專利名稱：與相關(guān)申請交叉參考的超分辨率信息存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種超分辨率信息存儲介質(zhì)，更具體地講，涉及一種包括大小小于再現(xiàn)光束的分辨能力的記錄標記并且具有信號再現(xiàn)的改善的載噪比(C/N)和改善的穩(wěn)定性的信息存儲介質(zhì)，其中，信息記錄在所述記錄標記中并且信息從所述記錄標記再現(xiàn)。
背景技術(shù)：
光學(xué)記錄介質(zhì)被用作信息存儲介質(zhì)，對于所述信息存儲介質(zhì)，光學(xué)拾取單元以非接觸方式記錄和/或存儲信息。由于工業(yè)發(fā)展，信息存儲介質(zhì)需要更高的存儲密度。為了這種目的，已經(jīng)開發(fā)了具有大小小于激光束的分辨能力的記錄標記以產(chǎn)生超分辨率現(xiàn)象的光學(xué)記錄介質(zhì)。
當用于從記錄介質(zhì)再現(xiàn)信息的光源的波長為λ并且物鏡的數(shù)值孔徑為NA時，再現(xiàn)分辨極限一般為λ/4NA。換句話說，因為從光源照射的光束不能辨別大小小于λ/4NA的記錄標記，所以信息再現(xiàn)一般是不可能的。
發(fā)明公開技術(shù)問題然而，可能發(fā)生超分辨率現(xiàn)象，即，可從大小大于再現(xiàn)分辨極限的記錄標記再現(xiàn)信息。因此，正在進行關(guān)于這樣的超分辨率現(xiàn)象的研究和開發(fā)及其原因的分析。根據(jù)超分辨率現(xiàn)象，可從大小大于再現(xiàn)分辨極限的記錄標記再現(xiàn)信息。因此，超分辨率記錄介質(zhì)可基本上滿足高密度和大容量的要求。
為了普遍地使用這種超分辨率記錄介質(zhì)，所述超分辨率記錄介質(zhì)必須滿足基本的記錄和再現(xiàn)特性。在記錄和再現(xiàn)特性中，信號再現(xiàn)的C/N和穩(wěn)定性是很重要的。具體地講，與普通的信息存儲介質(zhì)相比，超分辨率信息存儲介質(zhì)使用具有相對高的功率的記錄和再現(xiàn)光束。因此，對于所述超分辨率記錄介質(zhì)，實現(xiàn)這樣的C/N和所述C/N的穩(wěn)定性是主要任務(wù)。
技術(shù)解決方案本發(fā)明提供這樣一種信息存儲介質(zhì)，在所述信息存儲介質(zhì)中，可以改善C/N并且可以防止記錄標記由于反復(fù)再現(xiàn)而變形，以便增加再現(xiàn)穩(wěn)定性和可靠性。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，可利用信息存儲介質(zhì)將信息記錄在大小小于入射光束的分辨能力的記錄標記中或者從所述記錄標記再現(xiàn)信息。所述信息存儲介質(zhì)包括基底；第一超分辨率層，形成在基底之上；第二超分辨率層，形成在第一超分辨率層之上；和插入層，設(shè)置在第一超分辨率層和第二超分辨率層之間。
通常，所述插入層由絕緣材料形成。
通常，所述插入層由ZnS-SiO2、SiOx、SiNx、AlOx或AlNx形成，其中，x是正數(shù)。
通常，第一超分辨率層和第二超分辨率層由PtOx、AuOx、PdOx或AgOx中的至少一種形成或者由高分子量聚合物材料形成，其中，x是正數(shù)。
所述信息存儲介質(zhì)還包括至少一個吸熱層，其吸收入射光束的熱量。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，可利用信息存儲介質(zhì)將信息記錄在大小小于入射光束的分辨能力的記錄標記中或者從所述記錄標記再現(xiàn)信息。所述信息存儲介質(zhì)包括基底；第一絕緣層，形成在基底之上；第一吸熱層，形成在第一絕緣層之上并且通過入射光束而變形；第二絕緣層，形成在第一吸熱層之上；第一超分辨率層，形成在第二絕緣層之上并且包括入射光束照射到其上的部分，并且所述第一超分辨率層的光學(xué)特性被改變以便發(fā)生超分辨率現(xiàn)象；第二超分辨率層，形成在第一超分辨率層之上并且包括入射光束照射到其上的部分，并且所述第二超分辨率層的光學(xué)特性被改變以便發(fā)生超分辨率現(xiàn)象；插入層，設(shè)置在第一超分辨率層和第二超分辨率層之間；和第三絕緣層，設(shè)置在第二超分辨率層之上。
所述信息存儲介質(zhì)還包括第二吸熱層，形成在第三絕緣層之上；和第四絕緣層，形成在第二吸熱層之上。
在下面的描述中將部分地闡明本發(fā)明另外的方面和/或優(yōu)點，通過描述，部分地將是顯而易見的，或者通過實施本發(fā)明可以了解。
有益的效果在根據(jù)本發(fā)明的信息存儲介質(zhì)中，可以以超分辨率從大小小于分辨能力的記錄標記再現(xiàn)信息，以改善C/N值并且防止反復(fù)再現(xiàn)而引起的所述信息存儲介質(zhì)的惡化。因此，可實現(xiàn)超分辨率信息存儲介質(zhì)的高記錄密度和大容量。


通過下面結(jié)合附圖對實施例進行的描述，本發(fā)明的這些和/或其他方面和優(yōu)點將會變得清楚和更易于理解，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)的剖面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的信息存儲介質(zhì)的剖面圖；圖3A是根據(jù)本發(fā)明實施例的被構(gòu)造為測量C/N和C/N的穩(wěn)定性的信息存儲介質(zhì)的剖面圖；圖3B是不包括插入層的信息存儲介質(zhì)的剖面圖，該信息存儲介質(zhì)用于提供與本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)的C/N和C/N的穩(wěn)定性的比較；圖4是用于顯示在本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)中C/N相對于再現(xiàn)光束的功率的變化和在圖3B的信息存儲介質(zhì)中C/N相對于再現(xiàn)光束的功率的變化之間的比較的曲線圖；圖5A是顯示在本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)中形成的記錄標記的透射電子顯微鏡(TEM)照片；圖5B是顯示在圖3B的信息存儲介質(zhì)中形成的記錄標記的TEM照片；圖6A是顯示用于本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)的射頻(RF)信號的示圖；圖6B是顯示用于圖3B的信息存儲介質(zhì)的RF信號的示圖；圖7是顯示在2T和8T中C/N相對于對本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)執(zhí)行的再現(xiàn)次數(shù)的變化的曲線圖，即，當對本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)重復(fù)再現(xiàn)上萬次時在2T和8T中C/N相對于再現(xiàn)次數(shù)的變化的曲線圖；圖8是顯示在2T和8T中C/N相對于對圖3B的信息存儲介質(zhì)執(zhí)行的再現(xiàn)次數(shù)的變化的曲線圖；圖9是示出通過使用本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)的插入層來防止記錄標記由于反復(fù)再現(xiàn)而惡化的原理的示圖；和圖10是示出用于對本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)的記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)的示意圖。
本發(fā)明的方式現(xiàn)在將對本發(fā)明實施例進行詳細說明，本發(fā)明的示例顯示在附圖中，其中，相同的標號始終表示相同的部件。下面將參照附圖來對實施例進行描述以解釋本發(fā)明。
根據(jù)本發(fā)明的信息存儲介質(zhì)指的是超分辨率信息存儲介質(zhì)，其中，信息可以記錄在具有大小小于照射的入射光束的分辨極限的記錄標記的記錄介質(zhì)中，并且信息可從所述記錄介質(zhì)再現(xiàn)。
參照圖1，所述信息存儲介質(zhì)包括至少一個吸熱層14以及第一超分辨率層18和第二超分辨率層22，吸熱層14通過記錄或再現(xiàn)光束的照射而被熱變形以用于發(fā)生超分辨率現(xiàn)象。插入層20設(shè)置在第一超分辨率層18和第二超分辨率層22之間。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)包括基底10；至少一個吸熱層14，其吸收記錄或再現(xiàn)光束的熱量，從而變形；第一超分辨率層18和第二超分辨率層22；以及插入層20，其設(shè)置在第一超分辨率層18和第二超分辨率層22之間。
基底10由聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、非晶型聚烯烴(APO)或玻璃材料形成。
通常，第一超分辨率層18和第二超分辨率層22由PtOx、PdOx、AuOx或AgOx中的至少一種形成或者由高分子量聚合物材料形成，其中，x是正數(shù)。這里，第一超分辨率層18和第二超分辨率層22吸收記錄或再現(xiàn)光束的熱量，從而變形。
插入層20用于防止由于再現(xiàn)光束的反復(fù)照射而引起第一超分辨率層18和第二超分辨率層22變形及其擴散，并且插入層通常由絕緣材料形成。例如，插入層20通常由ZnS-SiO2、SiOx、SiNx、AlOx和AlNx中的至少一種形成，其中，x是正數(shù)。
另一方面，插入層20通?？捎砂雽?dǎo)體材料形成。
吸熱層14可設(shè)置在基底10和第一超分辨率層18之間，或者可設(shè)置在第二超分辨率層22之上。吸熱層14可由Ge-Sb-Te基合金或Ag-In-Sb-Te基合金形成。吸熱層14通過再現(xiàn)光束而變形，以便幫助第一超分辨率層18和第二超分辨率層22變形。記錄和再現(xiàn)光束可從基底10以下或相對于基底10的相對方向朝基底10照射。
吸熱層14可設(shè)置在第一超分辨率層18和第二超分辨率層22之下，或者設(shè)置在第一超分辨率層18和第二超分辨率層22之上，但是，吸熱層14通常設(shè)置在用于照射超分辨率層18和22的記錄或再現(xiàn)光束的路徑上。
將解釋根據(jù)本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)的一次功能操作。這里，將解釋第一超分辨率層18和第二超分辨率層22由氧化鉑(PtOx，其中，x是正數(shù))形成的情況。
當記錄功率的激光束照射到第一超分辨率層18和第二超分辨率層22上時，激光束聚焦的區(qū)域變形。當具有溫度高于預(yù)定溫度的激光束照射到第一超分辨率層18和第二超分辨率層22上時，氧化鉑(PtOx，其中，x是正數(shù))分解為鉑和氧，隨后，氧形成氣泡。因此，光點聚焦的部分膨脹。吸熱層14隨著第一超分辨率層18和第二超分辨率層22的變形一起變形。這樣的變形導(dǎo)致形成記錄標記m。記錄標記m不會通過具有比記錄光束的功率低的功率的再現(xiàn)光束而變形，而是保持其原有形狀。
記錄標記m可通過相位變化以及如上所述的起泡來形成。在這種情況下，吸熱層14可通過材料(如，Ge-Sb-Te基合金或Ag-In-Sb-Te基合金)的相位變化來形成，并且記錄光束已經(jīng)照射到其上的吸熱層14的部分被改變?yōu)闊o定形狀態(tài)(amorphous state)以形成記錄標記m。在記錄標記形成在吸熱層14中的情況下，可對本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)執(zhí)行記錄和擦除。
根據(jù)本發(fā)明的信息存儲介質(zhì)可以是只再現(xiàn)信息存儲介質(zhì)。當本發(fā)明的信息存儲介質(zhì)是只再現(xiàn)信息存儲介質(zhì)時，記錄標記以坑的形式形成在基底10上。當對包括大小大于分辨極限的坑的只再現(xiàn)信息存儲介質(zhì)執(zhí)行再現(xiàn)時，吸熱層14以及第一超分辨率層18和第二超分辨率層22通過再現(xiàn)光束而熱變形。其結(jié)果是，發(fā)生超分辨率現(xiàn)象以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的再現(xiàn)。
第一絕緣層12形成在基底10和吸熱層14之間，第二絕緣層16形成在吸熱層14和第一超分辨率層18之間，而第三絕緣層24形成在第二超分辨率層22之上。
現(xiàn)在將解釋根據(jù)本發(fā)明另一實施例的信息存儲介質(zhì)。參照圖2，所述信息存儲介質(zhì)包括基底30；第一超分辨率層38和第二超分辨率層42，形成在基底30之上；插入層40，設(shè)置在第一超分辨率層38和第二超分辨率層42之間；以及第一吸熱層34和第二吸熱層46。在圖2的實施例中，吸熱層包括兩層。
第一絕緣層32形成在基底30和第一吸熱層34之間，第二絕緣層36形成在第一吸熱層34和第一超分辨率層38之間，第三絕緣層44形成在第二超分辨率層42和第二吸熱層46之間，而第四絕緣層48形成在第二吸熱層46之上。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明選擇的實施例的信息存儲介質(zhì)的特性在于，插入層20形成在第一超分辨率層18和第二超分辨率層22之間或者插入層40形成在第一超分辨率層38和第二超分辨率層42之間。
將比較設(shè)置有插入層20或40的情況和沒有設(shè)置插入層20或40的情況下從關(guān)于C/N和由反復(fù)再現(xiàn)引起的惡化特性的試驗獲得的結(jié)果。
如圖3A所示，用于測量C/N和C/N的穩(wěn)定性的根據(jù)本發(fā)明的信息存儲介質(zhì)包括1.1mm的基底、85nm的ZnS-SiO2第一絕緣層、15nm的Ge-Sb-Te第一吸熱層、25nm的ZnS-SiO2第二絕緣層、1.75nm的PtOx第一超分辨率層(其中，x是正數(shù))、1nm的插入層、1.75nm的PtOx第二超分辨率層(其中，x是正數(shù))、25nm的ZnS-SiO2第三絕緣層、15nm的Ge-Sb-Te第二吸熱層、95nm的ZnS-SiO2第四絕緣層和0.1mm覆蓋層。
如圖3B所示，可比較的信息存儲介質(zhì)包括1.1mm的基底、85nm的ZnS-SiO2第一絕緣層、15nm的Ge-Sb-Te第一吸熱層、25nm的ZnS-SiO2第二絕緣層、3.5nm的PtOx超分辨率層(其中，x是正數(shù))、25nm的ZnS-SiO2第三絕緣層、15nm的Ge-Sb-Te第二吸熱層、95nm的ZnS-SiO2第四絕緣層和0.1mm覆蓋層。
圖4是用于示出當從本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)(參照圖3A)的75nm標記再現(xiàn)信息時C/N相對于再現(xiàn)功率的變化和當從不包括插入層的信息存儲介質(zhì)(參照圖3B)的75nm標記再現(xiàn)信息時C/N相對于再現(xiàn)功率的變化之間的比較的曲線圖。正如可從圖4中看到的那樣，不包括插入層的信息存儲介質(zhì)的C/N低于包括插入層的本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)的C/N。當通過將再現(xiàn)光束的再現(xiàn)功率從1.0mW變到2.0mW來對不包括插入層的信息存儲介質(zhì)執(zhí)行再現(xiàn)時，不包括插入層的信息存儲介質(zhì)的C/N沒有達到數(shù)據(jù)再現(xiàn)所需的最小C/N值40dB。
相反，本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)的C/N在約大于1.3mW的再現(xiàn)功率時具有大于最小C/N值40dB的值。根據(jù)試驗的結(jié)果，本發(fā)明實施例的插入層有助于改善C/N。
圖5A是示出在包括插入層的本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)中形成的記錄標記(使用圓圈A標記)的形狀的TEM照片。圖5B是示出在不包括插入層的信息存儲介質(zhì)中形成的記錄標記(使用圓圈B標記)的形狀的TEM照片。
參照圖5A和圖5B，在本發(fā)明的信息存儲介質(zhì)中形成的記錄標記比在不包括插入層的信息存儲介質(zhì)中形成的記錄標記更加清楚。即使在TEM照片中，本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)的C/N值也優(yōu)于不包括插入層的信息存儲介質(zhì)的C/N值。
圖6A是示出用于本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)的RF信號的示圖，而圖6B是示出用于不包括插入層的信息存儲介質(zhì)的RF信號的示圖。
參照圖6A和圖6B，用于插入層設(shè)置在第一超分辨率層和第二超分辨率層之間的信息存儲介質(zhì)的RF信號比不包括插入層的信息存儲介質(zhì)的RF信號更加清楚。
同時，測量本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)的穩(wěn)定性。這里，通過檢查由對信息存儲介質(zhì)反復(fù)執(zhí)行再現(xiàn)而引起的惡化特性來獲得C/N的穩(wěn)定性的測量。換句話說，在幾次反復(fù)再現(xiàn)期間測量C/N值和C/N值的變化。圖7是示出在2T和8T中C/N值相對于對本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)執(zhí)行的再現(xiàn)次數(shù)的變化的曲線圖，即，當對本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)重復(fù)再現(xiàn)上萬次時在2T和8T中C/N相對于再現(xiàn)次數(shù)的變化的曲線圖。這里，當信息存儲介質(zhì)以5m/sec的速度z轉(zhuǎn)動，對于2T和8T，記錄功率分別設(shè)置為12mW、11.5mW，再現(xiàn)功率設(shè)置為1.5mW時，測量C/N值。
根據(jù)測量結(jié)果，即使當對信息存儲介質(zhì)重復(fù)再現(xiàn)上萬次時，C/N值基本上也不變化。雖然在信息存儲介質(zhì)的最初使用階段C/N值在可再現(xiàn)范圍之內(nèi)，但是C/N值可隨著反復(fù)再現(xiàn)而減小。這使得不可能有規(guī)律地使用這樣的信息存儲介質(zhì)。
圖8是顯示在2T和8T中C/N值相對于對不包括插入層的信息存儲介質(zhì)執(zhí)行的再現(xiàn)次數(shù)的變化的曲線圖。正如可從圖8中看到的那樣，隨著反復(fù)照射再現(xiàn)光束，C/N值迅速地惡化。這里，在8T的情況下，當再現(xiàn)執(zhí)行2萬次時，C/N值從52.5dB減小到49.5dB。在2T的情況下，當再現(xiàn)執(zhí)行4萬次時，C/N值從42dB減小到39.5dB。
圖9是示出在3.5mW的再現(xiàn)功率下100次再現(xiàn)期間信號惡化的過程的TEM照片。因為在對本發(fā)明實施例的超分辨率信息存儲介質(zhì)再現(xiàn)期間，再現(xiàn)光束的再現(xiàn)功率設(shè)置為1.2mW到1.3mW，所以3.5mW的再現(xiàn)功率太高了。即使對本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)執(zhí)行上萬次再現(xiàn)，本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)也沒有惡化。然而，為了觀察插入層怎樣防止信息存儲介質(zhì)惡化，通過在比正常再現(xiàn)功率高的再現(xiàn)功率下反復(fù)再現(xiàn)來引起本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)的惡化。
參照圖9，在反復(fù)再現(xiàn)期間，記錄標記內(nèi)部的氧O2繼續(xù)擴展并擴散到吸熱層中。因此，記錄標記變得不清楚，并且信息存儲介質(zhì)惡化。在最初的再現(xiàn)階段，C/N值是43dB。然而，在3.5mW的再現(xiàn)功率下100次再現(xiàn)之后，C/N值減小到33dB。考慮到這種現(xiàn)象，根據(jù)本發(fā)明實施例的插入層用于防止在反復(fù)再現(xiàn)期間金屬氧化層中的熱反應(yīng)擴散到臨近的吸熱層。
參考圖1和圖2，在關(guān)于本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)的記錄和/或再現(xiàn)方法中，具有溫度高于預(yù)定溫度的記錄光束被照射到第一超分辨率層18和第二超分辨率層22或者第一超分辨率層38和第二超分辨率層42上。其結(jié)果是，記錄標記具有比分辨能力更小的大小，并且在第一超分辨率層18和第二超分辨率層22或者第一超分辨率層38和第二超分辨率層42中產(chǎn)生等離子體激元(plasmon)。這里，第一超分辨率層18和第二超分辨率層22或者第一超分辨率層38和第二超分辨率層42的擴展引起吸熱層14或者吸熱層36和46變形。其后，再現(xiàn)光束被照射到第一超分辨率層18和第二超分辨率層22或者第一超分辨率層38和第二超分辨率層42上以激發(fā)所述等離子體激元。其結(jié)果是，記錄標記被再現(xiàn)。
當再現(xiàn)光束被照射以從信息存儲介質(zhì)再現(xiàn)信息時，第一超分辨率層18和第二超分辨率層22之間的插入層20或者第一超分辨率層38和第二超分辨率層42之間的插入層40防止第一超分辨率層18和第二超分辨率層22或者第一超分辨率層38和第二超分辨率層42的熱反應(yīng)擴散到臨近的吸熱層。其結(jié)果是，可有效地防止反復(fù)再現(xiàn)引起的信息存儲介質(zhì)的惡化。
圖10是示出用于對本發(fā)明實施例的信息存儲介質(zhì)執(zhí)行記錄和/或再現(xiàn)的記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)的示意圖。
所述記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)包括拾取單元50、記錄和/或再現(xiàn)信號處理器60、和控制器70。更詳細地講，所述記錄和/或再現(xiàn)系統(tǒng)包括激光二極管51，其照射激光束；準直透鏡52，其使得從激光二極管照射的激光束平行；分束器54，其改變?nèi)肷浼す馐斑M的路徑；和物鏡56，其將已經(jīng)經(jīng)過分束器54的激光束聚集到信息存儲介質(zhì)D上。
激光束從信息存儲介質(zhì)D被反射。接下來，激光束從分束器54向光電檢測器，例如象限光電檢測器57反射。運算電路58從象限光電檢測器57接收激光束，將激光束轉(zhuǎn)換為電信號，并且經(jīng)過通道1Ch1和通道2Ch2輸出電信號，以便使用推挽方法通過通道1檢測RF信號，即和信號，并且通過通道2檢測RF信號，即差分信號。
控制器70控制拾取單元50照射具有大于適合于信息存儲介質(zhì)D的材料的特性的預(yù)定功率的記錄光束，以便形成大小小于分辨能力的記錄標記。記錄光束用于將數(shù)據(jù)記錄在信息存儲介質(zhì)D上。當具有小于記錄光束的功率的功率的再現(xiàn)光束經(jīng)過拾取單元50聚焦在信息記錄介質(zhì)D上時，在信息記錄介質(zhì)D上發(fā)生超分辨率現(xiàn)象。信息記錄介質(zhì)D上的超分辨率現(xiàn)象與前面的描述相同，因此這里不再詳細解釋。
再現(xiàn)光束通過物鏡56和分束器54從信息存儲介質(zhì)D向象限光電檢測器57反射。運算電路58從象限光電檢測器57接收再現(xiàn)光束，將再現(xiàn)光束轉(zhuǎn)換為電信號，并輸出作為RF信號的電信號。因為RF信號如圖6A所示清楚地顯示，所以可從信息存儲介質(zhì)D再現(xiàn)信息。通過插入層20或40可改善信息存儲介質(zhì)D的C/N值和穩(wěn)定性，因此即使在反復(fù)再現(xiàn)期間C/N值和穩(wěn)定性也沒有變化。因此，記錄和/或再現(xiàn)信號處理器60和控制器70可有助于改善執(zhí)行數(shù)據(jù)的記錄和/或再現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.一種信息存儲介質(zhì)，在所述信息存儲介質(zhì)中，信息被記錄在大小小于入射光束的分辨能力的記錄標記中或者信息從所述記錄標記被再現(xiàn)，所述信息存儲介質(zhì)包括基底；第一超分辨率層，形成在所述基底之上；第二超分辨率層，形成在所述第一超分辨率層之上；和插入層，設(shè)置在所述第一超分辨率層和所述第二超分辨率層之間。
2.如權(quán)利要求1所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述插入層由絕緣材料形成。
3.如權(quán)利要求2所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述插入層由ZnS-SiO2、SiOx、SiNx、AlOx或AlNx中的至少一種形成，其中，x是正數(shù)。
4.如權(quán)利要求1所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述第一超分辨率層和所述第二超分辨率層由PtOx、AuOx、PdOx或AgOx中的至少一種形成或者由高分子量聚合物形成，其中，x是正數(shù)。
5.如權(quán)利要求1所述的信息存儲介質(zhì)，還包括至少一個吸熱層，吸收入射光束的熱量。
6.如權(quán)利要求5所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述至少一個吸熱層設(shè)置在所述基底和所述第一超分辨率層之間。
7.如權(quán)利要求5所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述至少一個吸熱層設(shè)置在所述第二超分辨率層之上。
8.如權(quán)利要求5所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述至少一個吸熱層設(shè)置在用于照射所述第一超分辨率層和所述第二超分辨率層的再現(xiàn)光束的路徑上。
9.如權(quán)利要求5所述的信息存儲介質(zhì)，其中，第一絕緣層形成在所述基底和所述至少一個吸熱層之間，并且第二絕緣層形成在所述第二超分辨率層之上。
10.如權(quán)利要求5所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述至少一個吸熱層包括第一吸熱層和第二吸熱層。
11.如權(quán)利要求10所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述第一吸熱層形成在所述第一超分辨率層和所述基底之間，并且所述第二吸熱層形成在所述第二超分辨率層之上。
12.如權(quán)利要求1所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述插入層由半導(dǎo)體材料形成。
13.一種信息存儲介質(zhì)，在所述信息存儲介質(zhì)中，信息被記錄在大小小于入射光束的分辨能力的記錄標記中或者信息從所述記錄標記被再現(xiàn)，所述信息存儲介質(zhì)包括基底；第一絕緣層，形成在所述基底之上；第一吸熱層，形成在所述第一絕緣層之上并且通過入射光束而變形；第二絕緣層，形成在所述第一吸熱層之上；第一超分辨率層，形成在所述第二絕緣層之上并且包括入射光束照射到其上的部分，并且所述第一超分辨率層具有被改變以便發(fā)生超分辨率現(xiàn)象的第一光學(xué)特性；第二超分辨率層，形成在所述第一超分辨率層之上并且包括入射光束照射到其上的部分，并且所述第二超分辨率層具有被改變以便發(fā)生超分辨率現(xiàn)象的第二光學(xué)特性；插入層，設(shè)置在所述第一超分辨率層和所述第二超分辨率層之間；和第三絕緣層，設(shè)置在所述第二超分辨率層之上。
14.如權(quán)利要求13所述的信息存儲介質(zhì)，還包括第二吸熱層，形成在所述第三絕緣層之上；和第四絕緣層，形成在所述第二吸熱層之上。
15.如權(quán)利要求13所述的信息存儲介質(zhì)，所述插入層由絕緣材料形成。
16.如權(quán)利要求13所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述插入層由ZnS-SiO2、SiOx、SiNx、AlOx或AlNx中的至少一種形成，其中，x是正數(shù)。
17.如權(quán)利要求13所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述第一超分辨率層和所述第二超分辨率層由PtOx、AuOx、PdOx或AgOx中的至少一種形成或者由高分子量聚合物材料形成，其中，x是正數(shù)。
18.如權(quán)利要求13所述的信息存儲介質(zhì)，其中，所述插入層由半導(dǎo)體材料形成。
19.一種對信息存儲介質(zhì)進行記錄和/或再現(xiàn)的方法，在所述信息存儲介質(zhì)中，信息被記錄在大小小于照射的入射光束的分辨能力的記錄標記中或者信息從所述記錄標記被再現(xiàn)，所述方法包括將記錄功率和溫度高于預(yù)定溫度的激光束照射到所述信息存儲介質(zhì)的第一超分辨率層和第二超分辨率層上，以使所述激光束聚焦的所述第一超分辨率層和所述第二超分辨率層的區(qū)域變形，其中，所述第一超分辨率層和所述第二超分辨率層由PtOx、AuOx、PdOx或AgOx或者高分子量聚合物形成，其中，x是正數(shù)；和經(jīng)過使從分解PtOx、AuOx、PdOx或AgOx獲得的氧起泡導(dǎo)致所述激光束聚焦的區(qū)域的一部分膨脹，使得所述區(qū)域變形；其中，所述信息存儲介質(zhì)的吸熱層隨著所述第一超分辨率層和所述第二超分辨率層的區(qū)域的變形一起變形，以形成記錄標記，其中，所述記錄標記不會通過具有比記錄光束的功率低的功率的再現(xiàn)光束而變形。
20.一種對信息存儲介質(zhì)進行記錄和/或再現(xiàn)的方法，在所述信息存儲介質(zhì)中，信息被記錄在大小小于照射的入射光束的分辨能力的記錄標記中或者信息從所述記錄標記被再現(xiàn)，所述方法包括將記錄功率和溫度高于預(yù)定溫度的激光束照射到所述信息存儲介質(zhì)的第一超分辨率層和第二超分辨率層上，以使所述激光束聚焦的所述第一超分辨率層和所述第二超分辨率層的區(qū)域變形，其中，所述信息存儲介質(zhì)包括至少一個吸熱層，所述至少一個吸熱層由Ge-Sb-Te基合金或Ag-In-Sb-Te基合金形成；和經(jīng)由通過將記錄光束已經(jīng)照射到其上的所述吸熱層的一部分改變?yōu)闊o定形狀態(tài)而產(chǎn)生的Ge-Sb-Te基合金或Ag-In-Sb-Te基合金的相位變化，使所述激光束聚焦的區(qū)域變形以形成記錄標記，其中，所述記錄標記不會通過具有比記錄光束的功率低的功率的再現(xiàn)光束而變形。
全文摘要
一種超分辨率信息存儲介質(zhì)，包括基底；第一超分辨率層，形成在基底之上；第二超分辨率層，形成在第一超分辨率層之上；和插入層，設(shè)置在第一超分辨率層和第二超分辨率層之間。
文檔編號G11B7/00GK1886789SQ200480035523
公開日2006年12月27日 申請日期2004年11月30日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月2日
發(fā)明者金鉉基, 金朱鎬, 黃仁吾, 尹斗燮 申請人:三星電子株式會社