專利名稱：用于測(cè)試隧道磁電阻效應(yīng)元件的方法和設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于測(cè)試使用隧道磁電阻效應(yīng)的隧道磁電阻效應(yīng)(TMR)元件，例如TMR磁頭元件，或者磁電阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)的方法和設(shè)備。
背景技術(shù)：
在制造磁頭期間或之后，為了確定帶有磁電阻效應(yīng)(MR)磁頭元件的薄膜磁頭是否是無(wú)缺陷的產(chǎn)品，通常實(shí)施評(píng)價(jià)測(cè)試。所述評(píng)價(jià)測(cè)試包括穩(wěn)定性測(cè)試，用于驗(yàn)證不會(huì)從MR磁頭元件中產(chǎn)生任何隨機(jī)的電報(bào)噪聲(RTN)，例如巴克豪森噪聲(BHN)，以及可靠性測(cè)試，用于驗(yàn)證MR磁頭元件的擊穿電壓足夠高，從而經(jīng)得起長(zhǎng)期的使用。
實(shí)際上，對(duì)于所有制造的MR磁頭元件，通過(guò)使用例如動(dòng)態(tài)性能(DP)試驗(yàn)機(jī)來(lái)實(shí)施穩(wěn)定性測(cè)試，驗(yàn)證在預(yù)定的時(shí)間內(nèi)磁頭元件再現(xiàn)的輸出(reproduced output)不會(huì)由于RTN而超過(guò)閾值。但是，因?yàn)镽TN是突發(fā)噪聲，所以它在預(yù)定的時(shí)間內(nèi)不會(huì)產(chǎn)生。即便產(chǎn)生了RTN，由于其低于閾值水平而檢測(cè)不到。
日本專利申請(qǐng)第2000-260012公開(kāi)了一種標(biāo)準(zhǔn)MR磁頭元件而不是TMR磁頭元件的測(cè)試方法。在該方法中，通過(guò)重復(fù)實(shí)施向MR磁頭元件施加AC記錄電流和外部DC磁場(chǎng)的步驟，以及在施加后測(cè)試再現(xiàn)特性的步驟來(lái)評(píng)價(jià)MR磁頭元件再現(xiàn)的輸出中的變化。
但是，這種測(cè)試方法不僅額外需要用來(lái)向MR磁頭元件施加外部DC磁場(chǎng)的磁場(chǎng)產(chǎn)生設(shè)備，而且由于外部磁場(chǎng)的施加會(huì)不利地影響MR磁頭元件的偏置磁場(chǎng)。另外，通過(guò)所述方法甚至很難可靠地檢測(cè)突發(fā)噪聲RTN。
應(yīng)當(dāng)注意，測(cè)量磁頭擊穿電壓的傳統(tǒng)可靠性測(cè)試不能對(duì)所有的磁頭實(shí)行，因?yàn)樵趽舸╇妷簻y(cè)量期間，傳統(tǒng)測(cè)試會(huì)破壞磁頭。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種測(cè)試TMR元件的方法和設(shè)備，從而可以非常容易地驗(yàn)證TMR元件的穩(wěn)定性和可靠性而不會(huì)破壞元件。
根據(jù)本發(fā)明，測(cè)試TMR元件的方法包括初始測(cè)量TMR元件的電阻值，提供所測(cè)量的電阻值作為第一電阻值的步驟；在連續(xù)使電流通過(guò)TMR元件預(yù)定的時(shí)間后，測(cè)量TMR元件的電阻值，提供所測(cè)量的電阻值作為第二電阻值的步驟；以及根據(jù)TMR元件電阻變化的程度來(lái)評(píng)價(jià)TMR元件的步驟。電阻變化的程度基于第一電阻值和第二電阻值來(lái)確定。
至于多個(gè)TMR元件，基于第一電阻值(初始電阻值)和第二電阻值(就在使電流連續(xù)通過(guò)TMR元件預(yù)定的時(shí)間后的電阻值)確定的其電阻變化程度的分布，即電阻值變化率或者電阻值變化量的分布兩極分化成兩組。第一組是具有大的電阻值變化率或者大的電阻值變化量的TMR元件組，而第二組是具有小的電阻值變化率或者小的電阻值變化量的TMR元件組。第一組中許多TMR元件產(chǎn)生RTN，而第二組中很少的TMR元件產(chǎn)生RTN。另外，第一組中的TMR元件的擊穿電壓低于第二組中TMR元件。因此，通過(guò)根據(jù)從第一或初始電阻值到第二電阻值，即就在使電流連續(xù)通過(guò)TMR元件預(yù)定時(shí)間后的電阻值的變化量來(lái)驗(yàn)證TMR元件的穩(wěn)定性和可靠性，可以非常容易地評(píng)價(jià)TMR元件是無(wú)缺陷/有缺陷的。另外，因?yàn)閷?shí)施所述評(píng)價(jià)測(cè)試不會(huì)破壞TMR元件，所以可以100％檢查制造的TRM元件。
優(yōu)選所述評(píng)價(jià)步驟包括使用變化率R2/R1來(lái)評(píng)價(jià)TRM元件，其中R2表示第一電阻值，R1表示第二電阻值。
還優(yōu)選所述評(píng)價(jià)步驟包括當(dāng)變化率R2/R1大于預(yù)定閾值時(shí)判斷TMR元件是無(wú)效產(chǎn)品的步驟。在此情況下，優(yōu)選預(yù)定的閾值是位于97.5-98.5(％)范圍內(nèi)的預(yù)定值。
優(yōu)選所述預(yù)定的時(shí)間是兩到三分鐘的預(yù)定時(shí)間。
還優(yōu)選所述TRM元件是TMR磁頭元件或者M(jìn)RAM。
根據(jù)本發(fā)明，用于測(cè)試TMR元件的設(shè)備包括初始測(cè)量TMR元件的電阻值，提供所測(cè)量的電阻值作為第一電阻值的單元；在連續(xù)使電流通過(guò)TMR元件預(yù)定的時(shí)間后，測(cè)量TMR元件的電阻值，提供所測(cè)量的電阻值作為第二電阻值的單元；以及根據(jù)TMR元件電阻變化的程度來(lái)評(píng)價(jià)TMR元件的單元。電阻變化的程度基于第一電阻值和第二電阻值來(lái)確定。
如上所述，至于多個(gè)TMR元件，基于第一電阻值(初始電阻值)和第二電阻值(就在使電流連續(xù)通過(guò)TMR元件預(yù)定的時(shí)間后的電阻值)確定的其電阻變化程度的分布，即電阻值變化率或者電阻值變化量的分布兩極分化成兩組。第一組是具有大的電阻值變化率或者大的電阻值變化量的TMR元件組，而第二組是具有小的電阻值變化率或者小的電阻值變化量的TMR元件組。第一組中許多TMR元件產(chǎn)生RTN，而第二組中很少的TMR元件產(chǎn)生RTN。另外，第一組中的TMR元件的擊穿電壓低于第二組中TMR元件。因此，通過(guò)根據(jù)從第一或初始電阻值到第二電阻值，即就在使電流連續(xù)通過(guò)TMR元件預(yù)定時(shí)間后的電阻值的變化量來(lái)驗(yàn)證TMR元件的穩(wěn)定性和可靠性，可以非常容易地評(píng)價(jià)TMR元件是無(wú)缺陷/有缺陷的。另外，因?yàn)閷?shí)施所述評(píng)價(jià)測(cè)試不會(huì)破壞TMR元件，所以可以100％檢查制造的TRM元件。
優(yōu)選所述評(píng)價(jià)單元包括使用變化率R2/R1來(lái)評(píng)價(jià)TRM元件的評(píng)估單元，其中R2表示第一電阻值，R1表示第二電阻值。
還優(yōu)選所述評(píng)估單元包括當(dāng)變化率R2/R1大于預(yù)定閾值時(shí)判斷TMR元件是無(wú)效產(chǎn)品的單元。在此情況下，優(yōu)選預(yù)定的閾值是位于97.5-98.5(％)范圍內(nèi)的預(yù)定值。
優(yōu)選所述預(yù)定的時(shí)間是兩到三分鐘的預(yù)定時(shí)間。
還優(yōu)選所述TRM元件是TMR磁頭元件或者M(jìn)RAM。
本發(fā)明的其它目的和優(yōu)點(diǎn)將從下面如附圖舉例說(shuō)明的本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的說(shuō)明中顯現(xiàn)。


圖1是說(shuō)明作為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的測(cè)試TMR磁頭元件的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是說(shuō)明圖1的實(shí)施方案中測(cè)試程序的流程圖；圖3是沿著與磁頭元件的空氣支承表面(air bearing surface ABS)正交的方向看的剖視圖，表明了圖1的實(shí)施方案中每個(gè)TMR磁頭元件的例示結(jié)構(gòu)；圖4是說(shuō)明圖3的TMR磁頭元件，從ABS看的剖視圖。
圖5是說(shuō)明對(duì)于許多TMR磁頭元件，初始電阻R1和電流通過(guò)后的電阻R2的測(cè)量結(jié)果的圖；圖6是說(shuō)明對(duì)于許多TMR磁頭元件，初始電阻R1和電流通過(guò)后的電阻R2的測(cè)量結(jié)果的圖；圖7是說(shuō)明對(duì)于許多TMR磁頭元件，未發(fā)生RTN和發(fā)生RTN的測(cè)量結(jié)果的圖；圖8是說(shuō)明通過(guò)向A和B組中所含的TMR磁頭元件增加外加電壓而測(cè)量擊穿電壓的結(jié)果的圖；圖9是說(shuō)明通過(guò)向A和B組中所含的TMR磁頭元件增加外加電壓而測(cè)量擊穿電壓的結(jié)果的圖；圖10是說(shuō)明本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的測(cè)試TMR磁頭元件的部分結(jié)構(gòu)的示意圖；圖11是說(shuō)明本發(fā)明再另一個(gè)實(shí)施方案的測(cè)試TMR磁頭元件的部分結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
圖1示意性地舉例說(shuō)明了作為本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案的測(cè)試TMR磁頭元件的結(jié)構(gòu)。
在該圖中，參考數(shù)字10表示帶有多個(gè)排列的，但彼此仍未各自分離的TMR磁頭的棒形構(gòu)件或者棒形塊，并且11表示TMR磁頭元件測(cè)試設(shè)備。
棒形部件10通過(guò)如下方法提供根據(jù)薄膜技術(shù)在晶片形成大量按矩陣排列的TMR磁頭；將晶片切割成棒形構(gòu)件，以至于每個(gè)構(gòu)件具有排列的磁頭；以及研磨磁頭構(gòu)件10的ABS，從而調(diào)整磁頭間隙深度(MR高度)。棒形構(gòu)件10的每個(gè)TMR磁頭10a安裝有TMR讀取磁頭元件、感應(yīng)寫(xiě)入磁頭元件、一對(duì)與TMR讀取磁頭元件電學(xué)連接的端子焊盤10b，以及一對(duì)與感應(yīng)寫(xiě)入磁頭元件電學(xué)連接的端子焊盤10c。
測(cè)試設(shè)備11具有一對(duì)可以與TMR磁頭元件的一對(duì)端子焊盤10b電接觸的探針11a、與所述探針對(duì)11a電學(xué)連接的恒壓供應(yīng)電路11b，用來(lái)向TMR磁頭元件供應(yīng)恒定的電壓、與探針對(duì)11a電學(xué)連接的電流測(cè)量電路11c，用來(lái)測(cè)量流過(guò)TMR磁頭元件的電流、與電流測(cè)量電路11c電學(xué)連接的模-數(shù)(A/D)轉(zhuǎn)換器11d，用來(lái)將其模擬輸出轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號(hào)，以及與A/D轉(zhuǎn)換器11d和恒壓供應(yīng)電路11b電學(xué)連接的數(shù)字計(jì)算機(jī)11e。數(shù)字計(jì)算機(jī)11e依次接收來(lái)自A/D轉(zhuǎn)換器11d的數(shù)字信號(hào)并且計(jì)算初始電阻R1和電流通過(guò)后的電阻R2，從而判斷TMR磁頭元件是否是有缺陷的。另外，數(shù)字計(jì)算機(jī)11e控制恒壓供應(yīng)電路11b和A/D轉(zhuǎn)換器11d的操作。
圖2說(shuō)明了本實(shí)施方案中測(cè)試設(shè)備11的測(cè)試程序。
如圖所示，首先使探針對(duì)11a與棒形構(gòu)件10中待測(cè)試的TMR磁頭元件的端子焊盤10b電接觸，并且在這種狀態(tài)下，開(kāi)始從恒壓供應(yīng)電路11b向TMR磁頭元件施加例如150毫伏的恒定電壓(步驟S1)。在此情況下，不管TMR多層的層壓次序如何，應(yīng)該施加電壓，使電流肯定在層壓方向上向上流動(dòng)(在層壓方向上從基底側(cè)向上側(cè))。
然后，測(cè)量流過(guò)TMR磁頭元件的電流值，并且將測(cè)量的電流值輸入計(jì)算機(jī)11e，計(jì)算TMR磁頭元件的電阻值(步驟S2)。所述電阻值可以容易地從施加的恒定電壓，例如150毫伏，以及測(cè)量的電流值來(lái)計(jì)算。計(jì)算的電阻值存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)11e中。具體地說(shuō)，存儲(chǔ)初始獲得的電阻值作為電阻R1。
然后，判斷是否從施加恒定電壓開(kāi)始已經(jīng)過(guò)去了預(yù)定的時(shí)間，例如2-3分鐘(在本實(shí)施方案中為2分鐘15秒)(步驟3)。如果沒(méi)有，即還沒(méi)有消逝預(yù)定的時(shí)間，重復(fù)執(zhí)行步驟S2中的測(cè)量和計(jì)算過(guò)程。如果判斷是肯定的，即已經(jīng)過(guò)去了預(yù)定的時(shí)間，執(zhí)行下一步驟S4的過(guò)程。
在步驟S4中，基于最后測(cè)量的電流值計(jì)算電阻值，計(jì)算的電阻作為電阻R2存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)11e中，然后完成恒定電壓的施加。
結(jié)果，存儲(chǔ)就在開(kāi)始恒定電壓施加后的電阻值作為電阻R1，并且存儲(chǔ)就在終止恒定電壓施加前的電阻值作為電阻R2。電阻R1相應(yīng)于電流流動(dòng)前TMR磁頭元件的初始電阻值，并且電阻R2相應(yīng)于電流連續(xù)流過(guò)TMR磁頭元件預(yù)定時(shí)間后的TMR磁頭元件的電阻值。
此后，判斷電阻的變化率(R2/R1)×100(％)是否大于位于97.5-98.5(％)范圍內(nèi)的預(yù)定閾值(步驟S5)。
如果大于，即電阻的變化率大于所述閾值，評(píng)價(jià)出TMR磁頭元件是無(wú)缺陷的產(chǎn)品(步驟S6)。如果不大于，即電阻的變化率不大于所述閾值，評(píng)價(jià)出TMR磁頭元件是有缺陷的產(chǎn)品(步驟S7)。
然后，以這種方式順序評(píng)價(jià)棒形構(gòu)件10中的剩余TMR磁頭元件。
圖3和4說(shuō)明本實(shí)施方案中每個(gè)磁頭元件的例示結(jié)構(gòu)。圖3表示沿著與TMR磁頭元件的ABS正交的方向觀察的截面，并且圖4是從ABS觀察的截面。
如這些圖片所示，TMR磁頭元件的TMR薄膜具有如下多層結(jié)構(gòu)反鐵磁性層(PtMn 15納米)32、釘扎層(CoFe 2納米/Ru 0.8納米/CoFe 3納米)33、勢(shì)壘層(Al 0.575納米-Ox)34、自由層(CoFe 2納米/NiFe 3納米)和蓋層(Ta)36，這些層通過(guò)緩沖層(Ta/NiFe)31順序?qū)訅涸谙虏科帘螌?NiFe)30上。在TMR薄膜上，層壓金屬間隙層37和上部屏蔽層38。在位于TMR薄膜的磁道寬度方向上的橫向區(qū)域中形成偏置層39。在變體中，TMR多層的層壓順序可以相反。
下文中，說(shuō)明圖2中所示的程序?yàn)槭裁纯梢栽u(píng)價(jià)TMR磁頭元件是無(wú)缺陷/有缺陷的。
圖5和6說(shuō)明了對(duì)于許多TMR磁頭元件，初始電阻R1和電流通過(guò)后的電阻R2的測(cè)量結(jié)果。圖5的橫坐標(biāo)表示初始電阻R1(Ω)，并且其縱坐標(biāo)表示電阻的變化率R2/R1(％)，即(電流通過(guò)后的電阻)/(初始電阻)。圖6的橫坐標(biāo)表示電阻的變化率R2/R1(％)，并且其縱坐標(biāo)表示其頻率(％)。
如這些圖片所示，電阻變化率R2/R1，即電流通過(guò)后的電阻相對(duì)于TMR磁頭元件初始電阻的變化率的分布兩極分化成兩組A和B。另外，從這些圖中，表現(xiàn)出組A和B之間的閾值將是位于R2/R1＝97.5-98.5(％)范圍內(nèi)的電阻變化率R2/R1的預(yù)定值。
然后，驗(yàn)證TMR磁頭元件的穩(wěn)定性和可靠性。
首先，對(duì)于每組中的TMR磁頭元件使用DP試驗(yàn)機(jī)實(shí)施操作測(cè)試，從而測(cè)量來(lái)自TMR磁頭元件的再現(xiàn)輸出，并且驗(yàn)證再現(xiàn)的輸出中是否含有任何RTN。測(cè)量和驗(yàn)證的結(jié)果表示在圖7中。在該圖中，橫坐標(biāo)表示初始電阻R1(Ω)，并且橫坐標(biāo)表示電阻的變化率R2/R1(％)。從圖5和7中可以看出，在圖5的組A中含有大多數(shù)未發(fā)生RTN并因此是穩(wěn)定的TMR磁頭元件，并且在圖6的組B中含有大多數(shù)發(fā)生RTN并因此是不穩(wěn)定的TMR磁頭元件。
另外，通過(guò)逐漸增加外加電壓并測(cè)量其電阻來(lái)檢查組A中包含的TMR磁頭元件A1-A5和組B中包含的TMR磁頭元件B1-B5的擊穿電壓。檢查結(jié)果表示在圖8和9中。在圖8中，橫坐標(biāo)表示外加電壓(毫伏)，并且縱坐標(biāo)表示電阻(Ω)。在圖9中，橫坐標(biāo)表示電阻的變化率R2/R1(％)，并且縱坐標(biāo)表示擊穿電壓(毫伏)。從這些圖中可以看出，所有組A中包含的TMR磁頭元件A1-A5具有比組B中包含的TMR磁頭元件B1-B5更高的擊穿電壓，因此具有更高程度的可靠性。
因此，可以評(píng)價(jià)出電阻的變化率R2/R1，即電流通過(guò)后電阻相對(duì)于初始電阻的變化率高于位于97.5-98.5(％)范圍的預(yù)定范圍的TMR磁頭元件是高度穩(wěn)定且可靠的，因此是無(wú)缺陷的產(chǎn)品。與此相反，還可以評(píng)價(jià)出電阻的變化率R2/R1低于位于R2/R1＝97.5-98.5(％)范圍內(nèi)的預(yù)定閾值，例如98.0(％)的TMR磁頭元件是不穩(wěn)定的并且不可靠的，因?yàn)樵谄鋭?shì)壘層中可能形成針孔，因此是有缺陷的產(chǎn)品。
應(yīng)當(dāng)理解根據(jù)本實(shí)施方案可以非常容易地實(shí)施TMR磁頭元件穩(wěn)定性和可靠性的驗(yàn)證，因此無(wú)缺陷和有缺陷產(chǎn)品的評(píng)價(jià)測(cè)試。另外，根據(jù)本實(shí)施方案，因?yàn)閷?shí)施所述評(píng)價(jià)不會(huì)破壞TMR磁頭元件，所以可以100％檢查所制造的TMR磁頭元件。
在上述實(shí)施方案中，為了知道初始電阻和電流通過(guò)后的電阻，向TMR磁頭元件施加恒定的電壓，并且測(cè)量流過(guò)TMR磁頭元件的電流。但是，根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)提供通過(guò)TMR磁頭元件的恒定電流，并且測(cè)量TMR磁頭元件的電壓可以獲得這些電阻。
圖10示意性地說(shuō)明了作為本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方案的測(cè)試TMR磁頭元件的部分結(jié)構(gòu)。
在圖1的實(shí)施方案中，對(duì)于帶有沒(méi)有各自分離向排列的TMR磁頭的調(diào)整MR高度的棒形構(gòu)件，進(jìn)行TMR磁頭元件的測(cè)試。但是，在該實(shí)施方案中，通過(guò)使探針對(duì)101a與TMR磁頭元件的端子焊盤對(duì)100b電接觸，對(duì)從棒形構(gòu)件分離的單個(gè)磁頭滑塊100實(shí)施測(cè)試。本實(shí)施方案測(cè)試設(shè)備的另一種配置、操作和優(yōu)點(diǎn)的基本上與圖1實(shí)施方案中的相同。
圖11示意性地說(shuō)明了作為本發(fā)明再一個(gè)實(shí)施方案的測(cè)試TMR磁頭元件的部分結(jié)構(gòu)。
在本實(shí)施方案中，通過(guò)使探針對(duì)111a與和TMR磁頭元件電學(xué)連接的連接焊盤對(duì)112a電接觸，對(duì)由懸架112和安裝在懸架112上的磁頭滑塊110組成的磁頭平衡架組件(head gimbal assembly)(HGA)進(jìn)行測(cè)試。本實(shí)施方案測(cè)試設(shè)備的另一種配置、操作和優(yōu)點(diǎn)的基本上與圖1實(shí)施方案中的相同。
盡管上述的實(shí)施方案關(guān)于用來(lái)測(cè)試TMR磁頭元件的方法和設(shè)備，但是明顯本發(fā)明可以被相似地應(yīng)用于測(cè)試MRAM。
可以構(gòu)筑許多廣泛不同的實(shí)施方案而不會(huì)背離本發(fā)明的精神和范圍。應(yīng)當(dāng)理解除了如附加權(quán)利要求中所定義外，本發(fā)明沒(méi)有局限于在本說(shuō)明書(shū)中說(shuō)明的具體實(shí)施方案。
權(quán)利要求
1.一種用來(lái)測(cè)試隧道磁電阻效應(yīng)元件的方法，其包含下列步驟初始測(cè)量所述隧道磁電阻效應(yīng)元件的電阻值，以提供所測(cè)量的電阻值作為第一電阻值；在使電流連續(xù)通過(guò)所述隧道磁電阻效應(yīng)元件預(yù)定的時(shí)間后，測(cè)量所述隧道磁電阻效應(yīng)元件的電阻值，以提供所測(cè)量的電阻值作為第二電阻值；以及根據(jù)所述隧道磁電阻效應(yīng)元件電阻變化的程度，評(píng)價(jià)所述隧道磁電阻效應(yīng)元件，所述電阻變化的程度基于所述第一電阻值和所述第二電阻值來(lái)確定。
2.如權(quán)利要求1要求的方法，其中所述評(píng)價(jià)步驟包括使用變化率R2/R1來(lái)評(píng)價(jià)所述隧道磁電阻效應(yīng)元件，其中R2表示第一電阻值，R1表示第二電阻值。
3.如權(quán)利要求2要求的方法，其中所述評(píng)價(jià)步驟包括當(dāng)所述變化率R2/R1大于預(yù)定閾值時(shí)，判斷所述隧道磁電阻效應(yīng)元件是無(wú)效產(chǎn)品。
4.如權(quán)利要求3要求的方法，其中所述的預(yù)定閾值是位于97.5-98.5(％)范圍內(nèi)的預(yù)定值。
5.如權(quán)利要求1要求的方法，其中所述預(yù)定的時(shí)間是兩到三分鐘的預(yù)定時(shí)間。
6.如權(quán)利要求1要求的方法，其中所述隧道磁電阻效應(yīng)元件是隧道磁電阻效應(yīng)磁頭元件。
7.如權(quán)利要求1要求的方法，其中所述隧道磁電阻效應(yīng)元件是磁電阻效應(yīng)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
8.一種用來(lái)測(cè)試隧道磁電阻效應(yīng)元件的設(shè)備，其包含用來(lái)初始測(cè)量所述隧道磁電阻效應(yīng)元件的電阻值，以提供所測(cè)量的電阻值作為第一電阻值的裝置；用來(lái)在連續(xù)使電流通過(guò)所述隧道磁電阻效應(yīng)元件預(yù)定的時(shí)間后，測(cè)量所述隧道磁電阻效應(yīng)元件的電阻值，以提供所測(cè)量的電阻值作為第二電阻值的裝置；以及用來(lái)根據(jù)所述隧道磁電阻效應(yīng)元件電阻變化的程度評(píng)價(jià)所述隧道磁電阻效應(yīng)元件的裝置，所述電阻變化的程度基于所述第一電阻值和所述第二電阻值來(lái)確定。
9.如權(quán)利要求8要求的設(shè)備，其中所述評(píng)價(jià)裝置包括用來(lái)使用變化率R2/R1評(píng)價(jià)所述隧道磁電阻效應(yīng)元件的評(píng)估裝置，其中R2表示第一電阻值，R1表示第二電阻值。
10.如權(quán)利要求9要求的設(shè)備，其中所述評(píng)估裝置包括當(dāng)所述變化率R2/R1大于預(yù)定閾值時(shí)，判斷所述隧道磁電阻效應(yīng)元件是無(wú)效產(chǎn)品的裝置。
11.如權(quán)利要求10要求的設(shè)備，其中所述預(yù)定的閾值是位于97.5-98.5(％)范圍內(nèi)的預(yù)定值。
12.如權(quán)利要求8要求的設(shè)備，其中所述預(yù)定的時(shí)間是兩到三分鐘的預(yù)定時(shí)間。
13.如權(quán)利要求8要求的設(shè)備，其中所述隧道磁電阻效應(yīng)元件是隧道磁電阻效應(yīng)磁頭元件。
14.如權(quán)利要求8要求的設(shè)備，其中所述隧道磁電阻效應(yīng)元件是磁電阻效應(yīng)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。
全文摘要
一種用來(lái)測(cè)試TMR元件的方法，包括初始測(cè)量TMR元件的電阻值以提供所測(cè)量的電阻值作為第一電阻值的步驟；在連續(xù)使電流通過(guò)TMR元件預(yù)定的時(shí)間后，測(cè)量TMR元件的電阻值以提供所測(cè)量的電阻值作為第二電阻值的步驟；以及根據(jù)TMR元件電阻變化的程度來(lái)評(píng)價(jià)TMR元件的步驟。電阻變化的程度基于第一電阻值和第二電阻值來(lái)確定。
文檔編號(hào)G11B5/00GK1677502SQ200510054118
公開(kāi)日2005年10月5日 申請(qǐng)日期2005年3月4日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月5日
發(fā)明者猿木俊司, 稻毛健治, 蜂須賀望, 清野浩 申請(qǐng)人:Tdk株式會(huì)社