專利名稱：磁盤系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種提高磁盤系統(tǒng)中的伺服時標(STM)的識別能力的技術(shù)，而且涉及一種不用增加STM的位長就能夠提高識別能力的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在使用數(shù)據(jù)表面伺服系統(tǒng)(有時稱為扇區(qū)伺服系統(tǒng)或嵌入伺服系統(tǒng))的磁盤系統(tǒng)中，在圓周方向上交替排列伺服扇區(qū)和數(shù)據(jù)扇區(qū)。當訪問數(shù)據(jù)扇區(qū)時，就根據(jù)從伺服扇區(qū)中再生的信號來控制磁頭的位置。雖然對于在數(shù)據(jù)表面伺服系統(tǒng)中的磁盤系統(tǒng)中的磁頭的位置控制，伺服扇區(qū)是必須的，但由于對于記錄用戶數(shù)據(jù)，它是一個可用區(qū)域，所以就希望具有極小的(面積。
在伺服扇區(qū)中，寫入一個用于識別伺服扇區(qū)的位置的模式(pattern)，其公知為伺服時標(STM)或伺服地標(SAM)。當系統(tǒng)不能識別STM時，該系統(tǒng)就處于伺服解鎖狀態(tài)，其中它不能執(zhí)行伺服控制。首先，當系統(tǒng)處于解鎖狀態(tài)時，系統(tǒng)就連續(xù)開啟檢索窗口以便操作伺服控制電路，直到它能夠檢測到STM。即使連續(xù)開啟檢索窗口，對于STM選擇單一模式，以致能夠從磁盤中記錄的所有數(shù)據(jù)模式中分辨出STM，因此系統(tǒng)就能夠從再生的除了STM和用戶數(shù)據(jù)之外的伺服數(shù)據(jù)中可辨別地識別STM，并返回到伺服鎖定狀態(tài)。
考慮到這種方法，專利文獻1公開了一種技術(shù)地址標記(AM)的檢測電路在啟動時連續(xù)檢測AM模式，一旦電路檢測到AM，它就確定AM的檢測范圍并只檢測在此范圍之內(nèi)的AM，從而防止錯誤檢測。此文獻進一步公開了當在AM的檢測范圍之內(nèi)沒有檢測到AM模式時，電路就處于連續(xù)檢測AM的模式。專利文獻2公開了一種技術(shù)即使產(chǎn)生伺服系統(tǒng)(servo)的地址數(shù)據(jù)的檢測錯誤，AGC操作通過在隨后扇區(qū)中的伺服信息的引導執(zhí)行，同時通過計數(shù)器記錄時鐘。專利文獻3公開了一種技術(shù)臨時擴展檢索窗口以便防止伺服信息的檢測錯誤的發(fā)生。
專利文獻1JP-A-2000-311447專利文獻2JP-A-8-31123專利文獻1JP-A-2002-150728發(fā)明內(nèi)容在伺服控制技術(shù)領(lǐng)域中，為了減少由在磁盤的記錄表面中伺服扇區(qū)所占用的面積，之前做了努力來提高伺服數(shù)據(jù)的頻率或降低伺服數(shù)據(jù)的位數(shù)。當通過提高伺服數(shù)據(jù)的頻率使伺服數(shù)據(jù)的取樣頻率達到用戶數(shù)據(jù)的頻率時，當系統(tǒng)處于伺服解鎖狀態(tài)中的連續(xù)檢測STM的模式下，就會發(fā)生將用戶數(shù)據(jù)或伺服數(shù)據(jù)而不是STM錯誤識別為STM的情況。當作為降低伺服數(shù)據(jù)的位數(shù)的結(jié)果而降低作為模式的STM的辨別能力時，也會發(fā)生相同的問題。
采用檢測到的STM作為表示每個伺服扇區(qū)的參考位置的信息。由于系統(tǒng)執(zhí)行伺服控制，同時識別跟隨STM的所檢測的位串作為伺服數(shù)據(jù)的地址信息或位置信息，除非系統(tǒng)在精確位置處檢測到STM，否則它就不能夠執(zhí)行伺服控制。因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種可降低錯誤識別STM之外的其它數(shù)據(jù)的錯誤檢測的可能性的磁盤系統(tǒng)。本發(fā)明的另一個目的在于，提供一種其中甚至提高伺服扇區(qū)的頻率時也能夠減少STM的錯誤檢測的可能性而不用增加伺服扇區(qū)面積的磁盤系統(tǒng)。本發(fā)明的另一個目的在于，提供一種其中甚至降低伺服扇區(qū)的位數(shù)時也能夠降低STM的錯誤檢測的可能性的磁盤系統(tǒng)。本發(fā)明的另一個目的在于，提供一種在這種磁盤系統(tǒng)中的伺服數(shù)據(jù)的再現(xiàn)方法。
在本發(fā)明的第一方面，AGC/PLL模式的部分構(gòu)成STM。因此，由于STM隨著位長的增加就會變成更加單一的模式，所以就減少了識別STM之外的數(shù)據(jù)的錯誤檢測的可能性。另一方面，由于隨著位長的增加就會減少磁盤的存儲區(qū)域，因此位長受到限制。由于AGC/PLL模式對應于用于將磁盤系統(tǒng)的模式從用戶數(shù)據(jù)的記錄操作改變到伺服數(shù)據(jù)的再現(xiàn)操作所需的時間，導引部分設置做為冗余位。采用STM作為用于識別伺服扇區(qū)的位置的參考信號。當不能識別STM時，就不執(zhí)行用戶數(shù)據(jù)的記錄操作或再現(xiàn)操作。那時，由于在再現(xiàn)模式下連續(xù)操作磁盤系統(tǒng)以便識別STM，所以就不需要用于在記錄操作和再現(xiàn)操作之間進行切換的時間，此外，冗余位可以用于AGC的增益調(diào)整或伺服時鐘的相位同步調(diào)整。
當在不必需冗余位的情況下采用來自于引導的AGC/PLL模式時，就在AGC/PLL模式的尾側(cè)形成冗余位。在本發(fā)明中，采用AGC/PLL模式的尾側(cè)處的冗余位作為偽STM，在連續(xù)再現(xiàn)操作模式下形成冗余位用于識別STM。當與偽STM相比較假設原始STM稱為本征STM時，如果使用由偽STM和本征STM構(gòu)成的長STM代替STM，那么就不用增加本征STM的位長或損害AGC/PLL模式的功能，就能夠提高除了本征STM之外的數(shù)據(jù)的識別能力。當由連續(xù)模式構(gòu)成偽STM和本征STM時，STM檢測電路就能夠容易地從連續(xù)輸入的位串中識別出長STM或本征STM。
在檢測長STM和檢測本征STM的兩種狀態(tài)下都會產(chǎn)生STM檢測信號。一旦產(chǎn)生STM檢測信號，就對隨后的伺服扇區(qū)設置扇區(qū)檢測窗口，這樣再生伺服數(shù)據(jù)；并且一旦檢測到STM，系統(tǒng)就會處于其中該系統(tǒng)能夠記錄用戶數(shù)據(jù)或再生用戶數(shù)據(jù)的伺服鎖定狀態(tài)。扇區(qū)檢測窗口限定其中磁盤系統(tǒng)再生伺服扇區(qū)的周期。在一個周期內(nèi)，在扇區(qū)檢測窗口關(guān)閉的同時不會處理伺服數(shù)據(jù)。
在伺服鎖定狀態(tài)下，由于只識別本征STM，所以就能夠?qū)蜸TM用作AGC/PLL模式。因此，由于使AGC/PLL模式的引導側(cè)處的冗余位工作，所以就不會阻礙用戶數(shù)據(jù)的記錄。當不能識別本征STM時，由于系統(tǒng)不能夠指定伺服扇區(qū)的位置，所以扇區(qū)檢測窗口就會保持已開啟狀態(tài)。那時，對伺服數(shù)據(jù)的處理電路輸入通過再生伺服數(shù)據(jù)和用戶數(shù)據(jù)形成的所有位串。在本發(fā)明中，由于系統(tǒng)識別此狀態(tài)下的長STM，所以，就能夠減少錯誤檢測的可能性。
由于與本征STM的識別能力相比較，長STM的識別能力高，所以通過從伺服扇區(qū)的地址信息中去除冗余位就能夠減少伺服數(shù)據(jù)的區(qū)域。由于在磁盤上加載磁頭之后，不能立即指定伺服扇區(qū)的位置，扇區(qū)檢測窗口就保持為開啟狀態(tài)。在伺服鎖定狀態(tài)下，設置扇區(qū)檢測窗口，此外，設置STM檢測窗口。因此，即使設計待識別的具有短位長的本征STM的情況下，也能防止其它數(shù)據(jù)的錯誤檢測。
本發(fā)明的第二方面提供一種當在設置扇區(qū)檢測窗口且系統(tǒng)處于伺服鎖定狀態(tài)之后不能識別STM時的伺服數(shù)據(jù)的再生方法，其中的扇區(qū)檢測窗口定義其中再生伺服扇區(qū)的周期。當在伺服鎖定狀態(tài)下不能識別STM時，就會產(chǎn)生STM長信號且系統(tǒng)就處于伺服解鎖狀態(tài)。在本發(fā)明中，雖然當不能識別STM時扇區(qū)檢測窗口已經(jīng)保持為開啟狀態(tài)，但扇區(qū)檢測窗口會響應于STM長信號被關(guān)閉。
開啟扇區(qū)檢測窗口，同時測量從響應于STM長信號而關(guān)閉扇區(qū)檢測窗口到下次開啟扇區(qū)檢測窗口的時間。當開啟扇區(qū)檢測窗口時，響應于其設置STM檢測窗口。由于在伺服解鎖狀態(tài)下的扇區(qū)檢測窗口在產(chǎn)生計時方面不同于來自于伺服鎖定狀態(tài)下的扇區(qū)檢測窗口，上述操作就稱為扇區(qū)檢測窗口的臨時設置。臨時設置扇區(qū)檢測窗口，由此STM檢測電路就能夠防止被輸入除STM之外的用戶數(shù)據(jù)或伺服數(shù)據(jù)的位串，因此，就消除了STM的錯誤識別。
發(fā)明優(yōu)點根據(jù)本發(fā)明，將能夠提供一種磁盤系統(tǒng)，其中能夠減少錯誤檢測除STM之外的數(shù)據(jù)的錯誤檢測的可能性。而且，根據(jù)本發(fā)明，將能夠提供一種磁盤系統(tǒng)，其中即使增加伺服數(shù)據(jù)的頻率也不用增大伺服數(shù)據(jù)的區(qū)域就能夠減少STM的錯誤檢測的可能性。而且，根據(jù)本發(fā)明，將能夠提供一種磁盤系統(tǒng)，其中即使減少伺服扇區(qū)的位數(shù)也能夠減少STM的錯誤檢測的可能性。進一步地，根據(jù)本發(fā)明，將能夠提供在這種磁盤系統(tǒng)中的伺服數(shù)據(jù)的再生方法。


圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明的實施例的磁盤的格式結(jié)構(gòu)的圖；圖2是示出磁盤系統(tǒng)100的結(jié)構(gòu)的示意性方框圖；圖3是示出伺服控制電路的結(jié)構(gòu)的示意性方框圖；圖4是示出伺服數(shù)據(jù)的再生方法的步驟的流程圖；圖5是當根據(jù)圖4的步驟再生伺服數(shù)據(jù)時的時序圖；圖6是示出伺服數(shù)據(jù)的再生方法的另一個步驟的流程圖；以及圖7是當根據(jù)圖6的步驟再生伺服數(shù)據(jù)時的時序圖。
附圖標記說明33本征STM51、53、55位模式57偽STM 59冗余位具體實施方式
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的磁盤系統(tǒng)中使用的磁盤10的格式結(jié)構(gòu)的示意圖。磁盤10是用于使用數(shù)據(jù)表面伺服系統(tǒng)的磁盤系統(tǒng)的格式結(jié)構(gòu)。如圖1(A)中所示，在磁盤10中寫入在半徑方向上徑向延伸的多個伺服扇區(qū)11。雖然在附圖中進行了簡化，實際上伺服扇區(qū)11的數(shù)量為大約250～300。在各個伺服扇區(qū)11之間設置數(shù)據(jù)區(qū)13，并且在每個數(shù)據(jù)區(qū)13中定義出多個數(shù)據(jù)扇區(qū)。
在更加外圍的圓周側(cè)通過磁頭的磁盤表面的速度變得更高。為了提高存儲容量，在外圓周側(cè)和內(nèi)圓周側(cè)之間最大限度地進行每單位長度的記錄位數(shù)。結(jié)果，磁盤10就在半徑方向上被劃分為四個區(qū)段14～17。雖然在每個區(qū)段中將相同數(shù)量的數(shù)據(jù)扇區(qū)寫入到數(shù)據(jù)區(qū)13中，但包含于數(shù)據(jù)區(qū)13中的數(shù)據(jù)扇區(qū)數(shù)量隨著在更加外圍的圓周側(cè)處的區(qū)域而增加，由此就會增加記錄電流或?qū)憰r鐘的頻率。
將伺服數(shù)據(jù)寫入伺服扇區(qū)，伺服數(shù)據(jù)的再生信號限定多個同心數(shù)據(jù)磁軌和在各個數(shù)據(jù)磁軌上的數(shù)據(jù)扇區(qū)。按照恒定頻率將各個伺服數(shù)據(jù)從內(nèi)圓周側(cè)寫入到外圓周側(cè)，而不會受到區(qū)段14～17的影響。
圖1(B)示出了每個伺服扇區(qū)的格式結(jié)構(gòu)，并且位模式51、53、55示出了當再生且數(shù)字化伺服數(shù)據(jù)時的位結(jié)構(gòu)。每個伺服扇區(qū)11由AGC/PLL模式31、本征伺服時標(本征STM)33、地址信息35和突發(fā)傳輸模式37構(gòu)成，并通過磁頭按照從AGC/PLL模式31到突發(fā)傳輸模式37進行讀出。在本實施例中，可以格式化磁盤10，這樣伺服數(shù)據(jù)對應于三個位模式51、53和55中的一個。
本征STM 33是按照位模式51和55的16-位STM，但是它是按照位模式53的10-位STM。地址信息35具有分別在位模式51和53中包括冗余位的相同位數(shù)，然而，相較于模式51和53其在位模式55中通過去除冗余位得到縮短。在三個位模式51、53和55中，將除了本征STM 33和地址信息35的伺服數(shù)據(jù)設計為相同。
AGC/PLL模式31用于調(diào)整形成讀/寫信道的自動增益控制器(AGC)的增益，并執(zhí)行用于讀出隨后伺服數(shù)據(jù)的伺服時鐘的相位同步調(diào)整。在AGC/PLL模式31中，將數(shù)字化的再生信號寫入在1序列(1對應于產(chǎn)生模擬再生信號的狀態(tài)，在下文中將其假設為相同狀態(tài))的模式中的伺服扇區(qū)中。采用AGC/PLL模式31的尾部作為4-位偽STM57。與偽STM 57相比較，本征STM 33是所選擇的用于清楚描述本發(fā)明的術(shù)語(term)。
如此后所述，本征STM 33是在伺服鎖定狀態(tài)下識別的位模式。在AGC/PLL模式31的引導側(cè)限定出4位的冗余位59。設置冗余位59，為了確保用于將系統(tǒng)例如讀/寫信道或磁頭放大器的操作模式從用戶數(shù)據(jù)的記錄操作改變?yōu)樗欧?shù)據(jù)的再生操作所需的時間。在記錄操作期間，對于AGC的增益調(diào)整或伺服時鐘的相位同步調(diào)整，不讀取模式。在本實施例中，偽STM 57的位數(shù)設置為對應于冗余位59的位數(shù)。
有時，將本征STM 33稱為伺服地址標記(SAM)或伺服標記(SM)，并且它的再生信號指示伺服扇區(qū)的位置。采用本征STM 33的再生信號作為用于處理伺服數(shù)據(jù)、設置扇區(qū)檢測窗口或產(chǎn)生讀柵極信號(RG信號)或?qū)憱艠O信號(WG信號)的參考信號。在本實施例中，偽STM 57包含1111的4位，并且具有除了AGC/PLL模式31的一部分的功能之外的補充本征STM 33的功能。
本征STM 33是16-位模式，其中再生信號的數(shù)字值是位模式51和55中的1111000001000001，并且在位模式53中是通過去除了低位的6位(000001)構(gòu)成的10-位結(jié)構(gòu)。雖然將本征STM 33選擇為單一模式，其沒有出現(xiàn)在位模式51和53兩個位模式中的其它伺服數(shù)據(jù)或用戶數(shù)據(jù)中，當本征STM 33在位數(shù)中更大可能減少時，就會錯誤識別其它伺服數(shù)據(jù)的位串或用戶數(shù)據(jù)的位串。在本實施例中，組合4-位偽STM 57和16-位本征STM 33得到的20-位位串稱為長STM。
地址信息35由表示伺服扇區(qū)的圓周方向上的位置的伺服扇區(qū)數(shù)和利用灰度碼寫入以表示伺服磁道的半徑方向上的位置的柱面數(shù)構(gòu)成，且用于指定伺服扇區(qū)或數(shù)據(jù)扇區(qū)的位置。伺服扇區(qū)數(shù)展示在圓周方向上的伺服扇區(qū)的絕對值，并且使用該伺服扇區(qū)數(shù)可作為參考來規(guī)定隨后數(shù)據(jù)扇區(qū)的位置。柱面數(shù)由用于指定磁盤中的所有磁道柱面所需的18-位柱面位和其上添加的冗余位構(gòu)成。冗余位是對磁道柱面位上添加的1的模式，以在磁道柱面數(shù)和本征STM 33之間按照在磁道柱面位中不出現(xiàn)連續(xù)五個0的方式進行辨別的一個模式。
突然傳輸模式由設置為使得再生信號的相位在半徑方向上不同的四個模式A、B、C和D構(gòu)成，并且用于校正磁頭在半徑方向上對于目標位置的位移，用于對于磁道的之后操作。從通過再生四個突然傳輸模式產(chǎn)生的模擬信號的幅度計算出位置誤差信號(PES)。當模擬再生信號用作突然傳輸模式時，并且當數(shù)字化該模擬再生信號時，該模式就變?yōu)?。通過按照STM檢測模式再生A、B、C和D的突然傳輸模式得到的數(shù)字值可以表示與通過根據(jù)再生磁頭的位置組合1和0的本征STM 33相同的位模式。
(磁盤系統(tǒng)的結(jié)構(gòu))圖2是示出根據(jù)本發(fā)明的實施例的磁盤系統(tǒng)100的結(jié)構(gòu)的示意性方框圖。磁頭放大器101連接到在磁頭/滑動塊上形成的磁頭，且加入用于通過放大對應于寫時鐘的記錄電流來記錄數(shù)據(jù)的寫入驅(qū)動器、用于放大用戶數(shù)據(jù)和伺服數(shù)據(jù)的再生信號的讀取放大器和磁頭選擇電路。當硬盤控制器(HDC)125承認WG信號時，驅(qū)動電流就被提供給由磁頭放大器101選擇的記錄磁頭。當HDC 125承認RG信號或否認WG信號時，就會再生在所選擇的再生磁頭之下通過的伺服扇區(qū)或數(shù)據(jù)扇區(qū)中的磁記錄信息。
串并聯(lián)轉(zhuǎn)換電路107將從HDC 125以字節(jié)方式傳送的并行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為位方式下的串行數(shù)據(jù)。調(diào)制電路105將從HDC 125中傳送的記錄數(shù)據(jù)的位串以RLL方法轉(zhuǎn)化為記錄碼。記錄補償電路103調(diào)整流動記錄電流以便補償此后就要記錄的數(shù)據(jù)的磁轉(zhuǎn)變點因在磁盤上記錄的數(shù)據(jù)的去磁場而產(chǎn)生的變化。串并聯(lián)轉(zhuǎn)換電路107、調(diào)制電路105和記錄補償電路103構(gòu)成寫入信道。
模擬信號處理電路109是一個用于處理從磁頭放大器101接收的再生信號的電路，并由AGC、波長均衡電路(均衡器)等構(gòu)成。模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換電路(A/D轉(zhuǎn)換電路)111通過讀取時鐘取樣從模擬信號處理電路109中接收的用戶數(shù)據(jù)的模擬再生信號，并將該信號轉(zhuǎn)換為數(shù)字信號。從未示出的用于再生的PLL電路提供讀出時鐘。
而且，A/D轉(zhuǎn)換電路111通過從伺服控制電路119提供的伺服時鐘，取樣從模擬信號處理電路109接收的伺服數(shù)據(jù)的模擬再生信號。解調(diào)電路113將從A/D轉(zhuǎn)換電路111接收的RLL碼轉(zhuǎn)換為用戶數(shù)據(jù)。串并聯(lián)轉(zhuǎn)換電路115將位方式下的串行數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為字節(jié)方式下的并行數(shù)據(jù)，并將該數(shù)據(jù)輸出給HDC 125。模擬信號處理電路109、A/D轉(zhuǎn)換電路111、解調(diào)電路113和串并聯(lián)轉(zhuǎn)換電路115構(gòu)成讀出信道。寫入信道和讀出信道統(tǒng)稱為讀/寫信道。
HDC 125包括接口電路131、控制信號產(chǎn)生電路129、ECC處理電路127、緩沖器控制電路133和時間測量電路135。接口電路131作為轉(zhuǎn)換關(guān)于主設備、MPU 121和讀/寫信道的指令或數(shù)據(jù)。當控制信號產(chǎn)生電路129從伺服控制電路119接收啟動信號時，其根據(jù)來自于主設備的寫指令或讀指令產(chǎn)生RG信號或WG信號，然后將該信號傳送到讀/寫信道。緩沖器控制電路133控制緩沖存儲器127。
時間測量電路135由可編程脈沖計數(shù)器構(gòu)成，當電路135從伺服控制電路119接收啟動信號時，它測量用于獲得打開扇區(qū)檢測窗口的計時的時間T1，其限定其中再生隨后伺服扇區(qū)的一個期間(period)。當時間測量電路135從伺服控制電路119接收STM丟失信號時，其測量用于獲得打開扇區(qū)檢測窗口的計時的時間T2。當時間測量電路135測量了時間T1或時間T2時，其發(fā)送窗口打開信號給伺服控制電路119。如之后描述的，當時間測量電路135測量時間T1時，系統(tǒng)處于伺服鎖定狀態(tài)，其中設置扇區(qū)檢測窗口；而當其測量時間T2時，系統(tǒng)處于伺服解鎖狀態(tài)，其中扇區(qū)檢測窗口被臨時設置。當在主設備和磁盤系統(tǒng)之間轉(zhuǎn)移數(shù)據(jù)時，緩沖儲存器127臨時存儲數(shù)據(jù)。MPU 121接收來自于HDC 125的指令，并控制整個磁盤系統(tǒng)的操作。當MPU 121接收來自于伺服控制電路119的伺服中斷信號時，它就啟動伺服處理?；趶乃欧刂齐娐?19傳送的地址信息和從位置信號產(chǎn)生電路117傳送的位置信號，執(zhí)行伺服處理。MPU 121將用于控制磁頭位置的信號輸出到用于查找操作或磁軌跟蹤操作(track following operation)的驅(qū)動器電路123。驅(qū)動器電路123包括用于移動磁頭的音圈電機和用于驅(qū)動用于旋轉(zhuǎn)磁頭的主軸電機。位置信號產(chǎn)生電路117對從模擬信號處理電路109接收的四個突然傳輸模式37產(chǎn)生模擬再生信號的幅度值并使該信號數(shù)字化，然后將該信號傳送到MPU 121。
(伺服控制電路的結(jié)構(gòu))將參照圖3來描述伺服控制電路119。在圖3中，參考時鐘產(chǎn)生電路151由晶體振蕩器構(gòu)成，并產(chǎn)生單一頻率下的參考時鐘。伺服時鐘產(chǎn)生電路153產(chǎn)生通過使參考時鐘的頻率和相位與通過再生AGC/PLL模式31而形成的時鐘的頻率和相位同步而形成的伺服時鐘，并將伺服時鐘傳送到伺服控制電路119的部件。而且，伺服時鐘產(chǎn)生電路153將以比伺服時鐘大8倍的頻率的取樣時鐘傳送到模擬/數(shù)字信號電路111，以便數(shù)字化伺服數(shù)據(jù)的再生信號。
在本實施例中，伺服數(shù)據(jù)的頻率從之前的80MHz增加到110MHz，以便減少伺服扇區(qū)的區(qū)域，由此就提高了用戶數(shù)據(jù)的存儲能力。因此，伺服數(shù)據(jù)的取樣頻率就是880MHz。在磁盤10的最外區(qū)段14中，用戶數(shù)據(jù)的頻率就是800MHz～900MHz，因此通過伺服數(shù)據(jù)的取樣頻率就能夠到達此頻率。因此，除非本征STM 33的模式是某種程度下的長模式，其可以充分從其他模式中識別出來，當在伺服數(shù)據(jù)的取樣頻率下再生用戶數(shù)據(jù)時，就可以以相當高的幾率從用戶數(shù)據(jù)中檢測出與本征STM 33的位串相同的位串。
STM檢測電路155確定它是否參照STM模式設置電路157的狀態(tài)寄存器來識別本征STM 33的位模式或識別長STM的位模式。STM檢測電路155從A/D轉(zhuǎn)換電路111接收的伺服數(shù)據(jù)的再生信號中識別本征STM 33的位模式，并產(chǎn)生STM檢測信號，然后將該信號傳送到STM模式設置電路157和地址信息再生電路161。而且，STM檢測電路155從從A/D轉(zhuǎn)換電路111接收的伺服數(shù)據(jù)的再生信號中識別將偽STM 57和本征STM 33組合的長STM并產(chǎn)生STM檢測信號，然后將該信號傳送到STM模式設置電路157和地址信息再生電路161。當STM檢測電路155在STM檢測窗口設置的期間之內(nèi)沒有識別出本征STM 33的位模式時，它就產(chǎn)生STM丟失信號并將其傳送到STM模式設置電路157和HDC 125的時間測量電路135。
STM模式設置電路157具有用于設置其中STM檢測電路155識別本征STM 33的位串的本征STM檢測模式或其中電路155識別長STM的位串的長STM檢測模式中的任何一個的狀態(tài)寄存器。由STM檢測電路155或MPU 121執(zhí)行寫入狀態(tài)寄存器。當?shù)刂沸畔⒃偕娐?61從STM檢測電路155接收STM檢測信號時，其再生從A/D轉(zhuǎn)換電路111接收的地址信息，然后將其傳送到MPU 121。當?shù)刂沸畔⒃偕娐?61完成在地址信息35中包含的所有位串的處理時，它就將窗口關(guān)閉信號發(fā)送到扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159，并將操作啟動信號發(fā)送到位置信號計時電路163。
扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159產(chǎn)生用于允許伺服控制電路119只在伺服扇區(qū)通過再生磁頭的期間之內(nèi)執(zhí)行伺服數(shù)據(jù)的處理的扇區(qū)檢測窗口。扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159從HDC 125的時間測量電路135接收窗口打開信號并由此打開扇區(qū)檢測窗口，并從地址信息再生電路161接收窗口關(guān)閉信號，并由此關(guān)閉扇區(qū)檢測窗口。扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159當計時打開扇區(qū)檢測窗口時，將伺服控制電路119中的各個部件設置為可操作狀態(tài)；并在當計時關(guān)閉扇區(qū)檢測窗口時，停止各個部分的操作。這種狀態(tài)稱為其中設置扇區(qū)檢測窗口的狀態(tài)。
當設置扇區(qū)檢測窗口并識別出本征STM時，系統(tǒng)就處于伺服鎖定狀態(tài)。在每個伺服扇區(qū)的啟動位置處打開扇區(qū)檢測窗口，并在每個數(shù)據(jù)扇區(qū)的啟動位置處關(guān)閉，由此就限定了其中再生伺服扇區(qū)的期間。伺服控制電路155僅僅在當打開扇區(qū)檢測窗口的期間內(nèi)執(zhí)行伺服數(shù)據(jù)的信號處理。當計時關(guān)閉扇區(qū)檢測窗口時，扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159將啟動信號傳送到HDC 125的時間測量電路135。
扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159具有脈沖計數(shù)器，并通過脈沖計數(shù)器從扇區(qū)檢測窗口的打開測量預定時間，然后將該窗口打開信號傳送到STM檢測窗口產(chǎn)生電路156。STM檢測窗口產(chǎn)生電路156產(chǎn)生限定識別本征STM 33所必需的期間的STM檢測窗口。STM檢測窗口產(chǎn)生電路156具有脈沖計數(shù)器，并通過脈沖計數(shù)器根據(jù)窗口打開信號從打開STM檢測窗口測量預定時間，然后關(guān)閉STM檢測窗口。位置信號計時電路163接收來自于地址信息再生電路161的操作啟動信號，并且其上產(chǎn)生用于再生突然傳輸模式A、B、C和D的窗口，然后，將該窗口傳送到位置信號產(chǎn)生電路117。
(使用偽STM的伺服數(shù)據(jù)的再生方法)接著，參照圖4和圖5，說明在磁盤系統(tǒng)100中使用偽STM 57再生伺服數(shù)據(jù)的方法。圖4是示出伺服數(shù)據(jù)的再生方法的流程圖，圖5是當再生伺服數(shù)據(jù)時的時序圖，在圖5中，順序排列SV#01～SV#06的6個伺服扇區(qū)，并按照此順序通過再生磁頭讀出伺服數(shù)據(jù)。在圖5中，線251和261示出了扇區(qū)檢測窗口的產(chǎn)生定時，線253和263示出了STM檢測窗口的產(chǎn)生定時，并且線255和265示出了STM檢測信號的產(chǎn)生定時。
在磁盤10中，假設將格式化對應于圖1(B)中所示的位模式的伺服扇區(qū)。在磁盤系統(tǒng)100中，在高頻處寫入伺服數(shù)據(jù)，以便放大數(shù)據(jù)區(qū)。因此，在識別16-位本征STM 33以產(chǎn)生STM檢測信號的方法中，當在伺服解鎖狀態(tài)下扇區(qū)檢測窗口保持為已打開狀態(tài)時，從地址信息35和伺服數(shù)據(jù)的突然傳輸模式37提取的位串或從用戶數(shù)據(jù)提取的位串可能被識別做為本征STM 33，由此就會以相當高的可能性在錯誤計時處產(chǎn)生STM檢測信號。在本實施例中，采用偽STM 57，減少將不同位串錯誤識別為本征STM 33的可能性。
參考STM模式設置電路157的狀態(tài)寄存器的內(nèi)容，以長STM模式或本征STM檢測模式的任何一種模式來操作STM檢測電路155。
在塊201中，MPU 121將用于按照長STM檢測模式設置STM檢測電路155的數(shù)據(jù)寫入STM模式設置電路157的狀態(tài)寄存器。參考STM模式設置電路157的狀態(tài)寄存器來操作STM檢測電路155，以致當從A/D轉(zhuǎn)換電路111傳送20-位長STM的位串(11111111000001000001)時，電路155識別該位串并產(chǎn)生STM檢測信號。
磁盤系統(tǒng)100使用加載/卸載方法，在塊203中，從斜坡將磁頭加載到磁盤的記錄表面上。在本實施例中，可以使用CSS方法來代替加載/卸載方法。由于STM檢測電路155在加載磁頭之后不能立即識別出本征STM 33，所以扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159就不能設置扇區(qū)檢測窗口。因此，系統(tǒng)就處于伺服解鎖狀態(tài)。因此，扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159就使扇區(qū)檢測窗口保持為在如線251所示出的伺服扇區(qū)SV#01和SV#03之間的已打開狀態(tài)。
由于STM檢測窗口產(chǎn)生電路156沒有從扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159接收到窗口打開信號，其關(guān)閉STM檢測窗口。因此，操作STM檢測電路155，使得它能夠從通過再生磁頭讀出的所有伺服數(shù)據(jù)和用戶數(shù)據(jù)中識別長STM的位串(塊205)。然而，由于與本征STM 33的位長相比長STM的位長更長，所以與其它伺服數(shù)據(jù)或用戶數(shù)據(jù)相比，長STM的辨別能力就會更高，因此STM檢測電路155就會以相當?shù)偷目赡苄栽阱e誤位置處產(chǎn)生STM檢測信號。
在塊207中，確定STM檢測電路155是否已經(jīng)識別到長STM。如圖線251和253中所示，沒有從伺服扇區(qū)SV#01和SV#02中檢測出長STM。當在塊207中在位置271處從伺服扇區(qū)SV#03中識別出長STM時，過程就轉(zhuǎn)移到塊209。已經(jīng)識別出長STM的STM檢測電路155就產(chǎn)生STM檢測信號并將該信號傳送到STM模式設置電路157，并且將狀態(tài)寄存器的值設置為在本征STM檢測模式中。STM檢測電路155進一步將STM檢測信號傳送到地址信息再生電路161，由此，地址信息再生電路161就啟動地址信息35的處理。
地址信息再生電路161處理地址信息，然后將窗口關(guān)閉信號傳送到扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159，由此扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159就在位置273處關(guān)閉扇區(qū)檢測窗口(塊211)。扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159在位置273處將啟動信號傳送到時間測量電路135，由此時間測量電路135就測量到位置275處的時間T1，在該位置275處打開隨后的扇區(qū)檢測窗口。當時間測量電路135已經(jīng)測量了時間T1，它就將窗口打開信號傳送到扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159，由此扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159在位置275處打開扇區(qū)檢測窗口。
在塊213中，扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159測量預定時間，然后在位置276處將窗口打開信號傳送到STM檢測窗口產(chǎn)生電路156。STM檢測窗口產(chǎn)生電路156在位置276處產(chǎn)生用于檢測本征STM的STM檢測窗口，并將其傳送到STM檢測電路155。在塊215中，STM檢測電路155處理已輸入的位串，以僅僅在從STM檢測窗口產(chǎn)生電路156傳送的STM檢測窗口打開的期間內(nèi)識別本征STM。
雖然與20-位長STM相比因它是16-位STM從而本征STM相對于其它位模式識別能力較差，由于STM檢測電路155僅在STM檢測窗口打開的期間內(nèi)識別本征STM的位模式，該電路就不能錯誤地識別除了本征STM之外的數(shù)據(jù)。當在塊217中STM檢測電路155識別出本征STM時，過程就轉(zhuǎn)移到塊219。在已經(jīng)識別出本征STM之后，就在相同步驟中產(chǎn)生扇區(qū)檢測窗口和STM檢測窗口，并重復本征STM的識別操作。
對于伺服扇區(qū)SV#04～SV#06，就在位置276～278的每一個位置處產(chǎn)生STM檢測窗口，并且在位置279～281的每一個位置處識別本征STM。設置扇區(qū)檢測窗口和識別出本征STM的狀態(tài)稱為伺服鎖定狀態(tài)(塊219)，在此狀態(tài)下，再生伺服數(shù)據(jù)以便執(zhí)行伺服控制。為了執(zhí)行與磁盤10相關(guān)的用戶數(shù)據(jù)的記錄或再生，磁盤系統(tǒng)就必須處于伺服鎖定狀態(tài)。
線265示出了磁盤系統(tǒng)100將本征STM讀出到伺服扇區(qū)SV#02，并且如圖位置283所示產(chǎn)生STM檢測信號，且系統(tǒng)處于伺服鎖定狀態(tài)。在伺服扇區(qū)SV#03中，雖然產(chǎn)生STM檢測窗口，STM檢測電路155不能識別本征STM，如在位置285處所示，因此就不能產(chǎn)生STM檢測信號，且系統(tǒng)處于伺服解鎖狀態(tài)。
當在塊217中給出未檢測到本征STM的狀態(tài)時，處理就轉(zhuǎn)移到塊221，其中STM檢測電路155就將STM丟失信號傳送到STM模式設置電路157。當STM檢測電路155在由STM檢測窗口設置的期間內(nèi)不能識別本征STM時，就會產(chǎn)生STM丟失信號。已經(jīng)接收到STM丟失信號的STM模式設置電路157按照長STM檢測模式設置狀態(tài)寄存器，并且處理就轉(zhuǎn)移到塊205。參考STM模式設置電路157的狀態(tài)寄存器，按照長STM檢測模式操作STM檢測電路155(塊205)。
如圖線261中所示，扇區(qū)檢測窗口對于跟隨伺服扇區(qū)SV#03的伺服扇區(qū)保持為已打開狀態(tài)，且系統(tǒng)處于伺服解鎖狀態(tài)。在伺服扇區(qū)SV#04中，由于沒有識別出長STM，所以在位置287處就不能產(chǎn)生STM檢測窗口。當在伺服扇區(qū)SV#05中識別出長STM時，就在位置289處產(chǎn)生STM檢測信號(塊207)，扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159就根據(jù)由地址信息再生電路161產(chǎn)生的窗口關(guān)閉信號在位置291處關(guān)閉扇區(qū)檢測窗口。STM檢測電路155將STM檢測信號傳送到STM模式設置電路157，以更新狀態(tài)寄存器，并且在此之后其在本征STM檢測模式下操作。在位置293處再次產(chǎn)生STM檢測窗口，并且STM檢測電路155在位置294處識別本征STM 33并產(chǎn)生STM檢測信號，且磁盤系統(tǒng)再次處于伺服鎖定狀態(tài)。
這里，說明為什么采用部分AGC/PLL模式作為偽STM 57的原因。在本實施例中，由于采用部分AGC/PLL模式31作為偽STM 57，所以即使不增加位長也能夠提高本征STM 33的辨別能力。要求AGC/PLL模式具有預定位長以執(zhí)行AGC的增益調(diào)整或伺服時鐘的相位同步調(diào)整，并且在導引部分處包括冗余位59。當磁盤系統(tǒng)處于伺服鎖定狀態(tài)并將用戶數(shù)據(jù)記錄到磁盤上時，讀/寫通道或磁頭放大器就在記錄模式下在數(shù)據(jù)區(qū)中設置，并在再生模式下在伺服扇區(qū)中設置。
當記錄磁頭將用戶數(shù)據(jù)記錄到數(shù)據(jù)區(qū)中時，再生磁頭就間歇地在伺服扇區(qū)中再生伺服數(shù)據(jù)。因此，對于將磁盤系統(tǒng)的模式從記錄操作改變到再生操作，在AGC/PLL模式31的導引部分中會發(fā)生臨時丟失，AGC/PLL模式31就以這樣的模式寫入，使得即使沒有再生冗余位59的部分也僅僅在跟隨冗余位59的區(qū)域中操作它。
當磁盤系統(tǒng)處于伺服解鎖狀態(tài)并在長STM檢測模式下操作時，由于再生模式保持在數(shù)據(jù)區(qū)和伺服扇區(qū)兩個區(qū)域中，所以對于將模式從記錄操作改變到再生操作，也不會發(fā)生時間損失，因此冗余位59也會對增益調(diào)整或相位同步調(diào)整起作用。當AGC/PLL模式31在長STM檢測模式下包含引導冗余位逐步再生時，由于在再生偽STM之前就完成了增益調(diào)整或相位同步調(diào)整，所以即使采用偽STM 57用于補充本征STM也不會產(chǎn)生問題。
換句話說，由于在已經(jīng)完成了增益調(diào)整或相位同步調(diào)整之后再生偽STM 57的位串，此位串可以操作做為偽STM的模式。雖然在本實施例中將冗余位59的位長設置為和偽STM的位長相等，但可以將偽STM設置為比冗余位59的位長更短。
因此，當在伺服解鎖狀態(tài)下采用部分AGC/PLL模式31作為偽STM 57時，就采用除了偽STM 57之外的引導側(cè)處的模式，并且當正在伺服鎖定狀態(tài)下檢測本征STM 33時，就采用相對于冗余位59的尾側(cè)處的模式。因此，在任何狀態(tài)下都能夠從AGC/PLL模式31再生相同的位長，因此就不會阻礙AGC/PLL模式31的功能。
雖然此前采用圖1(B)中的位模式51作為一個實例進行了說明，但該實施例可以應用于與位模式53或位模式55相對應的格式結(jié)構(gòu)下的磁盤。在本實施例中，當設置STM檢測窗口時，即使采用具有小位長的本征STM，也不會將其它數(shù)據(jù)識別為本征STM。當扇區(qū)檢測窗口在伺服解鎖狀態(tài)下保持為已打開狀態(tài)時，由于沒有設置STM檢測窗口，所以就將伺服扇區(qū)等的用戶數(shù)據(jù)或地址信息的所有位串輸入STM檢測電路155。然而，由于此時在長STM檢測模式下操作STM檢測電路155，所以就會以相當?shù)偷目赡苄詫⒛切┪淮e誤地識別為本征STM。采用部分AGC/PLL模式31作為偽STM 57，由此不用增加本征STM 33的位長或AGC/PLL模式31的位長就能夠提高伺服數(shù)據(jù)的再生能力。
(通過臨時設置STM丟失信號和扇區(qū)檢測窗口的伺服數(shù)據(jù)的再生方法)接著，參照圖6和圖7，說明在磁盤系統(tǒng)100中通過臨時設置STM丟失信號和扇區(qū)檢測窗口來再生伺服數(shù)據(jù)的方法。圖6是示出伺服扇區(qū)的再生方法的步驟的流程圖，并且圖7是伺服扇區(qū)的再生的時序圖并且結(jié)構(gòu)和圖5相同。在圖7中，在伺服扇區(qū)SV#01和SV#02之間，連續(xù)伺服鎖定狀態(tài)，并以時間T1的間隔將扇區(qū)檢測窗口設置為打開。由于圖6中的塊301～319對應于圖4中的塊201～219，因此省略對它們的說明。對于伺服扇區(qū)SV#03，因為不能識別本征STM，所以在位置351處就不會產(chǎn)生STM信號。
這里，STM檢測電路155在位置353處確定其在打開STM檢測窗口的期間內(nèi)不能識別出本征STM，并在位置355處產(chǎn)生丟失信號，并將該信號傳送到時間測量電路135。由于在位置355處在關(guān)閉STM檢測窗口之后產(chǎn)生STM丟失信號，就會比在位置351處將產(chǎn)生STM檢測信號時的時鐘更晚地產(chǎn)生STM丟失信號。在塊321中，STM檢測電路155將STM丟失信號傳送到地址信息再生電路161，由此地址信息再生電路161將窗口關(guān)閉信號傳送到扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159。扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159在位置359處關(guān)閉扇區(qū)檢測窗口，并將啟動信號傳送到時間測量電路135。即使它接收到STM丟失信號，地址信息再生電路161也不會再生地址信息35。
這個觀點與事實不同，即當在圖5中的位置285處不產(chǎn)生STM檢測信號時，此后扇區(qū)檢測窗口就處于已打開狀態(tài)。位置359是比當產(chǎn)生STM檢測信號時將扇區(qū)檢測窗口設置為關(guān)閉的位置357更后面的位置。因此，時間測量電路135就測量比時間T1更短的時間T2，并將窗口打開信號發(fā)送到扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159，以預期啟動下一個伺服扇區(qū)SV#04的位置。已經(jīng)接收到窗口打開信號的扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159就在位置361處打開扇區(qū)檢測窗口。過程返回到塊313，其中設置STM檢測窗口，在塊317中確定是否識別出本征STM。
從伺服扇區(qū)SV#04中，由于在位置363處沒有產(chǎn)生STM檢測信號，重復相同步驟，致使扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159產(chǎn)生扇區(qū)檢測窗口。不通過利用時間測量電路135測量時間T1來設置扇區(qū)檢測窗口。假設根據(jù)STM丟失信號通過測量時間T2的扇區(qū)檢測窗口的設置稱為扇區(qū)檢測窗口的臨時設置。在伺服扇區(qū)SV#03和SV#04中，由于不能識別本征STM 33，系統(tǒng)處于伺服解鎖狀態(tài)。
當隨后從伺服扇區(qū)SV#05中識別出本征STM并在位置365處產(chǎn)生STM檢測信號時，系統(tǒng)就會再次處于伺服鎖定狀態(tài)(塊319)，且時間測量電路135測量時間T1并將窗口關(guān)閉信號發(fā)送到扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路159。當STM檢測信號處于臨時設置的狀態(tài)時，STM檢測電路155在它不能識別本征STM時產(chǎn)生STM丟失信號，且時間測量電路135測量時間T2并在下一個伺服扇區(qū)的位置處打開扇區(qū)檢測窗口。因此，由于還產(chǎn)生扇區(qū)檢測窗口，即使不使用長STM，也能夠防止在其它伺服數(shù)據(jù)或用戶數(shù)據(jù)的位置處的本征STM的錯誤識別。
雖然此前已經(jīng)利用附圖中示出的具體實施例描述了本發(fā)明，但應當清楚，本發(fā)明不限于附圖中示出的具體實施例，并且不僅可以采用本發(fā)明用于之前已知的任何結(jié)構(gòu)，只要能夠展示出本發(fā)明的優(yōu)點。
權(quán)利要求
1.一種磁盤系統(tǒng)，其使用數(shù)據(jù)表面伺服系統(tǒng)，包括磁盤，其中格式化多個伺服扇區(qū)，該多個伺服扇區(qū)的每一個伺服扇區(qū)寫入有包括AGC/PLL模式、跟隨該AGC/PLL模式的STM和跟隨該STM的地址信息的伺服數(shù)據(jù)；磁頭，其讀出在伺服扇區(qū)中的伺服數(shù)據(jù)；STM檢測電路，其識別由部分AGC/PLL模式和該STM構(gòu)成的長STM或該STM中的任何一個，并產(chǎn)生STM檢測信號；以及扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路，其設置扇區(qū)檢測窗口，該扇區(qū)檢測窗口限定其中響應于該STM檢測信號而再生該伺服扇區(qū)的期間，其中當該STM檢測電路不能識別該STM時，該扇區(qū)檢測窗口就保持為已打開狀態(tài)，并且該STM檢測電路就從由該磁頭在比從中不能識別該STM的伺服扇區(qū)更晚地讀出的伺服扇區(qū)識別該長STM，并產(chǎn)生該STM檢測信號。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤系統(tǒng)，其中該扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路設置用于由該磁頭比從其識別該長STM的伺服扇區(qū)更晚地讀出的伺服扇區(qū)的扇區(qū)檢測窗口，并且該STM檢測電路僅僅從已經(jīng)設置該扇區(qū)檢測窗口的伺服扇區(qū)識別該STM，并產(chǎn)生該STM檢測信號。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤系統(tǒng)，其中當在該磁盤上裝載該磁頭之后該扇區(qū)檢測窗口立即處于已打開狀態(tài)時，該STM檢測電路識別該長STM并產(chǎn)生該STM檢測信號。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤系統(tǒng)，其中該長STM由該AGC/PLL模式的尾部部分和該STM的連續(xù)模式構(gòu)成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的磁盤系統(tǒng)，其中構(gòu)成該長STM的該AGC/PLL模式的該尾部部分的模式長度對應于沿其在將該磁盤系統(tǒng)的模式從伺服數(shù)據(jù)的記錄操作改變?yōu)樵偕僮鞯钠陂g內(nèi)通過磁頭的AGC/PLL模式的導引部分的模式長度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的磁盤系統(tǒng)，其中在從地址信息去除冗余位的條件下格式化該伺服扇區(qū)。
7.一種磁盤系統(tǒng)，其使用數(shù)據(jù)表面伺服系統(tǒng)，包括磁盤，其中格式化多個伺服扇區(qū)，該多個伺服扇區(qū)的每一個伺服扇區(qū)寫入有包括AGC/PLL模式、跟隨該AGC/PLL模式的STM和跟隨該STM的地址信息的伺服數(shù)據(jù)；磁頭，其讀出在該伺服扇區(qū)中的伺服數(shù)據(jù)；STM檢測電路，當設置其限定其中再現(xiàn)該伺服扇區(qū)的期間的扇區(qū)檢測窗口時，其當該電路識別出該STM時產(chǎn)生STM檢測信號，并且當該電路不能識別該STM時產(chǎn)生STM丟失信號；時間檢測電路，其測量響應于用于通過磁頭比沒有識別出STM的伺服扇區(qū)遲些讀取的伺服扇區(qū)的STM丟失信號打開該扇區(qū)檢測窗口的時間，并產(chǎn)生窗口打開信號，以及扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路，其按照該電路響應于該STM丟失信號而關(guān)閉該扇區(qū)檢測窗口的方式臨時設置該扇區(qū)檢測窗口，并響應于該窗口打開信號打開該扇區(qū)檢測窗口。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁盤系統(tǒng)，其中該系統(tǒng)包括STM檢測窗口產(chǎn)生電路，其限定其中響應于當打開該扇區(qū)檢測窗口時的計時而識別該STM的期間，并且當該電路在打開該STM檢測窗口時的期間內(nèi)沒有識別出該STM時，該STM檢測電路產(chǎn)生STM丟失信號。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁盤系統(tǒng)，其中該時間測量電路響應于該STM丟失信號，測量比在伺服鎖定狀態(tài)下設置關(guān)閉該扇區(qū)檢測窗口的計時和打開該窗口的計時之間的時間更短的時間。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁盤系統(tǒng)其中當該STM檢測電路在該扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路響應于該窗口打開信號而打開該扇區(qū)檢測窗口的期間之內(nèi)產(chǎn)生該STM檢測信號，該扇區(qū)檢測窗口產(chǎn)生電路就響應于該STM檢測信號設置該扇區(qū)檢測窗口。
11.一種在數(shù)據(jù)表面伺服系統(tǒng)中的磁盤系統(tǒng)中的再生伺服數(shù)據(jù)的方法，該磁盤系統(tǒng)具有磁盤，其中格式化寫入有包括AGC/PLL模式、跟隨該AGC/PLL模式的本征STM和跟隨該本征STM的地址信息的伺服數(shù)據(jù)的多個伺服扇區(qū)，該方法包括提供用于識別由該AGC/PLL模式的偽STM組成部分和該本征STM構(gòu)成的長STM的長STM檢測模式的步驟；提供用于識別該本征STM的本征STM檢測模式的步驟；提供其限定其中再生該伺服扇區(qū)的期間的扇區(qū)檢測窗口的步驟；當不能識別該本征STM時打開該扇區(qū)檢測窗口并選擇該長STM檢測模式的步驟；當選擇該長STM檢測模式時識別該長STM并產(chǎn)生STM檢測信號的步驟；以及響應于該STM檢測信號關(guān)閉該扇區(qū)檢測窗口的步驟。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的再生該伺服數(shù)據(jù)的方法，其中提供該長STM檢測模式的該步驟包括設置偽STM致使該偽STM在該ACC/PLL模式的尾側(cè)連續(xù)到該本征STM的步驟。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的再生該伺服數(shù)據(jù)的方法，其中選擇該長STM檢測模式的該步驟包括持續(xù)打開該扇區(qū)檢測窗口直至識別出該長STM的步驟。
14.根據(jù)權(quán)利要求11的再生該伺服數(shù)據(jù)的方法，還包括其中在識別出該長STM之后選擇該本征STM檢測模式的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求11的再生該伺服數(shù)據(jù)的方法，其中選擇該長STM檢測模式的該步驟包括在該磁盤之上裝載該磁頭之后立即執(zhí)行該步驟的步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求11的再生該伺服數(shù)據(jù)的方法，其中選擇該長STM檢測模式的該步驟包括當該系統(tǒng)處于在該系統(tǒng)處于伺服鎖定狀態(tài)之后不能識別出該本征STM的狀態(tài)下執(zhí)行該步驟的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求11的再生該伺服數(shù)據(jù)的方法，還包括在識別該長STM之后設置STM檢測窗口的步驟，該窗口限定出其中識別該本征STM的期間。
18.一種在數(shù)據(jù)表面伺服系統(tǒng)中的磁盤系統(tǒng)中的再生伺服數(shù)據(jù)的方法，該磁盤系統(tǒng)具有磁盤，其中格式化寫入有包括AGC/PLL模式、跟隨該AGC/PLL模式的STM和跟隨該STM的地址信息的伺服數(shù)據(jù)的多個伺服扇區(qū)，該方法包括設置扇區(qū)檢測窗口的步驟，該扇區(qū)檢測窗口限定其中再生數(shù)據(jù)扇區(qū)以便識別該STM的期間，由此保持伺服鎖定狀態(tài)；當在該伺服鎖定狀態(tài)下不能識別出該STM時產(chǎn)生STM丟失信號的步驟；響應于該STM丟失信號關(guān)閉該扇區(qū)檢測窗口的步驟；測量從關(guān)閉該扇區(qū)檢測窗口到下一次打開該扇區(qū)檢測窗口的時間的步驟；以及響應于該測量時間打開該扇區(qū)檢測窗口的步驟。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的該再生伺服數(shù)據(jù)的方法，還包括臨時設置該扇區(qū)檢測窗口以識別該STM的步驟，這樣可以重復產(chǎn)生該STM丟失信號的該步驟、關(guān)閉該扇區(qū)檢測窗口的該步驟、測量該時間的該步驟和打開該扇區(qū)檢測窗口的該步驟。
20.根據(jù)權(quán)利要求18的再生該伺服數(shù)據(jù)的方法，還包括設置STM檢測窗口的步驟，該STM檢測窗口限定其中響應于打開該扇區(qū)檢測窗口的該步驟而識別該STM的期間。
全文摘要
提高了伺服時標(STM)的檢測能力。長STM由形成部分AGC/PLL模式31和本征STM 33的偽STM 57構(gòu)成。當系統(tǒng)不能識別本征STM時，它就保持打開扇區(qū)檢測窗口的狀態(tài)，并且以長STM檢測模式來操作以便識別長STM，由此產(chǎn)生STM檢測信號。在已經(jīng)產(chǎn)生了STM檢測信號之后，關(guān)閉STM檢測窗口，且以本征STM檢測模式操作系統(tǒng)。由于長STM具有比本征STM更長的位長，所以它就具有相對于其它模式更高的辨別能力。因此，即使扇區(qū)檢測窗口保持為已打開狀態(tài)，也不會錯誤地識別數(shù)據(jù)扇區(qū)的位串、在伺服扇區(qū)中的地址信息等。
文檔編號G11B21/10GK1967698SQ20061016035
公開日2007年5月23日 申請日期2006年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月16日
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