅。第一電介質(zhì)層17例如可使用下述材料，艮P,Ti02、Zr02、Hf02、Si02、MgO、ZnO、Nb202、Ta2Os及A1203等氧化物，C一N、Ti_N、Zr_N、Nb—N、Ta—N、Si—N、Ge—N、Cr—N、Al—N、Ge—Si—N及Ge—Cr—N等氮化物。另夕卜，也可使用ZnS等硫化物及SiC等碳化物。另外，還可使用上述材料的混合物。另外，可使用本發(fā)明中的氧化物—氟化物電介質(zhì)(詳細情況將在下面的第二電介質(zhì)層13進行說明)。在這些材料中，例如由于ZnS和Si02的混合物是非晶質(zhì)材料，成膜速度快，而且折射率高、機械強度及耐潮性良好，因此，作為應(yīng)用于第一電介質(zhì)層17的材料特別優(yōu)良。第一電介質(zhì)層17的膜厚可通過基于矩陣法的計算，根據(jù)既要提高記錄層15在結(jié)晶相狀態(tài)和非晶質(zhì)相狀態(tài)的反射光量的反射率，又要提高在記錄層15的光吸收率的條件來確定。作為具體的膜厚，優(yōu)選在10nm150nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在30nm80nm的范圍內(nèi)。第二電介質(zhì)層13是構(gòu)成本發(fā)明的特征的部分。第二電介質(zhì)層13與第一電介質(zhì)層17—樣，也具有調(diào)節(jié)光學(xué)距離提高記錄層15的光吸收率的作用和使在記錄前后的反射光量的變化率變大以提高信號振幅的作用。另外，還具有將在記錄層15產(chǎn)生的熱快速擴散到反射層12，使記錄層15冷卻的作用。在這種熱擴散效果優(yōu)良的情況下，將減輕對記錄層15的熱負荷，得到良好的反復(fù)重寫特性。雖然第二電介質(zhì)層13可使用與上述第一電介質(zhì)層17—樣的材料，但其中，還是特別優(yōu)選使用本發(fā)明中的氧化物一氟化物電介質(zhì)。這種氧化物一氟化物電介質(zhì)，包含有In元素、元素M1(其中，Ml為選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素)、氧元素、元素M2(其中，M2為選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素)、氟元素。在此，通過使氧化物一氟化物電介質(zhì)中含有由In元素和氧元素構(gòu)成的In的氧化物，可提高與反射層材料及記錄層材料的粘合性，進而可提高信息記錄介質(zhì)的耐候性，耐潮性。其中，In的氧化物相對于藍紫色域及紅色域波長的光光吸收率高。若將這種光吸收率高的電介質(zhì)應(yīng)用于電介質(zhì)層，則在記錄層以外產(chǎn)生激光的損失，因而需要高的記錄功率。即，將會使記錄靈敏度惡化。另外，還可以考慮由于電介質(zhì)層的激光吸收而使熱蓄積于電介質(zhì)層，致使重寫特性變差。為了改善這種缺點，想出了含有元素M1、氧元素、元素M2及氟元素的方案。通過使氧化物—氟化物電介質(zhì)含有由元素Ml和氧元素構(gòu)成的Ml的氧化物，可使電介質(zhì)既具有高透明性，又具有高熔點。因此，由于不僅熱量不會蓄積在電介質(zhì)層，而且耐熱性優(yōu)良，因而可提高信息記錄介質(zhì)的重寫特性。另外，B及Cr的氧化物與反射層材料及記錄層材料的粘合性優(yōu)良，可提高信息記錄介質(zhì)的耐候性耐潮性。氧化物—氟化物電介質(zhì)的特征在于，元素M2的絕大多數(shù)為離子半徑大，另外，由元素M2和氟元素構(gòu)成的M2的氟化物表現(xiàn)出對水的難溶解性，認為可提高耐潮性。另外認為，通過在氧化物一氟化物電介質(zhì)中混合氧化物和氟化物，可使電介質(zhì)的構(gòu)造復(fù)雜化，降低熱傳導(dǎo)率，使熱不會擴散到面內(nèi)，從而能夠以低的記錄功率鮮明地寫上記錄標記。§卩，這意味著提高了記錄靈敏度。但是，由于若熱傳導(dǎo)率下降得太低，將使快速冷卻太快而使重寫特性惡化，因此，必須調(diào)整所含有的比例，尋求記錄靈敏度和重寫特性的平衡。這樣，通過很均衡地含有In元素、元素M1、氧元素、元素M2及氟元素，可得到滿足高粘合性、高耐熱性、高透明性及低熱傳導(dǎo)率的電介質(zhì)。由此，可得到高耐候性，耐潮性(與界面的高粘合性)且記錄靈敏度優(yōu)秀、重寫特性良好的信息記錄介質(zhì)。具體而言，構(gòu)成上述氧化物一氟化物電介質(zhì)的元素系列，例如可列舉如下，艮卩，In—Zr—O—La—F、In_Zr—O—Ce—F、In_Zr—O—Nd—F、In—Zr—0—Dy—F、In_Hf_0_La—F、In—Hf—O—Ce—F、In—Hf—O—Nd—F、In—Hf—O—Dy—F、In—Y—O—La—F、In—Y—O—Ce—F、In—Y—O—Nd—F、In—Y—O—Dy—F、In—Ti—0—La—F、In—Ti—O—Ce—F、In—Ti—0_Nd—F、In—Ti—O—Dy—F、In—Cr一0—La—F、In—Cr—O—Ce—F、In—Cr—O—Nd—F、In—Cr—O—Dy—F、In_Si—O—La—F、In—Si—0—Ce—F、In—Si_0_Nd_F、In_Si_0_Dy—F、In—Zr—Y—0—La—F、In—Zr—Y—0—Ce—F、In_Zr_Cr—O—La—F、In—Zr—Cr—O—Ce—F、In—Zr—Si—O—La—F、In—Zr—Si—0—Ce—F、In—Hf—Y_0—La—F、In—Hf—Y—O—Ce—F、In—Hf—Cr一O—La—F、In_Hf_Cr—0_Ce—F、In—Hf—Si—O—La—F、In—Hf—Si—O—Ce—F、In_Y_Cr—0_La_F、In—Y—Cr一0—Ce—F、In—Cr一Si—0—La—'F、In-Cr一Si—0-Ce—F、In-Zr—Y—Si—0_La—F、In—Zr-Y-Si—O—Ce—F、In—Zr—Y—Cr—O—La—F、In—Zr—Y—Cr—O—Ce—F、In—Zr—Cr—Si—O—La—F、In—Zr—Cr—Si—O—Ce—F、In—Zr—Y—Cr_Si—O—La—F、In—Zr—Y—Cr一Si—0—Ce—F、In—Zr—O—La—Ce—F、In—Zr—O—La—Nd—F、In—Zr—0—La—Dy—F、In—Hf—O—La—Ce—F、In—Y—O—La—Ce_F、In—Ti—0—La—Ce—F、In—Cr一O—La—Ce—F、In_Si—O—La—Ce—F、In—Zr—O—La—Ce—Nd—F、In—Zr—O—La—Ce—Dy—F、In—Zr—Y—O—La—Ce—F、In—Zr—Cr—O—La—Ce—F、In—Zr—Si—O—La—Ce—F、In—Zr—Y—Cr—O—La—Ce—F、In—Zr—Y—Si—O—La—Ce—F、In—Zr—Cr—Si—O—La—Ce一F及In—Zr—Y—Cr—Si—O—La—Ce—F等。另外，例如考慮到將In元素和氧元素在薄膜中形成In2Cb這一穩(wěn)定的形式。上述具體例所列舉的氧化物一氟化物電介質(zhì)，可考慮以下述的形式存在。這些形式是，In203_Zr02—LaF3、In203_Zr02—CeF3、In203_Zr02—NdF3、ln203—Zr02—DyF3、In203_Hf02—LaF3、In203_Hf02_CeF3、ln203_Hf02_NdF3、ln203_Hf02_DyF3、ln203—Y203—LaF3、ln203—Y203—CeF3、ln203—Y203—NdF3、ln203_Y203—DyF3、ln203—TiO廣LaF3、ln203—Ti02_CeF3、ln203—Ti02—薩3、ln203—Ti02—DyF3、ln203—Cr203—LaF3、In203_Cr203_CeF3、ln203—Cr203_NdF3、ln203—Cr203—DyF3、In203—Si02—LaF3、In203—Si02—CeF3、ln203—Si02_NdF3、ln203一SiO廣DyF3、ln203—ZrO廣Y203—LaF3、In203—Zr02—Y203—CeF3、In203_Zr02_Cr203_LaF3、ln203—Zr02—Cr203—CeF3、In203—Zr02—Si02—LaF3、ln203—ZrO廣Si02_CeF3、ln203—ZrSi04_LaF3、ln203—ZrSi04_CeF3、In203—Hf02—Y203—LaF3、ln203—Hf02—Y203—CeF3、ln203—Hf02_Cr203_LaF3、In203_Hf02—Cr203_CeF3、In203—Hf02_Si02—LaF3、In203_Hf02—SiO廣CeF3、In203_Y203—Cr203—LaF3、ln203—Y203—Cr203—CeF3、ln203—Cr203_Si02—LaF3、ln203_Cr203—Si02_CeF3、ln203—Zr02—Y203_Si02_LaF3、ln203—Zr02—Y203—Si02—CeF3、ln203—Zr。2_Y203—Cr203—LaF3、ln203_Zr。2—Y203_Cr203—CeF3、In203_Zr02—Cr203_Si02_LaF3、ln203—Zr02—Cr203—Si02—CeF3、In203_Zr02_Y203—Cr203_Si02—LaF3、ln203—Zr02_Y203—Cr203_Si02_CeF3、ln203—Zr02_LaF3—CeF3、ln203—Zr02_LaF3—NdF3、In203_Zr02—LaF3—DyF3、ln203—Hf02_LaF3_CeF3、ln203—Y203一LaF廣CeF3、ln203—Ti02—LaF3—CeF3、ln203_Cr203-LaF3_CeF3、In203_Si02—LaF3_CeF3、ln203—ZrO廣LaF廣CeF廣NdF3、In203—Zr02_LaF3—CeF廣DyF3、ln203—Zr02—Y203—LaF3—CeF3、In203_Zr02—Cr203_LaF3_CeF3、In203_Zr02—Si02—LaF3—CeF3、ln203—ZrSiO廣LaF3—CeF3、ln203—Zr02—Y203_Cr203—LaF3—CeF3、ln203—Zr02—Y203—Si02_LaF3—CeF3、ln203_Zr02—Cr203—Si02—LaF3_CeF3及l(fā)n203—Zr。3—Y203_Cr203—Si02—LaF3_CeF3等。另外，為了得到良好的記錄靈敏度、反復(fù)重寫特性、粘合性，在用式InaMUOeM2dF腦-a-b-e-d(原子％)表示氧化物—氟化物電介質(zhì)的情況下，優(yōu)選滿足3《a《38、3《b《38、10《c《60、l《d《35及a+b+c+d<100。而在用式(ln203)j(Dl)k(D2)k(mol%)表示氧化物一氟化物電介質(zhì)的情況下，優(yōu)選滿足20《j《85、20《k《85及j+k〈100。第二電介質(zhì)層13的膜厚與第一電介質(zhì)層17—樣，可通過基于矩陣法的計算來確定。作為具體的膜厚，優(yōu)選在3nm75nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在5nm40nm的范圍內(nèi)。下面，說明在本實施方式作了說明的信息記錄介質(zhì)1的制造方法。反射層12、第二電介質(zhì)層13、第二界面層14、記錄層15、第一界面層16及第一電介質(zhì)層17，可通過氣相成膜法之一的濺射法來形成。首先，將基板ll(例如厚度為1100/mi)配置于成膜裝置內(nèi)。接著，首先成膜反射層12。此時，在基板11上形成有導(dǎo)向槽時，在該導(dǎo)向槽側(cè)成膜反射層12。反射層12是通過將由構(gòu)成反射層12的金屬或者合金構(gòu)成的濺射耙，在Ar氣體環(huán)境中、或者在Ar和反應(yīng)氣體(例如氧氣或氮氣)的混合氣體環(huán)境中進行濺射而形成的。"^然后，在反射層12上成膜第二電介質(zhì)層13。通過使用含有In元素、元素M1、氧元素、元素M2、氟元素的濺射靶，在Ar氣體環(huán)境中、或者在Ar和反應(yīng)氣體的混合氣體環(huán)境中的濺射，形成第二電介質(zhì)層13。具體而言，該混合物的濺射靶例如若用式InaMlbOeM2dF1Q()-a—b-e-d(原子％)表示，則優(yōu)選滿足3《a《38、3《b《38、10《c《60、1《d《35及a+b十c+d<100。另外，使用用式(ln203)j(Dl)k(D2)濯-j-k(mol%)(其中，滿足20《j《85、20《k《85及j+k〈100)表示的濺射耙也可形成第二電介質(zhì)層13，進而，通過使用多個電源，對含有111203、D1及D2之中所必須的電介質(zhì)的濺射靶同時進行濺射也可形成第二電介質(zhì)層13。接著，在第二電介質(zhì)層13上成膜第二界面層14。可通過使用由組成第二界面層14的電介質(zhì)的混合物構(gòu)成的濺射耙，在Ar氣體環(huán)境中、或者在Ar和反應(yīng)氣體的混合氣體環(huán)境中的濺射形成第二界面層14?；蛘咄ㄟ^使用含有構(gòu)成金屬元素的濺射靶，在Ar和反應(yīng)氣體的混合氣體環(huán)境中的反應(yīng)性濺射也可形成第二界面層14。接著，在第二界面層14上成膜記錄層15。記錄層15可根據(jù)其組成，通過使用由Ge—M5—Te—M6合金構(gòu)成的濺射靶，在Ar氣體環(huán)境中、Kr氣體環(huán)境中、Ar和反應(yīng)氣體的混合氣體環(huán)境中、或者Kr和反應(yīng)氣體的混合氣體環(huán)境中的濺射而形成。接著，在記錄層15上成膜第一界面層16。第一界面層16可通過使用由組成第一界面層16的化合物構(gòu)成的濺射靶，在Ar氣體環(huán)境中、或者在Ar和反應(yīng)氣體的混合氣體環(huán)境中的濺射而形成?；蛘咭部赏ㄟ^使用含有構(gòu)成金屬元素的濺射耙，在Ar和反應(yīng)氣體的混合氣體環(huán)境中的反應(yīng)性濺射而形成。然后，在第一界面層16上成膜第一電介質(zhì)層17。第一電介質(zhì)層17，可通過使用由組成第一電介質(zhì)層17的化合物構(gòu)成的濺射靶，在Ar氣體環(huán)境中、或者在Ar和反應(yīng)氣體的混合氣體環(huán)境中的濺射而形成。或者也可通過使用含有構(gòu)成金屬元素的濺射耙，在Ar和反應(yīng)氣體的混合氣體環(huán)境中的反應(yīng)性濺射而形成。上述各濺射工序中的電源可使用直流(DC:DirectCurrent)電源及高頻(RF:RadioFrequency)電源，供電功率均設(shè)為1W10kW。并且，將使用DC電源進行的濺射稱為DC濺射，將使用RF電源進行的濺射稱為RF濺射。另外，濺射過程中的成膜室的壓力為0.01Pa100Pa。最后，在第一電介質(zhì)層17上形成保護膜18。保護膜18，可在將光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化型樹脂等樹脂涂敷于第一電介質(zhì)層17上并進行旋涂之后，通過使樹脂硬化而形成。另外，保護層18也可以使用聚碳酸酯、非晶聚烯烴，或者聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等樹脂，或者圓盤狀的玻璃基板。這種情況是通過在第一電介質(zhì)層17上涂敷光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化型樹脂等樹脂，使這些基板緊密粘合，利用旋涂均勻地展平，使樹脂硬化而形成。另外，作為各層的成膜方法，除濺射法之外，還可使用真空蒸鍍法、離子鍍敷法、化學(xué)氣相沉積法(CVD法ChemicalVaporDeposition)及分子束外延法(MBE法MolecularBeamEpitaxy)。另外，在形成第一電介質(zhì)層17之后或者形成保護層18之后，也可以根據(jù)需要進行使記錄層15的整個面結(jié)晶化的初始化工序。該初始化可通過照射激光進行。以上述為例主要說明了重寫型的信息記錄介質(zhì)，但是，本實施方式同樣也可應(yīng)用于一次寫入多次讀出型或者再現(xiàn)專用型的信息記錄介質(zhì)。另外，各層的成膜順序并非僅限于上述順序。(實施方式2)作為本發(fā)明的實施方式2，說明使用激光進行信息的記錄及再現(xiàn)的信息記錄介質(zhì)的另一例。圖2是表示其光學(xué)信息記錄介質(zhì)的局部剖面圖。圖2所示的信息記錄介質(zhì)2，是在基板11的表面上依次層疊反射層12、第二電介質(zhì)層13、記錄層15、第一界面層16、第一電介質(zhì)層17、以及保護層18而形成的。從電介質(zhì)層17側(cè)向該信息記錄介質(zhì)2照射記錄*再現(xiàn)用的能量束(一般為激光)19?；?1、反射層12、記錄層15、第一界面層16、第一電介質(zhì)層17及保護層18，分別與在實施方式1中所示的材料、功能及形狀相同。第二電介質(zhì)層13的材料和實施方式1的一樣。其功能除實施方式1之外，還由于與記錄層15鄰接設(shè)置而具有促進或者抑制記錄層的結(jié)晶化速度的效果。另外，理想的是與由硫?qū)倩飿?gòu)成的記錄層15的粘合性優(yōu)良。第二電介質(zhì)層13的膜厚與實施方式1一樣，可根據(jù)基于矩陣法的計算來確定。作為具體的膜厚，優(yōu)選在3nm80nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在5nm45nm的范圍內(nèi)。下面，說明在本實施方式作了說明的記錄介質(zhì)2的制造方法。首先，將基板ll(例如厚度1100/mi)配置于成膜裝置內(nèi)。接著，依次成膜反射層12、第二電介質(zhì)層13、記錄層15、第一界面層16、第一電介質(zhì)層17。形成方法都與實施方式1所示的相同。最后，用與實施方式1一樣的方法形成保護層18。另外，在成膜第一電介質(zhì)層17之后或者在形成保護層18之后，也可以根據(jù)需要進行使記錄層15的整個面結(jié)晶化的初始化工序。該初始化可通過照射激光進行。以上述為例說明了重寫型的信息記錄介質(zhì)，但是，本實施方式同樣也可應(yīng)用于一次寫入多次讀出型或者再現(xiàn)專用型的信息記錄介質(zhì)。另外，各層的成膜順序并非僅限于上述順序。(實施方式3)作為本發(fā)明的實施方式3，說明使用激光進行信息的記錄及再現(xiàn)的信息記錄介質(zhì)的另一例。圖3是表示其光學(xué)信息記錄介質(zhì)的局部剖面圖。本實施方式的信息記錄介質(zhì)3包含兩個(記為信息層301及信息層302)記錄再現(xiàn)信息的信息層，通過照射來自單側(cè)的能量束(一般是激光)19，可對各信息層記錄再現(xiàn)信息。首先，說明信息層302的結(jié)構(gòu)。信息層302是通過在基板11的表面上依次層疊反射層12、第二電介質(zhì)層13、第二界面層14、記錄層15、第一界面層16及第一電介質(zhì)層17而形成的。基板11、反射層12、第二電介質(zhì)層13、第二界面層14、記錄層15、第一界面層16及第一電介質(zhì)層17分別與在實施方式1中所示的材料、功能及形狀相同。在信息層302中不需要一定設(shè)置第二界面層14。18光學(xué)分離層31優(yōu)選由光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化型樹脂等樹脂、或者電介質(zhì)等構(gòu)成，并且相對于所使用的激光光吸收率小。光學(xué)分離層31是為了區(qū)別開信息層301及信息層302的焦點位置而使用的，厚度必須為由物鏡的數(shù)值孔徑(NA)和激光的波長X所確定的焦點深度AZ以上。在假設(shè)焦點的光強度的基準為無像差時的80%時，AZ可用AZ二入/{2(NA)}來近似。另外，也可以在光學(xué)分離層31的激光的入射側(cè)形成導(dǎo)向槽。下面說明信息層301的結(jié)構(gòu)。信息層301通過在光學(xué)分離層31的表面上依次層疊透射率調(diào)節(jié)層32、反射層33、第二電介質(zhì)層34、記錄層35、界面層36及第一電介質(zhì)層37而形成。反射層33可使用與在實施方式1所示的反射層12—樣的材料，而且，功能及形狀也一樣。界面層36可使用與在實施方式1所示的第一界面層16—樣的材料，而且，功能及形狀也一樣。第一電介質(zhì)層37可使用與在實施方式1所示的第一電介質(zhì)層17相同的材料，另外，功能及形狀也一樣。作為膜厚，優(yōu)選在10nm120nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在20nm70nm的范圍內(nèi)。第二電介質(zhì)層34的材料可使用實施方式1的第二電介質(zhì)層23或第二界面層14的材料。第二電介質(zhì)層34具有調(diào)節(jié)光學(xué)距離提高記錄層35的光吸收率的作用、和提高在記錄前后的反射光量的變化率以提高信號振幅的作用。另外，還具有將在記錄層35產(chǎn)生的熱量快速擴散到反射層33使記錄層35冷卻的作用。另外，由于與記錄層35鄰接設(shè)置，因而還具有促進或者抑制記錄層的結(jié)晶化速度的效果。作為膜厚，優(yōu)選在3nm75nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在5nm40nm的范圍內(nèi)。雖然記錄層35可使用與在實施方式1所示的記錄層15—樣的材料，而且功能及形狀也一樣，但是，為了提高激光的透射率，優(yōu)選膜厚盡可能變薄，更優(yōu)選在4nm9nm的范圍內(nèi)。透射率調(diào)節(jié)層32具有調(diào)節(jié)信息層301的透射率的作用。通過設(shè)置該層，可同時提高記錄層在結(jié)晶相時的信息層301的透射率Te(%)和記錄層在非晶質(zhì)相時的信息層301的透射率Ta(%)。具體而言，在設(shè)置了透射率調(diào)節(jié)層32的情況下，與沒有透射率調(diào)節(jié)層32的情況相比，可將Tc和L提高210%。另外，還具有將在記錄層35產(chǎn)生的熱量快速擴散到反射層33使記錄層35冷卻的作用。為了進一步提高透射率，優(yōu)選透射率調(diào)節(jié)層32的折射率nl及衰減系數(shù)kl滿足nl》2.0及kl《0.1，更優(yōu)選2.0《nl《3.0及kl《0.05。透射率調(diào)節(jié)層32可使用Ti02、Zr02、Hf02、ZnO、Nb2Os、Ta205、A1203、Bi203、Y203及Ce02等氧化物或Ti—N、Zr—N、Nb—N、Ta—N、Si—N、Ge—N、Cr—N、A1—N、Ge—Si—N及Ge—Cr一N等氮化物，優(yōu)選其膜厚dl滿足(1/16)入/nl《dl《(7/32)入/nl或者(9/16)X/nl《dl《(21/32)X/nl。最后，在第一電介質(zhì)層37上形成保護層18，制造出信息記錄介質(zhì)3。而保護層18與在實施方式1所示的材料、功能及形狀都一樣。本實施方式中，說明了將信息層限定為兩層的信息記錄介質(zhì)，但在將這種信息層設(shè)置多個的情況下，也可通過同樣的結(jié)構(gòu)、同樣的形成方法來制造信息記錄介質(zhì)，這樣，就使得信息記錄介質(zhì)的大容量化成為可能。例如，在設(shè)置有四層信息層的情況下，可以基于信息記錄介質(zhì)3的結(jié)構(gòu)，在信息層301和保護層18之間，用與信息層301同樣的結(jié)構(gòu)再設(shè)置兩層調(diào)整了各層膜厚的信息層。另外，各信息層也可以是重寫型、一次寫入多次讀出型或者再現(xiàn)專用型的任意一種。下面，說明在本實施方式作了說明的信息記錄介質(zhì)3的制造方法。首先，將基板ll(例如厚度1100/mi)配置于成膜裝置內(nèi)。接著，為了形成信息層302而依次形成反射層12、第二電介質(zhì)層13、第二界面層14、記錄層15、第一界面層16及第一電介質(zhì)層17。形成方法都與實施方式l所示的相同。接著，在第一電介質(zhì)層17上形成光學(xué)分離層31。光學(xué)分離層31通過將光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性熱硬化型樹脂等樹脂涂敷于信息層302上進行旋涂之后，使樹脂硬化而形成。而在光學(xué)分離層31上設(shè)置導(dǎo)向槽的情況下，使表面上形成有規(guī)定形狀的槽的轉(zhuǎn)印用基板(模型)粘合于硬化前的樹脂上，之后，對基板11和轉(zhuǎn)印用基板進行旋涂，然后使樹脂硬化，進而，通過從硬化了的樹脂上剝離轉(zhuǎn)印用基板，可形成帶有規(guī)定的導(dǎo)向槽的光學(xué)分離層31。然后，形成信息層301。要形成信息層301首先要形成透射率調(diào)節(jié)層32。透射率調(diào)節(jié)層32，可通過使用由組成透射率調(diào)節(jié)層32的電介質(zhì)構(gòu)成的濺射靶，在Ar氣體環(huán)境中或者在Ar和反應(yīng)氣體的混合氣體環(huán)境中的濺射而形成。另外，透射率調(diào)節(jié)層32還可通過使用包含構(gòu)成的金屬元素的濺射靶，在Ar和反應(yīng)氣體的混合氣體環(huán)境中的反應(yīng)性濺射而形成。接著，在透射率調(diào)節(jié)層32上形成反射層33。反射層33可使用與在實施方式1做過說明的反射層12同樣的方法形成。然后，在反射層33上形成第二電介質(zhì)層34。第二電介質(zhì)層34可使用與在實施方式1做過說明的第二電介質(zhì)層13或者第二界面層14同樣的方法形成。接著，在第二電介質(zhì)層34上形成記錄層35。記錄層35可使用與在實施方式1做過說明的記錄層15同樣的方法形成。接著，在記錄層35上形成第一界面層36。第一界面層36可使用與在實施方式1做過說明的第一界面層16同樣的方法來形成。然后，在第一界面層36上形成第一電介質(zhì)層37。第一電介質(zhì)層37可使用與在實施方式1做過說明的第一電介質(zhì)層17同樣的方法來形成。最后，在第一電介質(zhì)層37上，使用與在實施方式1同樣的方法形成保護層18。在成膜第一電介質(zhì)層17之后或者形成保護層18之后，根據(jù)需要也可以進行使記錄層15的整個面結(jié)晶化的初始化工序。另外，也可以在成膜第一電介質(zhì)層37之后或者形成保護層18之后，根據(jù)需要進行使記錄層35的整個面結(jié)晶化的初始化工序。不論哪一種場合的初始化都可通過照射激光進行。以上述為例說明了重寫型的信息記錄介質(zhì)，但是，本實施方式同樣也可應(yīng)用于一次寫入多次讀出型或者再現(xiàn)專用型的信息記錄介質(zhì)。另外，各層的成膜順序并非僅限于上述順序。(實施方式4)作為本發(fā)明的實施方式4，來說明使用激光進行信息的記錄及再現(xiàn)的信息記錄介質(zhì)的另一例。圖4是表示其光學(xué)信息記錄介質(zhì)的局部剖面圖。圖4所示的信息記錄介質(zhì)4通過在基板43的表面上依次層疊第一電介質(zhì)層17、第一界面層16、記錄層15、第二界面層14、第二電介質(zhì)層13、反射層12、粘接層42及偽基板41而形成。從第一電介質(zhì)層17側(cè)向該信息記錄介質(zhì)照射記錄，再現(xiàn)用的能量束(一般為激光)19?；?3及偽基板41是透明圓盤狀的基板?；?3及偽基板41，與實施方式1的基板11一樣，例如可使用聚碳酸酯、非晶聚烯烴、或者PMMA,樹脂、或者玻璃。在基板43的第一電介質(zhì)層17側(cè)的表面，也可以根據(jù)rf要設(shè)置用于引導(dǎo)激光束的導(dǎo)向槽(道間距為0.615/mi)。優(yōu)選基板43的第一電介質(zhì)層17側(cè)的相反側(cè)的表面以及偽基板41的粘接層42側(cè)的相反側(cè)的表面是平滑的?；?3以及偽基板41的厚度優(yōu)選為0.3mm0.9mm的范圍內(nèi)，以具有足夠的強度且信息記錄介質(zhì)4的厚度達到1.2mm左右。粘接層42由光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性樹脂等樹脂構(gòu)成，優(yōu)選相對于激光束19的光吸收小的樹脂，且優(yōu)選在短波長域光學(xué)雙折射率小的樹脂。而粘接層42的厚度基于與光學(xué)分離層31同樣的原因，優(yōu)選在0.6/mi50/mi的范圍內(nèi)。反射層12、第二電介質(zhì)層13、記錄層15及第一界面層16分別與在實施方式1所示的材料、功能、形狀一樣。另外，第一電介質(zhì)層17與在實施方式l所示的材料、功能一樣，優(yōu)選膜厚在30nm250nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在70nm180nm的范圍內(nèi)。另外，第二電介質(zhì)層13與在實施方式l所示的材料、功能一樣，優(yōu)選膜厚在10nm100nm的范圍內(nèi)，更優(yōu)選在20nm70nm的范圍內(nèi)。下面，說明在本實施方式作了說明的記錄介質(zhì)4的制造方法。首先，將基板43(例如厚度600/mi)配置于成膜裝置內(nèi)。接著，依次成膜第一電介質(zhì)層17、第一界面層16、記錄層15、第二界面層14、第二電介質(zhì)層13、反射層12。形成方法分別與實施方式1所示的相同。然后，使用粘接層42將層疊有信息層的基板43和偽基板41(例如厚度600/mi)粘貼在一起。具體而言，就是將光硬化型樹脂(特別為紫外線硬化型樹脂)或遲效性樹脂等樹脂涂敷于偽基板41上，使層疊有信息層的基板43粘貼于偽基板41上并進行旋涂，之后，使樹脂硬化。另外，還可預(yù)先在偽基板41上均勻地涂敷粘合性的樹脂，然后將其粘貼于層疊有信息層的基板43上。在使基板43與偽基板41粘合之后，根據(jù)需要也可以進行使記錄層15的整個面結(jié)晶化的初始化工序。這種初始化可通過照射激光進行。以上述為例說明了重寫型的信息記錄介質(zhì)，但是，本實施方式同樣也可應(yīng)用于一次寫入多次讀出型或者再現(xiàn)專用型的信息記錄介質(zhì)。另外，各層的成膜順序并不限于上述順序。(實施方式5)作為本發(fā)明的實施方式5，說明對在實施方式1實施方式3做過說明的記錄介質(zhì)13進行信息的記錄再現(xiàn)的方法。圖5示意性示出應(yīng)用于本實施方式的記錄再現(xiàn)方法的記錄再現(xiàn)裝置50的局部結(jié)構(gòu)。記錄再現(xiàn)裝置50具有使信息記錄介質(zhì)旋轉(zhuǎn)的主軸電動機51、具備半導(dǎo)體激光器52的光學(xué)頭53、使從半導(dǎo)體激光器52射出的激光56進行聚光的物鏡54。為了將激光的光點直徑調(diào)節(jié)到0.4/mi0.7/mi的范圍內(nèi)，優(yōu)選物鏡54的數(shù)值孔徑(NA)在0.51.0的范圍內(nèi)。優(yōu)選激光的波長為450nm以下(更優(yōu)選350nm450nm的青紫域)。記錄再現(xiàn)信息時的線速度，優(yōu)選不易發(fā)生因再現(xiàn)光引起的結(jié)晶化且可得到充分的清除率的3m/秒20m/秒的范圍內(nèi)。信息向記錄介質(zhì)的記錄、消去及覆蓋記錄，通過將激光的功率調(diào)制成高功率的波峰功率和低功率的偏置功率(77八°7—)來進行。通過照射波峰功率的激光，可在信息記錄介質(zhì)的記錄膜的局部的一部分形成非晶質(zhì)相，該非晶質(zhì)相就成為記錄部(記錄標記)。在記錄標記間照射偏置功率的激光，可形成結(jié)晶相，該結(jié)晶相就成為消去部。在照射波峰功率的激光時，通常是做成由脈沖列形成的多脈沖。多脈沖既可以在波峰功率和偏置功率的功率級進行調(diào)制，也可以在OmW波峰功率的任意功率級進行調(diào)制。當在基板11上設(shè)置有導(dǎo)向槽時，也可以將信息記錄于靠近激光的入射側(cè)的槽面(溝)，或者遠離激光入射側(cè)的槽面(紋間表面)，或者該兩方。另外，通過向信息記錄介質(zhì)照射激光，用檢測器讀出來自信息記錄介質(zhì)的信號來進行信息的再現(xiàn)。將再現(xiàn)時的激光功率做成不受記錄標記的光學(xué)狀態(tài)的影響、且能夠得到用于信息記錄介質(zhì)的記錄標記檢測的充足的反射光量的功率。(實施方式6)作為本發(fā)明的實施方式6，說明對在實施方式4做過說明的記錄介質(zhì)4進行信息的記錄再現(xiàn)的方法。應(yīng)用于本發(fā)明的記錄再現(xiàn)方法的記錄再現(xiàn)裝置50的局部結(jié)構(gòu)與實施方式5—樣，如圖5所示。在此，對與實施方式5相重復(fù)的地方，省略說明。為了將激光的光點直徑調(diào)節(jié)到0.4/mi0.7/mi的范圍內(nèi)，優(yōu)選物鏡54的數(shù)值孔徑(NA)在0.51.0的范圍內(nèi)。優(yōu)選激光的波長為700nm以下(更優(yōu)選700nm600nm的范圍內(nèi))。記錄再現(xiàn)信息時的線速度，優(yōu)選不易發(fā)生因再現(xiàn)光而引起的結(jié)晶化且可得到充分的清除率的3m/秒20m/秒的范圍內(nèi)。(實施方式7)作為本發(fā)明的實施方式7，示出一例利用施加電能而實施信息的記錄及再現(xiàn)的信息記錄介質(zhì)。圖6示出該信息記錄介質(zhì)的局部剖面。圖6是在基板601的表面上依次形成下部電極602、記錄部603及上部電極604的存儲器607。存儲器607的記錄部603由圓柱狀的記錄層605和包圍該記錄層605的電介質(zhì)層606構(gòu)成。該存儲器607的結(jié)構(gòu)與上面的圖1圖4所示的光學(xué)信息記錄介質(zhì)不同，記錄層605及電介質(zhì)層606在同一個面上形成，而不是層疊的關(guān)系。但是，由于將他們形成為包含基板601、下部電極602及上部電極604的層疊結(jié)構(gòu)的一部分，所以可以分別稱其為"層"。因此，本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)也包含在同一面上形成有記錄層和電介質(zhì)層的結(jié)構(gòu)。作為基板601，具體而言，可使用Si等半導(dǎo)體基板、或者聚碳酸酯基板、Si02、Al203等絕緣性基板等。另外，作為下部電極602及上部電極604，具體而言，使用如實施方式1所示的反射層12的材料。形成記錄部603的記錄層605由利用施加電能產(chǎn)生的焦耳熱而發(fā)生相變的材料形成。作為記錄層605的材料，具體而言，使用如實施方式l所示的記錄層15的材料。形成記錄部603的電介質(zhì)層606具有下述功能，即通過在下部電極602和上部電極604之間施加電壓，防止通過記錄層605的電流散失到周邊部，從而對記錄層605進行電遮斷及熱遮斷。作為電介質(zhì)層606的材料，可使用本發(fā)明的氧化物一氟化物電介質(zhì)(例如，含有In元素、元素M1、氧元素、元素M2及氟元素的電解質(zhì))。下部電極602、上部電極604、記錄層605及電介質(zhì)層606的形成，可使用濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍敷法、CVD法及MBE法。(實施方式8)作為本發(fā)明的實施方式8，示出使用在實施方式7做過說明的信息記錄介質(zhì)(存儲器)607的系統(tǒng)之一例。圖7示出該系統(tǒng)的模式圖。通過用Au或者Al導(dǎo)線將兩個施加部612分別焊接于下部電極602及上部電極604上，使電寫入/讀出裝置614通過施加部612連接于存儲器607。在該電寫入/讀出裝置614中，在分別連接于下部電極602和上部電極604的施加部612之間，通過開關(guān)610連接有脈沖發(fā)生部608，還通過開關(guān)611連接有電阻測量器609。電阻測量器609與對由電阻測量器609測出的電阻值的高低進行判斷的判斷部613連接。利用脈沖發(fā)生部608并通過施加部612使電流脈沖通過下部電極602及上部電極604之間，由電阻測量器609測量下部電極602和上部電極604之間的電阻值，由判斷部613來判斷該電阻值的高低。通常，由于因記錄層605的相變而使電阻值發(fā)生變化，因此，基于該判斷結(jié)果可知道記錄層605的相的狀態(tài)，由此，可判斷是否在存儲器607有信息的寫入和消去。實施例(實施例1)下面，通過實施例更詳細地說明本發(fā)明。在本實施例中說明信息記錄介質(zhì)1之一例。以下是實施例1的信息記錄介質(zhì)的制造方法。首先，作為基板ll，準備形成有導(dǎo)向槽(深度20nm，道間距0.32/mi)的聚碳酸酯基板。利用濺射法在該基板上依次形成下述的層，即，作為反射層12將Ag—Pd—Cu膜形成80nm，作為第二電介質(zhì)層13、第二電介質(zhì)層14將Zr02—&02—111203膜(具體而言就是式(Zr02)25(Si02)25(ln203)50(mol%))形成5nm，作為記錄層15將Ge—Bi—Te—Sn膜(具體而言就是用式Ge44.oBi3.QTe5o.7Sn2.3(原子％)表示的膜)形成llnm，作為第一界面層16將Zr02—Si02—Cr203膜(具體而言就是式(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5Q(mol%))形成5nm，作為第一電介質(zhì)層17形成ZnS—Si02膜(具體而言就是式(ZnS)80(Si02)20(mol%))。然后，將紫外線硬化樹脂涂敷于第一電介質(zhì)層17，使其與聚碳酸酯基板(直徑120rnm、厚度70/mi)粘合，進行旋涂，之后，利用紫外線使樹脂硬化，形成保護層18，制造出信息記錄介質(zhì)1。最后，利用激光束進行了使記錄層15的整個面結(jié)晶化的初始化工序。第二電介質(zhì)層13及第一電介質(zhì)層17的膜厚通過基于矩陣法的計算來確定，具體而言，就是以下述方式來確定，即，在405nm的激光入射時，使記錄層15為結(jié)晶相時的信息記錄介質(zhì)的反射率(基板的鏡面部的反射)達到15%25%，記錄層15為非晶質(zhì)相時的信息記錄介質(zhì)的反射率(基板的鏡面部的反射)達到1%5%。針對以上述方式制作出的信息記錄介質(zhì)1和現(xiàn)有例的信息記錄介質(zhì)，對反射層12和第二電介質(zhì)層13的粘合性、記錄靈敏度、以及反復(fù)重寫性能進行評價。粘合性的評價所用的方法是，將信息記錄介質(zhì)在溫度9(TC、相對濕度80%的條件的恒溫箱內(nèi)放置100個小時，之后用光學(xué)顯微鏡觀察一次腐蝕、剝離。再放置100個小時(合計放置200個小時)之后，用光學(xué)顯微鏡進行觀察，判斷最終有無腐蝕、剝離。記錄靈敏度及反復(fù)重寫性能的評價，是使用如圖5所示的記錄再現(xiàn)裝置50進行的。激光波長為405nm，物鏡的數(shù)值孔徑NA為0.85，測量時的線速度為4.9m/s，最短標記長為0.149/mi，在溝上進行了信息的記錄。記錄是使用自0.149gm(2T)至0.596]um(8T)的隨機信號在同一個溝上連續(xù)進行的。每次重寫都進行信號的再現(xiàn)，利用時間間隔測定器測量了前端跳動(記錄標記的前端部的跳動)、后端跳動(記錄標記的后端部的跳動)及前端跳動和后端跳動的平均跳動。在平均跳動峰值功率特性的曲線圖上，記錄靈敏度是跳動值最小的峰值功率值。而在本實施例，記錄靈敏度為5.7mW以下的為O，大于5.7mW且6.0mW以下的為A，大于6.0mW的為X。另外，將相對于第一次的跳動值增加3%的重寫次數(shù)作為信息記錄介質(zhì)的反復(fù)重寫性能的上限值。作為重寫次數(shù)的上限值，優(yōu)選1000次以上，而本實施例，達到5000次以上評價為良好。下面的實施例也同樣，關(guān)于對粘合性、記錄靈敏度及反復(fù)重寫特性這三個項目所作的評價，將這些特性合在一起，用、〇、A及X綜合判斷了信息記錄介質(zhì)的性能。自依次表示信息記錄介質(zhì)優(yōu)良。作為本實施例的信息記錄介質(zhì)1的一例，對于第二電介質(zhì)層13，在用式InaMlbOcM2dF1()()-a-b—c-d(原子％)(其中，Ml為選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素，M2為選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，即，(Ml，M2)=(Zr，La)、(Zr，Ce)、(Zr，Pr)、(Zr，Dy)、(Zr，Mg)、(Hf，La)、(Hf，Ce)、(Hf，Gd)、(Si，La)、(Si，Ce)、(Cr，La)、(Cr，Ce)、(Y，La)、(Ti，La)、(Ta，La)及(Ga，La)，(a，b，c，d)=(20，10，50，5)。將這些盤編號分別記為1一1011一116。作為另一例，對于第二電介質(zhì)層13，在用式IllaMlbOeM2dFn)0-a-b-c-d(原子％)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，即，(Ml，M2)=(ZrSi，La)、(ZrSi，Ce)、(HfSi，La)、(HfSi，Ce)、(CrSi;La)、(CrSi，Ce)、(ZrY，La)及(ZrY,Ce)，(a，b，c，d)=(15，15，56，4)。將這些盤編號分別記為1一1171一124。作為另外一例，對于第二電介質(zhì)層13，在用式InaMlbOeM2dFK)h-h-￡1(原子％)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，即，(Ml，M2)=(Zr，LaCe)、(Hf，LaCe)、(Si，LaCe)及(Cr，LaCe)，(a，b，c，d)=(17，9，25，33)。將這些盤編號分別記為1_1251—128。作為另外一例，對于第二電介質(zhì)層13，在用式InJV[lbOeM2dF訓(xùn)Tb-c—d(原子。/。)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，S卩，(Ml，M2)=(ZrSi，LaCe)、(HfSi，LaCe)、(CrSi，LaCe)及(ZrY，LaCe)，(a，b，c，d)=(24，12，53，6)。將這些盤編號分別記為1_1291_132。另外，為了與現(xiàn)有的第二電介質(zhì)層進行比較，制作出作為上述結(jié)構(gòu)的信息記錄介質(zhì)的第二電介質(zhì)層應(yīng)用了(ZnS)80(Si02)20、ln203、Zr02、LaF3、(ln203)50(Zr02)50、(ln203)50(LaF3)50及(Zr02)50(LaF3)so的信息記錄介質(zhì)(將盤編號記為1_0001_006)，進行同樣的評價。評價結(jié)果如表1所示。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>如表1所示，可得到下述結(jié)果，即關(guān)于粘合性，本實施例的所有的信息記錄介質(zhì)1都沒有產(chǎn)生相對于反射層12的剝離、腐蝕，比現(xiàn)有例1_000有很大的改善。即表示，作為本實施例的第二電介質(zhì)層而使用的所有氧化物一氟化物和Ag沒有反應(yīng)性，不會使信息記錄介質(zhì)的特性惡化。另外，在本實施例的所有的信息記錄介質(zhì)l中，記錄靈敏度、反復(fù)重寫特性，都比現(xiàn)有例1一0011一006的特性有很大的改善。記錄靈敏度都在6.0mW以下，為良好。另外還表明，可進行一萬次級的重寫。在將信息記錄介質(zhì)用于圖像、聲音、動畫的儲存時，優(yōu)選1000次的重寫次數(shù)，尤其是在作為計算機的外部存儲器使用時，更優(yōu)選一萬次以上的重寫次數(shù)。即表示，本實施例的信息記錄介質(zhì)l也可以作為計算機的外部存儲器使用。另外可看出，在用M1及M2中的所有元素進行驗證時，若Ml使用選自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一種元素，M2使用選自La、Ce、Pr及Nd的至少一種元素，則反復(fù)重寫次數(shù)達到一萬次以上，更為合適。如上所述，在本發(fā)明可得到具有超過現(xiàn)有例的特性的信息記錄介質(zhì)。(實施例2)在本實施例中，對于實施例1所示的記錄介質(zhì)1的第二電介質(zhì)層13，在用式InaMlbOeM2dF謂-『h-d(原子％)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，艮P，(Ml，M2)=(Zr，Ce)，(a，b，c，d)=(2，12，40，5)、(3，12，40，5)、(14，12，40，5)、(24，12，40，5)、(38，12，40，5)及(40，12，40，5)。將這些盤編號分別記為1_2011_206。與實施例1一樣，評價了與反射層12的粘合性、記錄靈敏度及反復(fù)重寫性能。評價結(jié)果如表2所示。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>結(jié)果是，所有的盤都未發(fā)生剝離及腐蝕。另外，所有的盤都可得到重寫次數(shù)達到5000次以上的良好的反復(fù)重寫性能。特別是在作成3《a《38的情況下，可得到記錄靈敏度良好且重寫次數(shù)達到一萬次以上的極為良好的性能。另外，同樣應(yīng)用了下述組合，即，(M1，M2)=(Zr，Ce)，(a，b，c，d)=(12，2，40,5)、(12，3，40，5)、(12，14，40，5)、(12，24，40，5)、(12，38，40，5)及(12，40，40，5)，將這些盤編號分別記為1_2071_212。同樣地，評價了與反射層12的粘合性、記錄靈敏度及反復(fù)重寫性能。評價結(jié)果如表3所示。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>結(jié)果是，所有的盤都未發(fā)生剝離及腐蝕。另外，所有的盤都可得到重寫次數(shù)達到5000次以上的良好的反復(fù)重寫性能。特別是在3《b《38的情況下，可得到記錄靈敏度良好且重寫次數(shù)達到一萬次以上的極為良好的性能。另外，同樣應(yīng)用了下述組合，g卩，(Ml，M2)=(Zr，Ce)，(a，b，c，d)=(12，12，5，5)、(12，12，10，5)、(12，12，20，5)、(12，12，40，5)、(12，12，60，5)及(12，12，65，5)，將這些盤編號分別記為1_2131_218。同樣地，評價了與反射層12的粘合性、記錄靈敏度及反復(fù)重寫性能。評價結(jié)果如表4所示。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage32</column></row><table>結(jié)果是，若在10《c《60的范圍外，則在粘合性評價中，經(jīng)過100個小時后未發(fā)生剝離，但是，在200個小時后發(fā)生了剝離。因此，優(yōu)選10另外，同樣應(yīng)用了下述組合，艮P，(Ml,M2)=(Zr，Ce)，(a，b，c，d)=(12，12，35，0.5)、(12，12，35，1)、(12，12，35，15)、(12，12，35，25)、(12，12，35，35)及(12，12，35，40)，將這些盤編號分別記為1—2191—224。同樣地，評價了與反射層12的粘合性、記錄靈敏度及反復(fù)重寫性能。評價結(jié)果如表5所示。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>結(jié)果是，所有的盤都未發(fā)生剝離及腐蝕。另外，所有的盤都可得到重寫次數(shù)達到5000次以上的良好的反復(fù)重寫性能。特別是在l《d《35的情況下，可得到記錄靈敏度良好且重寫次數(shù)達到一萬次以上的極為良好的性能。同樣地，在用M1及M2中的所有元素進行驗證時，得到了與上述同樣的結(jié)果。(實施例3)本實施例中，對于實施例1所示的信息記錄介質(zhì)1中的第二電介質(zhì)層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)100_j—k(mol%)(其中，Dl為由選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素構(gòu)成的氧化物，D2為由選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素構(gòu)成的氟化物)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，艮口，(Dl，D2)=(Zr02，LaF3)、(Zr02，CeF3)、(Zr02，PrF3)、(Zr02，DyF3)、(Zr02，MgF)、(Hf02，LaF3)、(Hf02，CeF3)、(Hf02，GdF3)、(Si02，LaF3)、(Si02，CeF3)、(Cr203，LaF3)、(Cr203，CeF3)、(Y203，LaF3)、(Ti02，LaF3)、(Ta2Os，LaF3)及(Ga203，LaF3)，(j，k)二(50，25)。將這些盤編號分別記作1一3011一316。作為另一例，對于第二電介質(zhì)層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)層-j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，艮口，(Dl，D2)=(ZrSi04，LaF3)、(ZrSi04，CeF3)、(HfO廣Si02，LaF3)、(Hf02—Si02，CeF3)、(Cr203—Si02，LaF3)、(Cr203_Si02，CeF3)、(Zr02—Y203，LaF3)及(Zr02—Y203，CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號分別記作1_3171_324。作為另一例，對于第二電介質(zhì)層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)10()-j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，艮口，(Dl，D2)=(Zr02，LaF廣Ce03)、(Hf02，LaF廣Ce03)、(Si02，LaF3_CeF3)及(Cr203，LaF3_CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號分別記作1_3251_328。作為另一例，對于第二電介質(zhì)層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)100n-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，艮口，(Dl，D2)=(ZrSi04，LaF3_CeF3)、(Hf02—Si02，LaF廣CeF3)、(Cr203—Si02，LaF3_CeF3)及(Zr02—Y203，LaF廣CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號分別記作1一3291一332。評價結(jié)果如表6所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage35</column></row><table>如表6所示，可得到下述結(jié)果，即關(guān)于粘合性，本實施例的所有的信息記錄介質(zhì)1都沒有產(chǎn)生相對于反射層12的剝離、腐蝕，比現(xiàn)有例1_000有很大的改善。即表示，作為本實施例的第二電介質(zhì)層而使用的所有氧化物—氟化物電介質(zhì)和Ag沒有反應(yīng)性，不會使信息記錄介質(zhì)的特性惡化。另外還表明，在本實施例的所有的信息記錄介質(zhì)l中，記錄靈敏度、反復(fù)重寫特性，都比現(xiàn)有例1一0011一006的特性有很大的改善。另外可看出，在用D1及D2中的所有元素進行驗證時，若Dl使用由選自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一種元素構(gòu)成的氧化物，D2使用由選自La、Ce、Pr及Nd的至少一種元素構(gòu)成的氟化物，則反復(fù)重寫次數(shù)達到一萬次以上，更為合適。(實施例4)本實施例中，對于實施例1所示的信息記錄介質(zhì)1中的第二電介質(zhì)層13，在用式(ln203)j(DOk(D2)lOO-j—k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，即，(Dl，D2)=(Zr02，CeF3)，(j，k)=(15，25)、(20，25)、(40，25)、(60，25)、(85，13)及(90，8)。將這些盤編號分別記作1一4011一406。與實施例1一樣，評價了與反射層12的粘合性、記錄靈敏度及反復(fù)重寫性能。評價結(jié)果如表7所示。表7<table>tableseeoriginaldocumentpage36</column></row><table>結(jié)果是，當j〈20時，在粘合性評價方面，雖然經(jīng)過100個小時后未發(fā)生剝離，但在200個小時后發(fā)生了剝離。另外，所有的盤都可得到重寫次i達到5000次以上的良好的反復(fù)重寫性能。另外，當j〉85時，Dl及D2的含量減少，反復(fù)重寫特性降低。因此，特別是20《j《85時，可得到記錄靈敏度良好且重寫次數(shù)達到一萬次以上的極為良好的性能。另外，同樣地使用了(Dl，D2)=(Zr02，Ce03)，(j，k)=(25，15)、(25，20)、(25，40)、(25，60)、(13，85)及(8,90)的組合。將這些盤編號分別記作1_4071_412。同樣地，評價了與反射層12的粘合性、記錄靈敏度及反復(fù)重寫性能。評價結(jié)果如表8所示。表8<table>tableseeoriginaldocumentpage37</column></row><table>結(jié)果是，當k〈20時，由于D1的含量減少，電介質(zhì)的透明性降低，因而重寫特性變差(<5000次)。另外，k〉85時，D2的含量減少，記錄靈敏度變差。因此，特別是20《k《85時，可得到記錄靈敏度良好且重寫次數(shù)達到一萬次以上的極為良好的性能。同樣地，在用Dl及D2中的所有元素進行驗證時，得到了與上述同樣的結(jié)果。(實施例5)在本實施例中，說明信息記錄介質(zhì)2之一例。信息記錄介質(zhì)2的各層的形成方法與實施例1一樣。在本實施例，對于第二電介質(zhì)層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)勵—j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，即，(Dl，D2)=(Zr02，LaF3)、(Zr02，CeF3)、(Zr02，DyF3)、(Zr02，MgF)、(Hf02，LaF3)、(Hf02，CeF3)、(Ti02，LaF3)、(Ti02，CeF3)、(Si02，LaF3)、(Si02，CeF3)、(Cr203，LaF3)、(Cr203，CeF3)、(Ga203，LaF3)及(Nb205，CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號分別記作2_1011_214。評價了與記錄層的粘合性。另外，與實施例1一樣，制作了在第二電介質(zhì)層13中使用了現(xiàn)有的(ZnS)80(Si02)20的信息記錄介質(zhì)(將盤編號記為2_000)，并進行了比較。評價結(jié)果如表9所示。表9盤編號No.第二電介質(zhì)層13與記錄層15的粘合性2—101(In2O3)50(ZrO2)25(LaF3)25無剝離、腐蝕2—102(In2O3)50(ZrO2)25(CeF3)25無剝離、腐蝕2—103(In2O3)50(ZrO2)25(DyF3)25有剝離、無腐蝕(IOO個小時后無剝離)2—104(In2O3)50(ZrO2)25(MgF)25有剝離、無腐蝕(IOO個小時后無剝離)2—105(In2O3)50(HfO2)25(LaF3)25無剝離、腐蝕2—106(In2O3)50(HfO2)25(CeF3)25無剝離、腐蝕2—107(In2O3)50(TiO2)25(LaF3)25無剝離、腐蝕2—108(In2O3)50(TiO2)25(CeF3)25無剝離、腐蝕2—109(In2O3)50(SiO2)25(LaF3)25無剝離、腐蝕2—110(In2O3)50(SiO2)25(CeF3)25無剝離、腐蝕2—111(In2O3)50(Cr2O3)25(LaF3)25無剝離、腐蝕2—112(In2O3)50(Cr2O3)25(CeF3)25無剝離、腐蝕2—113(In2O3)50(Ga2O3)25(LaF3)25有剝離、無腐蝕(100個小時后無剝離)2—114(In2O3)50(Nb2O5)25(CeF3)25有剝離、無腐蝕(100個小時后無剝離)2—000(ZnS)80(Si02)20發(fā)生多處圓形腐蝕如表9所示，在本實施例中的所有的信息記錄介質(zhì)2中，均未對記錄層15發(fā)生腐蝕。根據(jù)Dl及D2的選擇，有的在100個小時后未發(fā)生剝離，但在200個小時后發(fā)生了剝離，盡管如此，仍表現(xiàn)出比現(xiàn)有例(盤編號2-000)的粘合性優(yōu)秀的特性。(實施例6)在本實施例，說明信息記錄介質(zhì)3之一例。信息記錄介質(zhì)3的信息層302的形成方法與第一實施例一樣。在本實施例中，對于第二電介質(zhì)層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)H)o-j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，即，(Dl，D2)=(Zr02，LaF3)、(Zr02，CeF3)、(Hf02，LaF3)、(HfD2，CeF3)、(Si02，LaF3)、(Si02，CeF3)、(Cr203，LaF3)及(Cr203，CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些信息記錄介質(zhì)的盤編號No.分別記作3—1013—108。接著，在信息層302上形成設(shè)置了導(dǎo)向槽的光學(xué)分離層31。接著，在光學(xué)分離層31上形成信息層301。信息層301是利用濺射法依次形成下述膜而成的，即成膜順序依次是，作為透射率調(diào)節(jié)層32將Ti02形成21nm(—(11/80)X/n)，作為反射層33將Ag—Pd—Cu膜形成10nm，作為第二電介質(zhì)層34形成Zr02—Si02—In20j莫(具體而言，就是式(Zr02)25(Si02)25(ln203)5o(mol%))、作為記錄層35將Ge—Bi—Te—Sn膜(具體而言，就是用式Ge42.7Bi"Te化oSn2.2(原子％)表示的膜)形成6.5nm，作為界面層36將Zr02—Si02_Cr203膜(具體而言就是式(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5()(mol%))形成5nm，作為第一電介質(zhì)層37形成ZnS—Si02膜(具體而言就是式(ZnS)80(Si。2)20(mol%))。最后，將紫外線硬化樹脂涂敷于第一電介質(zhì)層37，使其與聚碳酸酯基板(直徑120mrn。厚度70/mi)粘合，進行旋涂，之后，利用紫外線使樹脂硬化，形成保護層18，制造出信息記錄介質(zhì)3。第二電介質(zhì)層34及第一電介質(zhì)層37的膜厚，通過基于矩陣法的計算來確定，具體而言，就是以下述方式來確定，即，當入射405nm的激光時，使記錄層35為結(jié)晶相時信息記錄介質(zhì)的反射率(基板的鏡面部的反射)達到4%10%，記錄層35為非晶質(zhì)相時信息記錄介質(zhì)的反射率(基板的鏡面部的反射)達到1%5%,透射率Te(%)及透射率Ta(%)同時達到45%55%。對于以上述制作出的信息記錄介質(zhì)3(盤編號No.3—1013—108)，與第一實施例一樣，評價了反射層33和第二電介質(zhì)層34的粘合性、信息層302的記錄靈敏度及反復(fù)重寫性能。在本實施例中，將記錄靈敏度為11.4mW以下的評價為O，將大于11.4mW并在12.0mW以下的評價為△，將大于12.0mW的評價為X。另外，與第一實施例一樣，還制作了將現(xiàn)有的(ZnS)80(Si02)20、ln203、Zr02、LaF3、(ln203)50(Zr02)50、(ln203)50(LaF3)50及(Zr02)so(LaF3)5o應(yīng)用于第二電介質(zhì)層13的信息記錄介質(zhì)(盤編號No.3—0003—006)，并進行了比較。評價結(jié)果如表10所示。表10<table>tableseeoriginaldocumentpage40</column></row><table>如表10所示，可得到下述結(jié)果，即關(guān)于粘合性，在本實施例的所有的信息記錄介質(zhì)3中，相對于反射層12都未發(fā)生剝離、腐蝕，比現(xiàn)有例3一000得到很大的改善。另外，在本實施例的所有的信息記錄介質(zhì)3中，其記錄敏感度、反復(fù)重寫特性，都比現(xiàn)有例3—0013—006的特性得到很大的改善。記錄靈敏度都在12.0mW以下，評價為良好。另外，還表現(xiàn)出，所有的盤都可進行一萬次以上的重寫，表明本實施例的信息記錄介質(zhì)3都可作為計算機的外部存儲器使用。如上所述，在本發(fā)明得到了具有超過現(xiàn)有例的特性的信息記錄介質(zhì)。(實施例7)本實施例中，在如實施例6所述的信息記錄介質(zhì)3中，對于第二電介質(zhì)層13，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)1()()-j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，即，(Dl，D2)=(Zr02，CeF3)，(j，k)二(50，25)，對于信息層301中的第二電介質(zhì)層34，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)nx)-j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，即，(Dl，D2)=(Zr02，LaF3)、(Zr02，CeF3)、(Zr02，DyF3)、(Zr02，MgF)、(Hf02，LaF3)、(Hf02，CeF3)、(Ti02，LaF3)、(Ti02，CeF3)、(Si02，LaF3)、(Si02，CeF3)、(Cr203，LaF3)、(Cr203，CeF3)、(Ga203，LaF3)及(Nb205，CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號No.分別記作3—2013—214。評價了與記錄層的粘合性。另夕卜，與第一實施例一樣，還制作了將現(xiàn)有的(ZnS)80(Si02)20應(yīng)用于第二電介質(zhì)層34的信息記錄介質(zhì)(盤編號No.3—007)，并進行了比較。評價結(jié)果如表ll所示。表11<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>如表11所示，本實施例中的所有的信息記錄介質(zhì)3相對于記錄層35都未發(fā)生腐蝕。因Dl及D2的選擇，有的在100個小時后未發(fā)生剝離，但在200個小時后發(fā)生了剝離，盡管如此，仍表現(xiàn)出比現(xiàn)有例(盤編號No.3—007)的粘合性優(yōu)異的特性。(實施例8)在本實施例，說明信息記錄介質(zhì)4之一例。以下是實施例8的信息記錄介質(zhì)的制造方法。首先，作為基板43，預(yù)先備好形成有導(dǎo)向槽(深度40nm，道間距0.62^m)的聚碳酸酯基板。利用濺射法在該基板上依次形成下述的層，艮p，作為第一電介質(zhì)層17形成ZnS—SiOj莫(具體而言就是式(ZnS)8o(Si02)20(mol%))、作為第一電介質(zhì)層16將Zr02—Si02—Cr203膜(具體而言就是式(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5q(mol%))形成5nm，作為記錄層15將Ge—Bi—Te—Sn膜(具體而言就是用式Ge44.GBi3.()Te5().7Sn2.3(原子％)表示的膜)形成10nm，作為第二電介質(zhì)層14將Zr02—Si02—Cr20j莫(具體而言就是式(Zr02)25(Si02)25(Cr203)5G(mol%))形成5nm，作為第二電介質(zhì)層13、反射層12將Ag—Pd—Cu膜形成100nm。然后，通過將紫外線硬化性樹脂涂敷于偽基板41上，使基板43的反射層12與偽基板41粘合旋轉(zhuǎn)，形成均勻的樹脂層(厚度20^m)，之后，通過照射紫外線使樹脂硬化，由此使基板43和偽基板41借助粘接層42而粘接在一起。最后，利用激光束進行使記錄層15的整個面結(jié)晶化的初始化工序。第二電介質(zhì)層13及第一電介質(zhì)層17的膜厚，通過基于矩陣法的計算來確定，具體而言，就是以下述方式來確定，即，在入射660nm的激光時，使記錄層15為結(jié)晶相時信息記錄介質(zhì)的反射率(基板的鏡面部的反射)達到13%20%，記錄層15為非晶質(zhì)相時信息記錄介質(zhì)的反射率(基板的鏡面部的反射)達到0.5%4%。對于以上述方式制作出的信息記錄介質(zhì)4及現(xiàn)有例的信息記錄介質(zhì)，評價了反射層12和第二電介質(zhì)層13的粘合性、記錄靈敏度及反復(fù)重寫性能。粘合性的評價與第一實施例一樣，用下述方法進行，g卩，在將信息記錄介質(zhì)在溫度90。C、相對濕度80%的條件的恒溫箱內(nèi)放置100個小時之后，使用光學(xué)顯微鏡觀察一次腐蝕、剝離。再放置100個小時(合計放置200個小時)之后，用光學(xué)顯微鏡進行觀察，判斷最終有無腐蝕、剝離。記錄靈敏度及反復(fù)重寫性能的評價，使用如圖5所示的記錄再現(xiàn)裝置50進行。激光波長為660nm,物鏡的數(shù)值孔徑NA為0.65，測量時的線速度為8.2m/s，最短標記長為0.42pm，在溝及紋間表面上進行信息的記錄。記錄使用自0.42|Lim(3T)至1.54/mi(11T)的隨機信號在同一個溝上及紋間表面上連續(xù)進行。每次重寫都進行信號的再現(xiàn)，利用時間間隔測定器測量了前端跳動(記錄標記的前端部的跳動)、后端跳動(記錄標記的后端部的跳動)及前端跳動和后端跳動的平均跳動。記錄靈敏度是在平均跳動峰值功率特性的曲線圖上，跳動值最小的峰值功率。在本實施例中，將記錄靈敏度為12.0mW以下的評價為O，將大于12.0mW且14.0mW以下的評價為△，大于14.0mW的評價為X。另夕卜，將相對于第一次的跳動值增加3%的重寫次數(shù)作為信息記錄介質(zhì)的反復(fù)重寫性能的上限值。作為重寫次數(shù)的上限值，優(yōu)選1000次以上，在本實施例中，5000次以上評價為良好。作為本實施例的信息記錄介質(zhì)4之一例，對于第二電介質(zhì)層13，在用式(ln203)」(Dl)k(D2)1()()-j-k(mol%)表示的氧化物—氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，即，(Dl，D2)=(Zr02，LaF3)、(Zr02，CeF3)、(Hf02，LaF3)、(Hf02，CeF3)、(Si02，LaF3)、(Si02，CeF3)、(Cr203，LaF3)及(Cr203，CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號No.分別記作4—1014_108。另外，為了與現(xiàn)有例的第二電介質(zhì)層進行比較，還制作了作為上述結(jié)構(gòu)的信息記錄介質(zhì)中的第二電介質(zhì)層使用了(ZnS)8。(Si02)2Q、ln203、Zr02、LaF3、(ln203)50(Zr02)50、(ln203)50(LaF3)50及(Zr02)50(LaF3)50的信息記錄介質(zhì)(盤編號No.4—0004一006)，并進行了同樣的評價。評價結(jié)果如表12所示。<table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>如表12所示，可得到下述結(jié)果，g卩，關(guān)于粘合性，本實施例中的所有的信息記錄介質(zhì)4相對于反射層12都未發(fā)生剝離、腐蝕，比現(xiàn)有例4一000得到很大的改善。即表現(xiàn)出，作為本實施例的第二電介質(zhì)層而使用的所有的氧化物一氟化物電介質(zhì)和Ag均無反應(yīng)性，不會使信息記錄介質(zhì)的特性惡化。另外，在本實施例的所有的信息記錄介質(zhì)4中，其記錄敏感度、反復(fù)重寫特性，都比現(xiàn)有例4一0014一006的特性得到很大的改善。記錄靈敏度都在12.0mW以下，評價為良好。另外，還表現(xiàn)出可進行一萬次級的重寫。在將信息記錄介質(zhì)作為圖像、聲音、動畫的儲存器應(yīng)用時，優(yōu)選1000次的重寫次數(shù)，而在作為計算機中的外部存儲器應(yīng)用時，優(yōu)選10000次以上的重寫次數(shù)。S卩，表明本實施例中的信息記錄介質(zhì)4都可作為計算機的外部存儲器使用。如上所述，在本發(fā)明得到了具有超過現(xiàn)有例的特性的信息記錄介質(zhì)。(實施例9)在本實施例說明信息記錄介質(zhì)(存儲器)607之一例。以下是實施例8的信息記錄介質(zhì)的制造方法。首先，在進行了表面氮化處理的長5mm、寬5mm、厚lmm的Si基板601上，利用濺射法依次形成下面的膜，艮卩，在l.OmmXl.Omm的區(qū)域以厚度0.1/mi形成Au的下部電極602，在0.2mm直徑的圓形區(qū)域以厚度0.1/mi形成Ge38SbK)Te52的記錄層605，在0.6mmX0.6mm的區(qū)域(但是除去記錄層605部)以厚度0.1/mi形成(ln203)5()(Zr02)25(LaF3)25(本發(fā)明的氧化物一氟化物電介質(zhì))的電介質(zhì)層606，在0.6mmX0.6mm的區(qū)域以厚度0.1/rni形成Au的上部電極604。在本實施例中，記錄層605的熔點為650°C，結(jié)晶化溫度為180°C，結(jié)晶化時間為140ns。下部電極602和上部電極604之間的電阻值，在記錄層605的相為非晶質(zhì)狀態(tài)時是IOOOQ，在結(jié)晶狀態(tài)時為30Q。在記錄層605為非晶質(zhì)狀態(tài)時，若在下部電極602和上部電極604之間施加20mA、150ns的電流脈沖，將會使電極間的電阻值下降，使記錄層605的相從非晶質(zhì)狀態(tài)轉(zhuǎn)變成結(jié)晶狀態(tài)。另外，在記錄層605為結(jié)晶狀態(tài)時，若在下部電極602和上部電極604之間施加200mA、100ns的電流脈沖，將會使電極間的電阻值上升，使記錄層605的相從結(jié)晶狀態(tài)轉(zhuǎn)變成非晶質(zhì)狀態(tài)。根據(jù)上述結(jié)果，通過將本發(fā)明的氧化物一氟化物電介質(zhì)(ln203)50(Zr02)25(LaF3)25應(yīng)用于電介質(zhì)層606，可通過施加電能而引起記錄層605發(fā)生相態(tài)變化，由此表現(xiàn)出信息記錄介質(zhì)607具有記錄信息的功能。另外，通過設(shè)置電介質(zhì)層606，可抑制電流從記錄層605擴散到周邊部，可利用由電流產(chǎn)生的焦耳熱有效地提升記錄層605的溫度。特別是在記錄層605的相態(tài)從結(jié)晶狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉蔷з|(zhì)狀態(tài)的情況下，雖然記錄層605—旦溶解就必須有快速冷卻的過程，但通過設(shè)置電介質(zhì)層606，可利用更小的電流使記錄層605的溫度達到熔點以上。另外，通過在記錄部603中將多個記錄層605做成彼此用電介質(zhì)層606隔開的結(jié)構(gòu)，可設(shè)置多個記錄層605，進而可以或者增大信息記錄介質(zhì)607的存儲容量，或者提高存取速度及開關(guān)功能。另外，還可將信息記錄介質(zhì)607自身進行多個連接。(實施例10)在實施例中，在實施方式3中所述的具有四個信息層的信息記錄介質(zhì)(記為信息記錄介質(zhì)5)中，對于如圖8所示的最靠近激光入射側(cè)的信息層501的第二電介質(zhì)層86，在用式(ln203)j(Dl)k(D2)1()()—j-k(mol%)表示的氧化物一氟化物電介質(zhì)中，應(yīng)用了下述組合，g卩，(Dl，D2)=(Zr02，LaF3)、(Zr02，CeF3)、(Zr02，DyF3)、(Zr02，MgF)、(Hf02，LaF3)、(Hf02，CeF3)、(Ti02，LaF3)、(Ti02，CeF3)、(Si02，LaF3)、(Si02，CeF3)、(Cr203，LaF3)、(Cr203，CeF3)、(Ga203，LaF》及(Nb205，CeF3)，(j，k)=(50，25)。將這些盤編號No.分別記作5—1015—114。進行了與記錄層的粘合性的評價。另外，與實施例l一樣，還制作了將現(xiàn)有的(ZnS)80(Si02)20應(yīng)用于第二電介質(zhì)層34的信息記錄介質(zhì)(盤編號No.5—001)，并進行了比較。評價結(jié)果如表13所示。表13<table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>如表13所示，本實施例中的所有的信息記錄介質(zhì)5相對于記錄層87都未發(fā)生腐蝕。根據(jù)Dl及D2的選擇，有的在100個小時后未發(fā)生剝離，但在200個小時后發(fā)生了剝離，雖然如此，仍表現(xiàn)出比現(xiàn)有例(盤編號No.5—001)的粘合性優(yōu)異的特性。上面，舉例說明了本發(fā)明的實施方式，但是，本發(fā)明并不限定于上述的實施方式，而是可基于本發(fā)明的技術(shù)思想應(yīng)用其它的實施方式。工業(yè)實用性本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)及其制造方法，由于能夠?qū)崿F(xiàn)具有優(yōu)良的電介質(zhì)材料且大容量的光學(xué)信息記錄介質(zhì)，因此例如對諸如藍光光盤(Blu—myDisc)及DVD—RAM之類的DVD(DigitalVersatileDisc)有用。另外，還可應(yīng)用于直徑為6cm及8cm這樣的小直徑盤。另外，作為電信息記錄介質(zhì)，可作為電氣開關(guān)元件使用。不論是重寫型、一次寫入多次讀出型還是再現(xiàn)專用型都可應(yīng)用。權(quán)利要求1、一種信息記錄介質(zhì)，至少具備記錄層，所述記錄層通過照射激光束或者施加電流而發(fā)生相變，所述信息記錄介質(zhì)具備氧化物-氟化物電介質(zhì)層，該氧化物-氟化物電介質(zhì)層包含In元素、元素M1、氧元素(O)、元素M2、氟元素(F)，其中，M1為選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素，M2為選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素。2、如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，至少具備兩個信息層，其中至少一個信息層至少具有所述記錄層和所述氧化物一氟化物電介質(zhì)層。3、如權(quán)利要求1或2所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述氧化物一氟化物電介質(zhì)層用式InaMlbOeM2dF,Q{)-a—b-e-d(原子％)表示，滿足3《a《38、3《b《38、10《c《60、l《d《35及a+b+c+d<100。4、如權(quán)利要求1或2所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述氧化物一氟化物電介質(zhì)層包含選自所述元素M1的元素M3、選自所述元素M2的元素M4，其中，M3為選自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一種元素，M4為選自La、Ce、Pr及Nd的至少一種元素。5、如權(quán)利要求4所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述氧化物一氟化物電介質(zhì)層用式IneM3fOgM4hF鵬—e十g-h(原子％)表示，滿足3《e《38、3《f《38、10《g《60、l《h《35及e+f+g+h<100。6、如權(quán)利要求1或2所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述氧化物一氟化物電介質(zhì)層包含In元素的氧化物、氧化物D1、氟化物D2，其中，Dl為由選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素構(gòu)成的氧化物，D2為由選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素構(gòu)成的氟化物。7、如權(quán)利要求6所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述氧化物_氟化物電介質(zhì)層用式(ln203)j(D1)k(D2)勵—j—k(mol%)表示，滿足20《j《85、20《k《85及j+k〈100。8、如權(quán)利要求1或2所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述氧化物一氟化物電介質(zhì)層包含選自所述氧化物Dl的氧化物D3、選自所述氟化物D2的氟化物D4，其中，D3為由選自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一種元素構(gòu)成的氧化物，D4為由選自La、Ce、Pr及Nd的至少一種元素構(gòu)成的氟化物。9、如權(quán)利要求8所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述氧化物一氟化物電介質(zhì)層用式(ln203)m(D3)n(D4)1()?！猰—n(mol%)表示，滿足20《m《85、20《n《85及m+n<100。10、如權(quán)利要求8所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述氧化物一氟化物電介質(zhì)層用式(ln203)m(D3)n(D4)1Q。_m—n(mol%)表示，滿足25《m《65、20《n《60及m+n<100。11、如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，依次具備反射層、第二電介質(zhì)層、所述記錄層及第一電介質(zhì)層，所述第一電介質(zhì)層及所述第二電介質(zhì)層的至少一個為所述氧化物一氟化物電介質(zhì)層。12、如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，依次具備反射層、第二電介質(zhì)層、所述記錄層及第一電介質(zhì)層，所述第二電介質(zhì)層為所述氧化物一氟化物電介質(zhì)層。13、如權(quán)利要求2所述的信息記錄介質(zhì)，其中，在最靠近激光束入射側(cè)的信息層中，依次具備光學(xué)分離層、反射層、第四電介質(zhì)層、記錄層及第三電介質(zhì)層，所述第三電介質(zhì)層及所述第四電介質(zhì)層的至少一個為所述氧化物一氟化物電介質(zhì)層。14、如權(quán)利要求2所述的信息記錄介質(zhì)，其中，在最靠近激光束入射側(cè)的信息層中，依次具備光學(xué)分離層、反射層、第四電介質(zhì)層、記錄層及第三電介質(zhì)層，所述第四電介質(zhì)層為所述氧化物_氟化物電介質(zhì)層。15、一種信息記錄介質(zhì)的制造方法，是權(quán)利要求l或2所述的信息記錄介質(zhì)的制造方法，其中，使用包含In元素、元素M1、氧元素、元素M2、氟元素的濺射靶，通過濺射法而形成所述氧化物一氟化物電介質(zhì)層。16、如權(quán)利要求15所述的信息記錄介質(zhì)的制造方法，其中，所述濺射靶用式InaMlbOeM2dF1Q()—a-b—e-d(原子％)表示，滿足3《a《38、3《b《38、10《c《60、l《d《35及a+b+c+d<100。17、如權(quán)利要求15所述的信息記錄介質(zhì)的制造方法，其中，所述濺射靶包含選自所述元素Ml的元素M3、選自所述元素M2的元素M4，其中，M3為選自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一種元素，M4為選自La、Ce、Pr及Nd的至少一種元素，所述濺射靶用式IneM3fOgM4hF1{)()—e-f—g-h(原子％)表示，滿足3《e《38、3《f《38、10《g《60、l《h《35及e+f+g+h<100。18、如權(quán)利要求15所述的信息記錄介質(zhì)的制造方法，其中，所述濺射靶包含In的氧化物、氧化物Dl、氟化物D2，其中，Dl為由選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素構(gòu)成的氧化物，D2為由選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素構(gòu)成的氟化物，所述濺射靶用式(ln203)j(Dl)k(D2)K)Q-j-k(mol%)表示，滿足20《j《85、20《k《85及j+k〈100。19、如權(quán)利要求15所述的信息記錄介質(zhì)的制造方法，其中，所述濺射靶包含選自所述氧化物D1的氧化物D3、選自所述氟化物D2的氟化物D4，其中，D3為由選自Zr、Hf、Y、Cr及Si的至少一種元素構(gòu)成的氧化物，D4為由選自La、Ce、Pr及Nd的至少一種元素構(gòu)成的氟化物，所述濺射靶用式(ln203)m(D3)n(D4)100_m—n(mol%)表示，滿足20《m《85、20《n《85及m+n〈100。全文摘要本發(fā)明提供一種不含S元素的電介質(zhì)材料，并提供一種即使在反射層和電介質(zhì)層之間不設(shè)置界面層、仍能得到高信號品質(zhì)且記錄靈敏度及重寫特性優(yōu)良的信息記錄介質(zhì)。為此，在本申請中，信息記錄介質(zhì)至少具備記錄層，所述記錄層因照射激光束或者施加電流而發(fā)生相變，其具備包含In元素、元素M1、氧元素(O)、元素M2、氟元素(F)的氧化物-氟化物電介質(zhì)層，其中，M1為選自Zr、Hf、Y、Ti、Nb、Ta、Cr、Ga及Si的至少一種元素，M2為選自La、Ce、Pr、Nd、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Yb、Mg、Ca及Sr的至少一種元素。文檔編號G11B7/24038GK101317225SQ20068004470公開日2008年12月3日申請日期2006年11月1日優(yōu)先權(quán)日2005年11月30日發(fā)明者兒島理惠,槌野晶夫,西原孝史申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社