專利名稱：記錄介質(zhì)，配置其控制信息的方法，使用前者的記錄和/或再現(xiàn)方法及其設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在記錄介質(zhì)如可記錄光盤上記錄控制信息，以及在使用控制信息的記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的背景技術(shù)一種稱為HD-DVD的高密度光記錄介質(zhì)，廣泛用于記錄和存儲(chǔ)高清晰度視頻數(shù)據(jù)和高質(zhì)量音頻數(shù)據(jù)。藍(lán)光光盤(Blu-ray disc)(下文簡稱為BD)表示下一代HD-DVD技術(shù)?，F(xiàn)在正在為藍(lán)光光盤的全球標(biāo)準(zhǔn)化建立技術(shù)規(guī)范，包括一次寫入藍(lán)光光盤(BD-WO)的標(biāo)準(zhǔn)。同時(shí)，稱為1倍速BD-RE且現(xiàn)在在討論中的可重寫藍(lán)光光盤應(yīng)當(dāng)與預(yù)期具有較高寫速度即2倍速和2倍速以上的BD-RE兼容。高寫速度的BD-WO規(guī)范也在發(fā)展中。迫切地需要用于處理高密度光盤的高寫速度的有效解決方案，并且建立的規(guī)范應(yīng)當(dāng)確保相互兼容性。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目標(biāo)是一種在光盤中記錄控制信息的方法，實(shí)質(zhì)性地消除由相關(guān)技術(shù)的限制和缺點(diǎn)引起的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的一個(gè)目標(biāo)是提供一種按照處理高寫速度的指定信息記錄控制信息的方法，其中表示控制信息種類的信息被記錄在控制信息中，與所記錄的信息互相配合的寫策略也一樣。
本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)是定義配置控制信息的新數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)提供一種在盤內(nèi)特定區(qū)域中記錄處理高寫速度的控制信息，由此在基礎(chǔ)相同的盤之間提供互易兼容性。
本發(fā)明的另一個(gè)目標(biāo)是提供記錄/再現(xiàn)方法及其設(shè)備，由此使用所記錄的控制信息在/從光盤上記錄/再現(xiàn)實(shí)際數(shù)據(jù)。
本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)、目標(biāo)和特征將部分地在下面的描述中闡述，部分地在本領(lǐng)域普通技術(shù)人員檢查下面的描述時(shí)或者通過本發(fā)明的實(shí)踐而變得顯而易見。本發(fā)明的目標(biāo)和其它優(yōu)點(diǎn)可由在書面的描述和這里的權(quán)利要求書及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和達(dá)到。
為實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)和其它優(yōu)點(diǎn)并且按照本發(fā)明的目的，如在此包含和廣泛描述的，按照本發(fā)明在記錄介質(zhì)上記錄控制信息的方法包括下列步驟產(chǎn)生與至少一個(gè)或多個(gè)記錄層和記錄速度相關(guān)聯(lián)的控制信息，該控制信息包括標(biāo)識(shí)相應(yīng)控制信息的類型的第一信息，該信息表示所述控制信息是用于CLV(恒定線速度)還是用于CAV(恒定角速度)，并且包括與該控制信息類型相關(guān)聯(lián)的寫策略參數(shù)；以及在該記錄介質(zhì)的特定區(qū)域上記錄該控制信息。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種記錄在記錄介質(zhì)上或者要在/從所述記錄介質(zhì)上記錄/再現(xiàn)的控制信息的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，其特征在于，該控制信息與特定記錄層和/或特定記錄速度相關(guān)聯(lián)，并且該控制信息包括依賴于表示該控制信息與CAV還是與CLV相關(guān)聯(lián)的類型信息的寫策略信息。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種記錄介質(zhì)，包括為至少一個(gè)記錄層提供的一個(gè)可記錄區(qū)域和一個(gè)預(yù)記錄區(qū)域，其中按照每個(gè)記錄速度和/或每個(gè)記錄層分別提供盤信息到所述預(yù)記錄區(qū)域，并且其中將標(biāo)識(shí)在其內(nèi)的盤信息類型的標(biāo)識(shí)信息和與在其內(nèi)的標(biāo)識(shí)信息相關(guān)聯(lián)的寫策略信息提供到該盤信息。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種光盤包括至少一個(gè)或多個(gè)記錄層，其中按照每個(gè)記錄層和/或每個(gè)記錄速度提供控制信息，其中標(biāo)識(shí)該控制信息的類型的標(biāo)識(shí)信息和與該標(biāo)識(shí)信息相關(guān)聯(lián)的寫策略參數(shù)記錄在該控制信息內(nèi)。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種在記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法，包括下列步驟讀取分別按照在該記錄介質(zhì)的管理區(qū)域內(nèi)的每個(gè)記錄速度記錄的多個(gè)控制信息；檢查標(biāo)識(shí)記錄在每個(gè)控制信息內(nèi)的控制信息的標(biāo)識(shí)信息；以及基于與來自所述標(biāo)識(shí)信息的相應(yīng)記錄速度相關(guān)聯(lián)的寫策略信息執(zhí)行數(shù)據(jù)的記錄。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種在記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的方法，包括下列步驟按照標(biāo)識(shí)控制信息類型的標(biāo)識(shí)信息標(biāo)識(shí)特定的控制信息，其中，該控制信息與提供用于記錄或讀數(shù)據(jù)的參考信息的特定記錄速度和/或特定記錄層相關(guān)聯(lián)，該標(biāo)識(shí)信息標(biāo)識(shí)該控制信息是用于CLV還是用于CAV；以及作為標(biāo)識(shí)步驟的結(jié)果，使用包括在用于CLV或CAV的該控制信息中的寫策略參數(shù)記錄數(shù)據(jù)。
在本發(fā)明的另一個(gè)方面，一種在記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的設(shè)備，包括一光盤讀頭，讀與在所述記錄介質(zhì)的管理區(qū)域內(nèi)的至少一個(gè)記錄速度相關(guān)聯(lián)的多個(gè)控制信息；以及一控制器，基于標(biāo)識(shí)相應(yīng)控制信息是用于CLV還是用于CAV的標(biāo)識(shí)信息檢查控制信息類型，作為檢查步驟的結(jié)果，讀取包括在該相應(yīng)控制信息的寫策略，以及使用該讀取的寫策略執(zhí)行數(shù)據(jù)的記錄。
要理解，上述一般描述和下面本發(fā)明的詳細(xì)描述是示例性和說明性的，并且旨在提供如權(quán)利要求的本發(fā)明的進(jìn)一步說明。


所包括的附圖提供對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步的理解，包括在本申請(qǐng)中且構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，例示本發(fā)明的實(shí)施例并且與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是可應(yīng)用于本發(fā)明的單層盤的圖；圖2是可應(yīng)用于本發(fā)明的雙層盤的圖；圖3是記錄本發(fā)明的控制信息的管理區(qū)域的圖，其中示意性地示出在相應(yīng)區(qū)域中盤信息的格式；圖4是按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例記錄的控制信息的圖；圖5是按照?qǐng)D4中本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例記錄的控制信息的寫策略的圖；圖6是按照本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例記錄的控制信息的圖；圖7是按照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例記錄的控制信息的圖；圖8是按照?qǐng)D7中本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例記錄的控制信息的寫策略的圖；圖9是按照?qǐng)D7中本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例記錄的控制信息的寫策略的另一個(gè)例子的圖；圖10是按照本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例記錄的控制信息的圖；圖11是按照?qǐng)D10中本發(fā)明又一實(shí)施例記錄的控制信息的寫策略；以及圖12是按照本發(fā)明的光盤記錄/再現(xiàn)設(shè)備的方框圖。
詳細(xì)說明現(xiàn)在將詳細(xì)地對(duì)本發(fā)明較佳實(shí)施例進(jìn)行參考，其例子在附圖中例示。只要有可能，將在整個(gè)附圖使用相同的參考數(shù)字引用相同或相似的部件。
用藍(lán)光光盤作為按照本發(fā)明的光盤的例子。而且，本發(fā)明的概念，特征在于光盤具有記錄在其上的其控制信息，可應(yīng)用于DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、DVD-R、DVD+R和相似的這類盤。
盡管這里使用的術(shù)語大部分是眾所周知的，申請(qǐng)者選擇了某些術(shù)語，使得本發(fā)明應(yīng)當(dāng)以申請(qǐng)者使用時(shí)所希望的術(shù)語意義來理解。
例如，盤的‘控制信息(control information)’被記錄在指定區(qū)域中，即盤的可記錄區(qū)域或者預(yù)記錄區(qū)域，有時(shí)稱為壓紋區(qū)域(embossed area)，其中制造商數(shù)據(jù)被記錄并且在該處沒有進(jìn)一步記錄的可能，并且包括被記錄盤的回放所必需的信息。盤控制信息對(duì)于藍(lán)光光盤技術(shù)而言稱為“盤信息(discinformation)”或“DI”，而對(duì)于DVD-RAM、DVD-RW、DVD+RW、DVD-R、DVD+R盤而言一般稱為“物理格式信息(physical format information)”。因此，本發(fā)明的技術(shù)背景同樣可應(yīng)用于物理格式信息是顯而易見的。
而且，按照本發(fā)明的盤信息被記錄為未指定的信息單元，它可被計(jì)數(shù)，例如，作為第一或第二信息。
本發(fā)明特征在于，通過當(dāng)在盤信息內(nèi)記錄寫策略(WS)時(shí)，與標(biāo)識(shí)盤信息種類的信息互相配合，記錄寫策略(WS)，多個(gè)寫策略類型之一有選擇地在制造盤時(shí)被記錄，并且記錄/再現(xiàn)設(shè)備(圖12)通過參考記錄在該盤信息中的寫策略(WS)執(zhí)行記錄/再現(xiàn)。較佳地，本發(fā)明的說明書中使用的‘寫策略(writestrategy)(WS)’的意義在下面詳細(xì)地說明。
考慮‘寫策略(WS)’的意義，記錄層的介質(zhì)屬性通常通過經(jīng)由讀頭(圖12中的‘11’)應(yīng)用激光束于光盤內(nèi)的記錄層以執(zhí)行其記錄來修改的。因此，應(yīng)當(dāng)決定激光束的強(qiáng)度(寫功率)，將寫功率應(yīng)用于其的時(shí)間，等等。上面決定的各種類的記錄相關(guān)信息通常稱為‘寫策略(WS)’，而記錄在特定‘寫策略(WS)’內(nèi)的特定內(nèi)容稱為‘寫策略(WS)參數(shù)(parameter)’。
在本發(fā)明中使用的寫策略(WS)信息指與寫策略(WS)相關(guān)聯(lián)的全部信息。而且，‘WS參數(shù)’指配置WS的項(xiàng)和特定數(shù)值并且是WS信息的類別。因此，WS信息具有包含的概念，包括上述‘WS類型(type)’、‘WS標(biāo)志(flag)’(將在稍后說明)等以及WS參數(shù)。
而且，寫策略(WS)可以用各種方法記錄。因?yàn)楸P往往是高密度化的并且以較高速度運(yùn)行，因此寫速度(即盤RPM)和記錄層的介質(zhì)屬性相當(dāng)受影響。因此，要求更準(zhǔn)確的系統(tǒng)。而且，下面舉例說明各種寫策略(WS)。
首先，存在一個(gè)系統(tǒng)，具有比在記錄層介質(zhì)上形成的記錄標(biāo)記尺寸(n)小1的記錄脈沖，可稱為‘(n-1)WS’。第二，存在一個(gè)系統(tǒng)，具有尺寸總量為記錄標(biāo)記尺寸(n)一半的記錄脈沖，可稱為‘n/2WS’。另外，新的寫策略(WS)仍在開發(fā)中。關(guān)于不同類型的寫策略(WS)，當(dāng)存在各種寫策略(WS)的系統(tǒng)作為應(yīng)用于彼此不同的寫策略(WS)的參數(shù)時(shí)，盤制造商按照寫策略參數(shù)選擇一個(gè)特定的WS來測(cè)試寫功率，隨后在盤信息內(nèi)的特定區(qū)域中的‘WS參數(shù)’字段中記錄測(cè)試的結(jié)果。
而且，作為在盤上記錄數(shù)據(jù)的方法，有恒定線速度(在下文中簡稱CLV)方法和恒定角速度(在下文中簡稱為CLV)方法。CLV方法應(yīng)用相同的線速度于盤的內(nèi)部和外部圓周區(qū)域，以一個(gè)記錄速度執(zhí)行記錄。CAV方法應(yīng)用相同的RPM于盤的內(nèi)部和外部圓周，由此在具有相對(duì)較小旋轉(zhuǎn)半徑的盤外部圓周中的線速度比具有相對(duì)較大旋轉(zhuǎn)半徑的盤外部圓周中的線速度增加更快。當(dāng)內(nèi)部和外部圓周的半徑相互比較時(shí)，在盤內(nèi)部圓周與外部圓周的記錄速度之間存在大約2.4倍的差。
因此，在采用CAV系統(tǒng)時(shí)，以大約2.4倍速在外部圓周上執(zhí)行記錄，而在內(nèi)部圓周上以1倍速執(zhí)行。例如，在內(nèi)部圓周上以4倍速執(zhí)行記錄，而在外部圓周上以大約9.6倍速執(zhí)行。因?yàn)樵诒P內(nèi)部與外部圓周的記錄速度之間存在大的差，因此必須選擇一個(gè)要應(yīng)用于盤的每個(gè)位置的最優(yōu)記錄速度和寫策略(WS)以執(zhí)行在其上的記錄。因此，CAV方法需要定義大約三種線速度(寫速度)，諸如1倍速、1.7倍速和2.4倍速，它們可以稱為‘一種類型記錄速度組(one typerecording velocity group)’。而且，每個(gè)定義的記錄速度的寫策略應(yīng)當(dāng)記錄在盤信息內(nèi)。
圖1和圖2是按照本發(fā)明的光盤的結(jié)構(gòu)圖，其中可記錄光盤足以成為可應(yīng)用于本發(fā)明的光盤。而且，可記錄盤可以是可重寫光盤、一次寫入光盤等中的任意一種。圖1是按照本發(fā)明的單層盤的結(jié)構(gòu)圖，具有一個(gè)記錄層。
參考圖1，提供一個(gè)引入?yún)^(qū)域作為在光盤的內(nèi)部圓周區(qū)域上的管理區(qū)域，而提供一個(gè)引出區(qū)域作為在光盤的外部圓周區(qū)域上的管理區(qū)域。明確地說，預(yù)記錄區(qū)域和可重寫或一次寫入?yún)^(qū)域在盤的內(nèi)部圓周區(qū)域內(nèi)彼此分開。
預(yù)記錄區(qū)域是這樣一個(gè)區(qū)域(稱為‘壓紋區(qū)域(embossed area)’)，在制造盤時(shí)已經(jīng)在這里寫了數(shù)據(jù)，由此用戶或系統(tǒng)根本不能夠在預(yù)記錄區(qū)域上執(zhí)行數(shù)據(jù)寫。在BD-RE/WO中，預(yù)記錄區(qū)域稱為PIC(永久信息和控制數(shù)據(jù))區(qū)域。而且，上述盤信息(在下文稱為‘DI’)作為盤記錄所需的信息被記錄在PIC區(qū)域中。
在數(shù)據(jù)區(qū)域中，所提供的是用戶數(shù)據(jù)區(qū)域用于記錄用戶的實(shí)際數(shù)據(jù)和備用區(qū)域ISA和OSA用于代替產(chǎn)生的故障區(qū)域。明確地說，為一次寫入光盤如BD-WO提供用于記錄故障信息的TDMA(臨時(shí)故障管理區(qū)域)和一般管理。在可重寫B(tài)D(BD-RE)的情況下，TDMA是多余的，因此這樣一個(gè)區(qū)域留作保留區(qū)域。
本發(fā)明旨在提供一種有效地將作為盤的記錄回放所需的控制信息的盤信息(DI)記錄在預(yù)記錄區(qū)域或可記錄區(qū)域中的方法。顯然，在預(yù)記錄區(qū)域中的記錄方法不同地應(yīng)用于每種盤。在BD-RE/WO的情況下，作為預(yù)記錄區(qū)域的PIC區(qū)域由雙相高頻調(diào)制信號(hào)記錄，在相應(yīng)區(qū)域中的調(diào)頻調(diào)制信號(hào)按照特定回放方法來播放，并且通過回放獲得信息。
圖2是雙層盤的圖，它具有雙記錄層，其中一個(gè)記錄層以名為第一記錄層Layer0的引入開始，并且一個(gè)記錄層以名為第二記錄層Layer1的引出結(jié)束。
在雙層盤中，提供PIC區(qū)域給盤內(nèi)部圓周區(qū)域的引入和引出區(qū)域，并且相同內(nèi)容的盤信息(DI)被記錄在PIC區(qū)域中。圖3是在圖1或圖2所示盤中的PIC區(qū)域的結(jié)構(gòu)圖。如在前面描述中提到的，這意味著當(dāng)獲得在高頻調(diào)制PIC區(qū)域內(nèi)的全部信息時(shí)，可以像圖3中PIC區(qū)域的結(jié)構(gòu)一樣重新安排信息。
一種在PIC區(qū)域中配置盤信息(DI)的方法在下面詳細(xì)說明。
在BD-RE/WO中，‘一個(gè)簇(one cluster)’代表最小記錄單元，五百四十四個(gè)簇聚集成一個(gè)分段作為一個(gè)上部(upper)記錄單元，并且總共五個(gè)分段聚集以形成PIC區(qū)域。盤信息被記錄在第一分段IFO的前端簇中。按記錄層和相應(yīng)光盤允許的寫速度記錄多個(gè)盤信息，并且一個(gè)盤信息包括一百十二個(gè)字節(jié)。明確地說，用112字節(jié)構(gòu)建的盤信息稱為盤信息(DI)幀。而且，盤信息的相同內(nèi)容重復(fù)地記錄在其余分段的每個(gè)前端簇中，因此能夠克服盤信息的丟失。
代表相應(yīng)記錄層的信息，代表寫速度的信息和相應(yīng)于寫速度的寫策略信息被記錄在每個(gè)盤信息中。因此，這樣的信息在相應(yīng)光盤的記錄或再現(xiàn)中使用，因此能夠按記錄層并按寫速度提供寫功率。
按照本發(fā)明在盤信息內(nèi)記錄與盤信息類型相關(guān)聯(lián)的寫策略(WS)的方法的各種實(shí)施例下面參考圖4至12詳細(xì)地說明。
圖4是按照本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例記錄光盤的盤信息的圖，其中示意性地示出盤信息結(jié)構(gòu)。
參考圖4，多個(gè)盤信息記錄在一個(gè)盤內(nèi)，每個(gè)盤信息的記錄順序是由序列號(hào)決定的，并且記錄順序由1個(gè)字節(jié)記錄。例如，相應(yīng)信息以第5個(gè)字節(jié)記錄在盤信息中，它稱為‘在DI塊中DI幀序列號(hào)’字段并由‘00h，01h，02h，03h...’簡短地表示。即，如果第5個(gè)字節(jié)的信息是‘00h’，則它指第1個(gè)盤信息。而且，如果第5個(gè)字節(jié)的信息是‘07h’，則它指第8個(gè)的盤信息。而且，第5個(gè)字節(jié)的‘在DI塊中DI幀序列號(hào)’的意義可以用下面的方式來定義。首先，如果第5個(gè)字節(jié)的信息是‘00h’，‘00h’指第1個(gè)盤信息以及第一記錄層Layer0的1倍速盤信息?！?1h’指第2個(gè)盤信息以及第一個(gè)記錄層Layer0的2倍速盤信息?！?2h’指第3個(gè)盤信息以及第一個(gè)記錄層Layer0的4倍速盤信息。而且，‘03h’指第4個(gè)盤信息以及第一個(gè)記錄層Layer0的8倍速盤信息。記錄層信息和寫速度信息可以分別記錄在盤信息的保留區(qū)域中是理所當(dāng)然的。
而且，允許標(biāo)識(shí)盤信息的類型或種類的標(biāo)識(shí)信息被記錄在盤信息內(nèi)第N個(gè)字節(jié)名為‘DI類型’字段的特定區(qū)域中。而且，與相應(yīng)盤信息的類型交互作用的寫策略(WS)被記錄在盤信息內(nèi)另一個(gè)特定區(qū)域例如名為‘寫策略參數(shù)’字段的第L-第111個(gè)字節(jié)的區(qū)域中。即，通過‘DI類型’字段標(biāo)識(shí)相應(yīng)盤信息是處于‘CLV’模式還是處于‘CAV’模式中，并且寫策略(WS)以適合所標(biāo)識(shí)模式的方式記錄。例如，如果它是CLV模式，則只記錄用于一個(gè)記錄速度的WS。如果它是CAV模式，則必須記錄用于一個(gè)類型記錄速度組的WS(例如，三種線速度諸如1倍、1.7倍和2.4倍)。
而且，例如如果標(biāo)識(shí)盤信息類型的信息是‘0000 0000b’，則它指定義‘CLV盤信息(DI)’。如果‘0000 0001b’，則它指定義‘CAV盤信息(DI)’。
圖5示出一種在記錄用于標(biāo)識(shí)在像圖4的盤信息內(nèi)第N個(gè)字節(jié)中的盤信息類型的標(biāo)識(shí)信息的情況下記錄盤信息的示例性方法，其中為了便于說明示出一個(gè)記錄層Layer0。而且，該方法可以用相同的方式應(yīng)用，即使存在更多的記錄層。
本發(fā)明的盤信息，如前面描述中提到的，是盤制造商在盤內(nèi)預(yù)記錄區(qū)域中記錄相應(yīng)盤特征的信息。定義盤具有的寫策略(WS)，使得記錄/再現(xiàn)設(shè)備(圖12)可以在記錄/再現(xiàn)的實(shí)際應(yīng)用中使用它。因此，在記錄盤信息時(shí)，盤制造商擇優(yōu)地決定每記錄層可應(yīng)用的寫速度，并然后在第N個(gè)字節(jié)中記錄表示所決定的寫速度是相應(yīng)于CLV還是CAV方法的標(biāo)識(shí)信息。因此，按照記錄在第L-第111個(gè)字節(jié)中的CLV或CAV模式標(biāo)識(shí)與標(biāo)識(shí)信息互相配合的寫策略。
例如，用于第1個(gè)記錄層的1倍速的盤信息被記錄在作為盤信息順序的‘00h’中，盤信息類型指CAV模式，并且寫策略(WS)與它互相配合，因此CAVWS被選擇為要被記錄。用于第1個(gè)記錄層2倍速的盤信息被記錄在‘01h’中，盤信息類型指CLV模式，并且寫策略(WS)與它互相配合，因此CLV WS被選擇為要被記錄。用于第1個(gè)記錄層4倍速的盤信息被記錄在‘02h’中，盤信息類型指CLV模式，并且寫策略(WS)與它互相配合，因此CLV WS被選擇為被記錄。用于第1個(gè)記錄層8倍速的盤信息被記錄在‘03h’中，盤信息類型指CAV模式，并且寫策略(WS)與它互相配合，使得CAV WS被選擇為要被記錄。如此，CLV或CAV WS指由盤制造商選擇的一個(gè)寫策略(WS)。在CLV的情況下，寫策略將被應(yīng)用于一種寫速度。在CAV的情況下，寫策略將被應(yīng)用于一個(gè)類型寫速度或記錄速度組的多個(gè)寫速度。
圖6是按照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例記錄控制信息的圖。與圖4的實(shí)施例相比，圖6示出用于CAV模式的特定標(biāo)識(shí)被細(xì)分以應(yīng)用于寫在盤信息中第N個(gè)字節(jié)中的‘DI類型’字段。
即，在相應(yīng)盤信息指CAV模式的情況下，這被細(xì)分為標(biāo)識(shí)由寫策略(WS)提供多少速度。因此，‘DI類型’字段可被定義為如下。如果記錄在第N個(gè)字節(jié)中的‘DI類型’字段是‘0000 0001b’，則它指CAV模式并且記錄在第L-第111個(gè)字節(jié)中的寫策略(WS)被記錄為只對(duì)應(yīng)于一種速度。如果記錄在第N個(gè)字節(jié)中的‘DI類型’是‘0000 0010b’，則它指CAV模式并且記錄在第L-第111個(gè)字節(jié)中的寫策略(WS)被記錄為對(duì)應(yīng)于兩種速度。如果記錄在第N個(gè)字節(jié)中的‘DI類型’是‘0000 0011b’，則它指CAV模式并且記錄在第L-第111個(gè)字節(jié)中的寫策略(WS)被記錄為對(duì)應(yīng)于三種速度。
通常，在CAV模式的情況下，相應(yīng)盤信息具有與三種速度有關(guān)的寫策略。而且，上面說明的‘DI類型’字段的定義使盤制造商能夠在處理各種寫策略時(shí)避免有困難。而且，上面說明的‘DI類型’字段的定義使盤記錄/再現(xiàn)設(shè)備的制造商能夠開發(fā)只處理一個(gè)寫策略(WS)的廉價(jià)產(chǎn)品。
圖7是按照本發(fā)明又一個(gè)實(shí)施例記錄控制信息的圖，其中像圖4的實(shí)施例一樣用于標(biāo)識(shí)盤信息的類型的信息被記錄在盤信息內(nèi)，連同能夠標(biāo)識(shí)最終使用的寫策略的類型的另一信息。
參考圖7，能夠標(biāo)識(shí)寫策略(WS)類型的信息是要標(biāo)識(shí)多個(gè)指定的寫策略中哪一個(gè)被盤制造商選擇來使用，而用于標(biāo)識(shí)盤信息類型的信息能夠標(biāo)識(shí)相應(yīng)盤信息是CLV模式還是CAV模式。例如，如在前面描述中提到的，可以存在的諸如(n-1)WS、n/2WS等各種寫策略類型被定義為第1 WS WS-1，第2 WS WS-2，...，和第K WS WS-K。而且，由盤制造商選擇的標(biāo)識(shí)寫策略類型的信息(名為‘WS類型’)被記錄在盤信息內(nèi)。
這是通過下面與圖4的實(shí)施例相比較來說明的。首先，‘寫策略(WS)類型’字段被添加到圖4的實(shí)施例的第P個(gè)字節(jié)，使得通過與在第N個(gè)字節(jié)中的盤信息類型和在第P個(gè)字節(jié)中的寫策略(WS)類型互相配合記錄第L-第111個(gè)字節(jié)寫策略(WS)。即，它可以被定義為如下。如果在第P個(gè)字節(jié)中寫‘0000 0000b’，它指第1 WS WS-1。如果在第P個(gè)字節(jié)中寫‘0000 0010b’，它指第2 WS WS-2。而且，如果在第P個(gè)字節(jié)中寫‘XXXX XXXXb’，它指第K WS WS-K。
圖8是按照?qǐng)D7的本發(fā)明又一實(shí)施例在控制信息內(nèi)記錄寫策略的圖，以及圖9是按照?qǐng)D7的本發(fā)明又一實(shí)施例在控制信息內(nèi)記錄寫策略的另一個(gè)例子的圖。
圖8示出盤制造商可任選地在記錄多個(gè)寫策略(WS)之一時(shí)記錄全部寫速度的特定寫策略(WS)。
參考圖8，盤信息的第N個(gè)字節(jié)表示盤信息類型，盤信息的第P個(gè)字節(jié)表示寫策略(WS)類型，而與通過與第N個(gè)和第P個(gè)字節(jié)互相配合決定的一個(gè)寫策略(WS)相關(guān)聯(lián)的參數(shù)被記錄在第L-第111個(gè)字節(jié)中。
例如，用于第1記錄層的1倍速的盤信息被記錄在作為盤信息順序的‘00h’中，盤信息類型指CAV模式，寫策略(WS)類型指第1WS WS-1，并且寫策略與它們互相配合，使得CAV WS-1被選擇為要被記錄。用于第1記錄層的2倍速的盤信息被記錄在‘01h’中，盤信息類型指CLV模式，寫策略(WS)類型指第1 WS WS-1，并且寫策略與它們互相配合，使得CLV WS-1被選擇為要被記錄。用于第1記錄層的4倍速的盤信息被記錄在‘02h’中，盤信息類型指CLV模式，寫策略(WS)類型指第2 WS WS-2，并且寫策略與它們互相配合，使得CAVWS-2被選擇為要被記錄。用于第1記錄層的8倍速的盤信息被記錄在‘03h’中，盤信息類型指CAV模式，寫策略(WS)類型指第2 WS WS-2，并且寫策略與它們互相配合，使得CAV WS-2被選擇為要被記錄。
圖9示出記錄在盤信息內(nèi)的多個(gè)寫策略，其中記錄一個(gè)強(qiáng)制寫策略(WS)類型用于特定的指定寫速度(例如1倍速)，但盤制造商可任選地記錄特定寫策略(WS)用于其余的寫速度。
因此，圖9的方法不同于圖8的方法，在于寫策略(WS)類型是以強(qiáng)制方式通過在盤制造商對(duì)特定寫速度(1倍速)的選擇上施加限制來決定的。這使盤記錄/再現(xiàn)設(shè)備(圖12)的制造商能夠設(shè)計(jì)只處理一個(gè)寫策略(WS)類型的廉價(jià)產(chǎn)品。
例如，用于第1記錄層1倍速的盤信息被記錄在作為盤信息順序的‘00h’中，盤信息類型指CAV模式，寫策略(WS)類型指第1 WS WS-1，并且寫策略(WS)與它們互相配合，因此CAV WS-1以強(qiáng)制方式被選擇來記錄。用于第1記錄層2倍速的盤信息被記錄在‘01h’中，盤信息類型指CLV模式，寫策略(WS)類型指第1 WS WS-1，并且寫策略(WS)與它們互相配合，使得CLV WS-1被選擇為要被記錄。用于第1記錄層4倍速的盤信息被記錄在‘02h’中，盤信息類型指CLV模式，寫策略(WS)類型指第2 WS WS-2，并且寫策略(WS)與它們互相配合，使得CLV WS-2被選擇使得記錄。用于第1記錄層8倍速的盤信息被記錄在‘03h’中，盤信息類型指CAV模式，寫策略(WS)類型指第2 WS WS-2，并且寫策略(WS)與它們互相配合，使得CAV WS-2被選擇為要被記錄。
圖10是按照本發(fā)明的另外一個(gè)實(shí)施例記錄控制信息的圖，在其中用于CAV模式的特定標(biāo)識(shí)被細(xì)分以應(yīng)用于寫在盤信息內(nèi)第N個(gè)字節(jié)中的‘DI類型’字段，并且在其中指定寫策略(WS)類型的信息也被記錄。
參考圖10，如果相應(yīng)盤信息指CAV模式，這被細(xì)分以標(biāo)識(shí)由寫策略(WS)提供多少速度。因此，‘DI類型’字段可以按如下定義。如果記錄在第N個(gè)字節(jié)中的‘DI類型’字段是‘0000 0001b’，則它指CAV模式并且記錄在第L-111個(gè)字節(jié)中的寫策略被記錄為只相應(yīng)于一種速度。如果記錄在第N個(gè)字節(jié)中的‘DI類型’字段是‘0000 0010b’，則它指CAV模式并且記錄在第L-第111個(gè)字節(jié)中的寫策略被記錄為相應(yīng)于兩種速度。如果記錄在第N個(gè)字節(jié)中的‘DI類型’字段是‘0000 0011b’，則它指CAV模式并且記錄在第L-第111個(gè)字節(jié)中的寫策略被記錄為相應(yīng)于三種速度。
而且，‘寫策略(WS)類型’字段被添加到盤信息內(nèi)的第P個(gè)字節(jié)，使得第L-第111個(gè)字節(jié)的寫策略(WS)通過與在第N個(gè)字節(jié)中的盤信息類型和在第P個(gè)字節(jié)中的寫策略(WS)類型互相配合而被記錄。即，它可以按如下定義。如果在第P個(gè)字節(jié)中寫‘0000 0000b’，它指第1 WS WS-1。如果在第P個(gè)字節(jié)中寫‘0000 0001b’，它指第2 WS WS-2。而且，如果在第P個(gè)字節(jié)中寫‘XXXXXXXXb’，它指第K WS WS-K。
圖11是按照?qǐng)D10的本發(fā)明另外一個(gè)實(shí)施例在控制信息內(nèi)記錄寫策略的圖。
參考圖11，‘0000 0000b’寫在第N個(gè)字節(jié)的‘DI類型’字段中表示CLV模式，‘0000 0001b’寫在第P個(gè)字節(jié)的‘寫策略(WS)類型’中表示第1 WSWS-1。第5個(gè)字節(jié)是‘00h’，表示第1個(gè)記錄層的1倍速盤信息。而且，與第N個(gè)和第P個(gè)字節(jié)互相配合的特定寫策略(WS)寫在盤內(nèi)第L-第111個(gè)字節(jié)中。
當(dāng)它是CLV模式時(shí)，用于一種速度的寫策略(WS)被記錄。當(dāng)它是第1 WS WS-1時(shí)，例如，定義按‘(n-1)WS’類型的參數(shù)。因此，盤制造商在相應(yīng)盤中記錄一個(gè)最優(yōu)值。
如果‘DI類型’字段(第N個(gè)字節(jié))設(shè)置為‘0000 0001b’表示CAV模式，或者如果‘寫策略(WS)類型’字段設(shè)置為‘0000 0010b’表示第2 WS WS-2，則顯然在第L-第111個(gè)字節(jié)中寫的寫策略(WS)參數(shù)應(yīng)當(dāng)被記錄為不同于圖11中指定參數(shù)的新內(nèi)容或者相應(yīng)參數(shù)的值。
圖12是按照本發(fā)明的光盤記錄/再現(xiàn)設(shè)備的方框圖。
參考圖12，按照本發(fā)明的記錄/再現(xiàn)設(shè)備包括記錄器/再現(xiàn)器10(執(zhí)行在光盤上的記錄/再現(xiàn))和控制單元20(控制記錄器/再現(xiàn)器10)。
控制單元20給出特定區(qū)域的記錄或回放命令，并且記錄器/再現(xiàn)器10按照控制單元20的命令執(zhí)行在特定區(qū)域上的記錄/再現(xiàn)。明確地說，記錄器/再現(xiàn)器10包括接口單元12(執(zhí)行與外部設(shè)備的通信)，讀頭單元11(直接在光盤上記錄數(shù)據(jù)或者再現(xiàn)數(shù)據(jù))，數(shù)據(jù)處理器13(從讀頭單元11接收回放信號(hào)以恢復(fù)成必要的信號(hào)值或者調(diào)制以提供要被記錄的信號(hào)到要記錄在光盤上的信號(hào)中)，伺服單元14(從光盤直接讀出信號(hào)或者控制讀頭單元11在光盤上直接記錄信號(hào))，存儲(chǔ)器15(臨時(shí)存儲(chǔ)包括控制信號(hào)和數(shù)據(jù)在內(nèi)的管理信息)，和微處理機(jī)16(負(fù)責(zé)控制在記錄器/再現(xiàn)器10內(nèi)的上述元件)。
工業(yè)應(yīng)用性按照本發(fā)明的光盤的盤信息記錄過程如下詳細(xì)說明。
首先，一旦將光盤載入記錄/再現(xiàn)設(shè)備中，在盤內(nèi)的全部盤管理信息被讀出，臨時(shí)存儲(chǔ)在記錄器/再現(xiàn)器10的存儲(chǔ)器15中。而且，各種盤管理信息用于光盤的記錄/再現(xiàn)。明確地說，存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器15中的管理信息包括本發(fā)明的盤信息。因此，用于標(biāo)識(shí)記錄在盤信息內(nèi)的盤信息類型的信息，用于標(biāo)識(shí)寫策略(WS)的標(biāo)識(shí)信息、和與它們互相配合的寫策略參數(shù)被讀出，臨時(shí)存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器15中。如果想要在光盤內(nèi)的特定區(qū)域上執(zhí)行記錄，則控制單元20將這樣一個(gè)意圖提交給寫命令，隨后將它提供給記錄器/再現(xiàn)器10，連同要被記錄的寫位置信息的數(shù)據(jù)。在接收寫命令之后，微處理機(jī)16按照存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器15中的管理信息(明確地說通過盤信息)決定應(yīng)用于光盤內(nèi)一個(gè)區(qū)域的寫速度，隨后通過找出最優(yōu)寫功率(通過參考相應(yīng)于所決定的寫速度的寫策略(WS))來執(zhí)行寫命令。
因此，本發(fā)明提供各種在高密度光盤中提供處理較高寫速度的控制信息的方法。明確地說，在盤信息內(nèi)記錄寫策略(WS)時(shí)，分別記錄CLV和CAV，由此能夠有效地處理光盤的記錄/回放。
對(duì)于本領(lǐng)域熟練技術(shù)人員，很顯然可以在本發(fā)明中作出各種修改和變化方案。因而，目的是本發(fā)明要覆蓋本發(fā)明的這些修改和變化方案，如果它們落在所附的權(quán)利要求書及其等價(jià)方案中。
權(quán)利要求
1.一種在記錄介質(zhì)上記錄控制信息的方法，其特征在于，包括產(chǎn)生與至少一個(gè)記錄速度相關(guān)聯(lián)的控制信息單元，所述控制信息單元包括標(biāo)識(shí)相應(yīng)控制信息單元的類型的第一信息和依賴于所述控制信息單元的類型的寫策略信息，其中所述第一信息表示所述控制信息單元能用于CLV(恒定線速度)模式還是能用于CAV(恒定角速度)模式，以及在所述記錄介質(zhì)的特定區(qū)域上記錄所述控制信息單元。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述產(chǎn)生步驟產(chǎn)生控制信息單元，它還包括與CLV(恒定線速度)模式或CAV(恒定角速度)模式相關(guān)聯(lián)的寫策略參數(shù)，所述寫策略參數(shù)包括寫脈沖持續(xù)時(shí)間、第一寫脈沖持續(xù)時(shí)間和第一寫脈沖持續(xù)時(shí)間。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述寫策略參數(shù)還包括清除脈沖持續(xù)時(shí)間和第一清除脈沖開始時(shí)間。
4.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述產(chǎn)生步驟產(chǎn)生控制信息，它還包括如果第一信息指示所述控制信息單元是用于CAV(恒定角速度)模式，標(biāo)識(shí)所述寫策略參數(shù)相關(guān)聯(lián)的速度的第二信息。
5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，與各個(gè)速度相關(guān)聯(lián)的各個(gè)寫策略參數(shù)包含在所述控制信息單元中。
6.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，如果第一信息指示所述控制信息單元用于CLV(恒定線速度)模式，所述控制信息包括與一種記錄速度相關(guān)聯(lián)的寫策略參數(shù)。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述寫策略參數(shù)與可用于相應(yīng)記錄速度的寫策略類型相關(guān)。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述寫策略類型為可用于相應(yīng)記錄速度的至少兩種寫策略類型之一。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，與所述控制信息單元的類型和所述寫策略類型相關(guān)聯(lián)的寫策略參數(shù)包含在所述控制信息單元中。
10.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述記錄步驟將所述控制信息單元記錄在記錄介質(zhì)的可寫區(qū)域中。
11.一種在記錄介質(zhì)上記錄控制信息的方法，其特征在于，包括產(chǎn)生與一個(gè)或多個(gè)記錄速度相關(guān)聯(lián)的控制信息單元，所述控制信息單元包括指示相應(yīng)控制信息單元中限定的參數(shù)能用于CLV(恒定線速度)模式還是能用于CAV(恒定角速度)模式的第一信息以及依賴于所述記錄速度的寫策略信息；以及在所述記錄介質(zhì)的特定區(qū)域上記錄所述控制信息單元。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述寫策略信息包括包含寫脈沖持續(xù)時(shí)間、第一寫脈沖持續(xù)時(shí)間和第一寫脈沖持續(xù)時(shí)間的寫策略參數(shù)。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，所述寫策略參數(shù)還包括清除脈沖持續(xù)時(shí)間和第一清除脈沖開始時(shí)間。
14.如權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，所述產(chǎn)生步驟產(chǎn)生控制信息單元，它還包括標(biāo)識(shí)與所述寫策略參數(shù)相關(guān)聯(lián)的速度的第二信息。
15.一種在記錄介質(zhì)上記錄控制信息的方法，其特征在于，包括產(chǎn)生與一個(gè)或多個(gè)記錄速度相關(guān)聯(lián)的控制信息單元，所述控制信息單元包括與一個(gè)或多個(gè)記錄速度相關(guān)聯(lián)的寫策略信息以及指示能否使用具有所述寫策略信息的CLV(恒定線速度)模式或CAV(恒定角速度)模式的第一信息；以及在所述記錄介質(zhì)的特定區(qū)域上記錄所述控制信息單元。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述寫策略信息包括包含寫脈沖持續(xù)時(shí)間、第一寫脈沖持續(xù)時(shí)間和第一寫脈沖持續(xù)時(shí)間的寫策略參數(shù)。
17.如權(quán)利要求16所述的方法，其特征在于，所述寫策略參數(shù)還包括清除脈沖持續(xù)時(shí)間和第一清除脈沖開始時(shí)間。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述產(chǎn)生步驟產(chǎn)生控制信息單元，它還包括標(biāo)識(shí)與所述寫策略參數(shù)相關(guān)聯(lián)的速度的第二信息。
19.一種記錄介質(zhì)，其特征在于，包括設(shè)置有可記錄區(qū)域和預(yù)記錄區(qū)域的至少一個(gè)記錄層，其中在所述可記錄區(qū)域和預(yù)記錄區(qū)域上按照每個(gè)記錄速度分別提供一個(gè)介質(zhì)控制信息單元，以及其中所述介質(zhì)控制信息單元包括標(biāo)識(shí)相應(yīng)介質(zhì)控制信息單元的類型的第一信息和依賴于所述介質(zhì)控制信息單元的類型的寫策略信息，其中第一信息指示所述介質(zhì)控制信息單元能用于CLV(恒定線速度)模式還是能用于CAV(恒定角速度)模式。
20.如權(quán)利要求19所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述介質(zhì)控制信息單元還包括與CLV(恒定線速度)模式或CAV(恒定角速度)模式相關(guān)聯(lián)的寫策略參數(shù)，所述寫策略參數(shù)包括寫脈沖持續(xù)時(shí)間、第一寫脈沖持續(xù)時(shí)間和第一寫脈沖持續(xù)時(shí)間。
21.如權(quán)利要求20所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述寫策略參數(shù)還包括清除脈沖持續(xù)時(shí)間和第一清除脈沖開始時(shí)間。
22.如權(quán)利要求20所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，如果第一信息指示所述控制信息單元用于CAV(恒定角速度)模式，所述介質(zhì)控制信息單元還包括標(biāo)識(shí)與寫策略參數(shù)相關(guān)聯(lián)的速度的第二信息。
23.如權(quán)利要求22所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，與各個(gè)速度相關(guān)聯(lián)的各個(gè)寫策略參數(shù)包含在控制信息單元中。
24.如權(quán)利要求20所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，如果第一信息指示所述介質(zhì)控制信息單元用于CLV(恒定線速度)模式，所述介質(zhì)控制信息單元包括與一種記錄速度相關(guān)聯(lián)的寫策略參數(shù)。
25.如權(quán)利要求19所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述寫策略參數(shù)與可用于相應(yīng)記錄速度的寫策略類型相關(guān)聯(lián)。
26.如權(quán)利要求25所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，所述寫策略類型是可用于相應(yīng)記錄速度的至少兩種寫策略類型之一。
27.如權(quán)利要求25所述的記錄介質(zhì)，其特征在于，與介質(zhì)控制信息單元的類型和寫策略類型相關(guān)的寫策略參數(shù)包含在介質(zhì)控制信息單元中。
28.一種在記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)的設(shè)備，其特征在于，包括一光盤讀頭，在所述記錄介質(zhì)上記錄數(shù)據(jù)或讀取數(shù)據(jù)；一產(chǎn)生單元，用于產(chǎn)生與至少一種記錄速度相關(guān)的控制信息單元，所述控制信息單元包括標(biāo)識(shí)相應(yīng)控制信息單元的類型的第一信息和依賴于所述控制信息單元的類型的寫策略信息，其中第一信息指示所述控制信息單元能用于CLV(恒定線速度)模式還是能用于CAV(恒定角速度)模式；以及一控制器，控制所述光盤讀頭將控制信息記錄在記錄介質(zhì)的特定區(qū)域中。
29.如權(quán)利要求28所述的設(shè)備，其特征在于，所述控制器控制所述光盤讀頭將控制信息記錄在記錄介質(zhì)的特定區(qū)域的可寫入?yún)^(qū)域中。
全文摘要
本發(fā)明提供一種方法，在包括至少一個(gè)記錄層的可記錄光盤中記錄控制信息。在包括至少一個(gè)或多個(gè)記錄層的光盤的管理區(qū)域內(nèi)記錄控制信息時(shí)，本發(fā)明包括按照記錄速度給至少一個(gè)或多個(gè)記錄層的每一個(gè)提供控制信息，記錄標(biāo)識(shí)控制信息內(nèi)的相應(yīng)控制信息的信息，并且記錄與控制信息的類型互相配合的寫策略(WS)。在盤信息內(nèi)記錄寫策略(WS)時(shí)，分別記錄CLV和CAV，由此能夠有效地處理光盤的記錄/回放。
文檔編號(hào)G11B7/007GK1881426SQ20061010073
公開日2006年12月20日 申請(qǐng)日期2004年7月5日 優(yōu)先權(quán)日2003年7月7日
發(fā)明者徐相運(yùn), 金進(jìn)鏞 申請(qǐng)人:Lg電子株式會(huì)社