專(zhuān)利名稱：超分辨率信息記錄介質(zhì)、記錄/再現(xiàn)設(shè)備以及記錄/再現(xiàn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的各方面涉及一種記錄/再現(xiàn)設(shè)備以及一種由所述記錄/再現(xiàn)設(shè)備 執(zhí)行的記錄/再現(xiàn)方法，所述記錄/再現(xiàn)設(shè)備用于將數(shù)據(jù)記錄到超分辨率(super-resolution)信息記錄介質(zhì)或從所述信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)。
背景技術(shù)：
作為光學(xué)信息記錄介質(zhì)的光盤(pán)被廣泛地使用于諸如音頻數(shù)據(jù)或視頻數(shù)據(jù) 的各種類(lèi)型的信息的記錄和再現(xiàn)。光盤(pán)的示例包括壓縮盤(pán)、數(shù)字視頻盤(pán)、藍(lán) 光盤(pán)、高密度DVD等。數(shù)字視頻盤(pán)、藍(lán)光盤(pán)和高密度DVD被巻入到關(guān)于下 一代光盤(pán)的標(biāo)準(zhǔn)的爭(zhēng)論中。在從第一代CD標(biāo)準(zhǔn)至第三代HD-DVD標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)展過(guò)程中，通過(guò)軌道間 距從1.60pm到0.74pm再到0.32|im的逐漸減小，以及最小疇(mark)的長(zhǎng)度從 0.83(im到0.40jim再到0.149pm的逐漸減小，光學(xué)記錄介質(zhì)的存儲(chǔ)容量被提 高。也可以通過(guò)減小激光束的波長(zhǎng)或增大物鏡的數(shù)值孔徑(NA)來(lái)提高光學(xué)記 錄介質(zhì)的存儲(chǔ)容量。然而，當(dāng)前的技術(shù)在產(chǎn)生具有短波長(zhǎng)的激光束方面有所 限制，并且具有大NA的物鏡是昂貴的。當(dāng)使用在再現(xiàn)設(shè)備中的光源的波長(zhǎng)為X，并且其中使用的物鏡的數(shù)值孔 徑為NA時(shí)，A74NA為再現(xiàn)分辨率極限。因此，雖然可以形成非常小的記錄 疇，但是在傳統(tǒng)的光學(xué)記錄盤(pán)中基于所述小的記錄疇的再現(xiàn)是不可能的。即， 在傳統(tǒng)技術(shù)中，從光源照射的光不能識(shí)別大小小于X/4NA的記錄疇，因此， 雖然能夠形成小的記錄疇，但是信息再現(xiàn)是不可能的。為了克服傳統(tǒng)的光學(xué)記錄盤(pán)中對(duì)再現(xiàn)分辨率的限制，近來(lái)已經(jīng)研究出一 種從中獲得超分辨率效應(yīng)的包括金屬氧化物膜和相變膜的超分辨率盤(pán)。對(duì)于 這種超分辨率盤(pán)來(lái)說(shuō)，當(dāng)光源的再現(xiàn)功率變?yōu)樘囟ǖ墓β仕交蚋髸r(shí)，相 變膜的激光光斑誘導(dǎo)局部高溫區(qū)熔化。超分辨率效應(yīng)被認(rèn)為是由于在相變膜 的熔化部分和未熔化部分的光學(xué)特性之間的差異而獲得的。通過(guò)使用超分辨 率效應(yīng)，可以從其大小小于通過(guò)物鏡聚焦到信息記錄介質(zhì)上的激光束的分辨率極限的記錄疇再現(xiàn)信息。圖1示出了在投射到傳統(tǒng)超分辨率信息記錄介質(zhì)上的再現(xiàn)光束的光斑中 超分辨率現(xiàn)象發(fā)生的區(qū)域。參照?qǐng)D1，沿著傳統(tǒng)超分辨信息記錄介質(zhì)的軌100來(lái)記錄其大小大于分 辨率極限的疇110。因?yàn)橛稍谛纬稍谒鼋橘|(zhì)的超分辨率層上的光斑120的 一部分中的光強(qiáng)的差異導(dǎo)致發(fā)生溫度分布的改變或光學(xué)性質(zhì)的改變，所以甚 至可以從小于分辨率極限的疇110再現(xiàn)數(shù)據(jù)。換句話說(shuō)，溫度分布的改變或 光學(xué)特性的改變被認(rèn)為是發(fā)生在光斑120的特定區(qū)域中的，同時(shí)這種改變不 發(fā)生在環(huán)繞所述特定區(qū)域的周邊區(qū)域140中。如圖1中所示，發(fā)生這種改變 的特定區(qū)域是光斑120的中心區(qū)域，或者可以為光斑120的背面區(qū)域。發(fā)生 這種改變的特定區(qū)域構(gòu)成了超分辨率區(qū)域130。在光斑之內(nèi)的發(fā)生的光學(xué)特 性改變的這種特殊區(qū)域與其它區(qū)域間的劃分可以為同心圓的或非同心圓。圖2是示出了與傳統(tǒng)技術(shù)一致的超分辨率光盤(pán)中的光束的載波噪聲比 (C/N)與再現(xiàn)功率的關(guān)系的曲線圖。例如，當(dāng)使用人為405nm并且NA為0.85 的光學(xué)系統(tǒng)時(shí)，再現(xiàn)分辨率極限(X/4NA)為大約119nm。圖2示出了在包括金 屬氧化物膜和相變膜的傳統(tǒng)超分辨率光盤(pán)上，當(dāng)從小于再現(xiàn)分辨率極限的 75nm的疇再現(xiàn)信息時(shí)的C/N與再現(xiàn)功率的關(guān)系。參照?qǐng)D2,在大約1.2mW 或更大的再現(xiàn)功率條件下，C/N為大約40dB。因此，信號(hào)在大約1.2mW或 更大的再現(xiàn)功率條件下被檢測(cè)到。在這種具有金屬氧化物膜和相變膜并具有超分辨率效應(yīng)的超分辨率盤(pán) 中，當(dāng)再現(xiàn)功率變?yōu)轭A(yù)定的功率水平或更高時(shí)，相變膜的激光光斑誘導(dǎo)局部 高溫區(qū)熔化。這時(shí)，由于相變膜的熔化部分和未熔化部分的光學(xué)特性之間的 差異從而獲得超分辨率效應(yīng)。相變膜的固態(tài)的部分的微觀結(jié)構(gòu)變得與相變膜 的熔化并凝固的部分的微觀結(jié)構(gòu)不同?？梢酝ㄟ^(guò)滿足作為信息記錄介質(zhì)的基本要求的記錄特性和再現(xiàn)特性來(lái)廣 泛地使用具有這種超分辨率結(jié)構(gòu)的光學(xué)記錄介質(zhì)。基本的記錄特性和再現(xiàn)特 性中的一個(gè)最重要特性是C/N。具體地講，因?yàn)榫哂谐直媛式鼒?chǎng)(near-field) 結(jié)構(gòu)的信息記錄介質(zhì)使用具有比在普通的信息記錄介質(zhì)中使用的功率高的功 率的記錄光束和再現(xiàn)光束，所以在具有超分辨率近場(chǎng)結(jié)構(gòu)的信息記錄介質(zhì)中 的C/N的改進(jìn)是重要的。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的各方面包括一種超分辨率信息記錄介質(zhì)， 一種記錄/再現(xiàn)設(shè)備和 /或一種記錄/再現(xiàn)方法，其中，提高了超分辨率信息記錄介質(zhì)的光學(xué)特性，從 而提供更優(yōu)良的記錄/再現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供了 一種具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)， 所述介質(zhì)包括由為從所述信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)而照射的光束形成在所述介 質(zhì)的至少一部分中的液體泡。所述介質(zhì)的部分可以包括由光束熔化的部分。所述信息記錄介質(zhì)可以包括由具有低熔點(diǎn)或低蒸發(fā)點(diǎn)的材料形成的至少 一層。具有低熔點(diǎn)或低蒸發(fā)點(diǎn)的材料可以包括Zn、 Te、 Bi和Sb中的至少一種。 具有低熔點(diǎn)或低蒸發(fā)點(diǎn)的材料可以為AglnSbTe。 所述信息記錄介質(zhì)還可以包括由金屬氧化物形成的層。 金屬氧化物可以為PtOx。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種記錄/再現(xiàn)設(shè)備，該設(shè)備用于將數(shù)據(jù) 記錄到具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)或從具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄 介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)，所述i殳備包括拾取單元，將具有預(yù)定功率的光束照射到信控制單元，控制拾取單元將具有預(yù)定功率的光束照射到信息記錄介質(zhì)上，并 處理由拾取單元檢測(cè)到的光學(xué)信號(hào)。控制單元還控制拾取器將具有足夠高的功率的光束照到信息記錄介質(zhì)上 以在信息記錄介質(zhì)中產(chǎn)生液體泡。根據(jù)本發(fā)明的另 一方面，提供了 一種將數(shù)據(jù)記錄到具有超分辨率效應(yīng)的 信息記錄介質(zhì)或從具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn) 方法，所述方法的步驟包括將具有預(yù)定功率的光束照射到信息記錄介質(zhì)上； 檢測(cè)從信息記錄介質(zhì)的通過(guò)所述光束產(chǎn)生液體泡的部分反射的光束；處理對(duì) 應(yīng)于檢測(cè)到的光束的光學(xué)信號(hào)。根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面，可以通過(guò)增強(qiáng)超分辨率信息記錄介質(zhì)的光學(xué)特 性來(lái)改進(jìn)記錄/再現(xiàn)，其中，通過(guò)蒸汽、氣體、液體或它們的任意組合的一個(gè) 或多個(gè)的液體泡(fluid bubble)來(lái)增強(qiáng)超分辨率信息記錄介質(zhì)光學(xué)特性。


圖1示出了在投射到超分辨率信息記錄介質(zhì)上的再現(xiàn)光束的光斑中超分辨率現(xiàn)象發(fā)生的區(qū)域；圖2是示出了根據(jù)傳統(tǒng)技術(shù)的超分辨率光盤(pán)中的載波噪聲比(C/N)與再 現(xiàn)功率的關(guān)系的曲線圖；圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的超分辨率信息記錄介質(zhì)；圖4示出了可以用于在與本發(fā)明的一方面一致的超分辨率信息記錄介質(zhì) 中形成液體泡的閾值功率的曲線圖；圖5示出了與本發(fā)明的一方面一致的在層的部分中形成液體泡的信息記 錄介質(zhì)的剖視圖；圖6A示出了當(dāng)才艮據(jù)本發(fā)明的一方面的超分辨率信息記錄介質(zhì)剛剛被制 造出來(lái)時(shí)，所述信息記錄介質(zhì)的層的狀態(tài)；圖6B示出了在被加熱之后圖6A的信息記錄介質(zhì)的層的狀態(tài)；圖7A至圖7C是用于說(shuō)明圖6A和圖6B的超分辨率信息記錄介質(zhì)中形 成液體泡的原理的示圖；圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的液體泡層的光學(xué)特性和超分辨率層 的熔化部分之間的差異的表；圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的記錄/再現(xiàn)設(shè)備。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在，將對(duì)本發(fā)明的各方面做出詳細(xì)的參考，在附圖中示出了本發(fā)明的 示例，其中，相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同的元件。為了說(shuō)明本發(fā)明，下面通過(guò) 參照附圖來(lái)描述本發(fā)明的各方面。圖3示出了才艮據(jù)本發(fā)明的一方面的超分辨率信息記錄介質(zhì)300。當(dāng)光束L 照射到超分辨率信息記錄介質(zhì)300上以從介質(zhì)300再現(xiàn)信號(hào)時(shí)，在介質(zhì)300 的至少一部分中產(chǎn)生液體泡(如圖6A至圖7C中所示)。因此，改進(jìn)了超分辨 率信息記錄介質(zhì)300的光學(xué)特性。在介質(zhì)300的形成液體泡的那部分中，可 以同時(shí)存在熔化的部分。因此，液體泡可以包含蒸汽、氣體、液體或它們的 任意組合。參照?qǐng)D3中的本發(fā)明的所述方面，超分辨率信息記錄介質(zhì)300包括基 底310，由聚碳酸酯形成；ZnS-Si02介電層320,形成在聚石炭酸酯基底310上；記錄層330，由金屬氧化物PtOx形成；ZnS-Si02介電層340;再現(xiàn)輔助層350， 由Ag-In-Sb-Te形成；ZnS-Si02介電層360;覆蓋層，在ZnS-Si02介電層360 上由樹(shù)脂通過(guò)旋涂形成。在本發(fā)明的非限制性的方面中，光束L為通過(guò)覆蓋 層照射到超分辨率信息記錄介質(zhì)300中的激光束L,從而執(zhí)行信息再現(xiàn)。在 本發(fā)明的非限制性的方面中，AglnSbTe的比例為大約6:4.4:61:28.6。在本發(fā)明的其它方面中，再現(xiàn)輔助層350不是必需由Ag-In-Sb-Te形成。 然而，優(yōu)選地，但非必需的，再現(xiàn)輔助層350由具有低熔點(diǎn)溫度或低蒸發(fā)點(diǎn) 溫度的材料形成。在本發(fā)明的非限制性的方面中，當(dāng)材料的熔點(diǎn)溫度低于記 錄溫度，或者當(dāng)材料的蒸發(fā)點(diǎn)溫度低于材料的熔點(diǎn)溫度的三倍時(shí)，可以在不 影響記錄的信息的情況下從介質(zhì)300正確地再現(xiàn)記錄的信息。在本發(fā)明的各 種方面中，具有低熔點(diǎn)溫度或低蒸發(fā)點(diǎn)溫度的材料可以包括Zn、 Te、 Bi、 Sb 或可以是它們的任意組合。在本發(fā)明的各方面中，再現(xiàn)輔助層350可以僅包括Ge或Ge和其它材料 的組合。另外，在本發(fā)明的各方面中，基底310可以為適合于用作超分辨率 信息記錄介質(zhì)的基底的任意材料?；?10也可以為聚曱基丙烯酸甲酯 (PMMA)、非晶聚烯烴(APO)、玻璃或它們的任意組合。另外，在本發(fā)明的各 方面中，介電層320、 340、 360中的任一層也可以為氧化物、氮化物、碳化 物、氟化物、硫化物或它們的任意組合。例如，它們可以為氧化硅(SiCg、氧 化鎂(MgOx)、氧化鋁(AlOx)、氧化鈦(TiOx)、氧化釩(VOx)、氧化鉻(CrOx)、氧 化鎳(NiOx)、氧化鋯(ZrOJ、氧化鍺(GeO》、氧化鋅(ZnOx)、氮化硅(SiNJ、氮 化鋁(A1NJ、氮化鈦(TiNx)、氮化鋯(ZrNx)、氮化鍺(GeNx)、碳化硅(SiC)、硫 化鋅(ZnS)、硫化鋅-二氧化硅化合物(ZnS-Si02)和氟化鎂(MgF2),或者它們的 任意組合。在本發(fā)明的各個(gè)方面中，記錄層330可以為任意適合的金屬氧化物或聚 合物復(fù)合(polymer compound)。例如，記錄層330也可以為氧化金(AuOx)、氧 化鈀(PdOx)、氧化銀(AgOx)或它們的任意組合。C32H18N8、 H2PC(酞菁)也可以 被用作記錄層330的聚合物復(fù)合。圖4示出可以用于在與本發(fā)明的一方面一致的超分辨率信息記錄介質(zhì) 300中形成液體泡的閾值功率的曲線圖。參照?qǐng)D4,可以用于形成圖5中所示 的超分辨率信息記錄介質(zhì)中的液體泡的閾值功率為1.5mW。因?yàn)閷?shí)際的再現(xiàn) 功率要比闊值功率高至少20%,所以在再現(xiàn)過(guò)程中形成液體泡是顯而易見(jiàn)的。圖5示出了與本發(fā)明的一致的在層的部分中形成液體泡的信息記錄介質(zhì) 的剖視圖。參照?qǐng)D5，示出的AglnSbTe層的一部分被液體泡占據(jù)。因?yàn)橐后w 泡處于氣態(tài)，所以與利用熔化現(xiàn)象(即，液態(tài))從超分辨率記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的 傳統(tǒng)的技術(shù)相比，圖5的信息記錄介質(zhì)具有優(yōu)良的光學(xué)特性。圖6A示出了當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的一方面的超分辨率信息記錄介質(zhì)剛剛被制 造出來(lái)時(shí)，所述信息記錄介質(zhì)的層的狀態(tài)。參照?qǐng)D6A，氬(Ar)氣被混入(entrap) 在兩層ZnS-Si02介電層(對(duì)應(yīng)于圖3的層340和3 60)之間的處于固態(tài)的再現(xiàn)輔 助層(對(duì)應(yīng)于圖3的層350)中。這是因?yàn)樵佻F(xiàn)輔助層是在Ar氣的環(huán)境氣體中 形成的。圖6B示出了在被光源加熱之后圖6A的信息記錄介質(zhì)的狀態(tài)。參照?qǐng)D 6B,當(dāng)用于信號(hào)再現(xiàn)的熱被施加到圖6A的信息記錄介質(zhì)時(shí)，固態(tài)的再現(xiàn)輔 助層熔化并變?yōu)橐后w。這時(shí)， 一些Ar氣分子逸出并部分地聚集以形成Ar氣 泡的核(necleus)。圖7A至圖7C是用于說(shuō)明圖6A和圖6B的超分辨率信息記錄介質(zhì)中形 成的一個(gè)或多個(gè)液體泡的原理的示圖。參照?qǐng)D7A，當(dāng)光束開(kāi)始加熱超分辨率 信息記錄介質(zhì)并達(dá)到足以導(dǎo)致超分辨率效應(yīng)的閾值功率時(shí)，介電層之間的固 態(tài)的再現(xiàn)輔助層熔化變成液體。在液體中產(chǎn)生蒸汽從而形成蒸汽泡。在本發(fā) 明的其它方面中，蒸汽也可以通過(guò)升華從固態(tài)的再現(xiàn)輔助層直接產(chǎn)生。在本 發(fā)明的非限制性的方面中，蒸汽泡可以主要為由液態(tài)物質(zhì)薄膜包圍的氣態(tài)物 質(zhì)。在本發(fā)明的各個(gè)方面，固態(tài)的再現(xiàn)輔助層為固相(第一相)的相變材料。當(dāng) 照射光束以從信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)信號(hào)時(shí)，固相的部分變?yōu)橐后w(第二相)和/或 氣體(第三相)。因此，形成至少兩個(gè)不同的相的穴(pocket)。參照?qǐng)D7B的本發(fā)明的所述方面，Te易于蒸發(fā)，因?yàn)樗恼舭l(fā)溫度為大 約980。C。 一旦由蒸發(fā)形成精細(xì)(fme)的Te蒸汽，則Te蒸汽趨向于生成蒸汽 泡。當(dāng)精細(xì)的Te蒸汽突然地生成蒸汽泡時(shí)，生成液體和蒸汽之間的界面。因 為蒸汽的導(dǎo)熱率非常低，所以出現(xiàn)液體和蒸汽之間的界面的溫度增加到非常 高的水平的過(guò)熱現(xiàn)象，從而由于液體的蒸發(fā)導(dǎo)致更多蒸汽的產(chǎn)生。 一旦產(chǎn)生 更多的蒸汽，則生成多個(gè)蒸汽泡。參照?qǐng)D7C，混入再現(xiàn)輔助層中的氣體可以為用于該層的形成的Ar氣。 Ar氣泡的生長(zhǎng)過(guò)程與圖7B中示出的相同。在本發(fā)明的各個(gè)方面中，蒸汽泡 的形成和生長(zhǎng)以及氣體泡的生成會(huì)同時(shí)發(fā)生，并且蒸汽泡和氣體泡會(huì)聚合(coalesce)成包括混合的蒸汽和氣體的液體泡。因此，在本發(fā)明的非限制性的 方面中，液體泡為T(mén)e蒸汽、Ar氣體或Te蒸汽和Ar氣體的混合物。在本發(fā) 明的其它方面中，泡的蒸汽組分將對(duì)應(yīng)于再現(xiàn)輔助層的基本成分，泡的氣體 組分將對(duì)應(yīng)于在再現(xiàn)輔助層的形成中使用的氣體。在本發(fā)明的非限制性的方 面中，液體泡可以主要為由液態(tài)物質(zhì)的薄膜包圍的氣態(tài)物質(zhì)。圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的超分辨率層的液體泡部分的光學(xué)特之間的差異的表。參照?qǐng)D8，與傳統(tǒng)超分辨率層的情況相同，基于由熔化形 成用于再現(xiàn)的有效光束光斑的方法，超分辨率層表現(xiàn)出從超分辨率層的固態(tài) 部分和液態(tài)部分的光學(xué)特性中的差異產(chǎn)生的超分辨率效應(yīng)。然而，圖8的表中還示出，在本發(fā)明的一方面中，由液體泡(蒸汽、氣體 和/或液體)或液體泡和熔化部分(液態(tài))的混合物形成用于再現(xiàn)的有效光束光 斑。因此，從固體和液體泡、或固體和泡與液體的混合物的光學(xué)特性的差異 產(chǎn)生的超分辨率效應(yīng)大于從固體和液體的光學(xué)效應(yīng)中的差異產(chǎn)生的超分辨率 效應(yīng)。因此，獲得更好的光學(xué)信號(hào)。參照?qǐng)D8，極大地改變了根據(jù)本發(fā)明的 超分辨率層的液體泡部分的光學(xué)性質(zhì)，即，實(shí)現(xiàn)了為1的折射率(n)和為0的 消光(extinction)系凄史(k)。圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的一方面的記錄/再現(xiàn)設(shè)備900。參照?qǐng)D9，記錄/ 再現(xiàn)設(shè)備900包括拾取單元910，將激光束照射到超分辨率信息記錄介質(zhì) 300上，并檢測(cè)從超分辨率信息記錄介質(zhì)300反射的激光束；控制單元920， 控制拾取單元910。具體地講，控制單元920控制拾取單元910將具有足夠 高的功率的光束照射到超分辨率信息記錄介質(zhì)300上，以在超分辨率信息記 錄介質(zhì)300中形成液體泡。拾取單元910包括光源911;光束分束器912，改變傳播激光束的路徑； 物鏡913，將對(duì)朝向超分辨率信息記錄介質(zhì)300傳播的激光束進(jìn)行聚焦；光 電檢測(cè)器914。光源911發(fā)射具有預(yù)定功率的激光束。光電檢測(cè)器914接收 從超分辨率信息記錄介質(zhì)300反射的激光束，并將所述激光束傳輸?shù)娇刂茊?元920?？刂茊卧?20基于由光電檢測(cè)器914檢測(cè)到的光學(xué)信號(hào)來(lái)執(zhí)行聚焦控制 和尋軌(tracking)控制?？刂茊卧?20包括前置放大器921 、伺服控制器922、 信號(hào)處理器923和系統(tǒng)控制器924。前置放大器921根據(jù)由光電檢測(cè)器914檢測(cè)到的光學(xué)信號(hào)來(lái)產(chǎn)生聚焦信 號(hào)和尋軌信號(hào)，并將聚焦信號(hào)和尋軌信號(hào)提供到伺服控制器922。前置放大 器921將用戶數(shù)據(jù)提供到信號(hào)處理器923。伺服控制器922使用來(lái)自前置放大器921的聚焦信號(hào)和尋軌信號(hào)來(lái)執(zhí)行 拾取單元910的伺服控制。具體地講，伺服控制器922包括用于控制根據(jù)本 發(fā)明的光源911的功率的功率控制器925。優(yōu)選地，功率控制器925控制光 源911以將具有足夠高的功率的激光束照射到超分辨率信息記錄介質(zhì)300上， 從而在其中形成液體泡。信號(hào)處理器923接收來(lái)自前置放大器921的數(shù)據(jù)，處理所述數(shù)據(jù)，并將 處理的結(jié)果提供到記錄/再現(xiàn)設(shè)備900的外部或?qū)⑻幚淼慕Y(jié)果提供到系統(tǒng)控制 器924。系統(tǒng)控制器924控制記錄/再現(xiàn)設(shè)備900的各個(gè)組件。雖然以記錄/再現(xiàn)設(shè)備的形式進(jìn)行了描述，但是理解到的是，本發(fā)明的各 方面包括記錄、再現(xiàn)或它們的任意組合的設(shè)備，換句話i兌，本發(fā)明的方面包 括記錄和/或再現(xiàn)設(shè)備。雖然已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明的 一些方面，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理 解的是，在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下，可以在本發(fā)明的方面中做 出改變，其中，本發(fā)明的范圍被限定在權(quán)利要求及其等同物中。
權(quán)利要求
1、一種具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)，所述信息記錄介質(zhì)包括通過(guò)為從所述信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)信號(hào)而照射的光束在所述信息記錄介質(zhì)的至少一部分中形成的液體泡。
2、 如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述信息記錄介質(zhì)的所述 部分包括;陂所述光束熔化的部分。
3、 如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，包括由具有低熔點(diǎn)或低蒸發(fā)點(diǎn)的 材料形成的至少一層。
4、 如權(quán)利要求3所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述具有低熔點(diǎn)或低蒸發(fā) 點(diǎn)的材^F包括Zn、 Te、 Bi和Sb中的至少一種。
5、 如權(quán)利要求3所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述具有低熔點(diǎn)或低蒸發(fā) 點(diǎn)的材料為AglnSbTe。
6、 如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，還包括由金屬氧化物形成的層。
7、 如權(quán)利要求6所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述金屬氧化物為PtOx。
8、 一種記錄/再現(xiàn)設(shè)備，用于將數(shù)據(jù)記錄到具有超分辨率效應(yīng)的信息記 錄介質(zhì)或從具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)，所述設(shè)備包括拾取單元，將具有預(yù)定功率的光束照射到所述信息記錄介質(zhì)上，并檢測(cè) 從通過(guò)所述光束產(chǎn)生液體泡的信息記錄介質(zhì)的預(yù)定部分反射的光束；控制單元，控制所述拾取單元將所述具有預(yù)定功率的光束照射到所述信 息記錄介質(zhì)上，并處理由所述拾取單元檢測(cè)到的光學(xué)信號(hào)。
9、 如權(quán)利要求8所述的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述控制單元還控制所 述拾取器將具有足夠高的功率的光束照到所述信息記錄介質(zhì)上以在信息記錄 介質(zhì)中產(chǎn)生液體泡。
10、 如權(quán)利要求8所述的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述拾取單元應(yīng)用所述 信息記錄介質(zhì)的所述預(yù)定部分來(lái)檢測(cè)光束，在所述預(yù)定部分中，由發(fā)射的光 束產(chǎn)生的熔化的部分和液體泡共存。
11、 如權(quán)利要求8所述的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述拾取單元檢測(cè)應(yīng)用 由具有低熔點(diǎn)或低蒸發(fā)點(diǎn)的材料形成并包括在所述信息記錄介質(zhì)中的層來(lái)檢 測(cè)光束。
12、 如權(quán)利要求11所述的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述具有低熔點(diǎn)或低蒸發(fā)點(diǎn)的材料包4舌Zn、 Te、 Bi和Sb中的至少一種。
13、 如權(quán)利要求11所述的記錄/再現(xiàn)設(shè)備，其中，所述拾取單元還通過(guò) 應(yīng)用由具有金屬氧化物的材料形成并被包括在所述信息記錄介質(zhì)中的層來(lái)檢 測(cè)光束。
14、 一種將lt據(jù)記錄到具有超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)或從具有超分 辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的記錄/再現(xiàn)方法，所述方法的步驟包括將具有預(yù)定功率的光束照射到所述信息記錄介質(zhì)上； 檢測(cè)從通過(guò)所述光束產(chǎn)生液體泡的所述信息記錄介質(zhì)的 一部分反射的光束；處理對(duì)應(yīng)于檢測(cè)到的光束的光學(xué)信號(hào)。
15、 如權(quán)利要求14所述的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在所述光束的照射的 步驟中，具有足夠高功率的光束被照射到所述信息記錄介質(zhì)上以在所述信息 記錄介質(zhì)中產(chǎn)生液體泡。
16、 如權(quán)利要求14所述的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在所述光束的檢測(cè)步 驟中，應(yīng)用所述信息記錄介質(zhì)的一部分來(lái)檢測(cè)光束，在所述信息記錄介質(zhì)的 這部分中，由發(fā)射的光束產(chǎn)生的熔化的部分和液體泡共存。
17、 如權(quán)利要求14所述的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在所述光束的檢測(cè)步 驟中，應(yīng)用由具有低熔點(diǎn)或低蒸發(fā)點(diǎn)的材料形成并被包括在所述信息記錄介 質(zhì)中的層來(lái)檢測(cè)光束。
18、 如權(quán)利要求17所述的記錄/再現(xiàn)方法，其中，所述具有低熔點(diǎn)或低 蒸發(fā)點(diǎn)的材料包括Zn、 Te、 Bi和Sb中的至少一種。
19、 如權(quán)利要求17所述的記錄/再現(xiàn)方法，其中，在所述光束的檢測(cè)步 驟中，還通過(guò)應(yīng)用由具有金屬氧化物的材料形成并被包括在所述信息記錄介 質(zhì)中的層來(lái)^f企測(cè)光束。
20、 如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述液體泡包含蒸汽、 氣體和液體中的至少 一種。
21、 如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述AglnSbTe的比例 為大約6:4.4:61:28.6。
22、 如權(quán)利要求20所述信息記錄介質(zhì)，其中，所述蒸汽為T(mén)e蒸汽，所 述氣體為Ar氣體。
23、 如權(quán)利要求1所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述液體泡為包括蒸汽和氣體中的至少一種的液體薄層。
24、 一種具有超分辨率的信息記錄介質(zhì)，所述信息記錄介質(zhì)包括 一對(duì)介電層；第一相的相變材料，置于所述一對(duì)介電層之間，其中，第二相和第三相 的至少一個(gè)的穴通過(guò)為從所述信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)而照射的光束形成在所 述相變材料的至少一部分中。
25、 如權(quán)利要求24所述的信息記錄介質(zhì)，其中，所述第一相為固相，所 述第二相為液相，所述第三相為氣相。
26、 如權(quán)利要求24所述的信息存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，所述相變材料包括Zn、 Te、 Bi和Sb中的至少一個(gè)。
27、 如權(quán)利要求24所述的信息存儲(chǔ)介質(zhì)，其中，所述相變材料為 AglnSbTe。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種超分辨率信息記錄介質(zhì)，一種記錄/再現(xiàn)設(shè)備和一種使用提供了由液體泡引起的超分辨率效應(yīng)的信息記錄介質(zhì)的記錄/再現(xiàn)方法。液體泡通過(guò)為從所述信息記錄介質(zhì)再現(xiàn)數(shù)據(jù)而照射的光束形成在所述介質(zhì)的至少一部分中。因此，所述超分辨率信息記錄介質(zhì)具有改善了的光學(xué)特性，使得記錄/再現(xiàn)可以更加優(yōu)良。
文檔編號(hào)G11B7/24GK101238514SQ200680028911
公開(kāi)日2008年8月6日 申請(qǐng)日期2006年8月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月8日
發(fā)明者中野隆志, 富永淳二, 小林龍弘, 島隆之, 福澤成敏, 菊川隆, 金朱鎬, 黃仁吾 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社;獨(dú)立行政法人產(chǎn)業(yè)技術(shù)總合研究所