專利名稱：垂直磁記錄介質(zhì)、其制造方法與磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)、其制造方法以及利用這種磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備。
背景技術(shù)：
鑒于隨著存記錄度的增加而靜磁穩(wěn)定性增強(qiáng)，從而熱起伏公差提高，垂直磁記錄方法成為提高表面記錄密度的適當(dāng)?shù)某Ｒ?guī)方法。這是因?yàn)椋庞涗浗橘|(zhì)易磁化軸過(guò)去取向在磁記錄介質(zhì)面內(nèi)方向，通過(guò)使磁記錄介質(zhì)的易磁化軸取向?yàn)榻橘|(zhì)的垂直方向，在各記錄位之間的邊界的磁轉(zhuǎn)換區(qū)附近的逆磁場(chǎng)(diamagnetic field)會(huì)變小。
進(jìn)而，在一層由軟磁性材料組成的底層被設(shè)置在基底與垂直磁記錄膜之間的情況中，可以得到更高的記錄容量，該層被稱為垂直雙層介質(zhì)(perpendicular 2-layer medium)。此時(shí)，軟磁性底層的作用為實(shí)現(xiàn)來(lái)自磁頭的記錄磁場(chǎng)的回流，從而提高了記錄與再現(xiàn)的效率。
近些年來(lái)，積極地研究了用作垂直磁記錄膜的添加到顆粒磁記錄層(granular magnetic recording layer)的氧化物。與作為這種層的CoCr合金相比，其中通過(guò)加熱基底到200℃來(lái)在晶界隔離Cr，而顆粒磁記錄層的特征在于，不需加熱就可以得到較CoCr更好的隔離結(jié)構(gòu)。(例如，參見專利文件1及專利文件2。) 日本未審專利公開，首次公布No.2003-178412。
日本未審專利公開，首次公布No.2004-22138。

發(fā)明內(nèi)容
如前文所述，已有多種利用不同襯層的垂直磁記錄介質(zhì)被提出，但這些仍不足以獲得一種具有更高記錄密度的磁記錄介質(zhì)，因此需要能夠解決這一問(wèn)題并且能夠容易制造的磁記錄介質(zhì)。
本發(fā)明考慮到上述情況，目的在于通過(guò)使垂直惻記錄膜具有不同成分的分層結(jié)構(gòu)來(lái)提供一種能夠記錄和再現(xiàn)高密度數(shù)據(jù)的磁記錄介質(zhì)，及其制造方法和磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備。
本發(fā)明采用下面的配置來(lái)解決上述問(wèn)題。也就是說(shuō)，本發(fā)明提供以下內(nèi)容(1)在作為垂直磁記錄介質(zhì)的磁記錄介質(zhì)中，至少由底層(backinglayer)、中間層、垂直磁記錄膜以及保護(hù)膜依次形成在非磁性基底上，其特征在于，垂直磁記錄膜由包含粒狀結(jié)構(gòu)的兩層構(gòu)成，其中至少包含Co、Pt和氧化物，提供在基底一側(cè)的下層記錄膜與提供在保護(hù)膜一側(cè)的上層記錄膜相比飽和磁化強(qiáng)度較小。
(2)根據(jù)(1)中所述的磁記錄介質(zhì)，其中，下層記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)不高于600(emu/cm3)。
(3)根據(jù)(1)中所述的磁記錄介質(zhì)，其中，下層記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)不小于150(emu/cm3)且不大于500(emu/cm3)。
(4)根據(jù)(1)到(3)中的任何一款所述的磁記錄介質(zhì)，其中，上層記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)不低于500(emu/cm3)。
(5)根據(jù)(1)到(4)中的任何一款所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述垂直磁記錄膜中包含的該氧化物使SiO2，Cr2O3，Y2O3，TiO2，Ta2O5及SiO中的任意一種。
(6)根據(jù)(1)到(5)中的任何一款所述的磁記錄介質(zhì)，其中，下層記錄膜中除Co，Pt和所述氧化物之外的非磁性元素不少于12(at％)且不多于20(at％)。
(7)根據(jù)(1)到(6)中的任何一款所述的磁記錄介質(zhì)，其中，上層記錄膜中除Co，Pt和所述氧化物之外的非磁性元素少于12(at％)。
(8)根據(jù)(1)到(7)中的任何一款所述的磁記錄介質(zhì)，其中，該非磁性元素選自Cr，Ru和Cu中的任意一種。
(9)根據(jù)(1)到(8)中的任何一款所述的磁記錄介質(zhì)，其中，該垂直磁記錄膜的反轉(zhuǎn)磁疇(reverse magnetic domain)成核場(chǎng)(-Hn)不小于1500(Oe)(120k/A)。
(10)根據(jù)(1)到(9)中的任何一款所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述中間層為Ru。
(11)一種制備磁記錄介質(zhì)方法，該方法為制備垂直磁記錄介質(zhì)方法，該垂直磁記錄介質(zhì)至少包括依次形成在非磁性基底上的底層、中間層、垂直磁記錄膜和保護(hù)膜，該方法包括步驟形成由兩層組成且具有至少包含Co、Pt和氧化物的顆粒結(jié)構(gòu)的垂直磁記錄膜，使得基底一側(cè)的下層部分具有較高的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)，保護(hù)膜一側(cè)的上層部分具有較低的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)。
(12)一種磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備，包括磁記錄介質(zhì)和在該磁記錄介質(zhì)上記錄與再現(xiàn)信息的磁頭，其特征在于，該磁頭為單磁極磁頭，并且根據(jù)(1)到(10)中任何一款所述的磁記錄介質(zhì)被用作該磁記錄介質(zhì)。
根據(jù)本發(fā)明，垂直磁記錄介質(zhì)中的一種磁記錄介質(zhì)，其中至少底層、中間層、垂直磁記錄膜以及保護(hù)膜依次形成在非磁性基底上，其特征在于，該垂直磁記錄介質(zhì)由具有至少包含Co、Pt和氧化物的顆粒結(jié)構(gòu)的兩層構(gòu)成，設(shè)置在基底一側(cè)的下層記錄膜的磁化度(Ms)小于設(shè)置在保護(hù)膜一側(cè)的上層記錄膜的磁化度(Ms)。因此，能夠提供以高記錄密度記錄和再現(xiàn)信息的垂直磁記錄介質(zhì)，及其制造方法以及磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備。
附圖簡(jiǎn)要說(shuō)明

圖1示出了本發(fā)明的垂直磁記錄介質(zhì)的截面結(jié)構(gòu)；
圖2示出了本發(fā)明的垂直記錄和再現(xiàn)設(shè)備的結(jié)構(gòu)。
相關(guān)符號(hào)簡(jiǎn)要介紹1非磁性基底，2第一軟磁性膜，3Ru膜，4第二軟磁性膜，5取向控制膜，6中間膜，7較低層磁記錄膜，8較高層磁記錄膜，9垂直磁記錄膜，10磁記錄介質(zhì)，11介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部分，12磁頭，13磁頭驅(qū)動(dòng)單元，14記錄/再現(xiàn)信號(hào)處理系統(tǒng)，17保護(hù)膜，18潤(rùn)滑膜實(shí)施本發(fā)明的最佳模式圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的磁記錄介質(zhì)的例子。如圖1所示的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)設(shè)置有包括作為底層的第一軟磁性膜2，Ru膜3和第二軟磁性膜4的三個(gè)層，還設(shè)置有取向控制膜5和中間膜6，并進(jìn)一步設(shè)置有包括兩個(gè)層即，較低層磁記錄膜7和其上面的較高層磁記錄膜8的垂直磁記錄膜9，以及保護(hù)膜17和潤(rùn)滑膜18，這些層/膜依次形成在非磁性基底上。
對(duì)于非磁性基底，可以使用包含例如鋁或鋁合金等金屬材料的金屬基底，或者可以使用包括例如玻璃、陶瓷、硅、碳化硅或碳等非金屬材料的非金屬基底。
作為玻璃基底，有非晶玻璃和晶體玻璃，而對(duì)于非晶玻璃，可以使用普通蘇打-石灰玻璃或鋁矽酸鹽玻璃。此外，作為晶體玻璃，可使用鋰類晶體玻璃。
非磁性基底的表面平均粗糙度Ra被制作為不大于0.4納米是可以接受的，而優(yōu)選為不大于0.3納米。在該平均粗糙度在上述范圍的情況下，當(dāng)進(jìn)行了垂直磁記錄膜的沉積后，能夠獲得特性的進(jìn)一步的提高。進(jìn)而，考慮到要適用于磁頭在高密度記錄介質(zhì)上的浮動(dòng)高度低的情況，使所述表面平均表面粗糙度不大于0.4納米是優(yōu)選的。
此外，考慮到要適用于磁頭在高密度記錄介質(zhì)上的浮動(dòng)高度低的情況，優(yōu)選使微波紋(Wa)不大于0.3納米，最優(yōu)選為不大于0.25納米。
對(duì)于構(gòu)成底層的材料，第一和第二軟磁性膜包括軟磁性材料，作為這種材料，可以給出包括Fe，Co和Ni在內(nèi)的材料。關(guān)于這種材料，可以給出FeCo合金(FeCoB，F(xiàn)eCoSiB，F(xiàn)eCoZr，F(xiàn)eCoZrB，F(xiàn)eCoZrBCu等)、FeTa合金(FeTaN，F(xiàn)eTaC等)以及Co合金(CoTaZr，CoZrNB，CoB等)。
所述軟磁性膜特別優(yōu)選為是非晶結(jié)構(gòu)。這是由于通過(guò)將其制作為非晶結(jié)構(gòu)，諸如顆粒尺寸膨脹、在其上提供的襯層膜取向退化等負(fù)面影響不會(huì)顯現(xiàn)。此外，通過(guò)將其制作為非晶結(jié)構(gòu)，可以防止表面粗糙度的增大，并可以使磁頭浮動(dòng)的高度降低，從而可以進(jìn)一步提高存記錄度成。
該軟磁性膜的頑磁性Hc不大于30(Oe)，優(yōu)選不大于10(Oe)。此外，1(Oe)大約相當(dāng)于79A/m。
該軟磁性膜的飽和磁場(chǎng)流量密度Bs不小于1.0T，優(yōu)選不小于1.3T。
構(gòu)成底層的軟磁性膜的總膜厚不小于20納米，且不大于120納米，優(yōu)選為不小于30納米，且不大于100納米。如該軟磁性膜的總膜厚小于20納米，則OW特性降低，這是所不期望的。另外，如果超過(guò)了120納米，則生產(chǎn)率顯著惡化，這是所不期望的。
作為所述軟磁性膜的形成方法，也可使用濺射法。
在形成所述底層時(shí)，也可以在將磁場(chǎng)施加于徑向的狀態(tài)下進(jìn)行沉積。
優(yōu)選在所述兩層軟磁性膜之間形成至少Ru膜或Re膜來(lái)配置該底層。通過(guò)在所述軟磁性膜之間提供Ru膜或Re膜，并設(shè)置為預(yù)期厚度，能夠反鐵磁性地束縛設(shè)置在上面和下面的所述軟磁性膜。通過(guò)這種設(shè)置，可以進(jìn)一步增強(qiáng)WATE(大面積磁道擦除)現(xiàn)象，這是垂直介質(zhì)特有的問(wèn)題。
取向控制膜是用于控制設(shè)置于其上的垂直磁記錄膜的取向和晶體尺寸等的材料。用于該取向控制膜的材料優(yōu)選為具有hcp或fcc結(jié)構(gòu)的晶體結(jié)構(gòu)。如果該結(jié)構(gòu)不是fcc結(jié)構(gòu)(例如bcc結(jié)構(gòu)或非晶結(jié)構(gòu))，則垂直磁記錄膜的取向性不足，結(jié)果，導(dǎo)致信噪比(SNR)的降低及頑磁性的降低，這是不期望的。
作為取向控制膜，優(yōu)選的例子有Pt，Pd，NiCr，NiFeCr等。取向控制膜的膜厚優(yōu)選為不小于1納米，且不大于12。如果該取向控制膜厚度小于1納米，作為取向控制膜的效用變得不足，達(dá)不到顆粒尺寸小型化的效果，且達(dá)不到和增強(qiáng)取向性的效果，這是所不期望的。此外，如果該取向控制膜厚度超過(guò)12納米，記錄和再現(xiàn)時(shí)，磁頭與軟磁性底層之間的距離增大。從而OW特性和再現(xiàn)信號(hào)分辨率下降，這是所不期望的。
作為所述中間膜，優(yōu)選使用Ru。對(duì)于該中間膜，可以添加附加元素以增強(qiáng)顆粒尺寸最小化和取向性。
該中間膜的膜厚優(yōu)選為不小于3(nm)，且不大于25(nm)。當(dāng)該襯膜厚度小于3(nm)時(shí)，晶體生長(zhǎng)變得不充分，而且作為該襯膜的效應(yīng)變得不充分，這是所不期望的。另外，當(dāng)該襯膜厚度超過(guò)25(nm)時(shí)，在記錄和再現(xiàn)時(shí)，磁頭與軟磁性底層之間的距離增大。從而OW特性和再現(xiàn)信號(hào)分辨率下降，這是所不期望的。
垂直磁記錄膜的易磁化軸垂直于基底側(cè)面。作為構(gòu)成元素，至少包括Co，Pt和氧化物，另外，可以添加例如Cr，B，Cu，Ta，Zr和Mn等元素，以達(dá)到諸如提高信噪比特性等目的。
構(gòu)成垂直磁記錄膜的氧化物的優(yōu)選例子是，SiO2，Cr2O3，Y2O3，TiO2，Ta2O5，SiO等。所述氧化物的體積比優(yōu)選在15％-40體積％之間，若該體積比低于15％，由于信噪比特性不足，這是不期望的。若該體積比高于40％，則不能獲得與高記錄密度相應(yīng)的頑磁性，這也是不期望的。
垂直磁記錄膜的厚度優(yōu)選在8-18納米范圍內(nèi)。氧化物顆粒層的厚度在這一范圍內(nèi)是優(yōu)選的，因?yàn)榭梢源_保足夠的輸出量，并且不會(huì)產(chǎn)生OW特性退化。
本發(fā)明中使用的垂直磁記錄膜具有所謂的顆粒結(jié)構(gòu)，該顆粒結(jié)構(gòu)是這樣一種結(jié)構(gòu)，其中磁性晶粒周圍被非磁性非金屬材料包圍。在顆粒磁性層中，由于非磁性非金屬的晶界相將磁性粒子物理地隔離，使得磁性粒子之間的磁性相互作用減弱，在記錄位的轉(zhuǎn)換區(qū)(transition region)產(chǎn)生的鋸齒形磁疇壁的形成得到控制。因此，能夠得到低的噪聲特性。此外，在這種顆粒磁記錄層中，用做晶界相的非磁性非金屬材料將磁性粒子隔離，能夠減弱磁性粒子之間的相互作用。
本發(fā)明的垂直磁記錄膜包括構(gòu)成層疊結(jié)構(gòu)的下層記錄膜和上層記錄膜，并且優(yōu)選下層記錄膜的磁化度(Ms)小于上層記錄膜飽的磁化度(Ms)。通過(guò)這樣設(shè)置這兩層膜，能夠兼容得到高的反轉(zhuǎn)磁疇成核場(chǎng)(-Hn)和低的信噪比(SNR)。
所述下層記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)優(yōu)選不大于600(emu/cm3)。特別地，優(yōu)選介于不小于150(emu/cm3)，且不大于500(emu/cm3)的范圍。在這一范圍內(nèi)的磁記錄介質(zhì)表現(xiàn)出非常好的信噪比。所述上層記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)優(yōu)選不低于500(emu/cm3)。低于該值不是所期望的，因?yàn)榉崔D(zhuǎn)磁疇成核場(chǎng)(-Hn)降低。
構(gòu)成下層記錄膜的除Co、Pt和氧化物之外的非磁性元素優(yōu)選不少于12at％，且不多于20％。通過(guò)使其含量處于此范圍內(nèi)，可以獲得最佳的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)，以及與高記錄密度相應(yīng)的信噪比。
構(gòu)成下層記錄膜的除Co、Pt和氧化物之外的非磁性元素優(yōu)選為少于12at％。通過(guò)使其含量處于此范圍內(nèi)，可以獲得最佳的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)，和與高記錄密度相應(yīng)的信噪比，以及高反磁疇產(chǎn)生場(chǎng)(-Hn)。
構(gòu)成下層記錄膜和上層記錄膜的非磁性元素優(yōu)選包括Cr、Ru和Cu中的任何一種。這使得可以充分地強(qiáng)化所述氧化物的隔離結(jié)構(gòu)，從而形成良好的顆粒結(jié)構(gòu)。
所述垂直磁記錄膜的反磁疇產(chǎn)生場(chǎng)(-Hn)優(yōu)選為不小于1500(Oe)。如果該反磁疇產(chǎn)生場(chǎng)(-Hn)小于1500(Oe)，則熱起伏公差會(huì)有相當(dāng)程度的降低，這是所不期望的。
所述保護(hù)膜是這樣一種材料，除了用于防止垂直磁記錄膜的腐蝕，還用于當(dāng)磁頭接觸所述介質(zhì)時(shí)防止介質(zhì)表面的損傷，并且可以使用常規(guī)的已知材料。例如，可以使用包含C、SiO2或ZrO2的材料。將保護(hù)膜的厚度制作為不小于1納米，且不大于5納米，從而使得介質(zhì)與磁頭之間的距離很小，從高記錄密度的需求看，這是優(yōu)選的。
對(duì)于潤(rùn)滑膜，優(yōu)選使用常規(guī)的已知材料，例如，氟化聚醚(perfluoropolyether)，氟化乙醇(fluorinated alcohol)，氟化羧酸(fluorinated carboxylic acid)等。
本方案的磁記錄介質(zhì)包括垂直磁記錄介質(zhì)，該垂直磁記錄介質(zhì)至少包括依次形成在非磁性基底上的底層、中間層、垂直磁記錄膜以及保護(hù)膜，該磁記錄介質(zhì)的特征在于，該垂直磁記錄介質(zhì)由至少包含Co、Pt和氧化物的包含顆粒結(jié)構(gòu)的兩個(gè)層構(gòu)成，并且設(shè)置在基底一側(cè)的下層記錄膜1的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)小于設(shè)置在保護(hù)膜一側(cè)的上層記錄膜2的飽和磁化強(qiáng)度。從而使得高密度的信息記錄和再現(xiàn)成為可能。
圖2示出了利用上述磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備的例子。這里所示出的該磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備裝備有本發(fā)明的上述磁記錄介質(zhì)10，旋轉(zhuǎn)該磁記錄介質(zhì)10的介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部分11，在該磁記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)信息的磁頭12，磁頭驅(qū)動(dòng)單元13以及記錄/再現(xiàn)信號(hào)處理系統(tǒng)14。該記錄/再現(xiàn)信號(hào)處理系統(tǒng)14能夠處理輸入數(shù)據(jù)，并能夠?qū)⒂涗浶盘?hào)傳送到磁頭12，或者處理來(lái)自磁頭12的再現(xiàn)信號(hào)并輸出數(shù)據(jù)。
例子下文描述了一些例子以闡明本發(fā)明的操作效果，但是本發(fā)明并不局限于這些例子。
例1一塊玻璃基底(非晶基底MEL，MYG產(chǎn)品，直徑2.5英寸)被容納在直流磁電管濺射器的沉積室中(Aneruva Corp.，C3010)，并且該沉積室抽真空到1×10-5量級(jí)。將基底加熱后，在該基底上首先沉積50納米厚的89Co-4Zr-7Nb(Co 89at％含量，Zr 4at％含量，Nb含量7at％)底層作為第一軟磁性膜，接下來(lái)沉積要處于兩膜之間的0.8納米的Ru膜，和50納米厚的89Co-4Zr-7Nb作為第二軟性膜。通過(guò)XRD確定該底層的晶體結(jié)構(gòu)為非晶結(jié)構(gòu)。
接下來(lái)，沉積5納米的60Ni-35Cr-5B作為取向控制膜，15納米的Ru作為襯膜，4納米的60Co-15Cr-15Pt-10SiO2和8納米的70Co-5Cr-15Pt-10SiO2作為垂直磁記錄膜。60Co-15Cr-15Pt-10SiO2和70Co-5Cr-15Pt-10SiO2的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)通過(guò)振動(dòng)樣品磁力計(jì)(VSM)分別確定為250(emu/cm3)和680(emu/cm3)。繼而，通過(guò)化學(xué)氣相沉積方法形成4納米的保護(hù)膜。
接下來(lái)，通過(guò)浸漬法形成包括氟化聚醚的潤(rùn)滑膜，從而得到了垂直磁記錄介質(zhì)。
比較例1到4除了改變垂直磁記錄膜的結(jié)構(gòu)之外，用和例1相同的方法制造磁記錄介質(zhì)。
對(duì)這些例子和比較例的磁記錄介質(zhì)的記錄和再現(xiàn)特性進(jìn)行了測(cè)定。用美國(guó)GUZIK Co.的RWA1632型讀/寫分析器和S1701MP型自旋支架(spin-stand)來(lái)進(jìn)行該記錄和再現(xiàn)特性的測(cè)定。
利用具有進(jìn)行寫入的單極磁極和再現(xiàn)部分中的GMR元件的磁頭來(lái)進(jìn)行記錄和再現(xiàn)特性的測(cè)定，并且記錄頻率條件定為磁道記錄密度900kFCL。測(cè)定的結(jié)果如表1所示。靜磁特性利用刻爾效應(yīng)測(cè)試儀(Neoarc制造)確定。
與比較例1到4相比，在樣品1中確認(rèn)了非常好的信噪比。此外，可以理解反磁疇產(chǎn)生場(chǎng)(-Hn)沒有降低，熱波動(dòng)阻抗也沒有問(wèn)題。
(例2到6)除了如表2所示改變下層記錄膜的成分之外，用和例1相同的方法制造磁記錄介質(zhì)。測(cè)定的結(jié)果如表2所示。
在下層記錄膜比上層記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)小的例子中，可以得到較好的SNR和反磁疇產(chǎn)生場(chǎng)(-Hn)。特別地，在下層記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)不小于150(emu/cm3)，且不大于500(emu/cm3)的例子中，能夠獲得很好的特性。
(例7、8)除了如表3所示改變上層記錄膜的成分之外，用和例1相同的方法制造磁記錄介質(zhì)。測(cè)定的結(jié)果如表3所示。
在下層記錄膜比上層記錄膜飽和磁化強(qiáng)度(Ms)小的例子中，可以得到較好的信噪比和反磁疇產(chǎn)生場(chǎng)(-Hn)。特別地，在上層記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度不小于500(emu/cm3)的例子中，能獲得很好的特性。
(例9到12)除了如表4所示改變上層記錄膜和下層記錄膜的厚度之外，用和制備例1中的樣品相同的方法制造例9到12的磁記錄介質(zhì)。測(cè)定的結(jié)果如表4所示。
在每個(gè)所述磁記錄介質(zhì)中，都可以得到較好的特性。
(樣品13到21)除了入表5所示改變垂直磁記錄膜的構(gòu)成元素之外，用和例1相同的方法制造磁記錄介質(zhì)。測(cè)定的結(jié)果如表5所示。
在每種所述磁記錄介質(zhì)中都可以得到較好的特性。
圖2所示為利用上述磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備。這里示出的該磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備裝配有本發(fā)明的上述磁記錄介質(zhì)10，旋轉(zhuǎn)該磁記錄介質(zhì)10的介質(zhì)驅(qū)動(dòng)部分11，在該磁記錄介質(zhì)10上記錄和再現(xiàn)信息的磁頭12，磁頭驅(qū)動(dòng)部分13以及記錄/再現(xiàn)信號(hào)處理系統(tǒng)14。該記錄/再現(xiàn)信號(hào)處理系統(tǒng)14能夠處理輸入數(shù)據(jù)并記錄信號(hào)傳送到磁頭12，或者處理來(lái)自磁頭12的再現(xiàn)信號(hào)，并輸出數(shù)據(jù)。
裝配了具有如圖2所示結(jié)構(gòu)，并采用如上所述獲得的磁記錄介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備。
本發(fā)明的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備具有較高的信噪比與OW特性，并且是能夠?qū)崿F(xiàn)高密度信息記錄和再現(xiàn)的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備。






權(quán)利要求
1.一種垂直磁記錄介質(zhì)，至少包括依次形成在非磁性基底上的底層、中間層、垂直磁記錄膜和保護(hù)膜，其中所述垂直磁記錄膜由包括顆粒結(jié)構(gòu)的兩層構(gòu)成，其中至少包含Co、Pt和氧化物，并且設(shè)置在基底側(cè)的下層垂直磁記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)小于設(shè)置在保護(hù)膜側(cè)的上層垂直磁記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述下層垂直磁記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)不超過(guò)600emu/cm3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述下層垂直磁記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)不小于150emu/cm3，且不大于500emu/cm3。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述上層垂直磁記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)不小于500emu/cm3。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的磁記錄介質(zhì)，其中，包含在所述垂直磁記錄膜中的所述氧化物是選自由SiO2，Cr2O3，Y2O3，TiO2，Ta2O5和SiO組成的組中的任何一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述下層垂直磁記錄膜中除Co、Pt和所述氧化物之外的非磁性元素的含量不小于12at％，且不大于20at％。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到6中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述上層記錄膜中除Co、Pt和所述氧化物之外的非磁性元素的含量低于12at％。
8.根據(jù)權(quán)利要求1到7中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述非磁性元素為選自Cr、Ru和Cu中的任一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到8中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述垂直磁記錄膜的反磁疇成核場(chǎng)(-Hn)不小于1500Oe(120k/A)。
10.根據(jù)權(quán)利要求1到9中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的磁記錄介質(zhì)，其中，所述中間膜為Ru。
11.一種制備垂直磁記錄介質(zhì)的方法，該垂直磁記錄介質(zhì)至少包括依次形成于非磁性基底上的底層、中間層、垂直磁記錄膜以及保護(hù)膜，其中所述垂直磁記錄膜形成為兩個(gè)層，包括具有顆粒結(jié)構(gòu)的含有Pt、Co和氧化物的下層和上層，所述方法包括步驟在基底側(cè)形成具有較高飽和磁化強(qiáng)度(Ms)的下層垂直磁記錄膜，隨后，在所述下層垂直磁記錄膜上形成具有較低飽和磁化強(qiáng)度(Ms)的上層垂直磁記錄膜。
12.一種磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備，包括磁記錄介質(zhì)和在該磁記錄介質(zhì)上記錄和再現(xiàn)信息的磁頭，其中，所述磁頭為單磁極磁頭，并且根據(jù)權(quán)利要求1到10中的任何一個(gè)權(quán)利要求所述的磁記錄介質(zhì)用作所述磁記錄介質(zhì)。
全文摘要
提供了一種具有更高記錄密度的垂直磁記錄介質(zhì)，以及利用這種介質(zhì)的磁記錄和再現(xiàn)設(shè)備。該垂直磁記錄介質(zhì)至少包括依次形成在非磁性基底上的底層、中間層、垂直磁記錄膜以及保護(hù)膜，其中，所述垂直磁記錄膜由具有不同成分的兩層構(gòu)成，該兩層至少包含Co、Pt和氧化物并具有顆粒結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述基底一側(cè)的下層垂直磁記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)小于設(shè)置在保護(hù)膜一側(cè)的在該下層垂直磁記錄膜上的上層記錄膜的飽和磁化強(qiáng)度(Ms)。
文檔編號(hào)G11B5/851GK101040326SQ200580034550
公開日2007年9月19日 申請(qǐng)日期2005年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月29日
發(fā)明者清水謙治 申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社